JP2001050838A - 圧力センサを製造する方法 - Google Patents
圧力センサを製造する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形材料が間隙を通って侵入することを、確
実に回避することができる方法を提供する。 【解決手段】 半導体圧力ピックアップ２のための圧力
供給部２８を成形材料による被覆から切り欠く手段が、
プランジャ４３を有しており、該プランジャを、射出成
形型４０において間隙４５によって、半導体圧力ピック
アップ２の、組付け区分１２とは反対側の面２０に対し
て間隔をおいて、配置し、この際に、液化された成形材
料の温度に対してプランジャ４３の温度を変化させるこ
とによって、プランジャ４３の領域における成形材料の
流動性を減少させ、これによって間隙４５内への成形材
料の少なくとも完全な侵入を阻止する。
実に回避することができる方法を提供する。 【解決手段】 半導体圧力ピックアップ２のための圧力
供給部２８を成形材料による被覆から切り欠く手段が、
プランジャ４３を有しており、該プランジャを、射出成
形型４０において間隙４５によって、半導体圧力ピック
アップ２の、組付け区分１２とは反対側の面２０に対し
て間隔をおいて、配置し、この際に、液化された成形材
料の温度に対してプランジャ４３の温度を変化させるこ
とによって、プランジャ４３の領域における成形材料の
流動性を減少させ、これによって間隙４５内への成形材
料の少なくとも完全な侵入を阻止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力センサを製造
する方法であって、半導体圧力ピックアップを導体フレ
ームの組付け区分に装着し、半導体圧力ピックアップを
導体フレームのコンタクト区分と電気的に接続し、半導
体圧力ピックアップを備えた導体フレームを、射出成形
型内に挿入し、次いで半導体圧力ピックアップを射出成
形型内において、成形材料から成るケーシングによって
取り囲み、この場合射出成形型に、半導体圧力ピックア
ップのための圧力供給部を成形材料による被覆から切り
欠く手段が設けられている形式の方法に関する。
する方法であって、半導体圧力ピックアップを導体フレ
ームの組付け区分に装着し、半導体圧力ピックアップを
導体フレームのコンタクト区分と電気的に接続し、半導
体圧力ピックアップを備えた導体フレームを、射出成形
型内に挿入し、次いで半導体圧力ピックアップを射出成
形型内において、成形材料から成るケーシングによって
取り囲み、この場合射出成形型に、半導体圧力ピックア
ップのための圧力供給部を成形材料による被覆から切り
欠く手段が設けられている形式の方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧力センサを製造するこのような方法
は、例えば刊行物「Advanced Microsystems for Automo
tiv Applications '99, D. E. Ricken, W. Gessner, 第
１２６頁」に基づいて公知である。この公知の方法で
は、ベースに装着されていて圧力ダイヤフラムを備えて
いる半導体チップを有する半導体圧力ピックアップが、
導体フレーム、いわゆるリードフレームに装着されてい
る。導体フレームの平らな区分、いわゆるダイパッド
（Diepad）はこの場合、半導体圧力ピックアップの組付
け区分として働く。次いで半導体チップはボンディング
ワイヤを介して導体フレームのコンタクト区分と接続さ
れる。次いで「トランスファーモールディング」もしく
は「トランスファー成形」という名前で公知の圧送成形
法において、半導体圧力ピックアップは、成形材料（Mo
ld compound）から成るケーシング内に埋め込まれる。
センサへの圧力供給はこの場合、半導体圧力ピックアッ
プの上側からか、又は、ベース及び組付け区分に設けら
れていて半導体チップの下側面と接続された圧力通路を
通して行うことができる。この方法を実施する場合、半
導体圧力ピックアップを射出された成形材料によって取
り囲む際つまり半導体圧力ピックアップの射出被覆（Um
spritzen）の際には、ケーシング内における圧力供給部
を成形材料から解放しておくことに、注意が払われねば
ならない。このことつまり圧力供給部の解放は公知の方
法では、圧力供給が半導体圧力ピックアップの、導体フ
レームとは反対側の面から行われるか、又は導体フレー
ムに向けられた側の面から行われるかに応じて、射出成
形型内において半導体圧力ピックアップの上側面か又は
組付け区分に押し付けられる型部分によって、行われ
る。半導体圧力ピックアップの射出被覆の後で、型部分
は除去され、これによって成形材料内に、圧力供給部と
して働く切欠きが残される。
は、例えば刊行物「Advanced Microsystems for Automo
tiv Applications '99, D. E. Ricken, W. Gessner, 第
１２６頁」に基づいて公知である。この公知の方法で
は、ベースに装着されていて圧力ダイヤフラムを備えて
いる半導体チップを有する半導体圧力ピックアップが、
導体フレーム、いわゆるリードフレームに装着されてい
る。導体フレームの平らな区分、いわゆるダイパッド
（Diepad）はこの場合、半導体圧力ピックアップの組付
け区分として働く。次いで半導体チップはボンディング
ワイヤを介して導体フレームのコンタクト区分と接続さ
れる。次いで「トランスファーモールディング」もしく
は「トランスファー成形」という名前で公知の圧送成形
法において、半導体圧力ピックアップは、成形材料（Mo
ld compound）から成るケーシング内に埋め込まれる。
センサへの圧力供給はこの場合、半導体圧力ピックアッ
プの上側からか、又は、ベース及び組付け区分に設けら
れていて半導体チップの下側面と接続された圧力通路を
通して行うことができる。この方法を実施する場合、半
導体圧力ピックアップを射出された成形材料によって取
り囲む際つまり半導体圧力ピックアップの射出被覆（Um
spritzen）の際には、ケーシング内における圧力供給部
を成形材料から解放しておくことに、注意が払われねば
ならない。このことつまり圧力供給部の解放は公知の方
法では、圧力供給が半導体圧力ピックアップの、導体フ
レームとは反対側の面から行われるか、又は導体フレー
ムに向けられた側の面から行われるかに応じて、射出成
形型内において半導体圧力ピックアップの上側面か又は
組付け区分に押し付けられる型部分によって、行われ
る。半導体圧力ピックアップの射出被覆の後で、型部分
は除去され、これによって成形材料内に、圧力供給部と
して働く切欠きが残される。
【０００３】上に述べた公知の方法では、プランジャを
半導体圧力ピックアップに又は導体フレームの組付け区
分に押し付けねばならない、という欠点がある。そして
半導体圧力ピックアップへのプランジャの圧着時に、ダ
イヤフラムが損傷するおそれがある。導体フレームの、
圧力通路を備えた組付け区分へのプランジャの圧着時
に、組付け区分は、射出成形型内に固定されたコンタク
ト区分に対して相対的に移動することあり、その結果組
付け区分とプランジャとの間に間隙が発生してしまい、
この間隙に成形材料の侵入することがある。
半導体圧力ピックアップに又は導体フレームの組付け区
分に押し付けねばならない、という欠点がある。そして
半導体圧力ピックアップへのプランジャの圧着時に、ダ
イヤフラムが損傷するおそれがある。導体フレームの、
圧力通路を備えた組付け区分へのプランジャの圧着時
に、組付け区分は、射出成形型内に固定されたコンタク
ト区分に対して相対的に移動することあり、その結果組
付け区分とプランジャとの間に間隙が発生してしまい、
この間隙に成形材料の侵入することがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ゆえに本発明の課題
は、冒頭に述べた形式の方法を改良して、従来技術にお
ける欠点を排除すること、つまり間隙を通しての成形材
料の侵入を、確実に回避することができる方法を提供す
ることである。
は、冒頭に述べた形式の方法を改良して、従来技術にお
ける欠点を排除すること、つまり間隙を通しての成形材
料の侵入を、確実に回避することができる方法を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の方法では、半導体圧力ピックアップのための
圧力供給部を成形材料による被覆から切り欠く手段が、
プランジャを有しており、該プランジャを、射出成形型
において間隙によって、組付け区分の、半導体圧力ピッ
クアップとは反対側の面に対して、又は半導体圧力ピッ
クアップの、組付け区分とは反対側の面に対して間隔を
おいて、配置し、この際に、液化された成形材料の温度
に対してプランジャの温度を変化させることによって、
プランジャの領域における成形材料の流動性を減少さ
せ、これによって間隙内への成形材料の少なくとも完全
な侵入を阻止するようにした。
に本発明の方法では、半導体圧力ピックアップのための
圧力供給部を成形材料による被覆から切り欠く手段が、
プランジャを有しており、該プランジャを、射出成形型
において間隙によって、組付け区分の、半導体圧力ピッ
クアップとは反対側の面に対して、又は半導体圧力ピッ
クアップの、組付け区分とは反対側の面に対して間隔を
おいて、配置し、この際に、液化された成形材料の温度
に対してプランジャの温度を変化させることによって、
プランジャの領域における成形材料の流動性を減少さ
せ、これによって間隙内への成形材料の少なくとも完全
な侵入を阻止するようにした。
【０００６】
【発明の効果】請求項１記載の特徴を備えた本発明によ
る方法によって、公知の方法における欠点は回避され
る。本発明による方法では、プランジャは、半導体圧力
ピックアップ又は組付け区分に接触せず、射出成形型に
おいて間隙によって、半導体圧力ピックアップ又は組付
け区分から間隔をおいて保持される。液化された成形材
料の温度に対してプランジャの温度を変化させることに
よって、プランジャの領域における成形材料の流動特性
が低下させられ、これによってプランジャと半導体圧力
ピックアップとの間の間隙もしくはプランジャと組付け
区分との間の間隙への成形材料の少なくとも完全な侵入
が回避される。この場合成形材料の温度と流動特性との
関係が利用される。半導体圧力ピックアップの射出被覆
の場合には、温度と流動特性との間に強い関連をもつ成
形材料が使用される。プランジャの温度変化によって、
プランジャの領域における成形材料の流動性を減じるこ
とができ、その結果成形材料はまったく又はわずかしか
間隙内に侵入することがない。これによって有利な形式
で、ケーシングにおける圧力供給部を、成形材料から解
放しておくことができ、しかもこの場合射出成形型にお
いて、半導体圧力ピックアップのダイヤフラム又は組付
け区分がプランジャと接触することはない。
る方法によって、公知の方法における欠点は回避され
る。本発明による方法では、プランジャは、半導体圧力
ピックアップ又は組付け区分に接触せず、射出成形型に
おいて間隙によって、半導体圧力ピックアップ又は組付
け区分から間隔をおいて保持される。液化された成形材
料の温度に対してプランジャの温度を変化させることに
よって、プランジャの領域における成形材料の流動特性
が低下させられ、これによってプランジャと半導体圧力
ピックアップとの間の間隙もしくはプランジャと組付け
区分との間の間隙への成形材料の少なくとも完全な侵入
が回避される。この場合成形材料の温度と流動特性との
関係が利用される。半導体圧力ピックアップの射出被覆
の場合には、温度と流動特性との間に強い関連をもつ成
形材料が使用される。プランジャの温度変化によって、
プランジャの領域における成形材料の流動性を減じるこ
とができ、その結果成形材料はまったく又はわずかしか
間隙内に侵入することがない。これによって有利な形式
で、ケーシングにおける圧力供給部を、成形材料から解
放しておくことができ、しかもこの場合射出成形型にお
いて、半導体圧力ピックアップのダイヤフラム又は組付
け区分がプランジャと接触することはない。
【０００７】本発明による方法のさらに別の有利な方法
は、請求項２以下に記載されている。
は、請求項２以下に記載されている。
【０００８】本発明による方法の第１実施例では、プラ
ンジャの冷却によって、プランジャの領域における成形
材料の粘度を高め、成形材料がまったく又は少なくとも
完全には間隙内に侵入しないようにした。
ンジャの冷却によって、プランジャの領域における成形
材料の粘度を高め、成形材料がまったく又は少なくとも
完全には間隙内に侵入しないようにした。
【０００９】本発明による方法の第２実施例では、プラ
ンジャの加熱によって、プランジャの領域における成形
材料を迅速に架橋及び硬化させ、その結果成形材料がわ
ずかしか又はまったく間隙内に侵入しないようにした。
ンジャの加熱によって、プランジャの領域における成形
材料を迅速に架橋及び硬化させ、その結果成形材料がわ
ずかしか又はまったく間隙内に侵入しないようにした。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に図面を参照しながら本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１１】本発明による方法の第１実施例を、図１〜
図３を参照しながら説明する。図１には導体フレーム
（Leitungsgitter）１０、いわゆるリードフレーム（Le
adframe）が示されている。条片状の導体フレーム１０
は、例えば打抜き及び屈曲によって金属薄板条片から又
は他の形状において製造することが可能であり、条片の
長手方向において、同様に形成された複数の区分を有し
ており、これらの区分は、線Ｌ−Ｌに沿って個別化され
ることができる。このようにして有利な製造が可能であ
る。圧力センサの製造は、有利には自動化されたライン
製造において行われる。分割線Ｌ−Ｌの間における導体
フレームの各領域は、半導体圧力ピックアップ２を装着
するための各１つの平らな組付け区分１２を有してい
る。図２及び図３から分かるように、半導体圧力ピック
アップ２は例えばシリコンチップのような半導体チップ
３を有しており、この半導体チップ３の下側面２１には
凹設部６が設けられている。凹設部６の上側の材料厚を
減じられた、半導体チップ３の区分は、変形可能なダイ
ヤフラム５を形成している。半導体チップ３は下側面２
１で、例えばガラスベース又はプラスチックベースのよ
うなベース（Sockel）４に装着されている。凹設部６は
ベース４によって気密に閉鎖され、圧力測定のための基
準室（Referenzraum）を形成している。半導体チップ３
の上側面２０には公知の形式で、図示されていない評価
手段が配置されており、この評価手段によってダイヤフ
ラム５の変形が検出可能である。評価手段は例えばダイ
ヤフラムの領域における圧電抵抗素子であり、この圧電
抵抗素子を用いてダイヤフラム５における機械的な緊張
が検出可能である。導体フレーム１０の区分１２に半導
体圧力ピックアップ２を装着した後で、半導体チップ３
はボンディングワイヤ１６を介して、導体フレーム１０
のコンタクト区分１１と電気的に接続される（図１参
照）。次いでコンタクト区分は、導体フレームの側部の
横方向ウェブ及びコンタクト区分１１の結合ウェブの切
断又は打抜きによって個別化されることができる。組付
け区分１２はいまや、ボンディングワイヤ１６の弾性的
な緊張力によって、コンタクト区分１１に対して運動さ
せられることができる。
図３を参照しながら説明する。図１には導体フレーム
（Leitungsgitter）１０、いわゆるリードフレーム（Le
adframe）が示されている。条片状の導体フレーム１０
は、例えば打抜き及び屈曲によって金属薄板条片から又
は他の形状において製造することが可能であり、条片の
長手方向において、同様に形成された複数の区分を有し
ており、これらの区分は、線Ｌ−Ｌに沿って個別化され
ることができる。このようにして有利な製造が可能であ
る。圧力センサの製造は、有利には自動化されたライン
製造において行われる。分割線Ｌ−Ｌの間における導体
フレームの各領域は、半導体圧力ピックアップ２を装着
するための各１つの平らな組付け区分１２を有してい
る。図２及び図３から分かるように、半導体圧力ピック
アップ２は例えばシリコンチップのような半導体チップ
３を有しており、この半導体チップ３の下側面２１には
凹設部６が設けられている。凹設部６の上側の材料厚を
減じられた、半導体チップ３の区分は、変形可能なダイ
ヤフラム５を形成している。半導体チップ３は下側面２
１で、例えばガラスベース又はプラスチックベースのよ
うなベース（Sockel）４に装着されている。凹設部６は
ベース４によって気密に閉鎖され、圧力測定のための基
準室（Referenzraum）を形成している。半導体チップ３
の上側面２０には公知の形式で、図示されていない評価
手段が配置されており、この評価手段によってダイヤフ
ラム５の変形が検出可能である。評価手段は例えばダイ
ヤフラムの領域における圧電抵抗素子であり、この圧電
抵抗素子を用いてダイヤフラム５における機械的な緊張
が検出可能である。導体フレーム１０の区分１２に半導
体圧力ピックアップ２を装着した後で、半導体チップ３
はボンディングワイヤ１６を介して、導体フレーム１０
のコンタクト区分１１と電気的に接続される（図１参
照）。次いでコンタクト区分は、導体フレームの側部の
横方向ウェブ及びコンタクト区分１１の結合ウェブの切
断又は打抜きによって個別化されることができる。組付
け区分１２はいまや、ボンディングワイヤ１６の弾性的
な緊張力によって、コンタクト区分１１に対して運動さ
せられることができる。
【００１２】図２に示されているように、半導体圧力ピ
ックアップ２を備えた導体フレーム１０は、射出成形型
（Spritzwerkzeug）４０内に挿入される。射出成形型４
０は例えば上側部分４１と下側部分４２とを備えた２つ
の部分から構成されており、この場合コンタクト区分１
１は上側部分４１と下側部分４２との間にクランプされ
る。射出成形型４０はプランジャ４３を有している。図
２に示されているように、プランジャ４３は射出成形型
において半導体チップ３のダイヤフラム５の上に配置さ
れ、その結果、上側面２０に対応配置されたプランジャ
面は間隙４５によって半導体チップ３の上側面２０から
間隔をおいている。間隙４５の間隙幅は例えば０.５ｍ
ｍ又はそれよりも小さな値である。次いで半導体圧力ピ
ックアップ２は、圧送成形（Transferformen）又はトラ
ンスファーモールディング（Transfer-Molding）として
公知の射出形成法によって、射出材料から成るケーシン
グ３０内に埋め込まれる。この方法では、例えば熱硬化
樹脂、エポキシ樹脂又は熱可塑性樹脂のような射出材料
がまず初めに液化され、次いで、半導体圧力ピックアッ
プを備えた室内に射出もしくは圧入される。
ックアップ２を備えた導体フレーム１０は、射出成形型
（Spritzwerkzeug）４０内に挿入される。射出成形型４
０は例えば上側部分４１と下側部分４２とを備えた２つ
の部分から構成されており、この場合コンタクト区分１
１は上側部分４１と下側部分４２との間にクランプされ
る。射出成形型４０はプランジャ４３を有している。図
２に示されているように、プランジャ４３は射出成形型
において半導体チップ３のダイヤフラム５の上に配置さ
れ、その結果、上側面２０に対応配置されたプランジャ
面は間隙４５によって半導体チップ３の上側面２０から
間隔をおいている。間隙４５の間隙幅は例えば０.５ｍ
ｍ又はそれよりも小さな値である。次いで半導体圧力ピ
ックアップ２は、圧送成形（Transferformen）又はトラ
ンスファーモールディング（Transfer-Molding）として
公知の射出形成法によって、射出材料から成るケーシン
グ３０内に埋め込まれる。この方法では、例えば熱硬化
樹脂、エポキシ樹脂又は熱可塑性樹脂のような射出材料
がまず初めに液化され、次いで、半導体圧力ピックアッ
プを備えた室内に射出もしくは圧入される。
【００１３】本発明による方法の第１実施例では、プラ
ンジャの冷却によってプランジャの温度は、液化された
成形材料の温度を下回る温度に強く降下させられる。プ
ランジャはこの目的のために冷却装置と結合されてい
る。これによってプランジャの周囲における成形材料の
粘度が高められ、成形材料の流動性は減じられる。プラ
ンジャ４３に直接隣接して位置している成形材料は、そ
の減じられた流動性に基づいて、間隙４５内にまったく
又はわずかしか侵入し得ない。場合によっては成形材料
はリング状の縁部領域２９において間隙４５内に侵入す
るが、しかしながらダイヤフラム５に達することはな
い。成形材料の完全な架橋後に、型部分は圧力センサか
ら離される。完成した圧力センサ１はいまや、図３に示
されているように、ケーシング３０内に切欠き２８を有
しており、この切欠き２８は、半導体チップ３のダイヤ
フラム５のための圧力供給部を形成している。コンタク
ト区分１１は最後になお、接続脚の形に折り曲げられる
ことができる。
ンジャの冷却によってプランジャの温度は、液化された
成形材料の温度を下回る温度に強く降下させられる。プ
ランジャはこの目的のために冷却装置と結合されてい
る。これによってプランジャの周囲における成形材料の
粘度が高められ、成形材料の流動性は減じられる。プラ
ンジャ４３に直接隣接して位置している成形材料は、そ
の減じられた流動性に基づいて、間隙４５内にまったく
又はわずかしか侵入し得ない。場合によっては成形材料
はリング状の縁部領域２９において間隙４５内に侵入す
るが、しかしながらダイヤフラム５に達することはな
い。成形材料の完全な架橋後に、型部分は圧力センサか
ら離される。完成した圧力センサ１はいまや、図３に示
されているように、ケーシング３０内に切欠き２８を有
しており、この切欠き２８は、半導体チップ３のダイヤ
フラム５のための圧力供給部を形成している。コンタク
ト区分１１は最後になお、接続脚の形に折り曲げられる
ことができる。
【００１４】本発明による方法の第２実施例ではプラン
ジャ４３は、液状の成形材料の温度を上回る温度に強く
加熱される。プランジャはこの目的のために加熱装置と
結合されている。成形材料としては熱硬化性樹脂（Duro
plast）が使用され、この熱硬化性樹脂はまず初め、圧
力及び温度の上昇によって液化され、射出成形型内にお
いて半導体圧力ピックアップの周りに射出される。次い
で液状の熱硬化性樹脂は架橋し、硬化して、ケーシング
３０を形成する。架橋はこの場合温度に関連している。
温度が高ければ高いほど、成形材料は素早く架橋する。
液状の熱硬化性樹脂の温度を上回る温度にプランジャを
加熱することによって、間隙４５の縁部に直接隣接して
いる熱硬化性樹脂は、射出成形型の他の領域におけるよ
うに迅速に架橋させられかつ硬化させられる。これによ
って極めて迅速に、完全に硬化した熱硬化性樹脂から成
るリング２９が形成され、このリング２９はバリアとし
て働き、なお液状の熱硬化性樹脂が間隙４５内にさらに
侵入することを阻止する。
ジャ４３は、液状の成形材料の温度を上回る温度に強く
加熱される。プランジャはこの目的のために加熱装置と
結合されている。成形材料としては熱硬化性樹脂（Duro
plast）が使用され、この熱硬化性樹脂はまず初め、圧
力及び温度の上昇によって液化され、射出成形型内にお
いて半導体圧力ピックアップの周りに射出される。次い
で液状の熱硬化性樹脂は架橋し、硬化して、ケーシング
３０を形成する。架橋はこの場合温度に関連している。
温度が高ければ高いほど、成形材料は素早く架橋する。
液状の熱硬化性樹脂の温度を上回る温度にプランジャを
加熱することによって、間隙４５の縁部に直接隣接して
いる熱硬化性樹脂は、射出成形型の他の領域におけるよ
うに迅速に架橋させられかつ硬化させられる。これによ
って極めて迅速に、完全に硬化した熱硬化性樹脂から成
るリング２９が形成され、このリング２９はバリアとし
て働き、なお液状の熱硬化性樹脂が間隙４５内にさらに
侵入することを阻止する。
【００１５】図４及び図５に示された本発明の別の実施
例では、半導体圧力ピックアップ２のベース４には、凹
設部６と接続された切欠き２５が設けられている。ベー
ス４の下には、組付け区分１２に別の切欠き２７が設け
られており、この切欠き２７は切欠き２５と整合してい
る。組付け区分１２の切欠き２７とベース４の切欠き２
５と凹設部６とによって圧力室が形成され、この圧力室
を通して半導体チップ３のダイヤフラム５には圧力が負
荷可能である。半導体チップ３の上側面２０はこの実施
例ではキャップ又はカバー２６によって覆われており、
この場合カバー２６の内側と半導体チップ３の上側面２
０との間には、圧力測定のための基準室（Referenzrau
m）として働く中空室が形成される。この実施例では圧
力供給は組付け区分１２の切欠き２７を通して行われる
ので、この場合プランジャ４３は間隙４５によって、組
付け区分１２の、半導体圧力ピックアップ２とは反対側
の面１５に対して間隔をおいて配置され、切欠き２７を
覆っている。また、上に述べた方法におけるように、同
一部材には同一符号が付けられている。図５に示されて
いるように、完全に製造された圧力センサ１は切欠き２
８を有しており、この切欠き２８を通して、切欠き２７
と切欠き２５と凹設部６とから形成された圧力通路は、
外側から自由に接近可能である。
例では、半導体圧力ピックアップ２のベース４には、凹
設部６と接続された切欠き２５が設けられている。ベー
ス４の下には、組付け区分１２に別の切欠き２７が設け
られており、この切欠き２７は切欠き２５と整合してい
る。組付け区分１２の切欠き２７とベース４の切欠き２
５と凹設部６とによって圧力室が形成され、この圧力室
を通して半導体チップ３のダイヤフラム５には圧力が負
荷可能である。半導体チップ３の上側面２０はこの実施
例ではキャップ又はカバー２６によって覆われており、
この場合カバー２６の内側と半導体チップ３の上側面２
０との間には、圧力測定のための基準室（Referenzrau
m）として働く中空室が形成される。この実施例では圧
力供給は組付け区分１２の切欠き２７を通して行われる
ので、この場合プランジャ４３は間隙４５によって、組
付け区分１２の、半導体圧力ピックアップ２とは反対側
の面１５に対して間隔をおいて配置され、切欠き２７を
覆っている。また、上に述べた方法におけるように、同
一部材には同一符号が付けられている。図５に示されて
いるように、完全に製造された圧力センサ１は切欠き２
８を有しており、この切欠き２８を通して、切欠き２７
と切欠き２５と凹設部６とから形成された圧力通路は、
外側から自由に接近可能である。
【図１】個別化される前及び射出成形型に挿入される前
における導体フレームを示す平面図である。
における導体フレームを示す平面図である。
【図２】射出成形型内における圧力センサを示す横断面
図である。
図である。
【図３】図２に示された実施例から製造された完成した
圧力センサを示す横断面図である。
圧力センサを示す横断面図である。
【図４】本発明の別の実施例のための、射出成形型内に
おける圧力センサを示す横断面図である。
おける圧力センサを示す横断面図である。
【図５】図４に示された実施例から製造された完成した
圧力センサを示す横断面図である。
圧力センサを示す横断面図である。
２ 半導体圧力ピックアップ、 ３ 半導体チップ、
４ ベース、 ５ ダイヤフラム、 ６ 凹設部、 、
１０ 導体フレーム、 １２ 組付け区分、２０ 上
側面、 ２１ 下側面、 ２５，２７ 切欠き、 ２８
切欠き、２９ 縁部領域、 ３０ケーシング、 ４０
射出成形型、 ４１ 上側部分、４２ 下側部分、
４３ プランジャ、 ４５ 間隙
４ ベース、 ５ ダイヤフラム、 ６ 凹設部、 、
１０ 導体フレーム、 １２ 組付け区分、２０ 上
側面、 ２１ 下側面、 ２５，２７ 切欠き、 ２８
切欠き、２９ 縁部領域、 ３０ケーシング、 ４０
射出成形型、 ４１ 上側部分、４２ 下側部分、
４３ プランジャ、 ４５ 間隙
フロントページの続き (72)発明者 アントン デーリング ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン シェ ーンブーフシュトラーセ 16 (72)発明者 ユルゲン ニーダー ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン パル メンヴェーク ３／２ (72)発明者 フリーダー ハーク ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン エミ ール−ロート−シュトラーセ 37
Claims (4)
- 【請求項１】 圧力センサを製造する方法であって、 半導体圧力ピックアップ（２）を導体フレーム（１０）
の組付け区分（１２）に装着し、 半導体圧力ピックアップ（２）を導体フレーム（１０）
のコンタクト区分（１１）と電気的に接続し、 半導体圧力ピックアップ（２）を備えた導体フレーム
を、射出成形型（４０）内に挿入し、 次いで半導体圧力ピックアップ（２）を射出成形型（４
０）内において、成形材料から成るケーシング（３０）
によって取り囲み、この場合射出成形型（４０）に、半
導体圧力ピックアップ（２）のための圧力供給部（２
８）を成形材料による被覆から切り欠く手段が設けられ
ている形式の方法において、 前記手段がプランジャ（４３）を有しており、該プラン
ジャ（４３）を、射出成形型（４０）において間隙（４
５）によって、組付け区分（１２）の、半導体圧力ピッ
クアップ（２）とは反対側の面（１５）に対して、又は
半導体圧力ピックアップ（２）の、組付け区分（１２）
とは反対側の面（２０）に対して間隔をおいて、配置
し、この際に、液化された成形材料の温度に対してプラ
ンジャ（４３）の温度を変化させることによって、プラ
ンジャ（４３）の領域における成形材料の流動性を減少
させ、これによって間隙（４５）内への成形材料の少な
くとも完全な侵入を阻止することを特徴とする、圧力セ
ンサを製造する方法。 - 【請求項２】 プランジャ（４３）の冷却によって成形
材料の粘度を高め、成形材料が少なくとも完全に間隙
（４５）内に侵入することを阻止する、請求項１記載の
方法。 - 【請求項３】 プランジャ（４３）の加熱によって、プ
ランジャ（４３）の領域における成形材料を迅速に架橋
及び硬化させ、成形材料が少なくとも完全に間隙（４
５）内に侵入することを阻止する、請求項１記載の方
法。 - 【請求項４】 成形材料が熱硬化性樹脂である、請求項
１から３までのいずれか１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19929026A DE19929026B4 (de) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors |
| DE19929026.1 | 1999-06-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001050838A true JP2001050838A (ja) | 2001-02-23 |
| JP4653285B2 JP4653285B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=7912430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000187844A Expired - Fee Related JP4653285B2 (ja) | 1999-06-25 | 2000-06-22 | 圧力センサを製造する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6300169B1 (ja) |
| JP (1) | JP4653285B2 (ja) |
| DE (1) | DE19929026B4 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012051102A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Freescale Semiconductor Inc | Ｍｅｍｓデバイスアセンブリ及びそのパッケージング方法 |
| JP2012512405A (ja) * | 2008-12-16 | 2012-05-31 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 装置および装置を製造するための方法 |
| JP2013512422A (ja) * | 2009-11-26 | 2013-04-11 | コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法 |
| CN108007631A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-08 | 怡得乐电子(杭州)有限公司 | 一种压力传感器生产成型工艺 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6818963B1 (en) * | 2000-09-07 | 2004-11-16 | Stmicroelectronics, Inc. | Surface mount package for linear array sensors |
| TW454287B (en) * | 2000-12-06 | 2001-09-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Multi-media chip package and its manufacture |
| NL1019042C2 (nl) * | 2001-09-26 | 2003-03-27 | Europ Semiconductor Assembly E | Werkwijze voor het inkapselen van een chip en/of ander voorwerp. |
| DE10221857A1 (de) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäusekörper, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP4090939B2 (ja) * | 2002-05-29 | 2008-05-28 | ニッタ株式会社 | 静電容量式センサおよびその製造方法 |
| DE10260105A1 (de) | 2002-12-19 | 2004-07-01 | Robert Bosch Gmbh | Drucksensor |
| DE10319470A1 (de) * | 2003-04-29 | 2004-11-25 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Metall-Kunststoff-Verbundbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10324139B4 (de) * | 2003-05-26 | 2005-07-21 | Infineon Technologies Ag | Mikroelektromechanisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP4519424B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2010-08-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 樹脂モールド型半導体装置 |
| DE102004003413A1 (de) * | 2004-01-23 | 2005-08-11 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Verpacken von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung |
| US7546772B2 (en) * | 2004-12-30 | 2009-06-16 | Honeywell International Inc. | Piezoresistive pressure sensor |
| US7273767B2 (en) * | 2004-12-31 | 2007-09-25 | Carsem (M) Sdn. Bhd. | Method of manufacturing a cavity package |
| EP1884010B1 (en) * | 2005-05-17 | 2014-04-30 | Carter Fuel Systems, LLC | Bldc motor and pump assembly with encapsulated circuit board |
| DE102005038443A1 (de) * | 2005-08-16 | 2007-02-22 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung mit einem Substrat und mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
| DE102005054631A1 (de) | 2005-11-16 | 2007-05-24 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung mit einem Substrat und mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
| US7931448B2 (en) | 2006-08-01 | 2011-04-26 | Federal Mogul World Wide, Inc. | System and method for manufacturing a brushless DC motor fluid pump |
| JP2008066696A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-03-21 | Denso Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| DE102007038515A1 (de) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Passivierung eines Bauelements und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung |
| US7847457B2 (en) | 2007-05-09 | 2010-12-07 | Federal-Mogul World Wide, Inc | BLDC motor assembly |
| EP2090873B1 (en) * | 2008-02-14 | 2011-06-01 | Elmos Advanced Packaging B.V. | Integrated circuit package |
| DE102008017871B4 (de) | 2008-04-09 | 2014-09-25 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Drucksensormodul und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102008043517B4 (de) * | 2008-11-06 | 2022-03-03 | Robert Bosch Gmbh | Sensormodul und Verfahren zur Herstellung eines Sensormoduls |
| WO2011076620A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Epcos Ag | Piezoresistive pressure and process for producing a piezoresistive pressure sensor |
| DE102010001759B4 (de) | 2010-02-10 | 2017-12-14 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches System und Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Systems |
| DE102010064120B4 (de) | 2010-12-23 | 2023-05-25 | Robert Bosch Gmbh | Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102010064108A1 (de) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Verpackung eines Sensorchips und dermaßen hergestelltes Bauteil |
| US9322600B2 (en) | 2011-03-17 | 2016-04-26 | Olive Tree Patents 1 Llc | Thermosyphon heat recovery |
| US8759153B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-06-24 | Infineon Technologies Ag | Method for making a sensor device using a graphene layer |
| DE102012010842A1 (de) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Sensor mit von einem Substrat umhüllten Sensorelement |
| US9366593B2 (en) * | 2013-09-27 | 2016-06-14 | Infineon Technologies Ag | Pressure sensor package with integrated sealing |
| US9628918B2 (en) | 2013-11-25 | 2017-04-18 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device |
| DE102014014103A1 (de) * | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Sensormodul zur Messung eines Druckes eines Fluides mit mindestens einer auf einem Schaltungsträger angeordneten elektronischen Schaltung, insbesondere einem integrierten Schaltkreis und mindestens einem Druckmesschip |
| US10060820B2 (en) | 2015-12-22 | 2018-08-28 | Continental Automotive Systems, Inc. | Stress-isolated absolute pressure sensor |
| KR102352901B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2022-01-19 | 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. | 촬영 모듈과 그 몰딩 회로기판 컴포넌트 및 몰딩 감광 컴포넌트와 제조방법 |
| DE102020205982A1 (de) | 2020-05-12 | 2021-11-18 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Ausbildung einer Umhausung eines Elektronikmoduls |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03102740A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Toshiba Corp | カラーブラウン管ネック部への電子銃構体の封入方法 |
| JPH03102740U (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-25 | ||
| JPH04313036A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 中空型樹脂封止半導体圧力センサ |
| JPH05203522A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | モールドパッケージ半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| JPH09304211A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Omron Corp | 静電容量型圧力センサのパッケージング構造およびパッケージング方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0562556A1 (en) * | 1992-03-24 | 1993-09-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing resin sealed type semiconductor device |
| US6153141A (en) * | 1993-11-23 | 2000-11-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor packaging method |
| KR970005706B1 (ko) * | 1994-01-24 | 1997-04-19 | 금성일렉트론 주식회사 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| DE69624087T2 (de) * | 1996-01-31 | 2003-06-05 | Sumitomo Bakelite Co | Verfahren zur Herstellung von in Epoxyharz eingekapselter Halbleitervorrichtung |
| NL1003315C2 (nl) * | 1996-06-11 | 1997-12-17 | Europ Semiconductor Assembly E | Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling. |
| US6074195A (en) * | 1998-12-08 | 2000-06-13 | Fast Heat, Inc. | Hot runner nozzle with laminar flow pin point tip |
-
1999
- 1999-06-25 DE DE19929026A patent/DE19929026B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-22 JP JP2000187844A patent/JP4653285B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-26 US US09/603,082 patent/US6300169B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03102740A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Toshiba Corp | カラーブラウン管ネック部への電子銃構体の封入方法 |
| JPH03102740U (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-25 | ||
| JPH04313036A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 中空型樹脂封止半導体圧力センサ |
| JPH05203522A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | モールドパッケージ半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| JPH09304211A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Omron Corp | 静電容量型圧力センサのパッケージング構造およびパッケージング方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012512405A (ja) * | 2008-12-16 | 2012-05-31 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 装置および装置を製造するための方法 |
| US8621925B2 (en) | 2008-12-16 | 2014-01-07 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for producing a device |
| JP2013512422A (ja) * | 2009-11-26 | 2013-04-11 | コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法 |
| JP2012051102A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Freescale Semiconductor Inc | Ｍｅｍｓデバイスアセンブリ及びそのパッケージング方法 |
| CN108007631A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-08 | 怡得乐电子(杭州)有限公司 | 一种压力传感器生产成型工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE19929026B4 (de) | 2011-02-24 |
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