JP2001038602A - ポリッシング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハの研磨に用いる研磨クロスの研
磨性能を良好に保ち半導体ウエハの歩留まり及び生産性
を高めることができるドレッシングユニットを備えたポ
リッシング装置及び該ポリッシング装置における研磨ク
ロスのドレッシング方法を提供する。 【解決手段】 研磨面を有するターンテーブル１とトッ
プリングと３を有し、ターンテーブル１とトップリング
３との間に半導体ウエハ２を介在させて、所定の圧力で
押圧することによって半導体ウエハ２を研磨するポリッ
シング装置において、研磨クロス５の表面に接触して研
磨面のドレッシングを行う少なくとも２個のドレッシン
グユニット８，１４を備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ表
面、特に半導体ウエハ上面に形成されたデバイスパター
ンを研磨クロス面に接触させて研磨して平坦化するポリ
ッシング装置に係り、特にポリッシング装置におけるタ
ーンテーブル上面に貼られた研磨クロス表面のドレッシ
ングを行うドレッシングユニットを備えたポリッシング
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦
度を必要とする。この平坦化の１手段として所定成分の
研磨液を供給しながら機械的研磨を行う化学的機械的研
磨処理（ＣＭＰ）などが行われている。

【０００３】半導体ウエハ表面、特に半導体ウエハの上
面に形成されたデバイスパターンを研磨し平坦化するポ
リッシング装置においては、ターンテーブル上面に貼ら
れた研磨クロスには、従来、不織布からなる研磨クロス
を用いていた。しかし、近年、ＩＣやＬＳＩの集積度が
高くなるに従って、研磨後のデバイスパターン研磨面の
段差をより小さくすることが要望されている。デバイス
パターン研磨面における段差の小さな研磨の要望に応え
るため、研磨クロスには硬い材質のもの、例えば発泡ポ
リウレタンからなる研磨クロスを用いるようになってき
た。

【０００４】研磨クロスに半導体ウエハを接触させて、
ターンテーブルを回転することによりポリッシングを行
うと、研磨クロスには、砥粒や研磨くずが付着し、研磨
クロスの特性が変化して研磨性能が劣化してくる。この
ため、同一の研磨クロスを用いて半導体ウエハの研磨を
繰り返すと、研磨速度の低下、又は研磨ムラが生じる等
の問題がある。そこで、半導体ウエハの研磨前後、又は
最中に研磨クロスの表面状態を回復するドレッシングと
称するコンディショニングが行われている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のポリッシング装
置における研磨クロスのドレッシングに関して、ポリッ
シング装置は、ダイヤモンド粒子を有する接触型のダイ
ヤモンドドレッサー、ブラシを有する接触型のブラシド
レッサー及び研磨クロスの表面に流体ジェットを吹き付
けてドレッシングを行う非接触型のドレッサーからなる
群から選択された一つのドレッサーを研磨クロスの性状
に応じて備えていた。

【０００６】しかし、研磨クロスのドレッシングにおい
て、研磨に使用する前の初期表面調整には、研磨クロス
表面を薄く削り取るためのドレッサーを用い、ポリッシ
ング途中では研磨クロスに詰まったスラリー（砥液）の
凝集物、又は研磨くずを除去するためのドレッサーを用
いるというように、別々のドレッサーを用いる必要が出
てきた。研磨クロスに詰まったスラリー（砥液）の凝集
物、又は研磨くずを除去しないと、研磨クロスに砥粒や
研磨くずが付着し研磨機能が低下したり、半導体ウエハ
の研磨面にスクラッチが入り、歩留まりを悪化させる可
能性が高い。このため、従来のポリッシング装置におい
ては、異なるドレッシング部材を備えた２つ以上のドレ
ッサーを必要に応じて取り替えなければならず、その作
業が煩雑であり、ひいては半導体ウエハのスループット
を低下させるという問題点があった。

【０００７】また、従来のポリッシング装置において、
配置上の制約からトップリングユニットとドレッシング
ユニットが近接している場合や、１つのテーブル上で複
数のトップリングユニットとドレッシングユニットが干
渉する配置となる場合に、トップリングが研磨を行わず
に待避位置に待避しているときにしかドレッシングがで
きず、結果的にドレッシング中は研磨ができず、単位時
間当たりに研磨できる半導体ウエハの枚数が少ないとい
う問題点があった。

【０００８】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、半導体ウエハの研磨に用いる研磨クロスの研磨性能
を良好に保ち半導体ウエハの歩留まり及び生産性を高め
ることができるドレッシングユニットを備えたポリッシ
ング装置及び該ポリッシング装置における研磨クロスの
ドレッシング方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明は、研磨面を有するターンテーブルとトッ
プリングとを有し、前記ターンテーブルとトップリング
との間にポリッシング対象物を介在させて、所定の圧力
で押圧することによってポリッシング対象物を研磨する
ポリッシング装置において、研磨クロスの表面に接触し
て前記研磨面のドレッシングを行う少なくとも２個のド
レッシングユニットを備えたことを特徴とするものであ
る。

【００１０】また、本発明は、ポリッシング装置におけ
る研磨クロスのドレッシングを行うドレッシング方法に
おいて、研磨クロスを研磨に使用する前の初期表面調整
には、ダイヤモンドドレッサー又はＳｉＣドレッサーを
有する第１ドレッシングユニットを用い、ポリッシング
対象物をポリッシングするポリッシング工程間に行うド
レッシングには、ブラシドレッサーを有する第２ドレッ
シングユニットを用いることを特徴とするものである。

【００１１】さらに、本発明は、ポリッシング装置にお
ける研磨クロスのドレッシングを行うドレッシング方法
において、研磨クロスを研磨に使用する前の初期表面調
整には、ダイヤモンドドレッサー又はＳｉＣドレッサー
を有する第１ドレッシングユニットを用い、ポリッシン
グ対象物をポリッシングするポリッシング工程間に行う
ドレッシングには、初めに前記第１ドレッシングユニッ
トを用い、その後、ブラシドレッサーを有する第２ドレ
ッシングユニットを用いることを特徴とするものであ
る。

【００１２】本発明によれば、ダイヤモンド粒子を有す
る接触型のダイヤモンドドレッサー、ブラシを有する接
触型のブラシドレッサーの取り替え作業を必要とせず、
適宜組み合わせて研磨クロスのドレッシングを行うこと
が可能になる。

【００１３】また、本発明は、研磨対象物より径の大き
なドレッサーを備えたドレッシングユニットを少なくと
も１個と、研磨対象物より径の小さなドレッサーを備え
たドレッシングユニットを少なくとも１個備えているこ
とを特徴とする。

【００１４】更に、前記研磨対象物より径の小さなドレ
ッサーを備えたドレッシングユニットにおいて、ドレッ
シング中に揺動することを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
および図２に基づいて説明する。図１および図２は本発
明のポリッシング装置の全体構成を示す図であり、図１
は平面図、図２は図１のII−II線矢視図である。図１お
よび図２に示すように、ポリッシング装置は、ターンテ
ーブル１と、半導体ウエハ２を保持しつつターンテーブ
ル１に押しつけるトップリング３を有したトップリング
ユニット４とを備えている。前記ターンテーブル１はモ
ータ１５に連結されており、矢印で示すようにその軸心
回りに回転可能になっている。またターンテーブル１の
上面には研磨クロス５が貼られている。

【００１６】トップリングユニット４は揺動可能になっ
ており、トップリング３を半導体ウエハ２を受け渡すた
めのプッシャー１６の上方の受け渡し位置と、ターンテ
ーブル１上の研磨位置と、待機又は待避位置とに配置す
るようになっている。トップリング３は、モータ及び昇
降シリンダに連結されている（図示せず）。これによっ
て、トップリング３は矢印で示すように昇降可能かつそ
の軸心回りに回転可能になっており、半導体ウエハ２を
研磨クロス５に任意の圧力で押圧することができる。ま
た、半導体ウエハ２は、トップリング３の下端面で真空
等によって吸着されるようになっている。なお、トップ
リング３の下部外周部には、半導体ウエハ２の外れ止め
を行うガイドリング６が設けられている。また、ターン
テーブル１の上方には砥液供給ノズル（図示せず）が設
置されており、砥液供給ノズルによってターンテーブル
１上の研磨クロス５に研磨砥液が供給されるようになっ
ている。

【００１７】ポリッシング装置は、ダイヤモンドドレッ
サー７を備えた第１ドレッシングユニット８と、ブラシ
ドレッサー１１を備えた第２ドレッシングユニット１４
とを備えている。第１ドレッシングユニット８および第
２ドレッシングユニット１４は、ともに揺動可能になっ
ており、ドレッサー７，１１をターンテーブル１上のド
レッシング位置と、待機又は待避位置に配置するように
なっている。ドレッサー７は回転用のモータ１７と昇降
用のシリンダ１８とに連結されており、矢印で示すよう
に昇降可能かつその軸心回りに回転可能になっている。
ドレッサー１１もドレッサー７と同様の機構により昇降
可能かつその軸心回りに回転可能になっている。

【００１８】図３は第１ドレッシングユニットにおける
ダイヤモンドドレッサーの詳細構造を示す図であり、図
３（Ａ）は底面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のａ−ａ線
断面図、図３（Ｃ）は図３（Ｂ）のｂ部分の拡大図であ
る。図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）に示すように、ダイヤモ
ンドドレッサー７は円板状で、下面の周縁部に所定の幅
で微粒のダイヤモンドを電着させる帯状の凸部９ａが形
成されてなるドレッサー本体９を備え、凸部９ａの表面
に微粒のダイヤモンドを電着させて形成したダイヤモン
ド電着リング１０を設けている。ターンテーブル１およ
びドレッサー７を回転させ、さらに純水等のドレッシン
グ液、場合によっては研磨砥液を図示しないノズルから
研磨クロス５の回転中心付近に向けて供給した状態で、
ダイヤモンド電着リング面を研磨クロス面に接触させ、
研磨クロス表面を薄く削り取りドレッシングを行う。ダ
イヤモンド電着リング１０は凸部９ａの表面に微粒のダ
イヤモンドを付着させ、ダイヤモンド付着部にニッケル
メッキを施すことにより、ニッケルメッキ層により微粒
のダイヤモンドを固着した構造である。

【００１９】本ドレッサーの寸法構成は、一例としてド
レッサー本体の直径が２５０ｍｍで、その下面の周縁部
に幅８ｍｍのダイヤモンドが電着された扇形の部材を複
数個（図では８個）配設し、リング状に形成したもので
ある。ドレッサー本体の直径は、研磨対象物である半導
体ウエハの直径（２００ｍｍ）に対して大きくなってお
り、半導体ウエハの研磨時は、研磨クロスのドレッシン
グされた面が半導体ウエハの研磨中に用いられる研磨面
の領域よりも大きくなるように、テーブル半径方向の内
周側及び外周側に余裕を持つようになっている。なお、
ダイヤモンド電着リングを備えたダイヤモンドドレッサ
ーに代えて複数のＳｉＣセクターからなるリングを使用
したＳｉＣドレッサーとしてもよい。この場合、ＳｉＣ
ドレッサーは、図３に示す構造と同様のものであり、表
面に数十μｍの角錐状の多数の突起を有するものであ
る。

【００２０】図４は第２ドレッシングユニットにおける
ブラシドレッサーの詳細構造を示す図であり、図４
（Ａ）は底面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のｂ−ｂ線断
面図である。ブラシドレッサー１１は円板状で、下面全
面にブラシ１２を備えるドレッサー本体１３を備えてい
る。ターンテーブル１及びドレッサー１１を回転させ、
さらに純水等のドレッシング液、場合によっては研磨砥
液を図示しないノズルから研磨クロス５の回転中心付近
に向けて供給した状態で、ブラシ面を研磨クロス面に接
触させ、研磨クロス上のスラリー（砥液）の凝集物、及
び研磨くずを取り除くドレッシングを行う。

【００２１】本ドレッサーの寸法構成は、一例としてド
レッサー本体の直径が２３８ｍｍで、その下面全面に毛
足各７ｍｍのナイロンブラシを備えたものである。ドレ
ッサー本体の直径は、研磨対象物である半導体ウエハの
直径（２００ｍｍ）に対して大きくなっており、半導体
ウエハの研磨時は、研磨クロスのドレッシングされた面
が半導体ウエハの研磨中に用いられる研磨面の領域に対
してテーブル半径方向の内周側及び外周側に余裕を持つ
ようになっている。

【００２２】図５（Ａ）および図５（Ｂ）は図１に示す
構成のポリッシング装置を使用して半導体ウエハを処理
する一連のポリッシング工程とドレッシング工程につい
ての時系列上の動作関係を示す図である。図５（Ａ）に
示す例においては、研磨クロスの研磨に使用する前の初
期表面調整には、ダイヤモンドドレッサー７を有した第
１ドレッシングユニット８（図１参照）を用いて研磨ク
ロス表面を薄く削り取ることによる目粗しを行い、その
後、半導体ウエハ２のポリッシングをトップリング３を
用いて行う（図２参照）。そして、ポリッシング工程間
にはブラシドレッサー１１を有した第２ドレッシングユ
ニット１４（図１参照）を用いてドレッシングを行う。

【００２３】図５（Ｂ）に示す例においては、研磨クロ
スの研磨に使用する前の初期表面調整には、第１ドレッ
シングユニット８を用いて研磨クロス表面を薄く削り取
ることによる目粗しを行い、その後、半導体ウエハ２の
ポリッシングをトップリング３を用いて行う。そして、
ポリッシング工程間には２段階のドレッシングを行う。
即ち、初めに第１ドレッシングユニット８を用いてドレ
ッシングを行い、次に第２ドレッシングユニット１４を
用いてドレッシングを行う。

【００２４】図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すよう
に、本発明のポリッシング装置によれば、研磨クロスの
研磨に使用する前の初期表面調整には、第１ドレッシン
グユニット８を用いて研磨クロス表面を薄く削り取るこ
とによる目粗しを行い、その後、半導体ウエハ２のポリ
ッシングをトップリング３を用いて行う（図２参照）。
そして、ポリッシング工程間には第１ドレッシングユニ
ット８を用いたドレッシングと第２ドレッシングユニッ
ト１４を用いたドレッシングを適宜組み合わせることも
できる。

【００２５】実施例の説明において、第１、第２ドレッ
シングユニットに用いるドレッサーとして、ダイヤモン
ド粒子を有する接触型のダイヤモンドドレッサー、ブラ
シを有する接触型のブラシドレッサーを示したが、さら
に研磨クロスの表面に流体ジェットを吹き付けてドレッ
シングを行う非接触型のドレッサーをも含む群から選択
されたドレッサーを各々使用することも可能である。さ
らに、３個のドレッシングユニット又はドレッサーを備
えることも可能である。また、本実施例における第１、
第２のドレッシングユニット各々に用いるドレッシング
液として純水を適用したが、機械的ドレッシング作用の
他に化学的なドレッシング効果を得るために、酸、アル
カリ又は界面活性剤等の薬液を使用してもよい。さら
に、ターンテーブル１の研磨面は研磨クロス又は砥石で
もよい。

【００２６】図６および図７は、本発明の第２の実施の
形態を示す図であり、図６は平面図、図７は図６のVII
−VII線矢視図である。図６および図７において、符号
１０１はターンテーブル、符号１０３はトップリング１
０２を有するトップリングユニット、符号１０５は研磨
対象物の半導体ウエハ１１１より径の大きなドレッサー
１０４を備えた第１ドレッシングユニット、符号１０７
は研磨対象物の半導体ウエハ１１１より径の小さなドレ
ッサー１０６を備えた第２ドレッシングユニットであ
る。ドレッサー１０６はガイドレール１０８に沿って往
復移動可能になっている。ターンテーブル１０１に隣接
してトップリング１０２へ半導体ウエハを受け渡すため
のプッシャー１０９が設置されている。ここでドレッサ
ー１０４は、トップリング１０２を用いた半導体ウエハ
１１１のポリッシング中におけるドレッシングを行えな
いが、ドレッサー１０６は、トップリング１０２を用い
た半導体ウエハ１１１のポリッシング中におけるドレッ
シングを行うようになっている。すなわち、ドレッサー
１０６の稼働範囲はトップリング１０２の稼働範囲と干
渉しないようになっている。また、ターンテーブル１０
１の研磨面は研磨クロス又は砥石でもよい。

【００２７】図６および図７において、第１ドレッシン
グユニット１０５は回動可能になっており、ドレッサー
１０４をターンテーブル１０１上のドレッシング位置と
待機位置とに配置するようになっている。ドレッサー１
０４は回転用モータ１１５と昇降用シリンダ１１６とに
連結されており、矢印で示すように昇降可能かつその軸
心回りに回転可能になっている。トップリング１０２は
回転用モータ及び昇降用シリンダに連結されており（図
示せず）、矢印で示すように昇降可能かつその軸心回り
に回転可能になっている。これによって半導体ウエハ１
１１を任意の圧力で押圧するようになっている。また、
研磨対象物である半導体ウエハ１１１はトップリング１
０２の下端面に真空等によって吸着されるようになって
いる。なお、トップリング１０２の下部外周部には、半
導体ウエハ１１１の外れ止めを行うガイドリング１１２
が設けられている。また、ターンテーブル１０１の上方
には砥液供給ノズル（図示せず）が設置されており、砥
液供給ノズルによってターンテーブル１０１上の研磨ク
ロス１１０に研磨砥液が供給されるようになっている。
図７において、符号１１３，１１４は、それぞれダイヤ
モンド電着リングであり、すなわち、ドレッサー１０
４，１０６はいずれもダイヤモンドドレッサーで構成さ
れている。しかし、ドレッサー１０４，１０６にブラシ
ドレッサーを用いてもよい。

【００２８】第２ドレッシングユニット１０７はガイド
レール１０８に沿って往復動することによってターンテ
ーブル１０１上で揺動可能になっており、研磨クロス表
面の半導体ウエハ研磨面を揺動してドレッシングするよ
うになっている。ドレッサー１０６は回転用モータ１１
７及び昇降用シリンダ１１８に連結されており、矢印で
示すように昇降可能かつその軸心回りに回転可能になっ
ている。

【００２９】図８は、図６に示す構成のポリッシング装
置を使用して半導体ウエハを処理する一連のポリッシン
グ工程とドレッシング工程についての時系列上の動作関
係を示す図である。研磨クロス１１０の研磨に使用する
前の初期表面調整は、ダイヤモンド粒子を有しかつ研磨
対象物より径の大きなダイヤモンドドレッサー１０４を
備えた第１ドレッシングユニット１０５を用いて行う。
研磨クロス初期表面調整終了後、トップリング１０２は
プッシャー（ウエハ受け渡し装置）１０９で半導体ウエ
ハを受け取り、ターンテーブル１０１上の研磨位置に移
動する。半導体ウエハ１１１のポリッシング中にドレッ
シングを行う場合、ターンテーブル１０１が小さいた
め、ダイヤモンド粒子を有しかつ研磨対象物より径の小
さなダイヤモンドドレッサー１０６を備えた第２ドレッ
シングユニット１０７を揺動させながらドレッシングを
行う。ポリッシング終了後、トップリング１０２はプッ
シャー（ウエハ受け渡し装置）１０９の上方へ揺動後、
ダイヤモンド粒子を有しかつ研磨対象物より径の大きな
ダイヤモンドドレッサー１０４を備えた第１ドレッシン
グユニット１０５を用いて研磨クロス１１０のドレッシ
ングを行う。なお、半導体ウエハ１１１のポリッシング
中における第２ドレッシングユニット１０７のドレッシ
ング時間は任意に選択できる。

【００３０】図９は、大小のドレッサーが設けられた図
６乃至図７に示す実施例の変形例を示す正面図である。
図９においては、小径のダイヤモンドドレッサーのみが
示されている。図９に示すように、ターンテーブル１０
１の中心を通り、直径方向にのびる小径のドレッサー１
０６の先端に接触センサ１２０が取り付けられている。
小径のドレッサー１０６をターンテーブル１０１の直径
に沿って往復動させることにより、接触センサ１２０に
より、研磨面（研磨クロス１１０の上面）の半径方向の
凹凸である研磨クロスのプロファイル（表面のうねり）
が測定できる。測定されたターンテーブルの半径方向に
おける研磨クロスの凹凸を修正するように、小径のダイ
ヤモンドドレッサー１０６で局部的にドレッシングを行
うことができる。小径のダイヤモンドドレッサー１０６
で研磨面の平坦化を行った後、図７に示すダイヤモンド
電着リング１１３をブラシに代えた大径のブラシドレッ
サー１０４で、研磨面表面の研磨くず及び残留した砥粒
を除去する。もしくは、大径のドレッサー１０４を図７
と同様に研磨面の平坦化のためにダイヤモンドドレッサ
ーで構成し、小径のドレッサー１０６を研磨くず及び残
留した砥粒除去用のブラシドレッサーとしてもよい。ま
た、ターンテーブル１０１の研磨面は研磨クロス又は砥
石でもよい。

【００３１】図９においては、第２ドレッシングユニッ
ト１０７を往復動させる機構が示されている。即ち、第
２ドレッシングユニット１０７は、ボールネジ１２１を
ドレッサースライダ用モータ１２２により正逆回転する
ことにより往復動するように構成されている。符号１２
３は、第２ドレッシングユニット１０７の往復動を制御
するとともにドレッサー１０６の押圧力を制御する制御
部である。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次に列挙する優れた効果が得られる。 １）研磨クロス表面のドレッシングに用いるドレッサー
として、ダイヤモンド粒子を有する接触型のドレッサー
及びブラシを有する接触型のドレッサーを備え、即ち、
ドレッシングユニットを少なくとも２個備えるため、こ
れらの取り替え作業を必要とせず、選択された少なくと
も２個のドレッサーを適宜組み合わせて最適な研磨クロ
スのドレッシングを行うことが可能である。 ２）研磨対象物より径の小さなドレッサーを少なくとも
１個と、研磨対象物より径の大きなドレッサーを少なく
とも１個備えることによって、小さなドレッサーを用い
て研磨中にドレッシングを行うことができ、単位時間当
たりに研磨できる半導体ウエハの枚数が増える。したが
って、半導体デバイスの製造に本発明を適用した場合に
は、製造の歩留まりが良く、かつ生産性が向上する。さ
らに１個の小さなドレッサーを備えることにより、大き
なドレッサーの個数が減少し、装置の省スペース化を図
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るポリッシング装置の全体構成を示
す平面図である。

【図２】図１のII−II線矢視図である。

【図３】第１ドレッシングユニットにおけるドレッサー
の詳細構造を示す図であり、図３（Ａ）は底面図、図３
（Ｂ）は図３（Ａ）のａ−ａ線断面図、図３（Ｃ）は図
３（Ｂ）のｂ部分の拡大図である。

【図４】第２ドレッシングユニットにおけるドレッサー
の詳細構造を示す図であり、図４（Ａ）は底面図、図４
（Ｂ）は図４（Ａ）のｂ−ｂ線断面図である。

【図５】図１における本発明のポリッシング工程とドレ
ッシング工程の一連の工程を示すタイミングチャートで
ある。

【図６】本発明の第２の実施の形態に係るポリッシング
装置の全体構成を示す平面図である。

【図７】図６のVII−VII線矢視図である。

【図８】図６における本発明のポリッシング工程とドレ
ッシング工程の一連の工程を示すタイミングチャートで
ある。

【図９】大小のドレッサーが設けられた図６乃至図７に
示す実施例の変形例を示す正面図である。

【符号の説明】

１，１０１ ターンテーブル ２，１１１ 半導体ウエハ ３，１０２ トップリング ４，１０３ トップリングユニット ５，１１０ 研磨クロス ６，１１２ ガイドリング ７，１１，１０４，１０６ ドレッサー ８，１０５ 第１ドレッシングユニット ９，１３ ドレッサー本体 １０，１１３，１１４ ダイヤモンド電着リング １２ ブラシ １４，１０７ 第２ドレッシングユニット １５ ターンテーブル駆動用モータ １６，１０９ プッシャー（ウエハ受け渡し装置） １７，１１５，１１７ 回転用モータ １８，１１６，１１８ 昇降用シリンダ １０８ ガイドレール １２０ 接触センサ １２１ ボールネジ １２２ ドレッサースライド用モータ １２３ 制御部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 研磨面を有するターンテーブルとトップ
   リングとを有し、前記ターンテーブルとトップリングと
   の間にポリッシング対象物を介在させて、所定の圧力で
   押圧することによってポリッシング対象物を研磨するポ
   リッシング装置において、研磨クロスの表面に接触して
   前記研磨面のドレッシングを行う少なくとも２個のドレ
   ッシングユニットを備えたことを特徴とするポリッシン
   グ装置。
2. 【請求項２】 前記少なくとも２個のドレッシングユニ
   ットのドレッサーは、それぞれ異なるドレッシング部材
   を備えることを特徴とする請求項１に記載のポリッシン
   グ装置。
3. 【請求項３】 研磨対象物より径の大きなドレッサーを
   備えたドレッシングユニットを少なくとも１個と、研磨
   対象物より径の小さなドレッサーを備えたドレッシング
   ユニットを少なくとも１個備えていることを特徴とする
   請求項１又は２に記載のポリッシング装置。
4. 【請求項４】 ポリッシング装置における研磨クロスの
   ドレッシングを行うドレッシング方法において、研磨ク
   ロスを研磨に使用する前の初期表面調整には、ダイヤモ
   ンドドレッサー又はＳｉＣドレッサーを有する第１ドレ
   ッシングユニットを用い、ポリッシング対象物をポリッ
   シングするポリッシング工程間に行うドレッシングに
   は、ブラシドレッサーを有する第２ドレッシングユニッ
   トを用いることを特徴とするドレッシング方法。
5. 【請求項５】 ポリッシング装置における研磨クロスの
   ドレッシングを行うドレッシング方法において、研磨ク
   ロスを研磨に使用する前の初期表面調整には、ダイヤモ
   ンドドレッサー又はＳｉＣドレッサーを有する第１ドレ
   ッシングユニットを用い、ポリッシング対象物をポリッ
   シングするポリッシング工程間に行うドレッシングに
   は、初めに前記第１ドレッシングユニットを用い、その
   後、ブラシドレッサーを有する第２ドレッシングユニッ
   トを用いることを特徴とするドレッシング方法。
6. 【請求項６】 ポリッシング装置におけるポリッシング
   対象物のポリッシング中に行うドレッシングにおいて、
   研磨対象物より径の小さなドレッサーを備えたドレッシ
   ングユニットを揺動させながらドレッシングを行い、ト
   ップリング待避後、研磨対象物より径の大きなドレッサ
   ーを備えたドレッシングユニットを用いてドレッシング
   を行うことを特徴とするドレッシング方法。