JP2001060494A - 有機ｅｌパネル及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌパネル及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001060494A JP2001060494A JP2000180003A JP2000180003A JP2001060494A JP 2001060494 A JP2001060494 A JP 2001060494A JP 2000180003 A JP2000180003 A JP 2000180003A JP 2000180003 A JP2000180003 A JP 2000180003A JP 2001060494 A JP2001060494 A JP 2001060494A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- charge transfer
- partition
- electrode
- transfer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 242
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 description 34
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000011161 development Methods 0.000 description 18
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 18
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 16
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 239000006231 channel black Substances 0.000 description 6
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXWSZJSDZKWQAU-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-5,12-dihydroquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound N1C2=CC=C(C)C=C2C(=O)C2=C1C=C(C(=O)C=1C(=CC=C(C=1)C)N1)C1=C2 TXWSZJSDZKWQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000006232 furnace black Substances 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003273 ketjen black Substances 0.000 description 2
- NYGZLYXAPMMJTE-UHFFFAOYSA-M metanil yellow Chemical group [Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC(N=NC=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)=C1 NYGZLYXAPMMJTE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5-tetraphenylcyclopenta-1,4-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCAKAXJAQMMVTQ-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-2-phenylbenzene Chemical group C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LCAKAXJAQMMVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REOXBFXHZDZTDL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,3,4-triphenylbenzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=1C(C=C)=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C1=CC=CC=C1 REOXBFXHZDZTDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical compound N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOQZIAAFZAYNLN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[1-(n-(3-methylphenyl)anilino)cyclohexa-2,4-dien-1-yl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C2(C=CC=CC2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 AOQZIAAFZAYNLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100175003 Oryza sativa subsp. japonica RGB1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009500 colour coating Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MOOHXQFFIPDLNX-UHFFFAOYSA-N magnesium;quinolin-8-ol Chemical compound [Mg].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MOOHXQFFIPDLNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- SZDXPEWZZGNIBB-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(naphthalen-1-ylamino)phenyl]phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C(NC=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(NC=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=CC=3)=CC=CC2=C1 SZDXPEWZZGNIBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical class C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005287 vanadyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】有機ＥＬパネルの隔壁をレジストを用いて形成
する場合、レジストの残留現像液、エッチング液、微量
水分が有機発光層やカソード電極の界面を劣化させ、ダ
ークスポットと呼ばれる非発光点が発生する。このダー
クスポットが発生すると、パネルの寿命を長くすること
が困難で、また、分離不足を起こさないために隔壁の面
積が大きくなり、開口率を大きくすることができず微細
化が困難であるという問題が生じていた。 【解決手段】電荷移動層４を帯電させた後、電荷発生層
３を選択的に露光器８により露光して電荷移動層４の上
に静電潜像９を形成し、静電潜像９を定着器を用いて隔
壁とする。このように、ドライプロセスを用いて形成し
た隔壁により、色分離、パターン形成、陰極分離等の工
程も、ドライプロセスで行っており、ダークスポットの
発生、成長を防ぐことができ、生産性の向上を図ること
ができる。
する場合、レジストの残留現像液、エッチング液、微量
水分が有機発光層やカソード電極の界面を劣化させ、ダ
ークスポットと呼ばれる非発光点が発生する。このダー
クスポットが発生すると、パネルの寿命を長くすること
が困難で、また、分離不足を起こさないために隔壁の面
積が大きくなり、開口率を大きくすることができず微細
化が困難であるという問題が生じていた。 【解決手段】電荷移動層４を帯電させた後、電荷発生層
３を選択的に露光器８により露光して電荷移動層４の上
に静電潜像９を形成し、静電潜像９を定着器を用いて隔
壁とする。このように、ドライプロセスを用いて形成し
た隔壁により、色分離、パターン形成、陰極分離等の工
程も、ドライプロセスで行っており、ダークスポットの
発生、成長を防ぐことができ、生産性の向上を図ること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の注入によっ
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬという）を利用した有機ＥＬパネル及びそ
の製造方法に関し、特に、画素分離用の隔壁を備えた有
機ＥＬパネル及びその製造方法に関するものである。
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬという）を利用した有機ＥＬパネル及びそ
の製造方法に関し、特に、画素分離用の隔壁を備えた有
機ＥＬパネル及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】画素分離用の隔壁を備えた有機ＥＬパネ
ルが特開平９−１０２３９３号公報及び特開平８−３１
５９８１号公報に開示されている。この公報に示される
有機ＥＬパネルの製造方法においては、図１１（ａ）に
示されるように、透明基板１上に、酸化スズインジウム
（以下、ＩＴＯという）等からなるアノードとしての透
明電極２をストライプ状に形成した後、フォトリソグラ
フィ法を用いて透明電極２と透明基板１上で直交するよ
うに電気絶縁性の分離用の隔壁３１を設ける。隔壁３１
は下部に逆テーパ状の形状を有し、上部にオーバーハン
グ部３１０を有する。
ルが特開平９−１０２３９３号公報及び特開平８−３１
５９８１号公報に開示されている。この公報に示される
有機ＥＬパネルの製造方法においては、図１１（ａ）に
示されるように、透明基板１上に、酸化スズインジウム
（以下、ＩＴＯという）等からなるアノードとしての透
明電極２をストライプ状に形成した後、フォトリソグラ
フィ法を用いて透明電極２と透明基板１上で直交するよ
うに電気絶縁性の分離用の隔壁３１を設ける。隔壁３１
は下部に逆テーパ状の形状を有し、上部にオーバーハン
グ部３１０を有する。
【０００３】次に、図１１（ｂ）に示すように、透明基
板１の隔壁３１が設置されている側から成膜用のシャド
ーマスク３７を用いてオーバーハング部３１０下にも回
り込むように、一つの色に対応する有機発光材料を透明
基板１に対して図中Ｐ、Ｑの矢印のように角度を付けて
蒸着し、これを色毎に繰り返して有機発光層３２を形成
する。さらに、図１２（ａ）に示すように、成膜用マス
ク３７を隔壁３１の上からはずした後、図中Ｓの矢印の
ように、透明基板１に対してほぼ垂直の方向からカソー
ド電極材料を蒸着してカソード電極３３を形成する。隔
壁３１はオーバーハング部３１０を有するため、カソー
ド電極３３を隔壁３１の両側で電気的に絶縁することが
出来る。
板１の隔壁３１が設置されている側から成膜用のシャド
ーマスク３７を用いてオーバーハング部３１０下にも回
り込むように、一つの色に対応する有機発光材料を透明
基板１に対して図中Ｐ、Ｑの矢印のように角度を付けて
蒸着し、これを色毎に繰り返して有機発光層３２を形成
する。さらに、図１２（ａ）に示すように、成膜用マス
ク３７を隔壁３１の上からはずした後、図中Ｓの矢印の
ように、透明基板１に対してほぼ垂直の方向からカソー
ド電極材料を蒸着してカソード電極３３を形成する。隔
壁３１はオーバーハング部３１０を有するため、カソー
ド電極３３を隔壁３１の両側で電気的に絶縁することが
出来る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
（ａ）に示すように、隔壁３１はレジストを逆テーパ状
に形成することにより得られ、隔壁３１を用いて画素及
び陰極の分離を行う。レジストを用いる場合、レジスト
の残留現像液、エッチング液、微量水分が有機発光層３
２やカソード電極３３の界面を劣化させる。
（ａ）に示すように、隔壁３１はレジストを逆テーパ状
に形成することにより得られ、隔壁３１を用いて画素及
び陰極の分離を行う。レジストを用いる場合、レジスト
の残留現像液、エッチング液、微量水分が有機発光層３
２やカソード電極３３の界面を劣化させる。
【０００５】その結果、ダークスポットと呼ばれる非発
光点が発生する。このダークスポットが発生すると、パ
ネルの寿命を長くすることが困難となる。また、逆テー
パの形状を呈する隔壁３１のオーバーハング部３１０は
厚さ方向の露光量の違いからくる現像速度の差を利用し
て形成される。
光点が発生する。このダークスポットが発生すると、パ
ネルの寿命を長くすることが困難となる。また、逆テー
パの形状を呈する隔壁３１のオーバーハング部３１０は
厚さ方向の露光量の違いからくる現像速度の差を利用し
て形成される。
【０００６】このため、オーバーハング部３１０の大き
さが不安定で分離不足を生じやすい。分離不足が生じる
と、カソード電極３３とアノードである透明電極２との
間がショートして非発光素子が形成されるばかりでな
く、ショートによる熱によりパネルを破壊してしまう場
合がある。
さが不安定で分離不足を生じやすい。分離不足が生じる
と、カソード電極３３とアノードである透明電極２との
間がショートして非発光素子が形成されるばかりでな
く、ショートによる熱によりパネルを破壊してしまう場
合がある。
【０００７】また、係る表示パネルにおいては分離不足
を起こさないために隔壁３１に一定以上の幅が必要であ
り、非発光部である隔壁３１の面積が大きくなるため、
開口率を大きくすることができず微細化が困難であると
いう問題が生じていた。
を起こさないために隔壁３１に一定以上の幅が必要であ
り、非発光部である隔壁３１の面積が大きくなるため、
開口率を大きくすることができず微細化が困難であると
いう問題が生じていた。
【０００８】従って、本発明の目的のひとつは、微細化
が可能であり且つ生産性の向上を図ることができる有機
ＥＬパネル及びその製造方法を提供することである。ま
た、本発明の他の目的は、より微細化され且つ高画質の
装置として得られる有機ＥＬパネル及びその製造方法を
提供することである。
が可能であり且つ生産性の向上を図ることができる有機
ＥＬパネル及びその製造方法を提供することである。ま
た、本発明の他の目的は、より微細化され且つ高画質の
装置として得られる有機ＥＬパネル及びその製造方法を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、本発明者らは、有機ＥＬパネルの微細化及びその
生産工程のおける生産性の向上に関して鋭意研究を重ね
た。その結果、本発明者らは、画素分離用の隔壁の形成
方法として、透明電極上に形成される電荷発生層及び電
荷移動層のうち、電荷移動層を帯電させた後、電荷発生
層を選択的に露光して電荷移動層上に所定のパターンを
有する静電潜像を形成し、現像剤を用いて前記静電潜像
を現像した後定着させることにより隔壁を形成する着想
を得、以下のような本発明の有機ＥＬパネル及びその製
造方法に想到した。
めに、本発明者らは、有機ＥＬパネルの微細化及びその
生産工程のおける生産性の向上に関して鋭意研究を重ね
た。その結果、本発明者らは、画素分離用の隔壁の形成
方法として、透明電極上に形成される電荷発生層及び電
荷移動層のうち、電荷移動層を帯電させた後、電荷発生
層を選択的に露光して電荷移動層上に所定のパターンを
有する静電潜像を形成し、現像剤を用いて前記静電潜像
を現像した後定着させることにより隔壁を形成する着想
を得、以下のような本発明の有機ＥＬパネル及びその製
造方法に想到した。
【００１０】即ち、本発明の有機ＥＬパネルは、透明基
板上に形成された光透過性材料からなる第１電極と、前
記第１電極を覆う電荷発生層及びその上の電荷移動層
と、前記電荷移動層の上に所定のパターンに形成された
現像剤パターンからなる隔壁と、前記隔壁の間に形成さ
れた発光層及び第２電極を有することを特徴とし、前記
隔壁の幅が１０〜４０μｍであり、あ前記第２電極は、
前記隔壁が黒色である、というものである。
板上に形成された光透過性材料からなる第１電極と、前
記第１電極を覆う電荷発生層及びその上の電荷移動層
と、前記電荷移動層の上に所定のパターンに形成された
現像剤パターンからなる隔壁と、前記隔壁の間に形成さ
れた発光層及び第２電極を有することを特徴とし、前記
隔壁の幅が１０〜４０μｍであり、あ前記第２電極は、
前記隔壁が黒色である、というものである。
【００１１】次に、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法
は、透明基板上に光透過性材料からなる第１電極を形成
する工程と、前記第１電極上に電荷発生層及び電荷移動
層を順に形成する工程と、前記電荷移動層を帯電させた
後、前記電荷発生層を選択的に露光することにより前記
電荷移動層上に所定のパターンを有する静電潜像を形成
する工程と、前記静電潜像に対応する現像剤パターンを
前記電荷移動層上に画素分離用の隔壁として形成する工
程と、前記隔壁間に発光層及び第２電極を形成する工程
とを有することを特徴とし、前記発光層及び前記第２電
極は、少なくとも前記電荷移動層の一部が露出するよう
な所定のパターンを有するマスクを前記隔壁上に設置し
た後、真空蒸着により形成されるか、或いは、前記電荷
移動層上の前記発光層及び前記第２電極は、順に斜方蒸
着により形成され、前記現像剤は、ポリエステル、アク
リル、及びスチレン−アクリル共重合体のうち少なくと
も１以上の材料に帯電制御剤を含有するものである、或
いは、黒色材料を含有するものであり、前記黒色材料を
含む現像剤を用いて黒色の隔壁を形成する、或いは、磁
性粉を含有する、という形態を採るものである。
は、透明基板上に光透過性材料からなる第１電極を形成
する工程と、前記第１電極上に電荷発生層及び電荷移動
層を順に形成する工程と、前記電荷移動層を帯電させた
後、前記電荷発生層を選択的に露光することにより前記
電荷移動層上に所定のパターンを有する静電潜像を形成
する工程と、前記静電潜像に対応する現像剤パターンを
前記電荷移動層上に画素分離用の隔壁として形成する工
程と、前記隔壁間に発光層及び第２電極を形成する工程
とを有することを特徴とし、前記発光層及び前記第２電
極は、少なくとも前記電荷移動層の一部が露出するよう
な所定のパターンを有するマスクを前記隔壁上に設置し
た後、真空蒸着により形成されるか、或いは、前記電荷
移動層上の前記発光層及び前記第２電極は、順に斜方蒸
着により形成され、前記現像剤は、ポリエステル、アク
リル、及びスチレン−アクリル共重合体のうち少なくと
も１以上の材料に帯電制御剤を含有するものである、或
いは、黒色材料を含有するものであり、前記黒色材料を
含む現像剤を用いて黒色の隔壁を形成する、或いは、磁
性粉を含有する、という形態を採るものである。
【００１２】次に、本発明の有機ＥＬパネルのより具体
的な製造方法は、基板上に光透過性材料からなるアノー
ド電極を形成する工程と、前記アノード電極上に電荷発
生層及び電荷移動層を順に形成する工程と、前記電荷移
動層を帯電する工程と、前記電荷発生層の所定領域を露
光することにより前記電荷移動層上に所定のパターンを
有する静電潜像を形成する工程と、前記静電潜像を現像
して現像剤パターンを形成する工程と、前記現像剤パタ
ーンを前記電荷移動層上に定着させることにより画素分
離用の隔壁を形成する工程と、前記隔壁の間に発光層、
電子輸送層及びカソード電極を順に形成する工程とを有
することを特徴とする。
的な製造方法は、基板上に光透過性材料からなるアノー
ド電極を形成する工程と、前記アノード電極上に電荷発
生層及び電荷移動層を順に形成する工程と、前記電荷移
動層を帯電する工程と、前記電荷発生層の所定領域を露
光することにより前記電荷移動層上に所定のパターンを
有する静電潜像を形成する工程と、前記静電潜像を現像
して現像剤パターンを形成する工程と、前記現像剤パタ
ーンを前記電荷移動層上に定着させることにより画素分
離用の隔壁を形成する工程と、前記隔壁の間に発光層、
電子輸送層及びカソード電極を順に形成する工程とを有
することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の基本的な実施形態
を図１〜８を参照して説明する。
を図１〜８を参照して説明する。
【００１４】本実施形態に係る有機ＥＬパネルは、図１
に示されるように、ガラス基板等の透明基板１上に、Ｉ
ＴＯ、酸化スズ薄膜等のアノードとしての透明電極２が
形成されている。透明電極２の上には電荷発生層３及び
電荷移動層４が設置されている。また、電荷移動層４の
上には複数の隔壁１１が並列に形成されており、隔壁１
１の間に発光層１２が形成され、発光層１２上には電子
輸送層１３を介してカソードである第２電極１４が形成
されている。すなわち、電荷発生層３、電荷移動層４、
発光層１２、及び電子輸送層１３を介して透明電極２と
第２電極１４とが対向するように形成されている。
に示されるように、ガラス基板等の透明基板１上に、Ｉ
ＴＯ、酸化スズ薄膜等のアノードとしての透明電極２が
形成されている。透明電極２の上には電荷発生層３及び
電荷移動層４が設置されている。また、電荷移動層４の
上には複数の隔壁１１が並列に形成されており、隔壁１
１の間に発光層１２が形成され、発光層１２上には電子
輸送層１３を介してカソードである第２電極１４が形成
されている。すなわち、電荷発生層３、電荷移動層４、
発光層１２、及び電子輸送層１３を介して透明電極２と
第２電極１４とが対向するように形成されている。
【００１５】また、発光層１２は、レッド発光層１２
０、グリーン発光層１２１、ブルー発光層１２２から構
成される。
０、グリーン発光層１２１、ブルー発光層１２２から構
成される。
【００１６】なお、図１においては有機ＥＬパネルが３
色のカラーにより構成される場合を例にとり説明した
が、有機ＥＬパネルが単色パネルであってもよく、その
場合発光層１２は同色のみである。
色のカラーにより構成される場合を例にとり説明した
が、有機ＥＬパネルが単色パネルであってもよく、その
場合発光層１２は同色のみである。
【００１７】電荷発生層３及び電荷移動層４は共に有機
樹脂からなり、電荷発生層３が感光層となる。電荷発生
層３は、ブチラール樹脂に無金属、銅、チタニル、バナ
ジル等フタロシアニン化合物やペリレン系、多環キノン
系、スクアリリウム色素やアズレニウム色素等の電荷発
生剤等を含有している。
樹脂からなり、電荷発生層３が感光層となる。電荷発生
層３は、ブチラール樹脂に無金属、銅、チタニル、バナ
ジル等フタロシアニン化合物やペリレン系、多環キノン
系、スクアリリウム色素やアズレニウム色素等の電荷発
生剤等を含有している。
【００１８】また、電荷移動層４は、ポリカーボネート
樹脂にＮ，Ｎ’−ジフェニル −Ｎ、Ｎ’−ジ（３−メ
チルフェニル）−１，１’−ビフェニル −４，４’−
ジアミン（ＴＰＤと略記）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル −
Ｎ、Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−１，１’−ビフェニ
ル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤと略記）等のジア
ミン誘導体や、４，４’，４” −トリス（３−メチル
フェニルフェニルアミノ）−トリフェニルアミンなどの
アリールアミン系、オキサジアゾール、オキサゾール、
ピラゾリン等複素環式化合物、ヒドラゾン系化合物、縮
合多環式化合物等の化合物を分散した塗液を用いて成膜
される。
樹脂にＮ，Ｎ’−ジフェニル −Ｎ、Ｎ’−ジ（３−メ
チルフェニル）−１，１’−ビフェニル −４，４’−
ジアミン（ＴＰＤと略記）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル −
Ｎ、Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−１，１’−ビフェニ
ル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤと略記）等のジア
ミン誘導体や、４，４’，４” −トリス（３−メチル
フェニルフェニルアミノ）−トリフェニルアミンなどの
アリールアミン系、オキサジアゾール、オキサゾール、
ピラゾリン等複素環式化合物、ヒドラゾン系化合物、縮
合多環式化合物等の化合物を分散した塗液を用いて成膜
される。
【００１９】電荷発生層３及び電荷移動層４はディッピ
ングにより、若しくはスピンコート法等を用いて透明電
極２の上に形成される。電荷発生層３及び電荷移動層４
の厚さは、キャリアの移動度、光を透明基板１側から取
り出すように有機ＥＬパネルが構成されていること等を
考慮すると、できるだけ薄い方が好ましいが、薄すぎる
とピンホール等で絶縁破壊を起こすため、０．１〜５μ
ｍ程度であるのが好ましい。
ングにより、若しくはスピンコート法等を用いて透明電
極２の上に形成される。電荷発生層３及び電荷移動層４
の厚さは、キャリアの移動度、光を透明基板１側から取
り出すように有機ＥＬパネルが構成されていること等を
考慮すると、できるだけ薄い方が好ましいが、薄すぎる
とピンホール等で絶縁破壊を起こすため、０．１〜５μ
ｍ程度であるのが好ましい。
【００２０】また、隔壁１１は絶縁体材料から構成さ
れ、ポリエステル、スチレン−アクリル共重合体、アク
リル等の樹脂から形成されている。また、隔壁１１を形
成する際に、樹脂にＦｅ3Ｏ4やＭｎＯ・Ｆｅ2Ｏ3、Ｚｎ
Ｏ・Ｆｅ2Ｏ3に代表されるマグネタイト、フェライト等
の磁性粉を混錬することにより、隔壁１１を黒色にする
こともできる。
れ、ポリエステル、スチレン−アクリル共重合体、アク
リル等の樹脂から形成されている。また、隔壁１１を形
成する際に、樹脂にＦｅ3Ｏ4やＭｎＯ・Ｆｅ2Ｏ3、Ｚｎ
Ｏ・Ｆｅ2Ｏ3に代表されるマグネタイト、フェライト等
の磁性粉を混錬することにより、隔壁１１を黒色にする
こともできる。
【００２１】或いは、磁性粉の代わりに、ファーネスブ
ラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、ケ
ッチェンブラックに代表されるカーボンブラック等の黒
色材料を微量混錬することにより隔壁を黒色にすること
もできる。このように、画素間のスペース部である隔壁
１１を黒色にすることにより、ディスプレイとしてのコ
ントラストを向上させることができる。
ラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、ケ
ッチェンブラックに代表されるカーボンブラック等の黒
色材料を微量混錬することにより隔壁を黒色にすること
もできる。このように、画素間のスペース部である隔壁
１１を黒色にすることにより、ディスプレイとしてのコ
ントラストを向上させることができる。
【００２２】発光層１２は、ホストにトリス（８−キノ
リノール）アルミニウムに代表される８−ヒドロキシキ
ノリン金属錯体、１，４−ビス（２−メチルスチリル）
ベンゼン等のジスチリルベンゼン誘導体、ビススチリル
アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体
等を用いて形成される。グリーンの光を発する発光層１
２１は、ホストとともに、ドーパントとして、キナクリ
ドン、２，９−ジメチルキナクリドン等キナクリドン誘
導体、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルア
ミノクマリン（クマリン５４０）等クマリン誘導体を用
い、ホストとドーパントとを共蒸着させることにより形
成される。
リノール）アルミニウムに代表される８−ヒドロキシキ
ノリン金属錯体、１，４−ビス（２−メチルスチリル）
ベンゼン等のジスチリルベンゼン誘導体、ビススチリル
アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体
等を用いて形成される。グリーンの光を発する発光層１
２１は、ホストとともに、ドーパントとして、キナクリ
ドン、２，９−ジメチルキナクリドン等キナクリドン誘
導体、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルア
ミノクマリン（クマリン５４０）等クマリン誘導体を用
い、ホストとドーパントとを共蒸着させることにより形
成される。
【００２３】レッド発光層１２０は、ドーパントとし
て、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジ
メチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭと略
記）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−〔２−
（９−ユロリジル）エテニル〕−４Ｈ−チオピラン等ジ
シアノメチレンピラン色素、フェノキサゾン誘導体、ス
クアリリウム色素等を用い、ホストとドーパントとを共
蒸着させることにより形成される。ブルー発光層１２２
は、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフ
ェニル等のジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルベ
ンゼン誘導体、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペ
ンタフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルブタ
ジエン誘導体、ペリレン誘導体等を蒸着することにより
形成される。
て、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジ
メチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭと略
記）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−〔２−
（９−ユロリジル）エテニル〕−４Ｈ−チオピラン等ジ
シアノメチレンピラン色素、フェノキサゾン誘導体、ス
クアリリウム色素等を用い、ホストとドーパントとを共
蒸着させることにより形成される。ブルー発光層１２２
は、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフ
ェニル等のジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルベ
ンゼン誘導体、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペ
ンタフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルブタ
ジエン誘導体、ペリレン誘導体等を蒸着することにより
形成される。
【００２４】電子輸送層１３は、トリス（８−キノリノ
ール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネ
シウム等の８−ヒドロキシキノリン金属錯体、オキサジ
アゾール誘導体、ペリレン誘導体等電子をキャリアとす
る材料を用いて形成される。
ール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネ
シウム等の８−ヒドロキシキノリン金属錯体、オキサジ
アゾール誘導体、ペリレン誘導体等電子をキャリアとす
る材料を用いて形成される。
【００２５】また、本実施形態においてはカソードであ
る第２電極１４は、Ｍｇ：ＡｇやＡｌ：Ｌｉを合金また
は共蒸着法を用いて真空蒸着を行い形成される。
る第２電極１４は、Ｍｇ：ＡｇやＡｌ：Ｌｉを合金また
は共蒸着法を用いて真空蒸着を行い形成される。
【００２６】次に、本実施形態に係る有機ＥＬパネルの
製造工程について、図２〜図８を参照して説明する。
製造工程について、図２〜図８を参照して説明する。
【００２７】まず、図２（ａ）に示すように、ガラス等
の透明基板１の上に、ＩＴＯ、酸化スズ薄膜等の光透過
性材料からなる透明電極２を形成する。薄膜形成方法
は、スパッタリング法、電子ビーム法、化学反応法等い
ずれを用いてもよい。
の透明基板１の上に、ＩＴＯ、酸化スズ薄膜等の光透過
性材料からなる透明電極２を形成する。薄膜形成方法
は、スパッタリング法、電子ビーム法、化学反応法等い
ずれを用いてもよい。
【００２８】続いて、透明電極２の上に電荷発生層（正
孔注入層）３及び電荷移動層（正孔輸送層）４で構成さ
れる有機材料を形成する。電荷発生層３は、ブチラール
樹脂に前述した電荷発生剤を分散することにより得られ
た塗液を用いて成膜することにより形成される。
孔注入層）３及び電荷移動層（正孔輸送層）４で構成さ
れる有機材料を形成する。電荷発生層３は、ブチラール
樹脂に前述した電荷発生剤を分散することにより得られ
た塗液を用いて成膜することにより形成される。
【００２９】また、電荷移動層４は、前述したように、
ポリカーボネート樹脂にＴＰＤ、α―ＮＰＤ等のジアミ
ン誘導体や、４，４’，４” −トリス（３−メチルフ
ェニルフェニルアミノ）−トリフェニルアミンなどのア
リールアミン系、オキサジアゾール、オキサゾール、ピ
ラゾリン等複素環式化合物、ヒドラゾン系化合物、縮合
多環式化合物等の化合物を分散した塗液を用いて成膜す
ることにより形成する。
ポリカーボネート樹脂にＴＰＤ、α―ＮＰＤ等のジアミ
ン誘導体や、４，４’，４” −トリス（３−メチルフ
ェニルフェニルアミノ）−トリフェニルアミンなどのア
リールアミン系、オキサジアゾール、オキサゾール、ピ
ラゾリン等複素環式化合物、ヒドラゾン系化合物、縮合
多環式化合物等の化合物を分散した塗液を用いて成膜す
ることにより形成する。
【００３０】電荷発生層３及び電荷移動層４の形成方法
は、ディッピングによる方法、若しくはスピンコート法
どちらを用いてもよい。電荷発生層３及び電荷移動層４
はバインダ樹脂に正孔注入輸送材料を分散させて形成さ
せることにより、透明電極２とこれらの有機層（電荷発
生層３及び電荷移動層４）との密着性を高めることがで
きるため、材料の凝集や膜質の変化がない。これにより
電界集中による絶縁破壊やショートを防ぐことができ、
パネルの耐熱性が向上し長寿命化を図ることができる。
は、ディッピングによる方法、若しくはスピンコート法
どちらを用いてもよい。電荷発生層３及び電荷移動層４
はバインダ樹脂に正孔注入輸送材料を分散させて形成さ
せることにより、透明電極２とこれらの有機層（電荷発
生層３及び電荷移動層４）との密着性を高めることがで
きるため、材料の凝集や膜質の変化がない。これにより
電界集中による絶縁破壊やショートを防ぐことができ、
パネルの耐熱性が向上し長寿命化を図ることができる。
【００３１】次に、図２（ｂ）に示すように、電荷発生
層３及び電荷移動層４からなる有機層を形成した基板
に、スコロトロン等のコロナ放電を用いる非接触式帯電
器５を用いて電荷移動層４表面の帯電を行う。非接触式
帯電器５の代わりに、図６（ａ）に示すように、ブラシ
やブレード、ローラ帯電等の接触式帯電器６を用いても
良い。電荷移動層４の表面電位の最適帯電電位Ｖｏは、
有機感光層である電荷発生層３の膜厚や移動度により異
なるが、例えば、負帯電現像剤を用いて反転現像を行う
場合、−３００〜−１０００Ｖ程度である。以上の工程
により、電荷移動層４の表面に表面電荷７を形成する。
層３及び電荷移動層４からなる有機層を形成した基板
に、スコロトロン等のコロナ放電を用いる非接触式帯電
器５を用いて電荷移動層４表面の帯電を行う。非接触式
帯電器５の代わりに、図６（ａ）に示すように、ブラシ
やブレード、ローラ帯電等の接触式帯電器６を用いても
良い。電荷移動層４の表面電位の最適帯電電位Ｖｏは、
有機感光層である電荷発生層３の膜厚や移動度により異
なるが、例えば、負帯電現像剤を用いて反転現像を行う
場合、−３００〜−１０００Ｖ程度である。以上の工程
により、電荷移動層４の表面に表面電荷７を形成する。
【００３２】続いて、図３（ａ）に示すように、半導体
レーザやＬＥＤ等からなる露光器８を用いて、隔壁１１
となる部分の電荷発生層３を選択的に露光するか、若し
くは隔壁１１となる部分以外の領域を遮光パターンとす
るフォトマスクを介して隔壁１１となる部分の電荷発生
層３を選択的に露光する。半導体レーザを用いての露光
は、フォトマスクを用いる場合に比べて、自由な形状の
隔壁が得られ、且つ、微細に走査できるので非常に有用
である。図３（ａ）は、正現像である例を示している。
反転現像の場合、隔壁１１となる部分以外の電荷発生層
３を選択的に露光する一方、正現像の場合、隔壁１１と
なる部分の電荷発生層３を選択的に露光する。露光器８
から発射される光の波長は電荷発生層３の吸収波長であ
る７８０ｎｍ前後である。
レーザやＬＥＤ等からなる露光器８を用いて、隔壁１１
となる部分の電荷発生層３を選択的に露光するか、若し
くは隔壁１１となる部分以外の領域を遮光パターンとす
るフォトマスクを介して隔壁１１となる部分の電荷発生
層３を選択的に露光する。半導体レーザを用いての露光
は、フォトマスクを用いる場合に比べて、自由な形状の
隔壁が得られ、且つ、微細に走査できるので非常に有用
である。図３（ａ）は、正現像である例を示している。
反転現像の場合、隔壁１１となる部分以外の電荷発生層
３を選択的に露光する一方、正現像の場合、隔壁１１と
なる部分の電荷発生層３を選択的に露光する。露光器８
から発射される光の波長は電荷発生層３の吸収波長であ
る７８０ｎｍ前後である。
【００３３】正現像の場合、図３（ａ）に示されるよう
に、露光器８から発射されたレーザ光等が電荷発生層３
まで到達することにより、電荷発生層３内で正孔と電子
が発生し、電荷移動層４の表面電位（電荷移動層４表面
が帯電することにより生じる電位Ｖｏ）に基づく電界に
より正孔が電荷移動層４に注入されて電荷移動層４内を
移動し、電荷移動層４表面まで到達する。
に、露光器８から発射されたレーザ光等が電荷発生層３
まで到達することにより、電荷発生層３内で正孔と電子
が発生し、電荷移動層４の表面電位（電荷移動層４表面
が帯電することにより生じる電位Ｖｏ）に基づく電界に
より正孔が電荷移動層４に注入されて電荷移動層４内を
移動し、電荷移動層４表面まで到達する。
【００３４】ここで、図３（ｂ）に示すように、光が発
射された部分においては電荷移動層４表面に達した正孔
が電荷移動層４表面の帯電電荷と結合することにより表
面電荷７が消滅し、潜像電位Ｖｉを有し、所定のパター
ンからなる静電潜像９が形成される。ここで、静電潜像
９とは、潜像電位Ｖｉを有し、所定のパターンからなる
電荷をいう。なお、正現像の場合、後の工程において、
電荷移動層４表面において表面電荷７が消滅した部分に
隔壁１１が形成される。
射された部分においては電荷移動層４表面に達した正孔
が電荷移動層４表面の帯電電荷と結合することにより表
面電荷７が消滅し、潜像電位Ｖｉを有し、所定のパター
ンからなる静電潜像９が形成される。ここで、静電潜像
９とは、潜像電位Ｖｉを有し、所定のパターンからなる
電荷をいう。なお、正現像の場合、後の工程において、
電荷移動層４表面において表面電荷７が消滅した部分に
隔壁１１が形成される。
【００３５】図３（ａ）に続いて、図３（ｂ）に示すよ
うに、静電潜像９に対して現像剤１０を用いて現像を行
う。現像剤１０は、帯電制御剤（ＣＣＡ）を混練したポ
リエステル、スチレンーアクリル共重合体、アクリル等
のバインダ樹脂を適当な粒径まで粉砕することにより得
られたものを用いる。
うに、静電潜像９に対して現像剤１０を用いて現像を行
う。現像剤１０は、帯電制御剤（ＣＣＡ）を混練したポ
リエステル、スチレンーアクリル共重合体、アクリル等
のバインダ樹脂を適当な粒径まで粉砕することにより得
られたものを用いる。
【００３６】現像剤１０を一様に帯電させた後、現像す
るための現像器２７の一例を図６（ｂ）に示す。現像器
２７は図６（ｂ）に示されるように、現像剤１０を貯留
するホッパ２１、現像剤１０の帯電と静電潜像９を形成
した有機層への現像とを行う現像室２２を有している。
ホッパ２１内の現像剤１０は、撹拌部材２３によって撹
拌され、回転駆動する（図６（ｂ）においては反時計方
向に回転する）現像剤供給部材２４によって、反時計方
向に回転するマグネトローラ式若しくは弾性ゴム材料か
らなる現像剤担持体２５に供給される。現像剤担持体２
５に供給された現像剤１０は、薄層形成部材２６によっ
て規制され、数層程度の均一な薄層となる。
るための現像器２７の一例を図６（ｂ）に示す。現像器
２７は図６（ｂ）に示されるように、現像剤１０を貯留
するホッパ２１、現像剤１０の帯電と静電潜像９を形成
した有機層への現像とを行う現像室２２を有している。
ホッパ２１内の現像剤１０は、撹拌部材２３によって撹
拌され、回転駆動する（図６（ｂ）においては反時計方
向に回転する）現像剤供給部材２４によって、反時計方
向に回転するマグネトローラ式若しくは弾性ゴム材料か
らなる現像剤担持体２５に供給される。現像剤担持体２
５に供給された現像剤１０は、薄層形成部材２６によっ
て規制され、数層程度の均一な薄層となる。
【００３７】薄層形成部材２６は、シリコーン、ウレタ
ン等の高分子材料やステンレス等の金属薄板から形成さ
れている。薄層となった帯電制御剤を含む現像剤１０
は、現像剤担持体２５の回転にしたがって現像剤担持体
２５と有機層の対向部分まで運ばれ、電荷移動層４の表
面電位Ｖｏ、潜像電位Ｖｉと現像剤担持体２５に印加さ
れている現像バイアス電位Ｖｂとの電位差に基づく電界
により、電荷移動層４表面の静電潜像９に移動し像を形
成する（図３（ｂ）参照）。現像剤担持体２５と電荷移
動層４とは接触していてもよいし、近接した距離であれ
ば、現像剤１０は電界により電荷移動層４へと飛翔する
ので、１００〜３００μｍ程度離れていても現像するこ
とができる。
ン等の高分子材料やステンレス等の金属薄板から形成さ
れている。薄層となった帯電制御剤を含む現像剤１０
は、現像剤担持体２５の回転にしたがって現像剤担持体
２５と有機層の対向部分まで運ばれ、電荷移動層４の表
面電位Ｖｏ、潜像電位Ｖｉと現像剤担持体２５に印加さ
れている現像バイアス電位Ｖｂとの電位差に基づく電界
により、電荷移動層４表面の静電潜像９に移動し像を形
成する（図３（ｂ）参照）。現像剤担持体２５と電荷移
動層４とは接触していてもよいし、近接した距離であれ
ば、現像剤１０は電界により電荷移動層４へと飛翔する
ので、１００〜３００μｍ程度離れていても現像するこ
とができる。
【００３８】このように、現像剤担持体２５と電荷移動
層４とを接触させずに現像を行うことにより、現像され
ていない部分へのカブリやチリを減少させることができ
る。現像プロセスとしては、電荷移動層４の電位と現像
剤１０の帯電とが逆極性である正現像法、電荷移動層４
の電位と現像剤との帯電極性が同極性である反転現像法
の２つのうちどちらを用いてもよい。
層４とを接触させずに現像を行うことにより、現像され
ていない部分へのカブリやチリを減少させることができ
る。現像プロセスとしては、電荷移動層４の電位と現像
剤１０の帯電とが逆極性である正現像法、電荷移動層４
の電位と現像剤との帯電極性が同極性である反転現像法
の２つのうちどちらを用いてもよい。
【００３９】次に、図４（ａ）に示すように、電荷移動
層４表面の静電潜像９に移動して像を形成した現像剤１
０ を、定着器３０を用いて電荷移動層４表面に定着さ
せる。定着器３０にはキセノンフラッシュランプが設置
されており、定着器３０と電荷移動層４とを接触させる
ことなく現像剤１０を電荷移動層４に定着させることに
より隔壁１１を形成する。
層４表面の静電潜像９に移動して像を形成した現像剤１
０ を、定着器３０を用いて電荷移動層４表面に定着さ
せる。定着器３０にはキセノンフラッシュランプが設置
されており、定着器３０と電荷移動層４とを接触させる
ことなく現像剤１０を電荷移動層４に定着させることに
より隔壁１１を形成する。
【００４０】または、図７（ａ）に示すように、所定の
パターンを有する静電潜像９に対して、ハロゲンランプ
を内在したアルミ素管の外周にポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ）やポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）
等フッ素系化合物等離型性を有する材料をコートして形
成されたヒートローラ１６を用いて、現像剤１０を電荷
移動層４表面に定着させてもよい。定着温度は、用いる
現像剤中のバインダ樹脂の種類によって異なるが、通常
１００〜１４０℃である。静電潜像９は用途・目的に応
じて自在な形に形成できるため、静電潜像９を用いて現
像を行うことによりいかなる形の表示パネルやサブピク
セルの配置にも対応することができる。
パターンを有する静電潜像９に対して、ハロゲンランプ
を内在したアルミ素管の外周にポリテトラフルオロエチ
レン（ＰＴＦＥ）やポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）
等フッ素系化合物等離型性を有する材料をコートして形
成されたヒートローラ１６を用いて、現像剤１０を電荷
移動層４表面に定着させてもよい。定着温度は、用いる
現像剤中のバインダ樹脂の種類によって異なるが、通常
１００〜１４０℃である。静電潜像９は用途・目的に応
じて自在な形に形成できるため、静電潜像９を用いて現
像を行うことによりいかなる形の表示パネルやサブピク
セルの配置にも対応することができる。
【００４１】続いて、図４（ｂ）に示すように、シャド
ーマスク１８を透明電極２の延在方向と直交するように
配置し、真空蒸着法により、有機材料からなる発光層１
２及び電子輸送層１３、カソードである第２電極１４を
順に成膜する。シャドーマスク１８はＳＵＳ、銅ニッケ
ル等のメッキされた金属材料から作成されており、複数
のストライプ状のマスク部１８０と、マスク部１８０間
に設置されたエッチング部（マスク孔）１８１とを有し
ている。
ーマスク１８を透明電極２の延在方向と直交するように
配置し、真空蒸着法により、有機材料からなる発光層１
２及び電子輸送層１３、カソードである第２電極１４を
順に成膜する。シャドーマスク１８はＳＵＳ、銅ニッケ
ル等のメッキされた金属材料から作成されており、複数
のストライプ状のマスク部１８０と、マスク部１８０間
に設置されたエッチング部（マスク孔）１８１とを有し
ている。
【００４２】カラー有機ＥＬパネルに用いるカラーパネ
ル用のシャドーマスクは一般に２色分のサブピクセル＋
スペース幅１５０〜２５０μｍの間隔おきに１色のサブ
ピクセル幅（エッチング部１８１の幅）６０〜１００μ
ｍがエッチング加工されている。一方、単色ドットパネ
ル用のシャドーマスクの場合、マスク部１８０の幅が２
００〜３００μｍでエッチング加工されており、エッチ
ング部（マスク孔）１８１の幅は１５〜３０μｍであ
る。
ル用のシャドーマスクは一般に２色分のサブピクセル＋
スペース幅１５０〜２５０μｍの間隔おきに１色のサブ
ピクセル幅（エッチング部１８１の幅）６０〜１００μ
ｍがエッチング加工されている。一方、単色ドットパネ
ル用のシャドーマスクの場合、マスク部１８０の幅が２
００〜３００μｍでエッチング加工されており、エッチ
ング部（マスク孔）１８１の幅は１５〜３０μｍであ
る。
【００４３】例えば、レッド発光層１２０、グリーン発
光層１２１、ブルー発光層１２２をそれぞれ形成する場
合、成膜しようとするサブピクセル、例えば、レッドピ
クセルにシャドーマスク１８のエッチング部（マスク
孔）１８１が位置するように、隔壁１１上にシャドーマ
スク１８を設置後（図４（ｂ）参照）、図５（ａ）に示
すように、レッド発光層１２０、電子輸送層（ＥＴＬ）
１３、第２電極１４を順に蒸着し成膜する。
光層１２１、ブルー発光層１２２をそれぞれ形成する場
合、成膜しようとするサブピクセル、例えば、レッドピ
クセルにシャドーマスク１８のエッチング部（マスク
孔）１８１が位置するように、隔壁１１上にシャドーマ
スク１８を設置後（図４（ｂ）参照）、図５（ａ）に示
すように、レッド発光層１２０、電子輸送層（ＥＴＬ）
１３、第２電極１４を順に蒸着し成膜する。
【００４４】次に、シャドーマスク１８を１サブピクセ
ル分（１色分）ずらしてグリーン発光層１２１、電子輸
送層（ＥＴＬ）１３、第２電極１４を順に蒸着し成膜す
る。
ル分（１色分）ずらしてグリーン発光層１２１、電子輸
送層（ＥＴＬ）１３、第２電極１４を順に蒸着し成膜す
る。
【００４５】最後に、マスクを１サブピクセル分ずらし
てブルー発光層１２２、電子輸送層（ＥＴＬ）１３、第
２電極１４を順に蒸着し成膜する。これらの発光層１２
及び電子輸送層１３は前述した３色材料を用いて形成す
る。カソードである第２電極１４は、Ｍｇ：ＡｇやＡ
ｌ：Ｌｉを合金または共蒸着法を用いて真空蒸着を行う
ことにより形成する。以上の工程により、発光パターン
及び陰極が隔壁１１により分離された有機ＥＬパネルを
得る。
てブルー発光層１２２、電子輸送層（ＥＴＬ）１３、第
２電極１４を順に蒸着し成膜する。これらの発光層１２
及び電子輸送層１３は前述した３色材料を用いて形成す
る。カソードである第２電極１４は、Ｍｇ：ＡｇやＡ
ｌ：Ｌｉを合金または共蒸着法を用いて真空蒸着を行う
ことにより形成する。以上の工程により、発光パターン
及び陰極が隔壁１１により分離された有機ＥＬパネルを
得る。
【００４６】上記方法によると、従来用いられている真
空蒸着でマスクをスライドさせる方法と比較して、シャ
ドーマスク１８と透明基板１との間の距離が常に一定と
なることから、マスクが基板に接触することによる傷の
発生等物理的な画素欠陥を少なくすることができる。
空蒸着でマスクをスライドさせる方法と比較して、シャ
ドーマスク１８と透明基板１との間の距離が常に一定と
なることから、マスクが基板に接触することによる傷の
発生等物理的な画素欠陥を少なくすることができる。
【００４７】さらに、ショートの発生やマスクの歪みや
位置ずれによる材料の回り込みを低減することができる
ため、色ずれ・位置ずれが発生せずエッジのシャープな
パネルを得ることができる。そのうえ、分離不足を起こ
すことがなくなる。以上により高い寸法精度、位置精度
を確保することができる。
位置ずれによる材料の回り込みを低減することができる
ため、色ずれ・位置ずれが発生せずエッジのシャープな
パネルを得ることができる。そのうえ、分離不足を起こ
すことがなくなる。以上により高い寸法精度、位置精度
を確保することができる。
【００４８】また、真空蒸着時に分離用隔壁１１をガイ
ドとして用いることができるため、マスクの位置合わせ
が容易となり、製造時に必要とされる労力を少なくする
ことができる。
ドとして用いることができるため、マスクの位置合わせ
が容易となり、製造時に必要とされる労力を少なくする
ことができる。
【００４９】また、前述した図４（ｂ）に示される工程
における真空蒸着法により発光層１２、電子輸送層１
３、第２電極１４を順に成膜する方法の代わりに、図７
（ｂ）に示すような斜方蒸着によりこれらを形成するこ
ともできる。斜方蒸着により発光層１２等を形成する場
合、分離用の隔壁１１をシャドーマスク１８のように用
い、透明基板１を蒸着源２０から一定角度をつけ、蒸発
流２１１が透明基板１に対して斜めに入射するように蒸
着を行うことにより色分離及び陰極分離を行う。
における真空蒸着法により発光層１２、電子輸送層１
３、第２電極１４を順に成膜する方法の代わりに、図７
（ｂ）に示すような斜方蒸着によりこれらを形成するこ
ともできる。斜方蒸着により発光層１２等を形成する場
合、分離用の隔壁１１をシャドーマスク１８のように用
い、透明基板１を蒸着源２０から一定角度をつけ、蒸発
流２１１が透明基板１に対して斜めに入射するように蒸
着を行うことにより色分離及び陰極分離を行う。
【００５０】この場合、透明電極２上に電荷発生層３、
電荷移動層４を塗膜し、帯電器を用いて電荷移動層４表
面を一様に帯電させる工程までは、シャドーマスク１８
を用いる方法と基本的に同様である。次に、半導体レー
ザを用いてＩＴＯの透明電極パターンに直交するよう
に、後の工程後において所望の分離用の隔壁１１となる
箇所を選択的に露光を行い静電潜像９を形成する。
電荷移動層４を塗膜し、帯電器を用いて電荷移動層４表
面を一様に帯電させる工程までは、シャドーマスク１８
を用いる方法と基本的に同様である。次に、半導体レー
ザを用いてＩＴＯの透明電極パターンに直交するよう
に、後の工程後において所望の分離用の隔壁１１となる
箇所を選択的に露光を行い静電潜像９を形成する。
【００５１】ＲＧＢ３色塗り分けのためには、図７
（ｂ）に示されるように、分離用隔壁の高さを変えると
色分離が容易となる。このような隔壁の高さを変える方
法としては、露光量を変えて露光電位Ｖｉに差を持たせ
るか、若しくは低い方の隔壁となる部分への露光デュー
ティを小さくするか、或いは現像バイアスを変えること
により現像剤１０の現像効率を変えることにより行って
もよい。また、上記方法を組み合わせて隔壁を作成して
もよい。隔壁として、ＲＧＢ１画素の両側に低い隔壁１
１０を２本と、各色のスペース部（ここではＲとＧ、Ｇ
とＢのサブピクセル間）に高い隔壁１１１を設ける。
（ｂ）に示されるように、分離用隔壁の高さを変えると
色分離が容易となる。このような隔壁の高さを変える方
法としては、露光量を変えて露光電位Ｖｉに差を持たせ
るか、若しくは低い方の隔壁となる部分への露光デュー
ティを小さくするか、或いは現像バイアスを変えること
により現像剤１０の現像効率を変えることにより行って
もよい。また、上記方法を組み合わせて隔壁を作成して
もよい。隔壁として、ＲＧＢ１画素の両側に低い隔壁１
１０を２本と、各色のスペース部（ここではＲとＧ、Ｇ
とＢのサブピクセル間）に高い隔壁１１１を設ける。
【００５２】隔壁の高さは各材料の蒸着流の入射角によ
り決定される。しかしながら、隔壁が低すぎると入射角
が浅くなり膜厚ムラや各色エッジ部の切れが悪くなるた
め混色が発生しやすい。一方、隔壁が高すぎると蒸着流
の制御が困難である。このことから、サブピクセル幅：
隔壁の高さの比を０．５〜１０にするのがよい。
り決定される。しかしながら、隔壁が低すぎると入射角
が浅くなり膜厚ムラや各色エッジ部の切れが悪くなるた
め混色が発生しやすい。一方、隔壁が高すぎると蒸着流
の制御が困難である。このことから、サブピクセル幅：
隔壁の高さの比を０．５〜１０にするのがよい。
【００５３】また、隔壁を利用して斜方蒸着により色分
離を行う場合に磁性紛を添加した現像剤を用いて現像を
行い隔壁を作成することにより、磁力を利用することに
より現像剤１０の幅・高さをより精密に制御できるた
め、画質を向上させることができる。この様にして作製
された高さの異なる隔壁をシャドーマスクとして利用し
蒸着を行う。
離を行う場合に磁性紛を添加した現像剤を用いて現像を
行い隔壁を作成することにより、磁力を利用することに
より現像剤１０の幅・高さをより精密に制御できるた
め、画質を向上させることができる。この様にして作製
された高さの異なる隔壁をシャドーマスクとして利用し
蒸着を行う。
【００５４】前述したレッド又はブルーの発光材料を透
明電極付き基板と蒸着源に角度をもたせ、低い隔壁１１
０と高い隔壁１１１との間に（例えば矢印Ｘ方向から）
斜方蒸着を行う。
明電極付き基板と蒸着源に角度をもたせ、低い隔壁１１
０と高い隔壁１１１との間に（例えば矢印Ｘ方向から）
斜方蒸着を行う。
【００５５】次に、レッド、ブルーのうち、先に蒸着を
しなかった材料を反対の方向（例えば矢印Ｙ方向から）
から透明基板１と蒸着源に角度をもたせ低い隔壁１１０
と高い隔壁１１１との間に斜方蒸着を行う。
しなかった材料を反対の方向（例えば矢印Ｙ方向から）
から透明基板１と蒸着源に角度をもたせ低い隔壁１１０
と高い隔壁１１１との間に斜方蒸着を行う。
【００５６】最後に、グリーンの発光材料を蒸着する。
この場合、トリス（８−キノリノール）アルミニウム等
に代表される電子輸送性の緑色材料を用いた場合、グリ
ーン発光層１２１は、レッド発光層１２０、ブルー発光
層１２２に対しては電子輸送層として用いることができ
るため、既にレッド、ブルーの蒸着が行われた基板に対
して一様にグリーンの発光材料の蒸着を行う。最後に、
前述したようにＡｌ：Ｌｉ等の第２電極１４を一様に蒸
着する。
この場合、トリス（８−キノリノール）アルミニウム等
に代表される電子輸送性の緑色材料を用いた場合、グリ
ーン発光層１２１は、レッド発光層１２０、ブルー発光
層１２２に対しては電子輸送層として用いることができ
るため、既にレッド、ブルーの蒸着が行われた基板に対
して一様にグリーンの発光材料の蒸着を行う。最後に、
前述したようにＡｌ：Ｌｉ等の第２電極１４を一様に蒸
着する。
【００５７】また、図３（ｂ）に示される工程におい
て、現像剤１０中に含まれるバインダ樹脂にＦｅ3Ｏ4や
ＭｎＯ・Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ・Ｆｅ2Ｏ3に代表されるマグ
ネタイト、フェライト等の磁性粉を混錬して用いてもよ
い。磁性粉を加えた現像剤１０を用いて現像を行う場
合、ヒートローラ内部に磁性をもたせたマグネットロー
ラを用いるか、若しくはフラッシュランプ使用時に電荷
移動層４近傍に磁石を設置し、現像剤を引きつける。こ
れにより分離用隔壁１１の微細化や高さの調整を図るこ
とができる。
て、現像剤１０中に含まれるバインダ樹脂にＦｅ3Ｏ4や
ＭｎＯ・Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ・Ｆｅ2Ｏ3に代表されるマグ
ネタイト、フェライト等の磁性粉を混錬して用いてもよ
い。磁性粉を加えた現像剤１０を用いて現像を行う場
合、ヒートローラ内部に磁性をもたせたマグネットロー
ラを用いるか、若しくはフラッシュランプ使用時に電荷
移動層４近傍に磁石を設置し、現像剤を引きつける。こ
れにより分離用隔壁１１の微細化や高さの調整を図るこ
とができる。
【００５８】マグネットローラを用いる場合は、図６
（ｂ）に示される現像器２７における現像剤担持体２５
の代わりに、図８に示すように、マグネットローラ２８
を用い、マグネットローラ２８を回転させることによ
り、磁性粉を添加した現像剤１０を電子移動層４表面に
供給する現像器２９を用いて現像を行う。この場合、マ
グネットローラ２８の磁石を現像剤１０に近接させるこ
とにより、現像剤１０の幅、高さをより精密に制御する
ことができる。
（ｂ）に示される現像器２７における現像剤担持体２５
の代わりに、図８に示すように、マグネットローラ２８
を用い、マグネットローラ２８を回転させることによ
り、磁性粉を添加した現像剤１０を電子移動層４表面に
供給する現像器２９を用いて現像を行う。この場合、マ
グネットローラ２８の磁石を現像剤１０に近接させるこ
とにより、現像剤１０の幅、高さをより精密に制御する
ことができる。
【００５９】また、磁性粉は黒色着色顔料としても用い
られていることから、磁性粉をバインダ樹脂に添加した
現像剤１０を用いて黒色の隔壁１１を形成することによ
り、ディスプレイとしての画質のコントラストを向上さ
せることができる。或いは、磁性粉の代わりに、ファー
ネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラッ
ク、ケッチェンブラックに代表されるカーボンブラック
等の黒色材料を微量混錬することにより、隔壁を黒色に
することもできる。
られていることから、磁性粉をバインダ樹脂に添加した
現像剤１０を用いて黒色の隔壁１１を形成することによ
り、ディスプレイとしての画質のコントラストを向上さ
せることができる。或いは、磁性粉の代わりに、ファー
ネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラッ
ク、ケッチェンブラックに代表されるカーボンブラック
等の黒色材料を微量混錬することにより、隔壁を黒色に
することもできる。
【００６０】以上の工程により得られた本実施形態に係
る有機ＥＬパネルにおいては、隔壁の幅が１０〜４０μ
ｍであること、すなわち隣接する発光層間の距離が１０
〜４０μｍであることが望ましい。ここで、隔壁１１の
幅が１０μｍ未満である場合には、発光層１２を十分に
分離することができないため、画質の低下が考えられ
る。
る有機ＥＬパネルにおいては、隔壁の幅が１０〜４０μ
ｍであること、すなわち隣接する発光層間の距離が１０
〜４０μｍであることが望ましい。ここで、隔壁１１の
幅が１０μｍ未満である場合には、発光層１２を十分に
分離することができないため、画質の低下が考えられ
る。
【００６１】一方、隔壁１１の幅が４０μｍより大きい
場合には、開口率が小さくなるため画素の高精細化が困
難となることが考えられる。しかしながら、本実施形態
に係る有機ＥＬパネルにおいては、隔壁の幅が１０〜４
０μｍであること、すなわち隣接する発光層間の距離が
１０〜４０μｍであることにより、発光層を確実に分離
することができるとともに、開口率を大きくすることが
できるため画素が微細化された高精細表示パネルが実現
できる。
場合には、開口率が小さくなるため画素の高精細化が困
難となることが考えられる。しかしながら、本実施形態
に係る有機ＥＬパネルにおいては、隔壁の幅が１０〜４
０μｍであること、すなわち隣接する発光層間の距離が
１０〜４０μｍであることにより、発光層を確実に分離
することができるとともに、開口率を大きくすることが
できるため画素が微細化された高精細表示パネルが実現
できる。
【００６２】また、本実施形態に係る有機ＥＬパネルの
製造方法においては、色分離、パターン形成、陰極分離
等が簡便に行うことができる。さらに、これらの工程は
いずれもドライプロセスを利用するものであるため、ダ
ークスポットの発生、成長を防ぐことができ、生産性の
向上を図ることができる。また、隔壁の幅を１０〜４０
μｍの幅に微細加工することができるため、画素数を増
やすことが可能となり画像の分解能を向上させることが
できる。
製造方法においては、色分離、パターン形成、陰極分離
等が簡便に行うことができる。さらに、これらの工程は
いずれもドライプロセスを利用するものであるため、ダ
ークスポットの発生、成長を防ぐことができ、生産性の
向上を図ることができる。また、隔壁の幅を１０〜４０
μｍの幅に微細加工することができるため、画素数を増
やすことが可能となり画像の分解能を向上させることが
できる。
【００６３】なお、有機ＥＬパネルの発光層の形成方法
において、電荷発生層を選択的に露光し、電荷移動層上
に形成された静電潜像を現像して発光パターンを形成す
る技術が特開平１１−１２６６８７号公報に開示されて
いるが、同公報は、隔壁のないＥＬパネルを対象とする
ものであり、本発明の隔壁を備えた有機ＥＬパネルの製
造方法を示唆する記載は見当たらない。単に静電潜像を
利用する点にのみ共通点があるに過ぎない。
において、電荷発生層を選択的に露光し、電荷移動層上
に形成された静電潜像を現像して発光パターンを形成す
る技術が特開平１１−１２６６８７号公報に開示されて
いるが、同公報は、隔壁のないＥＬパネルを対象とする
ものであり、本発明の隔壁を備えた有機ＥＬパネルの製
造方法を示唆する記載は見当たらない。単に静電潜像を
利用する点にのみ共通点があるに過ぎない。
【００６４】以下、基本的な本実施形態に係る有機ＥＬ
パネル及び有機ＥＬパネルの製造方法の、より具体的な
実施形態について、図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）本発明の第１の実施形態として、カ
ラー有機ＥＬパネル及びその製造方法について説明す
る。
パネル及び有機ＥＬパネルの製造方法の、より具体的な
実施形態について、図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）本発明の第１の実施形態として、カ
ラー有機ＥＬパネル及びその製造方法について説明す
る。
【００６５】図９の平面図に示すように、厚さ１．１ｍ
ｍのガラス等からなる透明基板１にスパッタによりＩＴ
Ｏ膜を１３０ｎｍ成膜したのちリソグラフィーとウェッ
トエッチングにより複数のストライプ状の透明電極２を
形成した。透明電極２のシート抵抗は、１２Ω／ｃ
ｍ2、配線幅は２４０μｍ、スペース２０μｍであっ
た。
ｍのガラス等からなる透明基板１にスパッタによりＩＴ
Ｏ膜を１３０ｎｍ成膜したのちリソグラフィーとウェッ
トエッチングにより複数のストライプ状の透明電極２を
形成した。透明電極２のシート抵抗は、１２Ω／ｃ
ｍ2、配線幅は２４０μｍ、スペース２０μｍであっ
た。
【００６６】次に、無金属フタロシアニンとブチラール
樹脂を重量比で３．０：１となるよう秤量し、ＴＨＦに
溶かしミキサーで分散させ、固形分比率３ｗｔ％の分散
塗料を作製した。この分散塗料をスピンコートにより透
明電極２の上に塗布することにより膜厚１５０ｎｍの電
荷発生層３を形成した。続いて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ、Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミンとポリカーボネートを重量
比で２．５：１となるよう秤量した後、これらをジクロ
ロメタンに溶かし固形分比率２ｗｔ％の分散塗料を作製
した。この分散塗料をスピンコートにより電荷発生層３
の上に塗布することにより膜厚２００ｎｍの電荷移動層
４を形成した（図２（ａ）参照）。
樹脂を重量比で３．０：１となるよう秤量し、ＴＨＦに
溶かしミキサーで分散させ、固形分比率３ｗｔ％の分散
塗料を作製した。この分散塗料をスピンコートにより透
明電極２の上に塗布することにより膜厚１５０ｎｍの電
荷発生層３を形成した。続いて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ、Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミンとポリカーボネートを重量
比で２．５：１となるよう秤量した後、これらをジクロ
ロメタンに溶かし固形分比率２ｗｔ％の分散塗料を作製
した。この分散塗料をスピンコートにより電荷発生層３
の上に塗布することにより膜厚２００ｎｍの電荷移動層
４を形成した（図２（ａ）参照）。
【００６７】上記有機層（電荷発生層３及び電荷移動層
４）を形成した透明基板１に、図２（ｂ）に示すよう
に、スコロトロン等のコロナ放電を用いる非接触式帯電
器５を用いて表面電位Ｖｏ＝−４００Ｖに帯電させた。
スコロトロンワイヤの印加電圧はＤＣ約−３ＫＶ、定電
流制御５００μＡ、グリッド電圧Ｖｇ＝−４００Ｖであ
った。
４）を形成した透明基板１に、図２（ｂ）に示すよう
に、スコロトロン等のコロナ放電を用いる非接触式帯電
器５を用いて表面電位Ｖｏ＝−４００Ｖに帯電させた。
スコロトロンワイヤの印加電圧はＤＣ約−３ＫＶ、定電
流制御５００μＡ、グリッド電圧Ｖｇ＝−４００Ｖであ
った。
【００６８】次に、反転現像を行うために、図３（ａ）
に示すように、半導体レーザを用いた露光器８を用いて
透明電極２のストライプ状の配線パターンに直交するよ
うに、後の工程において形成するカソード電極間の溝に
該当する部分（図９の１１参照）を選択的に露光を行っ
た。露光器の波長は、電荷発生層に含まれる電荷発生剤
の吸収波長である７８０ｎｍであった。露光量は０．３
ｍＷ／ｃｍ２、露光スポット径は１０μｍ、露光幅３０
μｍである。電荷移動層４の表面電位Ｖｏ＝−４００
Ｖ、露光電位Ｖｉ＝−４０Ｖの静電潜像９（図３（ｂ）
参照）を形成した。
に示すように、半導体レーザを用いた露光器８を用いて
透明電極２のストライプ状の配線パターンに直交するよ
うに、後の工程において形成するカソード電極間の溝に
該当する部分（図９の１１参照）を選択的に露光を行っ
た。露光器の波長は、電荷発生層に含まれる電荷発生剤
の吸収波長である７８０ｎｍであった。露光量は０．３
ｍＷ／ｃｍ２、露光スポット径は１０μｍ、露光幅３０
μｍである。電荷移動層４の表面電位Ｖｏ＝−４００
Ｖ、露光電位Ｖｉ＝−４０Ｖの静電潜像９（図３（ｂ）
参照）を形成した。
【００６９】次に、図３（ｂ）に示すように、現像剤と
して黒色着色材料であるチャンネルブラックを７％及び
電子受容性物質であるモノアゾ染料の金属錯体を用いた
帯電制御剤を２％混練したポリエステル樹脂を、体積中
心粒径４μｍまで粉砕することにより平均帯電量−１１
μＣ／ｇとし、現像バイアスＶｂ＝−１５０Ｖを印加し
て現像を行い、隔壁部分（露光部）に現像剤１０を付着
させた。
して黒色着色材料であるチャンネルブラックを７％及び
電子受容性物質であるモノアゾ染料の金属錯体を用いた
帯電制御剤を２％混練したポリエステル樹脂を、体積中
心粒径４μｍまで粉砕することにより平均帯電量−１１
μＣ／ｇとし、現像バイアスＶｂ＝−１５０Ｖを印加し
て現像を行い、隔壁部分（露光部）に現像剤１０を付着
させた。
【００７０】続いて、図４（ａ）に示すように、キセノ
ンフラッシュランプ等の定着器３０を用いて１２０℃で
現像剤１０を非接触定着させることにより隔壁１１を形
成した。
ンフラッシュランプ等の定着器３０を用いて１２０℃で
現像剤１０を非接触定着させることにより隔壁１１を形
成した。
【００７１】次に、図４（ｂ）に示すように、シャドー
マスク１８のマスク孔１８１をレッドの発光層部分（図
９のＲ）に合わせるようにシャドーマスク１８を隔壁１
１の上に位置合わせして設置した。レッド発光層１２０
としてトリス（８−キノリノール）アルミニウムにドー
パントとして４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−
（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣ
Ｍ、ドーピング濃度２．５ｗｔ％）を３５ｎｍ共蒸着、
電子輸送層１３としてＡｌｑ３を３５ｎｍ蒸着により形
成した。
マスク１８のマスク孔１８１をレッドの発光層部分（図
９のＲ）に合わせるようにシャドーマスク１８を隔壁１
１の上に位置合わせして設置した。レッド発光層１２０
としてトリス（８−キノリノール）アルミニウムにドー
パントとして４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−
（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣ
Ｍ、ドーピング濃度２．５ｗｔ％）を３５ｎｍ共蒸着、
電子輸送層１３としてＡｌｑ３を３５ｎｍ蒸着により形
成した。
【００７２】最後に、電子輸送層１３上にＡｌ：Ｌｉを
共蒸着により３０ｎｍ、その後アルミニウムのみを１５
０ｎｍ蒸着することにより第２電極１４を形成した。グ
リーン発光層の形成は、シャドーマスク１８をずらして
グリーン発光層を形成する箇所へマスク孔１８１の位置
合わせを行い、レッド発光層１２０を形成するのと同様
にグリーン発光層１２１、電子輸送層１３、第２電極１
４を蒸着により形成した。トリス（８ーキノリノール）
アルミニウムをホストに、ドーパントとして２，９―ジ
メチルキナクリドン（ドーピング濃度３ｗｔ％）を用い
て３５ｎｍ厚に共蒸着させてグリーン発光層１２１を形
成した。
共蒸着により３０ｎｍ、その後アルミニウムのみを１５
０ｎｍ蒸着することにより第２電極１４を形成した。グ
リーン発光層の形成は、シャドーマスク１８をずらして
グリーン発光層を形成する箇所へマスク孔１８１の位置
合わせを行い、レッド発光層１２０を形成するのと同様
にグリーン発光層１２１、電子輸送層１３、第２電極１
４を蒸着により形成した。トリス（８ーキノリノール）
アルミニウムをホストに、ドーパントとして２，９―ジ
メチルキナクリドン（ドーピング濃度３ｗｔ％）を用い
て３５ｎｍ厚に共蒸着させてグリーン発光層１２１を形
成した。
【００７３】続いて、グリーン発光層１２１の上にトリ
ス（８ーキノリノール）アルミニウムを３５ｎｍ厚に蒸
着させることにより電子輸送層１３を形成した後、Ａ
ｌ：Ｌｉを３０ｎｍ厚に共蒸着し、その後アルミニウム
のみを１５０ｎｍ蒸着することにより第２電極１４を形
成した。
ス（８ーキノリノール）アルミニウムを３５ｎｍ厚に蒸
着させることにより電子輸送層１３を形成した後、Ａ
ｌ：Ｌｉを３０ｎｍ厚に共蒸着し、その後アルミニウム
のみを１５０ｎｍ蒸着することにより第２電極１４を形
成した。
【００７４】ブルー発光層形成についても同様に、シャ
ドーマスク１８をずらしてブルー発光層を形成する箇所
へマスク孔１８１の位置合わせを行い、レッド発光層１
２０を形成するのと同様にブルー発光層１２２、電子輸
送層１３、第２電極１４を蒸着により形成した。ブルー
の発光層１２２には、４，４’−ビス（２，２−ジフェ
ニルビニル）ビフェニルを３５ｎｍ厚に蒸着し、さらに
レッド、グリーンと同様な材料を用いて、電子輸送層１
３、第２電極１４を蒸着により形成した。
ドーマスク１８をずらしてブルー発光層を形成する箇所
へマスク孔１８１の位置合わせを行い、レッド発光層１
２０を形成するのと同様にブルー発光層１２２、電子輸
送層１３、第２電極１４を蒸着により形成した。ブルー
の発光層１２２には、４，４’−ビス（２，２−ジフェ
ニルビニル）ビフェニルを３５ｎｍ厚に蒸着し、さらに
レッド、グリーンと同様な材料を用いて、電子輸送層１
３、第２電極１４を蒸着により形成した。
【００７５】１ピクセル２７０×２７０μｍ、サブピク
セル７０μｍ、スペース２０μｍ、画素数水平３２０×
垂直２４０ドットのカラー表示が可能な有機ＥＬパネル
を得た（図５（ａ）参照）。係る有機ＥＬパネルにおい
ては、黒色着色材料を添加した現像剤を用いたため隔壁
が黒色であり、コントラストは３００Ｌｕｘ下で８０：
１であった。 （第２の実施形態）次に、本発明の有機ＥＬパネル及び
その製造方法の第２の実施形態について説明する。
セル７０μｍ、スペース２０μｍ、画素数水平３２０×
垂直２４０ドットのカラー表示が可能な有機ＥＬパネル
を得た（図５（ａ）参照）。係る有機ＥＬパネルにおい
ては、黒色着色材料を添加した現像剤を用いたため隔壁
が黒色であり、コントラストは３００Ｌｕｘ下で８０：
１であった。 （第２の実施形態）次に、本発明の有機ＥＬパネル及び
その製造方法の第２の実施形態について説明する。
【００７６】図１０（ａ）の平面図に示すように、厚さ
１．１ｍｍのガラス等からなる透明基板１にスパッタに
よりＩＴＯ膜を１３０ｎｍ成膜したのちリソグラフィー
とウェットエッチングにより透明電極２をストライプ状
に形成した。透明電極２のシート抵抗は１２Ω／ｃｍ2
であり、また、透明電極２の上にＲＧＢ３色を塗り分け
るため、第１の実施形態とは異なって、透明電極２の配
線幅は７０μｍ、透明電極２のスペースは１５μｍとし
た。
１．１ｍｍのガラス等からなる透明基板１にスパッタに
よりＩＴＯ膜を１３０ｎｍ成膜したのちリソグラフィー
とウェットエッチングにより透明電極２をストライプ状
に形成した。透明電極２のシート抵抗は１２Ω／ｃｍ2
であり、また、透明電極２の上にＲＧＢ３色を塗り分け
るため、第１の実施形態とは異なって、透明電極２の配
線幅は７０μｍ、透明電極２のスペースは１５μｍとし
た。
【００７７】次に、銅フタロシアニンとブチラール樹脂
を重量比で３．０：１となるよう秤量し、ＴＨＦに溶か
しミキサーで分散させ、固形分比率３ｗｔ％の分散塗料
を作製した。この分散塗料をスピンコートにより透明電
極２の上に塗布することにより膜厚１５０ｎｍの電荷発
生層３を形成した。
を重量比で３．０：１となるよう秤量し、ＴＨＦに溶か
しミキサーで分散させ、固形分比率３ｗｔ％の分散塗料
を作製した。この分散塗料をスピンコートにより透明電
極２の上に塗布することにより膜厚１５０ｎｍの電荷発
生層３を形成した。
【００７８】続いて、Ｎ，Ｎ‘−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’
−ビス（α―ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンとポリカーボネートとを重量比で２．
５：１となるよう秤量した後、これらをジクロロメタン
に溶かし固形分比率２ｗｔ％の分散塗料を作製した。こ
の分散塗液をスピンコートにより電荷発生層３の上に塗
布することにより、膜厚２００ｎｍの電荷移動層４を形
成した（図２（ａ）参照）。
−ビス（α―ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンとポリカーボネートとを重量比で２．
５：１となるよう秤量した後、これらをジクロロメタン
に溶かし固形分比率２ｗｔ％の分散塗料を作製した。こ
の分散塗液をスピンコートにより電荷発生層３の上に塗
布することにより、膜厚２００ｎｍの電荷移動層４を形
成した（図２（ａ）参照）。
【００７９】上記有機層（電荷発生層３及び電荷移動層
４）を形成した透明基板１に対して、図２（ｂ）に示す
ように、スコロトロン等の非接触式帯電器５を用いて電
荷移動層４の表面を表面電位Ｖｏ＝−４００Ｖに帯電さ
せた。スコロトロンワイヤの印加電圧はＤＣ約−３Ｋ
Ｖ、定電流制御５００μＡ、グリッド電圧Ｖｇ＝−４０
０Ｖであった。
４）を形成した透明基板１に対して、図２（ｂ）に示す
ように、スコロトロン等の非接触式帯電器５を用いて電
荷移動層４の表面を表面電位Ｖｏ＝−４００Ｖに帯電さ
せた。スコロトロンワイヤの印加電圧はＤＣ約−３Ｋ
Ｖ、定電流制御５００μＡ、グリッド電圧Ｖｇ＝−４０
０Ｖであった。
【００８０】次に、反転現像を行うために、図３（ａ）
に示すように、半導体レーザ等の露光器８を用いて、透
明電極２のストライプ状の配線パターンに直交し、所望
の形状を有する隔壁を形成するために電荷発生層３に対
して選択的に露光を行った。
に示すように、半導体レーザ等の露光器８を用いて、透
明電極２のストライプ状の配線パターンに直交し、所望
の形状を有する隔壁を形成するために電荷発生層３に対
して選択的に露光を行った。
【００８１】各画素を図１０（ａ）の平面図に示される
ような形状とするため、隔壁もクランク状とする。露光
器の波長、露光量、露光スポット径、露光幅は第１の実
施形態と同様である。電荷移動層４の表面に表面電位Ｖ
ｏ＝−４００Ｖ、露光電位Ｖｉ＝−５０Ｖの静電潜像９
（図３（ｂ）参照）を形成した。
ような形状とするため、隔壁もクランク状とする。露光
器の波長、露光量、露光スポット径、露光幅は第１の実
施形態と同様である。電荷移動層４の表面に表面電位Ｖ
ｏ＝−４００Ｖ、露光電位Ｖｉ＝−５０Ｖの静電潜像９
（図３（ｂ）参照）を形成した。
【００８２】次に、現像剤として黒色着色材料であるチ
ャンネルブラックを７％、電子受容性物質であるモノア
ゾ染料の金属錯体を用いた帯電制御剤を２％混練したポ
リエステル樹脂を、体積中心粒径４μｍまで粉砕するこ
とにより平均帯電量−１１μＣ／ｇとした。この現像剤
を用いて、図３（ｂ）のように、現像バイアスＶｂ＝−
１５０Ｖを印加して現像を行い、隔壁部分（露光部）に
現像剤１０を付着させた。
ャンネルブラックを７％、電子受容性物質であるモノア
ゾ染料の金属錯体を用いた帯電制御剤を２％混練したポ
リエステル樹脂を、体積中心粒径４μｍまで粉砕するこ
とにより平均帯電量−１１μＣ／ｇとした。この現像剤
を用いて、図３（ｂ）のように、現像バイアスＶｂ＝−
１５０Ｖを印加して現像を行い、隔壁部分（露光部）に
現像剤１０を付着させた。
【００８３】続いて、図４（ａ）に示すように、キセノ
ンフラッシュランプ等の定着器３０を用いて１２０℃で
現像剤１０を非接触定着させることにより隔壁１１を形
成した。隔壁１１の高さは７μｍであった。
ンフラッシュランプ等の定着器３０を用いて１２０℃で
現像剤１０を非接触定着させることにより隔壁１１を形
成した。隔壁１１の高さは７μｍであった。
【００８４】次に、図４（ｂ）に示すように、シャドー
マスク１８のマスク孔１８１をレッド発光層部分に合わ
せるように（透明電極２の配線パターン上に）シャドー
マスク１８を隔壁１１の上に位置合わせして設置した。
マスク１８のマスク孔１８１をレッド発光層部分に合わ
せるように（透明電極２の配線パターン上に）シャドー
マスク１８を隔壁１１の上に位置合わせして設置した。
【００８５】次に、図５（ａ）に示すように、レッド発
光層１２０としてトリス（８ーキノリノール）アルミニ
ウム（Ａｌｑ３）にドーパントとして４−ジシアノメチ
レン−２−メチル−６−（ｐ− ジメチルアミノスチリ
ル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、ドーピング濃度２．５ｗ
ｔ％）を３５ｎｍ厚に共蒸着し、電子輸送層１３として
トリス（８−キノリノール）アルミニウムを蒸着により
３５ｎｍ厚に形成した。
光層１２０としてトリス（８ーキノリノール）アルミニ
ウム（Ａｌｑ３）にドーパントとして４−ジシアノメチ
レン−２−メチル−６−（ｐ− ジメチルアミノスチリ
ル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、ドーピング濃度２．５ｗ
ｔ％）を３５ｎｍ厚に共蒸着し、電子輸送層１３として
トリス（８−キノリノール）アルミニウムを蒸着により
３５ｎｍ厚に形成した。
【００８６】グリーン発光層１２１の形成は、シャドー
マスク１８をずらしてグリーン発光層１２１を形成する
箇所へマスク孔１８１の位置合わせを行い、レッド発光
層１２０を形成するのと同様に発光層１２、電子輸送層
１３を蒸着により形成した。トリス（８ーキノリノー
ル）アルミニウムをホストに、ドーパントとして２，９
―ジメチルキナクリドン（ドーピング濃度３ｗｔ％）を
用いて３５ｎｍ厚に共蒸着してグリーン発光層１２１を
形成した。
マスク１８をずらしてグリーン発光層１２１を形成する
箇所へマスク孔１８１の位置合わせを行い、レッド発光
層１２０を形成するのと同様に発光層１２、電子輸送層
１３を蒸着により形成した。トリス（８ーキノリノー
ル）アルミニウムをホストに、ドーパントとして２，９
―ジメチルキナクリドン（ドーピング濃度３ｗｔ％）を
用いて３５ｎｍ厚に共蒸着してグリーン発光層１２１を
形成した。
【００８７】続いて、グリーン発光層１２１の上にトリ
ス（８ーキノリノール）アルミニウムを３５ｎｍ厚に蒸
着させることにより電子輸送層１３を形成した。
ス（８ーキノリノール）アルミニウムを３５ｎｍ厚に蒸
着させることにより電子輸送層１３を形成した。
【００８８】ブルー発光層１２２の形成についても同様
に、シャドーマスク１８をずらしてブルー発光層１２２
を形成する箇所へマスク孔１８１の位置合わせを行い、
レッド発光層１２０を形成するのと同様に発光層１２、
電子輸送層１３を蒸着により形成した。ブルー発光層１
２２として、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニ
ル）ビフェニルを３５ｎｍ厚に成膜し、さらにレッド発
光層１２０、グリーン発光層１２１の形成時と同様な材
料を用いて、電子輸送層１３を蒸着により形成した。
に、シャドーマスク１８をずらしてブルー発光層１２２
を形成する箇所へマスク孔１８１の位置合わせを行い、
レッド発光層１２０を形成するのと同様に発光層１２、
電子輸送層１３を蒸着により形成した。ブルー発光層１
２２として、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニ
ル）ビフェニルを３５ｎｍ厚に成膜し、さらにレッド発
光層１２０、グリーン発光層１２１の形成時と同様な材
料を用いて、電子輸送層１３を蒸着により形成した。
【００８９】最後に、カソードである第２電極１４とし
て、Ａｌ：Ｌｉを共蒸着により３０ｎｍの膜厚に成膜
し、その後アルミニウムのみを１００ｎｍ厚に蒸着し
た。
て、Ａｌ：Ｌｉを共蒸着により３０ｎｍの膜厚に成膜
し、その後アルミニウムのみを１００ｎｍ厚に蒸着し
た。
【００９０】このとき、透明基板１の上にシャドーマス
ク１８を用いず一様に蒸着を行っても隔壁１１の段差に
より第２電極１４は分離され、第２電極１４はショート
することはなく、容易にカソード電極パターンが作成さ
れる。
ク１８を用いず一様に蒸着を行っても隔壁１１の段差に
より第２電極１４は分離され、第２電極１４はショート
することはなく、容易にカソード電極パターンが作成さ
れる。
【００９１】以上の工程により、１ピクセル２７０×２
７０μｍ、サブピクセル７０μｍ、スペース２０μｍ、
画素数水平３２０×垂直２４０ドットのカラー表示が可
能な有機ＥＬパネルを得た。コントラストは３００Ｌｕ
ｘ下で９０：１であった。
７０μｍ、サブピクセル７０μｍ、スペース２０μｍ、
画素数水平３２０×垂直２４０ドットのカラー表示が可
能な有機ＥＬパネルを得た。コントラストは３００Ｌｕ
ｘ下で９０：１であった。
【００９２】なお、本方法によれば、露光の自由度が大
きく、複雑なパターンを有する隔壁を用途・目的に応じ
て自由に作成することができるため、図１０（ｂ）の平
面図に示されるように、市松模様に配置された陰極であ
る第２電極１４を接続するバス電極１５を用い、ＲＧＢ
をデルタ配列に配置した有機ＥＬパネルを作成すること
も可能である。 （第３の実施形態）次に、本発明の有機ＥＬパネル及び
その製造方法の第３の実施形態について説明する。
きく、複雑なパターンを有する隔壁を用途・目的に応じ
て自由に作成することができるため、図１０（ｂ）の平
面図に示されるように、市松模様に配置された陰極であ
る第２電極１４を接続するバス電極１５を用い、ＲＧＢ
をデルタ配列に配置した有機ＥＬパネルを作成すること
も可能である。 （第３の実施形態）次に、本発明の有機ＥＬパネル及び
その製造方法の第３の実施形態について説明する。
【００９３】厚さ１．１ｍｍのガラス等の透明基板１に
スパッタによりＩＴＯ膜を１３０ｎｍ成膜したのちリソ
グラフィーとウェットエッチングによりストライプ状の
透明電極２を形成した。透明電極２のシート抵抗は、１
５Ω／ｃｍ2、配線幅は２５０μｍ、スペース２０μｍ
であった。
スパッタによりＩＴＯ膜を１３０ｎｍ成膜したのちリソ
グラフィーとウェットエッチングによりストライプ状の
透明電極２を形成した。透明電極２のシート抵抗は、１
５Ω／ｃｍ2、配線幅は２５０μｍ、スペース２０μｍ
であった。
【００９４】次に、無金属フタロシアニンとブチラール
樹脂とを重量比で３．０：１となるよう秤量し、ＴＨＦ
に溶かしミキサーで分散させ、固形分比率３ｗｔ％の分
散塗料を作製した。この分散塗料をスピンコートにより
透明電極２の上に塗布することにより膜厚１５０ｎｍの
電荷発生層３を形成した。
樹脂とを重量比で３．０：１となるよう秤量し、ＴＨＦ
に溶かしミキサーで分散させ、固形分比率３ｗｔ％の分
散塗料を作製した。この分散塗料をスピンコートにより
透明電極２の上に塗布することにより膜厚１５０ｎｍの
電荷発生層３を形成した。
【００９５】続いて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’
−ビス（α―ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンとポリカーボネートとを重量比で２．
５：１となるよう秤量した後、これらをジクロロメタン
に溶かし固形分比率２ｗｔ％の分散塗料を作製した。こ
の分散塗料をスピンコートにより電荷発生層３の上に塗
布することにより膜厚２００ｎｍの電荷移動層４を形成
した（図２（ａ）参照）。
−ビス（α―ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンとポリカーボネートとを重量比で２．
５：１となるよう秤量した後、これらをジクロロメタン
に溶かし固形分比率２ｗｔ％の分散塗料を作製した。こ
の分散塗料をスピンコートにより電荷発生層３の上に塗
布することにより膜厚２００ｎｍの電荷移動層４を形成
した（図２（ａ）参照）。
【００９６】上記有機層（電荷発生層３及び電荷移動層
４）を形成した透明基板１に、図２（ｂ）に示すよう
に、スコロトロン等の非接触式帯電器５を用いて電荷移
動層４の表面を表面電位Ｖｏ＝−４００Ｖに帯電させ
た。スコロトロンワイヤの印加電圧はＤＣ約−３ＫＶ、
定電流制御５００μＡ、グリッド電圧Ｖｇ＝−４００Ｖ
であった。
４）を形成した透明基板１に、図２（ｂ）に示すよう
に、スコロトロン等の非接触式帯電器５を用いて電荷移
動層４の表面を表面電位Ｖｏ＝−４００Ｖに帯電させ
た。スコロトロンワイヤの印加電圧はＤＣ約−３ＫＶ、
定電流制御５００μＡ、グリッド電圧Ｖｇ＝−４００Ｖ
であった。
【００９７】次に、図３（ａ）に示すように、半導体レ
ーザ等の露光器８を用いて透明電極２の配線パターンに
直交するように、後の工程において発光層を形成する箇
所の電荷発生層３を選択的に露光した（正現像）。露光
器の波長及び露光スポット径露光幅は第１の実施形態と
同様である。露光量は０．３ｍＷ／ｃｍ2及び０．１ｍ
Ｗ／ｃｍ2とした。電荷移動層４の表面電位Ｖｏ＝−４
００Ｖ、露光電位Ｖｉは、露光量が０．３ｍＷ／ｃｍ2
のときはＶｉ＝−４０Ｖ、露光量が０．１ｍＷ／ｃｍ2
のときはＶｉ＝−１００Ｖの静電潜像が形成された。
ーザ等の露光器８を用いて透明電極２の配線パターンに
直交するように、後の工程において発光層を形成する箇
所の電荷発生層３を選択的に露光した（正現像）。露光
器の波長及び露光スポット径露光幅は第１の実施形態と
同様である。露光量は０．３ｍＷ／ｃｍ2及び０．１ｍ
Ｗ／ｃｍ2とした。電荷移動層４の表面電位Ｖｏ＝−４
００Ｖ、露光電位Ｖｉは、露光量が０．３ｍＷ／ｃｍ2
のときはＶｉ＝−４０Ｖ、露光量が０．１ｍＷ／ｃｍ2
のときはＶｉ＝−１００Ｖの静電潜像が形成された。
【００９８】次に、黒色着色材料であるチャンネルブラ
ックを８％、磁性粉Ｆｅ3Ｏ4を１７％、正帯電性帯電制
御剤である第４級アンモニウム塩２％を含有させた現像
剤を、体積中心粒径４μｍまで粉砕することにより平均
帯電量１０μＣ／ｇとした。係る球状の現像剤を用い
て、現像バイアスＶｂ＝−２００Ｖを印加して現像を行
い、隔壁部分（露光部）に現像剤１０を付着させた。
ックを８％、磁性粉Ｆｅ3Ｏ4を１７％、正帯電性帯電制
御剤である第４級アンモニウム塩２％を含有させた現像
剤を、体積中心粒径４μｍまで粉砕することにより平均
帯電量１０μＣ／ｇとした。係る球状の現像剤を用い
て、現像バイアスＶｂ＝−２００Ｖを印加して現像を行
い、隔壁部分（露光部）に現像剤１０を付着させた。
【００９９】続いて、図７（ａ）に示す方法を用いて、
現像剤をハロゲンランプを内在したマグネットローラの
外周にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）をコー
トしたヒートローラ１６を用いて定着して隔壁１１とし
た。隔壁１１の高さは３μｍ及び４５μｍ、幅８μｍで
あった。このスチレンーアクリル共重合体は、定着プロ
セススピード３０ｍｍ/ｓｅｃ時の定着温度１２０℃で
ある。
現像剤をハロゲンランプを内在したマグネットローラの
外周にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）をコー
トしたヒートローラ１６を用いて定着して隔壁１１とし
た。隔壁１１の高さは３μｍ及び４５μｍ、幅８μｍで
あった。このスチレンーアクリル共重合体は、定着プロ
セススピード３０ｍｍ/ｓｅｃ時の定着温度１２０℃で
ある。
【０１００】次に、レッド発光層１２０としてトリス
（８−キノリノール）アルミニウムにドーパントとして
４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチ
ルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、ドーピン
グ濃度３ｗｔ％）を３０ｎｍ厚に共蒸着させた。
（８−キノリノール）アルミニウムにドーパントとして
４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチ
ルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、ドーピン
グ濃度３ｗｔ％）を３０ｎｍ厚に共蒸着させた。
【０１０１】このとき、図７（ｂ）に示すように、透明
基板１を蒸着源から一定角度をつけ、蒸着流が図中の矢
印Ｘのように透明基板１に対して斜めになるように斜方
蒸着を行った。続いて、ブルーの発光材料の蒸着を行っ
た。ブルーの発光材料の蒸着は、透明基板１を蒸着源か
らレッド蒸着時とは反対の方向となるよう配置し、透明
基板１に対して蒸着流が図中の矢印Ｙのようにレッド蒸
着時とは逆の方向から入射するようにする。ジフェニル
ビニルビフェニルを３０ｎｍ厚に蒸着することによりブ
ルー発光層１２２を形成した。
基板１を蒸着源から一定角度をつけ、蒸着流が図中の矢
印Ｘのように透明基板１に対して斜めになるように斜方
蒸着を行った。続いて、ブルーの発光材料の蒸着を行っ
た。ブルーの発光材料の蒸着は、透明基板１を蒸着源か
らレッド蒸着時とは反対の方向となるよう配置し、透明
基板１に対して蒸着流が図中の矢印Ｙのようにレッド蒸
着時とは逆の方向から入射するようにする。ジフェニル
ビニルビフェニルを３０ｎｍ厚に蒸着することによりブ
ルー発光層１２２を形成した。
【０１０２】続いて、グリーン発光材料の蒸着を行っ
た。グリーンの発光材料の蒸着には、トリス（８ーキノ
リノール）アルミニウムを用いた。この場合、他の２色
の発光層に対して電子輸送層として働くため、透明基板
１の直下に蒸着源を配置し、全ての発光層上に４０ｎｍ
厚の蒸着を行うことによりグリーン発光層１２１を形成
した。
た。グリーンの発光材料の蒸着には、トリス（８ーキノ
リノール）アルミニウムを用いた。この場合、他の２色
の発光層に対して電子輸送層として働くため、透明基板
１の直下に蒸着源を配置し、全ての発光層上に４０ｎｍ
厚の蒸着を行うことによりグリーン発光層１２１を形成
した。
【０１０３】最後に、シャドーマスクを用いずＡｌ：Ｌ
ｉを共蒸着により３０ｎｍの膜厚に成膜し、その後アル
ミニウムのみを１００ｎｍ厚に蒸着して、カソードであ
る第２電極１４を形成した。第２電極１４は低い隔壁１
１０及び高い隔壁１１１により各色毎に分離されてい
る。
ｉを共蒸着により３０ｎｍの膜厚に成膜し、その後アル
ミニウムのみを１００ｎｍ厚に蒸着して、カソードであ
る第２電極１４を形成した。第２電極１４は低い隔壁１
１０及び高い隔壁１１１により各色毎に分離されてい
る。
【０１０４】以上の工程により、１ピクセル２７０×２
７０μｍ、サブピクセル７０μｍ、スペース２５μｍ、
画素数が水平３２０×垂直２４０ドットのカラー表示が
可能な有機ＥＬパネルを得た。コントラストは、３００
Ｌｕｘ下で１００：１であった。 （第４の実施形態）最後に、本発明の第４の実施形態と
して、緑単色発光用の有機ＥＬパネル及びその製造方法
について説明する。
７０μｍ、サブピクセル７０μｍ、スペース２５μｍ、
画素数が水平３２０×垂直２４０ドットのカラー表示が
可能な有機ＥＬパネルを得た。コントラストは、３００
Ｌｕｘ下で１００：１であった。 （第４の実施形態）最後に、本発明の第４の実施形態と
して、緑単色発光用の有機ＥＬパネル及びその製造方法
について説明する。
【０１０５】基板として厚さ０．７ｍｍのガラス等の透
明基板１を用い、透明基板１の上にスパッタによりＩＴ
Ｏ膜を１５０ｎｍ形成し、リソグラフィーとウェットエ
ッチングにより、アノードである透明電極２を形成し
た。透明電極２のシート抵抗は１０Ω／ｃｍ2、配線幅
３００μｍ、スペース幅３０μｍであった。
明基板１を用い、透明基板１の上にスパッタによりＩＴ
Ｏ膜を１５０ｎｍ形成し、リソグラフィーとウェットエ
ッチングにより、アノードである透明電極２を形成し
た。透明電極２のシート抵抗は１０Ω／ｃｍ2、配線幅
３００μｍ、スペース幅３０μｍであった。
【０１０６】次に、銅フタロシアニンとブチラール樹脂
を重量比で３．０：１となるよう秤量し、ＴＨＦ（テト
ラヒドロフラン）に溶かしミキサーで分散させ、固形分
比率３ｗｔ％の分散塗料を作製した。この分散塗料をス
ピンコートにより透明電極２の上に塗膜、乾燥して膜厚
１５０ｎｍの薄膜からなる電荷発生層３（正孔注入層）
を形成した。
を重量比で３．０：１となるよう秤量し、ＴＨＦ（テト
ラヒドロフラン）に溶かしミキサーで分散させ、固形分
比率３ｗｔ％の分散塗料を作製した。この分散塗料をス
ピンコートにより透明電極２の上に塗膜、乾燥して膜厚
１５０ｎｍの薄膜からなる電荷発生層３（正孔注入層）
を形成した。
【０１０７】続いて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルーＮ、Ｎ’
−ジ（３―メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−
４，４’−ジアミンとポリカーボネートを重量比で２．
５：１となるよう秤量し、ジクロロメタンに溶かし固形
分比率３ｗｔ％の分散塗料を作製した。ＴＨＦに溶かし
た分散塗料をスピンコートにより電荷発生層３の上に成
膜することにより膜厚２００ｎｍの薄膜からなる電荷輸
送層４を形成した（図２（ａ）参照）。
−ジ（３―メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−
４，４’−ジアミンとポリカーボネートを重量比で２．
５：１となるよう秤量し、ジクロロメタンに溶かし固形
分比率３ｗｔ％の分散塗料を作製した。ＴＨＦに溶かし
た分散塗料をスピンコートにより電荷発生層３の上に成
膜することにより膜厚２００ｎｍの薄膜からなる電荷輸
送層４を形成した（図２（ａ）参照）。
【０１０８】上記有機層（電荷発生層３及び電荷輸送層
４）を形成した透明基板１を、図６（ａ）に示すよう
に、帯電ローラを用いた接触式帯電器６を用いて帯電さ
せた。帯電ローラへの印加電圧は−６００Ｖ、定電圧制
御で透明基板１への表面電位Ｖｏは−４００Ｖであっ
た。
４）を形成した透明基板１を、図６（ａ）に示すよう
に、帯電ローラを用いた接触式帯電器６を用いて帯電さ
せた。帯電ローラへの印加電圧は−６００Ｖ、定電圧制
御で透明基板１への表面電位Ｖｏは−４００Ｖであっ
た。
【０１０９】次に、図３（ａ）に示すように、半導体レ
ーザ等の露光器８を用いて、透明電極２の配線パターン
に直交するように、後の工程において作成するカソード
電極間の溝以外の部分（後の工程において所望の発光層
を形成する箇所）に対して選択的にパターン露光を行っ
た。露光器の波長は、電荷発生層３に含まれる電荷発生
剤の吸収波長である７８０ｎｍであった。露光量、露光
スポット径、露光幅は第１の実施形態と同様で、潜像電
位Ｖｉ＝−４０Ｖの静電潜像を得た。
ーザ等の露光器８を用いて、透明電極２の配線パターン
に直交するように、後の工程において作成するカソード
電極間の溝以外の部分（後の工程において所望の発光層
を形成する箇所）に対して選択的にパターン露光を行っ
た。露光器の波長は、電荷発生層３に含まれる電荷発生
剤の吸収波長である７８０ｎｍであった。露光量、露光
スポット径、露光幅は第１の実施形態と同様で、潜像電
位Ｖｉ＝−４０Ｖの静電潜像を得た。
【０１１０】次に、図６（ｂ）に示すように、現像剤１
０としては、バインダ樹脂としてスチレン−アクリル共
重合体を用い、重合時に黒色着色材料であるチャンネル
ブラック８％、正帯電性帯電制御剤であるニグロシン染
料２％を包含させた体積中心粒径６μｍ、平均帯電量８
μＣ／ｇの球形の重合現像剤を用いた。
０としては、バインダ樹脂としてスチレン−アクリル共
重合体を用い、重合時に黒色着色材料であるチャンネル
ブラック８％、正帯電性帯電制御剤であるニグロシン染
料２％を包含させた体積中心粒径６μｍ、平均帯電量８
μＣ／ｇの球形の重合現像剤を用いた。
【０１１１】この現像剤１０を用いて、現像バイアス電
位Ｖｂ＝−１６０Ｖを現像剤担持体２５に印加し、図３
（ｂ）に示すように、現像を行った。
位Ｖｂ＝−１６０Ｖを現像剤担持体２５に印加し、図３
（ｂ）に示すように、現像を行った。
【０１１２】次に、図４（ａ）に示すように、キセノン
フラッシュランプ等の定着器３０を用いて１２０℃で現
像剤１０を電荷移動層４の上に非接触定着させて隔壁１
１を形成した。その上に、図５（ｂ）に示すように、グ
リーン発光層１２１として、ホストにトリス（８−キノ
リノール）アルミニウム、ドーパントとしてキナクリド
ン（ドーピング濃度２．５ｗｔ％）を２５ｎｍ厚に共蒸
着し、続いて、電子輸送層１３としてトリス（８−キノ
リノール）アルミニウムを３０ｎｍ厚に蒸着した。
フラッシュランプ等の定着器３０を用いて１２０℃で現
像剤１０を電荷移動層４の上に非接触定着させて隔壁１
１を形成した。その上に、図５（ｂ）に示すように、グ
リーン発光層１２１として、ホストにトリス（８−キノ
リノール）アルミニウム、ドーパントとしてキナクリド
ン（ドーピング濃度２．５ｗｔ％）を２５ｎｍ厚に共蒸
着し、続いて、電子輸送層１３としてトリス（８−キノ
リノール）アルミニウムを３０ｎｍ厚に蒸着した。
【０１１３】次に、カソードである第２電極１４として
Ｍｇ：Ａｇを二源からの共蒸着により２００ｎｍ厚に形
成した。以上の工程により、ドットピッチ３００×３０
０μｍ、スペース３０μｍ、画素数２５６×６４ドット
のグリーン発光層１２１のみを有する有機ＥＬパネルを
得た。コントラストは３００Ｌｕｘ下で１００：１であ
った。 （比較例）上記実施形態と比較するために、比較例とし
て、図１２（ｂ）に示す方法を用いて、従来の有機ＥＬ
パネルを作製した。
Ｍｇ：Ａｇを二源からの共蒸着により２００ｎｍ厚に形
成した。以上の工程により、ドットピッチ３００×３０
０μｍ、スペース３０μｍ、画素数２５６×６４ドット
のグリーン発光層１２１のみを有する有機ＥＬパネルを
得た。コントラストは３００Ｌｕｘ下で１００：１であ
った。 （比較例）上記実施形態と比較するために、比較例とし
て、図１２（ｂ）に示す方法を用いて、従来の有機ＥＬ
パネルを作製した。
【０１１４】厚さ１．１ｍｍのガラス等の透明基板１の
上に膜厚１２０ｎｍのＩＴＯ薄膜をスパッタにより形成
し、シート抵抗が１５Ω／ｃｍ2、配線幅２５０μｍ、
スペース２０μｍのアノードであるストライプ状の透明
電極２を作成した。その上に正孔注入、輸送層として、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル −Ｎ、Ｎ’−ビス（α−ナフチ
ル）−１，１’−ビフェニル −４，４’−ジアミンを
５０ｎｍ厚に真空蒸着により形成し有機層３４とした。
上に膜厚１２０ｎｍのＩＴＯ薄膜をスパッタにより形成
し、シート抵抗が１５Ω／ｃｍ2、配線幅２５０μｍ、
スペース２０μｍのアノードであるストライプ状の透明
電極２を作成した。その上に正孔注入、輸送層として、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル −Ｎ、Ｎ’−ビス（α−ナフチ
ル）−１，１’−ビフェニル −４，４’−ジアミンを
５０ｎｍ厚に真空蒸着により形成し有機層３４とした。
【０１１５】次に、シャドーマスク３７を透明電極２パ
ターンと直交するようにマスク孔をレッドの領域に位置
合わせし有機層３４の上に設置した。レッドの発光材料
として、トリス（８−キノリノール）アルミニウムに４
−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチル
アミノスチリル）−４Ｈ−ピランを３ｗｔ％ドーピング
するように２５ｎｍ共蒸着を行い、発光層３５を形成し
た。
ターンと直交するようにマスク孔をレッドの領域に位置
合わせし有機層３４の上に設置した。レッドの発光材料
として、トリス（８−キノリノール）アルミニウムに４
−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチル
アミノスチリル）−４Ｈ−ピランを３ｗｔ％ドーピング
するように２５ｎｍ共蒸着を行い、発光層３５を形成し
た。
【０１１６】続いて、発光層３５の上に、図示は省略す
るが、電子輸送層としてトリス（８−キノリノール）ア
ルミニウムを３０ｎｍ厚に蒸着した。さらに、電子輸送
層の上にＡｌ：Ｌｉを共蒸着により３０ｎｍ厚に堆層さ
せた後、アルミニウムのみを１２０ｎｍ厚に蒸着するこ
とによりカソード電極を形成した。
るが、電子輸送層としてトリス（８−キノリノール）ア
ルミニウムを３０ｎｍ厚に蒸着した。さらに、電子輸送
層の上にＡｌ：Ｌｉを共蒸着により３０ｎｍ厚に堆層さ
せた後、アルミニウムのみを１２０ｎｍ厚に蒸着するこ
とによりカソード電極を形成した。
【０１１７】続いて、グリーン発光層、ブルー発光層、
及びこれらの電子輸送層、カソード電極もシャドーマス
ク３７をスライドさせて、レッド発光層の形成時と同様
に成膜した。グリーン発光層としては、トリス（８−キ
ノリノール）アルミニウムにドーパントとしてキナクリ
ドンを３ｗ％含むように２５ｎｍ厚に共蒸着し、続いて
電子輸送層としてトリス（８−キノリノール）アルミニ
ウムを３０ｎｍ厚に蒸着した。
及びこれらの電子輸送層、カソード電極もシャドーマス
ク３７をスライドさせて、レッド発光層の形成時と同様
に成膜した。グリーン発光層としては、トリス（８−キ
ノリノール）アルミニウムにドーパントとしてキナクリ
ドンを３ｗ％含むように２５ｎｍ厚に共蒸着し、続いて
電子輸送層としてトリス（８−キノリノール）アルミニ
ウムを３０ｎｍ厚に蒸着した。
【０１１８】さらに、Ａｌ：Ｌｉを共蒸着により３０ｎ
ｍの膜厚に成膜し、その後アルミニウムのみを１２０ｎ
ｍ厚に蒸着することによりカソード電極を形成した。
ｍの膜厚に成膜し、その後アルミニウムのみを１２０ｎ
ｍ厚に蒸着することによりカソード電極を形成した。
【０１１９】ブルー発光層として、ジフェニルビニルビ
フェニルを２５ｎｍ厚に蒸着し、続いて電子輸送層とし
てトリス（８−キノリノール）アルミニウムを３０ｎｍ
厚に蒸着し、続いてＡｌ：Ｌｉを共蒸着により３０ｎｍ
の膜厚に成膜し、その後アルミニウムのみを１２０ｎｍ
厚に蒸着することによりカソード電極を形成した。
フェニルを２５ｎｍ厚に蒸着し、続いて電子輸送層とし
てトリス（８−キノリノール）アルミニウムを３０ｎｍ
厚に蒸着し、続いてＡｌ：Ｌｉを共蒸着により３０ｎｍ
の膜厚に成膜し、その後アルミニウムのみを１２０ｎｍ
厚に蒸着することによりカソード電極を形成した。
【０１２０】ＲＧＢ各３色の色分離には、図１２（ｂ）
に示すように、シャドーマスク３７をスライドさせて行
っただけであり、隔壁は存在しない。
に示すように、シャドーマスク３７をスライドさせて行
っただけであり、隔壁は存在しない。
【０１２１】図１２（ｂ）に示す色分離方法では、ドッ
トピッチ８０μｍ、スペース４０μｍ以下ではマスクの
位置合わせが困難であり、且つ、蒸着時の回り込みで色
ずれが発生してしまい、パネル作成は困難であった。そ
のため、回り込みを防ぐためマスクを既に形成された有
機層３４に接触させたところ、マスクによる有機層３４
のキズ等が発生し、不良画素が多くなった。また、この
方式では本発明のような黒色顔料を含む隔壁が陰極間に
無く、陰極からの反射光を抑えることができないため、
３００Ｌｕｘ下でのコントラストは１０：１であった。
トピッチ８０μｍ、スペース４０μｍ以下ではマスクの
位置合わせが困難であり、且つ、蒸着時の回り込みで色
ずれが発生してしまい、パネル作成は困難であった。そ
のため、回り込みを防ぐためマスクを既に形成された有
機層３４に接触させたところ、マスクによる有機層３４
のキズ等が発生し、不良画素が多くなった。また、この
方式では本発明のような黒色顔料を含む隔壁が陰極間に
無く、陰極からの反射光を抑えることができないため、
３００Ｌｕｘ下でのコントラストは１０：１であった。
【０１２２】
【発明の効果】上述のように、本発明の有機ＥＬパネル
及びその製造方法によれば、ドライプロセスを用いて形
成した隔壁により、色分離、パターン形成、陰極分離等
の工程も、いずれもドライプロセスを利用して行ってお
り、ダークスポットの発生、成長を防ぐことができ、生
産性の向上を図ることができる。また、隔壁の幅を１０
〜４０μｍの幅に微細加工することができるため、画素
数を増やすことが可能となり画像の分解能を向上させる
ことができる。また、隔壁の幅が１０〜４０μｍである
こと、すなわち隣接する発光層間の距離が１０〜４０μ
ｍであることにより、発光層を確実に分離することがで
きるとともに、開口率を大きくすることができるため画
素が微細化された高精細表示パネルが実現できる、とい
う効果も有している。
及びその製造方法によれば、ドライプロセスを用いて形
成した隔壁により、色分離、パターン形成、陰極分離等
の工程も、いずれもドライプロセスを利用して行ってお
り、ダークスポットの発生、成長を防ぐことができ、生
産性の向上を図ることができる。また、隔壁の幅を１０
〜４０μｍの幅に微細加工することができるため、画素
数を増やすことが可能となり画像の分解能を向上させる
ことができる。また、隔壁の幅が１０〜４０μｍである
こと、すなわち隣接する発光層間の距離が１０〜４０μ
ｍであることにより、発光層を確実に分離することがで
きるとともに、開口率を大きくすることができるため画
素が微細化された高精細表示パネルが実現できる、とい
う効果も有している。
【図１】本発明の基本的な実施形態に係る有機ＥＬパネ
ルを示す模式断面図である。
ルを示す模式断面図である。
【図２】本発明の基本的な実施形態に係る有機ＥＬパネ
ルの製造工程を説明する模式断面図である。
ルの製造工程を説明する模式断面図である。
【図３】図２に続く製造工程を示す模式断面図である。
【図４】図３に続く製造工程を示す模式断面図である。
【図５】（ａ）は、図４に続く製造工程により得られる
有機ＥＬパネルの模式断面図であり、（ｂ）は、（ａ）
とは異なる形態として得られる有機ＥＬパネルの模式断
面図である。
有機ＥＬパネルの模式断面図であり、（ｂ）は、（ａ）
とは異なる形態として得られる有機ＥＬパネルの模式断
面図である。
【図６】（ａ）は、図２（ｂ）に示される工程の代替工
程を説明する模式断面図であり、（ｂ）は、図３（ｂ）
に示される工程に用いられる現像装置による現像工程を
説明する模式断面図である。
程を説明する模式断面図であり、（ｂ）は、図３（ｂ）
に示される工程に用いられる現像装置による現像工程を
説明する模式断面図である。
【図７】（ａ）は、図４（ａ）に示される工程の代替工
程を説明する模式断面図であり、（ｂ）は、図４（ｂ）
に示される工程の代替工程を説明する模式断面図であ
る。
程を説明する模式断面図であり、（ｂ）は、図４（ｂ）
に示される工程の代替工程を説明する模式断面図であ
る。
【図８】図６（ｂ）に示される装置の代替装置を説明す
る模式断面図である。
る模式断面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬパネル
における透明電極、隔壁及び発光層の平面パターンを示
す平面図である。
における透明電極、隔壁及び発光層の平面パターンを示
す平面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る有
機ＥＬパネルにおける透明電極、隔壁及び発光層の平面
パターンを示す平面図であり、（ｂ）は、本発明の第２
実施形態の変形例に係る有機ＥＬパネルにおける透明電
極、隔壁及び発光層の平面パターンを示す平面図であ
る。
機ＥＬパネルにおける透明電極、隔壁及び発光層の平面
パターンを示す平面図であり、（ｂ）は、本発明の第２
実施形態の変形例に係る有機ＥＬパネルにおける透明電
極、隔壁及び発光層の平面パターンを示す平面図であ
る。
【図１１】従来の有機ＥＬパネルの製造工程を説明する
模式断面図である。
模式断面図である。
【図１２】（ａ）は、図１１に続く製造工程を示す模式
断面図である。（ｂ）は、従来の有機ＥＬパネルの別の
製造方法による蒸着工程を説明する模式断面図である。
断面図である。（ｂ）は、従来の有機ＥＬパネルの別の
製造方法による蒸着工程を説明する模式断面図である。
１ 透明基板 ２ 透明電極 ３ 電荷発生層 ４ 電荷移動層 ５ 非接触式帯電器 ６ 接触式帯電器 ７ 表面電荷 ８ 露光器 ９ 静電潜像 １０ 現像剤 １１、３１ 隔壁 １２ 発光層 １３ 電子輸送層 １４ 第２電極 １５ バス電極 １６ ヒートローラ １８、３７ シャドーマスク ２０ 蒸着源 ２１ ホッパ ２２ 現像室 ２３ 撹拌部材 ２４ 現像剤供給部材 ２５ 現像剤担持体 ２６ 薄層形成部材 ２７ 現像器 ２８ マグネットローラ ２９ 現像器 ３０ 定着器 ３２ 有機発光層 ３３ カソード電極 ３７ シャドーマスク １１０ 低い隔壁 １１１ 高い隔壁 １２０ レッド発光層 １２１ グリーン発光層 １２２ ブルー発光層 １８０ マスク部 １８１ エッチング部（マスク孔） ２１１ 蒸発流 ３１０ オーバーハング部
Claims (10)
- 【請求項１】 透明基板上に形成された光透過性材料か
らなる第１電極と、前記第１電極を覆う電荷発生層及び
その上の電荷移動層と、前記電荷移動層の上に所定のパ
ターンに形成された現像剤パターンからなる隔壁と、前
記隔壁の間に形成された発光層及び第２電極を有するこ
とを特徴とする有機ＥＬパネル。 - 【請求項２】 前記隔壁の幅が１０〜４０μｍである請
求項１記載の有機ＥＬパネル。 - 【請求項３】 前記第２電極は、前記隔壁が黒色である
請求項１又は２記載の有機ＥＬパネル。 - 【請求項４】 透明基板上に光透過性材料からなる第１
電極を形成する工程と、前記第１電極上に電荷発生層及
び電荷移動層を順に形成する工程と、前記電荷移動層を
帯電させた後、前記電荷発生層を選択的に露光すること
により前記電荷移動層上に所定のパターンを有する静電
潜像を形成する工程と、前記静電潜像に対応する現像剤
パターンを前記電荷移動層上に画素分離用の隔壁として
形成する工程と、前記隔壁間に発光層及び第２電極を形
成する工程とを有することを特徴とする有機ＥＬパネル
の製造方法。 - 【請求項５】 前記発光層及び前記第２電極は、少なく
とも前記電荷移動層の一部が露出するような所定のパタ
ーンを有するマスクを前記隔壁上に設置した後、真空蒸
着により形成される請求項４記載の有機ＥＬパネルの製
造方法。 - 【請求項６】 前記電荷移動層上の前記発光層及び前記
第２電極は、順に斜方蒸着により形成される請求項４記
載の有機ＥＬパネルの製造方法。 - 【請求項７】 前記現像剤は、ポリエステル、アクリ
ル、及びスチレン−アクリル共重合体のうち少なくとも
１以上の材料に帯電制御剤を含有するものである請求項
４、５又は６記載の有機ＥＬパネルの製造方法。 - 【請求項８】 前記現像剤は、黒色材料を含有するもの
であり、前記黒色材料を含む現像剤を用いて黒色の隔壁
を形成する請求項４、５又は６記載の有機ＥＬパネルの
製造方法。 - 【請求項９】 前記現像剤は、磁性粉を含有する請求項
４、５又は６記載の有機ＥＬパネルの製造方法。 - 【請求項１０】 基板上に光透過性材料からなるアノー
ド電極を形成する工程と、前記アノード電極上に電荷発
生層及び電荷移動層を順に形成する工程と、前記電荷移
動層を帯電する工程と、前記電荷発生層の所定領域を露
光することにより前記電荷移動層上に所定のパターンを
有する静電潜像を形成する工程と、前記静電潜像を現像
して現像剤パターンを形成する工程と、前記現像剤パタ
ーンを前記電荷移動層上に定着させることにより画素分
離用の隔壁を形成する工程と、前記隔壁の間に発光層、
電子輸送層及びカソード電極を順に形成する工程とを有
することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000180003A JP3636639B2 (ja) | 1999-06-16 | 2000-06-15 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-169889 | 1999-06-16 | ||
| JP16988999 | 1999-06-16 | ||
| JP2000180003A JP3636639B2 (ja) | 1999-06-16 | 2000-06-15 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001060494A true JP2001060494A (ja) | 2001-03-06 |
| JP3636639B2 JP3636639B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=26493093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000180003A Expired - Fee Related JP3636639B2 (ja) | 1999-06-16 | 2000-06-15 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3636639B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184569A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| KR100501228B1 (ko) * | 2002-11-21 | 2005-07-18 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그의 제조 방법 |
| JP2010067349A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Casio Comput Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP2015222728A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-12-10 | 大日本印刷株式会社 | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-06-15 JP JP2000180003A patent/JP3636639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184569A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| KR100501228B1 (ko) * | 2002-11-21 | 2005-07-18 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그의 제조 방법 |
| JP2010067349A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-25 | Casio Comput Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP2015222728A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-12-10 | 大日本印刷株式会社 | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3636639B2 (ja) | 2005-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6520819B1 (en) | Organic EL panel and method for manufacturing the same | |
| US8026666B2 (en) | Organic EL element array with improved aperture ratio | |
| JP3031356B1 (ja) | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 | |
| CN108565352B (zh) | 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| JP2000235891A (ja) | 有機電界発光装置 | |
| US20120104429A1 (en) | Organic el element, method for manufacturing the same, and organic el display device | |
| JP2009272277A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
| JP2014207356A (ja) | 有機ｅｌ素子、画像形成装置、表示装置及び撮像装置 | |
| JP2008277193A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法及びラインヘッド | |
| JP3636639B2 (ja) | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 | |
| JP2004031262A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル | |
| US6303255B1 (en) | Organic EL panel and method of manufacturing the same | |
| JP2000150152A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2000048954A (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
| JP2009146860A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法 | |
| EP4109576A2 (en) | Organic device, group of masks, mask, and manufacturing method for organic device | |
| JP4857368B2 (ja) | 有機ｅｌ素子アレイ | |
| JP2000103114A (ja) | 有機ｅｌプリントヘッド | |
| JP2008235327A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法並びに電子機器 | |
| JP2008062541A (ja) | ラインヘッド及び画像形成装置 | |
| JP2006059772A (ja) | 有機ｅｌ装置とその製造方法、プリンタヘッド、照明装置、及び電子機器 | |
| JP2000052591A (ja) | 有機ｅｌプリントヘッド | |
| JP2000200680A (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
| JP2014082169A (ja) | 有機ｅｌ素子、発光装置、画像形成装置、表示装置、撮像装置及び有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2006278156A (ja) | 蛍光体層形成方法及び形成装置、プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040316 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040316 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041119 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050105 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3636639 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080114 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 5 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120114 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130114 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130114 Year of fee payment: 8 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130114 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |