JP2009505088A - 基板とケーシングとを備えたセンサ配置構造およびセンサ配置構造を製造する方法 - Google Patents
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Abstract
基板とケーシングとを備えたセンサ配置構造ならびにセンサ配置構造を製造する方法が提案されており、ケーシングが、基板を第1の基板領域でほぼ完全に包囲しており、ケーシングが、第2の基板領域で開口によって少なくとも部分的に開放して設けられており、開口の領域で、第2の基板領域が、ケーシングから突出して設けられている。
Description
本発明は、独立請求項の上位概念に記載の形式の、基板とケーシングとを備えたセンサ配置構造から出発する。ドイツ連邦共和国特許出願公開第19929026号明細書から、圧力センサを製造する方法が公知であり、ここでは半導体圧力センサが、導体フレームの取付区分に取り付けられ、半導体圧力センサは、導体フレームのコンタクト区分と電気接続され、導体フレームは、半導体圧力センサと共に、射出成形型に挿入され、次いで半導体圧力センサは、射出成形型内で、成形材料から成るケーシングで包囲され、この場合射出成形型に、構成手段が設けられており、構成手段によって、被覆および成形材料から半導体圧力センサの圧力供給部が切り欠かれ、この場合プランジャが、射出成形型内で、ギャップによって、取付区分の、半導体圧力センサとは反対側に対して間隔を有して配置されている。これに対して選択的に、外側の媒体に対するアプローチを要するセンサ、たとえば圧力センサを、予備成形ケーシング内でパッケージングすることが公知である。このために先ずケーシング成形体が射出成形され、次いでチップが、既に予備製作されたケーシングに取り付けられ、次いで適当にコンタクトされる。いわゆる予備成形ケーシング成形体は、標準型成形ケーシングに対して高価であるので、既に記載の明細書によって、圧力センサを標準型成形ケーシングにパッケージングするよう試みられた。このためにたとえばプランジャなどによって、構成素子表面の部分領域が解放される。既に存在するあらゆるケーシング成形体では、センサエレメントは、プラスチック材料に少なくとも部分的に埋め込まれている。熱膨張によって、センサエレメントの特性曲線は大きく影響され得る。このことは異なる熱膨張係数によってセンサエレメントに負荷が生じることによって起こり得るので、測定エラーもしくは機能障害の原因となる。
独立請求項の特徴部に記載の構成を有する、本発明による基板とケーシングとを備えたセンサ配置構造もしくは本発明によるセンサ配置構造を製造する方法の利点によれば、センサ配置構造のアクティブなセンサ領域は、極めて良好に、ケーシングによって誘導される負荷作用から分離することができる。このために基板は、第1の基板領域と第2の基板領域とを備えており、この場合アクティブなセンサ領域、たとえば圧力センサダイヤフラムなどが、第2の基板領域に位置し、第2の基板領域は、ケーシングから突出して設けられている。第1の基板領域と第2の基板領域との間の移行領域において、ケーシングは、第2の基板領域で開口を備えている。第2の基板領域がケーシングから突出して設けられていることによって、ケーシングは、センサもしくはアクティブなセンサ領域を備えた基板が専ら片側で、つまり第1の基板領域の範囲で、成形材料もしくはケーシング材料に埋め込まれるように形成されている。このことは本発明によれば、たとえばセンサがビーム(梁)状に形成されていることによって達成される。したがって有利には、第2の基板領域に位置するセンサエレメントもしくはアクティブ領域を備えた基板は、専ら第1の基板領域でケーシングに埋め込まれている。さらに有利には、第1の基板領域および第2の基板領域は、一体的に結合されているか、もしくはケーシングによって包囲されている。これの意味するところによれば、第1の基板領域および第2の基板領域は、有利には連続する基板材料であり、この場合第1の基板領域と第2の基板領域との分割は、基板の一部がケーシングに埋め込まれており(第1の基板領域)、一部がケーシングから突出する(第2の基板領域)ことによって得られる。もちろん基板は、複合基板材料、たとえばキャップウェハを有する半導体基板、複合基板、ボンディング基板またはSOI基板などのような成長基板であってよい。さらに有利には、ケーシングとして射出成形材料が設けられている。これに関して、半導体素子もしくは一般的な電子素子のためのケーシングを準備するための実証された製造法が用いられ、特にトランスファ成形とも呼ばれるいわゆるトランスファモールド法(圧入成形法)が用いられる。この場合成形材料(モールドコンパウンド)から成るケーシングは、素子もしくは半導体センサ配置構造がケーシングに埋め込まれることによって製造される。
さらに有利には、ケーシングは、少なくとも基板の主平面上で間隔を有して第2の基板領域を部分的に包囲する。本発明によれば、これによって有利には、ケーシングから突出する第2の基板領域は、ケーシングに起因する機械負荷から保護され、しかも同時に第2の基板領域の範囲で基板から間隔を有して配置されたケーシング自体によって保護され、特に落下などによる外部作用力から保護される。さらに本発明によれば、有利には、第2の基板領域が、検出可能な単数または複数の値をセンシングするためのアクティブ領域を備えており、この場合単数または複数の値は、単に媒体とセンサ配置構造の少なくとも一部との少なくとも間接的なコンタクトによって検出可能である。したがって本発明によれば、有利には、一方ではアクティブセンサ領域は、圧力下で存在していてその圧力を測定される媒体たとえば液体にとって侵入可能であり、他方ではそれゆえ全体の、つまりアクティブ領域を備えた基板のケーシングを含むセンサ配置構造の安価で簡単かつ迅速な製造が本発明によって実現される。これに対して、つまりアクティブセンサ領域と媒体との間で形成される媒体コンタクトに対して選択的に、本発明によるセンサ配置構造は、もちろん媒体コンタクトが存在しないか、または不要である、たとえば慣性センサであるセンサ原理に用いることもできる。媒体コンタクトを必要としないそのようなセンサ原理でも、特に有利には、ケーシングから出発してアクティブセンサ領域に向かう応力伝達が大体において回避される。本発明によれば、さらに有利には、第1の基板領域は、電気コンタクトのためのコンタクト手段および/または回路手段を備えており、第1の基板領域と第2の基板領域との間の移行部において、基板に比較的低い感度を有する構造体が設けられている。そのような比較的感度の低い構造体は、たとえば第1の基板領域における回路部分から第2の基板領域におけるアクティブ領域に向かうコンタクトラインをガイドするか、もしくは提供する導体路である。これによって本発明によれば、出力損失などもしくは追加コストなしに、専ら本発明による半導体配置構造もしくはセンサ配置構造上に種々異なる機能領域を有利な形式で配置したことに基づいて、第1の基板領域から第2の基板領域に向かう正確な機能の移行部が実現され、つまり特に成形材料により第1の基板領域を射出成形で包囲する際に、射出成形型とセンサ配置構造の基板との間の効果的なシールが実現される。さらに有利には、第1の基板領域と第2の基板領域との間の移行部に、シール材料、特にゲルまたはシートが設けられている。これによって有利には、一方では射出成形型と基板との間の高い緊密性が得られ、他方では第1の基板領域と第2の基板領域との間の移行領域に存在する基板構造体の良好な保護が得られる。さらにこれによって移行領域で敏感な構造体を配置することもできるので、総じてセンサ配置構造の基板を製造するために要するチップ面積を低減することができる。
本発明の別の対象は、本発明によるセンサ配置構造の製造法であり、この場合特にケーシングは、射出成形による基板の包囲によって製造され、この場合基板は、単に第1の基板領域でケーシングによってほぼ完全に包囲される。残りの基板領域(第2の基板領域)は、ケーシングから突出する。この場合有利には、射出成形を行う際に、第1の基板領域と第2の基板領域との間で射出成形型をシールするために、射出成形型の一部が直に基板と接触するか、または射出成形を行う際に、第1の基板領域と第2の基板領域との間で射出成形型をシールするために、射出成形型の一部がシール材料に押し付けられる。この場合シール材料は、ケーシングを製造する際にセンサ配置構造に埋め込まれ、たとえば(第1の基板領域と第2の基板領域との間で)基板にシール材料を取り付けて、次いでケーシング材料を注入する、つまり次いでケーシングにシール材料を少なくとも部分的に埋め込む(ケーシングの製造時にシール材料を使用する)ことによって埋め込むことができる。これに対して選択的にシール材料は、射出成形型の一部であってよく、もしくは少なくともシールのために射出成形型の一部に取り付けてもよい(たとえばシールシートまたは軟性のシール材料として)。この場合シール材料は、少なくとも一部でケーシングに埋め込まれる。
本発明の実施例を図示して、以下に詳しく説明する。
図1には、本発明のセンサ配置構造10を概略的に平面図で示した。センサ配置構造10は、ケーシング30と基板20とを備えている。基板材料は、特に半導体材料として、もしくはたとえば様々な材料または同じ材料のウェハの複合基板として設けられている。以下に基板材料は、基板20と記載する。基板20は、第1の領域21と第2の領域22とを備えており、この場合第2の領域22に、アクティブ領域23が別個に形成されており、アクティブ領域23は、本発明によるセンサ配置構造10によって測定しようとする値をセンシングするため、もしくは検出するために役立つ。第2の基板領域22で、第1の基板領域21への移行領域に、ケーシング30に開口33が設けられているので、第2の基板領域22は突出することができる。アクティブ領域23によって検出される値は、特に第2の基板領域22もしくは特にアクティブ領域23と図示していない媒体との間の少なくとも間接的なコンタクトによって検出可能な値である。媒体は、たとえばガスであってよく、その圧力は、アクティブ領域23としての圧力測定ダイヤフラムによって測定することができる。この場合媒体、たとえば空気または別のガスは、領域23つまり圧力測定ダイヤフラムへのアプローチを有している。アクティブ領域23へのアプローチは、本発明によれば、第2の基板領域22がケーシング30から突出して、第1の基板領域21がケーシング30に埋め込まれていることによって実現される。図1には、A−A線を示しており、この場合図2には、幾分か変化した本発明によるセンサ配置構造10を図1のA−A線に沿った断面図で概略的に示した。さらに図1から判るように、ケーシング30から、特に接続エレメント31、たとえばピンまたはコンタクト脚部などが突出している。また本発明によれば、コンタクトエレメント31がケーシング30から突出せずに、ケーシング30の上面、下面および/または側面に、コンタクト面(図示していない)を設けてもよく、コンタクト面は、たとえばフリップ−チップ−マウンティングなどによる素子もしくはセンサ配置構造のコンタクトに役立つ。
図2には、本発明による、第1の基板領域21と第2の基板領域22とアクティブ領域23とケーシング30と開口33とを備えたセンサ配置構造10を示した。図2には、追加的に特別な実施例を例示しており、ここでは基板20に対して追加的に別の基板26が設けられており、別の基板26は、たとえばアクティブな領域23の信号を評価するための別の回路手段を備えている。このために基板20と別の基板26とは、特にボンディングワイヤ27の構成をした接続線路27によって相互接続されている。基板20だけでなく別の基板26も、たとえば図2の配置構造では、リードフレーム25とも呼ばれるいわゆる導体フレーム25上に配置されているか、もしくはリードフレーム25に接着されるか、またはその他の形式で取り付けられる。
図3には、本発明によるセンサ配置構造を別の平面図で概略的に示しており、図3ではセンサ配置構造10の内側が詳細に看取され、基板20、第1の基板領域21、第2の基板領域22、アクティブ領域23、別の基板26およびボンディングワイヤ27の他に、接続エレメント31と別の基板26とをコンタクトするための別のボンディングワイヤ32が看取される。追加的に図3には、リードフレームもしくは導体フレーム25を示した。
図4には、本発明によるセンサ配置構造10の第2実施例を平面図で示した。ここでも基板20は、第1の基板領域21と第2の基板領域22とを備えており、この場合第2の基板領域22は、一方ではアクティブ領域23を備えていて、他方では開口33でケーシング30から突出している。第1実施例とは異なって、ケーシング30は、延長領域35を備えており、延長領域35は、実質的に基板20の主平面上で第2の基板領域22の周りに延びていて、ひいては第2の基板領域22を、特に機械的な作用から保護する。この場合本発明によるセンサ配置構造の利点は、ケーシングの追加領域35もしくは延長領域35が第2の基板領域22を保護して、たとえば異なる温度係数などによる機械的な力がセンサ配置構造の第2の基板領域22、特にアクティブ領域23に及ぼされないことによって得られる。これについては、延長領域35が第2の基板領域22に対して間隔を有していることに起因し、この場合間隔は図4において符合24で示した。さらに図4にはA−A線を示しており、図5は、図4のA−A線に沿った断面図(幾分か異なるが)である。
図5には、既に述べた図4のA−A線に沿った断面図(幾分か異なるが)であり、ここでも本発明によるセンサ配置構造10は、基板20と第1の基板領域21と第2の基板領域22とアクティブ領域23と別の基板26と延長領域35と導体フレーム25もしくはリードフレーム25とを備えている。
図6には、本発明のセンサ配置構造の第3実施例を示しており、ここでも基板20は、第1の基板領域21と第2の基板領域22とアクティブ領域23とを備えており、この場合第1の基板領域21と第2の基板領域22との間の移行領域、つまり開口33の領域に、シール材料29が設けられており、シール材料29は、センサ配置構造10のケーシング30を製造する際に使用され、第1の基板領域21を射出成形で包囲するための装置の、図示していない射出成形型もしくは注型が、ケーシング材料と直接接触するか、もしくは第1の基板領域21と第2の基板領域22との間の移行領域で基板20に直に押圧力を及ぼす必要がなく、シール材料29に及ぼして、したがってこの基板領域に存在する構造物を、及ぼされる押圧力から保護する。したがってケーシング30の材料は、射出成形で包囲しようとする領域(第1の基板領域21)において、必要な圧力および必要な温度で導入することができ、さらにこれによって本発明によるセンサ配置構造10の製作プロセスの速度に不都合な影響が及ぼされることはない。要するに基板20の部分領域21だけを射出成形で包囲する際の主な問題は、ケーシング30の成形材料もしくは注入材料に対する型のシールが潜在的な問題を生じさせることである。トレランスに基づいて、シールの際に過剰にプレスする必要がある。なぜならば余剰のプラスチック材料(ばり)が、センサもしくは基板20のアクティブ領域23に流れて、そこで注入材料の不都合な堆積をもたらすからである。この問題を解決するために、本発明によれば、第1の基板領域21と第2の基板領域22との間の移行領域もしくは必要なシールの領域に、射出成形型によってアクティブな構造体が存在せずに単にプリント基板が存在するか、またはケイ素に型を直に押圧することによるシールが回避され、たとえばゲルまたはシートもしくはフィルムのような軟質材料によるシールが実現される。さらに本発明による別の構成によれば、必要なシールの領域に、アクティブもしくは敏感な構造体が設けられておらず、追加的に軟質材料(シール材料29)によるシールが設けられている。シール材料29は、本発明によれば、図6に示したように、ケーシング30に埋め込む(つまり完成したセンサ配置構造10に残る)か、または特に本発明の方法の、図示していない選択的な実施例では、単に射出成形型に設けることができるので、射出成形型は、シールのために、「硬質」材料で基板20に押圧せずに、シートまたはゲルのような軟質材料で押圧する。後者の場合シール材料29は、ケーシング30に埋め込まれない(もしくは少なくとも大部分で埋め込まれない)。
この場合ケイ素側は、シールが困難である。なぜならば場合によっては角度の捻れがギャップ形成を助成するからである。この場合有利には、センサのアクティブ領域は、ビームもしくは基板領域22で突出する基板20の上面に配置されていて、したがってセンサの機能に関して、僅かな側方(つまり基板20の側方の挟幅側)のばり形成は問題ではない。本発明によるセンサ配置構造10の第3実施例は、もちろん第1実施例および/または第2実施例と組み合わせることができる。
本発明によれば、センサは、電子評価装置から分離されており、要するに図2、3および5で示したように、センサ配置構造10の内側にいわゆる2チップモジュールが設けられており、またはセンサもしくは基板20は、既に評価電子装置を備えていて、したがって別の基板26は不要であるので、センサ配置構造10は、1チップモジュールとして実現することができる。
本発明によるセンサ配置構造10の第1実施例(図1、2および3)は、できるだけ小さな寸法のセンサ配置構造が所望されるか、またはたとえばバイオセンサなどのセンサエレメントが望ましくは流体または一般的に液体に含浸される場合に特に有利であり、センサ配置構造は、成形材料もしくはケーシング30の注入材料に接触しない。第2実施例(図4および5)によるセンサ配置構造10のケーシング成形体(ここではケーシング30の延長領域35が第2の基板領域22のその周りでガイドされている)は、アクティブ領域23を保護し、センサ配置構造10のセンサエレメント23もしくはアクティブ領域23に掛かる機械作用から最大限保護する。本発明によれば、第2の基板領域22は、ケーシングと、片側でしか接触しない(もしくは延長領域35に全く接触しない)。ケーシング30は、本発明によればピンもしくは接続領域を備えたケーシング成形体または最近のリードレス成形体であってよい。
Claims (10)
- 基板(20)とケーシング(30)とを備えたセンサ配置構造(10)であって、
ケーシング(30)が、基板(20)を第1の基板領域(21)でほぼ完全に包囲しており、ケーシング(30)が、第2の基板領域(22)で開口(33)によって少なくとも部分的に開放して設けられている形式のものにおいて、
開口(33)の領域で、第2の基板領域(22)が、ケーシング(30)から突出して設けられていることを特徴とする、基板とケーシングとを備えたセンサ配置構造。 - 基板(20)が、専ら第1の基板領域(21)で、ケーシング(30)に埋め込んで設けられている、請求項1記載のセンサ配置構造。
- 第1の基板領域(21)と第2の基板領域(22)とが、一体的に形成されている、請求項1または2記載のセンサ配置構造。
- ケーシング(30)として、射出成形材料が設けられている、請求項1から3までのいずれか1項記載のセンサ配置構造。
- ケーシング(30)が、第2の基板領域(22)を、少なくとも基板(20)の主平面上で間隔を有して少なくとも部分的に包囲している、請求項1から4までのいずれか1項記載のセンサ配置構造。
- 第2の基板領域(22)が、媒体とセンサ配置構造の少なくとも一部との少なくとも間接的なコンタクトによって検出可能な単数または複数の値をセンシングするためのアクティブ領域を備えている、請求項1から5までのいずれか1項記載のセンサ配置構造。
- 第1の基板領域(21)が、電気コンタクトのためのコンタクト手段および/または回路手段を備えており、第1の基板領域(21)と第2の基板領域(22)との間の移行部において、基板(20)に比較的感度の低い構造体が設けられている、請求項1から6までのいずれか1項記載のセンサ配置構造。
- 第1の基板領域(21)と第2の基板領域(22)との間の移行部に、シール材料(29)、特にゲルまたはシートが設けられている、請求項1から7までのいずれか1項記載のセンサ配置構造。
- 請求項1から8までのいずれか1項記載のセンサ配置構造を製造する方法において、
ケーシング(30)を、基板(20)を射出成形により包囲することによって製作し、基板(20)が専ら第1の基板領域(21)でケーシング(30)によってほぼ完全に包囲されるようにすることを特徴とする、センサ配置構造を製造する方法。 - 射出成形で包囲する際に、第1の基板領域(21)と第2の基板領域(22)との間で射出成形型をシールするために、射出成形型の一部を直に基板(20)と接触させるか、または射出成形する際に、第1の基板領域(21)と第2の基板領域(22)との間で射出成形型をシールするために、射出成形型の一部をシール材料(29)に押圧する、請求項9記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200510038443 DE102005038443A1 (de) | 2005-08-16 | 2005-08-16 | Sensoranordnung mit einem Substrat und mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
PCT/EP2006/063999 WO2007020132A1 (de) | 2005-08-16 | 2006-07-07 | Sensoranordnung mit einem substrat und mit einem gehäuse und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009505088A true JP2009505088A (ja) | 2009-02-05 |
Family
ID=36942399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008526465A Withdrawn JP2009505088A (ja) | 2005-08-16 | 2006-07-07 | 基板とケーシングとを備えたセンサ配置構造およびセンサ配置構造を製造する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090072333A1 (ja) |
EP (1) | EP1917509A1 (ja) |
JP (1) | JP2009505088A (ja) |
CN (1) | CN101253399A (ja) |
DE (1) | DE102005038443A1 (ja) |
WO (1) | WO2007020132A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228492A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012202763A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Denso Corp | 力学量センサ |
JP2013016686A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Denso Corp | モールドパッケージの製造方法 |
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JP2015197367A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-09 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
JP2016018955A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2016142674A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 株式会社デンソー | 圧力センサ装置 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006044442A1 (de) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung mit einem Substrat und mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
DE102007022852A1 (de) | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Robert Bosch Gmbh | Differenzdruck-Sensoranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
DE102007057902A1 (de) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Continental Automotive Gmbh | Sensormodul und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102007057904A1 (de) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Continental Automotive Gmbh | Sensormodul und Verfahren zur Herstellung des Sensormoduls |
EP2090873B1 (en) | 2008-02-14 | 2011-06-01 | Elmos Advanced Packaging B.V. | Integrated circuit package |
DE102008011943B4 (de) | 2008-02-29 | 2012-04-26 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung zur Differenzdruckmessung |
ITTO20080485A1 (it) * | 2008-06-19 | 2009-12-20 | Eltek Spa | Dispositivo sensore di pressione |
DE102008043271A1 (de) | 2008-10-29 | 2010-05-06 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung zur Differenzdruckmessung |
DE102008043517B4 (de) * | 2008-11-06 | 2022-03-03 | Robert Bosch Gmbh | Sensormodul und Verfahren zur Herstellung eines Sensormoduls |
DE102008044098A1 (de) | 2008-11-27 | 2010-06-02 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung zur Differenzdruckerfassung und Verfahren zu deren Herstellung |
WO2010113712A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | アルプス電気株式会社 | 容量型湿度センサ及びその製造方法 |
DE102010043982A1 (de) * | 2010-11-16 | 2011-12-15 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung |
DE102014000243B4 (de) * | 2013-04-29 | 2015-06-25 | Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft | MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien |
US9448130B2 (en) | 2013-08-31 | 2016-09-20 | Infineon Technologies Ag | Sensor arrangement |
US9952110B2 (en) * | 2016-03-29 | 2018-04-24 | Infineon Technologies Ag | Multi-die pressure sensor package |
EP3499560B1 (en) * | 2017-12-15 | 2021-08-18 | Infineon Technologies AG | Semiconductor module and method for producing the same |
EP3683031A1 (en) * | 2019-01-21 | 2020-07-22 | Melexis Technologies NV | Method of manufacturing a sensor device and moulding support structure |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19929026B4 (de) * | 1999-06-25 | 2011-02-24 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors |
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-
2005
- 2005-08-16 DE DE200510038443 patent/DE102005038443A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-07-07 WO PCT/EP2006/063999 patent/WO2007020132A1/de active Application Filing
- 2006-07-07 CN CNA2006800297488A patent/CN101253399A/zh active Pending
- 2006-07-07 US US12/063,785 patent/US20090072333A1/en not_active Abandoned
- 2006-07-07 JP JP2008526465A patent/JP2009505088A/ja not_active Withdrawn
- 2006-07-07 EP EP06777639A patent/EP1917509A1/de not_active Withdrawn
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JP2016142674A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 株式会社デンソー | 圧力センサ装置 |
WO2016125451A1 (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-11 | 株式会社デンソー | 圧力センサ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005038443A1 (de) | 2007-02-22 |
CN101253399A (zh) | 2008-08-27 |
EP1917509A1 (de) | 2008-05-07 |
WO2007020132A1 (de) | 2007-02-22 |
US20090072333A1 (en) | 2009-03-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090706 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090713 |