JP2001074817A - 半導体デバイス評価方法及び装置 - Google Patents
半導体デバイス評価方法及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶欠陥等に基づく異常をポイントで捉え
る。 【解決手段】 ＯＢＩＣ現象が発生する波長のレーザ光
源を備えた第１マイクロスコープ２１Ａと，ＯＢＩＣ現
象が発生しない波長のレーザ光源を備えた第２マイクロ
スコープ２１Ｂを備える。第１マイクロスコープ２１Ａ
のレーザ光源を作動させ、反射光像とＯＢＩＣ像を重畳
して表示する。この状態で、第２マイクロスコープ２１
Ｂのレーザ光源を作動させる。次に、第１マイクロスコ
ープ２１Ａのレーザ光源のパワーを減衰させる。次に、
第２マイクロスコープ２１Ｂのレーザ光源のパワーをゆ
っくり上げていく。この上げていく過程で、同時に、第
１マイクロスコープ２１Ａのレーザ光源のパワーをゆっ
くり下げていき、内部光電子効果に基づく電子（電流）
が流れるようにして、実際の結晶欠陥等に基づく異常点
を得る。
る。 【解決手段】 ＯＢＩＣ現象が発生する波長のレーザ光
源を備えた第１マイクロスコープ２１Ａと，ＯＢＩＣ現
象が発生しない波長のレーザ光源を備えた第２マイクロ
スコープ２１Ｂを備える。第１マイクロスコープ２１Ａ
のレーザ光源を作動させ、反射光像とＯＢＩＣ像を重畳
して表示する。この状態で、第２マイクロスコープ２１
Ｂのレーザ光源を作動させる。次に、第１マイクロスコ
ープ２１Ａのレーザ光源のパワーを減衰させる。次に、
第２マイクロスコープ２１Ｂのレーザ光源のパワーをゆ
っくり上げていく。この上げていく過程で、同時に、第
１マイクロスコープ２１Ａのレーザ光源のパワーをゆっ
くり下げていき、内部光電子効果に基づく電子（電流）
が流れるようにして、実際の結晶欠陥等に基づく異常点
を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、放射ビームを用いて半
導体デバイスの欠陥点を特定する半導体デバイス評価方
法及び装置に関する。
導体デバイスの欠陥点を特定する半導体デバイス評価方
法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス中に異常の可能性がある
部分（以後、異常可能性部分と称す）を見つける為に、
例えば、ＯＢＩＣ法やＥＢＩＣ法等が使用されている。
部分（以後、異常可能性部分と称す）を見つける為に、
例えば、ＯＢＩＣ法やＥＢＩＣ法等が使用されている。
【０００３】ＯＢＩＣ法は、例えば、半導体デバイスの
如き試料に電圧を印加してキャリア（例えば、電子）が
流れやすい状態にしておき、その状態でレーザビームを
照射し、半導体デバイス中の異なった層間（例えば、Ｐ
層とＮ層）間にキャリア（例えば、電子）を発生させ、
該キャリアの発生をＯＢＩＣ電流として検出し、半導体
デバイス中に異常可能性部分を見つける方法である。こ
の様に、レーザビームの照射による刺激により励起され
てキャリアが流れる現象をＯＢＩＣ現象と称しており、
半導体デバイスを成す各異層の内で、ＯＢＩＣ現象が発
生しやすい部分、即ち、結晶欠陥等の異常現象が発生し
ている可能性のある異層が跨る部分にＯＢＩＣ現象が現
れ、該ＯＢＩＣ像を表示装置に表示させることで、半導
体デバイス中に異常可能性部分を見つけることが可能と
なる。但し、この見つけられた異常可能性部分は、必ず
しも結晶欠陥などの異常が発生している部分とはいえな
いが、一応、結晶欠陥などの異常が発生している部分の
可能性大と推測出来る。尚、ＥＢＩＣ法は、前記ＯＢＩ
Ｃ法で使用されるレーザビームの代わりに電子ビームを
用いたものである。尚、ＯＢＩＣ現象を起こすレーザビ
ームは何でも良いわけではなく、ＯＢＩＣ現象が発生可
能なものは波長が大略１２００ｎｍ以下のものである。
如き試料に電圧を印加してキャリア（例えば、電子）が
流れやすい状態にしておき、その状態でレーザビームを
照射し、半導体デバイス中の異なった層間（例えば、Ｐ
層とＮ層）間にキャリア（例えば、電子）を発生させ、
該キャリアの発生をＯＢＩＣ電流として検出し、半導体
デバイス中に異常可能性部分を見つける方法である。こ
の様に、レーザビームの照射による刺激により励起され
てキャリアが流れる現象をＯＢＩＣ現象と称しており、
半導体デバイスを成す各異層の内で、ＯＢＩＣ現象が発
生しやすい部分、即ち、結晶欠陥等の異常現象が発生し
ている可能性のある異層が跨る部分にＯＢＩＣ現象が現
れ、該ＯＢＩＣ像を表示装置に表示させることで、半導
体デバイス中に異常可能性部分を見つけることが可能と
なる。但し、この見つけられた異常可能性部分は、必ず
しも結晶欠陥などの異常が発生している部分とはいえな
いが、一応、結晶欠陥などの異常が発生している部分の
可能性大と推測出来る。尚、ＥＢＩＣ法は、前記ＯＢＩ
Ｃ法で使用されるレーザビームの代わりに電子ビームを
用いたものである。尚、ＯＢＩＣ現象を起こすレーザビ
ームは何でも良いわけではなく、ＯＢＩＣ現象が発生可
能なものは波長が大略１２００ｎｍ以下のものである。
【０００４】図１は、例えば、ＯＢＩＣ法を使用した半
導体デバイス評価装置の概略を表したもので、走査型レ
ーザ顕微鏡にＯＢＩＣ装置を組み込んだシステムを示し
ている。
導体デバイス評価装置の概略を表したもので、走査型レ
ーザ顕微鏡にＯＢＩＣ装置を組み込んだシステムを示し
ている。
【０００５】走査型レーザ顕微鏡は、マイクロスコープ
（Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）１，ＡＤ変換器・ＤＡ変換器
ボード（ＡＤ・ＤＡ Ｂｏａｒｄ）２，ＭＰＵ３，ＥＷ
Ｓ（エンジニアリング・ワークステーション）４，キー
ボード５及びマウス６及びカラーＣＲＴ７より構成され
ている。一方、ＯＢＩＣ装置は、ＯＢＩＣアンプ８，電
源９より構成されている。尚、１０は半導体デバイスの
如き試料でステージ（図示せず）に載置されている。
（Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）１，ＡＤ変換器・ＤＡ変換器
ボード（ＡＤ・ＤＡ Ｂｏａｒｄ）２，ＭＰＵ３，ＥＷ
Ｓ（エンジニアリング・ワークステーション）４，キー
ボード５及びマウス６及びカラーＣＲＴ７より構成され
ている。一方、ＯＢＩＣ装置は、ＯＢＩＣアンプ８，電
源９より構成されている。尚、１０は半導体デバイスの
如き試料でステージ（図示せず）に載置されている。
【０００６】前記マイクロスコープ１は、ＯＢＩＣ現象
が発生可能な波長レーザビームを発生するレーザ光源、
音響光学素子等から成る二次元のレーザ走査機構及び対
物レンズ等を備えており、試料１０上を絞られたレーザ
ビームで水平及び垂直方向に走査する。該走査により試
料より反射した光は光検出器（図示せず）で取り込ま
れ、アンプ（図示せず）により増幅された後、各走査位
置の反射光強度信号はＡＤ変換器・ＤＡ変換器ボード２
に送られる。
が発生可能な波長レーザビームを発生するレーザ光源、
音響光学素子等から成る二次元のレーザ走査機構及び対
物レンズ等を備えており、試料１０上を絞られたレーザ
ビームで水平及び垂直方向に走査する。該走査により試
料より反射した光は光検出器（図示せず）で取り込ま
れ、アンプ（図示せず）により増幅された後、各走査位
置の反射光強度信号はＡＤ変換器・ＤＡ変換器ボード２
に送られる。
【０００７】ＡＤ変換器・ＤＡ変換器ボード２のＡＤ変
換器は、水平・垂直走査に同期して送られてきた反射光
強度データをディジタル画像データに変換し、反射光学
像データとしてＭＰＵ３を経由してＥＷＳ４に画像デー
タを転送する。尚、ＭＰＵ３は、ＥＷＳ４から転送され
てくる各制御信号に基づいてマイクロスコープ１の各制
御（レーザ光源の点灯制御，レーザ走査機構の水平方向
及び垂直方向の走査制御，ステージ移動制御，対物レン
ズの焦点合わせ制御等）を行うためのユニットである。
換器は、水平・垂直走査に同期して送られてきた反射光
強度データをディジタル画像データに変換し、反射光学
像データとしてＭＰＵ３を経由してＥＷＳ４に画像デー
タを転送する。尚、ＭＰＵ３は、ＥＷＳ４から転送され
てくる各制御信号に基づいてマイクロスコープ１の各制
御（レーザ光源の点灯制御，レーザ走査機構の水平方向
及び垂直方向の走査制御，ステージ移動制御，対物レン
ズの焦点合わせ制御等）を行うためのユニットである。
【０００８】ＥＷＳ４は、ＭＰＵ３から転送されてきた
画像データをカラーＣＲＴ７上に表示させたり、画像デ
ータを各種画像処理したり、キーボード５やマウス６か
ら入力した信号を判断する。
画像データをカラーＣＲＴ７上に表示させたり、画像デ
ータを各種画像処理したり、キーボード５やマウス６か
ら入力した信号を判断する。
【０００９】一方、試料１０には電源９から電圧が与え
られており、その状態において、試料１０上のレーザ走
査に基づくレーザ照射によりキャリアが発生する。ＯＢ
ＩＣアンプ８は、そのキャリアを電流として取り込み、
電流電圧変換・増幅等を行い、そのデータをＡＤ変換器
・ＤＡ変換器ボード２に送る。このデータはＯＢＩＣ像
データで、ＭＰＵ３を経由してＥＷＳ４に転送され、前
記反射光像の場合と同じ様に、カラーＣＲＴ７上にＯＢ
ＩＣ像を表示することが出来る。
られており、その状態において、試料１０上のレーザ走
査に基づくレーザ照射によりキャリアが発生する。ＯＢ
ＩＣアンプ８は、そのキャリアを電流として取り込み、
電流電圧変換・増幅等を行い、そのデータをＡＤ変換器
・ＤＡ変換器ボード２に送る。このデータはＯＢＩＣ像
データで、ＭＰＵ３を経由してＥＷＳ４に転送され、前
記反射光像の場合と同じ様に、カラーＣＲＴ７上にＯＢ
ＩＣ像を表示することが出来る。
【００１０】従って、カラーＣＲＴ７上に、反射光像と
ＯＢＩＣ像を重畳して表示することが出来、この結果、
試料のどこの部分に異常可能性部分があるか知ることが
出来る。
ＯＢＩＣ像を重畳して表示することが出来、この結果、
試料のどこの部分に異常可能性部分があるか知ることが
出来る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】さて、前記した様に、
試料である半導体デバイスを成す各異層の内で、ＯＢＩ
Ｃ現象が発生しやすい異層部分にＯＢＩＣ現象が現れ、
該ＯＢＩＣ像を表示装置に表示させることで、半導体デ
バイス中に異常可能性部分を見つけることが可能となる
わけであるが、実際に異常の発生している部分は、極め
てＯＢＩＣ現象が起きやすい部分であることから、例え
ば、レーザ光源のパワーを適宜下げていき、それでもＯ
ＢＩＣ現象が起きている部分が実際の異常部分であると
推定出来る。
試料である半導体デバイスを成す各異層の内で、ＯＢＩ
Ｃ現象が発生しやすい異層部分にＯＢＩＣ現象が現れ、
該ＯＢＩＣ像を表示装置に表示させることで、半導体デ
バイス中に異常可能性部分を見つけることが可能となる
わけであるが、実際に異常の発生している部分は、極め
てＯＢＩＣ現象が起きやすい部分であることから、例え
ば、レーザ光源のパワーを適宜下げていき、それでもＯ
ＢＩＣ現象が起きている部分が実際の異常部分であると
推定出来る。
【００１２】しかし、ＯＢＩＣ現象は半導体デバイスを
成す各異層中、異層を跨ぐ或る部分の単位で発生してお
り、その為に、画像上でも、異常を異層を跨ぐ或る部分
の単位でしか捉えることが出来ない。結晶欠陥等の異常
現象が起きているのはその異層を跨ぐ或る部分中の特定
のポイントであり、従来の半導体デバイス評価方法で
は、この様な特定の異常ポイントを見つけることは出来
ない。
成す各異層中、異層を跨ぐ或る部分の単位で発生してお
り、その為に、画像上でも、異常を異層を跨ぐ或る部分
の単位でしか捉えることが出来ない。結晶欠陥等の異常
現象が起きているのはその異層を跨ぐ或る部分中の特定
のポイントであり、従来の半導体デバイス評価方法で
は、この様な特定の異常ポイントを見つけることは出来
ない。
【００１３】本発明はこの様な問題を解決し、新規な半
導体デバイス評価方法及び装置を提供することを目的と
する。
導体デバイス評価方法及び装置を提供することを目的と
する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】 本発明に基づく半導体
デバイス評価方法は、試料上に放射ビームを照射し、該
試料中に発生するキャリアに基づく信号を検出すること
により該試料中に発生している異常を検出するようにし
た半導体デバイス評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発
生する波長の放射ビームとＯＢＩＣ現象が発生しない波
長の放射ビームで試料上の同一点を照射するようにした
ことを特徴とする。本発明に基づく半導体デバイス評価
方法は、試料上に放射ビームを照射し、該試料中に発生
するキャリアに基づく信号を検出することにより該試料
中に発生している異常を検出するようにした半導体デバ
イス評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の
放射ビームをシャワー状に試料上に照射し、該試料上の
各照射点にＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビーム
が照射される様に該ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放
射ビームで試料上を走査するようにしたことを特徴とす
る。
デバイス評価方法は、試料上に放射ビームを照射し、該
試料中に発生するキャリアに基づく信号を検出すること
により該試料中に発生している異常を検出するようにし
た半導体デバイス評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発
生する波長の放射ビームとＯＢＩＣ現象が発生しない波
長の放射ビームで試料上の同一点を照射するようにした
ことを特徴とする。本発明に基づく半導体デバイス評価
方法は、試料上に放射ビームを照射し、該試料中に発生
するキャリアに基づく信号を検出することにより該試料
中に発生している異常を検出するようにした半導体デバ
イス評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の
放射ビームをシャワー状に試料上に照射し、該試料上の
各照射点にＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビーム
が照射される様に該ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放
射ビームで試料上を走査するようにしたことを特徴とす
る。
【００１５】本発明に基づく半導体デバイス評価方法
は、試料上に放射ビームを照射し、該試料中に発生する
キャリアに基づく信号を検出することにより該試料中に
発生している異常を検出するようにした半導体デバイス
評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射
ビームをシャワー状に試料上に照射し、該試料上の各照
射点にＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビームが照
射される様に該ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビ
ームで試料上を走査するようにし、その際、ＯＢＩＣ現
象が発生する波長の放射ビームのパワーをＯＢＩＣ現象
がごく僅かに発生する程度にコントロールし、ＯＢＩＣ
現象が発生しない波長の放射ビームのパワーを内部光電
子効果に基づくキャリアが流れる程度にコントロールし
たことを特徴とする。本発明に基づく半導体デバイス評
価方法は、試料上に放射ビームを集束させ、該集束させ
たビームにより該試料上を走査し、該試料中に発生する
キャリアに基づく信号を検出することにより該試料中に
発生している異常を検出するようにした半導体デバイス
評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射
ビームとＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビームで
試料上の同一点を照射するようにしたことを特徴とす
る。本発明に基づく半導体デバイス評価方法は、試料上
に放射ビームを集束させ、該集束させたビームにより該
試料上を走査し、該試料中に発生するキャリアに基づく
信号を検出することにより該試料中に発生している異常
を検出するようにした半導体デバイス評価方法におい
て、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビームとＯＢＩ
Ｃ現象が発生しない波長の放射ビームで試料上の同一点
を同時に照射するようにし、その際、ＯＢＩＣ現象が発
生する波長の放射ビームのパワーをＯＢＩＣ現象がごく
僅かに発生する程度にコントロールし、ＯＢＩＣ現象が
発生しない波長の放射ビームのパワーを内部光電子効果
に基づくキャリアが流れる程度にコントロールしたこと
を特徴とする。
は、試料上に放射ビームを照射し、該試料中に発生する
キャリアに基づく信号を検出することにより該試料中に
発生している異常を検出するようにした半導体デバイス
評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射
ビームをシャワー状に試料上に照射し、該試料上の各照
射点にＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビームが照
射される様に該ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビ
ームで試料上を走査するようにし、その際、ＯＢＩＣ現
象が発生する波長の放射ビームのパワーをＯＢＩＣ現象
がごく僅かに発生する程度にコントロールし、ＯＢＩＣ
現象が発生しない波長の放射ビームのパワーを内部光電
子効果に基づくキャリアが流れる程度にコントロールし
たことを特徴とする。本発明に基づく半導体デバイス評
価方法は、試料上に放射ビームを集束させ、該集束させ
たビームにより該試料上を走査し、該試料中に発生する
キャリアに基づく信号を検出することにより該試料中に
発生している異常を検出するようにした半導体デバイス
評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射
ビームとＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビームで
試料上の同一点を照射するようにしたことを特徴とす
る。本発明に基づく半導体デバイス評価方法は、試料上
に放射ビームを集束させ、該集束させたビームにより該
試料上を走査し、該試料中に発生するキャリアに基づく
信号を検出することにより該試料中に発生している異常
を検出するようにした半導体デバイス評価方法におい
て、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビームとＯＢＩ
Ｃ現象が発生しない波長の放射ビームで試料上の同一点
を同時に照射するようにし、その際、ＯＢＩＣ現象が発
生する波長の放射ビームのパワーをＯＢＩＣ現象がごく
僅かに発生する程度にコントロールし、ＯＢＩＣ現象が
発生しない波長の放射ビームのパワーを内部光電子効果
に基づくキャリアが流れる程度にコントロールしたこと
を特徴とする。
【００１６】本発明に基づく半導体デバイス評価方法
は、試料上に放射ビームを集束させ、該集束させたビー
ムにより該試料上を走査し、該試料中に発生するキャリ
アに基づく信号を検出することにより該試料中に発生し
ている異常を検出するようにした半導体デバイス評価方
法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビーム
で試料上を走査し、次に、ＯＢＩＣ現象が発生する波長
の放射ビームとＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビ
ームで試料上の同一点を同時に照射するようにし、その
際、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビームのパワー
をＯＢＩＣ現象がごく僅かに発生する程度にコントロー
ルし、前記ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビーム
のパワーを内部光電子効果に基づくキャリアが流れる程
度にコントロールしたことを特徴とする。本発明に基づ
く半導体デバイス評価装置は、試料上に放射ビームを照
射し、該試料中に発生するキャリアに基づく信号を検出
することにより該試料中に発生している異常を検出する
ように成した半導体デバイス評価装置において、ＯＢＩ
Ｃ現象が発生する波長の放射ビームを発生する第１放射
ビーム源と、ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビー
ムを発生する第２放射ビーム源を設け、該それぞれの放
射ビーム源のパワーをコントロール出来る様に成し、第
１放射ビーム源と第２放射ビーム源からの各放射ビーム
が試料上の同一点を照射するように成したことを特徴と
する。本発明に基づく半導体デバイス評価装置は、試料
上に放射ビームを集束させ、該集束させたビームにより
該試料上を走査し、該試料中に発生するキャリアに基づ
く信号を検出することにより該試料中に発生している異
常を検出するように成した半導体デバイス評価装置にお
いて、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビームを発生
する第１放射ビーム源と、ＯＢＩＣ現象が発生しない波
長の放射ビームを発生する第２放射ビーム源を設け、該
それぞれの放射ビーム源のパワーをコントロール出来る
様に成し、第１放射ビーム源と第２放射ビーム源からの
各放射ビームが試料上の同一点を照射するように成した
ことを特徴とする。
は、試料上に放射ビームを集束させ、該集束させたビー
ムにより該試料上を走査し、該試料中に発生するキャリ
アに基づく信号を検出することにより該試料中に発生し
ている異常を検出するようにした半導体デバイス評価方
法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビーム
で試料上を走査し、次に、ＯＢＩＣ現象が発生する波長
の放射ビームとＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビ
ームで試料上の同一点を同時に照射するようにし、その
際、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビームのパワー
をＯＢＩＣ現象がごく僅かに発生する程度にコントロー
ルし、前記ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビーム
のパワーを内部光電子効果に基づくキャリアが流れる程
度にコントロールしたことを特徴とする。本発明に基づ
く半導体デバイス評価装置は、試料上に放射ビームを照
射し、該試料中に発生するキャリアに基づく信号を検出
することにより該試料中に発生している異常を検出する
ように成した半導体デバイス評価装置において、ＯＢＩ
Ｃ現象が発生する波長の放射ビームを発生する第１放射
ビーム源と、ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビー
ムを発生する第２放射ビーム源を設け、該それぞれの放
射ビーム源のパワーをコントロール出来る様に成し、第
１放射ビーム源と第２放射ビーム源からの各放射ビーム
が試料上の同一点を照射するように成したことを特徴と
する。本発明に基づく半導体デバイス評価装置は、試料
上に放射ビームを集束させ、該集束させたビームにより
該試料上を走査し、該試料中に発生するキャリアに基づ
く信号を検出することにより該試料中に発生している異
常を検出するように成した半導体デバイス評価装置にお
いて、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビームを発生
する第１放射ビーム源と、ＯＢＩＣ現象が発生しない波
長の放射ビームを発生する第２放射ビーム源を設け、該
それぞれの放射ビーム源のパワーをコントロール出来る
様に成し、第１放射ビーム源と第２放射ビーム源からの
各放射ビームが試料上の同一点を照射するように成した
ことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１８】図２は本発明に基づく半導体デバイス検査
装置の１概略例を表したものである。図中前記図１にて
使用した記号と同一記号の付されたものは同一構成要素
を示す。
装置の１概略例を表したものである。図中前記図１にて
使用した記号と同一記号の付されたものは同一構成要素
を示す。
【００１９】図中２１Ａ，２１Ｂは第１，第２マイクロ
スコープで、共にレーザ光源、音響光学素子等から成る
二次元のレーザ走査機構及び対物レンズ等を備えてい
る。但し、第１マイクロスコープ２１Ａのレーザ光源は
ＯＢＩＣ現象が発生する波長（大体１２００ｎｍより短
い波長で、以後ＯＢＩＣ励起波長と称す）、例えば、１
０８３ｎｍの波長のレーザ光を発生するのであり、第２
マイクロスコープ２１Ｂのレーザ光源はＯＢＩＣ現象が
発生しない波長（大体１２００ｎｍより長い波長で、以
後非ＯＢＩＣ励起波長と称す）、例えば、１３６０ｎｍ
の波長のレーザ光を発生するものである。２２は第１マ
イクロスコープ２１Ａのレーザ源からのレーザ光を試料
１０方向に反射し、該レーザ照射による試料１０からの
反射光を第１マイクロスコープ２１Ａの光検出器方向に
反射する反射ミラーである。２３はレーザビームの波長
に関して透過と反射に選択性を持ったダイクロイックミ
ラーで、前記第１マイクロスコープ２１Ａのレーザ源か
らの１０８３ｎｍ波長のレーザビームだけを透過すると
共に、第２マイクロスコープ２１Ｂのレーザ源からの１
３６０ｎｍ波長のレーザビームだけを試料１０方向へ反
射させ、該レーザ照射による試料からの反射光だけを第
２マイクロスコープ２１Ｂの光検出器方向に反射するも
のである。尚、各レーザ光のミラーと試料間の光路が一
致するように、各ミラーの位置等の調整が行われてい
る。
スコープで、共にレーザ光源、音響光学素子等から成る
二次元のレーザ走査機構及び対物レンズ等を備えてい
る。但し、第１マイクロスコープ２１Ａのレーザ光源は
ＯＢＩＣ現象が発生する波長（大体１２００ｎｍより短
い波長で、以後ＯＢＩＣ励起波長と称す）、例えば、１
０８３ｎｍの波長のレーザ光を発生するのであり、第２
マイクロスコープ２１Ｂのレーザ光源はＯＢＩＣ現象が
発生しない波長（大体１２００ｎｍより長い波長で、以
後非ＯＢＩＣ励起波長と称す）、例えば、１３６０ｎｍ
の波長のレーザ光を発生するものである。２２は第１マ
イクロスコープ２１Ａのレーザ源からのレーザ光を試料
１０方向に反射し、該レーザ照射による試料１０からの
反射光を第１マイクロスコープ２１Ａの光検出器方向に
反射する反射ミラーである。２３はレーザビームの波長
に関して透過と反射に選択性を持ったダイクロイックミ
ラーで、前記第１マイクロスコープ２１Ａのレーザ源か
らの１０８３ｎｍ波長のレーザビームだけを透過すると
共に、第２マイクロスコープ２１Ｂのレーザ源からの１
３６０ｎｍ波長のレーザビームだけを試料１０方向へ反
射させ、該レーザ照射による試料からの反射光だけを第
２マイクロスコープ２１Ｂの光検出器方向に反射するも
のである。尚、各レーザ光のミラーと試料間の光路が一
致するように、各ミラーの位置等の調整が行われてい
る。
【００２０】この様な構成の装置において、Ｐ層，Ｎ層
などの層を有するトランジスタ、例えばパワーＭＯＳＦ
ＥＴを試料１０として試料台（図示せず）上に設置す
る。
などの層を有するトランジスタ、例えばパワーＭＯＳＦ
ＥＴを試料１０として試料台（図示せず）上に設置す
る。
【００２１】図３はパワーＭＯＳＦＥＴの縦断面を示し
たもので、高電圧・大電流に適した縦型の素子構造が主
流のものである。一方の基板２４がソース、酸化膜２５
がゲートＧ、Ｎ+層２６がドレインＤ、他方の基板２７
が基板電極Ｋになっている。この様な試料１０に対し、
電源９の＋をドレインＤに、−を基板電極Ｋにそれぞれ
接続する。又、ＯＢＩＣアンプ８の＋をソースＳに、−
をゲートＧにそれぞれ接続する。
たもので、高電圧・大電流に適した縦型の素子構造が主
流のものである。一方の基板２４がソース、酸化膜２５
がゲートＧ、Ｎ+層２６がドレインＤ、他方の基板２７
が基板電極Ｋになっている。この様な試料１０に対し、
電源９の＋をドレインＤに、−を基板電極Ｋにそれぞれ
接続する。又、ＯＢＩＣアンプ８の＋をソースＳに、−
をゲートＧにそれぞれ接続する。
【００２２】この状態において、先ず、第１マイクロス
コープ２１Ａのレーザ光源を作動（点灯）させ、該レー
ザ光源から１０８３ｎｍの波長のレーザ光を発生させ
る。このレーザ光ビームは反射ミラー２２により試料方
向へ反射され、ダイクロイックミラー２３を透過して試
料に照射される。この際、このレーザ光ビームは、対物
レンズ（図示せず）により試料１０上にスポット状に絞
り込まれると同時に、レーザ走査機構（図示せず）によ
り該試料上の所定の範囲を走査する。
コープ２１Ａのレーザ光源を作動（点灯）させ、該レー
ザ光源から１０８３ｎｍの波長のレーザ光を発生させ
る。このレーザ光ビームは反射ミラー２２により試料方
向へ反射され、ダイクロイックミラー２３を透過して試
料に照射される。この際、このレーザ光ビームは、対物
レンズ（図示せず）により試料１０上にスポット状に絞
り込まれると同時に、レーザ走査機構（図示せず）によ
り該試料上の所定の範囲を走査する。
【００２３】該走査により試料１０より反射した光はダ
イクロイックミラー２３を透過し、反射ミラー２２で反
射されて光検出器（図示せず）で取り込まれ、アンプ
（図示せず）により増幅された後、各走査位置の反射光
強度信号はＡＤ変換器・ＤＡ変換器ボード２に送られ
る。ＡＤ変換器・ＤＡ変換器ボード２のＡＤ変換器は、
水平・垂直走査に同期して送られてきた反射光強度デー
タをディジタル画像データに変換し、反射光学像データ
としてＭＰＵ３を経由してＥＷＳ４に画像データを転送
する。ＥＷＳ４は、ＭＰＵ３から転送されてきた画像デ
ータをフレームメモリ２８に各アドレスに対応させて記
憶させると同時に、画像データに基づく反射光学像をカ
ラーＣＲＴ７上に表示させる。
イクロイックミラー２３を透過し、反射ミラー２２で反
射されて光検出器（図示せず）で取り込まれ、アンプ
（図示せず）により増幅された後、各走査位置の反射光
強度信号はＡＤ変換器・ＤＡ変換器ボード２に送られ
る。ＡＤ変換器・ＤＡ変換器ボード２のＡＤ変換器は、
水平・垂直走査に同期して送られてきた反射光強度デー
タをディジタル画像データに変換し、反射光学像データ
としてＭＰＵ３を経由してＥＷＳ４に画像データを転送
する。ＥＷＳ４は、ＭＰＵ３から転送されてきた画像デ
ータをフレームメモリ２８に各アドレスに対応させて記
憶させると同時に、画像データに基づく反射光学像をカ
ラーＣＲＴ７上に表示させる。
【００２４】一方、試料１０には電源９から電圧が与え
られており、その状態において、試料１０上のレーザ走
査に基づくレーザ照射により試料内の或る部分でキャリ
アが発生する。ＯＢＩＣアンプ８は、そのキャリアを電
流として取り込み、電流電圧変換・増幅等を行い、その
データをＡＤ変換器・ＤＡ変換器ボード２に送る。この
データはＯＢＩＣ像データで、ＭＰＵ３を経由してＥＷ
Ｓ４に転送される。該ＥＷＳは前記反射光像の場合と同
じ様に、ＭＰＵ３から転送されてきたＯＢＩＣデータを
フレームメモリ２８に各アドレスに対応させて記憶させ
ると同時に、該ＯＢＩＣデータに基づくＯＢＩＣ像をカ
ラーＣＲＴ７上に表示させる。従って、カラーＣＲＴ７
上に、反射光像とＯＢＩＣ像を重畳して表示することが
出来、この結果、試料のどこの部分に異常可能性部分が
あるか知ることが出来る。図４の（ａ）は反射光像とＯ
ＢＩＣ像を重畳して表示したものを示しており、図中２
９が反射光像、３０Ａ，３０Ｂ，３０ＣがＯＢＩＣ像で
ある。この結果、ＯＢＩＣ像が試料上のどの部分（領
域）に出ているのかが分かり、領域単位の大雑把な範囲
で、異常可能性部分が特定出来る。
られており、その状態において、試料１０上のレーザ走
査に基づくレーザ照射により試料内の或る部分でキャリ
アが発生する。ＯＢＩＣアンプ８は、そのキャリアを電
流として取り込み、電流電圧変換・増幅等を行い、その
データをＡＤ変換器・ＤＡ変換器ボード２に送る。この
データはＯＢＩＣ像データで、ＭＰＵ３を経由してＥＷ
Ｓ４に転送される。該ＥＷＳは前記反射光像の場合と同
じ様に、ＭＰＵ３から転送されてきたＯＢＩＣデータを
フレームメモリ２８に各アドレスに対応させて記憶させ
ると同時に、該ＯＢＩＣデータに基づくＯＢＩＣ像をカ
ラーＣＲＴ７上に表示させる。従って、カラーＣＲＴ７
上に、反射光像とＯＢＩＣ像を重畳して表示することが
出来、この結果、試料のどこの部分に異常可能性部分が
あるか知ることが出来る。図４の（ａ）は反射光像とＯ
ＢＩＣ像を重畳して表示したものを示しており、図中２
９が反射光像、３０Ａ，３０Ｂ，３０ＣがＯＢＩＣ像で
ある。この結果、ＯＢＩＣ像が試料上のどの部分（領
域）に出ているのかが分かり、領域単位の大雑把な範囲
で、異常可能性部分が特定出来る。
【００２５】次に、第１マイクロスコープ２１Ａのレー
ザ光源からのレーザビームを試料１０上に照射した状態
で、第２マイクロスコープ２１Ｂのレーザ光源を作動
（点灯）させ、該レーザ光源から１３６０ｎｍの波長の
レーザ光を発生させる。このレーザ光ビームはダイクロ
イックミラー２３により試料方向へ反射され、試料１０
に照射される。この際、このレーザ光ビームは、対物レ
ンズ（図示せず）により試料１０上にスポット状に絞り
込まれると同時に、レーザ走査機構（図示せず）により
該試料上の所定の範囲を走査する。
ザ光源からのレーザビームを試料１０上に照射した状態
で、第２マイクロスコープ２１Ｂのレーザ光源を作動
（点灯）させ、該レーザ光源から１３６０ｎｍの波長の
レーザ光を発生させる。このレーザ光ビームはダイクロ
イックミラー２３により試料方向へ反射され、試料１０
に照射される。この際、このレーザ光ビームは、対物レ
ンズ（図示せず）により試料１０上にスポット状に絞り
込まれると同時に、レーザ走査機構（図示せず）により
該試料上の所定の範囲を走査する。
【００２６】次に、前記第１マイクロスコープ２１Ａの
レーザ光源のパワーを減衰させる。この減衰量は試料に
よって異なるが、欠陥等の異常現象が実際に発生してい
る可能性の極めて強い部分、即ち、ＯＢＩＣ現象が極め
て強く起きやすい部分だけにＯＢＩＣ現象が起きる程度
の弱いパワーにまで減衰する。この結果、仮に、カラー
ＣＲＴ７上に３０Ａ，３０ＣのＯＢＩＣ像が消え、３０
ＢのＯＢＩＣ像だけが表示されたとする。
レーザ光源のパワーを減衰させる。この減衰量は試料に
よって異なるが、欠陥等の異常現象が実際に発生してい
る可能性の極めて強い部分、即ち、ＯＢＩＣ現象が極め
て強く起きやすい部分だけにＯＢＩＣ現象が起きる程度
の弱いパワーにまで減衰する。この結果、仮に、カラー
ＣＲＴ７上に３０Ａ，３０ＣのＯＢＩＣ像が消え、３０
ＢのＯＢＩＣ像だけが表示されたとする。
【００２７】次に、前記第２マイクロスコープ２１Ｂの
レーザ光源のパワーをゆっくり上げていく。この上げて
いく過程で、同時に、前記第１マイクロスコープ２１Ａ
のレーザ光源のパワーをゆっくり下げていくと、図４の
（ｃ）に示す様に、例えば、ＯＢＩＣ像３０Ｂの大部分
が消え、該像中の極めて狭い箇所に像４０が表示された
とする。この像は、第１マイクロスコープ２１Ａのレー
ザ光源（ＯＢＩＣ現象を起こさせることが出来る波長の
レーザビームを発生される光源）のパワーを大幅に減衰
させることによりＯＢＩＣ現象が起こる程度を極めて弱
くした状態において、第２マイクロスコープ２１Ａのレ
ーザ光源（ＯＢＩＣ現象を起こさせることが出来ない波
長のレーザビームを発生される光源）のパワーを上げる
ことにより、内部光電子効果に基づく電子（電流）が流
れるようにすることにより、実際の結晶欠陥等に基づく
異常部分をポイント的に発生さたものに対応する。例え
ば、図４の（ａ）や（ｂ）で表示されていたＯＢＩＣ像
は、異常を半導体中の異層（例えば、Ｐ層，Ｎ層）に跨
る部分として表示されていたが、図４の（ｃ）では、そ
の異常の元となっている欠陥が、少なくともどちらの層
中にあるのかを知ることが出来る様なポイント的表示を
している。
レーザ光源のパワーをゆっくり上げていく。この上げて
いく過程で、同時に、前記第１マイクロスコープ２１Ａ
のレーザ光源のパワーをゆっくり下げていくと、図４の
（ｃ）に示す様に、例えば、ＯＢＩＣ像３０Ｂの大部分
が消え、該像中の極めて狭い箇所に像４０が表示された
とする。この像は、第１マイクロスコープ２１Ａのレー
ザ光源（ＯＢＩＣ現象を起こさせることが出来る波長の
レーザビームを発生される光源）のパワーを大幅に減衰
させることによりＯＢＩＣ現象が起こる程度を極めて弱
くした状態において、第２マイクロスコープ２１Ａのレ
ーザ光源（ＯＢＩＣ現象を起こさせることが出来ない波
長のレーザビームを発生される光源）のパワーを上げる
ことにより、内部光電子効果に基づく電子（電流）が流
れるようにすることにより、実際の結晶欠陥等に基づく
異常部分をポイント的に発生さたものに対応する。例え
ば、図４の（ａ）や（ｂ）で表示されていたＯＢＩＣ像
は、異常を半導体中の異層（例えば、Ｐ層，Ｎ層）に跨
る部分として表示されていたが、図４の（ｃ）では、そ
の異常の元となっている欠陥が、少なくともどちらの層
中にあるのかを知ることが出来る様なポイント的表示を
している。
【００２８】尚、ＯＢＩＣ現象を起こさせることが出来
る波長のレーザビームで試料１０を走査して、図４
（ａ）の３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃに示す様なＯＢＩＣ象
を表示させた後、一旦第１マイクロスコープ２１Ａのレ
ーザ光源を切ってしまい、第２マイクロスコープ２１Ｂ
のレーザ光源だけを作動（点灯）させ、ＯＢＩＣ現象を
起こさせることが出来ない波長のレーザビームで試料１
０を走査することにより、カラーＣＲＴ７上に、例え
ば、図５に示す様な、反射光像２９に重畳されて内部光
電子効果に基づいて流れるキャリアに基づく像５０Ａ，
５０Ｂが表示されたとする。この内部光電子効果に基づ
いて流れるキャリアに基づく像５０Ａ，５０Ｂの表示箇
所は、それぞれ前記ＯＢＩＣ像３０Ａ，３０Ｂの表示箇
所と同一である。この点から、異常可能性部分と考えら
れるＯＢＩＣ像３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃが表示されてい
る部分の内、３０Ａ若しくは５０Ａ，３０Ｂ若しくは５
０Ｂが表示されている部分が異常の可能性が極めて高い
部分であると判断される。又、ＯＢＩＣ現象を起こさせ
ることが出来る波長のレーザ光源のパワーを大幅に減衰
させ、ＯＢＩＣ現象を起こさせることが出来ない波長の
レーザ光源のパワーを上げることにより、像３０Ａ若し
くは５０Ａ、及び３０Ｂ若しくは５０Ｂの内、像３０Ｂ
若しくは像５０の表示部分に対応した部分中だけに図４
（ｃ）の４０に示す如きポイント像を表示させることが
出来ることから、同じ異常の可能性が強い部分でも、３
０Ａと３０Ｂとではその種類（その故障具合）が異なっ
ていることが分かる。
る波長のレーザビームで試料１０を走査して、図４
（ａ）の３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃに示す様なＯＢＩＣ象
を表示させた後、一旦第１マイクロスコープ２１Ａのレ
ーザ光源を切ってしまい、第２マイクロスコープ２１Ｂ
のレーザ光源だけを作動（点灯）させ、ＯＢＩＣ現象を
起こさせることが出来ない波長のレーザビームで試料１
０を走査することにより、カラーＣＲＴ７上に、例え
ば、図５に示す様な、反射光像２９に重畳されて内部光
電子効果に基づいて流れるキャリアに基づく像５０Ａ，
５０Ｂが表示されたとする。この内部光電子効果に基づ
いて流れるキャリアに基づく像５０Ａ，５０Ｂの表示箇
所は、それぞれ前記ＯＢＩＣ像３０Ａ，３０Ｂの表示箇
所と同一である。この点から、異常可能性部分と考えら
れるＯＢＩＣ像３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃが表示されてい
る部分の内、３０Ａ若しくは５０Ａ，３０Ｂ若しくは５
０Ｂが表示されている部分が異常の可能性が極めて高い
部分であると判断される。又、ＯＢＩＣ現象を起こさせ
ることが出来る波長のレーザ光源のパワーを大幅に減衰
させ、ＯＢＩＣ現象を起こさせることが出来ない波長の
レーザ光源のパワーを上げることにより、像３０Ａ若し
くは５０Ａ、及び３０Ｂ若しくは５０Ｂの内、像３０Ｂ
若しくは像５０の表示部分に対応した部分中だけに図４
（ｃ）の４０に示す如きポイント像を表示させることが
出来ることから、同じ異常の可能性が強い部分でも、３
０Ａと３０Ｂとではその種類（その故障具合）が異なっ
ていることが分かる。
【００２９】又、前記例では試料の上方から試料上面
（表面）へレーザビームを当てるようにしたが、試料の
下方から試料下面（裏面）へレーザビームを当てるよう
にしても良い。
（表面）へレーザビームを当てるようにしたが、試料の
下方から試料下面（裏面）へレーザビームを当てるよう
にしても良い。
【００３０】又、前記例では、ＯＢＩＣ現象が発生する
波長の放射ビームもＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放
射ビームも試料上を走査するようにしたが、とにかく、
これらの２つの放射ビームが同時に同一点を照射してい
れば良い。例えば、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射
ビームは、少なくとも、ＯＢＩＣ現象を発生させるため
の刺激を試料に与えれれば良いので、試料上を走査する
代わりに試料の所定範囲をシャワー状に照射するように
しても良い。但し、その場合には、反射光象を得る為
に、ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビームは試料
上を走査するようにしなければならない。
波長の放射ビームもＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放
射ビームも試料上を走査するようにしたが、とにかく、
これらの２つの放射ビームが同時に同一点を照射してい
れば良い。例えば、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射
ビームは、少なくとも、ＯＢＩＣ現象を発生させるため
の刺激を試料に与えれれば良いので、試料上を走査する
代わりに試料の所定範囲をシャワー状に照射するように
しても良い。但し、その場合には、反射光象を得る為
に、ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビームは試料
上を走査するようにしなければならない。
【００３１】又、Ｐ層とＮ層の接合部にバリアーが存在
している場合には、内部光電子効果に基づくキャリアー
の外に、ショットキー効果によるキャリア若しくは熱起
電力効果によるキャリアが流れる。
している場合には、内部光電子効果に基づくキャリアー
の外に、ショットキー効果によるキャリア若しくは熱起
電力効果によるキャリアが流れる。
【００３２】又、前記例では、試料にレーザビームを照
射するように成したが、レーザービームに代えて電子ビ
ームやイオンビームなどの他の放射ビームを照射するよ
うにしても良い。
射するように成したが、レーザービームに代えて電子ビ
ームやイオンビームなどの他の放射ビームを照射するよ
うにしても良い。
【図１】 従来の半導体デバイス評価装置の一例を示し
ている。
ている。
【図２】 本発明に係わる半導体デバイス評価装置の一
例を示している。
例を示している。
【図３】 パワーＭＯＳＦＥＴの縦断面を示したものし
たものである。
たものである。
【図４】 本発明の一例による反射光像と異常に基づく
像の重畳状態を表したものである。
像の重畳状態を表したものである。
【図５】 本発明の一例による反射光像と異常に基づく
像の重畳状態を表したものである。
像の重畳状態を表したものである。
３…ＭＰＵ ４…ＥＷＳ ５…キーボード ６…マウス ７…カラーＣＲＴ ８…ＯＢＩＣアンプ ９…電源 １０…試料 ２１Ａ…第１マイクロスコープ ２１Ｂ…第２マイクロスコープ ２２…反射ミラー ２３…ダイクロイックミラー ２４，２７…基板 ２５…酸化膜 ２６…Ｎ+層 ２８…フレームメモリ ２９…反射光像 ３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ…ＯＢＩＣ像 ４０…異常ポイント像 ５０Ａ，５０Ｂ…内部光電子効果に基づいて流れるキャ
リアに基づく像
リアに基づく像
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G011 AA01 AE03 2G032 AB17 AE09 AE12 AE14 AF01 AG09 AK04 AL01 2G051 AA51 AB02 BA01 BA04 BA08 BA10 BC05 CC12 EA11 4M106 AA10 BA05 CA04 CB19 DE08 DE12 DE24 DJ18 DJ21 DJ24 9A001 EZ05 JJ45 KK16 KK54
Claims (9)
- 【請求項１】 試料上に放射ビームを照射し、該試料中
に発生するキャリアに基づく信号を検出することにより
該試料中に発生している異常を検出するようにした半導
体デバイス評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する
波長の放射ビームとＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放
射ビームで試料上の同一点を照射するようにした半導体
デバイス評価方法。 - 【請求項２】 試料上に放射ビームを照射し、該試料中
に発生するキャリアに基づく信号を検出することにより
該試料中に発生している異常を検出するようにした半導
体デバイス評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する
波長の放射ビームをシャワー状に試料上に照射し、該試
料上の各照射点にＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射
ビームが照射される様に該ＯＢＩＣ現象が発生しない波
長の放射ビームで試料上を走査するようにした半導体デ
バイス評価方法。 - 【請求項３】 試料上に放射ビームを照射し、該試料中
に発生するキャリアに基づく信号を検出することにより
該試料中に発生している異常を検出するようにした半導
体デバイス評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する
波長の放射ビームをシャワー状に試料上に照射し、該試
料上の各照射点にＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射
ビームが照射される様に該ＯＢＩＣ現象が発生しない波
長の放射ビームで試料上を走査するようにし、その際、
ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビームのパワーをＯ
ＢＩＣ現象がごく僅かに発生する程度にコントロール
し、ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビームのパワ
ーを内部光電子効果に基づくキャリアが流れる程度にコ
ントロールした半導体デバイス評価方法。 - 【請求項４】 試料上に放射ビームを集束させ、該集束
させたビームにより該試料上を走査し、該試料中に発生
するキャリアに基づく信号を検出することにより該試料
中に発生している異常を検出するようにした半導体デバ
イス評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の
放射ビームとＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビー
ムで試料上の同一点を照射するようにした半導体デバイ
ス評価方法。 - 【請求項５】 試料上に放射ビームを集束させ、該集束
させたビームにより該試料上を走査し、該試料中に発生
するキャリアに基づく信号を検出することにより該試料
中に発生している異常を検出するようにした半導体デバ
イス評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の
放射ビームとＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビー
ムで試料上の同一点を同時に照射するようにし、その
際、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビームのパワー
をＯＢＩＣ現象がごく僅かに発生する程度にコントロー
ルし、ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビームのパ
ワーを内部光電子効果に基づくキャリアが流れる程度に
コントロールした半導体デバイス評価方法。 - 【請求項６】 試料上に放射ビームを集束させ、該集束
させたビームにより該試料上を走査し、該試料中に発生
するキャリアに基づく信号を検出することにより該試料
中に発生している異常を検出するようにした半導体デバ
イス評価方法において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の
放射ビームで試料上を走査し、次に、ＯＢＩＣ現象が発
生する波長の放射ビームとＯＢＩＣ現象が発生しない波
長の放射ビームで試料上の同一点を同時に照射するよう
にし、その際、ＯＢＩＣ現象が発生する波長の放射ビー
ムのパワーをＯＢＩＣ現象がごく僅かに発生する程度に
コントロールし、前記ＯＢＩＣ現象が発生しない波長の
放射ビームのパワーを内部光電子効果に基づくキャリア
が流れる程度にコントロールした半導体デバイス評価方
法。 - 【請求項７】 試料上に放射ビームを照射し、該試料中
に発生するキャリアに基づく信号を検出することにより
該試料中に発生している異常を検出するように成した半
導体デバイス評価装置において、ＯＢＩＣ現象が発生す
る波長の放射ビームを発生する第１放射ビーム源と、Ｏ
ＢＩＣ現象が発生しない波長の放射ビームを発生する第
２放射ビーム源を設け、該それぞれの放射ビーム源のパ
ワーをコントロール出来る様に成し、第１放射ビーム源
と第２放射ビーム源からの各放射ビームが試料上の同一
点を照射するように成した半導体デバイス評価装置。 - 【請求項８】 前記第１放射ビーム源は、シャワー状に
放射ビームを発生するものである請求項７記載の半導体
デバイス評価装置。 - 【請求項９】 試料上に放射ビームを集束させ、該集束
させたビームにより該試料上を走査し、該試料中に発生
するキャリアに基づく信号を検出することにより該試料
中に発生している異常を検出するように成した半導体デ
バイス評価装置において、ＯＢＩＣ現象が発生する波長
の放射ビームを発生する第１放射ビーム源と、ＯＢＩＣ
現象が発生しない波長の放射ビームを発生する第２放射
ビーム源を設け、該それぞれの放射ビーム源のパワーを
コントロール出来る様に成し、第１放射ビーム源と第２
放射ビーム源からの各放射ビームが試料上の同一点を照
射するように成した半導体デバイス評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000000885A JP2001074817A (ja) | 1999-07-06 | 2000-01-06 | 半導体デバイス評価方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19224599 | 1999-07-06 | ||
| JP11-192245 | 1999-07-06 | ||
| JP2000000885A JP2001074817A (ja) | 1999-07-06 | 2000-01-06 | 半導体デバイス評価方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001074817A true JP2001074817A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=26507200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000000885A Withdrawn JP2001074817A (ja) | 1999-07-06 | 2000-01-06 | 半導体デバイス評価方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001074817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017167006A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 熱レーザ刺激装置、熱レーザ刺激方法および記録媒体 |
-
2000
- 2000-01-06 JP JP2000000885A patent/JP2001074817A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017167006A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 熱レーザ刺激装置、熱レーザ刺激方法および記録媒体 |
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