JP2001042013A - 高電圧開閉装置の投入能力を総合的に検査する検査回路 - Google Patents

高電圧開閉装置の投入能力を総合的に検査する検査回路

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JP2001042013A
JP2001042013A JP2000196701A JP2000196701A JP2001042013A JP 2001042013 A JP2001042013 A JP 2001042013A JP 2000196701 A JP2000196701 A JP 2000196701A JP 2000196701 A JP2000196701 A JP 2000196701A JP 2001042013 A JP2001042013 A JP 2001042013A
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voltage
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tested
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Joachim Bernhard
ヨアヒム・ベルンハルト
Carsten Schrijver
カールステン・シュリーフエル
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 より簡単に作製でき、より簡単に動作させる
ことができ、しかも使用上の利用性が改善されている高
電圧開閉装置の投入能力を総合的に検査する検査回路を
提供する。 【解決手段】 大電流源および検査すべき高圧開閉装置
を有する大電流回路2と、検査すべき高電圧開閉装置に
並列の高電圧回路3と、大電流源を検査すべき高電圧開
閉装置に切り換える手段とを用いて、高電圧開閉装置の
投入能力を総合的に検査する検査回路にあって、大電流
源を切り換える手段に直列に接続されている少なくとも
二つの補助開閉器13,14があり、第一補助開閉器1
3が第二補助開閉器14の大電流源に対向する側に配置
されていて、第二補助開閉器14に並列に大電流源に向
かう電流を阻止するダイオード回路15が設けてある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、大電流源および
検査すべき高圧開閉装置を有する大電流回路と、検査す
べき高電圧開閉装置に並列の高電圧回路と、大電流源を
検査すべき高電圧開閉装置に切り換える手段とを用い
て、高電圧開閉装置の投入能力を総合的に検査する検査
回路に関する。
【0002】
【従来の技術】ドイツ特許第 3 732 163号明細書により
遮断器の投入能力を総合的に検査する検査回路は周知で
ある。検査すべき遮断器に加わる投入電圧は高電圧回路
から供給され、それに対応する投入電流は大電流回路か
ら供給される。ここでスパークギャップとして形成され
た補助開閉器により、大電流回路は検査すべき遮断器を
初期点弧した後、遮断器に切り換わるので、この遮断器
には実際に相当する投入電流が加わる。このスパークギ
ャップの急激な切換はセンサ回路と結線に比較的大きな
経費をかけてのみ達成できる。スパークギャップの誤動
作制御はこのスパークギャップの安全性により排除でき
ない。何故なら、スパークギャップとそれに伴う投入の
総合回路を正確な時間に正しく動作させるため、比較的
多数の部材を確実に動作させる必要があるからである。
この検査回路には通常の開閉装置が装備されている。こ
の検査回路を確実に動作させるため、この開閉装置をか
なり頻繁に保守する必要がある。この保守作業のため、
検査回路の動作利用性が幾分制限される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、よ
り簡単に作製でき、より簡単に動作させることができ、
しかも使用上の利用性が改善されている高電圧開閉装置
の投入能力を総合的に検査する検査回路を提供すること
にある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
により、冒頭に述べた種類の検査回路にあって、大電流
源を切り換える手段に直列に接続されている少なくとも
二つの補助開閉器があり、第一補助開閉器が第二補助開
閉器の大電流源に対向する側に配置されていて、第二補
助開閉器に並列に大電流源に向かう電流を阻止するダイ
オード回路が設けてあるか、あるいは、大電流源を切り
換える手段に少なくとも一つの補助開閉器とこれに並列
に接続されている制御される半導体素子の装置とがあ
る、ことによって解決されている。
【0005】この発明による他の有利な実施態様は従属
請求項に記載されている。
【0006】
【発明の実施の形態】この発明により得られる利点は、
検査すべき遮断器が初期点弧した直後に大電流回路がこ
の遮断器へ自動的にしかも強制的に正確な時間で切り換
わる点にある。そうすると、この遮断器は現実に相当す
る投入電流の負荷を受ける。補助開閉器の応答時間ある
いは検査すべき遮断器の応答時間を次の投入への切換試
行とは異なるようにしたいなら、これ等の変動は遮断器
の投入電圧と投入電流の時間変化に影響を与えない。
【0007】高電圧開閉装置の投入能力を総合的に検査
する検査回路には、大電流源および検査すべき高電圧開
閉装置を有する大電流回路と、検査すべき高電圧開閉装
置に並列の高電圧回路とを備え、更に大電流源を検査す
べき高電圧開閉装置へ切り換える手段を備えている。大
電流源を切り換えるこの手段には、第一実施例の場合、
直列に接続された少なくとも二つの補助開閉器があり、
第一補助開閉器が大電流源に対向する第二補助開閉器の
側に配置されている。この第二補助開閉器に並列に大電
流源の方向への電流を阻止するダイオード回路が設けて
ある。
【0008】検査回路の第二実施例では、大電流源を切
り換える手段に少なくとも一つの補助開閉器とこの補助
開閉器に並列に接続されている制御される半導体素子の
配置がある。
【0009】
【実施例】以下、可能なただ一つの実施例を示す図面に
基づきこの発明をより詳しく説明する。全ての図面で同
じ作用の部材には同じ参照符号が付けてある。この発明
を直接理解するのに必要でない全ての部材は図示してい
ないか、あるいは説明をしていない。
【0010】図1は、例えば遮断器あるいは断路器のよ
うな高電圧開閉装置の投入能力を総合的に検査する非常
に単純化した検査回路1を示す。この検査回路1は大電
流回路2と高電圧回路3で構成されている。この検査回
路1は端子4で常時接地されている。大電流回路2は、
通常中間電圧領域にあり発電機電圧6を供給する発電機
5から給電を受ける。大電流回路2には二つの端子7と
8があり、端子8は大電流回路2の接地された側に配置
されている。端子8と端子7の間には検査すべき高電圧
開閉装置、ここでは遮断器9,が配置されている。高電
圧回路3には検査電圧11を供給する高電圧源10があ
る。この検査電圧は高電圧の領域内にあり、通常、発電
機電圧6の整数倍である。高電圧源10としては特別な
交流電圧発電機あるいは周知のタイプのサージ発電機も
使用できる。高電圧回路3の接地側は端子8に接続し、
高電圧側は端子7に接続している。高電圧回路3内には
電流を制限する純抵抗12が設けてある。
【0011】大電流回路2には端子7と発電機5の間に
直列に接続された二つの補助開閉器13と14が設けて
ある。第一補助開閉器13は大電流回路2の発電機5に
対向する側に配置されている。大電流回路2の遮断器9
に対向する側にある第二補助開閉器14にはダイオード
回路15とコンデンサ16が並列に接続されている。コ
ンデンサ16は電圧を制御する働きをする。ダイオード
回路15は並列と直列に接続された多数のダイオードで
形成されている。ダイオード回路15は動作電流と阻止
電圧に関して動作の要請をそれぞれ最適に合わせてい
る。
【0012】直列に接続された両方の補助開閉器13と
14の可動接触子は機械的に互いに結合している。つま
り、両方の補助開閉器13と14が切換処置を完全に実
施するか、あるいは正しく動作していないなら、両方の
補助開閉器13と14が動作しないように結合してい
る。作用線22はこの機械的な結合を意味している。
【0013】しかし、検査回路1の動作信頼性を大きく
するため、直列に接続されている両方の補助開閉器13
と14を電気的に互いに結合することもできる。作用線
22はこの電気的な結合を同じように意味している。
【0014】補助開閉器13と14および検査すべき遮
断器9の開閉動作の時間シーケンスは、これ等の開閉器
の異なった応答時間を考慮して、制御ユニット17によ
り調整されている。作用線18は制御ユニット17と補
助開閉器13の相互作用を意味し、作用線19は制御ユ
ニット17と補助開閉器14の相互作用を意味する。そ
して、他の作用線20は制御ユニット17と遮断器9の
相互作用を意味する。このような検査回路中に必ず存在
している安全スイッチ、投入装置、過電圧保護装置およ
び測定装置をここでは図示しない。
【0015】作用方式を説明するため、図面を幾分詳し
く考察する。図1は投入検査を開始する直前の極端に単
純化した検査回路1を示す。発電機5から出力された発
電機電圧6は、高電圧源10から出力される検査電圧1
1と同相である。この場合、両方の電圧は同極性であ
る。高電圧電源10として直流電源を用いるなら、この
直流電圧は遮断器9の初期点弧が予測できる時間範囲内
で発電機電圧6と同じ極性である。補助開閉器13と1
4は開いている。同様に検査すべき遮断器9も開いてい
る。しかし、印加電圧は初期点弧を未だ与えていない。
【0016】図2は第一補助開閉器13が閉じた後の検
査回路1を示す。ダイオード回路15は発電機電圧6の
負の半波を阻止し、ダイオード回路15は発電機電圧6
の正の半波を通過させるが、検査電圧11は発電機電圧
6と比べて非常に大きいので、ダイオード回路15はこ
の半波も阻止する。遮断器9はそれに印加される検査電
圧11を保持し、初期点弧は遮断器9内で行われない。
しかし、制御ユニット17は遮断器9に投入指令を与
え、動作切換方向に遮断器9の接触子を移動させ始め
る。
【0017】図3は検査すべき遮断器9が初期点弧した
後の検査回路1を示す。最初ただ一つのアークが遮断器
9の接触子の間の間隔に波及するけれども、遮断器9は
閉じた状態で示してある。初期点弧と共に検査電圧11
が零に低下し、その場合に流れる電流は純抵抗12によ
り制限される。検査電圧11が低下した後には発電機5
から出力された発電機電圧6の正の半波が大きいので、
ダイオード回路15はもはや不通にならない。発電機電
圧6は矢印で示す検査電流21aがダイオード回路15
と遮断器9を通過するようにさせる。この検査電流21
aは大電流回路中に配置されている図示していないイン
ピーダンスと接続導線を有するダイオード回路15のイ
ンピーダンスとにより制限される。この検査電流21a
の変化は、実際の高電圧回路の中を流れる投入電流の初
期変化に正確に一致する。
【0018】発電機電圧6の説明した正の半波の間には
制御ユニット17により制御される第二補助開閉器14
が動作し、ダイオード回路15を短絡させるので、検査
電流21aは第二補助開閉器14を直接通過する電流通
路に切り換わる。その時この補助開閉器14を流れる検
査電流に参照符号21bを付ける。図4は検査回路1の
この動作状態を示す。検査電流21bは発電機5で形成
された交流電流として遮断器9に、少なくともその接触
子が投入位置に達するまで印加する。一定の投入位置に
達すると、説明した投入検査が終わる。
【0019】この検査回路1では、遮断器9と第二補助
開閉器14がそれぞれ等しい検査電圧11の前記正の半
波の間にのみ遮断器9を初期点弧させ、第二補助開閉器
14の投入を可能にするなら、遮断器9と第二補助開閉
器14の応答時間が幾分変わることが特に有利であると
分かる。補助開閉器13,14として使用される現在で
は普通の開閉装置を用いるとこの時間的な許容公差を簡
単に達成できるので、応答時間を幾分可変することは、
接触子の交換を行わなければならない前に、例えば接触
子の発火のため、あるいはこの開閉装置の接触領域の摺
動面の粗さが増加するため、未だ受け入れできる。この
大きな状態安定性は検査回路1の運転利用性をより有利
にさせる。
【0020】図5は幾分単純化した試験回路1の第二実
施例を示す。この検査回路1では、既に上で説明した検
査回路1のダイオード回路15の代わりに、制御される
半導体素子23で形成された装置が補助開閉器14に平
行に配置されている。この装置はダイオード回路の代わ
りとなっている。これ等の制御される半導体素子23は
駆動されない限り、電流を双方向で阻止するので、上で
説明した検査回路1に使用されている補助開閉器の一つ
(この場合、補助開閉器13)を節約できる。作用線2
4は制御される半導体素子23を正確な時間で制御する
制御パルスを制御ユニット17で発生させることを意味
する。制御される半導体素子23としてはサイリスタあ
るいはIGCTあるいはIGBTを使用できる。
【0021】図5の検査回路1のこの単純化された実施
例の動作は図1の検査回路1の動作と同じである。発電
機5から出力される発電機電圧6は、ここでも高電圧源
10から出力される検査電圧11と同相である。この場
合、前記両方の電圧は必ず同じ極性を持っている。両方
の電圧の正の半波の始まりの直後に制御された半導体素
子23は、作用線24で示してあるような制御信号で制
御され、サイリスタではこれは例えばゲート制御パルス
の早い列である。しかし、検査電圧11はこの半波の領
域で発電機電圧6より相当大きい。この差電圧のため、
制御される半導体素子23は駆動されていても更に阻止
されている。検査すべき遮断器9が初期点弧した後、検
査回路11は零に向かう。その場合に流れる電流は純抵
抗12により制限される。検査電圧11が低下した後、
発電機5から出力され、制御される半導体素子23に印
加される発電機電圧6の正の半波が支配的となる。その
結果、制御される半導体素子23はもはや阻止されな
い。今度は発電機電圧6は制御される半導体素子23と
遮断器9により検査電流を駆動する。この検査電流は図
示していない大電流回路内に配置されているインピーダ
ンスと接続導線を有する制御される半導体素子23のイ
ンピーダンスとで制限される。この検査電流の波形は実
際の高電圧回路網で流れる投入電流の初期波形に正確に
一致する。説明した発電機電圧6の正の半波の間に制御
ユニット17により制御される補助開閉器14が動作
し、制御される半導体素子23を短絡する。その結果、
検査電流は補助開閉器14を直接流れる電流通路へ切り
換わる。この検査電流は発電機5により発生した交流電
流として遮断器9に、少なくともその接触子が投入位置
に達するまで印加される。一定の投入位置に達すると共
に、説明した投入検査が終わる。
【0022】この検査回路1は比較的簡単に形成され、
保守の必要性が少ない。何故なら、補助開閉器の必要な
保守が少ないからである。
【0023】投入の試みでは、最初に初期点弧した後の
検査すべき遮断器9の投入アークが一回またはそれ以上
再び消弧し、新たに点弧することが生じる。アークのこ
の不安定な挙動はダイオード回路15の既に導通してい
るダイオードが突然再び遮断電圧となる必要がある結果
になる。大電流能力に設計されたこれ等のダイオードで
は、そのような急激な遷移は望ましくない。ここでは、
高電圧回路3内に遮断器9に並列に振動回路を設け、こ
の振動回路が投入のアークの最初の点弧で励起され、投
入電流が点弧と発電機電圧6の次のゼロクロス点の間の
領域にゼロクロス点を有しないていないので、この領域
でアークの望ましくない消弧が生じないようにこの振動
回路を設計することにより救済策が提供されている。投
入能力の総合検査はこのように、特に現実に近い状態で
行える。
【0024】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明による
高電圧開閉装置の投入能力を総合的に検査する検査回路
は、より簡単に作製でき、より簡単に動作させることが
でき、しかも使用上の利用性が改善されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】 投入試行の直前の極度に単純化された検査回
路の第一実施例、
【図2】 第一補助開閉器を閉ざした後の図1の検査回
路、
【図3】 検査すべき遮断器の初期点火後の図1の検査
回路、
【図4】 第二補助開閉器を閉ざした後の図1の検査回
路、
【図5】 投入試行の直前の極度に単純化された検査回
路の第二実施例を示す。
【符号の説明】
1 検査回路 2 大電流回路 3 高電圧回路 4 端子 5 発電機 6 発電機電圧 7,8 端子 9 遮断器 10 高電圧源 11 検査電圧 12 抵抗 13,14 補助開閉器 15 ダイオード回路 16 コンデンサ 17 制御ユニット 18,19,20 作用線 21a,21b 検査電流 22 作用線 23 制御される半導体素子 24 作用線

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 大電流源および検査すべき高圧開閉装置
    を有する大電流回路(2)と、検査すべき高電圧開閉装
    置に並列の高電圧回路(3)と、大電流源を検査すべき
    高電圧開閉装置に切り換える手段とを用いて、高電圧開
    閉装置の投入能力を総合的に検査する検査回路におい
    て、 大電流源を切り換える手段に直列に接続されている少な
    くとも二つの補助開閉器(13,14)があり、第一補
    助開閉器(13)が第二補助開閉器(14)の大電流源
    に対向する側に配置されていて、 第二補助開閉器(14)に並列に大電流源に向かう電流
    を阻止するダイオード回路(15)が設けてある、こと
    を特徴とする検査回路。
  2. 【請求項2】 最初に第一補助開閉器(13)が導通
    し、その後に検査すべき高電圧開閉装置が初期点弧し、
    次に第二補助開閉器(14)が導通するように、制御ユ
    ニット(17)が開閉装置の投入動作の時間シーケンス
    を制御することを特徴とする請求項1に記載の検査回
    路。
  3. 【請求項3】 ダイオード回路(15)には、並列にコ
    ンデンサ(16)が接続されていることを特徴とする請
    求項1または2に記載の検査回路。
  4. 【請求項4】 第一補助開閉器(13)と第二補助開閉
    器(14)は機械的あるいは電気的に互いに結合してい
    ることを特徴とする請求項1に記載の検査回路。
  5. 【請求項5】 大電流源および検査すべき高圧開閉装置
    を有する大電流回路(2)と、検査すべき高電圧開閉装
    置に並列の高電圧回路(3)と、大電流源を検査すべき
    高電圧開閉装置に切り換える手段とを用いて、高電圧開
    閉装置の投入能力を総合的に検査する検査回路におい
    て、 大電流源を切り換える手段に少なくとも一つの補助開閉
    器(14)とこれに並列に接続されている制御される半
    導体素子(23)の装置とがある、ことを特徴とする検
    査回路。
  6. 【請求項6】 制御される半導体素子(23)として
    は、サイリスタあるいはIGCTあるいはIGBTを使
    用することを特徴とする請求項5に記載の検査回路。
  7. 【請求項7】 制御される半導体素子(23)の装置に
    は、並列にコンデンサ(16)が接続されていることを
    特徴とする請求項5または6に記載の検査回路。
  8. 【請求項8】 高電圧回路(3)には、検査すべき高電
    圧開閉装置に並列に振動回路が設けてあることを特徴と
    する請求項1〜7の何れか1項に記載の検査回路。
JP2000196701A 1999-07-05 2000-06-29 高電圧開閉装置の投入能力を総合的に検査する検査回路 Withdrawn JP2001042013A (ja)

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