JP2001059156A - 窒化炭素化合物の製造方法 - Google Patents
窒化炭素化合物の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】窒化炭素化合物をいかなる材料の基板にも成膜
できるようにする。 【解決手段】真空容器内でグラファイトよりなる電極１
と電極２の間隙に窒素ガスを流した状態でピンチプラズ
マ３を発生させ、このピンチプラズマ３によって窒化炭
素化合物の膜６を基板３５上に形成させる。
できるようにする。 【解決手段】真空容器内でグラファイトよりなる電極１
と電極２の間隙に窒素ガスを流した状態でピンチプラズ
マ３を発生させ、このピンチプラズマ３によって窒化炭
素化合物の膜６を基板３５上に形成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、窒化炭素化合物
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭素原子同士が結合してできる結晶の同
素体として、ダイヤモンドやグラファイトなどがよく知
られているが、これらの結晶の他に、炭素原子同士が一
方向に鎖状につながった擬一次元結晶構造の炭素同素体
も存在する。図３は、擬一次元構造炭素同素体の結晶構
造を示す図であり、（Ａ）は要部側面図、（Ｂ）は要部
平面図である。図３の（Ａ）では、炭素原子５が一方向
につながって炭素鎖５Ａを形成している。図３の（Ｂ）
では、炭素鎖５Ａが六方面に垂直に整列している。この
結晶構造は、一次元方向に配列した炭素原子５が束にな
って結晶を構成しているので擬一次元構造と呼ばれてい
る。このような擬一次元構造の炭素同素体は、その性質
によってはダイアモンドのように将来性が期待されるの
で、現在、その性質の研究や製造方法の開発が盛んに行
われている。
素体として、ダイヤモンドやグラファイトなどがよく知
られているが、これらの結晶の他に、炭素原子同士が一
方向に鎖状につながった擬一次元結晶構造の炭素同素体
も存在する。図３は、擬一次元構造炭素同素体の結晶構
造を示す図であり、（Ａ）は要部側面図、（Ｂ）は要部
平面図である。図３の（Ａ）では、炭素原子５が一方向
につながって炭素鎖５Ａを形成している。図３の（Ｂ）
では、炭素鎖５Ａが六方面に垂直に整列している。この
結晶構造は、一次元方向に配列した炭素原子５が束にな
って結晶を構成しているので擬一次元構造と呼ばれてい
る。このような擬一次元構造の炭素同素体は、その性質
によってはダイアモンドのように将来性が期待されるの
で、現在、その性質の研究や製造方法の開発が盛んに行
われている。
【０００３】図４は、従来の擬一次元構造炭素同素体の
製造装置を示す断面図である。133.32Ｐａのアルゴンガ
スが封入された図示されていない真空容器内にグラファ
イト製の電極２０，２１（直径１０ｍｍ）が互いに接触
させて配置されている。この電極２０，２１にスイッチ
２７を介して直流電源２６が接続され、電極２０，２１
の接触部２５から５ないし６ｍｍ離れた位置に銅製の基
板２２が配されている。スイッチ２７を投入して６００
Ａの直流電流を 0.1ないし 0.3秒流すと、接触部２５で
アークが発生する。このアークによって、電極２０，２
１のグラファイト材が蒸発し、基板２２上に炭素の結晶
が膜２３となって堆積する。この炭素の結晶構造をＸ線
回折スペクトルによって調べると、擬一次元構造炭素同
素体であることが分かる。
製造装置を示す断面図である。133.32Ｐａのアルゴンガ
スが封入された図示されていない真空容器内にグラファ
イト製の電極２０，２１（直径１０ｍｍ）が互いに接触
させて配置されている。この電極２０，２１にスイッチ
２７を介して直流電源２６が接続され、電極２０，２１
の接触部２５から５ないし６ｍｍ離れた位置に銅製の基
板２２が配されている。スイッチ２７を投入して６００
Ａの直流電流を 0.1ないし 0.3秒流すと、接触部２５で
アークが発生する。このアークによって、電極２０，２
１のグラファイト材が蒸発し、基板２２上に炭素の結晶
が膜２３となって堆積する。この炭素の結晶構造をＸ線
回折スペクトルによって調べると、擬一次元構造炭素同
素体であることが分かる。
【０００４】図５は、従来の異なる擬一次元構造炭素同
素体の製造装置を示す斜視図であり、（Ａ）は全体の構
成を示す図、（Ｂ）は図５（Ａ）の基板３４だけを取り
出して示した図である。図５（Ａ）では、二枚の銅製の
円板２９Ａ，２９Ｂ（いずれも直径が120 ｍｍ）が互い
に平行に、かつ10ｍｍ離れて配置されてある。銅製の基
板３４が互いに僅かずつ離され、円板２９Ａ，２９Ｂの
円周部を渡るようにしてに複数配されている。また、グ
ラファイト製の電極３２Ａ，３２Ｂの接触部３３が基板
３４上に来るように配されている。この装置は、図４の
場合と同様に133.32Ｐａのアルゴンガスが封入された図
示されていない真空容器内に収納されている。図５
（Ｂ）では、基板３４が半円筒状を形成している。
素体の製造装置を示す斜視図であり、（Ａ）は全体の構
成を示す図、（Ｂ）は図５（Ａ）の基板３４だけを取り
出して示した図である。図５（Ａ）では、二枚の銅製の
円板２９Ａ，２９Ｂ（いずれも直径が120 ｍｍ）が互い
に平行に、かつ10ｍｍ離れて配置されてある。銅製の基
板３４が互いに僅かずつ離され、円板２９Ａ，２９Ｂの
円周部を渡るようにしてに複数配されている。また、グ
ラファイト製の電極３２Ａ，３２Ｂの接触部３３が基板
３４上に来るように配されている。この装置は、図４の
場合と同様に133.32Ｐａのアルゴンガスが封入された図
示されていない真空容器内に収納されている。図５
（Ｂ）では、基板３４が半円筒状を形成している。
【０００５】図５（Ａ）において、円板２９Ａ，２９Ｂ
を軸２９Ｃを中心にして、毎分１回転の速度で回転させ
る。接触部３３が基板３４上に来る度に電極３２Ａ，３
２Ｂ間に電流を流すように電源側を制御すると、接触部
３３にアークが発生し、電極３２Ａ，３２Ｂのグラファ
イト材が蒸発する。それによって、基板２２上に炭素の
結晶が膜２３となって堆積する。この炭素の結晶構造を
Ｘ線回折スペクトルによって調べると、擬一次元構造炭
素同素体であることが分かる。図５の装置は、図４のそ
れと比べて約十倍の擬一次元構造炭素同素体の製造能力
がある。
を軸２９Ｃを中心にして、毎分１回転の速度で回転させ
る。接触部３３が基板３４上に来る度に電極３２Ａ，３
２Ｂ間に電流を流すように電源側を制御すると、接触部
３３にアークが発生し、電極３２Ａ，３２Ｂのグラファ
イト材が蒸発する。それによって、基板２２上に炭素の
結晶が膜２３となって堆積する。この炭素の結晶構造を
Ｘ線回折スペクトルによって調べると、擬一次元構造炭
素同素体であることが分かる。図５の装置は、図４のそ
れと比べて約十倍の擬一次元構造炭素同素体の製造能力
がある。
【０００６】擬一次元構造炭素同素体のその他の製造方
法としては、ポリ塩化ビニルに強塩基を作用させ、脱塩
化水素反応を起こさせる方法や、アセチレンを触媒によ
って脱水重合させる方法もある。窒化炭素化合物も、最
近になって存在することが分かってきた材料であり、そ
の性質や応用先はまだはっきりとはしていない。擬一次
元構造炭素同素体と同様に、現在、その性質や製造方法
が盛んに研究されている。
法としては、ポリ塩化ビニルに強塩基を作用させ、脱塩
化水素反応を起こさせる方法や、アセチレンを触媒によ
って脱水重合させる方法もある。窒化炭素化合物も、最
近になって存在することが分かってきた材料であり、そ
の性質や応用先はまだはっきりとはしていない。擬一次
元構造炭素同素体と同様に、現在、その性質や製造方法
が盛んに研究されている。
【０００７】図６は、窒化炭素化合物の結晶構造を示す
斜視図であり、白丸が炭素原子５、黒丸が窒素原子８で
ある。この結晶構造からの理論計算だけからは、ダイア
モンドより硬くなるという可能性が指摘されている。実
際の強度はまだ明確にされていないが、磨耗性や耐久性
に優れたコーティング材としてその将来性が大いに期待
されている。窒化炭素化合物の製造方法としては、アン
モニアと炭化水素とを高温で分化し、その後、再結合さ
せて製造する方法が取られている。
斜視図であり、白丸が炭素原子５、黒丸が窒素原子８で
ある。この結晶構造からの理論計算だけからは、ダイア
モンドより硬くなるという可能性が指摘されている。実
際の強度はまだ明確にされていないが、磨耗性や耐久性
に優れたコーティング材としてその将来性が大いに期待
されている。窒化炭素化合物の製造方法としては、アン
モニアと炭化水素とを高温で分化し、その後、再結合さ
せて製造する方法が取られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の製造方法では、基板の材料が金属製でな
いと膜がよく基板に付着しないという問題があった。特
に、銅のように熱伝導率の大きい材料を基板にしない
と、成膜した後の冷却速度が十分でなく、結晶化が充分
に至らないままになっていた。特に、基板がセラミック
やプラスチックなどの熱伝導率の小さい材料の場合、擬
一次元構造炭素同素体や窒化炭素化合物の付着性が非常
によくなかった。基板材料に依存しない成膜方法があれ
ば、今後、材料のコーティング処理の応用範囲が広くな
り、有用性が増してくる。この発明の目的は、基板材料
に依存しない成膜方法を提供することにある。
たような従来の製造方法では、基板の材料が金属製でな
いと膜がよく基板に付着しないという問題があった。特
に、銅のように熱伝導率の大きい材料を基板にしない
と、成膜した後の冷却速度が十分でなく、結晶化が充分
に至らないままになっていた。特に、基板がセラミック
やプラスチックなどの熱伝導率の小さい材料の場合、擬
一次元構造炭素同素体や窒化炭素化合物の付着性が非常
によくなかった。基板材料に依存しない成膜方法があれ
ば、今後、材料のコーティング処理の応用範囲が広くな
り、有用性が増してくる。この発明の目的は、基板材料
に依存しない成膜方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の方法によれば、真空容器内にグラファイ
トよりなる電極対を収納し、前記電極対の間隙に窒素ガ
スを流した状態でピンチプラズマを発生させ、このピン
チプラズマによって窒化炭素化合物を基板上に成膜させ
ることとしてもよい。発明者らは、このピンチプラズマ
によって、電極であるグラファイト材から分解した炭素
原子と、その周囲の窒素原子とが化合し、その近辺にあ
る基板に窒化炭素化合物が成膜することも発見した。し
かも、この方法によれば、基板がどのような材料であっ
ても窒化炭素化合物が良好に成膜されることが分かっ
た。
に、この発明の方法によれば、真空容器内にグラファイ
トよりなる電極対を収納し、前記電極対の間隙に窒素ガ
スを流した状態でピンチプラズマを発生させ、このピン
チプラズマによって窒化炭素化合物を基板上に成膜させ
ることとしてもよい。発明者らは、このピンチプラズマ
によって、電極であるグラファイト材から分解した炭素
原子と、その周囲の窒素原子とが化合し、その近辺にあ
る基板に窒化炭素化合物が成膜することも発見した。し
かも、この方法によれば、基板がどのような材料であっ
ても窒化炭素化合物が良好に成膜されることが分かっ
た。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明の方法は、真空容器内に
グラファイトよりなる電極対を収納し、前記電極対の間
隙に窒素ガスを流した状態でピンチプラズマを発生さ
せ、このピンチプラズマによって窒化炭素化合物を基板
上に成膜させる方法である。
グラファイトよりなる電極対を収納し、前記電極対の間
隙に窒素ガスを流した状態でピンチプラズマを発生さ
せ、このピンチプラズマによって窒化炭素化合物を基板
上に成膜させる方法である。
【００１１】以下、この発明の方法を参考例および実施
例に基づいて説明する。図１は、ピンチプラズマの発生
装置の動作を説明する断面図であり、それぞれ（Ａ）は
ガス吹き付け時、（Ｂ）は円筒状プラズマ発生時、
（Ｃ）はピンチプラズマ発生時の状況を示す。図１にお
ける電極１と電極２は対をなし、図示されていない真空
容器に収納されている。電極１はガス吹き出し側のもの
で、上部にガス導入系９が接続され、ガス通路１Ａを介
してガス３０をバルブ４に導いている。さらに、バルブ
４の出口（下側）には円筒状のガス通路１Ｂが配され、
下方にガス３０を吹き出している。一方、電極２はガス
３０の流れを受けている。電極１と電極２は、投入スイ
ッチ１１を介して電源１０に接続されている。
例に基づいて説明する。図１は、ピンチプラズマの発生
装置の動作を説明する断面図であり、それぞれ（Ａ）は
ガス吹き付け時、（Ｂ）は円筒状プラズマ発生時、
（Ｃ）はピンチプラズマ発生時の状況を示す。図１にお
ける電極１と電極２は対をなし、図示されていない真空
容器に収納されている。電極１はガス吹き出し側のもの
で、上部にガス導入系９が接続され、ガス通路１Ａを介
してガス３０をバルブ４に導いている。さらに、バルブ
４の出口（下側）には円筒状のガス通路１Ｂが配され、
下方にガス３０を吹き出している。一方、電極２はガス
３０の流れを受けている。電極１と電極２は、投入スイ
ッチ１１を介して電源１０に接続されている。
【００１２】まず、図１（Ａ）において、投入スイッチ
１１を開成した状態でバルブ４を開成すると、電極１と
電極２の間の真空ギャップ中にガス３０が吹き出し、ガ
ス３０が円筒状に分布するようになる。次に、図１
（Ｂ）において、投入スイッチ１１を閉成すると、ガス
３０が円筒状のプラズマ３１になり電流Ｉが流れる。こ
の電流Ｉによってプラズマ３１を周回する磁束Φが発生
するので、プラズマ３１はローレンツ力によって半径方
向内方に力を受ける。その結果、図１（Ｃ）のように細
く円柱状に収縮したピンチプラズマ３が形成される。こ
のピンチプラズマ３からは、放射光３Ａが放射される。
１１を開成した状態でバルブ４を開成すると、電極１と
電極２の間の真空ギャップ中にガス３０が吹き出し、ガ
ス３０が円筒状に分布するようになる。次に、図１
（Ｂ）において、投入スイッチ１１を閉成すると、ガス
３０が円筒状のプラズマ３１になり電流Ｉが流れる。こ
の電流Ｉによってプラズマ３１を周回する磁束Φが発生
するので、プラズマ３１はローレンツ力によって半径方
向内方に力を受ける。その結果、図１（Ｃ）のように細
く円柱状に収縮したピンチプラズマ３が形成される。こ
のピンチプラズマ３からは、放射光３Ａが放射される。
【００１３】ピンチプラズマ３は、プラズマが高密度に
収縮したものであり、一般にアークよりはその圧力が桁
違いに高い。そのために、ピンチプラズマ３の周囲に１
ｎｍないし１００ｎｍという短い波長の電磁波が放射さ
れる。このピンチプラズマ３の放射光３Ａは、例えば、
半導体の表面加工などに応用されている。なお、図１に
おいて、ガス３０を吹き出さない状態で投入スイッチ１
１を閉成すれば、単なるアークの発生だけになり、細く
円柱状に収縮したピンチプラズマ３には決してならな
い。
収縮したものであり、一般にアークよりはその圧力が桁
違いに高い。そのために、ピンチプラズマ３の周囲に１
ｎｍないし１００ｎｍという短い波長の電磁波が放射さ
れる。このピンチプラズマ３の放射光３Ａは、例えば、
半導体の表面加工などに応用されている。なお、図１に
おいて、ガス３０を吹き出さない状態で投入スイッチ１
１を閉成すれば、単なるアークの発生だけになり、細く
円柱状に収縮したピンチプラズマ３には決してならな
い。
【００１４】図２は、この発明の参考例にかかる擬一次
元構造炭素同素体の製造装置を示す要部拡大断面図であ
る。ピンチプラズマ３に対向する位置に基板３５が配さ
れている。また、電極１と電極２とは、ともにグラファ
イト製とし、ガス通路１Ｂに流すガスは、アルゴンガス
とする。図２において、図示されていない周囲の構成は
図１と同じである。図２の製造装置において、ピンチプ
ラズマ３によって電極１と電極２から遊離した炭素原子
が、飛翔粒子となって放射光３Ａとともに放射されて基
板３５上に膜６を形成する。この膜６をＸ線回折によっ
て調べると、擬一次元構造炭素同素体であることが分か
った。しかも、この膜６は、基板３５の材料によらない
ことが分かった。基板３５が銅や銀などの金属によく付
着することは勿論、ポリカーボネイト樹脂やテフロン
（登録商標）樹脂などのプラスチック、石英や磁器など
のセラミックスでもよく付着する。このように付着性
が、基板３５の材料に依存しないのはピンチプラズマ３
の持つエネルギーが、アークと比べて桁違いに大きいた
めである。なお、図２において、ガス通路１Ｂに流すガ
スは、一般に希ガスならばよく、他と反応しなければよ
い。
元構造炭素同素体の製造装置を示す要部拡大断面図であ
る。ピンチプラズマ３に対向する位置に基板３５が配さ
れている。また、電極１と電極２とは、ともにグラファ
イト製とし、ガス通路１Ｂに流すガスは、アルゴンガス
とする。図２において、図示されていない周囲の構成は
図１と同じである。図２の製造装置において、ピンチプ
ラズマ３によって電極１と電極２から遊離した炭素原子
が、飛翔粒子となって放射光３Ａとともに放射されて基
板３５上に膜６を形成する。この膜６をＸ線回折によっ
て調べると、擬一次元構造炭素同素体であることが分か
った。しかも、この膜６は、基板３５の材料によらない
ことが分かった。基板３５が銅や銀などの金属によく付
着することは勿論、ポリカーボネイト樹脂やテフロン
（登録商標）樹脂などのプラスチック、石英や磁器など
のセラミックスでもよく付着する。このように付着性
が、基板３５の材料に依存しないのはピンチプラズマ３
の持つエネルギーが、アークと比べて桁違いに大きいた
めである。なお、図２において、ガス通路１Ｂに流すガ
スは、一般に希ガスならばよく、他と反応しなければよ
い。
【００１５】また、図２において、ガス通路１Ｂに流す
ガスを窒素ガスにすれば、基板３５上に形成される膜６
は窒化炭素化合物になる。すなわち、電極１と電極２か
らピンチプラズマ３によって遊離した炭素原子が、高温
に晒された窒素ガスと反応して窒化炭素化合物になり、
飛翔粒子となって放射光３Ａとともに放射されて基板３
５上に成膜する。この膜６もＸ線回折スペクトルによっ
て調べると、窒化炭素化合物の結晶体であることが分か
った。しかも、この膜６も、基板３５の材料によらない
ことが分かった。基板３５は、擬一次元構造炭素同素体
の成膜の場合と同じように金属、プラスチック、セラミ
ックスのいずれにもよく付着することが分かった。
ガスを窒素ガスにすれば、基板３５上に形成される膜６
は窒化炭素化合物になる。すなわち、電極１と電極２か
らピンチプラズマ３によって遊離した炭素原子が、高温
に晒された窒素ガスと反応して窒化炭素化合物になり、
飛翔粒子となって放射光３Ａとともに放射されて基板３
５上に成膜する。この膜６もＸ線回折スペクトルによっ
て調べると、窒化炭素化合物の結晶体であることが分か
った。しかも、この膜６も、基板３５の材料によらない
ことが分かった。基板３５は、擬一次元構造炭素同素体
の成膜の場合と同じように金属、プラスチック、セラミ
ックスのいずれにもよく付着することが分かった。
【００１６】
【発明の効果】この発明の方法は、前述のように、真空
容器内でグラファイトよりなる電極対の間隙に窒素ガス
を流した状態でピンチプラズマを発生させ、このピンチ
プラズマによって窒化炭素化合物を基板上に成膜させ
る。これによって、基板材料に依存しないで基板に成膜
することができるようになった。材料のコーティング処
理の応用範囲が広くなり、その有用性が今後増してく
る。
容器内でグラファイトよりなる電極対の間隙に窒素ガス
を流した状態でピンチプラズマを発生させ、このピンチ
プラズマによって窒化炭素化合物を基板上に成膜させ
る。これによって、基板材料に依存しないで基板に成膜
することができるようになった。材料のコーティング処
理の応用範囲が広くなり、その有用性が今後増してく
る。
【図１】ピンチプラズマの発生装置の動作を説明する断
面図であり、それぞれ（Ａ）はガス吹き付け時、（Ｂ）
は円筒状プラズマ発生時、（Ｃ）はピンチプラズマ発生
時の状況を示す図
面図であり、それぞれ（Ａ）はガス吹き付け時、（Ｂ）
は円筒状プラズマ発生時、（Ｃ）はピンチプラズマ発生
時の状況を示す図
【図２】この発明の参考例にかかる擬一次元構造炭素同
素体の製造装置を示す要部拡大断面図
素体の製造装置を示す要部拡大断面図
【図３】擬一次元構造炭素同素体の結晶構造を示す図で
あり、（Ａ）は要部側面図、（Ｂ）は要部平面図
あり、（Ａ）は要部側面図、（Ｂ）は要部平面図
【図４】従来の擬一次元構造炭素同素体の製造装置を示
す断面図
す断面図
【図５】従来の異なる擬一次元構造炭素同素体の製造装
置を示す斜視図であり、（Ａ）は全体の構成を示す図、
（Ｂ）は図５（Ａ）の基板だけを取り出して示した図
置を示す斜視図であり、（Ａ）は全体の構成を示す図、
（Ｂ）は図５（Ａ）の基板だけを取り出して示した図
【図６】窒化炭素化合物の結晶構造を示す斜視図
【符号の説明】 １，２：電極、１Ａ，１Ｂ：ガス通路、３：ピンチプラ
ズマ、３Ａ：放射光、４：バルブ、５：炭素原子、５
Ａ：炭素鎖、６：膜、８：窒素原子、９：ガス導入系、
１０：電源、１１：投入スイッチ、３０：ガス、３１：
プラズマ、３５：基板
ズマ、３Ａ：放射光、４：バルブ、５：炭素原子、５
Ａ：炭素鎖、６：膜、８：窒素原子、９：ガス導入系、
１０：電源、１１：投入スイッチ、３０：ガス、３１：
プラズマ、３５：基板
フロントページの続き (72)発明者 藤原 修三 茨城県つくば市東１丁目１番 工業技術院 物質工学工業技術研究所内 (72)発明者 出野 裕 神奈川県横須賀市長坂２丁目２番１号 株 式会社富士電機総合研究所内 (72)発明者 杉山 修一 神奈川県横須賀市長坂２丁目２番１号 株 式会社富士電機総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器内にグラファイトよりなる電極対
を収納し、前記電極対の間隙に窒素ガスを流した状態で
ピンチプラズマを発生させ、このピンチプラズマによっ
て窒化炭素化合物を基板上に成膜させることを特徴とす
る窒化炭素化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000220011A JP2001059156A (ja) | 2000-01-01 | 2000-07-21 | 窒化炭素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000220011A JP2001059156A (ja) | 2000-01-01 | 2000-07-21 | 窒化炭素化合物の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08346855A Division JP3136333B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 擬一次元構造炭素同素体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001059156A true JP2001059156A (ja) | 2001-03-06 |
Family
ID=18714694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000220011A Pending JP2001059156A (ja) | 2000-01-01 | 2000-07-21 | 窒化炭素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001059156A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006069856A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Kakei Gakuen | 窒化炭素の製造方法 |
| US7708971B2 (en) | 2005-02-16 | 2010-05-04 | Carbodeon Ltd Oy | Method for preparing carbon nitride C3N4 |
| CN108525693A (zh) * | 2018-03-07 | 2018-09-14 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种石墨相氮化碳光电复合催化剂及其制备方法 |
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2000
- 2000-07-21 JP JP2000220011A patent/JP2001059156A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006069856A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Kakei Gakuen | 窒化炭素の製造方法 |
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| CN108525693B (zh) * | 2018-03-07 | 2021-04-09 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种石墨相氮化碳光电复合催化剂及其制备方法 |
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