JP2001067824A - ボイスコイルモータ制御回路及び同回路を持つディスク記憶装置 - Google Patents
ボイスコイルモータ制御回路及び同回路を持つディスク記憶装置Info
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Abstract
で、VCMの最大電流を上げてヘッド移動速度の向上を
図り、シーク時間を短縮できるようにする。 【解決手段】HDDに供給される電源110の電圧を昇
圧する昇圧回路200と、VCM130に供給すべき電
流が基準値より大きいときは昇圧回路200の出力電圧
を、そうでないときは電源110の電圧を、VCM駆動
回路101に切り替え出力する電源切り替えスイッチ3
00とを設け、VCM駆動回路101では、電源切り替
えスイッチ300により切り替えられた電圧をVCM1
30の電源電圧として当該VCM130に電流を供給す
る。
Description
タを駆動源とするヘッドアクチュエータによりヘッドを
ディスク媒体の半径方向に移動するディスク記憶装置に
係り、特にボイスコイルモータに電流を供給するボイス
コイルモータ制御回路及び同回路を持つディスク記憶装
置に関する。
スク記憶装置、例えば磁気ディスク装置では、ボイスコ
イルモータ(以下、VCMと称する)を駆動源とするロ
ータリ型のヘッドアクチュエータによりヘッドをディス
ク媒体の半径方向に移動して目標位置に位置決めするシ
ーク・位置決め動作を行うのが一般的である。
御回路の構成を示す。同図に示すように、VCM制御回
路は、Hブリッジ型に配置された4つのスイッチ、例え
ば(可変のON抵抗による電流制御機能を持つ)4つの
FET(トランジスタ)101a,101b,101
c,101dを有するVCM駆動回路101を備えて構
成されている。FET101a,101cの共通接続点
102は磁気ディスク装置の電源110に接続され、F
ET101b,101dの共通接続点103は接地され
ている。FET101a,101bの共通接続点104
とFET101c,101dの共通接続点105との間
には、VCM130のコイル(VCMコイル)131と
センス抵抗132との直列回路が接続されている。
して当該VCM110に駆動力を発生するには、矢印A
方向に電流を流したいときは、FET101a,101
dをON、FET101b,101cをOFFし、これ
とは逆のB方向に電流を流したいときは、上記のON/
OFFの関係を逆にして、FET101a,101dを
OFF、FET101b,101cをONすればよい。
電流)の値は、(電源110の電圧−VCMの逆起電
圧)/(VCMコイルの抵抗値+センス抵抗の抵抗値+
2つのFETのON抵抗値)で決まる。このVCM電流
の値はヘッドアクチュエータの移動速度、つまりヘッド
移動速度を決定し、VCM電流の方向はヘッドアクチュ
エータの移動方向、つまりヘッド移動方向(ディスク媒
体の内周方向または外周方向)を決定する。したがっ
て、VCM電流の値と方向を制御することにより、ヘッ
ド移動速度と移動方向を制御できる。
両端に発生する電圧を計測することで検出できる。した
がって、センス抵抗132の両端の電圧を計測し、当該
電圧(で決まる現在のVCM電流)に基づいて上記FE
TのON抵抗を制御することで、VCM電流を目標とす
る値に制御すること、つまりヘッドの速度制御を実現す
ることができる。FETのON抵抗は、FETのゲート
電圧で決まり、このゲート電圧は目標とするVCM電流
に対応した制御操作量のディジタル/アナログ変換出力
値で決まる。
のVCM制御回路は、磁気ディスク装置の電源をそのま
まVCM電流(VCMのコイルに流す電流)を生成する
ための電源(VCMの電圧源)として用いており、その
VCM電流の値は(電源電圧−VCMの逆起電圧)/
(VCMコイルの抵抗値とセンス抵抗の抵抗値と2つの
FETのON抵抗値との和)、つまり電源電圧とVCM
コイルの抵抗値とセンス抵抗の抵抗値とFETのON抵
抗値の4つの要素で決まっていた。ここで、電源電圧と
VCMコイルの抵抗値とセンス抵抗の抵抗値は(一定温
度のもとでは基本的に)一定であることから、VCM電
流はON状態にある2つのFETのON抵抗を可変する
ことで制御され、当該ON抵抗を最小にする制御操作量
のディジタル/アナログ変換出力値が与えられる場合に
最大電流となる。
すのは、ヘッド移動距離が長いシーク時(特に最内周側
から最外周側へ、或いは最外周側〜最内周側へといっ
た、長距離シーク時)である。
ために、磁気ディスク装置(ハードディスクシステム)
に供給される電源電圧が低電圧に切り替えられた場合、
このVCMの最大電流が低くなるため、VCMの最大ト
ルクが低くなり、ヘッドの移動速度が遅くなる。この場
合、磁気ディスク装置でのシーク動作のパフォーマンス
の低下を招く。
に、VCMの最大電流を上げることによりVCMのトル
クを上げて、シーク時間を短縮する要求がある。
したように磁気ディスク装置(ディスク記憶装置)の電
源をそのままVCMの電源(電圧源)として用いている
ため、VCMの最大電流の値は、電源電圧とVCMコイ
ルの抵抗値とFETのON抵抗値(の最小値)とで決ま
ってしまい、それ以上上げられない。
トルクを上げ、従来よりシーク速度を上げシーク時間を
短縮し、ディスク記憶装置の性能を向上させることがで
きない。 (2)低消費電力モード等のためディスク記憶装置に供
給される電源が低電圧に切り替えられると、VCMの最
大電流も低下するため、VCMのトルクが下がり、シー
ク速度が低下しシーク時間が長くなってしまう。 という問題があった。
でその目的は、ディスク記憶装置に供給される電源電圧
を昇圧することで、VCMの最大電流を上げてヘッド移
動速度の向上を図り、シーク時間を短縮できるVCM制
御回路及び同回路を備えたディスク記憶装置を提供する
ことにある。
のためディスク記憶装置に供給される電源が低電圧に切
り替えられた状態でも、当該電源電圧を昇圧すること
で、VCMの最大電流が下がってヘッド移動速度が低下
し、シーク時間が長くなるのを防止できるVCM制御回
路及び同回路を備えたディスク記憶装置を提供すること
にある。
スコイルモータ)を駆動源とするヘッドアクチュエータ
によりヘッドをディスク媒体の半径方向に移動するディ
スク記憶装置に適用されるVCM制御回路において、デ
ィスク記憶装置に供給される電源電圧を昇圧する昇圧回
路と、この昇圧回路の出力電圧をVCMの電源電圧とし
て、当該VCMに電流を供給するVCM駆動回路とを備
えたことを特徴とする。
装置に供給される電源電圧を昇圧回路で昇圧し、VCM
の電源電圧として使用することによって、VCMに流せ
る最大電流を上げることが可能となる。
スイッチング型の昇圧回路、またはコンデンサを使用し
たチャージボンプ型の昇圧回路のいずれも使用可能であ
るが、コイルを用いないチャージボンプ型の昇圧回路の
方が回路基板に実装する部品の高さを低く抑えられるこ
とから、小型のディスク記憶装置に適用する場合には、
実装構造上、当該チャージボンプ型の昇圧回路を用いる
方が好ましい。
Mに供給すべき電流が基準値より大きいときは上記昇圧
回路の出力電圧を、そうでないときはディスク記憶装置
に供給される電源電圧を、VCM駆動回路に切り替え出
力するスイッチ回路を追加するとよい。
が常時VCMの電源電圧として用いられるわけではな
く、VCMに大電流を流す必要がないときは、ディスク
記憶装置に供給される電源電圧が従来と同様にVCMの
電源電圧として用いられることから、昇圧回路の消費電
力を低減できる。
VCM制御回路において、少なくとも上記制御操作量の
ディジタル/アナログ変換出力値(DAC出力値)に基
づいて上記スイッチ回路を制御するスイッチ制御回路を
更に備えたことをも特徴とする。
ディスク記憶装置の主制御部(CPU)によるVCM電
流制御の状況を示すことから、主制御部がVCMに大電
流(基準値より大きい電流)を流そうとしているのか否
かが、当該DAC出力値に応じて判定できる。したがっ
て、大電流を流すためのVCM電流制御であると判定さ
れるときは昇圧回路の出力電圧が、そうでないと判定さ
れるときはディスク記憶装置に供給される電源電圧が、
VCM駆動回路に切り替え出力されるように、VCM制
御回路側(のスイッチ制御回路)だけで上記スイッチ回
路を自律的に制御できる。ここで、スイッチ制御回路に
比較器を持たせ、上記DAC出力値に対応した電流値を
基準値と比較するならば、上記の判定を高精度で行うこ
とができる。
回路を備えたディスク記憶装置としても成立する。また
本発明は、供給される電源電圧を昇圧する昇圧回路と、
この昇圧回路の出力電圧を所定の制御対象の電源電圧と
して、当該制御対象に電流を供給する駆動回路とにより
構成することで、VCM制御回路に限らず、制御対象に
電流を供給する駆動回路を備えた制御回路としても成立
する。
図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施形態に
係る磁気ディスク装置の内部構造を示す斜視図である。
Dと称する)は、上面の開口した矩形箱状の金属製のケ
ース10と、複数のねじにより当該ケース10にねじ止
めされてケース10の上端開口を閉塞する金属製のトッ
プカバー(図示せず)とを有している。
例えば直径65mm(2.5インチ)の3枚の磁気ディ
スク(ディスク媒体)11、これらのディスク11を支
持及び回転させるスピンドルモータ12、ヘッド移動機
構としてのロータリ型ヘッドアクチュエータ13及びフ
レキシブルプリント基板(以下、FPCと称する)11
6が収納されている。なお、ディスク11は3枚である
必要はなく、2枚或いは4枚以上が積層配置された構成
であっても、単一枚の構成であっても構わない。
ディスク11の記録面に対向して、当該ディスク11に
対して情報の記録、再生を行う磁気ヘッド15が取り付
けられている。ヘッド15は、ヘッドアクチュエータ1
3の回動(角度回転)に従ってディスク11の半径方向
に移動する。ヘッドアクチュエータ13は、当該アクチ
ュエータ13の駆動源となるVCM(ボイスコイルモー
タ)130(図5と同一符号を用いている)を有してお
り、このVCM130により駆動される。
ヘッド12との間のリード/ライト信号の入出力等を司
るヘッドIC(ヘッドアンプ回路)17が実装されてい
る。ヘッドIC17は、FPC16上に形成された配線
パターンを介して各ヘッド15と接続されており、ヘッ
ド15の選択、選択されたヘッド15で読み取られたア
ナログ出力(ヘッド15のリード信号)の増幅、リード
/ライト回路(図示せず)から送られるライトデータに
所定の信号処理を施してこれを選択されたヘッド15に
送る動作を行う。
プリント回路基板がねじ止めされ、ケースの底壁と対向
して位置している。このプリント回路基板には、HDD
の主要な回路要素、例えば、スピンドルモータ(SP
M)12を駆動するSPM制御回路及びVCM14を駆
動するVCM制御回路(を含むドライバIC)と、ヘッ
ド15により再生されてヘッドIC17により増幅され
た信号からのデータを復号するのに必要な信号処理、並
びにディスク11へのデータ記録に必要な信号処理等を
行うリード/ライト回路と、パーソナルコンピュータ
(PC)等の外部装置(ホスト)との間でコマンド、デ
ータの通信を行うためのプロトコル処理、並びにリード
/ライト回路を通じてのディスク11に対する読み出し
/書き込み制御等を司るディスクコントローラ(HD
C)と、装置全体を制御するCPU等(いずれも図示せ
ず)が実装されている。
は、図1のHDDに適用されるVCM制御回路の第1の
構成例を示す。なお、図5と同一部分には同一符号を付
してある。
来のVCM制御回路と同様に、Hブリッジ型に配置され
た4つのスイッチ、例えば4つのFET(トランジス
タ)101a,101b,101c,101dを含むV
CM駆動回路101を備えている。FET101a,1
01b,101c,101dは、(VCM制御回路に与
える制御操作量のディジタル/アナログ変換値を変えて
当該変換値で決まる)ゲート電圧を変えることでON抵
抗が可変されるようになっている。
02とPC(パーソナルコンピュータ)等のホストから
供給されるHDDの電源110との間には、当該電源1
10の電圧を昇圧する昇圧回路200が接続されてお
り、この昇圧回路200の出力電圧(昇圧電圧)がVC
M130の電圧源として用いられる。この点で、電源1
10がVCM130の電圧源となる、図5に示した従来
のVCM制御回路とは異なる。
続点103は従来のVCM制御回路と同様に接地されて
いる。また、FET101a,101bの共通接続点1
04とFET101c,101dの共通接続点105と
の間には、従来のVCM制御回路と同様に、VCM13
0のコイル(VCMコイル)131とセンス抵抗132
との直列回路が接続されている。
す場合には、FET101a,101dの対と、FET
101b,101cの対とが、それぞれ相補的にON/
OFFされる。FET101a,101dの対がON、
FET101b,101cの対がOFFのときは、VC
Mコイル131に対して矢印A方向に電流(VCM電
流)が流れ、これとは逆にFET101a,101dの
対がOFF、FET101b,101cの対がONのと
きは、VCMコイル131に対してA方向とは逆向き
に、即ち矢印B方向に電流(VCM電流)が流れる。
構成のVCM制御回路の動作を中心に説明する。まず、
ヘッド15をディスク11上の目標位置に移動するシー
ク動作の場合、図示せぬCPUから図2のVCM制御回
路に対し、目標ヘッド移動速度を実現するVCM電流
(目標VCM電流)に対応した制御操作量がディジタル
/アナログ変換器(DAC)を介して与えられる。ま
た、VCM電流の方向を表す情報も与えられる。
与えられた電流方向を表す情報に基づいて、FET10
1a,101dの対、またはFET101b,101c
の対の一方のゲートに、CPUにより与えられた目標値
に対応した制御操作量のD/A変換出力値(DAC出力
値)で決まるゲート電圧が印加されると共に、他方のゲ
ートが接地される。これにより、FET101a,10
1dの対、またはFET101b,101cの対の一方
がONすると共に他方がOFFする。この結果、VCM
130のコイル(VCMコイル)131には、(昇圧回
路200の出力電圧−VCMの逆起電圧)/(VCMコ
イル抵抗値とセンス抵抗の抵抗値とON状態にある2つ
のFETのON抵抗値の和)で表される電流(VCM電
流)が流れる。ここで、FETのON抵抗値は、上記ゲ
ート電圧で決まる。
ストから供給される電源110の電圧を5Vに昇圧する
ように構成されている。通常、この電源110の電圧、
つまり電源電圧は5Vに設定されている。この場合に
は、昇圧回路200の出力電圧は、電源110の電圧5
Vに一致する。
り、その際のVCMコイルの抵抗値とセンス抵抗の抵抗
値と2つのFETのON抵抗値との和が12.5Ωであ
るものとすると、VCM130のVCMコイル131に
流すことができる最大電流は、当該VCM130の逆起
電圧がないとすると、5V/12.5Ω=400mAと
なる。
に、ホストが当該ディスク装置を低消費電力モードに設
定して使用する場合、ホストから供給される電源110
は低電圧電源に切り替えられる。ここでは、電源110
の電圧が5Vから3.3Vに切り替えられたものとす
る。もし、電源110の電圧が従来と同様にそのままV
CM130の電源電圧として用いられるならば、VCM
130の最大電流は、逆起電圧がないとすると、3.3
V/12.5Ω=264mAと、電源電圧が5Vの場合
の最大電流400mAより大幅に小さくなってしまう。
は、ヘッド15のシーク距離が比較的長いときは、ヘッ
ド移動速度を上げてシーク時間を短縮するために、最大
電流を流す。ところが、低消費電力モードなどで電源電
圧が低電圧に切り替えられている状態では、従来であれ
ば、この最大電流が小さくなる。すると、VCM130
の最大トルクも小さくなって、シーク速度も遅くなる。
つまり、HDDの重要な性能項目であるシーク時間が長
くなってしまう。
給される電源110の電圧を昇圧回路200により5V
に昇圧し、その昇圧した電圧(即ち昇圧回路200の出
力電圧)をVCM130の電源電圧として使用するよう
にしている。したがって、電源110の電圧が5Vから
3.3Vに切り替えられたとしても、VCM130の電
源電圧は昇圧回路200により5Vに昇圧されることか
ら、VCM130のVCMコイル131には、電源11
0の電圧が5Vの場合と同じ最大電流(上記と同じ抵抗
値の条件の例では5V/12.5Ω=400mA)を流
すことができる。
に供給される電源電圧が低くなっても、電源電圧が5V
のときと同じVCMの最大電流を流すことができる。よ
ってVCMの駆動力も確保でき、シーク時間が長くなる
こともない。
利用例について説明する。HDDに対する要求の1つ
に、性能向上のため、シーク速度を上げ、シーク時間を
短縮させたいという要求がある。そのためには、VCM
130のトルクを上げる必要があることから、VCM1
30の最大電流を上げなければならない。つまりVCM
130の電源電圧を上げる必要がある。
のディスク11を用いたHDD、即ち2.5インチHD
Dのホストは、ノート型PCなどのモバイル機器である
ことが多く、電源が限られているため、HDDに供給さ
れる電源110の電圧(電源電圧)は5Vの場合が一般
的である。したがって、このHDDに供給される電源電
圧を上げることは難しい。
CM制御回路を適用し、HDDに供給される5Vの電源
110をそのままVCM130の電源として使うのでは
なく、昇圧回路200で例えば7Vに昇圧し、これをV
CM130の電源電圧として使用する。
0をそのままVCM130の電源として用いる場合に比
べて、VCM130の最大電流が上がり(上記と同じ抵
抗値の条件の例では、VCM130の逆起電圧がないと
すると、5V/12.5Ω=400mAから7V/1
2.5Ω=560mAへと最大電流が上がり)、VCM
130のトルクが上がる。よってシーク速度が上がり、
シーク時間の短縮が実現できる。
述べたVCM制御回路の第1の構成例(図2参照)で
は、昇圧回路200により昇圧された電源電圧が常時V
CM130の電源電圧として使用される。しかし、ヘッ
ド15をディスク11上の目標位置に移動(シーク)し
た後の位置決め制御や、シーク距離が短い場合のシーク
動作でも、即ちVCM130(のVCMコイル131)
に流す電流が小さくて済む場合にも、昇圧回路200に
より昇圧された電源電圧を用いるのは、消費電力を大き
くするため無駄である。
CM130に予め定められた値以上の電流(大電流)を
流す場合だけ、昇圧回路200により昇圧された電源電
圧を使用し、それより小さい電流(小電流)を流す場合
には、HDDに供給される電源110の電圧をそのまま
使用するようにした、VCM制御回路の構成例(第2の
構成例)について説明する。
制御回路の第2の構成例を示す。なお、図2と同一部分
には同一符号を付してある。図3の構成のVCM制御回
路が図2の構成のVCM制御回路と異なる点は、昇圧回
路200の出力電圧または電源110の電圧をVCM1
30の電源電圧として、FET101a,101cの共
通接続点側(つまりVCM駆動回路101の電源ライン
側)に切り替えて印加する電源切り替えスイッチ300
が追加されていることである。
30の電源電圧として、CPUによりVCM130に大
電流を流すことが指定されている場合には、昇圧回路2
00により昇圧された電源電圧に切り替え、大電流以外
の電流(小電流)を流すことが指定されている場合に
は、HDDに供給される電源110の電圧に切り替え
る。
必要な切り替え制御信号301は、例えばCPUにより
次のようにして生成される。即ち、CPUの制御プログ
ラム処理により、VCM130に流す電流、つまり目標
VCM電流の基準のVCM電流に対する大小が判断さ
れ、目標VCM電流の方が大きい場合には、論理“1”
の切り替え制御信号301が生成され、そうでない場合
には、論理“0”の切り替え制御信号301が生成され
る。
制御信号301が論理“1”の場合には、VCM130
の電源電圧として昇圧回路200によって昇圧された電
源電圧に切り替え、論理“0”の場合にはHDDに供給
される電源110の電圧に切り替える。
必要がある場合には、昇圧回路200から電流が流され
るため、確実に大電流を流すことができる。一方、VC
M130に大電流を流す必要がない場合には、HDDに
供給される電源110から電流が流されるため、昇圧回
路20の消費電力を低減することができる。
述べたVCM制御回路の第2の構成例(図3参照)で
は、CPUの制御によりVCM130の電源電圧を切り
替える場合について説明したが、これに限るものではな
い。例えば、CPUによりディジタル/アナログ変換器
(DAC)を介してVCM制御回路に与えられる、目標
VCM電流を実現するための制御操作量のDAC出力値
を利用して、VCM制御回路側で自律的にVCM130
の電源電圧を切り替えるようにしても構わない。
0の電源電圧を切り替えるようにした、VCM制御回路
の構成例(第3の構成例)について説明する。
制御回路の第3の構成例を示す。なお、図3と同一部分
には同一符号を付してある。図4の構成のVCM制御回
路が図3の構成のVCM制御回路と異なる点は、スイッ
チ制御回路400を備えていることである。このスイッ
チ制御回路400は、DAC出力値を利用して、VCM
130に流すべき電流、つまり目標VCM電流が大電流
であるか否かを判定し、その判定結果をもとに電源切り
替えスイッチ300を制御するものである。
目標VCM電流を実現するため決定される制御操作量に
対応したDAC出力値を入力し、当該DAC出力値に対
応した電流値(つまり目標VCM電流値)の絶対値を基
準値(基準のVCM電流値)と比較し、その大小に応じ
て論理“1”または論理“0”の切り替え制御信号30
1を出力する比較器401から構成される。即ちスイッ
チ制御回路400(内の比較器401)は、DAC出力
値に対応した電流値の絶対値が基準値より大きいか否か
に応じて電源切り替えスイッチ300を切り替え制御す
る機能を有する。
め決定される制御操作量に対応した)DAC出力値に対
応した電流値の絶対値が基準値より大きい場合には、目
標VCM電流は大電流である判定し、昇圧回路200の
出力電圧をVCM130の電源電圧として利用するため
に論理“1”の切り替え制御信号301を出力する。こ
れに対し、DAC出力値に対応した電流値の絶対値が基
準値以下の場合には、目標VCM電流は小電流であると
して、電源110をVCM130の電源電圧として利用
するために論理“0”の切り替え制御信号301を出力
する。
必要がある場合には、昇圧回路200からの電流供給に
切り替えられるため、確実に大電流を流すことができ
る。一方、VCM130に大電流を流す必要がない場合
には、HDDに供給される電源110から電流が流され
るため、昇圧回路20の消費電力を低減することができ
る。しかも、電源切り替えスイッチ300の制御が、前
記第2の構成例と異なって、CPUに負担をかけずにV
CM制御回路自身で行える。
には時間がかかる。このため、電源切り替えスイッチ3
00を備えた上記VCM制御回路の第2乃至第4の構成
例では、当該スイッチ300が昇圧回路200側に切り
替えられていない状態でも、昇圧回路200で予め電源
110の電圧を昇圧しておき、いつでも最大電流が流せ
るように、当該昇圧回路200をスタンバイ状態に設定
しておくとよい。
たスイッチング型の昇圧回路、またはコンデンサを使用
したチャージボンプ型の昇圧回路のいずれも使用可能で
ある。しかし、薄型の2.5インチHDDのVCM制御
回路に適用するには、スイッチング型の昇圧回路は、コ
イルの高さが高いことから実装構造上使用が困難であ
る。これに対し、コンデンサを使用したチャージボンプ
型の昇圧回路は、高さを低く設定できることから、薄型
の2.5インチHDDのVCM制御回路には最適であ
る。
M制御回路に実施した場合について説明したが、これに
限るものではなく、本発明はVCMを駆動源とするヘッ
ドアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の半径方
向に移動するディスク記憶装置のVCM制御回路一般に
適用可能である。本発明は更に、VCM制御回路に限ら
ず、供給される電源電圧により制御対象に電流を供給す
る制御回路であれば適用可能であり、当該電源電圧を昇
圧する機能を持たせることで、制御対象に流す最大電流
を増加させることができる。
ィスク記憶装置に供給される電源電圧を昇圧すること
で、VCMの最大電流を上げてヘッド移動速度の向上を
図り、シーク時間を短縮できる。
のためディスク記憶装置に供給される電源が低電圧に切
り替えられた状態でも、当該電源電圧を昇圧すること
で、VCMの最大電流が下がってヘッド移動速度が低下
し、シーク時間が長くなるのを防止できる。
(HDD)の内部構造を示す斜視図。
1の構成例を示す図。
2の構成例を示す図。
3の構成例を示す図。
Claims (7)
- 【請求項1】 ボイスコイルモータを駆動源とするヘッ
ドアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の半径方
向に移動するディスク記憶装置に適用されるボイスコイ
ルモータ制御回路であって、 前記ディスク記憶装置に供給される電源電圧を昇圧する
昇圧回路と、 前記昇圧回路の出力電圧を前記ボイスコイルモータの電
源電圧として、当該ボイスコイルモータに電流を供給す
るボイスコイルモータ駆動回路とを具備することを特徴
とするボイスコイルモータ制御回路。 - 【請求項2】 ボイスコイルモータを駆動源とするヘッ
ドアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の半径方
向に移動するディスク記憶装置に適用されるボイスコイ
ルモータ制御回路であって、 前記ディスク記憶装置に供給される電源電圧を昇圧する
昇圧回路と、 前記ディスク記憶装置に供給される電源電圧または前記
昇圧回路の出力電圧を前記ボイスコイルモータの電源電
圧として、外部から与えられる制御操作量のディジタル
/アナログ変換出力値に応じて当該ボイスコイルモータ
に電流を供給するボイスコイルモータ駆動回路と、 前記ボイスコイルモータに供給すべき電流が基準値より
大きいときは前記昇圧回路の出力電圧を、そうでないと
きは前記ディスク記憶装置に供給される電源電圧を、前
記ボイスコイルモータ駆動回路に切り替え出力するスイ
ッチ回路とを具備することを特徴とするボイスコイルモ
ータ制御回路。 - 【請求項3】 少なくとも前記制御操作量のディジタル
/アナログ変換出力値に基づいて前記スイッチ回路を制
御するスイッチ制御回路を更に具備することを特徴とす
る請求項2記載のボイスコイルモータ制御回路。 - 【請求項4】 前記スイッチ制御回路は、前記制御操作
量のディジタル/アナログ変換出力値に対応した電流値
を基準値と比較して、その比較結果をもとに前記スイッ
チ回路を制御する比較器を有することを特徴とする請求
項3記載のボイスコイルモータ制御回路。 - 【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
のボイスコイルモータ制御回路を具備することを特徴と
するディスク記憶装置。 - 【請求項6】 供給される電源電圧を昇圧する昇圧回路
と、 前記昇圧回路の出力電圧を所定の制御対象の電源電圧と
して、当該制御対象に電流を供給する駆動回路とを具備
することを特徴とする制御回路。 - 【請求項7】 ボイスコイルモータを駆動源とするヘッ
ドアクチュエータによりヘッドをディスク媒体の半径方
向に移動するディスク記憶装置に適用されるボイスコイ
ルモータ制御方法であって、 前記ボイスコイルモータに基準値以上の電流を流すこと
が要求される場合、ディスク記憶装置に供給される電源
電圧を昇圧して前記ボイスコイルモータの電源電圧と
し、そうでない場合には、前記ディスク記憶装置に供給
される電源電圧をそのまま前記ボイスコイルモータの電
源電圧とすることを特徴とするボイスコイルモータモー
タ制御方法。
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