JP2001056208A - 回転検出センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】回転検出センサの近くに位置するように外乱発
生体を配置しても、外乱発生体の外乱としての外乱磁束
の影響を回転検出センサを構成している部品の一部の材
質を非磁性体の材質にすることで抑制し、安定して回転
検出を行うことができる回転検出センサを提供する。 【解決手段】周方向に鉄製の磁路変更片６ａを配置した
鉄板よりなる回転板２と、回転板２に対して所定の向き
に配設された第１磁気抵抗素子９ａと該第１磁気抵抗素
子９ａを検出する第１バイアスマグネット９ｂとを備え
た回転位置センサ１において、磁路変更片６ａの基端部
と回転板２との間に非磁性体の非磁性片５ａを設け、第
１磁気抵抗素子９ａの磁気検知に対する外乱磁束ｍを防
止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回転検出センサに
係り、詳しくは磁気検知素子を備えた回転検出センサに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本出願人は、回転検出センサとして、図
１１に示すようなものを提案している。この回転位置セ
ンサ５１は、磁性体よりなる回転板５２と検知部本体５
３とから構成されている。回転板５２は、車両のステア
リングシャフト５４の回転とともにその軸心を中心に回
転する。前記回転板５２回転面内の最外周部において、
前記軸心を中心とする円弧状で磁性体からなる複数の磁
路変更片５５が回転板５２から延出形成されている。従
って、磁路変更片５５から軸心に向かって回転板５２を
切断した場合の断面形状は、磁路変更片５５、回転板５
２にてＬ字形状をなす。

【０００３】検知部本体５３は、回転板５２に形成した
磁路変更片５５の外側であって、その磁路変更片５５に
対して近接して配置されている。検知部本体５３は、複
数個の磁気検知体５６が樹脂モールド材５７にて封止す
ることにより構成されている。各磁気検知体５６は、回
転板５２に対して対向して配置されるとともに所定の向
きに配置されたバイアスマグネット５６ｂと該バイアス
マグネット５６ｂの磁束を検出する磁気抵抗素子５６ａ
とを備えている。そして、この回転位置センサ５１は、
回転中の回転板５２とともに一体に移動する各磁路変更
片５５が磁気検知体５６と対応する位置を通過する際に
バイアスマグネット５６ｂの磁束の向きが変更されたこ
とを磁気抵抗素子５６ａにて検出するようになってい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに形成された回転位置センサ５１においては、図１１
の２点鎖線で示すように、コイル等の外乱発生体Ｇが近
くにあると、外乱発生体Ｇにより外乱としての外乱磁束
ｍを発生させる場合がある。このため、バイアスマグネ
ット５６ｂと前記軸心との間における、磁路変更片５５
の有無を検出する際に、外乱磁束ｍが回転板５２及び磁
路変更片５５を伝って磁気検知体５６に悪影響を及ぼす
ことがある。

【０００５】すなわち、バイアスマグネット５６ｂと前
記軸心との間に磁路変更片５５が位置しているにもかか
わらず、磁気抵抗素子５６ａは磁路変更片５５が位置し
ていない時の磁束の向きと略同様の磁束を検出したり、
逆に、バイアスマグネット５６ｂと前記軸心との間に磁
路変更片５５が位置していないにもかかわらず、磁気抵
抗素子５６ａは磁路変更片５５が位置している時の磁束
の向きと略同様の磁束を検出したりすることがある。

【０００６】本発明では前述した事情に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、回転検出センサの近くに位
置するように外乱発生体を配置しても、外乱発生体から
発生する外乱としての外乱磁束の影響を回転検出センサ
を構成している部品の一部の材質を非磁性体の材質にす
ることで抑制し、安定して回転検出を行うことができる
回転検出センサを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項１に記載の発明は、周方向に所定の間隔毎
に磁性体からなる磁路変更片を配置した回転部材と、前
記回転部材に対して所定の向きに配設された磁石と該磁
石を検出する磁気検知素子とを備えた回転検出センサに
おいて、前記磁路変更片を支える回転部材の少なくとも
一部には、前記磁気検知素子の磁気検知に対する外乱を
防止するための非磁性体部材を設けたことを要旨とす
る。なお、本明細書では非磁性体とは強磁性体を含まな
いものを指し、常磁性体であるアルミニウム、すず、白
金や、セラミック、ガラスのように磁化しないものを含
む趣旨である。

【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の回転検出センサにおいて、前記非磁性体部材は、前記
磁路変更片を支持していることを要旨とする。請求項３
に記載の発明は、請求項２に記載の回転検出センサにお
いて、前記回転部材は、磁性体からなる回転板にて形成
され、同回転板により、外乱磁束を所定方向へ誘導する
ものであることを要旨とする。

【０００９】請求項４に記載の発明は、請求項１又は請
求項２に記載の回転検出センサにおいて、前記回転部材
は、全体が非磁性体からなることを要旨とする。 （作用）請求項１に記載の発明によれば、磁路変更片を
支える回転部材の少なくとも一部には、非磁性体部材を
設けているため、回転部材を伝わってくる外乱は磁路変
更片に伝わってこない。従って、磁気検知素子の磁気検
知の精度が向上する。

【００１０】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の発明の作用に加えて、非磁性体部材は、磁路変
更片を支持するように設けられているため、簡単な構造
で磁気検知に対する外乱が抑制される。

【００１１】請求項３に記載の発明によれば、請求項２
に記載の発明の作用に加えて、磁性体からなる回転板に
て外乱磁束を所定方向へ誘導しているため、磁気検出部
分への外乱磁束の侵入が抑制される。

【００１２】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
又は請求項２に記載の発明の作用に加えて、回転部材の
全体が非磁性体によりなるため、外乱磁束が回転部材を
伝うこと及び通過することによる磁気検知に対する外乱
が抑制される。

【００１３】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
を回転位置センサに具体化した第一実施形態を図１〜図
４に従って説明する。

【００１４】図１は、回転位置センサの要部分解斜視図
である。回転検出センサとしての回転位置センサ１は、
鉄板よりなる回転部材としての回転板２と検知部本体３
とから構成されている。なお、鉄板は磁性体である。回
転板２は、ステアリングシャフト４の回転とともに、そ
の軸心Ｏを回転中心に回転する。

【００１５】図１及び図２に示すように、前記回転板２
の面内の最外周部において、前記軸心Ｏを中心とする円
弧状の３個の非磁性体部材としてのアルミニウム部材よ
りなる非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃが同回転板２に溶接固
定され、前記非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃの先端に鉄製の
磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが溶接固定されている。な
お、アルミニウム部材は非磁性体である。非磁性片５
ａ，５ｂ，５ｃ及び磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃは、一
端から他端までが前記軸心Ｏからみて６０度の角度をな
すように形成されている。又、非磁性片５ａ，５ｂ，５
ｃ及び磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが互いになす間隔
は、前記軸心Ｏからみて６０度の角度をなすように形成
されている。

【００１６】従って、回転板２の面内の最外周部におい
て、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの非磁性片
５ａ，５ｂ，５ｃ及び磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと、
これらの非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃ及び磁路変更片６
ａ，６ｂ，６ｃが形成されていない空間７ａ，７ｂ，７
ｃが交互に存在することになる。

【００１７】又、回転板２には貫通孔８が形成され、前
記ステアリングシャフト４が貫挿固着されている。従っ
て、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃから軸心Ｏに向かって
回転板２を切断した場合の断面形状は、磁路変更片６
ａ，６ｂ，６ｃ、回転板２にてＬ字形状をなす。

【００１８】検知部本体３は、回転板２に形成した磁路
変更片６ａ，６ｂ，６ｃの外側であって、その磁路変更
片６ａ，６ｂ，６ｃに対して近設されている。検知部本
体３は、３個の第１〜第３の磁気検知体９，１０，１１
が樹脂モールド材１２にて封止され、図示しない固定部
材に固定されている。

【００１９】第１の磁気検知体９は、磁気検知素子とし
ての第１磁気抵抗素子９ａと磁石としての第１バイアス
マグネット９ｂとから構成されている。第１バイアスマ
グネット９ｂは軸心Ｏ側がＮ極で外側がＳ極となるよう
に配設されるとともに、第１磁気抵抗素子９ａに対して
軸心Ｏ側で、尚かつ図２において反時計回り方向にオフ
セットさせて配置されている。

【００２０】第１磁気抵抗素子９ａは、第１バイアスマ
グネット９ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化す
る磁気抵抗素子であって、図４に示すような磁束の向き
によってその抵抗値が変化する４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４を備えている。２個の抵抗体Ｒ１，Ｒ４
のグループは、同じ配列方向に向かって配置され、抵抗
体Ｒ２，Ｒ３のグループは前記抵抗体Ｒ１，Ｒ４の向く
配列方向とは直交する配列方向に向かって配列されてい
る。

【００２１】本実施形態での磁束の向きの変化範囲は、
磁束の向きが軸心Ｏから略半径方向に対して反時計回り
方向に所定角度の向きになるときから、前記略半径方向
に対して時計回り方向に所定角度の向きになるときの範
囲までである。

【００２２】なお、各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４はＮｉ−Ｃｏ薄
膜を基板に対してジグザグ状にすなわち、折れ線状に成
膜されている。抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、同温度雰囲気下に
おいて抵抗値が同一となるように設定されている。な
お、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は雰囲気温度が上昇すると、感度
が変化する感度温度特性を備えている。この感度温度特
性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率とが一致してい
るのが好ましい。

【００２３】そして、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半
径方向に対し反時計回り方向へ所定角度をなす向きにな
るときは、抵抗Ｒ１，Ｒ４は抵抗値が大きくなる第１の
状態になるとともに、抵抗Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が小さく
なる第２の状態になるように配置され、磁束の向きが前
記略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向
きになるとき、抵抗Ｒ１，Ｒ４は抵抗値が小さくなる第
２の状態になるとともに、抵抗Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が大
きくなる第１の状態となるように配置されている。従っ
て、これらの状態は、磁束の変化に応じて交互に生ず
る。

【００２４】前記各抵抗Ｒ１〜Ｒ４は図４に示すように
ブリッジ回路としての４端子ブリッジ回路Ｂを構成する
ように接続されている。前記抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２と
の接続点（中点）ａは、基板に設けられたコンパレータ
ＣＰの非反転入力端子に接続され、抵抗体Ｒ３と抵抗体
Ｒ４との接続点（中点）ｂは、同コンパレータＣＰの反
転入力端子に接続されている。

【００２５】前記コンパレータＣＰ、４端子ブリッジ回
路Ｂとにより検出回路ＤＣが構成されている。前記検出
回路ＤＣのブリッジ回路Ｂを構成する抵抗体Ｒ１，Ｒ４
は、第１バイアスマグネット９ｂと磁路変更片６ａ〜６
ｃとの相対関係において、第１バイアスマグネット９ｂ
が図２に示す第３バイアスマグネット１１ｂの位置に位
置するとき、即ち、軸心ＯからＮ極を通る放射線上（以
下、内側方という）に磁路変更片６ａ〜６ｃのいずれか
が位置する場合には、それらの磁束は略半径方向に対し
て反時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。この場
合には、４端子ブリッジ回路の中点ａ電圧はＬレベルと
なるようになっている。

【００２６】又、第１バイアスマグネット９ｂと磁路変
更片６ａ〜６ｃとの相対関係において、第１バイアスマ
グネット９ｂが図２に示す第２バイアスマグネット１０
ｂの位置に位置するとき、即ち、Ｎ極の内側方に磁路変
更片６ａ〜６ｃが位置しない場合には、それらの磁束は
略半径方向に対して時計回り方向に所定角度をなす向き
となる。この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａ
電圧はＨレベルとなるようになっている。

【００２７】さらに、第１バイアスマグネット９ｂと磁
路変更片６ａ〜６ｃとの相対関係において、第１バイア
スマグネット９ｂが図２に示す第１バイアスマグネット
９ｂの位置に位置し、磁路変更片６ａ〜６ｃがない位置
から磁路変更片６ａ〜６ｃの端を通過する時には、それ
ら磁束の向きは略半径方向に対して時計回り方向へ所定
角度をなす向きから、略半径方向の向きに対して反時計
回り方向へ所定角度をなす向きに変わる。この場合に
は、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａ電圧はＨレベルから
Ｌレベルに立ち下がる電圧が出力されるようになってい
る。

【００２８】さらに、第１バイアスマグネット９ｂと磁
路変更片６ａ〜６ｃとの相対関係において、第１バイア
スマグネット９ｂが磁路変更片６ａ〜６ｃがある位置か
らその端を通過する時には、それら磁束の向きは略半径
方向に対して反時計回り方向へ所定角度をなす向きか
ら、略半径方向の向きに対して時計回り方向へ所定角度
をなす向きに変わる。この場合には、４端子ブリッジ回
路Ｂの中点ａ電圧はＬレベルからＨレベルに立ち上がる
電圧が出力されるようになっている。

【００２９】なお、本実施形態での検出ポイントは移動
（回転）中の磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの回転方向の
エッジ部分である。第２の磁気検知体１０は、磁気検知
素子としての第２磁気抵抗素子１０ａと磁石としての第
２バイアスマグネット１０ｂとから構成されている。第
２磁気抵抗素子１０ａと第２バイアスマグネット１０ｂ
との間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子９ａと第１バ
イアスマグネット９ｂとの間の配置関係と同じである。
そして、第２磁気抵抗素子１０ａと第２バイアスマグネ
ット１０ｂは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子９ａと第
１バイアスマグネット９ｂに対して、図２において、前
記軸心Ｏを中心に時計回り方向に４０度の位置に配設さ
れている。

【００３０】第２磁気抵抗素子１０ａは、前記第１磁気
抵抗素子９ａと同様に第２バイアスマグネット１０ｂの
磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子
であって、図４に示すような４個の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４を
備えており、前記第１磁気抵抗素子９ａと同様に作用す
る。

【００３１】又、第２磁気抵抗素子１０ａの抵抗体Ｒ１
〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子９ａの場合と同様の４端子
ブリッジ回路を構成する。さらに、第２磁気抵抗素子１
０ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、コンパレータＣＰととも
に、検出回路ＤＣを構成している。この検出回路ＤＣ及
びブリッジ回路Ｂの作用は前記第１磁気抵抗素子９ａの
場合の検出回路ＤＣと同様に機能（作用）する。

【００３２】第３の磁気検知体１１は、磁気検知素子と
しての第３磁気抵抗素子１１ａと磁石としての第３バイ
アスマグネット１１ｂとから構成されている。第３磁気
抵抗素子１１ａと第３バイアスマグネット１１ｂとの間
の配置関係は前記第１磁気抵抗素子９ａと第１バイアス
マグネット９ｂとの間の配置関係と同じである。そし
て、第３磁気抵抗素子１１ａと第３バイアスマグネット
１１ｂは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子９ａと第１バ
イアスマグネット９ｂに対して、図２において、前記軸
心Ｏを中心に反時計回り方向に４０度の位置に配設され
ている。

【００３３】第３磁気抵抗素子１１ａは、前記第１磁気
抵抗素子９ａと同様に第３バイアスマグネット１１ｂの
磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子
であって、図４に示すような４個の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４を
備えており、前記第１磁気抵抗素子９ａと同様に作用す
る。

【００３４】又、第３磁気抵抗素子１１ａの抵抗体Ｒ１
〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子９ａの場合と同様の４端子
ブリッジ回路を構成する。さらに、第３磁気抵抗素子１
１ａの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、コンパレータＣＰととも
に、検出回路ＤＣを構成している。この検出回路ＤＣ及
びブリッジ回路Ｂの作用は前記第１磁気抵抗素子９ａの
場合の検出回路ＤＣと同様に機能（作用）する。

【００３５】以下、本実施形態における回転位置センサ
１の作用について説明する。図３に示すように、例えば
２点鎖線で示す位置、つまり回転板２の磁路変更片６ａ
固定側面付近で尚かつ、ステアリングシャフト４と検知
部本体３間におけるステアリングシャフト４付近に外乱
発生体Ｇがあるとする。すると、外乱発生体Ｇにより外
乱としての外乱磁束ｍが発生すると、外乱磁束ｍが通る
ための磁路が鉄板よりなる回転板２に誘導される。誘導
された磁路は回転板２の外周に向けて磁路がさらに形成
される。一方、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの基端部付
近において、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと回転板２と
の間には非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃが設けられているこ
とにより磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと回転板２を介し
て磁気回路が形成されないため、磁路変更片６ａ，６
ｂ，６ｃに磁路が形成されることが抑制される。このよ
うに、回転板２の外周部において、磁路は軸心Ｏの略半
径方向に向けて形成され、非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃに
よって外乱磁束ｍが第１〜第３磁気抵抗素子９ａ，１０
ａ，１１ａに検出されることが抑制される。

【００３６】従って、本実施形態の回転位置センサ１に
よれば以下の効果を奏する。 （１）非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃが同回転板２から延出
形成され、さらに前記非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃの先端
から鉄板よりなる磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが延出成
形されている。そのため、外乱発生体Ｇにより発生する
外乱としての外乱磁束ｍは回転板２から非磁性片５ａ，
５ｂ，５ｃを介して磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに伝わ
らないため、第１〜第３磁気抵抗素子９ａ，１０ａ，１
１ａは、第１〜第３バイアスマグネット９ｂ、１０ｂ、
１１ｂと前記軸心Ｏとの間における磁路変更片６ａ，６
ｂ，６ｃの位置の有無による磁束の変化のみが検出され
やすい。従って、検知部本体３は回転板２の回転を安定
して回転検出を行うことができる。 （２）回転板２は、磁性体としての鉄板より形成されて
いるため、外乱発生体Ｇにより発生する外乱磁束ｍを検
知部本体３に悪影響がない方向へ誘導することができ
る。 （３）鉄板よりなる磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの基端
部と回転板２との間に外乱発生体Ｇより発生する外乱磁
束ｍの伝達を抑制するアルミニウム部材よりなる非磁性
片５ａ，５ｂ，５ｃを設けたため、回転位置センサ１に
対して別体で外乱磁束ｍの防止手段を設けるよりもコス
トダウン及び構造の簡素化することができる。 （４）外乱発生体Ｇを回転位置センサ１の近くに配置す
ることができるため、回転位置センサ１を構成部品とし
た図示しない構成物において、部品配置の自由度を上げ
ることができる。

【００３７】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態を図２及び図５に従って説明する。尚、説明の
便宜上、第１実施形態と同一又は相当する部材について
同符号を付すと共に、異なるところのみを説明する。

【００３８】本実施形態では、図２及び図５に示すよう
に、アルミニウム板よりなる回転板２の面内の最外周部
において、前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３個の鉄板
よりなる磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃは非磁性片５ａ，
５ｂ，５ｃが省略されて回転板２に対して直接溶接固定
されている。

【００３９】以下、本実施形態における回転位置センサ
１の作用について説明する。図５に示すように、例えば
２点鎖線で示す位置つまり、回転板２の磁路変更片６ａ
固定側面付近で尚かつ、ステアリングシャフト４と検知
部本体３間におけるステアリングシャフト４付近に外乱
発生体Ｇがあるとする。外乱発生体Ｇにより外乱として
の外乱磁束ｍが発生すると、回転板２は非磁性体のアル
ミニウム部材により形成されているため、外乱磁束ｍが
通るための磁路が形成されない。この結果、回転板２を
通じて磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに外乱磁束ｍが流れ
込まないため、外乱磁束ｍが第１〜第３磁気抵抗素子９
ａ，１０ａ，１１ａに検出されることが抑制される。

【００４０】従って、本実施形態の回転位置センサ１に
よれば以下の効果を奏する。 （１）アルミニウム板よりなる回転板２の面内の最外周
部に鉄板よりなる磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが溶接固
定されている。そのため、外乱発生体Ｇにより発生する
外乱としての外乱磁束ｍは非磁性体の回転板２から磁路
変更片６ａ，６ｂ，６ｃに伝わらないため、第１〜第３
磁気抵抗素子９ａ，１０ａ，１１ａは、第１〜第３バイ
アスマグネット９ｂ、１０ｂ、１１ｂと前記軸心Ｏとの
間における磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの位置の有無に
よる磁束の変化のみが検出されやすい。従って、検知部
本体３は回転板２の回転を安定して回転検出を行うこと
ができる。 （２）アルミニウム板よりなる回転板２の最外周部に鉄
板よりなる磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが溶接固定され
ている。従って、回転位置センサ１に対して別体で外乱
磁束ｍの防止手段を設けるよりもコストダウン及び構造
の簡素化することができる。 （３）本実施形態においても、前記第１実施形態の効果
の（４）と同様の効果を奏する。

【００４１】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態を図６及び図７に従って説明する。尚、説明の
便宜上、第１実施形態と共通の部材について同符号を付
すと共に、異なるところのみを説明する。

【００４２】図６及び図７に示すように、回転位置セン
サ１を構成するアルミニウム板よりなる回転板２の面内
の最外周部において前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３
個のアルミニウム板よりなる非磁性体部材としての磁界
絶縁片１３ａ，１３ｂ，１３ｃが同回転板２に延出形成
されている。前記磁界絶縁片１３ａ，１３ｂ，１３ｃの
外周側面には磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが接着剤にて
貼着されている。

【００４３】以下、本実施形態における回転位置センサ
１の作用について説明する。図７に示すように、例えば
２点鎖線で示す位置つまり、回転板２の磁路変更片６ａ
固定側面付近で尚かつ、ステアリングシャフト４と検知
部本体３間における磁界絶縁片１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
の内周側面付近に外乱発生体Ｇがあるとする。すると、
外乱発生体Ｇにより外乱としての外乱磁束ｍが発生する
と、アルミニウム板よりなる回転板２及びアルミニウム
部材よりなる磁界絶縁片１３ａ，１３ｂ，１３ｃには外
乱磁束ｍが通るための磁路が形成されないと共に、外乱
磁束ｍが通過しない。そのため、磁路変更片６ａ，６
ｂ，６ｃには、外乱磁束ｍからの影響が抑制されるた
め、外乱磁束ｍが第１〜第３磁気抵抗素子９ａ，１０
ａ，１１ａに検出されることが抑制される。

【００４４】従って、本実施形態の回転位置センサ１に
よれば以下の効果を奏する。 （１）アルミニウム板よりなる回転板２の面内の最外周
部にアルミニウム部材よりなる磁界絶縁片１３ａ，１３
ｂ，１３ｃが延出形成されていて、その外周側面には鉄
板よりなる磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが貼着されてい
る。そのため、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃは、回転板
２及び磁界絶縁片１３ａ，１３ｂ，１３ｃにより、外乱
発生体Ｇにより発生する外乱としての外乱磁束ｍの影響
が抑制される。よって、第１〜第３磁気抵抗素子９ａ，
１０ａ，１１ａは、第１〜第３バイアスマグネット９
ｂ、１０ｂ、１１ｂと前記軸心Ｏとの間における磁路変
更片６ａ，６ｂ，６ｃの位置の有無による磁束の変化の
みが検出されやすくなる。従って、検知部本体３は回転
板２の回転を安定して回転検出を行うことができる。 （２）アルミニウム板よりなる回転板２の面内の最外周
部にアルミニウム部材よりなる磁界絶縁片１３ａ，１３
ｂ，１３ｃが延出形成されていて、その外周側面には鉄
板よりなる磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが貼着されてい
る。従って、回転位置センサ１に対して別体で外乱磁束
ｍの防止手段を設けるよりもコストダウン及び構造の簡
素化することができる。 （３）本実施形態においても、前記第１実施形態の効果
の（４）と同様の効果を奏する。

【００４５】（第４の実施形態）次に、回転検出センサ
として回転位置センサ１４を第４の実施形態に従って説
明する。

【００４６】尚、説明の便宜上、第１実施形態と共通の
部材について同符号を付すと共に、異なるところのみを
説明する。本実施形態では、図８、図９、図１０に示す
ように、検知部本体３がステアリングシャフト４と磁路
変更片６ａ、６ｂ、６ｃとの間に位置するように配置さ
れ、検知部本体３は、支持アーム１５により支持されて
いる。そして支持アーム１５は図示しない固定部材に固
定されている。第１〜第３の磁気検知体９，１０，１１
は検知部本体３の内部において、図９に図示されている
第１〜３磁気抵抗素子９ａ〜９ｃの中心を通る一点鎖線
に対して１８０度回転して配置されている。

【００４７】図１０に示すように、回転位置センサ１４
において、例えば２点鎖線で示す位置、つまり回転板２
の磁路変更片６ａ固定側面の反対側面付近で尚かつ、ス
テアリングシャフト４に近接した位置に外乱発生体Ｇが
あるとする。すると、外乱発生体Ｇにより外乱としての
外乱磁束ｍが発生すると、外乱磁束ｍが通るための磁路
が鉄板よりなる回転板２に誘導される。誘導された磁路
は回転板２の外周に向けて磁路がさらに形成される。一
方、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃの基端部付近におい
て、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと回転板２との間には
非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃが設けられていることにより
磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃと回転板２を介して磁気回
路が形成されないため、磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃに
磁路が形成されることが抑制される。このように、回転
板２の外周部において、磁路は軸心Ｏの略半径方向に向
けて形成され、非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃによって外乱
磁束ｍが第１〜第３磁気抵抗素子９ａ，１０ａ，１１ａ
に検出されることが抑制される。

【００４８】従って、本実施形態においては前記第１の
実施形態の（２）〜（４）と同様の効果を奏すると共に
以下の効果を奏する。 （１）非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃが同回転板２から延出
形成され、さらに前記非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃの先端
から鉄板よりなる磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃが延出成
形されている。そのため、例えば回転板２の磁路変更片
６ａ固定側面の反対側面付近で尚かつ、ステアリングシ
ャフト４に近接した位置に位置する外乱発生体Ｇにより
発生する外乱としての外乱磁束ｍは、回転板２から非磁
性片５ａ，５ｂ，５ｃを介して磁路変更片６ａ，６ｂ，
６ｃに伝わらないため、第１〜第３磁気抵抗素子９ａ，
１０ａ，１１ａは、第１〜第３バイアスマグネット９
ｂ，１０ｂ，１１ｂと前記軸心Ｏとの間における磁路変
更片６ａ，６ｂ，６ｃの位置の有無による磁束の変化の
みが検出されやすい。従って、検知部本体３は回転板２
の回転を安定して回転検出を行うことができる。

【００４９】なお、上記各実施形態は以下のように変更
して実施してもよい。 ・非磁性片５ａ〜５ｃ、第２及び第３実施形態における
回転板２、及び磁界絶縁片１３ａ〜１３ｃをアルミニウ
ム部材から形成させていたが、セラミック部材、ステン
レス部材等の非磁性体に変更してもよい。このように構
成させても前記各実施形態と同様の効果を奏する。

【００５０】・前記第１実施形態及び第４実施形態で
は、回転板２に対して非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃを溶接
固定し、非磁性片５ａ，５ｂ，５ｃに対して磁路変更片
６ａ，６ｂ，６ｃを溶接固定させていたが、接着剤にて
固定させてもよい。このとき、非磁性片５ａ，５ｂ，５
ｃは非磁性体の合成樹脂により成形させてもよい。この
ようにしても前記第１実施形態の効果と同様の効果を奏
する。

【００５１】・前記第２実施形態では、回転板２に対し
て磁路変更片６ａ，６ｂ，６ｃを溶接固定させていた
が、接着剤にて固定させてもよい。このとき、回転板２
は非磁性体の合成樹脂により成形させてもよい。このよ
うにしても前記第２実施形態の効果と同様の効果を奏す
る。

【００５２】・前記第３実施形態では、回転板２に対し
て磁界絶縁片１３ａ、１３ｂ、１３ｃを溶接固定させて
いたが、接着剤にて固定させてもよい。このとき、回転
板２又は磁界絶縁片１３ａ、１３ｂ、１３ｃのうち少な
くても一方を非磁性体の合成樹脂により成形させてもよ
い。このようにしても前記第３実施形態と同様の効果を
奏する。

【００５３】次に、前記各実施形態から把握できる請求
項に記載した発明以外の技術的思想について、それらの
効果と共に以下に記載する。 （イ） 前記磁気検知素子は、磁路変更片の回転軌跡の
内方に配置されている請求項１乃至請求項４のうちいず
れか１項に記載の回転検出センサ。このように構成する
と、磁路変更片の外周付近に外乱磁束が発生する場合に
おいて、磁気検知に対する外乱が抑制され、前記請求項
１に記載の発明と同様の効果を奏する。

【００５４】（ロ） 前記磁気検知素子は、磁路変更片
の回転軌跡の外方に配置されている請求項１乃至請求項
４のうちいずれか１項に記載の回転検出センサ。このよ
うに構成すると、回転部材中心付近に外乱磁束が発生す
る場合において、磁気検知に対する外乱が抑制され、前
記請求項１に記載の発明と同様の効果を奏する。

【００５５】（ハ） 前記回転部材は、非磁性体からな
る回転板と、同回転板の周面に対して回転軸心方向に沿
って立設された非磁性体の支持板とからなり、前記支持
板の内外両周面のいずれか一方に磁路変更板を固設した
（イ）又は（ロ）に記載の回転検出センサ。なお、ここ
でいう支持板とは前記第３実施形態における磁界絶縁片
１３ａ〜１３ｃのことである。このように構成すると、
請求項１に記載の発明と同様の効果を奏する。

【００５６】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜請求項
４に記載の発明によれば、回転検出センサの近くに位置
するように外乱発生体を配置しても、外乱発生体による
外乱磁束の影響を回転検出センサを構成している部品の
一部の材質を非磁性体にすることで抑制し、安定して回
転検出を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態における回転位置センサの要部分
解斜視図。

【図２】第１実施形態における回転板と磁気検知部材の
配置関係を示す平面図。

【図３】第１実施形態における回転位置センサの要部断
面図。

【図４】磁気抵抗素子の等価回路図。

【図５】第２実施形態における回転位置センサの要部断
面図。

【図６】第３実施形態における回転板と磁気検知部材の
配置関係を示す平面図。

【図７】第３実施形態における回転位置センサの要部断
面図。

【図８】第４実施形態における回転位置センサの要部分
解斜視図。

【図９】第４実施形態における回転板と磁気検知部材の
配置関係を示す平面図。

【図１０】第４実施形態における回転位置センサの要部
断面図。

【図１１】従来技術における回転位置センサの要部断面
図。

【符号の説明】

１…回転検出センサとしての回転位置センサ、２…回転
部材としての回転板、５ａ〜５ｃ…非磁性体部材として
の非磁性片、６ａ，６ｂ，６ｃ…磁路変更片、９ａ…磁
気検知素子としての第１磁気抵抗素子、９ｂ…磁石とし
ての第１バイアスマグネット、１０ａ…磁気検知素子と
しての第２磁気抵抗素子、１０ｂ…磁石としての第２バ
イアスマグネット、１１ａ…磁気検知素子としての第３
磁気抵抗素子、１１ｂ…磁石としての第３バイアスマグ
ネット、１３ａ〜１３ｃ…非磁性体部材としての磁界絶
縁片、１４…回転検出センサとしての回転位置センサ。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F063 AA36 BA08 CA16 DA05 DD04 EA03 GA53 GA68 GA69 KA02 2F077 AA21 CC02 NN04 NN21 PP14 QQ02 VV02

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 周方向に所定の間隔毎に磁性体からなる
   磁路変更片を配置した回転部材と、前記回転部材に対し
   て所定の向きに配設された磁石と該磁石を検出する磁気
   検知素子とを備えた回転検出センサにおいて、 前記磁路変更片を支える回転部材の少なくとも一部に
   は、前記磁気検知素子の磁気検知に対する外乱を防止す
   るための非磁性体部材を設けたことを特徴とする回転検
   出センサ。
2. 【請求項２】 前記非磁性体部材は、前記磁路変更片を
   支持していることを特徴とする請求項１に記載の回転検
   出センサ。
3. 【請求項３】 前記回転部材は、磁性体からなる回転板
   にて形成され、同回転板により、外乱磁束を所定方向へ
   誘導するものであることを特徴とする請求項２に記載の
   回転検出センサ。
4. 【請求項４】 前記回転部材は、全体が非磁性体からな
   ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回転
   検出センサ。