JP2001072968A - 透明な固体シンチレータ材料 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線のごとき励起放射線をシンチレーション
光に急速に変換するための透明なシンチレータ材料を提
供する。 【解決手段】 シンチレータ材料は、立方晶ガーネット
・ホスト及び賦活剤としてのプラセオジムを含んでい
る。かかるシンチレータ材料は、多結晶質セラミック材
料であり得る。この多結晶質セラミック材料は、沈殿に
よって生成された粉末を焼結することによって製造され
る。かかるシンチレータ材料は、コンピュータ断層撮影
（ＣＴ）装置又はその他のＸ線撮像装置中に組込むこと
ができる。かかるシンチレータ材料はまた、高速応答Ｘ
線検出装置中にも組込むことができる。
光に急速に変換するための透明なシンチレータ材料を提
供する。 【解決手段】 シンチレータ材料は、立方晶ガーネット
・ホスト及び賦活剤としてのプラセオジムを含んでい
る。かかるシンチレータ材料は、多結晶質セラミック材
料であり得る。この多結晶質セラミック材料は、沈殿に
よって生成された粉末を焼結することによって製造され
る。かかるシンチレータ材料は、コンピュータ断層撮影
（ＣＴ）装置又はその他のＸ線撮像装置中に組込むこと
ができる。かかるシンチレータ材料はまた、高速応答Ｘ
線検出装置中にも組込むことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、励起放射線（特に
Ｘ線）をシンチレーション光に急速に変換するための賦
活剤としてプラセオジムを含有する透明な固体シンチレ
ータ材料に関する。本発明はまた、かかるシンチレータ
材料を組込んだ励起エネルギー検出装置（特にＸ線検出
装置）にも関する。
Ｘ線）をシンチレーション光に急速に変換するための賦
活剤としてプラセオジムを含有する透明な固体シンチレ
ータ材料に関する。本発明はまた、かかるシンチレータ
材料を組込んだ励起エネルギー検出装置（特にＸ線検出
装置）にも関する。
【０００２】
【従来の技術】発光材料はある種の励起エネルギーを吸
収し、そして電磁エネルギーを放出する。励起エネルギ
ーが電磁放射である場合、発光材料は電磁スペクトルの
ある領域内の励起電磁エネルギーを吸収し、そして一般
に電磁スペクトルの別の領域内のエネルギーを放出す
る。粉末状の発光材料は蛍光体と呼ばれるのに対し、透
明な固体状の発光材料はシンチレータと呼ばれる。
収し、そして電磁エネルギーを放出する。励起エネルギ
ーが電磁放射である場合、発光材料は電磁スペクトルの
ある領域内の励起電磁エネルギーを吸収し、そして一般
に電磁スペクトルの別の領域内のエネルギーを放出す
る。粉末状の発光材料は蛍光体と呼ばれるのに対し、透
明な固体状の発光材料はシンチレータと呼ばれる。
【０００３】不純物賦活型の発光材料は、通例、非発光
性のホスト材料中に賦活剤のイオンを含有させることに
よってそれを変性して成るものである。不純物賦活型発
光材料の場合、それのホスト材料格子が入射光子を吸収
すると、吸収されたエネルギーは賦活剤イオンによって
取込まれるか、あるいは格子によって賦活剤イオンに伝
達される。その結果、発光性の賦活剤イオンのより高い
励起状態に上げられる。それらのイオンがより低い励起
状態に戻る際、発光電磁エネルギーの光子が放出される
のである。
性のホスト材料中に賦活剤のイオンを含有させることに
よってそれを変性して成るものである。不純物賦活型発
光材料の場合、それのホスト材料格子が入射光子を吸収
すると、吸収されたエネルギーは賦活剤イオンによって
取込まれるか、あるいは格子によって賦活剤イオンに伝
達される。その結果、発光性の賦活剤イオンのより高い
励起状態に上げられる。それらのイオンがより低い励起
状態に戻る際、発光電磁エネルギーの光子が放出される
のである。
【０００４】発光材料用の励起エネルギーは、電子、陽
電子、電磁放射又はその他のエネルギー形態を取り得
る。Ｘ線シンチレータは、Ｘ線を吸収してシンチレーシ
ョン電磁放射を放出するシンチレータ材料から成る。通
例、かかるシンチレーション電磁放射は電磁スペクトル
の可視域内にある。Ｘ線シンチレータを用いた典型的な
Ｘ線検出器は、Ｘ線を吸収するシンチレータ材料と、Ｘ
線の吸収の結果としてシンチレータから放出されるシン
チレーション光を検出する光検出器とを含んでいる。一
般に、シンチレータ材料がより多くのＸ線を吸収すれ
ば、シンチレータ材料は光検出器に向けてより多くのシ
ンチレーション光を放出し、そして光検出器からはシン
チレーション光に対応したより大きい信号出力が得られ
る。
電子、電磁放射又はその他のエネルギー形態を取り得
る。Ｘ線シンチレータは、Ｘ線を吸収してシンチレーシ
ョン電磁放射を放出するシンチレータ材料から成る。通
例、かかるシンチレーション電磁放射は電磁スペクトル
の可視域内にある。Ｘ線シンチレータを用いた典型的な
Ｘ線検出器は、Ｘ線を吸収するシンチレータ材料と、Ｘ
線の吸収の結果としてシンチレータから放出されるシン
チレーション光を検出する光検出器とを含んでいる。一
般に、シンチレータ材料がより多くのＸ線を吸収すれ
ば、シンチレータ材料は光検出器に向けてより多くのシ
ンチレーション光を放出し、そして光検出器からはシン
チレーション光に対応したより大きい信号出力が得られ
る。
【０００５】シンチレータ材料を用いたＸ線検出器は、
Ｘ線診断装置（たとえば、医学診断装置）及び手荷物検
査装置においてしばしば使用される。Ｘ線シンチレータ
材料の特定の用途の一例は、コンピュータ断層撮影装置
（又はＣＴスキャナ）のごとき医学用撮像装置における
使用である。典型的なＣＴスキャナにおいては、Ｘ線源
及びＸ線検出器アレイが被験者の両側に配置され、そし
て互いに一定の関係を保ちながら被験者の回りに回転さ
せられる。シンチレータ材料を用いたＣＴスキャナにお
いては、セル（又は素子）のシンチレータ材料が該セル
に入射したＸ線を吸収し、そして光を放出する。この光
が、該セルに対応した光検出器によって捕集される。か
かるデータ収集に際しては、検出器アレイ中の各々のセ
ル（又は素子）は該セル中におけるシンチレーション光
の強度を表わす出力信号を生み出す。これらの出力信号
を処理することにより、ＣＴスキャナ業界において公知
のごとくにして被験者の画像が作成される。
Ｘ線診断装置（たとえば、医学診断装置）及び手荷物検
査装置においてしばしば使用される。Ｘ線シンチレータ
材料の特定の用途の一例は、コンピュータ断層撮影装置
（又はＣＴスキャナ）のごとき医学用撮像装置における
使用である。典型的なＣＴスキャナにおいては、Ｘ線源
及びＸ線検出器アレイが被験者の両側に配置され、そし
て互いに一定の関係を保ちながら被験者の回りに回転さ
せられる。シンチレータ材料を用いたＣＴスキャナにお
いては、セル（又は素子）のシンチレータ材料が該セル
に入射したＸ線を吸収し、そして光を放出する。この光
が、該セルに対応した光検出器によって捕集される。か
かるデータ収集に際しては、検出器アレイ中の各々のセ
ル（又は素子）は該セル中におけるシンチレーション光
の強度を表わす出力信号を生み出す。これらの出力信号
を処理することにより、ＣＴスキャナ業界において公知
のごとくにして被験者の画像が作成される。
【０００６】ＣＴスキャナのごとき医学用撮像装置にお
いて使用されるシンチレータ材料は、幾つかの重要な特
性を有していなければならない。第一に、Ｘ線を使用す
るＣＴスキャナにおいては、コンピュータ断層撮影によ
る画像を得る目的で患者に照射すべきＸ線量を最少限に
抑えるため、実質的に全ての入射Ｘ線をシンチレータ材
料中に吸収することが望ましい。実質的に全ての入射Ｘ
線を捕集するためには、シンチレータ材料はＸ線光子を
効果的に阻止するのに十分な密度を有していなければな
らない。
いて使用されるシンチレータ材料は、幾つかの重要な特
性を有していなければならない。第一に、Ｘ線を使用す
るＣＴスキャナにおいては、コンピュータ断層撮影によ
る画像を得る目的で患者に照射すべきＸ線量を最少限に
抑えるため、実質的に全ての入射Ｘ線をシンチレータ材
料中に吸収することが望ましい。実質的に全ての入射Ｘ
線を捕集するためには、シンチレータ材料はＸ線光子を
効果的に阻止するのに十分な密度を有していなければな
らない。
【０００７】第二に、シンチレータ材料は良好な量子変
換効率を有していなければならない。すなわち、放出さ
れるシンチレーション光子の数と吸収されるＸ線光子の
数との比が高くなければならないのである。シンチレー
タ材料の量子効率が高ければ、より多くのシンチレーシ
ョン光子が放出され、その結果としてシンチレーション
光検出器によって検出されるシンチレーション光子の数
が大きくなるので有利である。
換効率を有していなければならない。すなわち、放出さ
れるシンチレーション光子の数と吸収されるＸ線光子の
数との比が高くなければならないのである。シンチレー
タ材料の量子効率が高ければ、より多くのシンチレーシ
ョン光子が放出され、その結果としてシンチレーション
光検出器によって検出されるシンチレーション光子の数
が大きくなるので有利である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】各種の材料が医学用撮
像装置用途のためのシンチレータ材料として有用である
ことが知られていて、その実例としてはユウロピウムを
添加した酸化イットリウムガドリニウム〔(Ｙ，Ｇｄ)2
Ｏ3〕及びプラセオジムを添加したＧｄ2Ｏ2Ｓが挙げら
れる。これらの材料はいずれも、Ｘ線光子を効果的に阻
止するために必要な密度を有すると共に、シンチレータ
材料中に吸収されたＸ線エネルギーをＥｕ及びＰｒ賦活
剤から放出される可視光に効率的に変換する。しかしな
がら、（Ｙ，Ｇｄ）2 Ｏ3 ：ＥｕはＥｕ発光の減衰時間
が長く、従って高速走査ＣＴ装置において見られるよう
にＸ線信号が急速に変化する場合の用途におけるそれの
有用性は制限される。Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｐｒは六方晶系の
結晶構造を有するが、これは多結晶質セラミック固体の
場合に散乱を生じる。そのため、発光した光が固体から
脱出してシンチレーション光検出器に入射する効率が低
下する。
像装置用途のためのシンチレータ材料として有用である
ことが知られていて、その実例としてはユウロピウムを
添加した酸化イットリウムガドリニウム〔(Ｙ，Ｇｄ)2
Ｏ3〕及びプラセオジムを添加したＧｄ2Ｏ2Ｓが挙げら
れる。これらの材料はいずれも、Ｘ線光子を効果的に阻
止するために必要な密度を有すると共に、シンチレータ
材料中に吸収されたＸ線エネルギーをＥｕ及びＰｒ賦活
剤から放出される可視光に効率的に変換する。しかしな
がら、（Ｙ，Ｇｄ）2 Ｏ3 ：ＥｕはＥｕ発光の減衰時間
が長く、従って高速走査ＣＴ装置において見られるよう
にＸ線信号が急速に変化する場合の用途におけるそれの
有用性は制限される。Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｐｒは六方晶系の
結晶構造を有するが、これは多結晶質セラミック固体の
場合に散乱を生じる。そのため、発光した光が固体から
脱出してシンチレーション光検出器に入射する効率が低
下する。
【０００９】高速走査ＣＴ装置用として適したシンチレ
ータ材料の選択を更に複雑にするのは、どの材料が高速
走査ＣＴ装置用として重要な上記の性質を有するかを先
験的に予測するのが困難なことである。たとえば、発光
材料の特性決定の多くは刺激放射線として紫外線を使用
することによって行われてきた。なぜなら、紫外線はＸ
線よりも容易に得ることができ、しかも一般にＸ線より
害が少ないと考えられているからである。残念ながら、
紫外線による刺激に応答して発光を示すが、Ｘ線による
刺激に応答して発光を示さないような多数の材料が存在
する。それ故、多くの材料については、発光データが入
手し得るとしても、その材料がＸ線による刺激に応答し
て発光を示すという保証は得られないのである。
ータ材料の選択を更に複雑にするのは、どの材料が高速
走査ＣＴ装置用として重要な上記の性質を有するかを先
験的に予測するのが困難なことである。たとえば、発光
材料の特性決定の多くは刺激放射線として紫外線を使用
することによって行われてきた。なぜなら、紫外線はＸ
線よりも容易に得ることができ、しかも一般にＸ線より
害が少ないと考えられているからである。残念ながら、
紫外線による刺激に応答して発光を示すが、Ｘ線による
刺激に応答して発光を示さないような多数の材料が存在
する。それ故、多くの材料については、発光データが入
手し得るとしても、その材料がＸ線による刺激に応答し
て発光を示すという保証は得られないのである。
【００１０】残光は、ＣＴスキャナ又はその他の走査装
置においてはしばしば望ましくないシンチレータ材料の
特性である。Ｘ線検出用シンチレータにおける残光は、
Ｘ線励起によってシンチレータから発生するルミネセン
スがシンチレータによるＸ線の吸収から長時間後にもま
だ観測されるという現象である。Ｘ線を吸収するとシン
チレータは光を放出するが、その光の強度は指数関数的
速度で急速に減衰する。このような最初の指数関数的減
衰速度が一次減衰速度である。加えて、シンチレータは
強度のより低い光をも放出するが、この光の強度は一次
減衰速度の光よりも遥かにゆっくりと減衰する。このよ
うにゆっくりと減衰する光は残光と呼ばれる。
置においてはしばしば望ましくないシンチレータ材料の
特性である。Ｘ線検出用シンチレータにおける残光は、
Ｘ線励起によってシンチレータから発生するルミネセン
スがシンチレータによるＸ線の吸収から長時間後にもま
だ観測されるという現象である。Ｘ線を吸収するとシン
チレータは光を放出するが、その光の強度は指数関数的
速度で急速に減衰する。このような最初の指数関数的減
衰速度が一次減衰速度である。加えて、シンチレータは
強度のより低い光をも放出するが、この光の強度は一次
減衰速度の光よりも遥かにゆっくりと減衰する。このよ
うにゆっくりと減衰する光は残光と呼ばれる。
【００１１】シンチレータ系の光検出器が先行するＸ線
刺激によるシンチレーション光から現在のＸ線刺激によ
るシンチレーション光を識別し得るようにするため、残
光は少ないことが望ましい。このことは、相次ぐ刺激間
の時間が短い高速走査装置にとって特に重要である。
刺激によるシンチレーション光から現在のＸ線刺激によ
るシンチレーション光を識別し得るようにするため、残
光は少ないことが望ましい。このことは、相次ぐ刺激間
の時間が短い高速走査装置にとって特に重要である。
【００１２】Ｘ線シンチレータ材料における放射線損傷
は、刺激Ｘ線に応答してシンチレータ材料により放出さ
れる光の量が高放射線量への暴露後に変化するようなシ
ンチレータ材料の特性である。かかる放射線損傷は、高
線量のＸ線に対するシンチレータ材料の暴露の前後に放
出される誘導シンチレーション光の強度の減少率として
表わすことができる。すなわち、放射線損傷値が小さく
なるほどＸ線シンチレータ材料の有用性は大きくなる。
なぜなら、かかるシンチレータ材料は刺激Ｘ線の強度と
放出されるシンチレーション光との間の比例関係の較正
を変化させることなしにより高いＸ線量に耐え得るから
である。
は、刺激Ｘ線に応答してシンチレータ材料により放出さ
れる光の量が高放射線量への暴露後に変化するようなシ
ンチレータ材料の特性である。かかる放射線損傷は、高
線量のＸ線に対するシンチレータ材料の暴露の前後に放
出される誘導シンチレーション光の強度の減少率として
表わすことができる。すなわち、放射線損傷値が小さく
なるほどＸ線シンチレータ材料の有用性は大きくなる。
なぜなら、かかるシンチレータ材料は刺激Ｘ線の強度と
放出されるシンチレーション光との間の比例関係の較正
を変化させることなしにより高いＸ線量に耐え得るから
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の説明に基づけば、
短い一次減衰時間及び高い透明度を有するシンチレータ
材料を提供することは望ましいわけである。また、残光
及び放射線損傷の少ないシンチレータ材料を提供するこ
とも望ましい。
短い一次減衰時間及び高い透明度を有するシンチレータ
材料を提供することは望ましいわけである。また、残光
及び放射線損傷の少ないシンチレータ材料を提供するこ
とも望ましい。
【００１４】本発明の実施の一態様に従えば、透明な固
体シンチレータ材料が提供される。この固体シンチレー
タ材料は立方晶ガーネット・ホスト材料を含んでいる。
この固体シンチレータ材料はまた、賦活剤として作用す
るプラセオジムをも含んでいる。
体シンチレータ材料が提供される。この固体シンチレー
タ材料は立方晶ガーネット・ホスト材料を含んでいる。
この固体シンチレータ材料はまた、賦活剤として作用す
るプラセオジムをも含んでいる。
【００１５】本発明の別の実施の態様に従えば、コンピ
ュータ断層撮影装置が提供される。このコンピュータ断
層撮影装置は、Ｘ線源と、透明な固体シンチレータ材料
と、透明な固体シンチレータ材料に対して光学的に結合
されてシンチレーション光を検出するためのシンチレー
ション光検出器とを含んでいる。上記の固体シンチレー
タ材料は立方晶ガーネット・ホスト材料を含んでいる。
かかる固体シンチレータ材料はまた、賦活剤として作用
するプラセオジムをも含んでいる。
ュータ断層撮影装置が提供される。このコンピュータ断
層撮影装置は、Ｘ線源と、透明な固体シンチレータ材料
と、透明な固体シンチレータ材料に対して光学的に結合
されてシンチレーション光を検出するためのシンチレー
ション光検出器とを含んでいる。上記の固体シンチレー
タ材料は立方晶ガーネット・ホスト材料を含んでいる。
かかる固体シンチレータ材料はまた、賦活剤として作用
するプラセオジムをも含んでいる。
【００１６】本発明の更に別の実施の態様に従えば、高
速応答Ｘ線検出装置が提供される。この高速応答Ｘ線検
出装置は、透明な固体シンチレータ材料と、透明な固体
シンチレータ材料に対して光学的に結合されてシンチレ
ーション光を検出するためのシンチレーション光検出器
とを含んでいる。上記の固体シンチレータ材料は立方晶
ガーネット・ホスト材料を含んでいる。かかる固体シン
チレータ材料はまた、賦活剤として作用するプラセオジ
ムをも含んでいる。
速応答Ｘ線検出装置が提供される。この高速応答Ｘ線検
出装置は、透明な固体シンチレータ材料と、透明な固体
シンチレータ材料に対して光学的に結合されてシンチレ
ーション光を検出するためのシンチレーション光検出器
とを含んでいる。上記の固体シンチレータ材料は立方晶
ガーネット・ホスト材料を含んでいる。かかる固体シン
チレータ材料はまた、賦活剤として作用するプラセオジ
ムをも含んでいる。
【００１７】本発明の更に別の実施の態様に従えば、透
明な多結晶質固体セラミック・シンチレータ材料の製造
方法が提供される。この方法に従えば、賦活剤としてプ
ラセオジムを含有する立方晶ガーネット・ホスト材料か
ら成る蛍光体粉末が調製される。この蛍光体粉末を加圧
成形することによって粉末成形体が形成され、次いでそ
の粉末成形体が焼結される。
明な多結晶質固体セラミック・シンチレータ材料の製造
方法が提供される。この方法に従えば、賦活剤としてプ
ラセオジムを含有する立方晶ガーネット・ホスト材料か
ら成る蛍光体粉末が調製される。この蛍光体粉末を加圧
成形することによって粉末成形体が形成され、次いでそ
の粉末成形体が焼結される。
【００１８】本発明の更に別の実施の態様に従えば、蛍
光体粉末が提供される。この蛍光体粉末は、立方晶ガー
ネット・ホスト材料と、賦活剤として作用するプラセオ
ジムとを含んでいる。この蛍光体粉末はまた、立方晶ガ
ーネット・ホスト材料中に分布した残光低減元素をも含
んでいる。
光体粉末が提供される。この蛍光体粉末は、立方晶ガー
ネット・ホスト材料と、賦活剤として作用するプラセオ
ジムとを含んでいる。この蛍光体粉末はまた、立方晶ガ
ーネット・ホスト材料中に分布した残光低減元素をも含
んでいる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の態様に係わるシン
チレータ材料は、一般に短い一次減衰時間及び良好な透
明性を有している。好ましくは、かかるシンチレータ材
料は立方晶ガーネット・ホスト材料を含んでいて、これ
は焼結することによって高い透明度を有する多結晶質セ
ラミックを形成することができる。ホスト材料が六方晶
系の結晶構造ではなく立方晶系の結晶構造を有するた
め、かかる多結晶質材料中の光散乱は低減する。ガーネ
ットは、結晶化学式Ａ3Ｂ5Ｏ12〔式中、Ａ陽イオンには
８個の酸素が配位しており、かつＢ陽イオンには酸素が
八面体形（６個）又は四面体形（４個）に配位してい
る〕を有する１群の物質である。その結晶構造は、８つ
の式単位を含む単位胞当り１６０個のイオンを有する立
方晶である。本発明にとって適当な立方晶ガーネット・
ホスト材料としては、たとえば、ガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネット（ＧＧＧ）（Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12）、ガド
リニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット（Ｇｄ
3 Ｓｃ2 Ｇａ3 Ｏ12）、ガドリニウム・スカンジウム・
アルミニウム・ガーネット（Ｇｄ3 Ｓｃ2 Ａｌ
3 Ｏ12）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット（Ｌ
ｕ3 Ａｌ5 Ｏ12）及びイットリウム・ガリウム・ガーネ
ット（Ｙ3 Ｇａ5 Ｏ12）が挙げられる。上記の例におい
て、（一般式Ａ3 Ｂ5 Ｏ12中の）Ｂ部位は（たとえば、
ガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット中
のＳｃ2 Ｇａ3 のように）２種の元素で占められること
がある。また、別の元素においては、Ａ部位が２種の元
素で占められることがある。本発明の実施の態様に従え
ば、発光賦活剤はプラセオジムであることが好ましい。
チレータ材料は、一般に短い一次減衰時間及び良好な透
明性を有している。好ましくは、かかるシンチレータ材
料は立方晶ガーネット・ホスト材料を含んでいて、これ
は焼結することによって高い透明度を有する多結晶質セ
ラミックを形成することができる。ホスト材料が六方晶
系の結晶構造ではなく立方晶系の結晶構造を有するた
め、かかる多結晶質材料中の光散乱は低減する。ガーネ
ットは、結晶化学式Ａ3Ｂ5Ｏ12〔式中、Ａ陽イオンには
８個の酸素が配位しており、かつＢ陽イオンには酸素が
八面体形（６個）又は四面体形（４個）に配位してい
る〕を有する１群の物質である。その結晶構造は、８つ
の式単位を含む単位胞当り１６０個のイオンを有する立
方晶である。本発明にとって適当な立方晶ガーネット・
ホスト材料としては、たとえば、ガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネット（ＧＧＧ）（Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12）、ガド
リニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット（Ｇｄ
3 Ｓｃ2 Ｇａ3 Ｏ12）、ガドリニウム・スカンジウム・
アルミニウム・ガーネット（Ｇｄ3 Ｓｃ2 Ａｌ
3 Ｏ12）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット（Ｌ
ｕ3 Ａｌ5 Ｏ12）及びイットリウム・ガリウム・ガーネ
ット（Ｙ3 Ｇａ5 Ｏ12）が挙げられる。上記の例におい
て、（一般式Ａ3 Ｂ5 Ｏ12中の）Ｂ部位は（たとえば、
ガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット中
のＳｃ2 Ｇａ3 のように）２種の元素で占められること
がある。また、別の元素においては、Ａ部位が２種の元
素で占められることがある。本発明の実施の態様に従え
ば、発光賦活剤はプラセオジムであることが好ましい。
【００２０】本明細書中においては、賦活剤の濃度はモ
ル％で表わされている。ここで言う「モル％」は、ガー
ネットＡ3 Ｂ5 Ｏ12中のＡ部位に対する賦活剤のモル％
を指す。たとえば、ＧＧＧ中において５．０モル％のプ
ラセオジムとは、ガドリニウムの５モル％が等しいモル
数のプラセオジムで置換されていることを意味す。
ル％で表わされている。ここで言う「モル％」は、ガー
ネットＡ3 Ｂ5 Ｏ12中のＡ部位に対する賦活剤のモル％
を指す。たとえば、ＧＧＧ中において５．０モル％のプ
ラセオジムとは、ガドリニウムの５モル％が等しいモル
数のプラセオジムで置換されていることを意味す。
【００２１】本発明のシンチレータ材料は、たとえば多
結晶質セラミック材料から成り得る。立方晶ガーネット
・ホスト材料を含む多結晶質セラミック・シンチレータ
材料を製造するための技術は公知であって、たとえば米
国特許第５４８４７５０号明細書中に開示されている。
単結晶ガーネット材料は、米国特許第５０５７６４２号
明細書中に開示されたもののごとき技術によって製造す
ることができる。
結晶質セラミック材料から成り得る。立方晶ガーネット
・ホスト材料を含む多結晶質セラミック・シンチレータ
材料を製造するための技術は公知であって、たとえば米
国特許第５４８４７５０号明細書中に開示されている。
単結晶ガーネット材料は、米国特許第５０５７６４２号
明細書中に開示されたもののごとき技術によって製造す
ることができる。
【００２２】多結晶質セラミック材料から成る本発明の
シンチレータ材料を製造するための方法は、米国特許第
５４８４７５０号明細書中に開示されたものと同様であ
って、以下に示す通りである。これらの方法に従えば、
適当量の所望陽イオンから原料塩酸溶液が調製される。
「適当量」とは、所望の相対比率で陽イオンを含有する
最終の透明固体を与えるような相対濃度を意味する。す
なわち、陽イオンが原料塩酸溶液中と同じ相対濃度で最
終の透明固体中に存在するような場合には、それは原料
塩酸溶液中に所望される相対濃度である。原料塩酸溶液
を最終の透明な多結晶質固体に転化する工程中において
１種以上の陽イオンの量が他の陽イオンの量に比べて減
少するような場合には、原料塩酸溶液中の適当量は所望
の組成を有する最終の透明なガーネット固体を与えるよ
うな量である。
シンチレータ材料を製造するための方法は、米国特許第
５４８４７５０号明細書中に開示されたものと同様であ
って、以下に示す通りである。これらの方法に従えば、
適当量の所望陽イオンから原料塩酸溶液が調製される。
「適当量」とは、所望の相対比率で陽イオンを含有する
最終の透明固体を与えるような相対濃度を意味する。す
なわち、陽イオンが原料塩酸溶液中と同じ相対濃度で最
終の透明固体中に存在するような場合には、それは原料
塩酸溶液中に所望される相対濃度である。原料塩酸溶液
を最終の透明な多結晶質固体に転化する工程中において
１種以上の陽イオンの量が他の陽イオンの量に比べて減
少するような場合には、原料塩酸溶液中の適当量は所望
の組成を有する最終の透明なガーネット固体を与えるよ
うな量である。
【００２３】最終の組成物中に存在して放射線損傷、残
光及び量子効率に影響を及ぼすことのある未知（又は管
理されない）不純物を最少限に抑えるため、原料化合物
は９９．９９％以上の純度を有することが好ましい。
光及び量子効率に影響を及ぼすことのある未知（又は管
理されない）不純物を最少限に抑えるため、原料化合物
は９９．９９％以上の純度を有することが好ましい。
【００２４】このような原料塩酸溶液を調製する方法の
１つは、酸化物の形態の原料陽イオンを熱濃塩酸中に溶
解するというものである。厳密に管理された最終ガーネ
ット組成が所望される場合、特に不純物の不存在が望ま
しいと考えられる場合には、９９．９９％以上の純度を
有する原料化合物を使用することが好ましい。もちろ
ん、所望ならば、酸化物ではなく塩化物として原料陽イ
オンを供給することもできる。原料塩酸溶液にはまた、
プラセオジム賦活剤をたとえば塩化プラセオジム、硝酸
プラセオジム又は酸化プラセオジムとして添加すること
もできる。原料化合物が熱濃塩酸中に完全に溶解した
後、得られた溶液が室温にまで冷却される。こうして得
られた溶液は澄明であると共に、原料化合物のいずれか
が沈殿又は沈降していてはならない。原料化合物の沈殿
又は沈降が起こった場合には、溶液を再加熱し、そして
追加の塩酸を溶液に添加する必要がある。そうすれば、
再び室温にまで冷却した時、沈殿や沈降は起こらない。
すなわち、原料化合物が室温においてそれらの溶解限度
以上で存在しないことを保証するのに十分なだけの塩酸
を使用する必要があるわけである。
１つは、酸化物の形態の原料陽イオンを熱濃塩酸中に溶
解するというものである。厳密に管理された最終ガーネ
ット組成が所望される場合、特に不純物の不存在が望ま
しいと考えられる場合には、９９．９９％以上の純度を
有する原料化合物を使用することが好ましい。もちろ
ん、所望ならば、酸化物ではなく塩化物として原料陽イ
オンを供給することもできる。原料塩酸溶液にはまた、
プラセオジム賦活剤をたとえば塩化プラセオジム、硝酸
プラセオジム又は酸化プラセオジムとして添加すること
もできる。原料化合物が熱濃塩酸中に完全に溶解した
後、得られた溶液が室温にまで冷却される。こうして得
られた溶液は澄明であると共に、原料化合物のいずれか
が沈殿又は沈降していてはならない。原料化合物の沈殿
又は沈降が起こった場合には、溶液を再加熱し、そして
追加の塩酸を溶液に添加する必要がある。そうすれば、
再び室温にまで冷却した時、沈殿や沈降は起こらない。
すなわち、原料化合物が室温においてそれらの溶解限度
以上で存在しないことを保証するのに十分なだけの塩酸
を使用する必要があるわけである。
【００２５】別途に、シュウ酸アンモニウム又は所定量
のアンモニア及びシュウ酸を溶解することによってシュ
ウ酸アンモニウム〔（ＮＨ4 ）2 Ｃ2 Ｏ4 〕溶液を調製
することができる。一般に、陽イオンを含有する原料塩
化物溶液との完全な反応を保証するのに十分なだけのシ
ュウ酸アンモニウムを調製する必要がある。このシュウ
酸アンモニウム溶液は、通例、約７．５〜約９．５の範
囲内のｐＨを有している。なお、このシュウ酸アンモニ
ウム溶液のｐＨは８．０〜８．５の範囲内にあることが
好ましいと考えられる。
のアンモニア及びシュウ酸を溶解することによってシュ
ウ酸アンモニウム〔（ＮＨ4 ）2 Ｃ2 Ｏ4 〕溶液を調製
することができる。一般に、陽イオンを含有する原料塩
化物溶液との完全な反応を保証するのに十分なだけのシ
ュウ酸アンモニウムを調製する必要がある。このシュウ
酸アンモニウム溶液は、通例、約７．５〜約９．５の範
囲内のｐＨを有している。なお、このシュウ酸アンモニ
ウム溶液のｐＨは８．０〜８．５の範囲内にあることが
好ましいと考えられる。
【００２６】少量のバッチを製造する場合には、このシ
ュウ酸アンモニウム溶液を攪拌しながら、その中に陽イ
オンを含有する原料塩化物溶液が滴下される。２種の溶
液が接触すると、直ちに白色の沈殿が生成する。混合容
器内に磁気攪拌棒を配置することは、少量のバッチを製
造する場合にこれらの溶液を攪拌するための好適な方法
である。全ての原料塩化物溶液をシュウ酸アンモニウム
溶液に添加してしまえば、沈殿の生成は完了する。
ュウ酸アンモニウム溶液を攪拌しながら、その中に陽イ
オンを含有する原料塩化物溶液が滴下される。２種の溶
液が接触すると、直ちに白色の沈殿が生成する。混合容
器内に磁気攪拌棒を配置することは、少量のバッチを製
造する場合にこれらの溶液を攪拌するための好適な方法
である。全ての原料塩化物溶液をシュウ酸アンモニウム
溶液に添加してしまえば、沈殿の生成は完了する。
【００２７】原料塩化物溶液をシュウ酸アンモニウム溶
液に添加する工程においては、シュウ酸アンモニウム溶
液のｐＨをｐＨ計で監視し、そして必要ならば該溶液に
シュウ酸アンモニウムを添加することによってそのｐＨ
を８．０〜８．５の範囲内に維持することが好ましい。
液に添加する工程においては、シュウ酸アンモニウム溶
液のｐＨをｐＨ計で監視し、そして必要ならば該溶液に
シュウ酸アンモニウムを添加することによってそのｐＨ
を８．０〜８．５の範囲内に維持することが好ましい。
【００２８】沈殿工程においては、沈殿は十分に小さな
粒子を成して生成するから、最初はシュウ酸アンモニウ
ム溶液中に沈殿が懸濁したコロイド懸濁液が生じる。沈
殿工程の完了後には、このコロイド懸濁液はゆっくりと
沈降し、そして容器の底には白色の沈殿を生じると共
に、その上方には澄明な溶液を生じる。このような沈降
工程は、沈殿を含有する液体の濾過及び（又は）遠心分
離によって促進することができる。
粒子を成して生成するから、最初はシュウ酸アンモニウ
ム溶液中に沈殿が懸濁したコロイド懸濁液が生じる。沈
殿工程の完了後には、このコロイド懸濁液はゆっくりと
沈降し、そして容器の底には白色の沈殿を生じると共
に、その上方には澄明な溶液を生じる。このような沈降
工程は、沈殿を含有する液体の濾過及び（又は）遠心分
離によって促進することができる。
【００２９】所望ならば、液体から分離する前に沈殿を
水及び（又は）アルコールで洗浄することもできる。そ
のためには、沈殿を沈降させ、注出又はその他の方法で
大部分の液体を除去し、洗浄水又はアルコールを添加
し、沈殿を再び沈降させ、次いで澄明な液体を再び除去
すればよい。高い純度及び（又は）厳密に管理された組
成を有する最終の透明なガーネットが所望される場合に
は、洗浄水は高純度の脱イオン水であることが必要であ
り、またアルコールは標準試薬級の純度を有することが
必要である。このような洗浄工程により、過剰のシュウ
酸アンモニウム及び反応生成物（たとえば塩化アンモニ
ウム）が沈殿から除去される。次いで、濾過、遠心分離
又はその他適宜の技術によって沈殿が洗浄液から分離さ
れる。この沈殿は、実質的に均一な化学組成を有する多
成分の沈殿である。この湿潤沈殿は、現在のところ、
〔ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）を調
製する場合〕シュウ酸アンモニウムガドリニウムガリウ
ムの複合体であると考えられている。しかし、本発明の
成功にとっては、この沈殿の詳細な化学組成又は化学構
造を知ることは必要でない。この沈殿は、たとえば約１
１０℃で１日間の炉内乾燥又は真空乾燥によって乾燥す
ることが好ましい。次に、乾燥した沈殿を空気中におい
て約７５０℃に加熱することによってそれが熱分解され
る。乾燥した沈殿がプラセオジムを含有するシュウ酸ア
ンモニウムガドリニウムガリウムである場合、熱分解の
結果としてプラセオジムを含有するＧＧＧの粉末が得ら
れる。この場合、得られた粉末は蛍光体粉末である。
水及び（又は）アルコールで洗浄することもできる。そ
のためには、沈殿を沈降させ、注出又はその他の方法で
大部分の液体を除去し、洗浄水又はアルコールを添加
し、沈殿を再び沈降させ、次いで澄明な液体を再び除去
すればよい。高い純度及び（又は）厳密に管理された組
成を有する最終の透明なガーネットが所望される場合に
は、洗浄水は高純度の脱イオン水であることが必要であ
り、またアルコールは標準試薬級の純度を有することが
必要である。このような洗浄工程により、過剰のシュウ
酸アンモニウム及び反応生成物（たとえば塩化アンモニ
ウム）が沈殿から除去される。次いで、濾過、遠心分離
又はその他適宜の技術によって沈殿が洗浄液から分離さ
れる。この沈殿は、実質的に均一な化学組成を有する多
成分の沈殿である。この湿潤沈殿は、現在のところ、
〔ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）を調
製する場合〕シュウ酸アンモニウムガドリニウムガリウ
ムの複合体であると考えられている。しかし、本発明の
成功にとっては、この沈殿の詳細な化学組成又は化学構
造を知ることは必要でない。この沈殿は、たとえば約１
１０℃で１日間の炉内乾燥又は真空乾燥によって乾燥す
ることが好ましい。次に、乾燥した沈殿を空気中におい
て約７５０℃に加熱することによってそれが熱分解され
る。乾燥した沈殿がプラセオジムを含有するシュウ酸ア
ンモニウムガドリニウムガリウムである場合、熱分解の
結果としてプラセオジムを含有するＧＧＧの粉末が得ら
れる。この場合、得られた粉末は蛍光体粉末である。
【００３０】こうして得られた粉末に６００００ポンド
／平方インチ（ｐｓｉ）までの圧力下で型成形又は静水
圧圧縮成形を施すことによって一般に約５５％までの相
対密度を有する焼結用の粉末成形体を形成し、次いでこ
の成形体を酸素中において１５００〜１６５０℃の温度
で焼結した場合、得られるセラミック固体はミクロ構造
のガーネット粒子中に比較的多量の残留気孔が存在する
不透明ないし半透明のものであるのが通例である。
／平方インチ（ｐｓｉ）までの圧力下で型成形又は静水
圧圧縮成形を施すことによって一般に約５５％までの相
対密度を有する焼結用の粉末成形体を形成し、次いでこ
の成形体を酸素中において１５００〜１６５０℃の温度
で焼結した場合、得られるセラミック固体はミクロ構造
のガーネット粒子中に比較的多量の残留気孔が存在する
不透明ないし半透明のものであるのが通例である。
【００３１】この粉末を直接に加圧成形して焼結用の成
形体を形成することも可能であるが、先ず最初にジルコ
ニア粉砕媒体及び液状ビヒクル（たとえば、メチルアル
コール又はイソプロピルアルコール）を使用しながらボ
ールミル内においてこの粉末を摩砕することが好まし
い。ボールミル処理時間は約４〜２４時間の範囲内にあ
れば有効である。あるいはまた、約６０〜約１００ｐｓ
ｉの圧力設定値の下で流体エネルギーミリング又はジェ
ットミリングを使用することもできる。
形体を形成することも可能であるが、先ず最初にジルコ
ニア粉砕媒体及び液状ビヒクル（たとえば、メチルアル
コール又はイソプロピルアルコール）を使用しながらボ
ールミル内においてこの粉末を摩砕することが好まし
い。ボールミル処理時間は約４〜２４時間の範囲内にあ
れば有効である。あるいはまた、約６０〜約１００ｐｓ
ｉの圧力設定値の下で流体エネルギーミリング又はジェ
ットミリングを使用することもできる。
【００３２】こうして摩砕された粉末の粒度分布は約
０．１〜２ミクロンの範囲内にあるが、これは摩砕後の
粉末の凝集物が摩砕前の粉末中よりも遥かに小さいこと
を表わしている。この摩砕された粉末の加圧成形によっ
て得られた粉末成形体を酸素中において１４００〜１６
００℃の温度で焼結すれば、理論密度を完全に達成する
ことができる。所望ならば、より高い温度を使用するこ
ともできる。
０．１〜２ミクロンの範囲内にあるが、これは摩砕後の
粉末の凝集物が摩砕前の粉末中よりも遥かに小さいこと
を表わしている。この摩砕された粉末の加圧成形によっ
て得られた粉末成形体を酸素中において１４００〜１６
００℃の温度で焼結すれば、理論密度を完全に達成する
ことができる。所望ならば、より高い温度を使用するこ
ともできる。
【００３３】最高の光学的透明度を有するガーネット・
セラミックは、一般に、加圧成形によって得られた成形
体を酸素中において１４００〜１５２５℃の温度で１〜
３時間にわたり焼結することから成る方法によって製造
される。焼結後の成形体は理論密度の約９５〜９８％の
範囲内の密度を有する密閉気孔段階のものであるが、こ
れに熱間静水圧圧縮成形が施される。かかる熱間静水圧
圧縮成形を実施する際には、焼結された成形体がモリブ
デン製のるつぼ内に装填され、そして熱間静水圧圧縮成
形（ＨＩＰ）炉内の雰囲気に由来する汚染の可能性を防
止するためにＧｄ2Ｏ3粉末が充填される。次いで、５０
００〜２５０００ｐｓｉの圧力、約１３５０〜１６００
℃の温度、及び最高温度で１５〜６０分のソーク時間の
条件を使用しながら、アルゴンガス中において上記の試
料に熱間静水圧圧縮成形が施される。熱間静水圧圧縮成
形の後、得られたセラミック固体は白色の薄い表面被膜
を有するのが通例である。この表面被膜は、軽い機械的
研削によって除去される。
セラミックは、一般に、加圧成形によって得られた成形
体を酸素中において１４００〜１５２５℃の温度で１〜
３時間にわたり焼結することから成る方法によって製造
される。焼結後の成形体は理論密度の約９５〜９８％の
範囲内の密度を有する密閉気孔段階のものであるが、こ
れに熱間静水圧圧縮成形が施される。かかる熱間静水圧
圧縮成形を実施する際には、焼結された成形体がモリブ
デン製のるつぼ内に装填され、そして熱間静水圧圧縮成
形（ＨＩＰ）炉内の雰囲気に由来する汚染の可能性を防
止するためにＧｄ2Ｏ3粉末が充填される。次いで、５０
００〜２５０００ｐｓｉの圧力、約１３５０〜１６００
℃の温度、及び最高温度で１５〜６０分のソーク時間の
条件を使用しながら、アルゴンガス中において上記の試
料に熱間静水圧圧縮成形が施される。熱間静水圧圧縮成
形の後、得られたセラミック固体は白色の薄い表面被膜
を有するのが通例である。この表面被膜は、軽い機械的
研削によって除去される。
【００３４】ホスト材料がＧＧＧである場合、好適なプ
ラセオジム濃度は０．０１〜５．０モル％であり、また
０．５〜２．０モル％であれば一層好ましい。残光を低
減させるため、残光低減元素又は放射線損傷低減元素を
添加剤としてシンチレータ材料に添加することもでき
る。かかる添加剤は、たとえば、酸化物又は塩化物とし
て原料塩酸溶液に添加すればよい。ホスト材料がＰｒを
賦活剤とするＧＧＧである場合、適当な残光低減元素と
してはイッテルビウム、イットリウム、ツリウム、サマ
リウム及びユウロピウムが挙げられ、また適当な放射線
損傷低減元素としてはたとえばツリウムが挙げられる。
ラセオジム濃度は０．０１〜５．０モル％であり、また
０．５〜２．０モル％であれば一層好ましい。残光を低
減させるため、残光低減元素又は放射線損傷低減元素を
添加剤としてシンチレータ材料に添加することもでき
る。かかる添加剤は、たとえば、酸化物又は塩化物とし
て原料塩酸溶液に添加すればよい。ホスト材料がＰｒを
賦活剤とするＧＧＧである場合、適当な残光低減元素と
してはイッテルビウム、イットリウム、ツリウム、サマ
リウム及びユウロピウムが挙げられ、また適当な放射線
損傷低減元素としてはたとえばツリウムが挙げられる。
【００３５】上記の技術に従い、０．５モル％のプラセ
オジムを含有するＧＧＧ粉末を製造した。得られた蛍光
体粉末にＸ線を照射し、そして該粉末のシンチレーショ
ン光スペクトルを測定した。図１には、０．５モル％の
プラセオジムを含有するＧＧＧ粉末に関するシンチレー
ション光スペクトルが示されている。このシンチレーシ
ョン光スペクトルは、シンチレーション光がプラセオジ
ムに由来するものであることを表わしている。
オジムを含有するＧＧＧ粉末を製造した。得られた蛍光
体粉末にＸ線を照射し、そして該粉末のシンチレーショ
ン光スペクトルを測定した。図１には、０．５モル％の
プラセオジムを含有するＧＧＧ粉末に関するシンチレー
ション光スペクトルが示されている。このシンチレーシ
ョン光スペクトルは、シンチレーション光がプラセオジ
ムに由来するものであることを表わしている。
【００３６】また、０．０５〜５．０モル％の範囲内の
濃度のプラセオジムを含有するＧＧＧ粉末試料を調製し
た。１００ミリ秒及び３００ミリ秒後におけるこれらの
粉末の相対光出力及び残光を測定した。図２には、これ
らの測定の結果が示されている。これらの粉末の残光は
プラセオジムの濃度が０．５モル％から５．０モル％ま
で増加するのに伴って着実に減少する一方、相対光出力
は０．５〜１．０モル％近辺において最大値に達する。
これらの粉末のシンチレーション光の一次減衰時間は、
約１０マイクロ秒であることが判明した。
濃度のプラセオジムを含有するＧＧＧ粉末試料を調製し
た。１００ミリ秒及び３００ミリ秒後におけるこれらの
粉末の相対光出力及び残光を測定した。図２には、これ
らの測定の結果が示されている。これらの粉末の残光は
プラセオジムの濃度が０．５モル％から５．０モル％ま
で増加するのに伴って着実に減少する一方、相対光出力
は０．５〜１．０モル％近辺において最大値に達する。
これらの粉末のシンチレーション光の一次減衰時間は、
約１０マイクロ秒であることが判明した。
【００３７】
【実施例】下記表１に示されるごとく、ガドリニウム・
ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）をホスト材料とするシ
ンチレータ材料の試料を調製した。ＧＧＧ中のプラセオ
ジム濃度は０．０５〜５．０モル％の範囲内にあった。
２種の試料（試料６及び７）には、残光を低減させるた
めにユウロピウム及びサマリウムをそれぞれ添加した。
ホスト材料、プラセオジムの濃度、（使用した場合に
は）添加剤とその量、相対光強度、並びに１００ミリ秒
及び３００ミリ秒後の残光が表１中に示されている。表
１中にはまた、１．０モル％のプラセオジムを含有する
ガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネットの
試料（試料８）も示されている。
ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）をホスト材料とするシ
ンチレータ材料の試料を調製した。ＧＧＧ中のプラセオ
ジム濃度は０．０５〜５．０モル％の範囲内にあった。
２種の試料（試料６及び７）には、残光を低減させるた
めにユウロピウム及びサマリウムをそれぞれ添加した。
ホスト材料、プラセオジムの濃度、（使用した場合に
は）添加剤とその量、相対光強度、並びに１００ミリ秒
及び３００ミリ秒後の残光が表１中に示されている。表
１中にはまた、１．０モル％のプラセオジムを含有する
ガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネットの
試料（試料８）も示されている。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１は、ＧＧＧホスト材料に関して最良の
相対光強度成績は１．０モル％のプラセオジム濃度にお
いて得られたことを示している。残光はＧＧＧホスト材
料中におけるプラセオジム濃度の増加に伴って減少し、
そして５．０モル％のプラセオジム濃度（試料５）にお
いて最少となった。しかしながら、プラセオジム濃度が
１．０モル％から５．０モル％に増加するのに伴ってＧ
ＧＧシンチレータ材料の相対光強度は低下した。
相対光強度成績は１．０モル％のプラセオジム濃度にお
いて得られたことを示している。残光はＧＧＧホスト材
料中におけるプラセオジム濃度の増加に伴って減少し、
そして５．０モル％のプラセオジム濃度（試料５）にお
いて最少となった。しかしながら、プラセオジム濃度が
１．０モル％から５．０モル％に増加するのに伴ってＧ
ＧＧシンチレータ材料の相対光強度は低下した。
【００４０】試料６及び７においては、１モル％のプラ
セオジムを含有するＧＧＧシンチレータ材料の試料に対
してユウロピウム及びサマリウムが１５０モルｐｐｍの
量で添加された。Ｅｕ又はＳｍのモルｐｐｍは、Ａ3 Ｂ
5 Ｏ12ガーネット中のＡ部位に対して測定された値であ
る。１モル％のプラセオジムを含有するＧＧＧシンチレ
ータ材料にユウロピウム及びサマリウムを添加すると残
光が減少したが、同時に相対光強度も僅かに低下した。
セオジムを含有するＧＧＧシンチレータ材料の試料に対
してユウロピウム及びサマリウムが１５０モルｐｐｍの
量で添加された。Ｅｕ又はＳｍのモルｐｐｍは、Ａ3 Ｂ
5 Ｏ12ガーネット中のＡ部位に対して測定された値であ
る。１モル％のプラセオジムを含有するＧＧＧシンチレ
ータ材料にユウロピウム及びサマリウムを添加すると残
光が減少したが、同時に相対光強度も僅かに低下した。
【００４１】更に、シンチレータ材料の放射線損傷特性
に対するツリウム添加の効果を判定するため、２種の別
のシンチレータ材料試料（表１には示さず）を調製し
た。これらの試料はいずれも、１モル％のプラセオジム
を含有していた。しかるに、第１の試料はツリウムを含
有していないのに対し、第２の試料はＡ3 Ｂ5 Ｏ12ガー
ネット中のＡ部位に対して測定して０．２５モル％のツ
リウムを含有していた。ツリウムを含有する試料の相対
光強度は、ツリウムを含有しない試料に比べて約１０％
だけ低かった。しかるに、ツリウムを含有する試料にお
いては放射線損傷が約２５％だけ少なかった。また、ツ
リウムを含有する試料においては１００ミリ秒後の残光
が約４０％だけ少なかった。このように、ツリウムの添
加はＧＧＧにおける放射線損傷及び残光を共に減少させ
た。
に対するツリウム添加の効果を判定するため、２種の別
のシンチレータ材料試料（表１には示さず）を調製し
た。これらの試料はいずれも、１モル％のプラセオジム
を含有していた。しかるに、第１の試料はツリウムを含
有していないのに対し、第２の試料はＡ3 Ｂ5 Ｏ12ガー
ネット中のＡ部位に対して測定して０．２５モル％のツ
リウムを含有していた。ツリウムを含有する試料の相対
光強度は、ツリウムを含有しない試料に比べて約１０％
だけ低かった。しかるに、ツリウムを含有する試料にお
いては放射線損傷が約２５％だけ少なかった。また、ツ
リウムを含有する試料においては１００ミリ秒後の残光
が約４０％だけ少なかった。このように、ツリウムの添
加はＧＧＧにおける放射線損傷及び残光を共に減少させ
た。
【００４２】本発明の方法によれば、上記のごときＧＧ
Ｇ及びガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネ
ット試料に加え、その他の立方晶ガーネット（たとえ
ば、ガドリニウム・スカンジウム・アルミニウム・ガー
ネット、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット及びイ
ットリウム・ガリウム・ガーネット）を製造することも
できる。
Ｇ及びガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネ
ット試料に加え、その他の立方晶ガーネット（たとえ
ば、ガドリニウム・スカンジウム・アルミニウム・ガー
ネット、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット及びイ
ットリウム・ガリウム・ガーネット）を製造することも
できる。
【００４３】図３には、コンピュータ断層撮影装置又は
ＣＴスキャナ１００が略示されている。このＣＴスキャ
ナ１００は、検査すべき患者又は物体を内部に配置する
ための包囲円筒１１０を含んでいる。円筒１１０は、そ
れの中心軸の回りに回転し得るように構成されたガント
リー１１２によって包囲されている。このガントリー１
１２は、ガントリー上の電子装置をＣＴスキャナの残部
に接続するために使用される方式に応じ、１回転してか
ら戻るように構成される場合もあれば、連続的に回転す
るように構成される場合もある。ガントリー上の電子装
置の中には、好ましくは扇形のＸ線ビームを発生するＸ
線源１１４が含まれている。それによって発生されたＸ
線ビームは、円筒１１０の反対側においてガントリー上
に取付けられたシンチレーション検出装置１１６をそれ
の内部に含んでいる。かかるＸ線ビームの扇形パターン
は、Ｘ線源及びシンチレーション検出装置１１６によっ
て規定される平面内に配置されている。
ＣＴスキャナ１００が略示されている。このＣＴスキャ
ナ１００は、検査すべき患者又は物体を内部に配置する
ための包囲円筒１１０を含んでいる。円筒１１０は、そ
れの中心軸の回りに回転し得るように構成されたガント
リー１１２によって包囲されている。このガントリー１
１２は、ガントリー上の電子装置をＣＴスキャナの残部
に接続するために使用される方式に応じ、１回転してか
ら戻るように構成される場合もあれば、連続的に回転す
るように構成される場合もある。ガントリー上の電子装
置の中には、好ましくは扇形のＸ線ビームを発生するＸ
線源１１４が含まれている。それによって発生されたＸ
線ビームは、円筒１１０の反対側においてガントリー上
に取付けられたシンチレーション検出装置１１６をそれ
の内部に含んでいる。かかるＸ線ビームの扇形パターン
は、Ｘ線源及びシンチレーション検出装置１１６によっ
て規定される平面内に配置されている。
【００４４】シンチレーション検出装置１１６は、扇形
Ｘ線ビームの平面に対して垂直な方向においては幅が非
常に狭くなっている。シンチレーション検出装置中の各
セル１１８には、シンチレータ材料から成る透明な固体
棒材及び該棒材に対して光学的に結合された光検出ダイ
オードが組込まれている。かかるＸ線シンチレータは、
立方晶ガーネット・ホストと、該立方晶ガーネット・ホ
スト内に発光賦活剤として含有されるプラセオジムとか
ら成っている。上記の通り、本発明のシンチレータ材料
用として適した立方晶ガーネット・ホストとしては、ガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・ス
カンジウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・ス
カンジウム・アルミニウム・ガーネット、ルテチウム・
アルミニウム・ガーネット及びイットリウム・ガリウム
・ガーネットが挙げられる。
Ｘ線ビームの平面に対して垂直な方向においては幅が非
常に狭くなっている。シンチレーション検出装置中の各
セル１１８には、シンチレータ材料から成る透明な固体
棒材及び該棒材に対して光学的に結合された光検出ダイ
オードが組込まれている。かかるＸ線シンチレータは、
立方晶ガーネット・ホストと、該立方晶ガーネット・ホ
スト内に発光賦活剤として含有されるプラセオジムとか
ら成っている。上記の通り、本発明のシンチレータ材料
用として適した立方晶ガーネット・ホストとしては、ガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・ス
カンジウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・ス
カンジウム・アルミニウム・ガーネット、ルテチウム・
アルミニウム・ガーネット及びイットリウム・ガリウム
・ガーネットが挙げられる。
【００４５】各々の光検出ダイオードからの出力は、ガ
ントリー上に取付けられた演算増幅器に伝達される。各
々の演算増幅器からの出力は、個別の導線１２０又はそ
の他の電子部品を介してＣＴスキャナ用の主制御装置１
５０に伝達される。図示された実施の態様においては、
Ｘ線源用の電力がケーブル１３０によって主制御装置１
５０から供給されると共に、シンチレーション検出装置
からの信号もケーブル１３０によって主制御装置１５０
に伝達される。ケーブル１３０を使用した場合には、一
般に、ガントリーが１回転した後にそれを元の位置まで
戻すことが必要となる。
ントリー上に取付けられた演算増幅器に伝達される。各
々の演算増幅器からの出力は、個別の導線１２０又はそ
の他の電子部品を介してＣＴスキャナ用の主制御装置１
５０に伝達される。図示された実施の態様においては、
Ｘ線源用の電力がケーブル１３０によって主制御装置１
５０から供給されると共に、シンチレーション検出装置
からの信号もケーブル１３０によって主制御装置１５０
に伝達される。ケーブル１３０を使用した場合には、一
般に、ガントリーが１回転した後にそれを元の位置まで
戻すことが必要となる。
【００４６】あるいはまた、ガントリーを連続的に回転
させることが所望される場合には、スリップリング又は
光学的若しくは無線伝送手段を用いてガントリー上の電
子装置を主制御装置１５０に接続することもできる。か
かるタイプのＣＴスキャナにおいては、シンチレータ材
料は入射Ｘ線を電気信号に変換するための手段として使
用される。すなわち、シンチレータ材料によって入射Ｘ
線がルミネセンス光に変換され、次いでその光が光検出
ダイオードによって検出されて電気信号に変換される。
こうして得られた電気信号は、画像の抽出やその他の目
的のために処理することができる。
させることが所望される場合には、スリップリング又は
光学的若しくは無線伝送手段を用いてガントリー上の電
子装置を主制御装置１５０に接続することもできる。か
かるタイプのＣＴスキャナにおいては、シンチレータ材
料は入射Ｘ線を電気信号に変換するための手段として使
用される。すなわち、シンチレータ材料によって入射Ｘ
線がルミネセンス光に変換され、次いでその光が光検出
ダイオードによって検出されて電気信号に変換される。
こうして得られた電気信号は、画像の抽出やその他の目
的のために処理することができる。
【００４７】図４は、本発明の実施の一態様に従ってシ
ンチレータ材料を組込んだ高速応答Ｘ線検出装置の略図
である。かかるＸ線検出装置はＸ線シンチレータ材料１
を含んでいるが、このシンチレータ材料は立方晶ガーネ
ット・ホストと、該立方晶ガーネット・ホスト内に発光
賦活剤として含有されるプラセオジムとから成ってい
る。上記の通り、本発明のシンチレータ材料用として適
した立方晶ガーネット・ホストとしては、ガドリニウム
・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・スカンジウム
・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・スカンジウム
・アルミニウム・ガーネット、ルテチウム・アルミニウ
ム・ガーネット及びイットリウム・ガリウム・ガーネッ
トが挙げられる。
ンチレータ材料を組込んだ高速応答Ｘ線検出装置の略図
である。かかるＸ線検出装置はＸ線シンチレータ材料１
を含んでいるが、このシンチレータ材料は立方晶ガーネ
ット・ホストと、該立方晶ガーネット・ホスト内に発光
賦活剤として含有されるプラセオジムとから成ってい
る。上記の通り、本発明のシンチレータ材料用として適
した立方晶ガーネット・ホストとしては、ガドリニウム
・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・スカンジウム
・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・スカンジウム
・アルミニウム・ガーネット、ルテチウム・アルミニウ
ム・ガーネット及びイットリウム・ガリウム・ガーネッ
トが挙げられる。
【００４８】シンチレータ材料１はＸ線光子３を吸収し
てシンチレーション光を放出するが、このシンチレーシ
ョン光がシンチレーション光検出器２によって検出され
る。シンチレーション光検出器２は、たとえば、ホトダ
イオード又は光電子増倍管であり得る。なお、シンチレ
ータ材料の短い一次減衰時間を利用するため、光検出器
２の応答時間はシンチレータ材料１中のシンチレーショ
ン光の一次減衰時間より速いことが好ましい。
てシンチレーション光を放出するが、このシンチレーシ
ョン光がシンチレーション光検出器２によって検出され
る。シンチレーション光検出器２は、たとえば、ホトダ
イオード又は光電子増倍管であり得る。なお、シンチレ
ータ材料の短い一次減衰時間を利用するため、光検出器
２の応答時間はシンチレータ材料１中のシンチレーショ
ン光の一次減衰時間より速いことが好ましい。
【００４９】シンチレータ材料１は光検出器２に対して
光学的に結合されている。シンチレータ材料１を光検出
器２に対して光学的に結合するためには、光検出器２に
対して物理的に隣接するようにしてシンチレータ材料１
を配置しさえすればよい。変更態様に従えば、シンチレ
ーション光を光検出器２に集束させるためのレンズ及び
（又は）鏡により、シンチレータ材料１を光検出器２に
対して光学的に結合することもできる。別の変更態様に
従えば、シンチレーション光をシンチレータ材料１から
光検出器に伝送するための光ファイバにより、シンチレ
ータ材料を光検出器２に対して光学的に結合することも
できる。更に別の変更態様は、光学的接着剤を用いてシ
ンチレータ材料を光検出器に対して直接に接着するとい
うものである。
光学的に結合されている。シンチレータ材料１を光検出
器２に対して光学的に結合するためには、光検出器２に
対して物理的に隣接するようにしてシンチレータ材料１
を配置しさえすればよい。変更態様に従えば、シンチレ
ーション光を光検出器２に集束させるためのレンズ及び
（又は）鏡により、シンチレータ材料１を光検出器２に
対して光学的に結合することもできる。別の変更態様に
従えば、シンチレーション光をシンチレータ材料１から
光検出器に伝送するための光ファイバにより、シンチレ
ータ材料を光検出器２に対して光学的に結合することも
できる。更に別の変更態様は、光学的接着剤を用いてシ
ンチレータ材料を光検出器に対して直接に接着するとい
うものである。
【００５０】光検出器２は単一の検出器であってもよい
し、あるいは検出器素子アレイであってもよい。光検出
器２が検出器素子アレイである場合、シンチレータ材料
はシンチレータ材料中のシンチレーション光放出領域か
らのシンチレーション光を該領域の直下の検出器素子に
直接導くための何らかの手段を含むことが好ましい。た
とえば、図３に示された本発明の実施の態様の場合、シ
ンチレータ材料は独立した透明な固体棒材から成ること
がある。これらの棒材は、シンチレーション光が棒材間
で移動するのを防止するための材料で被覆されているこ
とが好ましい。
し、あるいは検出器素子アレイであってもよい。光検出
器２が検出器素子アレイである場合、シンチレータ材料
はシンチレータ材料中のシンチレーション光放出領域か
らのシンチレーション光を該領域の直下の検出器素子に
直接導くための何らかの手段を含むことが好ましい。た
とえば、図３に示された本発明の実施の態様の場合、シ
ンチレータ材料は独立した透明な固体棒材から成ること
がある。これらの棒材は、シンチレーション光が棒材間
で移動するのを防止するための材料で被覆されているこ
とが好ましい。
【００５１】光検出器の電子信号出力は、最終的には電
子制御装置４に伝達される。図３の実施の態様の場合の
ごとく、電子制御装置への入力に先立って電子信号出力
を演算増幅器（図示せず）で増幅することもできる。電
子制御装置４は、シンチレーション光の検出に対応した
光検出器２からの出力信号を収集する。収集された出力
信号を更に処理することにより、当業界において公知の
ごとくにして検出されたＸ線に対応する画像が作成され
る。
子制御装置４に伝達される。図３の実施の態様の場合の
ごとく、電子制御装置への入力に先立って電子信号出力
を演算増幅器（図示せず）で増幅することもできる。電
子制御装置４は、シンチレーション光の検出に対応した
光検出器２からの出力信号を収集する。収集された出力
信号を更に処理することにより、当業界において公知の
ごとくにして検出されたＸ線に対応する画像が作成され
る。
【００５２】この実施の態様に係わるＸ線検出装置はま
た、シンチレータ材料に向けてＸ線を投射するＸ線源５
をも含んでいる。とは言え、Ｘ線検出装置がＸ線源５を
含むことは必ずしも必要でない。その代りに、Ｘ線源が
Ｘ線検出装置の外部にあってもよいし、あるいはＸ線が
検査すべき物体から放射されていてもよい。たとえば、
天体物理学用途のごときＸ線検出用途においては、Ｘ線
は地球のかなたの天体から放射されることがある。Ｘ線
検出装置がＸ線源５を含む場合には、Ｘ線源に電力を供
給するための電源を含むことがある。
た、シンチレータ材料に向けてＸ線を投射するＸ線源５
をも含んでいる。とは言え、Ｘ線検出装置がＸ線源５を
含むことは必ずしも必要でない。その代りに、Ｘ線源が
Ｘ線検出装置の外部にあってもよいし、あるいはＸ線が
検査すべき物体から放射されていてもよい。たとえば、
天体物理学用途のごときＸ線検出用途においては、Ｘ線
は地球のかなたの天体から放射されることがある。Ｘ線
検出装置がＸ線源５を含む場合には、Ｘ線源に電力を供
給するための電源を含むことがある。
【００５３】Ｘ線検出装置はまた、検査すべき物体を保
持するための区画室６をも含むことがある。区画室６
は、Ｘ線源５とシンチレータ材料１との間に配置されて
いる。区画室６の寸法は個々の用途に依存する。たとえ
ば、手荷物検査用のＸ線検出装置は手荷物を収容するた
めのサイズを有する必要がある一方、医学的撮像用のＸ
線検出装置は人間又は動物を収容するためのサイズを有
する必要がある。
持するための区画室６をも含むことがある。区画室６
は、Ｘ線源５とシンチレータ材料１との間に配置されて
いる。区画室６の寸法は個々の用途に依存する。たとえ
ば、手荷物検査用のＸ線検出装置は手荷物を収容するた
めのサイズを有する必要がある一方、医学的撮像用のＸ
線検出装置は人間又は動物を収容するためのサイズを有
する必要がある。
【００５４】以上、例示及び説明を目的として本発明の
好適な実施の態様を記載した。しかし、それが余す所の
ない説明というわけではなく、また本発明が開示された
形態そのものに限定されるわけではないのであって、上
記の説明に照らせば様々な変更態様が可能であり、ある
いはそれらを本発明の実施から得ることもできる。上記
の実施の態様は本発明の原理及びそれの実際的応用を説
明するために選択されかつ記載されたものであって、そ
れにより当業者が様々な実施の態様に従って本発明を利
用しかつ所望される特定の用途に適合するように様々な
変更を加えることを可能にするように意図されている。
本発明の範囲は、前記特許請求の範囲及びそれの同等物
によって規定されることを理解すべきである。
好適な実施の態様を記載した。しかし、それが余す所の
ない説明というわけではなく、また本発明が開示された
形態そのものに限定されるわけではないのであって、上
記の説明に照らせば様々な変更態様が可能であり、ある
いはそれらを本発明の実施から得ることもできる。上記
の実施の態様は本発明の原理及びそれの実際的応用を説
明するために選択されかつ記載されたものであって、そ
れにより当業者が様々な実施の態様に従って本発明を利
用しかつ所望される特定の用途に適合するように様々な
変更を加えることを可能にするように意図されている。
本発明の範囲は、前記特許請求の範囲及びそれの同等物
によって規定されることを理解すべきである。
【図１】０．５モル％の濃度でプラセオジムを含有する
ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）粉末の
シンチレーション光スペクトル図である。
ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）粉末の
シンチレーション光スペクトル図である。
【図２】様々な濃度のプラセオジムを含有するＧＧＧ粉
末の相対光出力及び残光を示すグラフである。
末の相対光出力及び残光を示すグラフである。
【図３】本発明の実施の一態様に係わる高速応答シンチ
レータ材料を含むＣＴ装置の一部分の模式斜視図であ
る。
レータ材料を含むＣＴ装置の一部分の模式斜視図であ
る。
【図４】本発明の別の実施の態様に係わる高速応答Ｘ線
検出装置の略図である。
検出装置の略図である。
１ シンチレータ ２ 光検出器 ４ 電子制御装置 ５ Ｘ線源 ６ 区画室 １００ コンピュータ断層撮影装置 １１０ 包囲円筒 １１２ ガントリー １１４ Ｘ線源 １１６ シンチレーション検出装置 １１８ セル １３０ ケーブル １５０ 主制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 オロク・マニー・スリバスタバ アメリカ合衆国、ニューヨーク州、ニスカ ユナ、フィロメナ・ロード、1378番
Claims (51)
- 【請求項１】 立方晶ガーネット・ホスト材料と、前記
立方晶ガーネット・ホスト材料中に分布しかつ賦活剤と
して作用するプラセオジムとを含むことを特徴する透明
な固体シンチレータ材料。 - 【請求項２】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料がガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・ス
カンジウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・ス
カンジウム・アルミニウム・ガーネット、ルテチウム・
アルミニウム・ガーネット及びイットリウム・ガリウム
・ガーネットから成る群より選ばれる請求項１記載の透
明な固体シンチレータ材料。 - 【請求項３】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料がガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネットである請求項２記載
の透明な固体シンチレータ材料。 - 【請求項４】 前記プラセオジムがガドリニウムに対し
て０．０１〜５．０モル％の濃度範囲内で前記ガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット中に存在する請求項３記載
の透明な固体シンチレータ材料。 - 【請求項５】 前記プラセオジムがガドリニウムに対し
て０．５〜２．０モル％の濃度範囲内で前記ガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネット中に存在する請求項４記載の
透明な固体シンチレータ材料。 - 【請求項６】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料中に
分布した残光低減元素を更に含む請求項１記載の透明な
固体シンチレータ材料。 - 【請求項７】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料がガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネットであり、かつ前記残
光低減元素がイットリウム、ツリウム、イッテルビウ
ム、サマリウム及びユウロピウムから成る群より選ばれ
る請求項６記載の透明な固体シンチレータ材料。 - 【請求項８】 前記残光低減元素が前記立方晶ガーネッ
ト・ホスト材料中において約１５０モルｐｐｍの濃度を
有する請求項７記載の透明な固体シンチレータ材料。 - 【請求項９】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料中に
分布した放射線損傷低減元素を更に含む請求項１記載の
透明な固体シンチレータ材料。 - 【請求項１０】 前記放射線損傷低減元素がツリウムで
ある請求項９記載の透明な固体シンチレータ材料。 - 【請求項１１】 Ｘ線源と、固体シンチレータ材料と、
前記固体シンチレータ材料に対して光学的に結合されて
シンチレーション光を検出するためのシンチレーション
光検出器とを含むコンピュータ断層撮影装置であって、
前記固体シンチレータ材料が立方晶ガーネット・ホスト
材料と、前記立方晶ガーネット・ホスト材料中に分布し
かつ賦活剤として作用するプラセオジムとを含むことを
特徴とするコンピュータ断層撮影装置。 - 【請求項１２】 前記シンチレーション光検出器が光検
出器セル・アレイから成る請求項１１記載のコンピュー
タ断層撮影装置。 - 【請求項１３】 前記シンチレーション光検出器が少な
くとも１個のホトダイオードから成る請求項１１記載の
コンピュータ断層撮影装置。 - 【請求項１４】 前記少なくとも１個のホトダイオード
がホトダイオード・アレイから成る請求項１３記載のコ
ンピュータ断層撮影装置。 - 【請求項１５】 前記光検出器セル・アレイに結合され
て前記シンチレーション光に応答して前記光検出器セル
から出力される信号を受信するための制御装置を更に含
む請求項１２記載のコンピュータ断層撮影装置。 - 【請求項１６】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料が
ガドリニウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・
スカンジウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・
スカンジウム・アルミニウム・ガーネット、ルテチウム
・アルミニウム・ガーネット及びイットリウム・ガリウ
ム・ガーネットから成る群より選ばれる請求項１１記載
のコンピュータ断層撮影装置。 - 【請求項１７】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料が
ガドリニウム・ガリウム・ガーネットである請求項１６
記載のコンピュータ断層撮影装置。 - 【請求項１８】 前記プラセオジムがガドリニウムに対
して０．０１〜５．０モル％の濃度範囲内で前記ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット中に存在する請求項１７
記載のコンピュータ断層撮影装置。 - 【請求項１９】 前記プラセオジムがガドリニウムに対
して０．５〜２．０モル％の濃度範囲内で前記ガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット中に存在する請求項１８記
載のコンピュータ断層撮影装置。 - 【請求項２０】 前記透明な固体シンチレータ材料が前
記立方晶ガーネット・ホスト材料中に分布した残光低減
元素を更に含む請求項１７記載のコンピュータ断層撮影
装置。 - 【請求項２１】 立方晶ガーネット・ホスト材料と、前
記立方晶ガーネット・ホスト材料中に分布しかつ賦活剤
として作用するプラセオジムとを含む固体シンチレータ
材料、及び前記固体シンチレータ材料に対して光学的に
結合されてシンチレーション光を検出するためのシンチ
レーション光検出器、を含むことを特徴とする高速応答
Ｘ線検出装置。 - 【請求項２２】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料が
ガドリニウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・
スカンジウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・
スカンジウム・アルミニウム・ガーネット、ルテチウム
・アルミニウム・ガーネット及びイットリウム・ガリウ
ム・ガーネットから成る群より選ばれる請求項２１記載
の高速応答Ｘ線検出装置。 - 【請求項２３】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料が
ガドリニウム・ガリウム・ガーネットである請求項２２
記載の高速応答Ｘ線検出装置。 - 【請求項２４】 前記プラセオジムがガドリニウムに対
して０．０１〜５．０モル％の濃度範囲内で前記ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット中に存在する請求項２３
記載の高速応答Ｘ線検出装置。 - 【請求項２５】 前記プラセオジムがガドリニウムに対
して０．５〜２．０モル％の濃度範囲内で前記ガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット中に存在する請求項２４記
載の高速応答Ｘ線検出装置。 - 【請求項２６】 前記固体シンチレータ材料が前記立方
晶ガーネット・ホスト材料中に分布した残光低減元素を
更に含む請求項２３記載の高速応答Ｘ線検出装置。 - 【請求項２７】 前記シンチレーション光検出器がホト
ダイオード及び光電子増倍管の一方から成る請求項２１
記載の高速応答Ｘ線検出装置。 - 【請求項２８】 前記シンチレータ材料が光検出器に対
して物理的に隣接することにより、前記シンチレータ材
料が前記光検出器に対して光学的に結合される請求項２
１記載の高速応答Ｘ線検出装置。 - 【請求項２９】 前記シンチレータ材料から光検出器に
シンチレーション光を伝送する光ファイバの使用によ
り、前記シンチレータ材料が前記光検出器に対して光学
的に結合される請求項２１記載の高速応答Ｘ線検出装
置。 - 【請求項３０】 前記光検出器が検出器素子アレイから
成る請求項２１記載の高速応答Ｘ線検出装置。 - 【請求項３１】 前記シンチレーション光の検出に対応
する前記光検出器からの出力信号を捕集するための制御
電子回路を更に含む請求項２１記載の高速応答Ｘ線検出
装置。 - 【請求項３２】 前記シンチレータ材料に向けてＸ線を
投射するためのＸ線源を更に含む請求項２１記載の高速
応答Ｘ線検出装置。 - 【請求項３３】 前記Ｘ線源と前記シンチレータ材料と
の間に配置された被検物を保持するための区画室を更に
含む請求項３２記載の高速応答Ｘ線検出装置。 - 【請求項３４】 立方晶ガーネット・ホスト材料と、前
記立方晶ガーネット・ホスト材料中に分布しかつ賦活剤
として作用するプラセオジムとから成る蛍光体粉末を調
製する工程と、前記蛍光体粉末を加圧成形して粉末成形
体を形成する工程と、前記粉末成形体を焼結する工程
と、を含むことを特徴とする、多結晶質固体セラミック
・シンチレータ材料の製造方法。 - 【請求項３５】 前記加圧成形工程に先立って前記蛍光
体粉末をボールミル処理する工程を更に含む請求項３４
記載の多結晶質固体セラミック・シンチレータ材料の製
造方法。 - 【請求項３６】 前記焼結工程が約１４００〜約１５２
５℃の温度範囲内及び酸素雰囲気中において１〜３時間
にわたり実施される請求項３４記載の多結晶質固体セラ
ミック・シンチレータ材料の製造方法。 - 【請求項３７】 前記粉末成形体に熱間静水圧圧縮成形
を施す工程を更に含む請求項３４記載の多結晶質固体セ
ラミック・シンチレータ材料の製造方法。 - 【請求項３８】 前記熱間静水圧圧縮成形工程が約１３
５０〜１６００℃の温度範囲内及び５０００〜２５００
０ｐｓｉの圧力範囲内において実施される請求項３７記
載の多結晶質固体セラミック・シンチレータ材料の製造
方法。 - 【請求項３９】 前記熱間静水圧圧縮成形工程がアルゴ
ンガス雰囲気中において実施される請求項３８記載の多
結晶質固体セラミック・シンチレータ材料の製造方法。 - 【請求項４０】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料が
ガドリニウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・
スカンジウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・
スカンジウム・アルミニウム・ガーネット、ルテチウム
・アルミニウム・ガーネット及びイットリウム・ガリウ
ム・ガーネットから成る群より選ばれる請求項３４記載
の多結晶質固体セラミック・シンチレータ材料の製造方
法。 - 【請求項４１】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料が
ガドリニウム・ガリウム・ガーネットである請求項４０
記載の多結晶質固体セラミック・シンチレータ材料の製
造方法。 - 【請求項４２】 前記プラセオジムがガドリニウムに対
して０．０１〜５．０モル％の濃度範囲内で前記ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット中に存在する請求項４１
記載の多結晶質固体セラミック・シンチレータ材料の製
造方法。 - 【請求項４３】 前記プラセオジムがガドリニウムに対
して０．５〜２．０モル％の濃度範囲内で前記ガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット中に存在する請求項４２記
載の多結晶質固体セラミック・シンチレータ材料の製造
方法。 - 【請求項４４】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料中
に残光低減元素が分布している請求項３４記載の多結晶
質固体セラミック・シンチレータ材料の製造方法。 - 【請求項４５】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料が
ガドリニウム・ガリウム・ガーネットであり、かつ前記
残光低減元素がイットリウム、ツリウム、イッテルビウ
ム、サマリウム及びユウロピウムから成る群より選ばれ
る請求項４４記載の多結晶質固体セラミック・シンチレ
ータ材料の製造方法。 - 【請求項４６】 立方晶ガーネット・ホスト材料と、前
記立方晶ガーネット・ホスト材料中に分布しかつ賦活剤
として作用するプラセオジムと、前記立方晶ガーネット
・ホスト材料中に分布した残光低減元素とから成ること
を特徴とする蛍光体粉末。 - 【請求項４７】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料が
ガドリニウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・
スカンジウム・ガリウム・ガーネット、ガドリニウム・
スカンジウム・アルミニウム・ガーネット、ルテチウム
・アルミニウム・ガーネット及びイットリウム・ガリウ
ム・ガーネットから成る群より選ばれる請求項４６記載
の蛍光体粉末。 - 【請求項４８】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料が
ガドリニウム・ガリウム・ガーネットである請求項４７
記載の蛍光体粉末。 - 【請求項４９】 前記プラセオジムがガドリニウムに対
して０．０１〜５．０モル％の濃度範囲内で前記ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット中に存在する請求項４８
記載の透明な蛍光体粉末。 - 【請求項５０】 前記プラセオジムがガドリニウムに対
して０．５〜２．０モル％の濃度範囲内で前記ガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット中に存在する請求項４９記
載の蛍光体粉末。 - 【請求項５１】 前記立方晶ガーネット・ホスト材料が
ガドリニウム・ガリウム・ガーネットであり、かつ前記
残光低減元素がイットリウム、ツリウム、イッテルビウ
ム、サマリウム及びユウロピウムから成る群より選ばれ
る請求項４６記載の蛍光体粉末。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/306025 | 1999-05-06 | ||
| US09/306,025 US6246744B1 (en) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | Cubic garnet host with PR activator as a scintillator material |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001072968A true JP2001072968A (ja) | 2001-03-21 |
| JP2001072968A5 JP2001072968A5 (ja) | 2007-06-14 |
| JP4705709B2 JP4705709B2 (ja) | 2011-06-22 |
Family
ID=23183413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000133934A Expired - Fee Related JP4705709B2 (ja) | 1999-05-06 | 2000-05-02 | 透明な固体シンチレータ材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6246744B1 (ja) |
| JP (1) | JP4705709B2 (ja) |
| DE (1) | DE10022018A1 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005536736A (ja) * | 2002-08-22 | 2005-12-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 画像及び／又は投影図を生成する装置 |
| JP2006016251A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Hokushin Ind Inc | 放射線検出用Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２結晶材料の製造方法 |
| JP2007186399A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | Ｐｒドープ無機化合物及びこれを含む発光性組成物と発光体、発光装置、固体レーザ装置、電離放射線検出装置 |
| JP2008231334A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Tohoku Univ | シンチレータ用単結晶の製造方法およびシンチレータ用単結晶 |
| JP2009541520A (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 少なくとも一つのセラミック球状色変換材料を有する光放出デバイス |
| WO2011033882A1 (ja) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 三井金属鉱業株式会社 | シンチレータ用蛍光体 |
| JP2012046642A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Furukawa Co Ltd | シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 |
| JP2017105993A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-15 | シーメンス メディカル ソリューションズ ユーエスエー インコーポレイテッドＳｉｅｍｅｎｓ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ＵＳＡ，Ｉｎｃ． | ガドリニウム−ガリウム ガーネット シンチレータにおけるガリウム含有量を制御する方法 |
| US9834858B2 (en) | 2004-11-08 | 2017-12-05 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Pr-containing scintillator single crystal, method of manufacturing the same, radiation detector, and inspection apparatus |
| US10961452B2 (en) | 2015-12-01 | 2021-03-30 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6490081B1 (en) | 2000-07-28 | 2002-12-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method of amplifying optical signals using doped materials with extremely broad bandwidths |
| JP4683719B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2011-05-18 | 株式会社日立メディコ | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
| US7008558B2 (en) * | 2001-10-11 | 2006-03-07 | General Electric Company | Terbium or lutetium containing scintillator compositions having increased resistance to radiation damage |
| US6630077B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-10-07 | General Electric Company | Terbium- or lutetium - containing garnet phosphors and scintillators for detection of high-energy radiation |
| US6661867B2 (en) * | 2001-10-19 | 2003-12-09 | Control Screening, Llc | Tomographic scanning X-ray inspection system using transmitted and compton scattered radiation |
| JP2003277191A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Japan Science & Technology Corp | Ｙｂ混晶酸化物単結晶からなるシンチレータ用発光材料 |
| DE10308351A1 (de) * | 2003-02-27 | 2004-11-25 | Aventis Pharma Deutschland Gmbh | 1,3-substituierte Cycloalkylderivate mit sauren, meist heterocyclischen Gruppen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung als Arzneimittel |
| US7088038B2 (en) * | 2003-07-02 | 2006-08-08 | Gelcore Llc | Green phosphor for general illumination applications |
| US7019284B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-03-28 | General Electric Company | Ultraviolet emitting scintillators for oil detection |
| US7279120B2 (en) | 2003-09-04 | 2007-10-09 | Intematix Corporation | Doped cadmium tungstate scintillator with improved radiation hardness |
| US7576329B2 (en) * | 2003-10-17 | 2009-08-18 | General Electric Company | Scintillator compositions, and related processes and articles of manufacture |
| US7180068B1 (en) * | 2004-06-09 | 2007-02-20 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Scintillation materials with reduced afterglow and method of preparation |
| JP2006015050A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Ｘ線ｃｔ装置 |
| US20070114562A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Gelcore, Llc | Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications |
| US7497973B2 (en) * | 2005-02-02 | 2009-03-03 | Lumination Llc | Red line emitting phosphor materials for use in LED applications |
| US7358542B2 (en) * | 2005-02-02 | 2008-04-15 | Lumination Llc | Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications |
| US7648649B2 (en) * | 2005-02-02 | 2010-01-19 | Lumination Llc | Red line emitting phosphors for use in led applications |
| JP5490407B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2014-05-14 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 多結晶セラミック構造の蛍光体、及び前記蛍光体を有する発光素子 |
| US7274045B2 (en) * | 2005-03-17 | 2007-09-25 | Lumination Llc | Borate phosphor materials for use in lighting applications |
| DE102005018329B4 (de) * | 2005-04-20 | 2008-10-30 | Siemens Ag | Detektormodul für Röntgen- oder Gammastrahlung auf Basis von Wellenleitern |
| US7560046B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-07-14 | General Electric Company | Scintillator material and radiation detectors containing same |
| US20100243918A1 (en) * | 2006-06-02 | 2010-09-30 | The Regents Of The University Of California | Garnet UV phosphor and scintillator materials preparation and use in radiation detection |
| US20110150735A1 (en) * | 2006-11-01 | 2011-06-23 | Lawrence Livermore National Security, Llc. | Fabrication of Transparent Ceramics Using Nanoparticles Synthesized Via Flame Spray Pyrolysis |
| US7959827B2 (en) * | 2007-12-12 | 2011-06-14 | General Electric Company | Persistent phosphor |
| US8333907B2 (en) * | 2007-01-17 | 2012-12-18 | Utc Fire & Security Corporation | Articles using persistent phosphors |
| US7708968B2 (en) | 2007-03-26 | 2010-05-04 | General Electric Company | Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same |
| US7625502B2 (en) * | 2007-03-26 | 2009-12-01 | General Electric Company | Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same |
| US7608829B2 (en) * | 2007-03-26 | 2009-10-27 | General Electric Company | Polymeric composite scintillators and method for making same |
| US7847309B2 (en) * | 2007-07-16 | 2010-12-07 | GE Lighting Solutions, LLC | Red line emitting complex fluoride phosphors activated with Mn4+ |
| US8545723B2 (en) * | 2007-12-12 | 2013-10-01 | General Electric Company | Persistent phosphor |
| WO2010078224A2 (en) | 2008-12-30 | 2010-07-08 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Ceramic scintillator body and scintillation device |
| WO2010078220A2 (en) | 2008-12-30 | 2010-07-08 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Scintillation device and method of producing a ceramic scintillator body |
| US9183962B2 (en) | 2008-12-30 | 2015-11-10 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Ceramic scintillator body and scintillation device |
| WO2010078223A2 (en) | 2008-12-30 | 2010-07-08 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Ceramic scintillator body and scintillation device |
| US8187089B2 (en) * | 2009-03-03 | 2012-05-29 | Wms Gaming Inc. | Wagering game providing player options for time-based special event |
| US8431885B2 (en) | 2010-05-19 | 2013-04-30 | Schlumberger Technology Corporation | Gamma-ray detectors for downhole applications |
| CZ2015711A3 (cs) * | 2015-10-09 | 2016-10-19 | Crytur Spol S R O | Způsob zkrácení scintilační odezvy zářivých center scintilátoru a materiál scintilátoru se zkrácenou scintilační odezvou |
| US11994646B2 (en) * | 2021-03-12 | 2024-05-28 | Baker Hughes Oilfield Operations Llc | Garnet scintillator compositions for downhole oil and gas explorations |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04288393A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-10-13 | General Electric Co <Ge> | 正孔トラップを補償したシンチレータ材料 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL181063C (nl) * | 1976-05-13 | 1987-06-01 | Philips Nv | Luminescerend scherm; lagedrukkwikdampontladingslamp; werkwijze voor de bereiding van een luminescerend materiaal. |
| US5391876A (en) * | 1990-06-29 | 1995-02-21 | General Electric Company | Hole-trap-compensated scintillator material and computed tomography machine containing the same |
| CA2042263A1 (en) * | 1990-06-29 | 1991-12-30 | Charles D. Greskovich | Transparent polycrystalline garnets |
| US5100598A (en) * | 1991-02-19 | 1992-03-31 | General Electric Company | Method of forming yttria-gadolinia ceramic scintillator from ammonium dispersed oxalate precipitates |
| US5116560A (en) * | 1991-03-22 | 1992-05-26 | General Electric Company | Method of forming rare earth oxide ceramic scintillator with ammonium dispersion of oxalate precipitates |
| US5057642A (en) * | 1991-04-18 | 1991-10-15 | Phillips Petroleum Company | Removal of basic impurities from olefin streams |
-
1999
- 1999-05-06 US US09/306,025 patent/US6246744B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-02 JP JP2000133934A patent/JP4705709B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-05 DE DE10022018A patent/DE10022018A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-04-06 US US09/827,128 patent/US6358441B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04288393A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-10-13 | General Electric Co <Ge> | 正孔トラップを補償したシンチレータ材料 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005536736A (ja) * | 2002-08-22 | 2005-12-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 画像及び／又は投影図を生成する装置 |
| JP2006016251A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Hokushin Ind Inc | 放射線検出用Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２結晶材料の製造方法 |
| JP4702767B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2011-06-15 | シンジーテック株式会社 | 放射線検出用Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２結晶材料の製造方法及び放射線検出用（ＺｘＬｕ１−ｘ）３Ａｌ５Ｏ１２結晶材料の製造方法 |
| US9834858B2 (en) | 2004-11-08 | 2017-12-05 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Pr-containing scintillator single crystal, method of manufacturing the same, radiation detector, and inspection apparatus |
| JP2007186399A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | Ｐｒドープ無機化合物及びこれを含む発光性組成物と発光体、発光装置、固体レーザ装置、電離放射線検出装置 |
| US7785490B2 (en) | 2005-12-15 | 2010-08-31 | Fujifilm Corporation | Pr-doped inorganic compound, luminescent composition and luminescent body containing the same, and light emitting device |
| JP2009541520A (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 少なくとも一つのセラミック球状色変換材料を有する光放出デバイス |
| JP2008231334A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Tohoku Univ | シンチレータ用単結晶の製造方法およびシンチレータ用単結晶 |
| WO2011033882A1 (ja) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 三井金属鉱業株式会社 | シンチレータ用蛍光体 |
| US8323530B2 (en) | 2009-09-18 | 2012-12-04 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Phosphor for scintillator |
| JP2012046642A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Furukawa Co Ltd | シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 |
| JP2017105993A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-15 | シーメンス メディカル ソリューションズ ユーエスエー インコーポレイテッドＳｉｅｍｅｎｓ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ＵＳＡ，Ｉｎｃ． | ガドリニウム−ガリウム ガーネット シンチレータにおけるガリウム含有量を制御する方法 |
| US10197685B2 (en) | 2015-12-01 | 2019-02-05 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators |
| JP2020007554A (ja) * | 2015-12-01 | 2020-01-16 | シーメンス メディカル ソリューションズ ユーエスエー インコーポレイテッドＳｉｅｍｅｎｓ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ＵＳＡ，Ｉｎｃ． | ガドリニウム−ガリウムを含有してなるガーネット結晶シンチレータを製造する方法 |
| US10961452B2 (en) | 2015-12-01 | 2021-03-30 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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