JP2001044764A - 非接触ｉｃカードデバイスのための検波回路 - Google Patents
非接触ｉｃカードデバイスのための検波回路Info
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
- H04B5/20—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems characterised by the transmission technique; characterised by the transmission medium
- H04B5/22—Capacitive coupling
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非接触ＩＣカード（ＰＩＣＣ）に関し、特に
ＰＩＣＣ及びＰＩＣＣとの間でデータの送受信を行う非
接触結合装置（ＰＣＤ）において簡素な構成で設定の容
易な検波回路を提供する。 【解決手段】 アンテナを介して受信するキャリア信号
に重畳した非接触ＩＣカードからのサブキャリア信号を
検波する検波回路であって、前記アンテナからの受信信
号に所定の直流バイアス電位を与えるバイアス回路と、
前記バイアス点において前記アンテナからの受信信号を
整流することにより、前記キャリア信号に重畳したサブ
キャリア信号を抽出する整流回路と、前記バイアス点に
おいて前記抽出したサブキャリア信号を増幅する増幅回
路と、で構成される。
ＰＩＣＣ及びＰＩＣＣとの間でデータの送受信を行う非
接触結合装置（ＰＣＤ）において簡素な構成で設定の容
易な検波回路を提供する。 【解決手段】 アンテナを介して受信するキャリア信号
に重畳した非接触ＩＣカードからのサブキャリア信号を
検波する検波回路であって、前記アンテナからの受信信
号に所定の直流バイアス電位を与えるバイアス回路と、
前記バイアス点において前記アンテナからの受信信号を
整流することにより、前記キャリア信号に重畳したサブ
キャリア信号を抽出する整流回路と、前記バイアス点に
おいて前記抽出したサブキャリア信号を増幅する増幅回
路と、で構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非接触ＩＣカード
（以降では、「ＰＩＣＣ (Proximity IC Card)」と称
す）に関し、特にＰＩＣＣ、及びＰＩＣＣへのデータの
書き込みとＰＩＣＣからのデータの読み込みとを行うＰ
ＩＣＣリード／ライト装置（ＰＩＣＣ−Ｒ／Ｗ）におけ
る検波回路に関する。
（以降では、「ＰＩＣＣ (Proximity IC Card)」と称
す）に関し、特にＰＩＣＣ、及びＰＩＣＣへのデータの
書き込みとＰＩＣＣからのデータの読み込みとを行うＰ
ＩＣＣリード／ライト装置（ＰＩＣＣ−Ｒ／Ｗ）におけ
る検波回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＩＣＣの諸規格はＩＳＯ(Internation
al Organization for Standardization)／ＩＥＣ(Inter
national Electrotechnical Commission) １４４４３に
規定されており、ここでは本願発明との関連から上記Ｐ
ＩＣＣ−Ｒ／Ｗ等の非接触結合装置（以降、「ＰＣＤ
(Proximity Coupling Device)」と称す）とＰＩＣＣと
の間の電力及び双方向通信を提供するフィールドの性質
と特性とを規定したＰＩＣＣの通信インタフェース・タ
イプＢについて簡単に説明する。
al Organization for Standardization)／ＩＥＣ(Inter
national Electrotechnical Commission) １４４４３に
規定されており、ここでは本願発明との関連から上記Ｐ
ＩＣＣ−Ｒ／Ｗ等の非接触結合装置（以降、「ＰＣＤ
(Proximity Coupling Device)」と称す）とＰＩＣＣと
の間の電力及び双方向通信を提供するフィールドの性質
と特性とを規定したＰＩＣＣの通信インタフェース・タ
イプＢについて簡単に説明する。
【０００３】（１）ＰＣＤからＰＩＣＣへの電力の移送 ＲＦ (Radio Frequency) 動作フイールド内でＰＩＣＣ
に有効な電力を供給するため、ＰＣＤからＰＩＣＣへキ
ャリア（ｆｃ＝１３．５６ＭＨｚ）が送出される。ＰＩ
ＣＣでは受信したキャリアを整流し、内部回路の動作に
必要な電源を作成する。
に有効な電力を供給するため、ＰＣＤからＰＩＣＣへキ
ャリア（ｆｃ＝１３．５６ＭＨｚ）が送出される。ＰＩ
ＣＣでは受信したキャリアを整流し、内部回路の動作に
必要な電源を作成する。
【０００４】（２）ＰＣＤからＰＩＣＣへの通信 ＰＣＤは、データビット速度１０６Ｋｂｐｓ（ｆｃ／１
２８）で前記キャリアの振幅値を１０％ＡＳＫ (Amplit
ude Shift Keying) 変調することにより、ＰＩＣＣへデ
ータを送信する。
２８）で前記キャリアの振幅値を１０％ＡＳＫ (Amplit
ude Shift Keying) 変調することにより、ＰＩＣＣへデ
ータを送信する。
【０００５】（３）ＰＩＣＣからＰＣＤへの通信 ＰＩＣＣは、前記キャリアの受信負荷をキャリア周波数
の１６分の１の周波数（ｆｓ＝ｆｃ／１６）で負荷変調
することでサブキャリア（ｆｓ＝８４７ＫＨｚ）を生成
し、そのサブキャリアの位相をデータビット速度１０６
Ｋｂｐｓ（ｆｃ／１２８）でＢＰＳＫ (Binary Phase S
hift Keying) 変調することにより、ＰＣＤへデータを
送信する。
の１６分の１の周波数（ｆｓ＝ｆｃ／１６）で負荷変調
することでサブキャリア（ｆｓ＝８４７ＫＨｚ）を生成
し、そのサブキャリアの位相をデータビット速度１０６
Ｋｂｐｓ（ｆｃ／１２８）でＢＰＳＫ (Binary Phase S
hift Keying) 変調することにより、ＰＣＤへデータを
送信する。
【０００６】図１は、ＰＩＣＣの構成概要の一例を示し
たものである。図１の例では、カード本体１０の内部に
ＣＰＵ部１１及びＲＦ部１２を構成する２つのチップが
組み込まれており、またカード本体１０の周囲にはコイ
ル状に巻かれたアンテナ（ＡＴ）１３が配置されてい
る。ＣＰＵ部１１はいわゆるワンチップタイプのコンピ
ュータで構成され、そこにはＣＰＵ（中央演算処理装
置）、メモリＲＯＭ、ＲＡＭ、及びＥＥＰＲＯＭ、そし
て入出力インターフェイス（Ｉ／Ｏ）等が含まれる。
たものである。図１の例では、カード本体１０の内部に
ＣＰＵ部１１及びＲＦ部１２を構成する２つのチップが
組み込まれており、またカード本体１０の周囲にはコイ
ル状に巻かれたアンテナ（ＡＴ）１３が配置されてい
る。ＣＰＵ部１１はいわゆるワンチップタイプのコンピ
ュータで構成され、そこにはＣＰＵ（中央演算処理装
置）、メモリＲＯＭ、ＲＡＭ、及びＥＥＰＲＯＭ、そし
て入出力インターフェイス（Ｉ／Ｏ）等が含まれる。
【０００７】図２には、ＰＣＤとＰＩＣＣとの間の通信
インタフェースの一構成例を示している。上記（２）で
述べたＰＣＤからＰＩＣＣへの通信では、ＰＣＤの変調
部（ＭＯＤ）２０によりキャリア（ｆｃ＝１３．５６Ｍ
Ｈｚ）の振幅値を１０％ＡＳＫ変調した信号が出力アン
プ２２、２３及びアンテナ２４を解してＰＩＣＣへ送信
される。
インタフェースの一構成例を示している。上記（２）で
述べたＰＣＤからＰＩＣＣへの通信では、ＰＣＤの変調
部（ＭＯＤ）２０によりキャリア（ｆｃ＝１３．５６Ｍ
Ｈｚ）の振幅値を１０％ＡＳＫ変調した信号が出力アン
プ２２、２３及びアンテナ２４を解してＰＩＣＣへ送信
される。
【０００８】一方、上記（３）で述べたＰＩＣＣからＰ
ＣＤへの通信では、図１のＲＦ部１２の一部を構成する
ＰＩＣＣの変調部（ＭＯＤ）２８からの制御によってＲ
Ｆ信号の受信負荷２６が可変され、その負荷変調（結果
的にＡＭ (Amplitude Modulation) 変調となる）によっ
て生成されるサブキャリア（ｆｓ＝８４７ＫＨｚ）に、
さらに２値の位相情報（０度又は１８０度）を与えるＢ
ＰＳＫ変調が行われる。
ＣＤへの通信では、図１のＲＦ部１２の一部を構成する
ＰＩＣＣの変調部（ＭＯＤ）２８からの制御によってＲ
Ｆ信号の受信負荷２６が可変され、その負荷変調（結果
的にＡＭ (Amplitude Modulation) 変調となる）によっ
て生成されるサブキャリア（ｆｓ＝８４７ＫＨｚ）に、
さらに２値の位相情報（０度又は１８０度）を与えるＢ
ＰＳＫ変調が行われる。
【０００９】その変調された信号はアンテナ２５（図１
の１３）を解してＰＣＤへ送信される。実際には、図２
に示すようにＰＣＤが出力するキャリアであって前記Ｐ
ＩＣＣにより負荷変調（ＢＰＳＫ変調を含む）されたも
のを、ＰＣＤ自身がその検波部（ＤＥＴ）２１で検出す
ることになる。
の１３）を解してＰＣＤへ送信される。実際には、図２
に示すようにＰＣＤが出力するキャリアであって前記Ｐ
ＩＣＣにより負荷変調（ＢＰＳＫ変調を含む）されたも
のを、ＰＣＤ自身がその検波部（ＤＥＴ）２１で検出す
ることになる。
【００１０】図３は、従来の検波部２１の一回路構成例
を示したものである。図２において、アンテナ２４で受
信した信号はトランジスタ（Ｔｒ１）３２で構成された
増幅回路１で増幅され、その増幅信号が次段の検波回路
でダイオード（Ｄ１）３４及びコンデンサ３５によって
半波整流される。前記半波整流信号にはその直流成分に
加え、さらに上述したＰＩＣＣによりＡＭ変調（ＢＰＳ
Ｋ変調を含む）されたサブキャリア信号が重畳してお
り、その信号はトランジスタ（Ｔｒ１）３７で構成され
た次段の増幅回路２で所定レベルに増幅される。
を示したものである。図２において、アンテナ２４で受
信した信号はトランジスタ（Ｔｒ１）３２で構成された
増幅回路１で増幅され、その増幅信号が次段の検波回路
でダイオード（Ｄ１）３４及びコンデンサ３５によって
半波整流される。前記半波整流信号にはその直流成分に
加え、さらに上述したＰＩＣＣによりＡＭ変調（ＢＰＳ
Ｋ変調を含む）されたサブキャリア信号が重畳してお
り、その信号はトランジスタ（Ｔｒ１）３７で構成され
た次段の増幅回路２で所定レベルに増幅される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の回路
構成では、ＡＭ変調（ＢＰＳＫ変調を含む）されたサブ
キャリアを検出するのに一般にダイオード３４を使って
検波を行っていた。また、受信信号のレベルはＰＣＤと
ＰＩＣＣとの間の距離によって大きく変動する。従っ
て、微小なサブキャリアを受信検波するには、初段の増
幅回路１でサブキャリアを含むキャリア自身を増幅し、
その電位をダイオード３４の順方向電圧（Ｖｆ）以上に
する必要があった。
構成では、ＡＭ変調（ＢＰＳＫ変調を含む）されたサブ
キャリアを検出するのに一般にダイオード３４を使って
検波を行っていた。また、受信信号のレベルはＰＣＤと
ＰＩＣＣとの間の距離によって大きく変動する。従っ
て、微小なサブキャリアを受信検波するには、初段の増
幅回路１でサブキャリアを含むキャリア自身を増幅し、
その電位をダイオード３４の順方向電圧（Ｖｆ）以上に
する必要があった。
【００１２】また、前述した増幅回路１によるキャリア
の増幅に加え、検波後の信号レベルをその信号飽和を回
避しながら受信可能範囲内に収めるため、ダイオード３
４による検波後にその順方向電圧分だけ降下した電位を
さらにキャリア及び検波後の信号を含めて次段の増幅回
路２で増幅する必要があった。その結果、従来の検波部
は複雑で部品点数の多い回路構成となっていた。
の増幅に加え、検波後の信号レベルをその信号飽和を回
避しながら受信可能範囲内に収めるため、ダイオード３
４による検波後にその順方向電圧分だけ降下した電位を
さらにキャリア及び検波後の信号を含めて次段の増幅回
路２で増幅する必要があった。その結果、従来の検波部
は複雑で部品点数の多い回路構成となっていた。
【００１３】また、初段の増幅回路１では、トランジス
タ３２の非線形領域を使って微小信号の増幅を行うた
め、増幅後の信号に大きな波形歪が生じるという問題も
あった。さらに、図３の従来回路構成では、ＰＣＤとＰ
ＩＣＣとの間の距離により信号受信レベルを基に定まる
増幅回路１及び２のバイアス点も変動するため、上述し
たようなダイオード３４の順方向降下電圧、増幅信号の
飽和レベル、及び受信可能レベル範囲等を総合的に判断
した場合に、増幅器１及び２の増幅率を定めるのが困難
であるという問題もあった。
タ３２の非線形領域を使って微小信号の増幅を行うた
め、増幅後の信号に大きな波形歪が生じるという問題も
あった。さらに、図３の従来回路構成では、ＰＣＤとＰ
ＩＣＣとの間の距離により信号受信レベルを基に定まる
増幅回路１及び２のバイアス点も変動するため、上述し
たようなダイオード３４の順方向降下電圧、増幅信号の
飽和レベル、及び受信可能レベル範囲等を総合的に判断
した場合に、増幅器１及び２の増幅率を定めるのが困難
であるという問題もあった。
【００１４】そこで本発明の目的は、上記種々の問題に
鑑み、上述したダイオードの順方向降下電圧を考慮する
ことなく且つ容易に増幅器の増幅率が定められ、しかも
増幅後の信号波形歪を低減した検波回路構成であって、
より少ない部品で簡素に構成された検波回路を提供する
ことにある。
鑑み、上述したダイオードの順方向降下電圧を考慮する
ことなく且つ容易に増幅器の増幅率が定められ、しかも
増幅後の信号波形歪を低減した検波回路構成であって、
より少ない部品で簡素に構成された検波回路を提供する
ことにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、アンテ
ナを介して受信するキャリア信号に重畳した非接触ＩＣ
カードからのサブキャリア信号を検波する検波回路であ
って、前記アンテナからの受信信号に所定の直流バイア
ス電位を与えるバイアス回路と、前記バイアス点におい
て前記アンテナからの受信信号を整流することにより、
前記キャリア信号に重畳したサブキャリア信号を抽出す
る整流回路と、前記バイアス点において前記抽出したサ
ブキャリア信号を増幅する増幅回路と、で構成する検波
回路が提供される。
ナを介して受信するキャリア信号に重畳した非接触ＩＣ
カードからのサブキャリア信号を検波する検波回路であ
って、前記アンテナからの受信信号に所定の直流バイア
ス電位を与えるバイアス回路と、前記バイアス点におい
て前記アンテナからの受信信号を整流することにより、
前記キャリア信号に重畳したサブキャリア信号を抽出す
る整流回路と、前記バイアス点において前記抽出したサ
ブキャリア信号を増幅する増幅回路と、で構成する検波
回路が提供される。
【００１６】前記検波回路は、前記アンテナからの受信
信号と共に前記電源ブリーダ回路からのブリーダ電圧が
直流バイアスとしてベース端子に与えられ、コレクタ端
子は電源側に接続され、そしてエミッタ端子には抵抗及
びコンデンサが接続されたトランジスタ回路から成り、
前記エミッタ端子からは整流されたサブキャリア信号が
出力される。
信号と共に前記電源ブリーダ回路からのブリーダ電圧が
直流バイアスとしてベース端子に与えられ、コレクタ端
子は電源側に接続され、そしてエミッタ端子には抵抗及
びコンデンサが接続されたトランジスタ回路から成り、
前記エミッタ端子からは整流されたサブキャリア信号が
出力される。
【００１７】また、本発明によればアンテナを介して受
信するキャリア信号に重畳した非接触装置からのデータ
信号を検波する検波回路であって、前記アンテナからの
受信信号に所定の直流バイアス電位を与えるバイアス回
路と、前記バイアス点において前記アンテナからの受信
信号を整流することにより、前記キャリア信号に重畳し
たデータ信号を抽出する整流回路と、前記バイアス点に
おいて前記抽出したサブキャリア信号を増幅する増幅回
路と、で構成する検波回路が提供される。
信するキャリア信号に重畳した非接触装置からのデータ
信号を検波する検波回路であって、前記アンテナからの
受信信号に所定の直流バイアス電位を与えるバイアス回
路と、前記バイアス点において前記アンテナからの受信
信号を整流することにより、前記キャリア信号に重畳し
たデータ信号を抽出する整流回路と、前記バイアス点に
おいて前記抽出したサブキャリア信号を増幅する増幅回
路と、で構成する検波回路が提供される。
【００１８】前記バイアス回路は電源電圧を分圧する電
源ブリーダ回路であり、前記検波回路は、前記アンテナ
からの受信信号と共に前記電源ブリーダ回路からのブリ
ーダ電圧が直流バイアスとしてベース端子に与えられ、
コレクタ端子は電源側に接続され、そしてエミッタ端子
には抵抗及びコンデンサが接続されたトランジスタ回路
から成り、前記エミッタ端子からは整流後のデータ信号
が出力される。
源ブリーダ回路であり、前記検波回路は、前記アンテナ
からの受信信号と共に前記電源ブリーダ回路からのブリ
ーダ電圧が直流バイアスとしてベース端子に与えられ、
コレクタ端子は電源側に接続され、そしてエミッタ端子
には抵抗及びコンデンサが接続されたトランジスタ回路
から成り、前記エミッタ端子からは整流後のデータ信号
が出力される。
【００１９】
【発明の実施の形態】図４は、本発明による検波部の一
実施例を示してたものである。また、図５及び６には、
図３で示した従来回路（１）の動作と対比するかたちで
図４の発明回路（２）の動作を説明している。
実施例を示してたものである。また、図５及び６には、
図３で示した従来回路（１）の動作と対比するかたちで
図４の発明回路（２）の動作を説明している。
【００２０】先ず、サブキャリアが重畳したキャリア信
号がアンテナ２４に入力される（図５のＩ）。アンテナ
２４で受信された信号は検波部２１に入力されるが、従
来回路の場合（１）には前述したようにダイーオード３
４の順方向電圧以上のサブキャリア電位を得るのにグラ
ンドを基準電位として入力信号が増幅される（図５のＩ
Ｉ）。この場合、特に微小入力信号の場合に、トランジ
スタ３２のベースーエミッタ間の非線型領域の特性によ
り増幅後の信号に歪みが生じることになる（図５のＩ
Ｖ）。
号がアンテナ２４に入力される（図５のＩ）。アンテナ
２４で受信された信号は検波部２１に入力されるが、従
来回路の場合（１）には前述したようにダイーオード３
４の順方向電圧以上のサブキャリア電位を得るのにグラ
ンドを基準電位として入力信号が増幅される（図５のＩ
Ｉ）。この場合、特に微小入力信号の場合に、トランジ
スタ３２のベースーエミッタ間の非線型領域の特性によ
り増幅後の信号に歪みが生じることになる（図５のＩ
Ｖ）。
【００２１】一方、本願発明の場合（２）ではアンテナ
２４で受信された信号にバイアス回路、本例では抵抗
（Ｒ１及びＲ２）４１及び４２の抵抗ブリーダ回路、に
よって固定バイアス電位が与えられる（図５のＩＩ
Ｉ）。その結果、微小入力信号の場合にも従来例のよう
ダイーオードの順方向電圧を考慮した増幅回路１は不要
となり、またその増幅動作による波形歪みも回避される
（図５のＩＶ）。すなわち、本願発明ではトランジスタ
（Ｔｒ１）４４のベースに常時微小なバイアス電流が流
され、入力信号レベルの大小にかかわらずトランジスタ
４４の線形領域での動作が保証される。
２４で受信された信号にバイアス回路、本例では抵抗
（Ｒ１及びＲ２）４１及び４２の抵抗ブリーダ回路、に
よって固定バイアス電位が与えられる（図５のＩＩ
Ｉ）。その結果、微小入力信号の場合にも従来例のよう
ダイーオードの順方向電圧を考慮した増幅回路１は不要
となり、またその増幅動作による波形歪みも回避される
（図５のＩＶ）。すなわち、本願発明ではトランジスタ
（Ｔｒ１）４４のベースに常時微小なバイアス電流が流
され、入力信号レベルの大小にかかわらずトランジスタ
４４の線形領域での動作が保証される。
【００２２】前記トランジスタ４４は、入力バッファ及
び整流ダイオードとして動作する（図５のＶ）。トラン
ジスタ４４、抵抗（Ｒ４）４５、及びコンデンサ（Ｃ
１）４６とで構成される整流回路の出力バイアス電位は
コンデンサ４６のチャージ電位（固定バイアス電位−ト
ランジスタ４４のＶBE電圧）によって固定される。従っ
て、本願発明では、入力信号レベルの大小にかかわらず
サブキャリアの増幅マージンは固定的に確保され、従来
例で述べたような増幅回路１及び２レベルダイヤ上の増
幅率設定の困難性も回避される。
び整流ダイオードとして動作する（図５のＶ）。トラン
ジスタ４４、抵抗（Ｒ４）４５、及びコンデンサ（Ｃ
１）４６とで構成される整流回路の出力バイアス電位は
コンデンサ４６のチャージ電位（固定バイアス電位−ト
ランジスタ４４のＶBE電圧）によって固定される。従っ
て、本願発明では、入力信号レベルの大小にかかわらず
サブキャリアの増幅マージンは固定的に確保され、従来
例で述べたような増幅回路１及び２レベルダイヤ上の増
幅率設定の困難性も回避される。
【００２３】その結果、次段の増幅回路は、下位は前記
整流回路の出力バイアス電位そして上位は電源電圧（Ｖ
ｃｃ）による増幅信号の飽和レベルと、（図示しない）
後段のサブキャリア検出回路の受信可能レベル範囲等、
を考慮するのみで、その増幅率を容易に決定することが
できる（図５のＶＩ）。
整流回路の出力バイアス電位そして上位は電源電圧（Ｖ
ｃｃ）による増幅信号の飽和レベルと、（図示しない）
後段のサブキャリア検出回路の受信可能レベル範囲等、
を考慮するのみで、その増幅率を容易に決定することが
できる（図５のＶＩ）。
【００２４】それに対して、従来回路の場合（１）は、
前述したように前段の増幅回路１で入力信号レベルによ
るバイアス電位の変動が生じ、さらに後段の増幅回路２
でも入力信号レベルによるバイアス電位の変動が生じる
ことになる（図５のＶ及びＶＩ）。その結果、各増幅器
に対するレベルダイヤの設定が困難で、後段のサブキャ
リア検出回路もバイアスレベルの変動に対応した構成と
しなければならなかった。また、微小入力信号の場合に
はその増幅によって生じた波形歪みを何らかの回路で補
償する必要があった。
前述したように前段の増幅回路１で入力信号レベルによ
るバイアス電位の変動が生じ、さらに後段の増幅回路２
でも入力信号レベルによるバイアス電位の変動が生じる
ことになる（図５のＶ及びＶＩ）。その結果、各増幅器
に対するレベルダイヤの設定が困難で、後段のサブキャ
リア検出回路もバイアスレベルの変動に対応した構成と
しなければならなかった。また、微小入力信号の場合に
はその増幅によって生じた波形歪みを何らかの回路で補
償する必要があった。
【００２５】これまでの説明から、本願発明により上記
従来回路の欠点は全て解消されることがわかる。なお、
これまでの説明ではＰＣＤの側における本願発明の検波
部を説明してきたが、同様な回路構成がＰＩＣＣ側の検
波部でも好適に使用しうることはいうまでもない。なぜ
なら、ＰＩＣＣ側が生成するキャリアをＡＭ変調したサ
ブキャリア信号を、単にＰＩＤ側が生成するキャリアを
ＡＭ変調したデータ信号に置き換えるだけで同様に動作
するからである。
従来回路の欠点は全て解消されることがわかる。なお、
これまでの説明ではＰＣＤの側における本願発明の検波
部を説明してきたが、同様な回路構成がＰＩＣＣ側の検
波部でも好適に使用しうることはいうまでもない。なぜ
なら、ＰＩＣＣ側が生成するキャリアをＡＭ変調したサ
ブキャリア信号を、単にＰＩＤ側が生成するキャリアを
ＡＭ変調したデータ信号に置き換えるだけで同様に動作
するからである。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、上
述した従来回路構成の問題の全てがより簡素な少ない部
品で解決可能となる。すなわち、本発明によれば従来の
ダイオードを使った順方向降下電圧を考慮することなく
且つ容易に増幅器の増幅率が定められ、しかも増幅後の
信号波形歪が低減された検波回路の構成がより少ない簡
素な部品で提供される。
述した従来回路構成の問題の全てがより簡素な少ない部
品で解決可能となる。すなわち、本発明によれば従来の
ダイオードを使った順方向降下電圧を考慮することなく
且つ容易に増幅器の増幅率が定められ、しかも増幅後の
信号波形歪が低減された検波回路の構成がより少ない簡
素な部品で提供される。
【００２７】本願発明は、ＰＩＣＣやＰＣＤ等のように
部品点数の低減が要求され、さらに様々なＦＲフィール
ードでの正常動作を要求される検波回路に特に有用であ
る。
部品点数の低減が要求され、さらに様々なＦＲフィール
ードでの正常動作を要求される検波回路に特に有用であ
る。
【図１】ＰＩＣＣの構成概要例を示した図である。
【図２】ＰＣＤとＰＩＣＣとの間の通信インタフェース
の一例を示した図である。
の一例を示した図である。
【図３】従来の検波部の一回路構成例を示した図であ
る。
る。
【図４】本発明による検波部回路構成の一実施例を示し
た図である。
た図である。
【図５】検波部の動作（１）を説明した図である。
【図６】検波部の動作（２）を説明した図である。
１０…非接触ＩＣカード（ＰＩＣＣ） １１…ＣＰＵ部 １２…ＲＦ部 １３、２４、２５…アンテナ ２０、２８…変調部（ＭＯＤ） ２１、２７…検波部（ＤＥＴ） ３２、３７、４４、４８…トランジスタ ３４…ダイオード ３５、４６…コンデンサ ３１、３３、３６，３８…抵抗器 ４１、４２、４３、４５、４７、４９…抵抗器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 繁 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5B058 CA15 KA24 5K012 AB02 AB05 AC06 AC11 AE13 5K061 AA16 CC26 EE08 JJ01 JJ09 JJ11
Claims (7)
- 【請求項１】 アンテナを介して受信するキャリア信号
に重畳した非接触ＩＣカードからのサブキャリア信号を
検波する検波回路であって、 前記アンテナからの受信信号に所定の直流バイアス電位
を与えるバイアス回路と、 前記バイアス点において前記アンテナからの受信信号を
整流することにより、前記キャリア信号に重畳したサブ
キャリア信号を抽出する整流回路と、 前記バイアス点において前記抽出したサブキャリア信号
を増幅する増幅回路と、で構成することを特長とした非
接触ＩＣカードデバイスのための検波回路。 - 【請求項２】 前記バイアス回路は電源電圧を分圧する
電源ブリーダ回路であり、 前記検波回路は、前記アンテナからの受信信号と共に前
記電源ブリーダ回路からのブリーダ電圧が直流バイアス
としてベース端子に与えられ、コレクタ端子は電源側に
接続され、そしてエミッタ端子には抵抗及びコンデンサ
が接続されたトランジスタ回路から成り、前記エミッタ
端子からは整流されたサブキャリア信号が出力される、
請求項１記載の回路。 - 【請求項３】 前記電源ブリーダ回路は、抵抗分圧回路
である、請求項２記載の回路。 - 【請求項４】 前記増幅回路は、前記整流されたサブキ
ャリア信号がベース端子に与えられ、コレクタ端子は電
源側に接続されたトランジスタ回路から成り、そのエミ
ッタ端子から前記整流されたサブキャリア信号の増幅信
号を出力する請求項２記載の回路。 - 【請求項５】 一方の端子が電源電圧に接続され、他方
の端子が第２の抵抗器の一方の端子に接続される第１の
抵抗器と、 一方の端子が第１の抵抗器の他方の端子に接続され、他
方の端子がグランドに接続される第２の抵抗器と、 一方の端子が第１の抵抗器と第２の抵抗器の結合点に接
続され且つその結合点は信号の入力端子に接続され、他
方の端子が第１のトランジスタのベースに接続される第
３の抵抗器と、 ベース端子が第３の抵抗器の他方の端子に接続され、コ
レクタ端子が電源に接続され、エミッタ端子が第４の抵
抗器、コンデンサ、第５の抵抗器の一方の端子に接続さ
れる第１のトランジスタと、 一方の端子がトランジスタのエミッタ端子に接続され、
他方の端子がグランドに接続される第４の抵抗器と、 一方の端子がトランジスタのエミッタ端子に接続され、
他方の端子がグランドに接続されるコンデンサと、 一方の端子がトランジスタのエミッタ端子に接続され、
他方の端子が第２のトランジスタのベース端子に接続さ
れる第５の抵抗器と、 ベース端子が第５の抵抗器の他方の端子に接続され、コ
レクタ端子が電源に接続され、エミッタ端子が第６の抵
抗器の一方の端子と信号の出力端子とに接続される第２
のトランジスタと、 一方の端子が第２のトランジスタのエミッタ端子に接続
され、他方の端子がグランドに接続される第６の抵抗器
と、で構成される検波回路。 - 【請求項６】 アンテナを介して受信するキャリア信号
に重畳した非接触装置からのデータ信号を検波する検波
回路であって、 前記アンテナからの受信信号に所定の直流バイアス電位
を与えるバイアス回路と、 前記バイアス点において前記アンテナからの受信信号を
整流することにより、前記キャリア信号に重畳したデー
タ信号を抽出する整流回路と、 前記バイアス点において前記抽出したサブキャリア信号
を増幅する増幅回路と、で構成することを特長とした非
接触ＩＣカードデバイスのための検波回路。 - 【請求項７】 前記バイアス回路は電源電圧を分圧する
電源ブリーダ回路であり、 前記検波回路は、前記アンテナからの受信信号と共に前
記電源ブリーダ回路からのブリーダ電圧が直流バイアス
としてベース端子に与えられ、コレクタ端子は電源側に
接続され、そしてエミッタ端子には抵抗及びコンデンサ
が接続されたトランジスタ回路から成り、前記エミッタ
端子からは整流後のデータ信号が出力される、請求項６
記載の回路。
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| JP21546599A JP4315530B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 非接触ｉｃカードデバイスのための検波回路 |
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| JP21546599A Expired - Fee Related JP4315530B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 非接触ｉｃカードデバイスのための検波回路 |
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