JP2001071487A

JP2001071487A - インクジェットヘッド液室構造及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001071487A
Application number: JP24713499A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Kato; 静一加藤
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1999-09-01
Filing date: 1999-09-01
Publication date: 2001-03-21

Abstract

(57)【要約】【課題】流路を液室基板の振動板を駆動するアクチュ
エータ基板側に形成し、振動板，加圧液室，流路溝が１
枚の液室基板で一体になった構造を容易に製作できるイ
ンクジェットヘッド液室構造を提供する。【解決手段】面方位（１１０）の単結晶Ｓｉ基板２０
から成り、該Ｓｉ基板２０の第１面に液室２３が形成さ
れ、第２面に振動板２２及び流体抵抗となる溝２４およ
び貫通孔が形成されている。なお、１０はアクチュエー
タで、個別電極３と振動板２２の間に印加される電圧
で、振動板２２が変位され、その復元力で、液室２３内
インクが加圧され、ノズル３１よりインク滴が吐出され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェットヘ
ッドの液室構造，その製造方法，その液室構造を用いた
インクジェットヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】オンデマンド式インクジェットヘッドは
印字のカラー化の需要により、広く使用されているが、
更なる高画質化や高速印字化のため、ノズル数，ノズル
密度の増加が求められている。

【０００３】Ｓｉは硬い上に加工が一般的マイクロマシ
ニングプロセスで行えるため、高ノズル密度液室の材料
として用いられている。また、流路の形成は結晶面のエ
ッチング量の差を利用した異方性エッチングを使用して
いる。特開平７−２７６６２６号公報では、（１１０）
面方位ウエハを使用し（１１０）面に平行なパターンと
して（１１１）面で形成されるＶ字断面の溝を流路とし
て用いている。また、特開平７−１６６３７４号公報で
は、（１１０）面をエッチングし（１１１）面に平行な
スリットを流路としている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】振動板と加圧液室の隔
壁が一体構造の液室は、単結晶Ｓｉウエハ１枚で制作で
きるため低コストな方法であるが、流路を一体で作りに
くい問題がある。また、特開平７−２７６６２６号公報
に記載のように、（１１０）面方位のＳｉ基板を異方性
エッチングして形成し、かつ流体抵抗体である流路をＳ
ｉ液室のノズル側である上面に形成した場合、流路用溝
を形成後、加圧液室の異方性エッチングを行うことにな
る。しかし、流路溝を浸食せずに加圧液室をエッチング
することは容易でない。また、特開平７−１６６３７４
号公報に記載のスリット状流路では、ノズル密度が高密
度になり、小さい液滴を高速に噴射するようなヘッドで
は非常に狭いスリットを加工せざるをえず、加工のバラ
ツキを招くことになる。

【０００５】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなさ
れたもので、流路を振動板を駆動するアクチュエータ基
板側に形成し、振動板，加圧液室，流路溝が１枚の基板
で一体になった構造を容易に製作できるインクジェット
ヘッド液室構造を提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、面方
位（１１０）の単結晶Ｓｉ基板から成り、該Ｓｉ基板の
第１面に液室が形成され、第２面に振動板及び流体抵抗
となる溝および貫通孔が形成されていることを特徴とす
るインクジェットヘッドの液室構造である。

【０００７】請求項２の発明は、面方位（１００）の単
結晶Ｓｉ基板から成り、該Ｓｉ基板の第１面に液室が形
成され、第２面に振動板及び流体抵抗となる溝および貫
通孔が形成されていることを特徴としたものである。

【０００８】請求項３の発明は、請求項１又は請求項２
の発明において、前記振動板が高濃度のＢを含む単結晶
Ｓｉからなることを特徴としたものである。

【０００９】請求項４の発明は、請求項１又は請求項２
の発明において、前記振動板がＳＯＩによる単結晶Ｓｉ
からなることを特徴としたものである。

【００１０】請求項５の発明は、請求項１又は請求項２
の発明において、前記液室は共通液室と加圧液室とから
成り、該共通液室と加圧液室が同一面にあることを特徴
としたものである。

【００１１】請求項６の発明は、請求項１又は請求項２
の発明において、前記流体抵抗となる溝が共通液室の一
部になっていることを特徴としたものである。

【００１２】請求項７の発明は、請求項１又は請求項２
の発明において、前記流体抵抗である溝がアクチュエー
タが形成されている基板を貫通するインク供給路と連通
していることを特徴したものである。

【００１３】請求項８の発明は、請求項１又は請求項２
の発明において、２つの（１１１）面で構成されたＶ字
断面の溝を前記流体抵抗の流路にもつことを特徴とした
ものである。

【００１４】請求項９の発明は、単結晶Ｓｉ基板の第２
面にＳｉ窒化膜を成膜し、流体抵抗用の溝になる部分を
該基板上にエッチングで形成し、該窒化膜による選択酸
化で酸化膜を前記溝部分に形成し、該単結晶Ｓｉの第１
面から異方性エッチングで液室を形成することを特徴と
するインクジェットヘッド液室構造の製造方法である。

【００１５】請求項１０の発明は、請求項９の発明にお
いて、前記選択酸化の膜厚を０.３μｍ以上とすること
を特徴としたものである。

【００１６】請求項１１の発明は、請求項１又は請求項
２の発明において、前記単結晶Ｓｉ基板が、アクチュエ
ータ基板と直接接合で接合されていることを特徴とする
インクジェットヘッドである。

【００１７】請求項１２の発明は、請求項１又は請求項
２の発明において、前記単結晶Ｓｉ基板が、アクチュエ
ータ基板と陽極接合で接合することを特徴とするインク
ジェットヘッドである。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１は、本発明によるインクジェ
ットヘッドの構成例を説明するための要部断面図（図２
のＩ−Ｉ線断面図）、図２は、図１に示したインクジェ
ットを裏面から見た図で、アクチュエータ基板を一部切
断して液室基板が見えるようになっている。なお、本発
明は、静電型以外のインクジェットヘッドにも使用可能
であるが、以下、実施例として、静電型のインクジェッ
トヘッドを例として説明する。

【００１９】図１において、１０はアクチュエータ基
板、２０は液室基板、３０はノズルプレートで、アクチ
ュエータ基板１０は、単結晶のＳｉ基板１、該Ｓｉ基板
１上に形成された熱酸化膜２、個別電極３、個別電極３
上に形成されたパッシベーション膜４、該パッシベーシ
ョン膜４が除去されて個別電極３が露出されている電極
パッド部５、裏面インク供給口部６及び６ａ等から成
り、液室基板２０は、液室用基板２１、振動板２２、イ
ンク液室（加圧液室）２３，流体抵抗流路２４等から成
り、ノズルプレート３０は、インク加圧液室２３に連通
したノズル３１を有し、周知のように、個別電極３と振
動板２２との間に電圧を印加し、その静電力で振動板２
２を変位し、次いで静電気を開放し、振動板２２の弾性
復元力でインク加圧液室２３内のインクを加圧し、ノズ
ル３１よりインクを吐出するもので、ここでは、このよ
うな動作をする静電型のインクジェットヘッドを例に説
明する。なお、インクの容器を液室と呼び、特に、イン
クを加圧する容器を加圧液室、インクを供給する部分を
共通液室、加圧液室と共通液室を連結する部分を流体抵
抗流路と呼ぶことにする。

【００２０】図１において、一番下の層１０をヘッド基
板またはアクチュエータ基板と呼び、液室を構成するＳ
ｉ基板を液室基板２０と呼ぶ。なお、簡単のためインク
を液と表現する場合がある。前述のように、振動板２２
を静電力で変位し、静電気開放後の振動板２２の復元力
で加圧液室２３内のインクを加圧し、ノズル３１より液
を吐出させる。流路２４は加圧液室２３内のインクを加
圧する際に流体抵抗体となって共通液室への逆流を低減
する。また、加圧液室２３への液の供給は共通液室から
流路２４をへて行われる。

【００２１】（実施例１）図３及び図４は、本発明によ
るインクジェットヘッド液室構造の製造方法の一例を説
明するための工程図で、以下には、アクチュエータ基板
１０にも単結晶Ｓｉを用いた場合について説明するが、
該アクチュエータ基板１０は硼珪酸ガラス基板でも可能
である。

【００２２】アクチュエータ基板の製作：Ａ）：半導体工業で一般的な面方位（１００）の単結晶
Ｓｉ基板１を１.２μｍ熱酸化２しアクチュエータ部基
板とする（図３（Ａ））。

【００２３】Ｂ）：ＣＨＦ₃，Ｈ_２，Ｈｅの混合ガスで
ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）を０.８
５μｍ行い、ギャップＧ部を形成する（図３（Ｂ））。

【００２４】Ｃ）：高融点金属やその化合物例えばＴｉ
Ｎ薄膜をスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィで個
別対向電極３を形成する。その上にパッシベーション膜
４として例えばＳｉＯ₂膜をＣＶＤ法で成膜する。この
ようにして、アクチュエータ基板１０を製作した（図３
（Ｃ））。

【００２５】振動板および液室用基板の製作：Ｄ）：面方位（１１０）または（１００）の液室基板２
１に高濃度Ｂを固相熱拡散法で形成２１ａし、２０ｎｍ
熱酸化２１ｂし、ＣＶＤ法でＳｉＨ₄とＮＨ₃の混合ガス
からＳｉＮ膜２１ｃを１５０ｎｍ成膜する（図３
（Ｄ））。

【００２６】Ｅ）：フォトリソグラフィで有機レジスト
を用い流路部分の寸法に対応したパターンを形成する。
ＣＨＦ₃，Ｈ_２，Ｈｅの混合ガスによりＲＩＥ（リアク
ティブ・イオン・エッチング）でＳｉＮ膜２１ｃとＳｉ
Ｏ₂膜２１ｂを除去し、ＳＦ₆，Ｏ₂の混合ガスでＳｉ基
板をエッチング２１ｄする（図３（Ｅ））。このエッチ
ング量は流路の高さに対応する深さにする。このとき、
図５に示すように（１１０）Ｓｉ基板で（１１０）方向
に平行なパターンを用い、ＫＯＨやＴＭＡＨ（テトラ・
メチル・アンモニューム・ハイドライド）を使用してエ
ッチングすると、断面がＶ字の（１１１）面で形成され
た流路２４を形成できる。

【００２７】Ｆ）：例えば、１０５０℃で６時間熱酸化
して０.３から１μｍの熱酸化膜２１ｅを形成する（図
３（Ｆ））。Ｇ）：熱リン酸を用いＳｉＮ膜２１ｃ，ＳｉＯ₂２１ｂ
を除去する（図３（Ｇ））。

【００２８】Ｈ）：アクチュエータ基板１０と液室基板
２０の流路用溝側を直接接合する。例えば、Ｎ_２ガス雰
囲気で１０００℃の熱処理を行う（図４（Ｈ））。な
お、液室の必要な高さに応じて研磨することも可能であ
る。

【００２９】Ｉ）：熱酸化して２５ｎｍの酸化膜４１を
形成し、ＣＶＤ法でＳｉＨ₄とＮＨ₃の混合ガスからＳｉ
Ｎ膜４２を１５０ｎｍ成膜する。フォトリソグラフィで
加圧液室やパッドのパターンを液室基板２０側に、ま
た、アクチュエータ基板１０の裏側に裏面給液口に対応
した有機レジストパターンを形成する。ＣＨＦ₃，Ｈ₂，
Ｈｅの混合ガスによりＲＩＥしてＳｉＮを開口し、レジ
スト除去してＳｉＮマスクをパターニングする（図４
（Ｉ））。

【００３０】Ｊ）：ＫＯＨやＴＭＡＨ（テトラ・メチル
・アンモニューム・ハイドライド）を用い異方性エッチ
ングを行う。液室側では高濃度Ｂ層２１ａと前記（Ｆ）
で酸化した酸化膜２１ｅでエッチング速度が非常に遅く
なり、選択的にこれらの層を残すことができる（図４
（Ｊ））。また、アクチュエータ基板１０の裏面からの
エッチングでは、熱酸化膜２でエッチングの終点とする
ことができる。熱リン酸でＳｉＮ膜４２を除去する。

【００３１】ＳｉＮ（Ｓｉ窒化膜）２１ｃを用いて選択
酸化することで振動板２２になる部分２１ａはＳｉＮ２
１ｃで覆われており酸化されず板厚が目減りしない。Ｓ
ｉＮ膜２１ｃを用いずに全面酸化すると、後に、直接結
合するために接合面の酸化膜を取り去る時に、溝に形成
した酸化膜２１ｅを選択的に残すことは容易でない。

【００３２】液室基板の流路部になる溝に酸化膜２１ｅ
を形成し、反対の面から異方性エッチングを行うと、酸
化膜のエッチング速度はＳｉに比べ遙かに遅いので、酸
化膜２１ｅを図４（Ｊ）に示したのように残すことがで
きる。しかし、この酸化膜２１ｅをＣＶＤ法などで成膜
した場合には段差のカバレッジが悪いため垂直部分が薄
く、エッチング液漏れを生じる。そこで熱酸化膜を形成
すれば酸化膜はどの面でも均一に酸化されるため角や垂
直面でも充分な酸化膜厚がえられる（＝コンフォーマル
な酸化膜が得られる）。ところが、液室基板全面を酸化
すると直接接合する部分の酸化膜は取り除く必要がある
ので、そのときに溝の酸化膜をフォトレジストなどで保
護してエッチングすることなどはフォトレジストを溝に
均一に塗布することが困難なため容易でない。ＳｉＮ
（Ｓｉ窒化膜）を用い溝部分だけが露出する状態で酸化
することで溝部分のみ選択的に酸化できる。その後Ｓｉ
Ｎ膜を熱リン酸で除去する。このようにして、溝部分に
のみ酸化膜を均一な膜厚で形成できる（請求項９）。

【００３３】酸化膜２１ｅが０.２μｍでは角Ａが薄
く、薄い部分から酸化膜が破れエッチング液が漏れる。
そこで０.３μｍ以上の酸化膜を規定することでエッチ
ング液に耐えることができる（請求項１０）。

【００３４】Ｋ）：流路を覆っていた酸化膜２１ｅと裏
面給液口内の酸化膜２をＣＨＦ₃によるドライエッチン
グとバッファフッ酸のエッチング処理により除く。すな
わち、アクチュエータ基板裏面の給液口から該基板表の
酸化膜をＣＨＦ₃により０.９μｍドライエッチングす
る。次に該酸化膜の残りの０.３μｍをバッファフッ酸
でエッチング貫通しかつ接合されている液室基板の流路
内の酸化膜２１ｅもエッチングし、加圧液室に貫通する
（図４（ｋ））。

【００３５】Ｌ）：パッド上の単結晶ＳｉをＳＦ₆とＯ₂
の混合ガスでエッチングして除去し、さらに、個別対向
電極３上のパッシベーション膜４である酸化膜をＣＨＦ
₃系ガスでエッチングして電極を露出する。ステンレス
のノズルプレート３０をポリイミド系接着剤などで接着
する（図４（Ｌ））。

【００３６】（実施例２）図６は、アクチュエータ１０
側基板にガラス基板を用い、液室側基板２０の振動板に
ＳＯＩ活性層を使用し、共通液室と加圧液室が液室基板
の同一面にある場合の構造例を示す（図７のVI−VI線断
面図）。図７はアクチュエータ１０の基板裏から見た図
であり、アクチュエータ基板１０を一部切断して液室基
板２０が見えるようになっている。

【００３７】異方性エッチングを用いると振動板の長辺
方向にテーパ形状が生じ、加圧液室２３と共通液室２５
を連通する流路用溝２４が長くなる場合がある、この場
合は、共通液室２５側に近い溝の一部を広げ２５ａ、図
７に示すように、基板１０裏からの平面図のように、共
通液室部２５に含めてしまうことで、流路の長さを短く
し、流体抵抗値が必要以上に大きくならないようにする
ことが可能である。それでも流体抵抗値が高い場合は、
必要に応じ、アクチュエータ基板側１０にも共通液室の
一部となる溝を形成することも可能である。なお、５０
は給液路基板、６は液供給口である。

【００３８】図８，図９は、請求項４，５，６，１２の
実施例を説明するための工程図で、以下、順を追って説
明する。

【００３９】アクチュエータ基板の製作：Ａ）：線膨張係数が単結晶Ｓｉに近い硼珪酸ガラスの基
板１′にＣｒ膜を蒸着し、フォトリソグラフィにより有
機レジストをパターンニングして、硝酸セリウム系のエ
ッチング液でエッチングし、ガラス基板１′上にＣｒマ
スクを製作する。バッファフッ酸でエッチングし、深さ
１.０μｍのギャップ用溝Ｇを形成し、Ｃｒ膜をエッチ
ング液で除去する（図８（Ａ））。

【００４０】Ｂ）：ギャップ用溝Ｇ内にＮｉ薄膜３をス
パッタ法で成膜し、パッシベーション膜４として、例え
ば、ＳｉＯ₂膜をＣＶＤ法で成膜する。フォトリソグラ
フィでパターンニングし、個別対向電極を形成する。こ
のようにして、硼珪酸ガラス基板１′によるアクチュエ
ータ基板１０を製作した（図８（Ｂ））。

【００４１】振動板および液室用基板の製作：Ｃ）：液室用基板として、例えば、活性層厚み４μｍの
ＳＯＩ基板２１を使用し、２０ｎｍ熱酸化２１ｂし、Ｃ
ＶＤ法でＳｉＨ₄とＮＨ₃の混合ガスからＳｉＮ膜２１ｃ
を成膜する（図８（Ｃ））。

【００４２】Ｄ）：フォトリソグラフィで有機レジスト
を用い流路部分の寸法に対応したパターンを形成する。
ＣＨＦ₃，Ｈ₂，Ｈｅの混合ガスによりＲＩＥ（リアクテ
ィブ・イオン・エッチング）でＳｉＮ膜２１ｃとＳｉＯ
₂膜２１ｂを除去し、ＳＦ₆，Ｏ ₂の混合ガスでＳｉ基板
をエッチング２１ｄする。このエッチング量は流路の高
さに対応する深さにする。このようにして流路２４に対
応する溝を形成する（図８（Ｄ））。

【００４３】Ｅ）：例えば、１０５０℃で６時間熱酸化
して０.５から１μｍの膜厚の熱酸化膜２１ｅを形成す
る（図８（Ｅ））。

【００４４】Ｆ）：ＣＨＦ₃とＨｅの混合ガスで溝側の
面のＳｉＮ膜２１ｃと熱酸化膜２１ｂを除去する（図８
（Ｆ））。

【００４５】Ｇ）：アクチュエータ基板１０と液室基板
２０のＳＯＩ活性層側をマイクロマシン技術で一般的な
陽極接合法で接合する。陽極はＳＯＩの活性層に接する
ように接続する（図９（Ｇ））。

【００４６】Ｈ）：ＳｉＮ膜４２にフォトリソグラフィ
で加圧液室，共通液室，パッドのパターンを形成し、Ｃ
ＨＦ₃，Ｈ₂，Ｈｅの混合ガスによりＲＩＥしてＳｉＮを
開口し、レジスト除去して、ＳｉＮマスクをパターニン
グする。ＫＯＨやＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニ
ューム・ハイドライド）を用い異方性エッチングを行
う。液室基板２０側では高濃度Ｂ層２０′と前記（Ｅ）
で酸化した酸化膜２１ｅでエッチング速度が非常に遅く
なり、これらの層を選択的に残すことができる。熱リン
酸でＳｉＮ膜を除去する（図９（Ｈ））。

【００４７】Ｉ）：流路溝を覆っていた酸化膜２１ｅを
ＣＨＦ₃のドライエッチングやバッファフッ酸で除去し
貫通する。パッド上の単結晶ＳｉをＳＦ₆とＯ₂の混合ガ
スでエッチングして除去し、さらに、個別対向電極上の
パッシベーション膜４である酸化膜をＣＨＦ₃系ガスで
エッチングして電極を露出する（図９（Ｉ））。

【００４８】Ｊ）：ステンレスのノズルプレート３０や
給液路基板５０をエポキシ系接着剤などで接着し積層す
る（図９（Ｊ））。

【００４９】

【発明の効果】請求項１に対応する効果単結晶Ｓｉの（１１０）配向ウエハーを用い第１面に液
室を形成し、第２面に振動板を形成しかつ流体抵抗とな
る溝および貫通孔が形成されることで容易に流路が形成
できる。

【００５０】請求項２に対応する効果単結晶Ｓｉの（１００）配向ウエハーを用い第１面に液
室を形成し、第２面に振動板を形成しかつ流体抵抗とな
る溝および貫通孔が形成されることで容易に流路が形成
できる。

【００５１】請求項３に対応する効果振動板と加圧液室の底板を兼ねる部材の厚みを高濃度Ｂ
層で限定でき、流路の開口部と良好に接続できる。

【００５２】請求項４に対応する効果振動板と加圧液室の底板を兼ねる部材の厚みをＳＯＩ活
性層で限定でき、流路の開口部と良好に接続できる。

【００５３】請求項５に対応する効果加圧液室と共通液室の各連通口が同一平面上にあり、流
路の形成が容易になる。

【００５４】請求項６に対応する効果異方性エッチングにより生じるテーパ形状により加圧液
室と共通液室の間の距離が長くなっても流体抵抗流路を
短く形成でき、流体抵抗値が適切な範囲になるように低
減できる。

【００５５】請求項７に対応する効果基板を貫通して流路に液供給することで基板上での共通
液室を省くかまたはその大きさを低減できる。

【００５６】請求項８に対応する効果２つの１１１面で構成されたＶ字断面の溝を流路を液室
基板の裏側に形成することで、異方性エッチングで流路
が浸食されない。

【００５７】請求項９に対応する効果ＳｉＮ膜による選択酸化を用いて溝を形成することで振
動板が酸化で膜減りしない。振動板裏面の酸化膜を除去
するとき溝内の酸化膜をエッチングしてしまうことがな
い。

【００５８】請求項１０に対応する効果酸化膜厚を０.３μｍ以上にすることで異方性エッチン
グで、酸化膜が破損しエッチング液が溝内に侵入しな
い。

【００５９】請求項１１，１２に対応する効果直接接合することで接合の信頼性がよくなり、流路と基
板の接続面での液漏れがない。

【００６０】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるインクジェットヘッドの構成例
を説明するための要部断面図（図２のＩ−Ｉ線断面図）
である。

【図２】図１に示したインクジェットをアクチュエー
タ基板裏面からアクチュエータ基板の一部を切断して見
た図である。

【図３】本発明によるインクジェットヘッド液室構造
の製造方法の一例を説明するための工程図である。

【図４】本発明によるインクジェットヘッド液室構造
の製造方法の一例を説明するための図３に示した工程に
続く工程図である。

【図５】（１１０）方向に平行なパターンを用いて断
面がＶ字の流路を形成した場合の例を示す図である。

【図６】アクチュエータ基板にガラス基板を用い液室
側基板の振動板にＳＯＩ活性層を使用し、共通液室と加
圧液室が液室基板の同一面にある場合の構造例を示す図
である。

【図７】アクチュエータ基板の裏面から該アクチュエ
ータ基板の一部を切断して見た図である。

【図８】本発明によるインクジェット液室構造の他の
製造方法を説明するための工程図である。

【図９】図８に示した工程に続く工程図である。

【符号の説明】

１…Ｓｉ基板、１′…ガラス基板、２…熱酸化膜、３…
個別電極、４…パッシベーション膜、５…電極パッド
部、６，６ａ…インク供給口部、１０…アクチュエータ
基板、２０…液室基板、２１…液室用基板、２２…振動
板、２３…インク液室（加圧液室）、２４…液体抵抗流
路、２５…共通液室、３０…ノズルプレート、３１…ノ
ズル、５０…給液路基板。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】面方位（１１０）の単結晶Ｓｉ基板から
成り、該Ｓｉ基板の第１面に液室が形成され、第２面に
振動板及び流体抵抗となる溝および貫通孔が形成されて
いることを特徴とするインクジェットヘッド液室構造。
【請求項２】面方位（１００）の単結晶Ｓｉ基板から
成り、該Ｓｉ基板の第１面に液室が形成され、第２面に
振動板及び流体抵抗となる溝および貫通孔が形成されて
いることを特徴とするインクジェットヘッド液室構造。
【請求項３】請求項１又は請求項２において、前記振
動板が高濃度のＢを含む単結晶Ｓｉからなることを特徴
とするインクジェットヘッド液室構造。
【請求項４】請求項１又は請求項２において、前記振
動板がＳＯＩによる単結晶Ｓｉからなることを特徴とす
るインクジェットヘッド液室構造。
【請求項５】請求項１又は請求項２において、前記液
室は共通液室と加圧液室とから成り、該共通液室と加圧
液室が同一面にあることを特徴とするインクジェットヘ
ッド液室構造。
【請求項６】請求項１又は請求項２において、前記流
体抵抗となる溝が共通液室の一部になっていることを特
徴とするインクジェットヘッド液室構造。
【請求項７】請求項１又は請求項２において、前記流
体抵抗である溝がアクチュエータが形成されている基板
を貫通するインク供給路と連通していることを特徴とす
るインクジェットヘッド液室構造。
【請求項８】請求項１又は請求項２において、２つの
（１１１）面で構成されたＶ字断面の溝を前記流体抵抗
の流路にもつことを特徴としたインクジェットヘッド液
室構造。
【請求項９】単結晶Ｓｉ基板の第２面にＳｉ窒化膜を
成膜し、流体抵抗の溝になる部分を該基板上にエッチン
グで形成し、該窒化膜による選択酸化で酸化膜を前記溝
部分に形成し、該単結晶Ｓｉの第１面から異方性エッチ
ングで液室を形成することを特徴とするインクジェット
ヘッド液室構造の製造方法。
【請求項１０】請求項９において、前記選択酸化の膜
厚を０.３μｍ以上とすることを特徴とするインクジェ
ットヘッド液室構造の製造方法。
【請求項１１】請求項１又は請求項２に記載の前記単
結晶Ｓｉ基板が、アクチュエータ基板と直接接合で接合
されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項１２】請求項１又は請求項２に記載の前記単
結晶Ｓｉ基板が、アクチュエータ基板と陽極接合で接合
することを特徴とするインクジェットヘッド。