JP2001043562A - 光情報記録媒体の製造方法及び光情報記録媒体の製造装置 - Google Patents

光情報記録媒体の製造方法及び光情報記録媒体の製造装置

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JP2001043562A JP11219416A JP21941699A JP2001043562A JP 2001043562 A JP2001043562 A JP 2001043562A JP 11219416 A JP11219416 A JP 11219416A JP 21941699 A JP21941699 A JP 21941699A JP 2001043562 A JP2001043562 A JP 2001043562A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、光情報記録媒体の製造方法及び光
情報記録媒体の製造装置に関し、例えばディスク原盤の
露光装置に適用して、半導体レーザーによりレーザー光
源を構成して高密度にディスク原盤等を露光することが
できるようにする。 【解決手段】 本発明は、色収差光学系７８により対物
レンズ４８の色収差を補正し、また波長の変化を補正す
るように半導体レーザーの温度を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体の
製造方法及び光情報記録媒体の製造装置に関し、例えば
ディスク原盤の露光装置に適用することができる。本発
明は、色収差の補正により、また波長の変化を補正する
ように半導体レーザーの温度を制御すること等により、
半導体レーザーによりレーザー光源を構成して高い精度
でディスク原盤等を露光することができるようにする。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ディスクの製造工程において
は、露光装置によりディスク原盤を露光した後、このデ
ィスク原盤よりスタンパーを作成する。さらにこのスタ
ンパーよりディスク原盤を量産し、このディスク原盤に
保護膜等を形成して光ディスクを作成するようになされ
ている。
【０００３】すなわち図８は、光ディスクを示す斜視図
である。光ディスク１は、ディスク基板２に情報記録面
３が作成された後、保護層４が形成されて作成される。
【０００４】ここでディスク基板２は、透明樹脂による
ディスク状部材であり、情報記録面を構成する側の面に
微小な凹凸形状が形成される。この微小な凹凸形状は、
製造に供する光ディスクに応じて種々の形状に設定さ
れ、例えば初期のミニディスクのような記録再生用の光
ディスクにあっては、矢印Ａにより拡大して示すよう
に、レーザービームのガイド溝であるグルーブを形成す
る溝形状が形成される。またコンパクトディスクのよう
な再生専用の光ディスクにあっては、矢印Ｂにより拡大
して示すように、ピットを形成する凹形状が形成され
る。また初期のＩＳＯ規格のＭＯ（光磁気ディスク）等
にあっては、これらの双方により構成される。
【０００５】記録再生可能な光ディスク１のうち、相変
化型の光ディスクにあっては、このような微小な凹凸形
状が形成されてなるディスク基板２の表面に、相変化
層、反射層を積層して情報記録面が形成され、また光磁
気ディスクにあっては、磁性層、反射層を積層して情報
記録面が形成される。また再生専用の光ディスク１にお
いては、ディスク基板２の表面に反射層を形成して情報
記録面が形成される。
【０００６】図９及び図１０は、このディスク基板２の
製造に係る光ディスクの製造工程を示す略線図である。
光ディスクの製造工程では、ガラス原盤５の表面を平坦
に研磨し、またこのガラス原盤５を洗浄し（図９
（Ａ））、このガラス原盤５の表面にフォトレジスト６
をスピンコートする（図９（Ｂ））。ここでこのフォト
レジスト６は、厚さ約１００〔ｎｍ〕程度により塗布さ
れ、露光によりアルカリ可溶性となる材料が使用され
る。これにより光ディスクの製造工程では、このガラス
原盤５によりディスク原盤７が作成される。
【０００７】続いて光ディスクの製造工程では、このデ
ィスク原盤７を露光装置にセットし、ディスク原盤７を
所定の回転速度により回転駆動する（図９（Ｃ））。さ
らにこの状態で対物レンズにより露光用レーザービーム
Ｌ１をディスク原盤７のフォトレジスト６上に集光し、
この露光用レーザービームＬ１を所定の変調信号により
変調すると共に、露光用レーザービームＬ１の照射位置
を順次外周側へ移動させる。これにより光ディスクの製
造工程では、露光用レーザービームＬ１の走査軌跡をら
せん状に形成し、この走査軌跡に変調信号に応じた潜像
を形成する。
【０００８】光ディスクの製造工程は、このようにして
潜像を形成してなるディスク原盤７を現像し（図１０
（Ｄ））、フォトレジスト６の露光した部分を現像液で
溶解する。これにより光ディスクの製造工程は、ディス
ク原盤７の表面に微小な凹凸形状を形成する。なお図１
０（Ｄ）に示す例にあっては、グルーブ及びランドに対
応する凹凸形状をディスク原盤７に作成した場合であ
る。
【０００９】光ディスクの製造工程は（図１０
（Ｅ））、続く工程において、このように微小な凹凸形
状が形成されてなる側をＮｉメッキしてＮｉメッキ層８
を作成した後、このＮｉメッキ層８をディスク原盤７よ
り剥がし取る。これにより光ディスクの製造工程は、デ
ィスク原盤７の微小な凹凸形状をＮｉメッキ層８に転写
し、このＮｉメッキ層８によりコマを作成して金型にセ
ットすることによりスタンパー９を作成する。
【００１０】光ディスクの製造工程は、このスタンパー
９を用いたプラスチック射出成型又はいわゆる２Ｐ法
（Photo Polymerization法）により、ディスク基板２を
作成する（図１０（Ｆ））。このときディスク基板２
は、スタンパー９に転写されたディスク原盤７の微小な
凹凸形状が転写され、これによりディスク基板２におい
ては、図８について上述した微小な凹凸形状の潜像が露
光装置によるディスク原盤７の露光により作成されるよ
うになされている。
【００１１】図１１は、このようなディスク原盤７の露
光に使用される露光装置を示す平面図であり、図１２
は、この露光装置１１の光学系の説明に供する略線図で
ある。この露光装置１１は、ターンテーブル１２にディ
スク原盤７を保持し、矢印Ａにより示すように、所定の
回転速度で駆動する。露光装置１１は、矢印Ｂにより示
すように、この状態で移動光学テーブル１３をディスク
原盤７の半径方向に移動させる。これにより露光装置１
１は、この移動光学テーブル１３に保持した光学系によ
りディスク原盤７にらせん状に露光用レーザービームＬ
Ｒの走査軌跡を作成し、この走査軌跡にピット列の潜像
を作成する。
【００１２】すなわち露光装置１１において、レーザー
光源１４は、Ａｒ、Ｋｒ、Ｈｅ−Ｃｄ等の気体レーザー
により構成され、ディスク原盤７のフォトレジストを露
光する波長５００〔ｎｍ〕未満、光量５０〔ｍＷ〕以上
による露光用レーザービームＬＲを出射する。因みにレ
ーザー光源１４にＫｒレーザーを適用した場合、波長４
１３〔ｎｍ〕の露光用レーザービームＬＲが出射され
る。
【００１３】電気光学結晶素子１５及び検光子１６は、
この露光用レーザービームＬＲにおける光量の変化を補
正して出射する。すなわち電気光学結晶素子１５は、駆
動信号に応じてレーザー光源１４より出射される露光用
レーザービームＬＲの偏光面を変化させて出射し、続く
検光子１６は、所定偏光面成分を選択的に透過する。続
くビームスプリッタ１７は、この露光用レーザービーム
ＬＲを２つの光束に分離して出射し、受光素子１８は、
このビームスプリッタ１７を透過した側の露光用レーザ
ービームＬＲを受光して光量検出結果を出力する。
【００１４】記録光パワー制御回路１９（図１２）は、
この受光素子１８の光量検出結果の信号レベルが基準電
圧ＲＥＦと一致するように駆動信号を生成して電気光学
結晶素子１５を駆動する。これにより電気光学結晶素子
１５、検光子１６は、ビームスプリッタ１７、受光素子
１８、記録光パワー制御回路１９と共にフィードバック
ループを作成して露光用レーザービームＬＲの光量を一
定光量に保持する。
【００１５】かくするにつき電気光学結晶素子１５は、
応答周波数の上限が１〔１ＭＨｚ〕程度であることによ
り、このフィードバックループは、併せて露光用レーザ
ービームＬＲのノイズを低減することになる。
【００１６】レンズ２１は（図１１）、ビームスプリッ
タ１７で反射した側の露光用レーザービームＬＲを収束
光に変換してＡＯＭ（Acousto-Optic Modulatior：音響
光学結晶素子）２２に出射する。ＡＯＭ２２は、ディス
ク原盤７に形成する潜像に対応する記録信号ＲＥＣによ
り駆動されて、この露光用レーザービームＬＲをオンオ
フ変調する。続くレンズ２３は、このＡＯＭ２２の出射
光を平行光線に変換する。
【００１７】続く偏光ビームスプリッタ２４は、このレ
ンズ２３より出射される露光用レーザービームＬＲの光
路を折り曲げて出射し、続く１／４波長板２５は、この
露光用レーザービームＬＲに位相差を与えて円偏光によ
り出射する。
【００１８】レンズ２６及び２７は、ビームエキスパン
ダ２８を構成し、１／４波長板２５より出射される露光
用レーザービームＬＲのビーム径を拡大して出射する。
かくするにつきレンズ２６及び２７の焦点距離をそれぞ
れｆ１及びｆ２とすると、このビームエキスパンダ２８
は、露光用レーザービームＬＲのビーム径をｆ２／ｆ１
倍に拡大する。
【００１９】対物レンズ３０は、ダイクロイックプリズ
ム２９、図示しないミラーを介してこの露光用レーザー
ビームＬＲを受け、この露光用レーザービームＬＲをデ
ィスク原盤７のレジスト層に集光する。ここで露光装置
１１は、これらビームエキスパンダ２８から対物レンズ
３０までの光学系が後述するフォーカス制御用の光学系
と共に移動光学テーブル１３に配置される。これにより
露光装置１１にあっては、この移動光学テーブル１３の
移動により露光位置を変位させてディスク原盤７にピッ
ト列の潜像を作成することができるようになされてい
る。
【００２０】このようにして露光用レーザービームＬＲ
を照射すると、露光装置１１においては、ディスク原盤
７より戻り光が得られ、この戻り光が露光用レーザービ
ームＬＲの光路を逆に辿って１／４波長板２５より直線
偏波に偏光され、その結果戻り光が偏光ビームスプリッ
タ２４を透過することになる。ミラー３１は、この偏光
ビームスプリッタ２４を透過する戻り光の光路を折り曲
げ、続くレンズ３２は、この戻り光を撮像装置３３に導
く。撮像装置３３は、この戻り光を受光して受光結果を
出力し、これにより露光装置１１は、ディスク原盤７上
における露光用レーザービームのビーム形状をモニタし
てフォーカス制御の制御目標等を調整できるよになされ
ている。
【００２１】これに対してフォーカス制御系の光学系
は、いわゆる離軸法によりディスク原盤７までの距離を
検出する。すなわちフォーカス制御系の光学系は、移動
光学テーブル１３上に配置されて、レーザー光源３５よ
りフォーカス制御用のレーザービームＬＦを出射する。
【００２２】偏光ビームスプリッタ３６は、このレーザ
ービームＬＦを反射し、続く１／４波長板３７は、この
レーザービームＬＦに位相差を与えて円偏光により出射
する。ダイクロイックプリズム３１は、この１／４波長
板３７より出射されるレーザービームＬＦを反射するこ
とにより、透過光である露光用レーザービームＬＲと合
成して出射する。
【００２３】フォーカス制御系の光学系は、このように
して露光用レーザービームＬＲと合成して出射するレー
ザービームＬＦの光軸が対物レンズ３０の光軸より所定
距離だけ離間するように設定され、これによりこのレー
ザービームＬＦがディスク原盤７に斜め入射し、このレ
ーザービームＬＦがディスク原盤７で正反射されてなる
反射光の光軸が対物レンズ３０とディスク原盤７との距
離に応じて対物レンズ３０の光軸から離間するようにな
されている。
【００２４】ダイクロイックプリズム３１は、このよう
にしてディスク原盤７より得られるレーザービームＬＦ
の反射光を反射して１／４波長板３７に出射し、１／４
波長板３７は、この反射光に位相差を与えることによ
り、入射光であるレーザービームＬＦの偏光面と直交す
る偏光面により反射光を出射する。
【００２５】これによりこの反射光においては、続く偏
光ビームスプリッタ３６を透過し、位置検出素子３９
は、この反射光を受光して受光位置に応じて信号レベル
が変化する位置検出信号を出力する。露光装置１１は、
この位置検出信号が所定の信号レベルになるように、対
物レンズ３０を光軸方向に変位させ、これによりフォー
カス制御して安定にピット列による潜像を作成できるよ
うになされている。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の露光装
置１１においては、レーザー光源が気体レーザーで構成
されていることにより、大型化を避け得ない問題があ
り、このため製造現場では露光装置１１の設置場所、設
置台数が限られ、光ディスクの生産性が損なわれてい
た。因みに、気体レーザーによるレーザー光源にあって
は、長さ１．２〔ｍ〕程度、重量４０〔ｋｇ〕程度であ
り、露光装置としては、幅１．５〜２．０〔ｍ〕、奥行
１．０〜１．２〔ｍ〕、高さ１〔ｍ〕、重量２〔ｔ〕程
度であった。
【００２７】また光学系の構成が複雑な問題もあり、こ
れによっても装置の大型化を招き、さらには光学系の調
整に時間を要することとなっていた。
【００２８】また光学系の構成が複雑な分、露光用レー
ザービームＬＲの光路長も長くなることにより、その分
光路中における空気の揺らぎの影響を避け得ず、露光精
度が劣化する問題もある。
【００２９】さらに気体レーザーにあっては、水冷が必
要であり、この水冷に要する水流の振動が移動光学テー
ブル１３等に伝搬し、これによっても露光精度が劣化す
る問題があった。
【００３０】これらの問題点を一挙に解決する１つの方
法としてレーザー光源を半導体レーザーにより構成する
ことが考えられる。すなわち半導体レーザーによれば、
その分レーザー光源を小型化することができ、露光装置
の全体形状を小型化することができる。またレーザー光
源からの出射光を高速度で直接変調できることにより、
変調用の光学素子（図１１においてはレンズ２１及び２
３、ＡＯＭ２２である）を省略して光学系の構成を簡略
化することができると考えられ、これによっても露光装
置の全体形状を小型化することができ、さらには光学系
の調整作業を簡略化することができる。また光学系の構
成を簡略化してその分光路長を短縮できることにより、
空気の揺らぎによる露光精度の低下も防止することがで
きる。さらに水冷する必要が無いことにより、水流によ
る露光精度の低下も防止することができる。
【００３１】ところが実際上、半導体レーザーにあって
は、複数の縦モードが存在することにより、気体レーザ
ーによる場合に比してコヒレンシーが劣り、中心波長に
対して±数〔ｎｍ〕の波長の広がりを持ったレーザービ
ームが出射される。
【００３２】このように波長に広がりを有するレーザー
ビームにあっては、対物レンズで集光すると各波長で集
光位置が異なる現象である色収差が発生し、結局、レー
ザービームを回折限界まで集光して小径のビームスポッ
トを作成できなくなる。因みに色収差は、レンズの原料
であるガラス、プラスチックの屈折率が波長により異な
ること（すなわち分散である）により生じるが、一般に
波長が短くなる程、大きくなる。
【００３３】対物レンズの材料の中には、このような分
散の小さな材料として例えばＦＣＤ−１、ＦＣＤ−１
０、４３４−９５０等の低分散ガラスもあるが、このよ
うな低分散ガラスでも、波長８００〔ｎｍ〕の赤外光に
おいて、波長が１〔ｎｍ〕異なると、従来の露光装置に
おける対物レンズによる場合、焦点が約７０〔ｎｍ〕ず
れることになる。従って露光用レーザービームの波長で
ある波長４００〔ｎｍ〕近辺ではこのずれ量がさらに大
きくなる。
【００３４】これに対して露光装置１１においては、対
物レンズとして開口数が０．９程度の高開口数のレンズ
が使用され、このような高開口数のレンズにあっては、
焦点深度が著しく浅くなる。すなわちこの焦点深度を±
λ／（２×（ＮＡ）2 ）で表すとして、開口数が０．９
であると、波長４００〔ｎｍ〕程度の露光用レーザービ
ームＬＲによる場合、焦点深度は、±２５０〔ｎｍ〕と
なる。
【００３５】これに対して例えばＤＶＤ程度の記録密度
による光ディスクにおいて、露光時のフォーカス制御に
許容されるデフォーカス量が、焦点深度の約１／３程度
であることが経験的に知られており、この許容される量
以上にデフォーカスすると、再生信号の信号波形が著し
く劣化する。これにより仮に露光用レーザービームにお
ける波長の広がりが±１〔ｎｍ〕程度であったとして
も、再生信号の劣化を招くことになる。従って半導体レ
ーザーによりレーザー光源を構成した場合には、再生信
号における信号波形の劣化を避け得ないと考えられる。
【００３６】また半導体レーザーは、温度変化により中
心波長が変化する欠点もある。この中心波長の変化は、
半導体レーザーを構成する半導体材料によっても異なる
が、例えば中心波長約８３５〔ｎｍ〕のＡｌＧａＡｓ系
の半導体レーザーでは、パッケージの±２０度の温度変
化に対して中心波長が±５〔ｎｍ〕程度変化する。
【００３７】露光装置１１においては、このように露光
用レーザービームの中心波長が変化すると、その分ディ
スク原盤上において露光用レーザービームがデフォーカ
スすることになり、ディスク原盤上に形成されるビーム
スポット径が広がり、高い精度で露光することが困難に
なる。
【００３８】また１／４波長板等で与えられる位相差の
量が変化することにより、その分偏光ビームスプリッタ
等の検光面を有する光学素子において、透過光、反射光
の光量が変化することになり、結局ディスク原盤上に集
光される露光用レーザービームの光量が変化することに
なる。因みに、波長４１３〔ｎｍ〕の露光用レーザービ
ームを用いて開口数０．９０の光学系でＤＶＤのパター
ンを露光する場合、露光用レーザービームについては、
光量の変化を５〔％Ｐ−Ｐ〕程度に抑えることが必要に
なるが、光学系の条件によっては、数〔ｎｍ〕程度波長
が変化するだけでこの程度は光量が変化する。
【００３９】これらにより半導体レーザーによりレーザ
ー光源を構成する場合には、高い精度で露光することが
困難であると考えられ、結局、高密度に所望の潜像を作
成してもＤＶＤの記録密度である最短ピット長０．４０
〔ｎｍ〕、トラックピッチ０．７４〔ｎｍ〕程度の記録
についても困難であると考えられる。
【００４０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、半導体レーザーによりレーザー光源を構成して高い
精度でディスク原盤等を露光することができる光情報記
録媒体の製造方法、光情報記録媒体の製造装置を提案し
ようとするものである。
【００４１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め請求項１又は請求項４に係る発明においては、光情報
記録媒体の製造方法又は光情報記録媒体の製造装置に適
用して、少なくとも露光用レーザービームに対する対物
レンズの色収差を補正する色収差補正光学系を配置す
る。
【００４２】また請求項７又は請求項８に係る発明にお
いては、光情報記録媒体の製造方法又は光情報記録媒体
の製造装置に適用して、露光用レーザービームを出射す
る光源が半導体レーザーであり、露光用レーザービーム
の波長が５００〔ｎｍ〕未満の場合に、所定の温度管理
機構により光源の周囲の温度変化を±１以内に管理す
る。
【００４３】また請求項９又は請求項１０に係る発明に
おいては、光情報記録媒体の製造方法又は光情報記録媒
体の製造装置に適用して、露光用レーザービームの波長
が一定波長となるように半導体レーザーの温度を制御す
る。
【００４４】また請求項１３又は請求項１４に係る発明
においては、光情報記録媒体の製造方法又は光情報記録
媒体の製造装置に適用して、半導体レーザーから対物レ
ンズまでの光学系を密閉した空間に配置する。
【００４５】また請求項１５又は請求項１６に係る発明
においては、光情報記録媒体の製造方法又は光情報記録
媒体の製造装置に適用して、半導体レーザーから露光用
レーザービームを対物レンズに出射するまでの光学系
を、１つの露光用光学系の保持部材に保持する。
【００４６】また請求項１９に係る発明においては、情
報記録媒体の製造装置に適用して、半導体レーザー、自
動光量制御手段及び光学系を一体に交換可能に保持する
露光用光学系の保持部材を備えるようにする。
【００４７】また請求項２０に係る発明においては、情
報記録媒体の製造装置に適用して、光分離手段で分離さ
れた戻り光を撮像して撮像結果を出力する撮像手段と、
光分離手段で分離された戻り光を受光して光量検出結果
を出力する光量検出手段を備えるようにする。
【００４８】請求項１又は請求項４の構成によれば、少
なくとも露光用レーザービームに対する対物レンズの色
収差を補正する色収差補正光学系を配置することによ
り、波長の広がった露光用レーザービームについても、
色収差の発生を防止することができ、微小なビームスポ
ットを形成し、またデフォーカスに対するマージンを十
分に確保することができる。
【００４９】また請求項７又は請求項８の構成によれ
ば、露光用レーザービームを出射する光源が半導体レー
ザーであり、露光用レーザービームの波長が５００〔ｎ
ｍ〕未満の場合に、所定の温度管理機構により光源の周
囲の温度変化を±１度以内に管理することにより、露光
用レーザービームの波長の変化を実用上十分に低減する
ことができる。
【００５０】また請求項９又は請求項１０の構成によれ
ば、露光用レーザービームの波長が一定波長となるよう
に半導体レーザーの温度を制御することにより、波長の
変化による露光精度の低下を防止することができる。
【００５１】また請求項１３又は請求項１４の構成によ
れば、半導体レーザーから対物レンズまでの光学系を密
閉した空間に配置することにより、外部からの大気の流
入による揺らぎを防止して露光精度の低下を防止するこ
とができる。
【００５２】また請求項１５又は請求項１６の構成によ
れば、半導体レーザーから露光用レーザービームを対物
レンズに出射するまでの光学系を、１つの露光用光学系
の保持部材に保持することにより、光学系の調整作業を
簡略化することができ、その分組み立て作業を簡略化す
ることができ、またメンテナンス性を向上することがで
きる。
【００５３】また請求項１９の構成によれば、半導体レ
ーザー、自動光量制御手段及び光学系を一体に交換可能
に保持する露光用光学系の保持部材を備えることによ
り、これらの機構の調整作業を簡略化することができ、
その分組み立て作業を簡略化することができ、またメン
テナンス性を向上することができる。
【００５４】また請求項２０の構成によれば、光分離手
段で分離された戻り光を撮像して撮像結果を出力する撮
像手段と、光分離手段で分離された戻り光を受光して光
量検出結果を出力する光量検出手段を備えることによ
り、状況を監視しながら露光する等の利便を図ることが
でき、さらに光学系の調整作業を簡略化することができ
る。
【００５５】
【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳述する。
【００５６】（１）実施の形態の構成 図２は、本発明の実施の形態に係る露光装置の光学系を
関連する構成と共に示す断面図である。この実施の形態
に係る露光装置においては、全ての光学系と関連する駆
動回路とが移動光学テーブル４２に一体に収納されて保
持される。これにより露光装置４１は、ディスク原盤７
の回転に同期してこの移動光学テーブル４２を順次ディ
スク原盤７の外周方向に移動させ、露光用レーザービー
ムの走査軌跡をディスク原盤７にらせん状に作成し、こ
の走査軌跡にピット列の潜像を作成する。
【００５７】移動光学テーブル４２は、略箱型形状に形
成され、光学系、関連する駆動回路を内部の空間に収納
する。移動光学テーブル４２は、この内部の空間を密閉
するように構成され、これにより外気の混入による空気
の揺らぎを防止できるようになされている。
【００５８】さらに移動光学テーブル４２は、底部にパ
イプが配置され、温調機４３により温度調整された循環
水がこのパイプの中を循環するようになされている。こ
れにより移動光学テーブル４２は、レーザー光源の周囲
温度である内部温度の変化が±１度以下となるように温
度制御するようになされている。
【００５９】移動光学テーブル４２は、内部が２層構造
により構成され、ディスク原盤７側である下層の空間に
露光用レーザービームの光学系４４が配置され、上側の
空間にフォーカス制御用の光学系４５が配置される。
【００６０】ここで露光用レーザービームの光学系４４
は、レーザー光源から露光用レーザービームＬＲを対物
レンズに向けて出射するまでの光学系と、関連する駆動
回路とにより構成され、平板状の部材である１つの保持
部材４４Ａ上に、レーザー光源等の光学部品、関連する
駆動回路を配置して構成される。この保持部材４４Ａ
は、これら光学部品及び駆動回路を搭載した状態で、交
換可能に移動光学テーブル４２に配置され、これにより
メンテナンス作業等を簡略化できるようになされてい
る。
【００６１】またフォーカス制御用の光学系４５は、図
１２について上述した離軸法の検出手法に従ってディス
ク原盤７までの距離を検出する光学系であり、フォーカ
ス制御用のレーザービームＬＦを出射する光学系、ディ
スク原盤７からの反射光ＬＦＢを受光する光学系、関連
する回路を平板状の部材である１つの保持部材４５Ａ上
に配置して構成される。保持部材４５Ａは、これら光学
部品及び駆動回路を搭載した状態で、交換可能に移動光
学テーブル４２に配置され、これによりメンテナンス作
業等を簡略化できるようになされている。
【００６２】移動光学テーブル４２は、フォーカス制御
用の光学系４５より出射されるレーザービームを全反射
ミラー４６によりディスク原盤７に向けて反射し、続く
ダイクロイックミラー４７により露光用レーザービーム
ＬＲと合成して対物レンズ４８に導く。対物レンズ４８
は、２枚のレンズにより構成された高開口数のレンズで
あり、ダイクロイックミラー４７より出射される露光用
レーザービームＬＲ及びレーザービームＬＦをディスク
原盤７に集光する。なおこの実施の形態において、対物
レンズ４８は、ほぼ平行光線により入射する露光用レー
ザービームＬＲを集光して無限光学系を構成するように
なされている。
【００６３】これにより移動光学テーブル４２は、露光
用レーザービームＬＲの戻り光ＬＲＢとレーザービーム
ＬＦの反射光ＬＦＢとがそれぞれ露光用レーザービーム
ＬＲ及びレーザービームＬＦの光路を逆に辿り、露光用
レーザービームの光学系４４及びフォーカス制御用の光
学系４５にてそれぞれ処理されるようになされている。
【００６４】図１は、露光用レーザービームの光学系４
４を周辺構成と共に示す略線図である。この露光用レー
ザービームの光学系４４においては、光源ユニット５１
より露光用レーザービームＬＲを出射する。
【００６５】ここで図３に示すように、光源ユニット５
１は、露光用レーザービームＬＲを出射するレーザー光
源、この露光用レーザービームＬＲのビーム形状を整形
する機構、自動光量制御機構、関連する駆動回路を平板
形状である１枚の光学基板に配置して構成される。これ
により光源ユニット５１は、レーザー光源の交換等の作
業においては、別途調整済みの光源ユニットと交換する
だけの簡易な作業により、光源ユニット５１を構成する
各光学部品の位置決め調整作業を省略して簡易に処理で
きるようになされている。
【００６６】このため光源ユニット５１は、光学基板毎
に交換可能に、さらには光学基板毎傾き調整できるよう
に、所定の傾き調整機構を介して移動光学テーブル４２
に配置されるようになされている。
【００６７】光源ユニット５１において、半導体レーザ
ー５２は、レーザー光源を構成し、波長約４００〔ｎ
ｍ〕による露光用レーザービームＬＲを出射する。これ
により光源ユニット５１は、気体レーザーを用いる場合
に比してレーザー光源を小型化し、その分全体形状を小
型化できるようになされている。また気体レーザーを用
いる場合に比して発熱量を低減できることにより、その
分循環水の量を低減して水流の振動を低減できるように
なされている。
【００６８】半導体レーザー５２は、この光学基板に配
置された駆動回路により駆動されて露光用レーザービー
ムを出射し、この駆動回路においては、所定の駆動信号
により半導体レーザー５２を駆動する。これにより半導
体レーザー５２は、この駆動回路と共に露光用レーザー
ビームＬＲを変調して出射する。これにより光源ユニッ
ト５１においては、気体レーザーによる場合のような変
調素子を省略して、その分光学系の構成を簡略化して全
体形状を小型化できるようになされ、また光路を短縮し
て揺らぎによる露光精度の低下を防止できるようになさ
れている。
【００６９】また駆動回路は、この露光用レーザービー
ムＬＲの直接の変調の際に、併せて露光用レーザービー
ムの光量を一定値に維持するように半導体レーザー５２
を駆動する。これにより光源ユニット５１は、露光用レ
ーザービームＬＲの光路上に光量を補正する光学素子を
配置しなくても自動光量制御機構を構成できるようにな
され、その分光学系の構成を簡略化して全体形状を小型
化できるようになされ、また光路を短縮して揺らぎによ
る露光精度の低下を防止できるようになされている。
【００７０】続くコリメータレンズ５３は、矢印Ｂによ
り示すように、露光用レーザービームＬＲの光軸に沿っ
た方向に取り付け位置を微調整できるように配置され、
これにより露光用レーザービームＬＲを平行光線に変換
して出射する。
【００７１】続くアナモルフィックプリズム５４は、こ
の露光用レーザービームＬＲのビーム形状を円形形状に
補正して出射する。すなわちで半導体レーザー５２より
出射される露光用レーザービームＬＲは、活性層に対し
て平行な方向については発散角度１０度程度により、活
性層に対して垂直な方向については発散角度３０度程度
により出射され、これによりビーム形状が楕円形状によ
り出射される。アナモルフィックプリズム５４は、２つ
のプリズムの組み合わせにより、楕円形状の短軸側につ
いてビーム径を拡大することにより、楕円形状によるビ
ーム形状を円形形状に整形して出射する。なおアナモル
フィックプリズム５４は、露光用レーザービームＬＲの
光量が十分に大きく、対物レンズ４８の入射瞳の位置で
露光用レーザービームＬＲを十分に遮光することが可能
で、ビーム整形と同様の機能を確保する場合には省略さ
れる場合もある。
【００７２】１／２波長板５５は、露光用レーザービー
ムＬＲの光軸に垂直な面内にて回転調整可能に露光用レ
ーザービームＬＲの光路上に配置され、これにより続く
偏光ビームスプリッタ５６を透過及び反射する露光用レ
ーザービームＬＲの光量比を所定値に設定する。すなわ
ち続く偏光ビームスプリッタ５６は、１／２波長板５５
より出射される露光用レーザービームＬＲを反射及び透
過させて出射する。
【００７３】１／４波長板５７は、偏光ビームスプリッ
タ５６の反射光に位相差を与えて出射すると共に、この
出射光による反射光に同様の位相差を与え、これにより
この反射光が偏光ビームスプリッタ５６で反射して半導
体レーザー５２に戻らないようにする。
【００７４】集光レンズ５８は、この１／４波長板５７
より出射される露光用レーザービームＬＲを受光素子５
９の受光面に集光し、受光素子５９は、この露光用レー
ザービームＬＲの受光結果である露光用レーザービーム
ＬＲの光量検出結果を出力する。
【００７５】光源ユニット５１においては、半導体レー
ザー５２の駆動回路において、この光量検出結果に基づ
いて半導体レーザー５２の駆動信号を生成することによ
り、自動光量制御機構を構成して露光用レーザービーム
ＬＲのピーク光量を一定光量に維持する。かくするにつ
きこのピーク光量の制御においては、光量検出結果のピ
ークホールド値が所定の基準レベルと一致するように駆
動信号の信号レベルを補正して実行される。従ってこの
制御においては、数〔ＭＨｚ〕から場合によっては数百
〔ＭＨｚ〕の高周波数信号による露光用レーザービーム
ＬＲの光量の制御である。これにより光源ユニット５１
においては、半導体レーザー５２と共に駆動回路を光学
基板に配置して、駆動回路、受光素子５９、半導体レー
ザー５２を近接して配置できるようになされ、高周波数
信号による光量の制御を確実に実行できるようになされ
ている。
【００７６】１／４波長板６０は、偏光ビームスプリッ
タ５６を透過した側の露光用レーザービームＬＲに位相
差を与えて出射し、これにより光源ユニット５１に続い
て配置した偏光ビームスプリッタ６３（図１）におい
て、透過光及び反射光の光量比を所定値に設定し、また
この露光用レーザービームの戻り光が偏光ビームスプリ
ッタ５６を透過して半導体レーザー５２に戻らないよう
にする。
【００７７】続く偏光ビームスプリッタ６３は（図
１）、光源ユニット５１より出射される露光用レーザー
ビームＬＲを２つの光束に分解してそれぞれ波長検出部
６４及び対物レンズ４８側の光学系に出射し、またこの
対物レンズ４８側の光学系に出射した露光用レーザービ
ームＬＲの光路を逆に辿って入射する戻り光を反射して
光源ユニット５１側に戻らないようにする。
【００７８】波長検出部６４は、偏光ビームスプリッタ
６３で反射された側の露光用レーザービームＬＲを受光
し、その波長を検出して波長検出結果を出力し、温度補
正部６５は、この波長検出部６４による波長検出結果に
基づいて、露光用レーザービームＬＲが一定波長となる
ように、半導体レーザー５２の温度を制御する。
【００７９】図４は、この波長検出部６４及び温度補正
部６５の構成を周辺構成と共に詳細に示す略線図であ
る。波長検出部６４において、回折格子６７は、偏光ビ
ームスプリッタ６３で反射された露光用レーザービーム
ＬＲを回折して出射する。集光レンズ６８は、この回折
格子６７より出射される回折光のうち、１次の回折光を
続く位置検出素子６９の受光面に集光する。位置検出素
子６９は、この回折光の集光位置を示す位置検出結果を
出力する。
【００８０】ここで回折格子６７の繰り返しピッチをＰ
とおくと、１次回折光の回折角θは、Ｐｓｉｎθ＝λで
表すことができる。これにより露光用レーザービームＬ
Ｒの波長が変化すると、その分回折光にあっては回折角
θが変化し、位置検出素子６９における集光位置が変化
することになる。
【００８１】なお図５及び図６にそれぞれ回折格子６７
の繰り返しピッチＰを５００〔ｎｍ〕及び１０００〔ｎ
ｍ〕に設定した場合の波長λの変化に対する１次回折光
の回折角θを示す。繰り返しピッチＰを５００〔ｎｍ〕
及び１０００〔ｎｍ〕に設定した場合、それぞれ波長１
〔ｎｍ〕当たりの回折角θの変化は、０．１９〔度／ｎ
ｍ〕及び０．０８〔度／ｎｍ〕であった。
【００８２】集光レンズ６８の焦点距離をｆとおくと、
このような回折角θの変化Δθに対して、位置検出素子
６９の受光面における集光位置の変化量Δｘは、次式に
より表すことができる。
【００８３】
【数１】
【００８４】これにより繰り返しピッチＰが５００〔ｎ
ｍ〕の場合には、波長λが１〔ｎｍ〕変化すると回折角
θが０．００３〔ｒａｄ〕変化することにより、集光レ
ンズ６８の焦点距離ｆを２０〔ｍｍ〕に設定すると、
（１）式より変化量△ｘ＝６６〔μｍ／ｎｍ〕を得るこ
とができ、これにより十分な検出感度により露光用レー
ザービームＬＲの波長λの変化を検出できることが判
る。
【００８５】なお回折格子６７は、熱膨張による精度の
劣化を防止するために低膨張率の材料である例えば石
英、低熱膨張ガラス等が使用される。なお回折格子６７
として反射光による回折光を利用するようにしても良
く、このような場合には反射率の高い金属材料を使用し
て回折格子を構成する。
【００８６】温度補正部６５は、比較回路７０におい
て、この位置検出素子６９の波長検出結果と基準電圧Ｒ
ＥＦとの比較結果を得、この比較結果によりペルチェ素
子７１を駆動して半導体レーザー５２を加熱冷却する。
なおぺルチェ素子は、応答時間が数〔ｍｓｅｃ〕である
ことにより、雰囲気の温度変化による穏やかな波長変化
だけでなく、例えば角速度一定の条件によりディスク原
盤７を回転駆動して線速度一定の条件により再生する光
ディスクの潜像を作成する場合ような露光位置の半径方
向の変位に応じて露光強度を変化させるような場合で
も、波長の変化を充分に防止することができる。
【００８７】これに対して１／４波長板７５は（図
１）、偏光ビームスプリッタ６３を透過した露光用レー
ザービームＬＲに位相差を与えることにより、露光用レ
ーザービームＬＲを円偏光により出射し、また露光用レ
ーザービームの戻り光が偏光ビームスプリッタ６３を透
過して半導体レーザー５２に戻らないようにする。
【００８８】ＸＹシフター７６は、所定板厚の透明平行
平板であり、図示しない傾き調整機構により傾きを微調
整できるようになされ、この傾きの微調整により続く光
学系の光軸と露光用レーザービームＬＲの光軸とが一致
するように、露光用レーザービームＬＲの光軸を平行移
動させる。なおこのＸＹシフター７６は、光源ユニット
５１側に平行移動機構を配置した場合には、省略するこ
とができ、その分全体形状を小型化することができる。
【００８９】露光用レーザービームの光学系４４は、こ
のＸＹシフター７６より出射される露光用レーザービー
ムＬＲを色収差補正光学系７８、ビームエキスパンダ７
９を介してダイクロイックミラー４７に出射する。
【００９０】ここで色収差補正光学系７８は、対物レン
ズ４８による色収差を打ち消すように、露光用レーザー
ビームＬＲに色収差を与える光学系により構成され、こ
の実施の形態では正の低屈折率を有するクラウンガラス
による凸レンズと、負の高屈折率を有するフリントガラ
スによる凹レンズをそれぞれ貼り合わせた２組のレンズ
７８Ａ及び７８Ｂを所定距離だけ離間して配置して構成
される。なお色収差補正光学系７８にあっては、１枚の
レンズにより構成することもできる。
【００９１】露光用レーザービーム用の光学系４４は、
ビームエキスパンダ７９を除いてこの色収差補正光学系
７８を対物レンズ４８に最も近い位置に配置することに
より、他の光学素子の製作誤差等により発生する収差が
色収差の補正に影響を与えないようになされている。ま
たビームエキスパンダ７９の直前であって、平行光束で
ある露光用レーザービームＬＲの光路中に配置すること
により、後述するビームエキスパンダ７９における調整
作業によっても、色収差の補正に影響を与えないように
なされている。
【００９２】ビームエキスパンダ７９は、凹レンズ７９
Ａ及び凸レンズ７９Ｂにより構成され、露光用レーザー
ビームＬＲのビーム径を拡大して出射する。なおこのビ
ームエキスパンダ７９は、入射側が凹レンズ７９Ａによ
り構成されていることにより、それぞれ凹レンズ７９Ａ
及び凸レンズ７９Ｂの焦点距離をｆ３及びｆ４とおいて
表される拡大率Ｍは、ｆ４／ｆ３であり、図１２につい
て上述したような凸レンズの組み合わせによる場合に比
して、同一の拡大率を確保する場合にレンズ間の間隔を
短くできるようになされている。なお図１２ような凸レ
ンズの組み合わせによる場合は、レンズ間の間隔をｆ２
＋ｆｌに設定する必要があるのに対し、この実施の形態
ではｆ４−ｆ３となる。
【００９３】さらにビームエキスパンダ７９は、矢印Ｃ
により示すように、露光用レーザービームＬＲの光軸に
沿って凸レンズ７９Ｂの位置を微調整できるようになさ
れ、これにより露光用レーザービームＬＲを精度の高い
平行光線により出射できるようになされている。
【００９４】これにより露光用レーザービームの光学系
４４においては、露光用レーザービームＬＲをダイクロ
イックミラー４７に出射し、この露光用レーザービーム
ＬＲが対物レンズ４８によりディスク原盤７に集光され
る。さらにその結果得られる戻り光ＬＲＢがこれらの光
学系を逆に辿って偏光ビームスプリッタ６３に入射する
ことになり、１／４波長板７５により与えられる位相差
によりこの偏光ビームスプリッタ６３で露光用レーザー
ビームＬＲより戻り光ＬＲＢが分離されることになる。
【００９５】１／４波長板８１は、この偏光ビームスプ
リッタ６３で分離された戻り光ＬＲＢを円偏光に変換し
て出射し、続く偏光ビームスプリッタ８２は、この戻り
光ＬＲＢを反射及び透過することにより、２つの光束に
分離して出射する。
【００９６】レンズ８３は、この偏光ビームスプリッタ
８２で反射した側の戻り光ＬＲＢを集光し、続くミラー
８４、８５は、この戻り光ＬＲＢの光路を折り曲げて撮
像装置８６に導く。撮像装置８６は、この戻り光を撮像
することにより、ディスク原盤７上におけるビーム形状
を撮像してなる撮像結果を出力する。これによりこの光
学系４４では、この撮像結果によりディスク原盤７上に
おけるビーム形状をモニタできるようになされている。
【００９７】これに対して1 ／４波長板８８は、偏光ビ
ームスプリッタ８２を透過する戻り光ＬＰＢに位相差を
与え、これによりこの戻り光を受光素子９０に集光して
発生する反射光が偏光ビームスプリッタ８２を透過して
対物レンズ４８側に戻らないようにする。
【００９８】かくするにつきレンズ８９は、この1 ／４
波長板８８から出射される戻り光を集光し、続く受光素
子９０は、このレンズ８９により集光される戻り光を受
光して光量検出結果を出力する。これによりこの光学系
４４では、この光量検出結果によりビームエキスパンダ
７９におけるレンズ間の間隔の微調整、フォーカスの微
調整に利用できるようになされている。
【００９９】図７は、フォーカス制御用の光学系４５を
示す略線図である。このフォーカス制御用の光学系４５
において、光源ユニット９１は、フォーカス制御用のレ
ーザービームＬＦを出射する。すなわち光源ユニット９
１において、半導体レーザー９２は、露光用レーザービ
ームＬＲとは異なる波長のレーザービームＬＦを出射
し、コリメータレンズ９４は、このレーザービームＬＦ
を略平行光線に変換して出射する。続くアナモルフィッ
クプリズム９５は、レーザービームＬＦのビーム形状を
整形し、続くビームスプリッタ９６は、レーザービーム
ＬＦを２つの光束に分離する。
【０１００】受光素子９７は、ビームスプリッタ９６で
反射したレーザービームＬＦを受光して光量検出結果を
出力し、フォーカス制御用の光学系４５は、これにより
半導体レーザー９２より出射するレーザービームＬＦの
光量をモニタしてこのレーザービームＬＦの光量を一定
光量に制御するようになされている。
【０１０１】これに対して他方の光束について、フォー
カス制御用の光学系４５は、偏光ビームスプリッタ９８
を透過させた後、１／４波長板９９により位相差を与え
てミラー４６に出射する。フォーカス制御用の光学系４
５は、このようにして対物レンズ４８に入射するレーザ
ービームＬＦが対物レンズ４８の光軸より離間した箇所
に極めて小さなビーム径により入射するように構成され
る。さらにレーザービームＬＦがディスク原盤７に形成
されたフォトレジスト６を露光しない波長及び光量であ
って、さらにはフォトレジスト６表面で反射される波長
に選定される。これによりフォーカス制御用の光学系４
５にあっては、このレーザービームＬＦがフォトレジス
ト６の表面に斜め入射して正反射されるようになされ、
さらにその戻り光ＬＦＢがレーザービームＬＦの光軸か
ら離間してこれらの光学系を戻るようになされ、さらに
このレーザービームＬＦの光軸から離間した距離が対物
レンズ４８からフォトレジスト６の表面までの距離に応
じて変化するようになされている。
【０１０２】フォーカス制御用の光学系４５は、このよ
うにしてフォトレジスト６の表面で正反射してこれらの
光学系を戻る戻り光ＬＦＢについて、１／４波長板９９
により位相差を与え、これにより偏光ビームスプリッタ
９８で反射する。フォーカス制御用の光学系４５は、こ
の偏光ビームスプリッタ９８で反射した戻り光ＬＦＢを
位置検出素子１００で受光し、これにより位置検出素子
１００より得られる受光位置の検出結果に基づいて、対
物レンズ４８からフォトレジスト６の表面までの距離を
検出する。フォーカス制御用の光学系４５は、この距離
の検出結果に基づいて、矢印Ｄにより示すように、対物
レンズ４８を露光用レーザービームＬＲの光軸に沿って
可動し、これにより露光用レーザービームＬＲをフォー
カス制御する。
【０１０３】（２）実施の形態の動作 以上の構成において、この露光装置４１においては（図
１及び図３）、半導体レーザー５２によりレーザー光源
が構成され、この半導体レーザー５２により出射される
露光用レーザービームＬＲによりディスク原盤７が露光
される。この半導体レーザー５２の採用により、露光装
置４１は、気体レーザーを用いる場合に比してレーザー
光源を小型化し、その分全体形状を小型化することがで
きる。
【０１０４】またこの半導体レーザー５２の採用によ
り、露光装置４１では、直接半導体レーザー５２を駆動
して露光用レーザービームＬＲを変調し、これによりそ
の分変調用の光学素子を省略して光学系の構成を簡略化
することができる。従ってその分、調整に要する時間を
短縮し、また光路長を短くして空気の揺らぎによる露光
精度の低下を防止することができる。
【０１０５】また露光用レーザービームＬＲを偏光ビー
ムスプリッタ５６で２つの光束に分離して受光素子５９
により光量を検出し、この光量検出結果により半導体レ
ーザー５２の駆動信号を補正して自動光量制御機構を構
成し、これによっても光量制御のための光学素子を低減
することができる。従ってその分調整に要する時間を短
縮し、また光路長を短くして空気の揺らぎによる露光精
度の低下を防止することができる。
【０１０６】また気体レーザーを用いる場合に比して発
熱量を低減できることにより、その分循環水による温度
制御において、循環水の量を低減して水流の振動を低減
することができ、その分振動による露光精度の低下も防
止することができる。
【０１０７】すなわち半導体レーザー５２より出射され
た露光用レーザービームＬＲは（図３）、コリメータレ
ンズ５３により平行光線に変換された後、アナモルフィ
ックプリズム５４によりビーム形状が整形され、続く１
／４波長板５５により与えられる位相差に応じて偏光ビ
ームスプリッタ５６により２つの光束に分解される。露
光用レーザービームＬＲは、このうちの一方の光束が上
述した自動光量の制御に使用され、他方の光束が１／４
波長板６０を介して偏光ビームスプリッタ６３（図１）
に出射される。
【０１０８】露光装置４１は、これら半導体レーザー５
２から１／４波長板６０までの光学系、自動光量制御に
係る機構、半導体レーザー５２の駆動回路等が１枚の光
学基板に配置して構成され、これによりこれら光学系等
を別途調整した後、露光装置４１に一体に配置して組み
立てられる。これにより露光装置４１は、組み立て作業
を簡略化し、また半導体レーザー５２の交換等のメンテ
ナンス作業を簡略化することができる。
【０１０９】この光源ユニット５１より出射される露光
用レーザービームＬＲは、偏光ビームスプリッタ６３に
より２つの光束に分離され、このうちの１つの光束が波
長検出部６４に入射されて露光用レーザービームＬＲの
波長が検出され、この検出結果により温度補正部６５で
半導体レーザー５２の温度が制御される。
【０１１０】すなわち波長検出部６４において（図
４）、露光用レーザービームＬＲは、回折格子６７に入
射され、ここで波長λに応じた回折角θにより回折光が
生成される。さらにレンズ６８により位置検出素子６９
に集光され、ここで回折角θに応じた集光位置が検出さ
れることにより、波長λが検出される。露光装置４１で
は、この波長λが一定波長になるように、ペルチェ素子
７１の駆動により半導体レーザー５２が加熱、冷却さ
れ、これにより半導体レーザー５２をレーザー光源に使
用する場合であっても、高い精度により波長の変化が防
止される。
【０１１１】特に、このようなペルチェ素子７１を用い
た温度制御においては、応答速度が速いことにより、発
光量の変化による半導体レーザー５２の温度が変化した
場合にも、この温度の変化を補うように冷却して温度変
化による波長の変化を防止することができる。
【０１１２】このようにして波長の変化が防止されてな
る露光用レーザービームＬＲは、偏光ビームスプリッタ
６３を透過した側の露光用レーザービームＬＲがＸＹシ
フター７６により光軸のずれが補正された後、対物レン
ズ４８による色収差を補正するように、色収差補正光学
系７８により色収差が与えられる。
【０１１３】これにより露光装置４１では、半導体レー
ザー５２を用いて波長に広がりを有する露光用レーザー
ビームＬＲによりディスク原盤７を露光する場合でも、
露光用レーザービームＬＲを回折限界近くまで集光する
ことができ、その分微小なビームスポットを形成して露
光精度を向上することができる。
【０１１４】露光装置４１は、続くビームエキスパンダ
７９を除いてこの色収差補正光学系７８を対物レンズ４
８に最も近い位置に配置されていることにより、他の光
学素子の収差が、この色収差補正光学系７８による対物
レンズ４８の色収差の補正に影響を与えないようにする
ことができ、これによっても露光精度を向上することが
できる。
【０１１５】またビームエキスパンダ７９の直前に色収
差補正光学系７８が配置されていることにより、さらに
平行光束である露光用レーザービームＬＲの光路中に配
置されていることにより、ビームエキスパンダ７９の調
整作業によっても、色収差の補正に影響を与えないよう
にすることができ、その分調整作業を簡略化して露光精
度の低下を防止することができる。
【０１１６】かくするにつき色収差補正光学系７８によ
り色収差が補正されてなる露光用レーザービームＬＲ
は、ビームエキスパンダ７９によりビーム径が所定の大
きさに設定された後、ダイクロイックミラー４７により
光路が折り曲げられ、対物レンズ４８によりディスク原
盤７に集光される。
【０１１７】このようにしてディスク原盤７に露光用レ
ーザービームＬＲを集光すると、ディスク原盤７より反
射光が得られる。この反射光は、戻り光として露光用レ
ーザービームＬＲの光路を逆に辿り、偏光ビームスプリ
ッタ６３で反射されて露光用レーザービームＬＲより分
離される。さらに偏光ビームスプリッタ８２により２つ
の光束に分離され、そのうちの１つが撮像装置８６で撮
像されることによりディスク原盤７上におけるビーム形
状がモニタされ、また他方が受光素子９０で受光されて
戻り光の光量が検出される。
【０１１８】露光装置４１においては、これら戻り光の
受光結果をビームエキスパンダ７９におけるレンズ間の
間隔の微調整、フォーカスの微調整に利用して調整作業
を簡略化することができる。
【０１１９】すなわち戻り光の光路について見ると、露
光装置４１では、１／４波長板７６により露光用レーザ
ービームＬＲ及び戻り光に位相差を与え、偏光ビームス
プリッタ６３により露光用レーザービームＬＲから戻り
光を分離することにより、ディスク原盤７より出射され
る戻り光を殆ど失うことなく２つの光束に分離して受光
することができる。
【０１２０】これにより従来の露光装置のように、単に
ディスク原盤７上におけるビーム形状の観察に利用する
だけでなく、戻り光の光量を検出して調整に利用するこ
とができる。
【０１２１】すなわちこの露光装置４１のように、対物
レンズ４８が無限補正系の光学系により構成される場
合、対物レンズ４８に入射する露光用レーザービームＬ
Ｒにおいては、平行光線より僅かに発散、収束すると、
球面収差の発生によりディスク原盤７上におけるビーム
スポット形状が劣化する。
【０１２２】但し、対物レンズ４８自体が球面収差を有
していることにより、この実施の形態では、ビームエキ
スパンダ７９においてレンズ間の間隔を微調整すること
により、ビームスポット径を最も小さくすることがで
き、さらには色収差補正光学系７８の調整によりビーム
スポット径を最も小さくすることができる。
【０１２３】これにより露光装置４１においては、再生
基準のディスク原盤をセットして露光用レーザービーム
ＬＲを照射し、受光素子９０より得られる光量検出結果
の振幅値が最も大きくなるようにビームエキスパンダ７
９におけるレンズ間の間隔を微調整し、また色収差補正
光学系７８におけるレンズ間の間隔を調整してこの種の
調整を簡易かつ確実に実行することができる。因みに、
この方法によらない場合には、撮像装置８６による撮像
結果を目視により判断してこれらの調整作業を実行する
ことになり、調整に多大な時間を要し、さらには精度の
高い調整が困難になる。またこの場合、色収差補正光学
系７８を配置しない場合に、撮像結果により調整する場
合にあっては、調整中の波長の変化により、調整作業自
体、無駄になる。
【０１２４】またこのように戻り光を分離して処理する
ように光学系を構成すれば、受光素子９０による戻り光
の受光に代えて、通常の光ディスク装置におけるフォー
カス制御方法である非点収差法、ナイフエッジ法等によ
るフォーカス制御の光学系を配置してフォーカス制御す
ることもできる。特にこの露光装置４１のように別途フ
ォーカス制御用のレーザービームを照射する装置にあっ
ては、対物レンズ４８により露光用レーザービームＬＲ
とフォーカス制御用のレーザービームとで色収差が発生
する場合があり、このような色収差を無視できない場合
には、このようなフォーカス制御方法を適用して確実に
フォーカス制御することができる。なおこの場合、ディ
スク原盤７に常時露光用レーザービームＬＲを照射する
ことが必要になることから、例えばピット列に代えてグ
ルーブの潜像を作成する場合等に適用することができ、
またさらには別途フォーカス制御用のレーザービームの
照射と組み合わせて使用することが考えられる。
【０１２５】すなわちフォーカス制御用の光学系４５に
おいては（図７）、半導体レーザー９２より出射される
レーザービームＬＦがコリメータレンズ９４により平行
光線に変換された後、続くアナモルフィックプリズム９
５によりビーム形状が整形される。さらに続く偏光ビー
ムスプリッタ９６により２つの光束に分離され、このう
ちの１つの光束による光量検出結果により自動光量制御
される。このフォーカス制御用のレーザービームＬＦ
は、偏光ビームスプリッタ９８、１／４波長板９９を介
してミラー４７により光路が折り曲げられ、ダイクロイ
ックミラーで露光用レーザービームＬＲと合成されて対
物レンズ４８によりディスク原盤７に照射される。
【０１２６】フォーカス制御用の光学系４５において
は、このディスク原盤７からの反射光がレーザービーム
ＬＦの光路を逆に辿り、偏光ビームスプリッタ９８でレ
ーザービームＬＦから分離され、位置検出素子１００に
より受光位置が検出される。これにより対物レンズ４８
からディスク原盤７までの距離が検出され、この距離が
所定値となるように対物レンズ４８が可動されてフォー
カス制御される。
【０１２７】このようにしてディスク原盤７を露光する
露光装置４１においては（図１）、露光用レーザービー
ムの光学系４４と、フォーカス制御用の光学系４５と
が、それぞれ板状部材である保持部材４４Ａ及び４５Ａ
に保持されて、交換可能に移動光学テーブル４２に配置
される。ここでこの実施の形態では、レーザー光源に半
導体レーザー５２が使用されていることにより、このよ
うに露光用レーザービームの光学系４４とフォーカス制
御用の光学系４５とを移動光学テーブル４２に収納し
て、この移動光学テーブル４２の移動によりディスク原
盤７にらせん状に露光用レーザービームＬＲの走査軌跡
を作成することができる。従ってその分全体構成を簡略
化することができる。
【０１２８】さらにこのように光源から対物レンズ４８
までの光学系を移動光学テーブル４２に収納して保持す
るにつき、露光装置４１では、空気が流入しないよう
に、密閉した空間にこれら光学系が保持される。これに
より露光装置４１においては、外気の流入による空気の
揺らぎが防止され、その分露光精度を向上することがで
きる。
【０１２９】またこの移動光学テーブル４２の底部にお
ける循環水の循環により内部温度である半導体レーザー
５２の周囲温度が±１度以内に保持され、これにより温
度変化による波長の変化が防止される。
【０１３０】すなわち発光時の自己発熱について、半導
体レーザー５２は、上述したペルチェ素子による温度制
御により波長の変化が補正されるものの、他の要因によ
る温度変化として装置自体の温度変化も考慮する必要が
ある。
【０１３１】特に、コンパクトディスク、ＤＶＤ等のよ
うに、ピット及びスペースの長さが１対１で対応してお
り発光時における温度変化がほぼ一定している場合、半
導体レーザー５２自体にあっては、一旦露光を開始した
後においては、ほぼ一定の温度に保持される。従って場
合によっては、雰囲気の温度管理だけで、露光用レーザ
ービームＬＲの波長の変化を防止することができる。
【０１３２】露光装置においては、ほぼ±０．６〔ｎ
ｍ〕以下に波長の変化を抑えることが必要であるのに対
し、半導体レーザーにおいては、パッケージの温度変化
±２０度に対して、±５〔ｎｍ〕程度の波長が変化する
ことにより、このパッケージの温度変化を±２度以下に
制御すれば、この目標値を達成することができる。しか
しながら半導体レーザーによっては温度依存性が若十異
なることにより、また将来露光用レーザービームＬＲの
波長がさらに短くなった場合に、波長の変化に対する余
裕が小さくなることにより、これらを考慮して温度制御
することが必要になる。
【０１３３】現在の温度制御の能力にあっては、温度変
化を±２度以下よりさらに高い精度により管理できるこ
とにより、この実施の形態では周囲温度を±１度以内に
制御し、これにより充分に周囲温度の変化による波長の
変化を防止し、この波長の変化による露光精度の低下を
防止するようになされている。
【０１３４】このようにして半導体レーザー５２により
光源を構成するにつき、この実施の形態では、それぞれ
露光用レーザービームの光学系４４、フォーカス制御用
の光学系４５が関連する回路部品と共に、それぞれ板状
部材である保持部材４４Ａ及び４５Ａに保持して交換可
能に移動光学テーブル４２に配置することにより、これ
ら露光用レーザービームＬＲ、フォーカス制御用の光学
系に異常が発生した場合には、これら保持部材４４Ａ及
び４４Ｂ毎交換して異常に対応することができる。また
組み立て時においては、これら保持部材４４Ａ及び４４
Ｂ上にて調整して、組み立て作業を簡略化することがで
きる。
【０１３５】実際上、レーザー光源を半導体レーザーに
より構成する場合にあっては、これら保持部材４４Ａ及
び４４ＢをＢ４サイズにより構成して、光学系、関連す
る回路部品を実装することができ、その分装置全体を小
型化することができる。
【０１３６】かくして従来の露光装置のように、光学系
が分離されて一部を移動光学テーブルに配置するような
場合には、露光用レーザービームＬＲの微妙な発散、収
束、光軸の傾き等が存在する場合、移動光学テーブルの
移動に伴って焦点位置がずれたり、対物レンズの入射瞳
で露光用レーザービームＬＲがけられたりする問題が発
生していたものが、このように光学系全体を移動光学テ
ーブルに配置することにより、これらの問題を一挙に解
決することが可能となる。また設計の自由度も向上する
ことができる。
【０１３７】さらにこのように光学系をそれぞれ保持部
材４４Ａ、４４Ｂに保持する場合、ディスク原盤７に形
成する露光のパターンに応じて、光学系全体を簡易に交
換して対応することもでき、その分この露光装置４１の
使い勝手を向上することができる。なおこのような露光
のパターンによる光学系の変更が必要となるのは、ピッ
ト列による潜像に代えて、グルーブによる潜像を作成す
る場合、またこれらを組み合わせて露光する等があり、
グルーブによる潜像を作成する場合には、露光用レーザ
ービームＬＲの出射方向の可変する偏向光学素子の配置
によりグルーブを蛇行させる場合もある。これにより露
光装置４１においては、各種フォーマットの光ディスク
について、ディスク原盤を露光することができる。
【０１３８】因みに、従来の生産現場においては、露光
装置において光学系の構成を変更すると、その調整に時
間を要し、また再現性が低いことにより、このようにピ
ット列による光ディスク用、グルーブによる光ディスク
用、これらを組み合わせに係る光ディスク用にそれぞれ
露光装置を用意するようになさている。これによりこの
露光装置４１においては、露光装置を効率良く使用して
生産性を向上することができる。
【０１３９】なお露光用レーザービーム用の光学系を変
更しても、フォーカス制御用の光学系においては、変更
を要しないことにより、この実施の形態のようにフォー
カス制御用の光学系と露光用レーザービーム用の光学系
と別々に保持して、効率良く光学系を使用することがで
きる。
【０１４０】（３）実施の形態の効果 以上の構成によれば、色収差補正光学系により対物レン
ズの色収差を補正することにより、半導体レーザーによ
りレーザー光源を構成して高い精度でにディスク原盤を
露光することができる。
【０１４１】またこの色補正光学系をビームエキスパン
ダーより半導体レーザー側に配置することにより、無限
補正系の光学系により対物レンズを構成した場合に、他
の光学系の収差による影響を有効に回避して色収差を補
正することができる。
【０１４２】また循環水の循環による温度管理機構によ
りレーザー光源の周囲の温度変化を±１度以内に管理す
ることにより、半導体レーザーをレーザー光源に使用し
て波長５００〔ｎｍ〕未満による露光用レーザービーム
を出射するにつき、高い精度でディスク原盤を露光する
ことができる。
【０１４３】さらに露光用レーザービームの波長が一定
波長となるように、半導体レーザーの温度を制御するこ
とにより、温度変化による波長の変化を防止することが
でき、これにより半導体レーザーによりレーザー光源を
構成して高い精度でディスク原盤を露光することができ
る。
【０１４４】またこの温度制御において、露光用レーザ
ービームを回折させ、回折角の検出により露光用レーザ
ービームの波長を検出することにより、高い精度で波長
の変化を検出して充分に波長の変化を防止することがで
きる。
【０１４５】また集光手段により集光される回折光の集
光位置を検出してこの回折角を検出することにより、こ
の集光手段の設定により所望の検出感度を確保すること
ができる。
【０１４６】また半導体レーザーから対物レンズまでの
光学系を密閉した空間に配置することにより、外気の流
入による揺らぎを防止することができ、その分露光の精
度を向上することができる。
【０１４７】また半導体レーザーから露光用レーザービ
ームを対物レンズに出射するまでの光学系を、１つの露
光用光学系の保持部材に保持することにより、メンテナ
ンス作業の能率を向上することができ、また組み立て作
業を簡略化することができる。
【０１４８】またこのとき、フォーカス制御系の光学系
をフォーカス制御系の保持部材に一体に保持し、露光対
象に対して変位可能に、対物レンズ、露光用レーザービ
ームの光学系の保持部材及びフォーカス制御系の保持部
材を一体に保持することにより、組み立て作業を簡略化
することができ、またメンテナンス性を向上することが
できる。
【０１４９】また半導体レーザー、自動光量制御機構及
び光学系を一体に交換可能に保持部材に保持することに
より、これらの機構の調整作業を簡略化することがで
き、その分組み立て作業を簡略化することができ、また
メンテナンス性を向上することができる。
【０１５０】さらに光分離手段である偏光ビームスプリ
ッタで分離された戻り光を撮像すると共に、光量を検出
することにより、状況を監視しながら露光する等の利便
を図ることができ、さらに光学系の調整作業を簡略化す
ることができる。
【０１５１】（４）他の実施の形態 なお上述の実施の形態においては、無限光学系により対
物レンズを構成する場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、発散光により露光用レーザービームＬＲを
対物レンズに入射する有限光学系により対物レンズを構
成する場合にも広く適用することができる。なおこの場
合、発散光による露光用レーザービームＬＲを対物レン
ズに入射するレンズより光源側に色収差補正光学系を配
置して、色収差の補正における他の光学系の収差による
影響を防止することができる。
【０１５２】また上述の実施の形態においては、対物レ
ンズとビームエキスパンダとを別体に構成する場合つい
て述べたが、本発明はこれに限らず、対物レンズとビー
ムエキスパンダとを一体に構成するようにしてもよい。
【０１５３】また上述の実施の形態においては、対物レ
ンズと色収差補正光学系とを別体に構成する場合ついて
述べたが、本発明はこれに限らず、対物レンズと色収差
補正光学系とを一体に構成するようにしてもよい。
【０１５４】また上述の実施の形態においては、波長４
００〔ｎｍ〕程度の露光用レーザービームによりディス
ク原盤を露光する場合ついて述べたが、本発明はこれに
限らず、波長５００〔ｎｍ〕程度の露光用レーザービー
ムによりディスク原盤を露光する場合に適用して、上述
の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１５５】また上述の実施の形態においては、ディス
ク原盤を露光する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、例えば光ディスクと同様の情報記録面を有す
るカード形状の光情報記録媒体について、スタンパーを
作成する場合等に広く適用することができる。
【０１５６】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、色収差の
補正により、また波長の変化を補正するように半導体レ
ーザーの温度を制御すること等により、半導体レーザー
によりレーザー光源を構成して高密度にディスク原盤等
を露光することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る露光装置の光学系を
示す略線図である。
【図２】図１の露光装置における移動光学テーブルを示
す断面図である。
【図３】図１の光学系における光源ユニットを示す略線
図である。
【図４】図１の光学系における温度制御の説明に供する
略線図である。
【図５】回折格子の繰り返しピッチを５００〔ｎｍ〕に
設定した場合の回折角を示す図表である。
【図６】回折格子の繰り返しピッチを１０００〔ｎｍ〕
に設定した場合の回折角を示す図表である。
【図７】フォーカス制御用の光学系を示す略線図であ
る。
【図８】光ディスクを示す斜視図である。
【図９】光ディスクの製造工程の説明に供する斜視図で
ある。
【図１０】図９の続きの工程の説明に供する斜視図であ
る。
【図１１】従来の露光装置を示す平面図である。
【図１２】図１１の露光装置の光学系を示す略線図であ
る。
【符号の説明】
１……光ディスク、２……ディスク基板、５……ガラス
原盤、７……ディスク原盤、１１、３０、４１……露光
装置、４０、４８……対物レンズ、４２……移動光学テ
ーブル、４４……露光用レーザービーム用の光学系、４
５……フォーカス制御用の光学系、５２……半導体レー
ザー、４６……波長検出部、６５……音声補正部、７８
……色収差補正光学系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/125 Ｇ１１Ｂ 7/125 Ａ 7/26 ５０１ 7/26 ５０１ (72)発明者 山本 健二 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2H042 CA10 CA17 2H049 BA02 BA03 BA05 BA06 BA07 BB03 BC21 2H097 AA03 AB07 BA01 BA02 BB01 BB02 CA17 KA20 KA38 LA17 5D119 AA21 BB09 EC03 5D121 BA10 BB21 BB38

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】露光用レーザービームの走査により所定の
    露光対象に微小な凹凸形状の潜像を作成する光情報記録
    媒体の製造方法において、 前記露光用レーザービームを半導体レーザーより出射し
    て対物レンズにより前記露光対象に照射し、 少なくとも前記露光用レーザービームに対する前記対物
    レンズの色収差を補正する色収差補正光学系を配置する
    ことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
  2. 【請求項２】前記対物レンズが、無限補正系の光学系で
    あり、 ビームエキスパンダーによりビーム径を拡大して前記露
    光用レーザービームを前記対物レンズに入射し、 前記色収差補正光学系を前記ビームエキスパンダーより
    前記半導体レーザー側に配置することを特徴とする請求
    項１に記載の光情報記録媒体の製造方法。
  3. 【請求項３】前記対物レンズが、有限補正系の光学系で
    あり、 所定のレンズにより前記露光用レーザービームを発散光
    に変換して前記対物レンズに入射し、 前記色収差補正光学系を前記レンズより前記半導体レー
    ザー側に配置することを特徴とする請求項１に記載の光
    情報記録媒体の製造方法。
  4. 【請求項４】露光用レーザービームの走査により所定の
    露光対象に微小な凹凸形状の潜像を形成する光情報記録
    媒体の製造装置において、 前記露光用レーザービームを出射する半導体レーザー
    と、 前記露光用レーザービームを集光して前記露光対象に照
    射する対物レンズと、 少なくとも前記露光用レーザービームに対する前記対物
    レンズの色収差を補正する色収差補正光学系とを備える
    ことを特徴とする光情報記録媒体の製造装置。
  5. 【請求項５】前記対物レンズは、 無限補正系の光学系であり、 ビームエキスパンダーによりビーム径が拡大されて前記
    露光用レーザービームが入射し、 前記色収差補正光学系は、 前記ビームエキスパンダーより前記半導体レーザー側に
    配置されたことを特徴とする請求項４に記載の光情報記
    録媒体の製造装置。
  6. 【請求項６】前記対物レンズは、 有限補正系の光学系であり、 所定のレンズにより前記露光用レーザービームが発散光
    に変換されて入射され、 前記色収差補正光学系は、 前記レンズより前記半導体レーザー側に配置されたこと
    を特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体の製造装
    置。
  7. 【請求項７】露光用レーザービームの走査により微小な
    凹凸形状の潜像を形成する光情報記録媒体の製造方法に
    おいて、 前記露光用レーザービームを出射する光源が半導体レー
    ザーであり、 前記露光用レーザービームの波長が５００〔ｎｍ〕未満
    の場合に、 所定の温度管理機構により前記光源の周囲の温度変化を
    ±１度以内に管理することを特徴とする光情報記録媒体
    の製造方法。
  8. 【請求項８】露光用レーザービームの走査により微小な
    凹凸形状の潜像を形成する光情報記録媒体の製造装置に
    おいて、 波長５００〔ｎｍ〕未満により前記露光用レーザービー
    ムを出射する半導体レーザーと、 前記半導体レーザーの周囲の温度変化を±１度以内に管
    理する温度管理機構とを備えることを特徴とする光情報
    記録媒体の製造装置。
  9. 【請求項９】露光用レーザービームの走査により微小な
    凹凸形状の潜像を形成する光情報記録媒体の製造方法に
    おいて、 前記露光用レーザービームを半導体レーザーより出射
    し、 前記露光用レーザービームの波長が一定波長となるよう
    に、前記半導体レーザーの温度を制御することを特徴と
    する光情報記録媒体の製造方法。
  10. 【請求項１０】露光用レーザービームの走査により微小
    な凹凸形状の潜像を形成する光情報記録媒体の製造装置
    において、 前記露光用レーザービームを出射する半導体レーザー
    と、 前記露光用レーザービームの波長を検出して波長検出結
    果を出力する波長検出手段と、 前記波長検出結果に基づいて、前記半導体レーザーの温
    度を制御する温度制御機構とを備えることを特徴とする
    光情報記録媒体の製造装置。
  11. 【請求項１１】前記波長検出手段は、 前記露光用レーザービームを回折させて回折光を出射す
    る回折格子と、 前記回折光の回折角を検出して前記波長検出結果を出力
    する受光手段とを有することを特徴とする請求項１０に
    記載の光情報記録媒体の製造装置。
  12. 【請求項１２】前記受光手段は、 所定位置に配置されて、集光手段により受光面に集光さ
    れる前記回折光の集光位置を検出する位置検出素子であ
    ることを特徴とする請求項１１に記載の光情報記録媒体
    の製造装置。
  13. 【請求項１３】露光用レーザービームの走査により所定
    の露光対象に微小な凹凸形状の潜像を形成する光情報記
    録媒体の製造方法において、 前記露光用レーザービームを半導体レーザーより出射し
    て対物レンズにより前記露光対象に照射し、 前記半導体レーザーから前記対物レンズまでの光学系を
    密閉した空間に配置することを特徴とする光情報記録媒
    体の製造方法。
  14. 【請求項１４】露光用レーザービームの走査により所定
    の露光対象に微小な凹凸形状の潜像を形成する光情報記
    録媒体の製造装置において、 前記露光用レーザービームを出射する半導体レーザー
    と、 前記露光用レーザービームを前記露光対象に照射する対
    物レンズと、 前記半導体レーザーから前記対物レンズまでの光学系を
    密閉した空間に保持する保持機構とを備えることを特徴
    とする光情報記録媒体の製造装置。
  15. 【請求項１５】露光用レーザービームの走査により所定
    の露光対象に微小な凹凸形状の潜像を形成する光情報記
    録媒体の製造方法において、 前記露光用レーザービームを半導体レーザーより出射し
    て対物レンズにより前記露光対象に照射し、 前記半導体レーザーから前記露光用レーザービームを前
    記対物レンズに出射するまでの光学系を、１つの露光用
    光学系の保持部材に保持することを特徴とする光情報記
    録媒体の製造方法。
  16. 【請求項１６】露光用レーザービームの走査により所定
    の露光対象に微小な凹凸形状の潜像を形成する光情報記
    録媒体の製造装置において、 前記露光用レーザービームを出射する半導体レーザー
    と、 前記露光用レーザービームを前記露光対象に照射する対
    物レンズと、 前記半導体レーザーから前記露光用レーザービームを前
    記対物レンズに出射するまでの光学系を一体に保持する
    露光用光学系の保持部材とを備えることを特徴とする光
    情報記録媒体の製造装置。
  17. 【請求項１７】前記露光用光学系の保持部材を着脱可能
    に保持することを特徴とする請求項１６に記載の光情報
    記録媒体の製造装置。
  18. 【請求項１８】前記対物レンズから前記露光対象までの
    距離を検出するフォーカス制御系の光学系と、 前記フォーカス制御系の光学系を一体に保持するフォー
    カス制御系の保持部材とを備え、 前記露光対象に対して変位可能に、前記対物レンズ、前
    記露光用光学系の保持部材及び前記フォーカス制御系の
    保持部材を一体に保持することを特徴とする請求項１６
    に記載の光情報記録媒体の製造装置。
  19. 【請求項１９】露光用レーザービームの走査により所定
    の露光対象に微小な凹凸形状の潜像を形成する光情報記
    録媒体の製造装置において、 前記露光用レーザービームを出射する半導体レーザー
    と、 前記露光用レーザービームの光量を一定光量に制御する
    自動光量制御手段と、 前記露光用レーザービームを前記露光対象に照射する対
    物レンズと、 前記露光用レーザービームを前記対物レンズに出射する
    光学系と、 前記半導体レーザー、前記自動光量制御手段及び前記光
    学系を一体に交換可能に保持する露光用光学系の保持部
    材とを備えることを特徴とする光情報記録媒体の製造装
    置。
  20. 【請求項２０】露光用レーザービームの走査により所定
    の露光対象に微小な凹凸形状の潜像を形成する光情報記
    録媒体の製造装置において、 前記露光用レーザービームを出射する半導体レーザー
    と、 前記露光用レーザービームを前記露光対象に照射する対
    物レンズと、 前記露光用レーザービームの照射により前記露光対象よ
    り得られる戻り光を前記露光用レーザービームより分離
    する光分離手段と、 前記光分離手段で分離された前記戻り光を撮像して撮像
    結果を出力する撮像手段と、 前記光分離手段で分離された前記戻り光を受光して光量
    検出結果を出力する光量検出手段とを備えることを特徴
    とする光情報記録媒体の製造装置。
  21. 【請求項２１】前記戻り光に基づいて、前記露光対象に
    対する前記対物レンズの距離を可変するフォーカス制御
    手段を有することを特徴とする請求項２０に記載の光情
    報記録媒体の製造装置。
  22. 【請求項２２】前記光分離手段は、 偏光ビームスプリッターと、 前記偏光ビームスプリッターに入射する前記戻り光、前
    記偏光ビームスプリッターより出射される前記露光用レ
    ーザービームの偏光面を変化させる所定波長の波長板と
    を有することを特徴とする請求項２０に記載の光情報記
    録媒体の製造装置。
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