JP2001051246A - ファラデー回転子とそれを使用した磁気光学素子 - Google Patents
ファラデー回転子とそれを使用した磁気光学素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ファラデー回転角の温度依存性が小さいファラ
デー回転子、それを効率良く生産する方法、それを使用
し、温度変化に対して性能特性の変化が少ない磁気光学
素子、光アイソレータを安価に提供する。 【解決手段】ファラデー回転子は、組成式 【化７】 （式中、ＬｎはＴｂ以外の希土類元素から選択される元
素、Ｍ１はＣａ、Ｍｇ、Ｓｒから選択される元素、Ｍ２
はＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅから選択される元素、０≦ａ
≦０.５、０＜ｂ≦０.２、０≦ｃ≦０.０２、０≦ｄ≦
０.１）で示され、格子定数が１２．４７０±０．０１
３Åであるガーネット結晶からなる。
デー回転子、それを効率良く生産する方法、それを使用
し、温度変化に対して性能特性の変化が少ない磁気光学
素子、光アイソレータを安価に提供する。 【解決手段】ファラデー回転子は、組成式 【化７】 （式中、ＬｎはＴｂ以外の希土類元素から選択される元
素、Ｍ１はＣａ、Ｍｇ、Ｓｒから選択される元素、Ｍ２
はＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅから選択される元素、０≦ａ
≦０.５、０＜ｂ≦０.２、０≦ｃ≦０.０２、０≦ｄ≦
０.１）で示され、格子定数が１２．４７０±０．０１
３Åであるガーネット結晶からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ファラデー回転子
とその製造方法、およびそのファラデー回転子を使用し
た磁気光学素子、磁気光学素子の一種である光アイソレ
ータに関するものである。
とその製造方法、およびそのファラデー回転子を使用し
た磁気光学素子、磁気光学素子の一種である光アイソレ
ータに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムを構成する光回路には、
例えば光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッ
チ、磁界センサ、光アッテネータといった各種の磁気光
学素子が使用されている。かかる磁気光学素子は、構成
光学部品としてファラデー回転子を有し、設置環境の温
度により動作性能に変化を来す。そのため、温度変化の
激しい使用環境では温度調節器が付設されるが、ファラ
デー回転子のファラデー回転角の温度依存性が小さけれ
ば、温度調節器は不要となる。
例えば光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッ
チ、磁界センサ、光アッテネータといった各種の磁気光
学素子が使用されている。かかる磁気光学素子は、構成
光学部品としてファラデー回転子を有し、設置環境の温
度により動作性能に変化を来す。そのため、温度変化の
激しい使用環境では温度調節器が付設されるが、ファラ
デー回転子のファラデー回転角の温度依存性が小さけれ
ば、温度調節器は不要となる。
【０００３】ファラデー回転子の温度依存性の改善につ
いては、例えばテルビウム・ビスマス・ガリウム鉄ガー
ネット結晶が特許第２６７９１５７号公報に記載されて
いる。この結晶体はフラックス法で育成されているもの
であるため、再現性や生産性が悪く、加工がしにくいと
いう欠点がある。
いては、例えばテルビウム・ビスマス・ガリウム鉄ガー
ネット結晶が特許第２６７９１５７号公報に記載されて
いる。この結晶体はフラックス法で育成されているもの
であるため、再現性や生産性が悪く、加工がしにくいと
いう欠点がある。
【０００４】一方、液相エピタキシャル法によりガーネ
ットエピタキシャル膜を製造することがおこなわれてい
るが、通常入手できるガーネット結晶は、Ｃａ、Ｍｇ、
ＺｒでＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２を置換した結晶（信越化学工
業（株）製ＮＯＧ基板、格子定数１２.４９６±０.００
３Å）やＳｍ３Ｇａ５Ｏ１２（ＳＧＧ基板、格子定数１
２.４３９Å）である。
ットエピタキシャル膜を製造することがおこなわれてい
るが、通常入手できるガーネット結晶は、Ｃａ、Ｍｇ、
ＺｒでＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２を置換した結晶（信越化学工
業（株）製ＮＯＧ基板、格子定数１２.４９６±０.００
３Å）やＳｍ３Ｇａ５Ｏ１２（ＳＧＧ基板、格子定数１
２.４３９Å）である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
技術に鑑み、ファラデー回転角の温度依存性が小さいフ
ァラデー回転子、それを効率良く生産する方法、それを
使用し、温度変化に対して性能特性の変化が少ない磁気
光学素子、光アイソレータを安価に提供することを目的
とする。
技術に鑑み、ファラデー回転角の温度依存性が小さいフ
ァラデー回転子、それを効率良く生産する方法、それを
使用し、温度変化に対して性能特性の変化が少ない磁気
光学素子、光アイソレータを安価に提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明者は、ファラデー回
転子の温度変動にともなうファラデー回転角の変動につ
いて鋭意究明した結果、ファラデー回転角の温度依存性
がファラデー回転子を構成するガーネット結晶構造の２
４ｃの位置に占めるイオンの化学種に影響されることを
見出し、前記の目的を達成するための本発明を完成し
た。本発明を適用する第一発明のファラデー回転子は、
組成式
転子の温度変動にともなうファラデー回転角の変動につ
いて鋭意究明した結果、ファラデー回転角の温度依存性
がファラデー回転子を構成するガーネット結晶構造の２
４ｃの位置に占めるイオンの化学種に影響されることを
見出し、前記の目的を達成するための本発明を完成し
た。本発明を適用する第一発明のファラデー回転子は、
組成式
【０００７】
【化５】
【０００８】（Ｉ式中、ＬｎはＴｂ以外の希土類元素か
ら選択される元素、Ｍ１はＣａ、Ｍｇ、Ｓｒから選択さ
れる元素、Ｍ２はＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅから選択され
る元素、０≦ａ≦０.５、０＜ｂ≦０.２、０≦ｃ≦０.
０２、０≦ｄ≦０.１）で示され、格子定数が１２．４
７０±０．０１３Åであるガーネット結晶からなる。
ら選択される元素、Ｍ１はＣａ、Ｍｇ、Ｓｒから選択さ
れる元素、Ｍ２はＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅから選択され
る元素、０≦ａ≦０.５、０＜ｂ≦０.２、０≦ｃ≦０.
０２、０≦ｄ≦０.１）で示され、格子定数が１２．４
７０±０．０１３Åであるガーネット結晶からなる。
【０００９】上記したＬｎのなかでも、例えばＬａ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｍが好ま
しい。これらの元素はそれぞれ異なるイオン半径を持
ち、０≦ａ≦０．５の範囲内で適量を入れることで、結
晶の格子定数が所望範囲である１２．４７０±０．０１
３Åを得ることができる。Ｂｉの割合ｂは、０．２を越
えると結晶体の格子定数が所望範囲の１２．４７０±
０．０１３Åより大きくなってしまう。Ｍ１で示される
Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒは、光吸収を防止して光透過率を高め
る作用があり、割合ｃは０．０２以下という微量で足り
る。Ｍ２で示されるＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅは、ガーネ
ット結晶のＦｅ置換しているものである。Ａｌは格子定
数と飽和磁束密度とにかかわる。Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅは共
存する鉄イオンが２価に変わっている場合にＣａ、Ｍｇ
やＳｒと同様に光吸収を防止する作用を果たす。これら
の割合ｄが０．１を越えると格子定数が所望範囲から外
れ、飽和磁束密度は１０００ガウスを越えるようになっ
て好ましくない。
ｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｍが好ま
しい。これらの元素はそれぞれ異なるイオン半径を持
ち、０≦ａ≦０．５の範囲内で適量を入れることで、結
晶の格子定数が所望範囲である１２．４７０±０．０１
３Åを得ることができる。Ｂｉの割合ｂは、０．２を越
えると結晶体の格子定数が所望範囲の１２．４７０±
０．０１３Åより大きくなってしまう。Ｍ１で示される
Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒは、光吸収を防止して光透過率を高め
る作用があり、割合ｃは０．０２以下という微量で足り
る。Ｍ２で示されるＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅは、ガーネ
ット結晶のＦｅ置換しているものである。Ａｌは格子定
数と飽和磁束密度とにかかわる。Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅは共
存する鉄イオンが２価に変わっている場合にＣａ、Ｍｇ
やＳｒと同様に光吸収を防止する作用を果たす。これら
の割合ｄが０．１を越えると格子定数が所望範囲から外
れ、飽和磁束密度は１０００ガウスを越えるようになっ
て好ましくない。
【００１０】Ｉ式で示されるガーネット結晶の具体例
は、Ｔｂ２.４８Ｂｉ０.５２Ｆｅ５Ｏ １２の組成式で示
される結晶が好ましい。
は、Ｔｂ２.４８Ｂｉ０.５２Ｆｅ５Ｏ １２の組成式で示
される結晶が好ましい。
【００１１】同じく本発明を適用する第二発明のファラ
デー回転子の製造方法は、格子定数が１２．４７２±
０．０１３Åの置換または非置換ガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネット結晶基板上に、Ｉ式で示され、格子定数
が１２．４７０±０．０１３Åであるガーネット結晶を
液相エピタキシャル法により成長させることを特徴とす
る。
デー回転子の製造方法は、格子定数が１２．４７２±
０．０１３Åの置換または非置換ガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネット結晶基板上に、Ｉ式で示され、格子定数
が１２．４７０±０．０１３Åであるガーネット結晶を
液相エピタキシャル法により成長させることを特徴とす
る。
【００１２】このファラデー回転子の製造方法は、具体
的には例えばＴｂ４Ｏ７、Ｂｉ２Ｏ ３、Ｆｅ２Ｏ３など
のガーネット成分と、Ｂ２Ｏ３とＰｂＯなどのフラック
ス成分とを混合して白金るつぼ内にて溶融し、その溶融
物を一定の温度に保ちながら、常磁性体ガーネット結晶
基板を浸せきし、基板を回転して結晶成長させる液相エ
ピタキシャル法である。常磁性体ガーネット基板の格子
定数は１２．４７２±０．０１３Åで、例えばガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネットにＣａ、Ｚｒを添加して置
換した結晶基板が使用できる。
的には例えばＴｂ４Ｏ７、Ｂｉ２Ｏ ３、Ｆｅ２Ｏ３など
のガーネット成分と、Ｂ２Ｏ３とＰｂＯなどのフラック
ス成分とを混合して白金るつぼ内にて溶融し、その溶融
物を一定の温度に保ちながら、常磁性体ガーネット結晶
基板を浸せきし、基板を回転して結晶成長させる液相エ
ピタキシャル法である。常磁性体ガーネット基板の格子
定数は１２．４７２±０．０１３Åで、例えばガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネットにＣａ、Ｚｒを添加して置
換した結晶基板が使用できる。
【００１３】同じく本発明の第三発明のファラデー回転
子は、組成式
子は、組成式
【化６】
【００１４】（式中、ＬｎはＴｂ、Ｅｕ以外の希土類元
素から選択される元素、Ｍ１はＣａ、Ｍｇ、Ｓｒから選
択される元素、Ｍ２はＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅから選択
される元素、０≦ａ≦０.５、０＜ｂ≦０.２、０≦ｃ≦
０.０２、０≦ｄ≦０.１、０＜ｅ≦０.３）で示され、
格子定数が１２．４７０±０．０１３Åであるガーネッ
ト結晶からなる。
素から選択される元素、Ｍ１はＣａ、Ｍｇ、Ｓｒから選
択される元素、Ｍ２はＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅから選択
される元素、０≦ａ≦０.５、０＜ｂ≦０.２、０≦ｃ≦
０.０２、０≦ｄ≦０.１、０＜ｅ≦０.３）で示され、
格子定数が１２．４７０±０．０１３Åであるガーネッ
ト結晶からなる。
【００１５】この第三発明のファラデー回転子は、第一
発明のファラデー回転子のガーネット結晶中Ｔｂの一部
をＥｕで置換したものである。これらのファラデー回転
子は、ファラデー回転角が温度に対して二次曲線状に変
化するのが、Ｅｕは二次曲線が頂点となる温度を調節す
る働きをする。ｅを０．３以下の範囲で選ぶことによ
り、ファラデー回転角の頂点温度を、所望の値（例えば
室温）に調節することができる。また、Ｅｕは、Ｃａ、
Ｍｇ、Ｓｒと同様、光吸収を防止して光透過率を高める
作用がある。したがって、ファラデー回転角の頂点温度
調節のためにＥｕを入れている場合には、Ｍ１で示され
るＣａ、Ｍｇ、Ｓｒの割合ｃを減じることができる。
発明のファラデー回転子のガーネット結晶中Ｔｂの一部
をＥｕで置換したものである。これらのファラデー回転
子は、ファラデー回転角が温度に対して二次曲線状に変
化するのが、Ｅｕは二次曲線が頂点となる温度を調節す
る働きをする。ｅを０．３以下の範囲で選ぶことによ
り、ファラデー回転角の頂点温度を、所望の値（例えば
室温）に調節することができる。また、Ｅｕは、Ｃａ、
Ｍｇ、Ｓｒと同様、光吸収を防止して光透過率を高める
作用がある。したがって、ファラデー回転角の頂点温度
調節のためにＥｕを入れている場合には、Ｍ１で示され
るＣａ、Ｍｇ、Ｓｒの割合ｃを減じることができる。
【００１６】II式で示されるガーネット結晶の具体例
は、Ｔｂ２.４２Ｅｕ０.０６Ｂｉ０. ５２Ｆｅ
５Ｏ１２、Ｔｂ２.４２Ｅｕ０.０６Ｂｉ０.５２Ｆｅ
４.９５Ａｌ０.０ ５Ｏ１２組成式で示される結晶が好ま
しい。
は、Ｔｂ２.４２Ｅｕ０.０６Ｂｉ０. ５２Ｆｅ
５Ｏ１２、Ｔｂ２.４２Ｅｕ０.０６Ｂｉ０.５２Ｆｅ
４.９５Ａｌ０.０ ５Ｏ１２組成式で示される結晶が好ま
しい。
【００１７】同じく本発明の第四発明のファラデー回転
子の製造方法は、格子定数が１２．４７２±０．０１３
Åの置換または非置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ット結晶基板上に、II式で示され、格子定数が１２．４
７０±０．０１３Åであるガーネット結晶を液相エピタ
キシャル法により成長させることを特徴とする。
子の製造方法は、格子定数が１２．４７２±０．０１３
Åの置換または非置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ット結晶基板上に、II式で示され、格子定数が１２．４
７０±０．０１３Åであるガーネット結晶を液相エピタ
キシャル法により成長させることを特徴とする。
【００１８】このファラデー回転子の製造方法は、原料
としてＥｕ２Ｏ３を混入する以外は、前記したＩ式で示
されるガーネット結晶のファラデー回転子の製造方法と
同じである。
としてＥｕ２Ｏ３を混入する以外は、前記したＩ式で示
されるガーネット結晶のファラデー回転子の製造方法と
同じである。
【００１９】本発明を適用する第五発明の磁気光学素子
は、光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチ、
磁界センサ、光アッテネータから選ばれる磁気光学素子
であって、構成部品に第一発明または第三発明のファラ
デー回転子を含むことを特徴としている。
は、光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチ、
磁界センサ、光アッテネータから選ばれる磁気光学素子
であって、構成部品に第一発明または第三発明のファラ
デー回転子を含むことを特徴としている。
【００２０】同じく第六発明は、磁気光学素子のなかで
光アイソレータに関するもので、偏光面が９０°回転し
て並べられた偏光子と検光子との中間に、第一発明また
は第三発明のファラデー回転子が配置されている。
光アイソレータに関するもので、偏光面が９０°回転し
て並べられた偏光子と検光子との中間に、第一発明また
は第三発明のファラデー回転子が配置されている。
【００２１】同じく第七発明は、第六発明の光アイソレ
ータの好ましい形態であり、ファラデー回転子のファラ
デー回転角が３６°〜４４°であることを特徴としてい
る。
ータの好ましい形態であり、ファラデー回転子のファラ
デー回転角が３６°〜４４°であることを特徴としてい
る。
【００２２】尚、これらの光アイソレータは、偏光子、
ファラデー回転子、検光子をこの順に並べ、ファラデー
回転子を囲んで磁性体が設けられたもので、一段式また
は多段式のものである。偏光子と検光子は同一の構成で
あり、例えばガラス偏光板や誘電金属積層膜偏光子など
が用いられる。またこれらの構成部材以外に、波長板な
どの光学部材が挿入されてもよい。
ファラデー回転子、検光子をこの順に並べ、ファラデー
回転子を囲んで磁性体が設けられたもので、一段式また
は多段式のものである。偏光子と検光子は同一の構成で
あり、例えばガラス偏光板や誘電金属積層膜偏光子など
が用いられる。またこれらの構成部材以外に、波長板な
どの光学部材が挿入されてもよい。
【００２３】本発明のファラデー回転子を構成するガー
ネット結晶構造は、ＢｉイオンやＴｂイオンそして、Ｅ
ｕイオンがその２４ｃの位置に導入されている。これに
より温度変動にともなうファラデー回転角が温度に対し
て２次曲線状に変化し、Ｅｕ量の調節により、前記２次
曲線状に変化するファラデー回転角が頂点となる温度を
所望の温度に調節することが可能になる。そのため、本
発明のファラデー回転子は、ファラデー回転角の温度依
存性が少ない領域を室温など、常用温度領域に調節すれ
ば、温度変化があっても安定したファラデー回転角とな
る。
ネット結晶構造は、ＢｉイオンやＴｂイオンそして、Ｅ
ｕイオンがその２４ｃの位置に導入されている。これに
より温度変動にともなうファラデー回転角が温度に対し
て２次曲線状に変化し、Ｅｕ量の調節により、前記２次
曲線状に変化するファラデー回転角が頂点となる温度を
所望の温度に調節することが可能になる。そのため、本
発明のファラデー回転子は、ファラデー回転角の温度依
存性が少ない領域を室温など、常用温度領域に調節すれ
ば、温度変化があっても安定したファラデー回転角とな
る。
【００２４】本発明のファラデー回転子の製造方法は、
格子定数が１２．４７０±０．０１３Åのガーネット結
晶を育成するものであり、液相エピタキシャルの結晶基
板として格子定数が１２．４７２±０．０１３Åの置換
または非置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネットを採
用したことにより、育成結晶と結晶基板との整合性がよ
いため、クラックが生じにくい。したがって、本発明の
ファラデー回転子を効率よく大量生産できる。
格子定数が１２．４７０±０．０１３Åのガーネット結
晶を育成するものであり、液相エピタキシャルの結晶基
板として格子定数が１２．４７２±０．０１３Åの置換
または非置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネットを採
用したことにより、育成結晶と結晶基板との整合性がよ
いため、クラックが生じにくい。したがって、本発明の
ファラデー回転子を効率よく大量生産できる。
【００２５】また本発明の磁気光学素子は、構成部品と
してファラデー回転角の温度依存性が少ない本発明のフ
ァラデー回転子を使用しているため、温度変化のある環
境下で使用しても、安定した磁気光学特性が得られる。
してファラデー回転角の温度依存性が少ない本発明のフ
ァラデー回転子を使用しているため、温度変化のある環
境下で使用しても、安定した磁気光学特性が得られる。
【００２６】さらに本発明のファラデー回転子を使用し
た、本発明の光アイソレータは、温度変化のある環境下
で使用しても、安定した消光比が得られる。
た、本発明の光アイソレータは、温度変化のある環境下
で使用しても、安定した消光比が得られる。
【００２７】また、本発明の光アイソレータは、使用す
る本発明のファラデー回転子のファラデー回転角を３６
°〜４４°にしたことで、偏光子および検光子を透過
し、または偏光子および検光子に遮断される偏光の偏光
面が、偏光子および検光子の偏光面方向と一致または直
交しないため、光アイソレータとしての消光比および挿
入損失は若干劣化するが、ファラデー回転角の温度変化
がファラデー回転角４５度にした場合に比べかなり小さ
くなるから、同一温度範囲内での消光比の変動が小さく
なる効果がある。ファラデー回転角が３６°小さいと光
アイソレータの挿入損失の劣化が１ｄＢとなり好ましく
ない。
る本発明のファラデー回転子のファラデー回転角を３６
°〜４４°にしたことで、偏光子および検光子を透過
し、または偏光子および検光子に遮断される偏光の偏光
面が、偏光子および検光子の偏光面方向と一致または直
交しないため、光アイソレータとしての消光比および挿
入損失は若干劣化するが、ファラデー回転角の温度変化
がファラデー回転角４５度にした場合に比べかなり小さ
くなるから、同一温度範囲内での消光比の変動が小さく
なる効果がある。ファラデー回転角が３６°小さいと光
アイソレータの挿入損失の劣化が１ｄＢとなり好ましく
ない。
【００２８】
【実施例】本発明の詳細な実施例を説明する。以下に記
載する実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、実施
例５、実施例６は本発明を適用した例、比較例１、比較
例２は本発明を適用外の例である。
載する実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、実施
例５、実施例６は本発明を適用した例、比較例１、比較
例２は本発明を適用外の例である。
【００２９】（実施例１）原料成分としてＴｂ４Ｏ７を
２３．１ｇと、Ｂｉ２Ｏ３を９２９ｇと、Ｆｅ２Ｏ３を
１８８ｇと、Ｂ２Ｏ３を７９．６ｇと、ＰｂＯを１７８
０ｇとを秤量して白金るつぼに充填し、１０４０℃の温
度で溶融した後、その溶融物を７９０℃に保ち、直径２
５ｍｍΦ、厚さ１．２ｍｍのＳＯＧ基板（商品名、信越
化学工業（株）製、ガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
トにＣａ、Ｚｒを添加して置換した結晶基板、格子定数
１２.４７２±０.０１３Å）を浸せきし、回転させなが
らエピタキシャル膜を結晶成長させた。すると基板の両
面に約０．６４ｍｍの厚さで結晶体が積層され、クラッ
クの発生はなかった。この結晶体は、高温発光分析（Ｉ
ＣＰ）をしたところ、組成式がＴｂ２.４１Ｂｉ０.５９
Ｆｅ５Ｏ１２であった。格子定数をボンド法で測定した
ところ、１２．４８１Åであった。
２３．１ｇと、Ｂｉ２Ｏ３を９２９ｇと、Ｆｅ２Ｏ３を
１８８ｇと、Ｂ２Ｏ３を７９．６ｇと、ＰｂＯを１７８
０ｇとを秤量して白金るつぼに充填し、１０４０℃の温
度で溶融した後、その溶融物を７９０℃に保ち、直径２
５ｍｍΦ、厚さ１．２ｍｍのＳＯＧ基板（商品名、信越
化学工業（株）製、ガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
トにＣａ、Ｚｒを添加して置換した結晶基板、格子定数
１２.４７２±０.０１３Å）を浸せきし、回転させなが
らエピタキシャル膜を結晶成長させた。すると基板の両
面に約０．６４ｍｍの厚さで結晶体が積層され、クラッ
クの発生はなかった。この結晶体は、高温発光分析（Ｉ
ＣＰ）をしたところ、組成式がＴｂ２.４１Ｂｉ０.５９
Ｆｅ５Ｏ１２であった。格子定数をボンド法で測定した
ところ、１２．４８１Åであった。
【００３０】結晶体が積層しているＳＯＧ基板を板面に
そって中央で切断した後、結晶体に付着残存しているＳ
ＯＧ基板の残骸を研磨して削り落とした。この結晶体を
２ｍｍ□、０．５５ｍｍ厚に研磨し、裏表２面は鏡面研
磨加工により光学面に仕上げ、さらに光学面にはＳｉＯ
２とＡｌ２Ｏ３とからなる２層の無反射コートを施し、
ファラデー回転子が完成した。
そって中央で切断した後、結晶体に付着残存しているＳ
ＯＧ基板の残骸を研磨して削り落とした。この結晶体を
２ｍｍ□、０．５５ｍｍ厚に研磨し、裏表２面は鏡面研
磨加工により光学面に仕上げ、さらに光学面にはＳｉＯ
２とＡｌ２Ｏ３とからなる２層の無反射コートを施し、
ファラデー回転子が完成した。
【００３１】恒温層内で、このファラデー回転子を１０
００エルステッド（Ｏｅ）の磁場強度の中に置いて波長
１３１０ｎｍの直線偏光を透過させ、透過光の偏光面の
回転角度（ファラデー回転角）を、ファラデー回転角測
定装置により測定した。恒温層の温度を２０℃に設定し
たとき、ファラデー回転角は４５．９度であった。恒温
層の温度を種々に変えて測定したファラデー回転角の変
化が図１に示してある。図１から分かるようにファラデ
ー回転角が４５度±１．０度の範囲内に収まる温度範囲
は２０℃〜８０℃である。
００エルステッド（Ｏｅ）の磁場強度の中に置いて波長
１３１０ｎｍの直線偏光を透過させ、透過光の偏光面の
回転角度（ファラデー回転角）を、ファラデー回転角測
定装置により測定した。恒温層の温度を２０℃に設定し
たとき、ファラデー回転角は４５．９度であった。恒温
層の温度を種々に変えて測定したファラデー回転角の変
化が図１に示してある。図１から分かるようにファラデ
ー回転角が４５度±１．０度の範囲内に収まる温度範囲
は２０℃〜８０℃である。
【００３２】このファラデー回転子を使用し、ガラス偏
光板からなる偏光子、検光子と組み合わせて光アイソレ
ータを試作した。ファラデー回転子には前記と同じ大き
さの磁場を付与し、恒温層の温度を種々に変えて光を透
過させた。透過光が光アイソレータを透過した後、反射
光が光アイソレータに戻ってきたときの透過を阻止する
消光性能を消光比として算出した。測定温度と消光比と
の関係を図２に示す。
光板からなる偏光子、検光子と組み合わせて光アイソレ
ータを試作した。ファラデー回転子には前記と同じ大き
さの磁場を付与し、恒温層の温度を種々に変えて光を透
過させた。透過光が光アイソレータを透過した後、反射
光が光アイソレータに戻ってきたときの透過を阻止する
消光性能を消光比として算出した。測定温度と消光比と
の関係を図２に示す。
【００３３】２５℃において波長１３１０ｎｍ光の消光
比と挿入損失を求めたところ、消光比は３６ｄＢで挿入
損失は０．２ｄＢであることがわかった。戻り光の消光
比は一般に３５ｄＢ以上が要求される。図２からもわか
るように、消光比が３５ｄＢ以上になる温度範囲は、２
０℃から８０℃と広い。
比と挿入損失を求めたところ、消光比は３６ｄＢで挿入
損失は０．２ｄＢであることがわかった。戻り光の消光
比は一般に３５ｄＢ以上が要求される。図２からもわか
るように、消光比が３５ｄＢ以上になる温度範囲は、２
０℃から８０℃と広い。
【００３４】（実施例２）実施例１の原料成分よりもＢ
ｉの割合を少なくした他は実施例１と同様にしてエピタ
キシャル結晶体を得た。組成式はＴｂ２.４９Ｂｉ
０.５１Ｆｅ５Ｏ１２であり、ＳＯＧ基板上には厚さ
０．７３ｍｍに積層し、クラックはなかった。格子定数
は１２．４７７Åだった。ＳＯＧ基板を削り落として鏡
面研磨加工し、結晶体の厚さは０．６６ｍｍにした。
ｉの割合を少なくした他は実施例１と同様にしてエピタ
キシャル結晶体を得た。組成式はＴｂ２.４９Ｂｉ
０.５１Ｆｅ５Ｏ１２であり、ＳＯＧ基板上には厚さ
０．７３ｍｍに積層し、クラックはなかった。格子定数
は１２．４７７Åだった。ＳＯＧ基板を削り落として鏡
面研磨加工し、結晶体の厚さは０．６６ｍｍにした。
【００３５】このようにして得られた結晶体について実
施例１と同様にコート処理を行い、ファラデー回転子を
試作した。実施例１と同様な測定をし、その結果を図１
に示してある。２０℃におけるファラデー回転角は４
５．８度、ファラデー回転角が４５度±１．０度の範囲
内に収まる温度範囲は−４０℃〜９０℃であった。温度
変化に対してファラデー回転角は二次曲線状に変化して
いる。ファラデー回転角が二次曲線の頂点となる温度
は、１５℃であった。
施例１と同様にコート処理を行い、ファラデー回転子を
試作した。実施例１と同様な測定をし、その結果を図１
に示してある。２０℃におけるファラデー回転角は４
５．８度、ファラデー回転角が４５度±１．０度の範囲
内に収まる温度範囲は−４０℃〜９０℃であった。温度
変化に対してファラデー回転角は二次曲線状に変化して
いる。ファラデー回転角が二次曲線の頂点となる温度
は、１５℃であった。
【００３６】さらにこのファラデー回転子により、実施
例１と同様にして光アイソレータをを試作した。実施例
１と同様な測定を行った結果を図３に示す。波長１３１
０ｎｍ光に対する光アイソレータの消光比は３６ｄＢ、
挿入損失は０．２ｄＢだった。消光比が３５ｄＢ以上に
なる温度範囲は−４０℃〜９０℃と広い。
例１と同様にして光アイソレータをを試作した。実施例
１と同様な測定を行った結果を図３に示す。波長１３１
０ｎｍ光に対する光アイソレータの消光比は３６ｄＢ、
挿入損失は０．２ｄＢだった。消光比が３５ｄＢ以上に
なる温度範囲は−４０℃〜９０℃と広い。
【００３７】（実施例３）実施例１の原料成分にＥｕ２
Ｏ３を加えた他は実施例１と同様にしてエピタキシャル
結晶体を得た。組成式はＴｂ２.４９Ｅｕ０.０６Ｂｉ
０.４５Ｆｅ５Ｏ１ ２であり、ＳＯＧ基板上には厚さ
０．７４ｍｍに積層し、クラックはなかった。格子定数
は１２．４７７Åだった。ＳＯＧ基板を削り落として鏡
面研磨加工し、結晶体の厚さは０．６７ｍｍにした。
Ｏ３を加えた他は実施例１と同様にしてエピタキシャル
結晶体を得た。組成式はＴｂ２.４９Ｅｕ０.０６Ｂｉ
０.４５Ｆｅ５Ｏ１ ２であり、ＳＯＧ基板上には厚さ
０．７４ｍｍに積層し、クラックはなかった。格子定数
は１２．４７７Åだった。ＳＯＧ基板を削り落として鏡
面研磨加工し、結晶体の厚さは０．６７ｍｍにした。
【００３８】このようにして得られた結晶体について実
施例１と同様にコート処理を行い、ファラデー回転子を
試作した。実施例１と同様な測定をし、その結果を図１
に示してある。２０℃におけるファラデー回転角は４
５．８度、ファラデー回転角が４５度±１．０度の範囲
内に収まる温度範囲は−４０℃〜１００℃と広い。温度
変化に対してファラデー回転角は二次曲線状に変化して
いる。ファラデー回転角が二次曲線の頂点となる温度
は、３０℃であった。
施例１と同様にコート処理を行い、ファラデー回転子を
試作した。実施例１と同様な測定をし、その結果を図１
に示してある。２０℃におけるファラデー回転角は４
５．８度、ファラデー回転角が４５度±１．０度の範囲
内に収まる温度範囲は−４０℃〜１００℃と広い。温度
変化に対してファラデー回転角は二次曲線状に変化して
いる。ファラデー回転角が二次曲線の頂点となる温度
は、３０℃であった。
【００３９】さらにこのファラデー回転子により、実施
例１と同様にして光アイソレータを試作した。実施例１
と同様な測定を行った結果を図４に示す。波長１３１０
ｎｍ光に対する光アイソレータの消光比は３６ｄＢ、挿
入損失は０．１４ｄＢだった。消光比が３５ｄＢ以上に
なる温度範囲は−４０℃〜１００℃と広い。
例１と同様にして光アイソレータを試作した。実施例１
と同様な測定を行った結果を図４に示す。波長１３１０
ｎｍ光に対する光アイソレータの消光比は３６ｄＢ、挿
入損失は０．１４ｄＢだった。消光比が３５ｄＢ以上に
なる温度範囲は−４０℃〜１００℃と広い。
【００４０】（実施例４）原料成分にＡｌ２Ｏ３を少量
加えた他は、実施例３と同様にしてエピタキシャル結晶
体を得た。組成式はＴｂ２.４９Ｅｕ０.０６Ｂｉ
０.４５Ｆｅ４.９５Ａｌ ０.０５Ｏ１２であり、ＳＯＧ
基板上には厚さ０．７４ｍｍに積層し、クラックはなか
った。格子定数は１２．４７６Åだった。ＳＯＧ基板を
削り落として鏡面研磨加工し、結晶体の厚さは０．６７
ｍｍにした。
加えた他は、実施例３と同様にしてエピタキシャル結晶
体を得た。組成式はＴｂ２.４９Ｅｕ０.０６Ｂｉ
０.４５Ｆｅ４.９５Ａｌ ０.０５Ｏ１２であり、ＳＯＧ
基板上には厚さ０．７４ｍｍに積層し、クラックはなか
った。格子定数は１２．４７６Åだった。ＳＯＧ基板を
削り落として鏡面研磨加工し、結晶体の厚さは０．６７
ｍｍにした。
【００４１】このようにして得られた結晶体について実
施例１と同様にコート処理を行い、ファラデー回転子を
試作した。実施例１と同様な測定をし、その結果を図１
に示してある。２０℃におけるファラデー回転角は４
５．８度、ファラデー回転角が４５度±１．０度の範囲
内に収まる温度範囲は−４０℃〜１００℃であった。温
度変化に対してファラデー回転角は二次曲線状に変化し
ている。ファラデー回転角が二次曲線の頂点となる温度
は、２５℃であった。
施例１と同様にコート処理を行い、ファラデー回転子を
試作した。実施例１と同様な測定をし、その結果を図１
に示してある。２０℃におけるファラデー回転角は４
５．８度、ファラデー回転角が４５度±１．０度の範囲
内に収まる温度範囲は−４０℃〜１００℃であった。温
度変化に対してファラデー回転角は二次曲線状に変化し
ている。ファラデー回転角が二次曲線の頂点となる温度
は、２５℃であった。
【００４２】さらにこのファラデー回転子により、実施
例１と同様にして光アイソレータを試作した。実施例１
と同様な測定を行った結果を図４に示す。波長１３１０
ｎｍ光に対する光アイソレータの消光比は３６ｄＢ、挿
入損失は０．１４ｄＢだった。消光比が３５ｄＢ以上に
なる温度範囲は−４０℃〜１００℃と広い。
例１と同様にして光アイソレータを試作した。実施例１
と同様な測定を行った結果を図４に示す。波長１３１０
ｎｍ光に対する光アイソレータの消光比は３６ｄＢ、挿
入損失は０．１４ｄＢだった。消光比が３５ｄＢ以上に
なる温度範囲は−４０℃〜１００℃と広い。
【００４３】（実施例５）実施例３と同様な原料成分で
エピタキシャル結晶体を得た。この結晶体は、組成式は
実施例３と同一であったが、格子定数は１２．４７８Å
とやや大きかった。この結晶体を厚さ０．６６ｍｍのフ
ァラデー回転子に形成した。２０℃におけるファラデー
回転角を測定したところ４０．０度であった。
エピタキシャル結晶体を得た。この結晶体は、組成式は
実施例３と同一であったが、格子定数は１２．４７８Å
とやや大きかった。この結晶体を厚さ０．６６ｍｍのフ
ァラデー回転子に形成した。２０℃におけるファラデー
回転角を測定したところ４０．０度であった。
【００４４】このファラデー回転子により、実施例１と
同様にして光アイソレータを試作した。実施例１と同様
な測定を行った結果、波長１３１０ｎｍ光に対する光ア
イソレータの消光比は３８ｄＢ、挿入損失は０．３４ｄ
Ｂだった。消光比が３７ｄＢ以上になる温度範囲は−４
０℃〜１００℃と広い。
同様にして光アイソレータを試作した。実施例１と同様
な測定を行った結果、波長１３１０ｎｍ光に対する光ア
イソレータの消光比は３８ｄＢ、挿入損失は０．３４ｄ
Ｂだった。消光比が３７ｄＢ以上になる温度範囲は−４
０℃〜１００℃と広い。
【００４５】（実施例６）原料成分にＡｌ２Ｏ３を少量
加えた他は、実施例３と同様にしてエピタキシャル結晶
体を得た。組成式はＴｂ２.４９Ｅｕ０.１６Ｂｉ
０.３５Ｆｅ４.９５Ａｌ ０.０５Ｏ１２であり、クラッ
クはなかった。格子定数は１２．４７１Åだった。ＳＯ
Ｇ基板を削り落として鏡面研磨加工し、結晶体の厚さを
０．８４ｍｍにしてファラデー回転子に形成した。実施
例１と同様な測定をし、その結果を図１に示してある。
２０℃における波長１５５０ｎｍ光のファラデー回転角
は４５．８度、ファラデー回転角が４５度±１．０度の
範囲内に収まる温度範囲は−４０℃〜１００℃であっ
た。温度変化に対してファラデー回転角は二次曲線状に
変化している。ファラデー回転角が二次曲線の頂点とな
る温度は、２５℃であった。
加えた他は、実施例３と同様にしてエピタキシャル結晶
体を得た。組成式はＴｂ２.４９Ｅｕ０.１６Ｂｉ
０.３５Ｆｅ４.９５Ａｌ ０.０５Ｏ１２であり、クラッ
クはなかった。格子定数は１２．４７１Åだった。ＳＯ
Ｇ基板を削り落として鏡面研磨加工し、結晶体の厚さを
０．８４ｍｍにしてファラデー回転子に形成した。実施
例１と同様な測定をし、その結果を図１に示してある。
２０℃における波長１５５０ｎｍ光のファラデー回転角
は４５．８度、ファラデー回転角が４５度±１．０度の
範囲内に収まる温度範囲は−４０℃〜１００℃であっ
た。温度変化に対してファラデー回転角は二次曲線状に
変化している。ファラデー回転角が二次曲線の頂点とな
る温度は、２５℃であった。
【００４６】さらにこのファラデー回転子により、実施
例１と同様にして光アイソレータをを試作した。実施例
１と同様な測定を行った結果、波長１５５０ｎｍ光に対
する光アイソレータの消光比は３６ｄＢ、挿入損失は
０．２４ｄＢだった。消光比が３５ｄＢ以上になる温度
範囲は−４０℃〜１００℃と広い。
例１と同様にして光アイソレータをを試作した。実施例
１と同様な測定を行った結果、波長１５５０ｎｍ光に対
する光アイソレータの消光比は３６ｄＢ、挿入損失は
０．２４ｄＢだった。消光比が３５ｄＢ以上になる温度
範囲は−４０℃〜１００℃と広い。
【００４７】（比較例１）原料成分としてＴｂ４Ｏ７を
２０．５９ｇと、Ｂｉ２Ｏ３を１４５１ｇと、Ｆｅ２Ｏ
３を１７０．７ｇと、Ｇａ２Ｏ３を５．０ｇと、Ｂ２Ｏ
３を１８．５８ｇと、ＰｂＯを８３４０ｇとを原料と
し、結晶基板として直径２５ｍｍΦ、厚さ１．４ｍｍで
格子定数が１２．４３９ÅのＳＧＧ基板（Ｓｍ３Ｇａ５
Ｏ１２で示されるサマリウム・ガリウム・ガーネット）
を使用する以外は実施例１と同様にしてエピタキシャル
結晶成長を試みた。ＳＯＧ基板上に厚さ０．６ｍｍに積
層するとクラックが発生し、ファラデー回転子に必要な
厚みのある結晶体は得られなかった。結晶体の組成式は
Ｔｂ２.６２Ｂｉ０.４０Ｆｅ４.８８Ｇａ０.１２Ｏ１２
であった。
２０．５９ｇと、Ｂｉ２Ｏ３を１４５１ｇと、Ｆｅ２Ｏ
３を１７０．７ｇと、Ｇａ２Ｏ３を５．０ｇと、Ｂ２Ｏ
３を１８．５８ｇと、ＰｂＯを８３４０ｇとを原料と
し、結晶基板として直径２５ｍｍΦ、厚さ１．４ｍｍで
格子定数が１２．４３９ÅのＳＧＧ基板（Ｓｍ３Ｇａ５
Ｏ１２で示されるサマリウム・ガリウム・ガーネット）
を使用する以外は実施例１と同様にしてエピタキシャル
結晶成長を試みた。ＳＯＧ基板上に厚さ０．６ｍｍに積
層するとクラックが発生し、ファラデー回転子に必要な
厚みのある結晶体は得られなかった。結晶体の組成式は
Ｔｂ２.６２Ｂｉ０.４０Ｆｅ４.８８Ｇａ０.１２Ｏ１２
であった。
【００４８】（比較例２）原料成分としてＴｂ４Ｏ７を
２６．５６ｇと、Ｅｕ２Ｏ３を２．８４ｇと、Ｂｉ２Ｏ
３を１２０５ｇと、Ｆｅ２Ｏ３を１９３．２４ｇと、Ｇ
ａ２Ｏ３を６．４８ｇと、Ｂ２Ｏ３を２７．０ｇと、Ｐ
ｂＯを１０３８．９３ｇとを原料とし、結晶基板として
直径２５ｍｍΦ、厚さ１．４ｍｍで格子定数が１２．４
９６ÅのＮＯＧ基板（商品名、信越化学工業（株）製、
ガドリニウム・ガリウム・ガーネットにＣａ、Ｍｇ、Ｚ
ｒ、Ｙの少なくとも１つを添加し置換した結晶基板）を
使用する以外は実施例１と同様にしてエピタキシャル結
晶体を得た。組成式はＴｂ１ .９７Ｅｕ０.２１Ｂｉ
０.８２Ｆｅ４.７１Ｇａ０.２９Ｏ１２であり、ＮＯＧ
基板上には厚さ０．７３ｍｍに積層し、クラックはなか
った。格子定数は１２．４９２Åだった。ＮＯＧ基板を
削り落として鏡面研磨加工し、結晶体の厚さは０．４２
ｍｍにした。
２６．５６ｇと、Ｅｕ２Ｏ３を２．８４ｇと、Ｂｉ２Ｏ
３を１２０５ｇと、Ｆｅ２Ｏ３を１９３．２４ｇと、Ｇ
ａ２Ｏ３を６．４８ｇと、Ｂ２Ｏ３を２７．０ｇと、Ｐ
ｂＯを１０３８．９３ｇとを原料とし、結晶基板として
直径２５ｍｍΦ、厚さ１．４ｍｍで格子定数が１２．４
９６ÅのＮＯＧ基板（商品名、信越化学工業（株）製、
ガドリニウム・ガリウム・ガーネットにＣａ、Ｍｇ、Ｚ
ｒ、Ｙの少なくとも１つを添加し置換した結晶基板）を
使用する以外は実施例１と同様にしてエピタキシャル結
晶体を得た。組成式はＴｂ１ .９７Ｅｕ０.２１Ｂｉ
０.８２Ｆｅ４.７１Ｇａ０.２９Ｏ１２であり、ＮＯＧ
基板上には厚さ０．７３ｍｍに積層し、クラックはなか
った。格子定数は１２．４９２Åだった。ＮＯＧ基板を
削り落として鏡面研磨加工し、結晶体の厚さは０．４２
ｍｍにした。
【００４９】このようにして得られた結晶体について実
施例１と同様にコート処理を行い、ファラデー回転子を
試作した。実施例１と同様な測定をし、その結果を図１
に示してある。２０℃におけるファラデー回転角は４
５．０度、ファラデー回転角が４５度±１．０度の範囲
内に収まる温度範囲は０℃〜５０℃であった。
施例１と同様にコート処理を行い、ファラデー回転子を
試作した。実施例１と同様な測定をし、その結果を図１
に示してある。２０℃におけるファラデー回転角は４
５．０度、ファラデー回転角が４５度±１．０度の範囲
内に収まる温度範囲は０℃〜５０℃であった。
【００５０】さらにこのファラデー回転子により、実施
例１と同様にして光アイソレータをを試作した。実施例
１と同様な測定を行った結果、波長１３１０ｎｍ光に対
する光アイソレータの消光比は３６ｄＢ、挿入損失は
０．２２ｄＢだった。消光比が３５ｄＢ以上になる温度
範囲は０℃〜５０℃と狭かった。
例１と同様にして光アイソレータをを試作した。実施例
１と同様な測定を行った結果、波長１３１０ｎｍ光に対
する光アイソレータの消光比は３６ｄＢ、挿入損失は
０．２２ｄＢだった。消光比が３５ｄＢ以上になる温度
範囲は０℃〜５０℃と狭かった。
【００５１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明のフ
ァラデー回転子は、ファラデー回転角の温度依存性が少
ない領域を常用温度領域に調節できるので、温度変化が
あっても安定したファラデー回転角にすることができ
る。また、本発明のファラデー回転子の製造方法は、フ
ァラデー回転子となる液相エピタキシャルの育成結晶
と、その種になる結晶基板との整合性がよいため、育成
されるエピタキシャル結晶体にクラックが生じない。し
たがって、本発明のファラデー回転子を効率よく大量生
産できる。
ァラデー回転子は、ファラデー回転角の温度依存性が少
ない領域を常用温度領域に調節できるので、温度変化が
あっても安定したファラデー回転角にすることができ
る。また、本発明のファラデー回転子の製造方法は、フ
ァラデー回転子となる液相エピタキシャルの育成結晶
と、その種になる結晶基板との整合性がよいため、育成
されるエピタキシャル結晶体にクラックが生じない。し
たがって、本発明のファラデー回転子を効率よく大量生
産できる。
【００５２】また本発明の磁気光学素子は、構成部品と
してファラデー回転角の温度依存性が少ない本発明のフ
ァラデー回転子を使用しているため、温度変化のある環
境下で使用しても、安定した磁気光学特性が得られる。
さらに本発明のファラデー回転子を使用した、本発明の
光アイソレータは、温度変化のある環境下で使用して
も、安定した消光比が得られる。
してファラデー回転角の温度依存性が少ない本発明のフ
ァラデー回転子を使用しているため、温度変化のある環
境下で使用しても、安定した磁気光学特性が得られる。
さらに本発明のファラデー回転子を使用した、本発明の
光アイソレータは、温度変化のある環境下で使用して
も、安定した消光比が得られる。
【図１】実施例、比較例で試作したファラデー回転子の
ファラデー回転角の温度依存性を示す図である。
ファラデー回転角の温度依存性を示す図である。
【図２】実施例１で試作した光アイソレータの消光比の
温度依存性を示す図である。
温度依存性を示す図である。
【図３】実施例２で試作した光アイソレータの消光比の
温度依存性を示す図である。
温度依存性を示す図である。
【図４】実施例３で試作した光アイソレータの消光比の
温度依存性を示す図である。
温度依存性を示す図である。
フロントページの続き (72)発明者 渡邊 聡明 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 流王 俊彦 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 Ｆターム(参考） 2H079 AA03 AA12 BA02 CA05 DA13 2H099 AA01 BA02 CA11
Claims (7)
- 【請求項１】 組成式 【化１】 （式中、ＬｎはＴｂ以外の希土類元素から選択される元
素、Ｍ１はＣａ、Ｍｇ、Ｓｒから選択される元素、Ｍ２
はＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅから選択される元素、０≦ａ
≦０.５、０＜ｂ≦０.２、０≦ｃ≦０.０２、０≦ｄ≦
０.１）で示され、格子定数が１２．４７０±０．０１
３Åであるガーネット結晶のファラデー回転子。 - 【請求項２】格子定数が１２．４７２±０．０１３Åの
置換または非置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット
結晶基板上に、組成式 【化２】 （式中、ＬｎはＴｂ以外の希土類元素から選択される元
素、Ｍ１はＣａ、Ｍｇ、Ｓｒから選択される元素、Ｍ２
はＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅから選択される元素、０≦ａ
≦０.５、０＜ｂ≦０.２、０≦ｃ≦０.０２、０≦ｄ≦
０.１）で示され、格子定数が１２．４７０±０．０１
３Åであるガーネット結晶を、液相エピタキシャル法に
より成長させることを特徴とするファラデー回転子の製
造方法。 - 【請求項３】 組成式 【化３】 （式中、ＬｎはＴｂ、Ｅｕ以外の希土類元素から選択さ
れる元素、Ｍ１はＣａ、Ｍｇ、Ｓｒから選択される元
素、Ｍ２はＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅから選択される元
素、０≦ａ≦０.５、０＜ｂ≦０.２、０≦ｃ≦０.０
２、０≦ｄ≦０.１、０＜ｅ≦０.３）で示され、格子定
数が１２．４７０±０．０１３Åであるガーネット結晶
のファラデー回転子。 - 【請求項４】格子定数が１２．４７２±０．０１３Åの
置換または非置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット
結晶基板上に、組成式 【化４】 （式中、ＬｎはＴｂ、Ｅｕ以外の希土類元素から選択さ
れる元素、Ｍ１はＣａ、Ｍｇ、Ｓｒから選択される元
素、Ｍ２はＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅから選択される元
素、０≦ａ≦０.５、０＜ｂ≦０.２、０≦ｃ≦０.０
２、０≦ｄ≦０.１、０＜ｅ≦０.３）で示され、格子定
数が１２．４７０±０．０１３Åであるガーネット結晶
を、液相エピタキシャル法により成長させることを特徴
とするファラデー回転子の製造方法。 - 【請求項５】 光アイソレータ、光サーキュレータ、
光スイッチ、磁界センサ、光アッテネータから選ばれる
磁気光学素子であって、構成部品に請求項１または３に
記載のファラデー回転子を含むことを特徴とする磁気光
学素子。 - 【請求項６】 偏光面が９０°回転して並べられた偏
光子と検光子との中間に、請求項１または３に記載のフ
ァラデー回転子が配置されていることを特徴とする光ア
イソレータ。 - 【請求項７】 該ファラデー回転子のファラデー回転
角が３６°〜４４°であることを特徴とする光アイソレ
ータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000154306A JP2001051246A (ja) | 1999-05-28 | 2000-05-25 | ファラデー回転子とそれを使用した磁気光学素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-150127 | 1999-05-28 | ||
| JP15012799 | 1999-05-28 | ||
| JP2000154306A JP2001051246A (ja) | 1999-05-28 | 2000-05-25 | ファラデー回転子とそれを使用した磁気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001051246A true JP2001051246A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=26479821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000154306A Pending JP2001051246A (ja) | 1999-05-28 | 2000-05-25 | ファラデー回転子とそれを使用した磁気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001051246A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006117492A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | ビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶 |
| WO2010134327A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | アダマンド工業株式会社 | 電流測定装置 |
-
2000
- 2000-05-25 JP JP2000154306A patent/JP2001051246A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006117492A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | ビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶 |
| WO2010134327A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | アダマンド工業株式会社 | 電流測定装置 |
| JP2010271292A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Adamant Kogyo Co Ltd | 電流測定装置 |
| US8957667B2 (en) | 2009-05-21 | 2015-02-17 | Adamant Kogyo Co., Ltd. | Electric current measuring apparatus |
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