JP2001036141A - 双方向半導体発光素子及び光伝送装置 - Google Patents
双方向半導体発光素子及び光伝送装置Info
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3095—Tunnel junction
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単一素子で正負いずれの極性も発光する発光
素子を提供する。 【解決手段】 発光層の一方をバンド間トンネルキャリ
ア注入、もう一方をｐｎ接合少数キャリア注入とし、正
極、負極のいずれも同様に動作させる。
素子を提供する。 【解決手段】 発光層の一方をバンド間トンネルキャリ
ア注入、もう一方をｐｎ接合少数キャリア注入とし、正
極、負極のいずれも同様に動作させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、印加電圧が正負い
ずれの場合にも発光可能な双方向半導体発光素子に関す
る。
ずれの場合にも発光可能な双方向半導体発光素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード、半導体レーザなどの半
導体発光素子は、小型、高効率、長寿命などの特徴によ
り、電球や各種レーザなどに代わる光源として種々の応
用機器に活用されている。しかしながら、これらの半導
体発光素子は、ｐｎ接合や金属半導体接合を用いたキャ
リア注入型ダイオードを基本としているため、素子への
通電が順方向、逆方向といった極性を持っており、交流
電圧の印加では半波整流電流のような動作特性となるも
のが一般的である。
導体発光素子は、小型、高効率、長寿命などの特徴によ
り、電球や各種レーザなどに代わる光源として種々の応
用機器に活用されている。しかしながら、これらの半導
体発光素子は、ｐｎ接合や金属半導体接合を用いたキャ
リア注入型ダイオードを基本としているため、素子への
通電が順方向、逆方向といった極性を持っており、交流
電圧の印加では半波整流電流のような動作特性となるも
のが一般的である。
【０００３】このようなダイオード特性のため、従来の
半導体発光素子を交流点灯する場合、複数の発光素子や
外部に整流回路を必要とし、素子数の増加や付加回路の
電気的スイッチング損失の増加が避けられなかった。従
って、従来の半導体発光素子を商用電力（交流）による
交流光源に用いた場合、素子の発光効率は高くとも外部
回路の損失などにより総合的な電力変換効率が低下し易
いという問題があった。また、素子の通電極性が一方向
であるため、情報機器の信号伝送（光伝送）に用いる場
合、交流電気信号等はバイアスによる仮想中点の上下に
振動する電気信号に変換して入力する必要があり、無入
力信号時においても強制的にバイアス電流分の電力を消
費してしまうという問題があった。
半導体発光素子を交流点灯する場合、複数の発光素子や
外部に整流回路を必要とし、素子数の増加や付加回路の
電気的スイッチング損失の増加が避けられなかった。従
って、従来の半導体発光素子を商用電力（交流）による
交流光源に用いた場合、素子の発光効率は高くとも外部
回路の損失などにより総合的な電力変換効率が低下し易
いという問題があった。また、素子の通電極性が一方向
であるため、情報機器の信号伝送（光伝送）に用いる場
合、交流電気信号等はバイアスによる仮想中点の上下に
振動する電気信号に変換して入力する必要があり、無入
力信号時においても強制的にバイアス電流分の電力を消
費してしまうという問題があった。
【０００４】これらの問題を解決するには、前述した複
数の半導体発光素子を用いる方法で対応可能であり、極
性を逆転した半導体発光素子を並列接続して用いれば問
題の解決が可能である。しかしながら、この方法では半
導体発光素子が複数個必要であり、素子の利用効率が低
下するだけでなく、光伝送用途のような場合に１つの光
伝送路に２つの素子の光を導入する、または、２つの光
伝送路を用いるなどの工夫が必要であった。
数の半導体発光素子を用いる方法で対応可能であり、極
性を逆転した半導体発光素子を並列接続して用いれば問
題の解決が可能である。しかしながら、この方法では半
導体発光素子が複数個必要であり、素子の利用効率が低
下するだけでなく、光伝送用途のような場合に１つの光
伝送路に２つの素子の光を導入する、または、２つの光
伝送路を用いるなどの工夫が必要であった。
【０００５】図９に、２つの半導体発光素子を用いた光
伝送装置の例を示す。この例は、特開平３−５８５３２
号公報に記されている例であり、ディジタル信号の光伝
送をパルスエッジの情報のみ伝送することで消費電力の
低減を図った例である。図９の２３はパルス信号源、２
４は結合コンデンサ、２９、３０は半導体発光素子、２
６ａ、２６ｂは光伝送路、３１、３２はフォトダイオー
ド（受光素子）、３３はフォトダイオード寄生容量（交
流等価回路素子）であり、２４のコンデンサと２３のパ
ルス信号源の内部抵抗により電気的な微分回路が構成さ
れる。この光伝送装置はパルス信号の微分波形を伝送す
ることで、パルス信号全幅に渡る信号伝送に比し大幅な
消費電力の低減が可能であるが、信号パルスの電気的な
微分波形（コンデンサ２４を流れる電流波形）が正極と
負極の尖頭波形で交互に現われ、そのままでは従来の半
導体発光素子で光信号に変換できない。そこで、図9の
例では２つの半導体発光素子を逆極性に接続し、電気的
な微分波形の正極と負極の尖頭波形を別々の半導体発光
素子により光変換している。また、光信号を別々に伝送
して２つのフォトダイオードで別々に電気変換し、それ
をコンデンサ３３により積分して元のパルス信号を復元
している。
伝送装置の例を示す。この例は、特開平３−５８５３２
号公報に記されている例であり、ディジタル信号の光伝
送をパルスエッジの情報のみ伝送することで消費電力の
低減を図った例である。図９の２３はパルス信号源、２
４は結合コンデンサ、２９、３０は半導体発光素子、２
６ａ、２６ｂは光伝送路、３１、３２はフォトダイオー
ド（受光素子）、３３はフォトダイオード寄生容量（交
流等価回路素子）であり、２４のコンデンサと２３のパ
ルス信号源の内部抵抗により電気的な微分回路が構成さ
れる。この光伝送装置はパルス信号の微分波形を伝送す
ることで、パルス信号全幅に渡る信号伝送に比し大幅な
消費電力の低減が可能であるが、信号パルスの電気的な
微分波形（コンデンサ２４を流れる電流波形）が正極と
負極の尖頭波形で交互に現われ、そのままでは従来の半
導体発光素子で光信号に変換できない。そこで、図9の
例では２つの半導体発光素子を逆極性に接続し、電気的
な微分波形の正極と負極の尖頭波形を別々の半導体発光
素子により光変換している。また、光信号を別々に伝送
して２つのフォトダイオードで別々に電気変換し、それ
をコンデンサ３３により積分して元のパルス信号を復元
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
導体発光素子では交流電気信号の光変換に複数の素子を
用いるか外部回路による整流やバイアス重畳を行う必要
があった。本発明は、１つの素子で交流電気信号の光変
換が可能な双方向半導体発光素子の提供を目的としてい
る。
導体発光素子では交流電気信号の光変換に複数の素子を
用いるか外部回路による整流やバイアス重畳を行う必要
があった。本発明は、１つの素子で交流電気信号の光変
換が可能な双方向半導体発光素子の提供を目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、ｎｐｎ接合（又はｐｎｐ接合）中に少な
くとも一層の半導体発光層を含み、前記ｎｐｎ接合の各
ｎ型半導体（又は前記ｐｎｐ接合の各ｐ型半導体）に電
極を有するダイオード素子であり、前記ｎｐｎ接合（ま
たは前記ｐｎｐ接合）の各ｐｎ接合が逆バイアス時にバ
ンド間トンネル電流を生じる如く不純物濃度を設定し、
前記ダイオード素子への印加電圧極性が正負いずれの場
合も通電発光が可能となることを特徴とする双方向半導
体発光素子を提供する。
め、本発明は、ｎｐｎ接合（又はｐｎｐ接合）中に少な
くとも一層の半導体発光層を含み、前記ｎｐｎ接合の各
ｎ型半導体（又は前記ｐｎｐ接合の各ｐ型半導体）に電
極を有するダイオード素子であり、前記ｎｐｎ接合（ま
たは前記ｐｎｐ接合）の各ｐｎ接合が逆バイアス時にバ
ンド間トンネル電流を生じる如く不純物濃度を設定し、
前記ダイオード素子への印加電圧極性が正負いずれの場
合も通電発光が可能となることを特徴とする双方向半導
体発光素子を提供する。
【０００８】また、本発明は、ｎｐｎｐｎ接合（又はｐ
ｎｐｎｐ接合）中に少なくとも一層の半導体発光層を含
み、前記ｎｐｎｐｎ接合の外側の各ｎ型半導体（又は前
記ｐｎｐｎｐ接合の外側の各ｐ型半導体）に電極を有す
るダイオード素子であり、該ダイオード素子のバイアス
電圧印加時に前記ｎｐｎｐｎ接合（または前記ｐｎｐｎ
ｐ接合）の２つのｐｎ逆バイアス接合の一方にバンド間
トンネル電流を生じるとともに他方のｐｎ逆バイアス接
合がパンチスルーする如く不純物濃度を設定し、前記ダ
イオード素子への印加電圧極性が正負いずれの場合も通
電発光が可能となる事を特徴とする双方向半導体発光素
子を提供する。
ｎｐｎｐ接合）中に少なくとも一層の半導体発光層を含
み、前記ｎｐｎｐｎ接合の外側の各ｎ型半導体（又は前
記ｐｎｐｎｐ接合の外側の各ｐ型半導体）に電極を有す
るダイオード素子であり、該ダイオード素子のバイアス
電圧印加時に前記ｎｐｎｐｎ接合（または前記ｐｎｐｎ
ｐ接合）の２つのｐｎ逆バイアス接合の一方にバンド間
トンネル電流を生じるとともに他方のｐｎ逆バイアス接
合がパンチスルーする如く不純物濃度を設定し、前記ダ
イオード素子への印加電圧極性が正負いずれの場合も通
電発光が可能となる事を特徴とする双方向半導体発光素
子を提供する。
【０００９】また、本発明は、前記トンネル電流を生じ
るｐｎ接合は、熱平衡状態でｎ側伝導帯とｐ側価電子帯
のエネルギー差が１００ｍｅＶ以上である事を特徴とす
る双方向半導体発光素子を提供する。
るｐｎ接合は、熱平衡状態でｎ側伝導帯とｐ側価電子帯
のエネルギー差が１００ｍｅＶ以上である事を特徴とす
る双方向半導体発光素子を提供する。
【００１０】また、本発明は、前記半導体発光層が２層
であり、それぞれの半導体発光層の発光波長が異なる事
を特徴とする双方向半導体発光素子を提供する。
であり、それぞれの半導体発光層の発光波長が異なる事
を特徴とする双方向半導体発光素子を提供する。
【００１１】また、本発明は、前記ダイオード素子の印
加電圧極性により、発光波長が異なる事を特徴とする双
方向半導体発光素子を提供する。
加電圧極性により、発光波長が異なる事を特徴とする双
方向半導体発光素子を提供する。
【００１２】また、本発明は、双方向通電発光が可能且
つ通電極性により発光波長の異なる双方向半導体発光素
子に電気入力信号の微分波形を印加し、該双方向半導体
発光素子の出力光を伝送することにより信号伝送を行う
事を特徴とする光伝送装置を提供する。
つ通電極性により発光波長の異なる双方向半導体発光素
子に電気入力信号の微分波形を印加し、該双方向半導体
発光素子の出力光を伝送することにより信号伝送を行う
事を特徴とする光伝送装置を提供する。
【００１３】本発明の半導体発光素子では、単一素子で
正極、負極の両方の印加電圧に対し発光可能であり、複
数素子を用いたり外部整流回路を用いたりせず、交流電
源に直接接続して交流発光源とすることが可能となる。
これにより、素子数の増加や外部損失の無い交流発光源
が得られる。また、後述のように交流電気信号を単一素
子で光変換する光伝送装置などの新規の応用機器が実現
可能となる。
正極、負極の両方の印加電圧に対し発光可能であり、複
数素子を用いたり外部整流回路を用いたりせず、交流電
源に直接接続して交流発光源とすることが可能となる。
これにより、素子数の増加や外部損失の無い交流発光源
が得られる。また、後述のように交流電気信号を単一素
子で光変換する光伝送装置などの新規の応用機器が実現
可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の詳細を説明していく。ここでは、実施例としてＧａＩ
ｎＡｓＰ／ＩｎＰ系の材料を例として示すが、これは他
の材料、例えばＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系やＡｌＧａＩ
ｎＰ／ＧａＡｓ系、ＺｎＳＳｅ／ＧａＡｓ系、ＡｌＧａ
Ｎ／ＧａＮ系、ＧａＩｎＮ／ＧａＮ系等、各種の半導体
材料に適用可能なものである。また、実施例として主に
ｎｐｎ接合、ｎｐｎｐｎ接合を示していくが、これは勿
論、ｐｎｐ接合、ｐｎｐｎｐ接合でも実施可能なことは
言うまでもないことである。更に、本発明実施例では、
主に発光素子として発光ダイオードを例とするが、これ
は半導体レーザにも適用可能なものである。
の詳細を説明していく。ここでは、実施例としてＧａＩ
ｎＡｓＰ／ＩｎＰ系の材料を例として示すが、これは他
の材料、例えばＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系やＡｌＧａＩ
ｎＰ／ＧａＡｓ系、ＺｎＳＳｅ／ＧａＡｓ系、ＡｌＧａ
Ｎ／ＧａＮ系、ＧａＩｎＮ／ＧａＮ系等、各種の半導体
材料に適用可能なものである。また、実施例として主に
ｎｐｎ接合、ｎｐｎｐｎ接合を示していくが、これは勿
論、ｐｎｐ接合、ｐｎｐｎｐ接合でも実施可能なことは
言うまでもないことである。更に、本発明実施例では、
主に発光素子として発光ダイオードを例とするが、これ
は半導体レーザにも適用可能なものである。
【００１５】図１は、本発明実施例の双方向半導体発光
素子の概略構成断面図であり、前述のようにここではｎ
ｐｎ接合型の素子を例に示していく。図中、１はｎ型半
導体基板、２は高濃度ｎ型半導体層、３は高濃度ｐ型半
導体層、４は発光層、５は高濃度ｐ型半導体層、６は高
濃度ｎ型半導体層、７，８は電極金属であり、２及び３
のｐｎ接合、５及び６のｐｎ接合は順バイアスでは通常
のｐｎ接合特性となるが、逆バイアスでは所定逆バイア
ス以上でバンド間トンネル電流を生じるように設定す
る。夫々の半導体層の構成例としては、１がｎ型ＩｎＰ
基板（キャリア濃度１×１０Ｅ１８／ｃｍ３、厚さ１０
０μｍ）、２がｎ型ＩｎＰ（キャリア濃度１×１０Ｅ１
９／ｃｍ３、厚さ１μｍ）、３がｐ型ＩｎＰ（キャリア
濃度２×１０Ｅ１８／ｃｍ３、厚さ０．２μｍ）、４が
ＧａＩｎＡｓＰ（アンドープ、発光波長１．３μｍ、厚
さ０．１μｍ）、５がｐ型ＩｎＰ（キャリア濃度２×１
０Ｅ１８／ｃｍ３、厚さ０．２μｍ）、６がｎ型ＩｎＰ
（キャリア濃度１×１０Ｅ１９／ｃｍ３、厚さ１．５μ
ｍ）、７及び８がｎ型ＩｎＰに対するオーミック電極で
例えばＡｕＧｅ（厚さ０．３μｍ）とする。この素子の
動作状況を図２のエネルギーバンド図を用いて説明す
る。
素子の概略構成断面図であり、前述のようにここではｎ
ｐｎ接合型の素子を例に示していく。図中、１はｎ型半
導体基板、２は高濃度ｎ型半導体層、３は高濃度ｐ型半
導体層、４は発光層、５は高濃度ｐ型半導体層、６は高
濃度ｎ型半導体層、７，８は電極金属であり、２及び３
のｐｎ接合、５及び６のｐｎ接合は順バイアスでは通常
のｐｎ接合特性となるが、逆バイアスでは所定逆バイア
ス以上でバンド間トンネル電流を生じるように設定す
る。夫々の半導体層の構成例としては、１がｎ型ＩｎＰ
基板（キャリア濃度１×１０Ｅ１８／ｃｍ３、厚さ１０
０μｍ）、２がｎ型ＩｎＰ（キャリア濃度１×１０Ｅ１
９／ｃｍ３、厚さ１μｍ）、３がｐ型ＩｎＰ（キャリア
濃度２×１０Ｅ１８／ｃｍ３、厚さ０．２μｍ）、４が
ＧａＩｎＡｓＰ（アンドープ、発光波長１．３μｍ、厚
さ０．１μｍ）、５がｐ型ＩｎＰ（キャリア濃度２×１
０Ｅ１８／ｃｍ３、厚さ０．２μｍ）、６がｎ型ＩｎＰ
（キャリア濃度１×１０Ｅ１９／ｃｍ３、厚さ１．５μ
ｍ）、７及び８がｎ型ＩｎＰに対するオーミック電極で
例えばＡｕＧｅ（厚さ０．３μｍ）とする。この素子の
動作状況を図２のエネルギーバンド図を用いて説明す
る。
【００１６】まず、図２（ａ）は熱平衡（無バイアス）
状態でのエネルギーバンド図である。図のＥｃは伝導
帯、Ｅｖは価電子帯、Ｅｆはフェルミレベルを示してお
り、２、６の高濃度ｎ型部の伝導帯が、３、５の高濃度
ｐ型部の価電子帯に近接していることが分る。これに、
電極８が正極、電極７が負極となる電圧を印加したのが
図（ｂ）であり、このとき６と５のｐｎ接合は順バイア
スとなるが、３と２のｐｎ接合は逆バイアスとなる。図
の９は電子、１０はホール（正孔）を表わしている。通
常のキャリア濃度（例えばｐ、ｎともに１×１０Ｅ１８
／ｃｍ３）のｐｎ接合であれば、逆バイアス側のｐｎ接
合に大部分の電圧が加わり、また、逆バイアスによる空
乏層の拡大によりキャリア注入が抑止されて所謂リーク
電流程度の電流しか素子に電流が流れないが、この例で
はｐｎ接合が高濃度接合であるため逆バイアス接合でも
バンド間のトンネル電流により素子の電流が流れる。バ
ンド間のトンネル電流の特徴は、価電子帯から伝導帯へ
のキャリア移動（価電子帯電子の伝導帯への移動）によ
り、等価的に価電子帯にホール、伝導帯に電子を夫々発
生させることであり、３、４、５の半導体層にはバンド
間トンネル電流により発生したホールが増加していく。
一般に、バンド間トンネル電流の生じたｐｎ接合は非常
に低抵抗の抵抗素子と同様の振る舞いとなり、ｐｎ接合
の印加電圧があまり変化しなくなる。このため、図２
（ｂ）の状態では２と３のｐｎ逆バイアス接合にバンド
間トンネル電流が発生した以降の素子電圧上昇は、２と
３のｐｎ逆バイアス接合よりも５と６のｐｎ順バイアス
接合に印加されるようになり、一般的なｐｎ接合の順バ
イアス特性に従った電流電圧特性となる。図２（ｂ）
で、素子の印加電圧上昇とともに５と６の順バイアスｐ
ｎ接合バイアス電圧が上昇するが、そのバイアス電圧が
ｐｎ接合の拡散電位程度まで上昇すると、ｎ側（６）か
ら電子、ｐ側（５）から正孔がｐｎ接合に向かって注入
される、所謂キャリア注入が起こる。その結果、６から
注入された電子が５の中を拡散して４の発光層に達する
ようになり、４の発光層に蓄積された正孔（バンド間ト
ンネル電流キャリア）と再結合して発光する。
状態でのエネルギーバンド図である。図のＥｃは伝導
帯、Ｅｖは価電子帯、Ｅｆはフェルミレベルを示してお
り、２、６の高濃度ｎ型部の伝導帯が、３、５の高濃度
ｐ型部の価電子帯に近接していることが分る。これに、
電極８が正極、電極７が負極となる電圧を印加したのが
図（ｂ）であり、このとき６と５のｐｎ接合は順バイア
スとなるが、３と２のｐｎ接合は逆バイアスとなる。図
の９は電子、１０はホール（正孔）を表わしている。通
常のキャリア濃度（例えばｐ、ｎともに１×１０Ｅ１８
／ｃｍ３）のｐｎ接合であれば、逆バイアス側のｐｎ接
合に大部分の電圧が加わり、また、逆バイアスによる空
乏層の拡大によりキャリア注入が抑止されて所謂リーク
電流程度の電流しか素子に電流が流れないが、この例で
はｐｎ接合が高濃度接合であるため逆バイアス接合でも
バンド間のトンネル電流により素子の電流が流れる。バ
ンド間のトンネル電流の特徴は、価電子帯から伝導帯へ
のキャリア移動（価電子帯電子の伝導帯への移動）によ
り、等価的に価電子帯にホール、伝導帯に電子を夫々発
生させることであり、３、４、５の半導体層にはバンド
間トンネル電流により発生したホールが増加していく。
一般に、バンド間トンネル電流の生じたｐｎ接合は非常
に低抵抗の抵抗素子と同様の振る舞いとなり、ｐｎ接合
の印加電圧があまり変化しなくなる。このため、図２
（ｂ）の状態では２と３のｐｎ逆バイアス接合にバンド
間トンネル電流が発生した以降の素子電圧上昇は、２と
３のｐｎ逆バイアス接合よりも５と６のｐｎ順バイアス
接合に印加されるようになり、一般的なｐｎ接合の順バ
イアス特性に従った電流電圧特性となる。図２（ｂ）
で、素子の印加電圧上昇とともに５と６の順バイアスｐ
ｎ接合バイアス電圧が上昇するが、そのバイアス電圧が
ｐｎ接合の拡散電位程度まで上昇すると、ｎ側（６）か
ら電子、ｐ側（５）から正孔がｐｎ接合に向かって注入
される、所謂キャリア注入が起こる。その結果、６から
注入された電子が５の中を拡散して４の発光層に達する
ようになり、４の発光層に蓄積された正孔（バンド間ト
ンネル電流キャリア）と再結合して発光する。
【００１７】この機構により、本実施例素子が半導体発
光素子として動作するが、前述のように、２と３のｐｎ
接合、及び５と６のｐｎ接合は同様な材料により同様な
キャリア濃度設定を行っているため、素子バイアスを逆
（電極８が負極、電極７が正極）にしても同様な動作が
可能であり、素子バイアスを逆とすると図２（ｃ）のよ
うな動作状態となって、やはり半導体発光素子として動
作する。従って、本発明の実施例では、正負いずれの極
性の素子バイアスにおいても発光動作が可能な双方向半
導体発光素子となる。
光素子として動作するが、前述のように、２と３のｐｎ
接合、及び５と６のｐｎ接合は同様な材料により同様な
キャリア濃度設定を行っているため、素子バイアスを逆
（電極８が負極、電極７が正極）にしても同様な動作が
可能であり、素子バイアスを逆とすると図２（ｃ）のよ
うな動作状態となって、やはり半導体発光素子として動
作する。従って、本発明の実施例では、正負いずれの極
性の素子バイアスにおいても発光動作が可能な双方向半
導体発光素子となる。
【００１８】尚、図２（ａ）の状態でＥｃ、ＥｖはＥｆ
を挟んである程度のエネルギーギャップを持っている
が、これは、熱平衡状態でＥｃとＥｖが重なる状態（例
えば、図１の実施例で、ｐｎ接合のキャリア濃度がｐ、
ｎとも１×１０Ｅ１９／ｃｍ３以上となるような状態）
では、ｐｎ接合が順バイアスでもバンド間トンネル電流
を生じるようになり、２と３のｐｎ接合及び５と６のｐ
ｎ接合が同時にトンネル電流を生じ、かなりの高電流域
まで順バイアスｐｎ接合での少数キャリア注入が生じな
くなる。即ち、発光に寄与しない電流が生じるようにな
り、上記の例では１ｋＡ／ｃｍ２以上の電流が容易に無
効電流となり得る。この現象は一方のｐｎ接合をバンド
間トンネル可能な状況に設定し、もう一方のｐｎ接合を
バンド間トンネルがあまり起きない状況に設定すれば問
題ないが、この場合は基本的に片側通電の従来の半導体
発光素子と同様になり、双方向半導体発光素子としての
動作はできなくなってしまう。従って、本発明の双方向
半導体発光素子では、発光層を挟む２つのｐｎ接合の両
方が逆バイアスによりバンド間トンネル電流を生じ得る
とともに、熱平衡状態においてはいずれのｐｎ接合もバ
ンド間トンネル電流を生じ得ないことが素子を効果的に
動作させる条件となる。従って、図２（ａ）のＥｃおよ
びＥｖのエネルギー差としては、室温エネルギー（約３
６ｍｅＶ）よりある程度大きいことが望ましく、例え
ば、エネルギー差を１００ｍｅＶとすれば発光に寄与し
ない電流を実質的に抑制可能である。また、この場合、
素子動作に必要な過剰バイアス（一方のｐｎ接合がバン
ド間トンネル電流を生じ得る電圧）も０．１Ｖ程度とな
り、極端な高バイアス動作化等は避けられる。
を挟んである程度のエネルギーギャップを持っている
が、これは、熱平衡状態でＥｃとＥｖが重なる状態（例
えば、図１の実施例で、ｐｎ接合のキャリア濃度がｐ、
ｎとも１×１０Ｅ１９／ｃｍ３以上となるような状態）
では、ｐｎ接合が順バイアスでもバンド間トンネル電流
を生じるようになり、２と３のｐｎ接合及び５と６のｐ
ｎ接合が同時にトンネル電流を生じ、かなりの高電流域
まで順バイアスｐｎ接合での少数キャリア注入が生じな
くなる。即ち、発光に寄与しない電流が生じるようにな
り、上記の例では１ｋＡ／ｃｍ２以上の電流が容易に無
効電流となり得る。この現象は一方のｐｎ接合をバンド
間トンネル可能な状況に設定し、もう一方のｐｎ接合を
バンド間トンネルがあまり起きない状況に設定すれば問
題ないが、この場合は基本的に片側通電の従来の半導体
発光素子と同様になり、双方向半導体発光素子としての
動作はできなくなってしまう。従って、本発明の双方向
半導体発光素子では、発光層を挟む２つのｐｎ接合の両
方が逆バイアスによりバンド間トンネル電流を生じ得る
とともに、熱平衡状態においてはいずれのｐｎ接合もバ
ンド間トンネル電流を生じ得ないことが素子を効果的に
動作させる条件となる。従って、図２（ａ）のＥｃおよ
びＥｖのエネルギー差としては、室温エネルギー（約３
６ｍｅＶ）よりある程度大きいことが望ましく、例え
ば、エネルギー差を１００ｍｅＶとすれば発光に寄与し
ない電流を実質的に抑制可能である。また、この場合、
素子動作に必要な過剰バイアス（一方のｐｎ接合がバン
ド間トンネル電流を生じ得る電圧）も０．１Ｖ程度とな
り、極端な高バイアス動作化等は避けられる。
【００１９】図３は、本発明の他の実施例であり、図１
の実施例の発光効率を改善した例である。図中、４ａ、
４ｂは発光層（例えば発光波長１．３μｍのアンドープ
ＧａＩｎＡｓＰ、夫々の厚さが０．１μｍ）であり、１
１はｐ型の中間層（例えば、キャリア濃度１×１０Ｅ１
８／ｃｍ３のｐ型ＩｎＰ、厚さ１μｍ）である。この実
施例では、３および５の高濃度ｐ型半導体層（例えばキ
ャリア濃度２×１０Ｅ１８／ｃｍ３のｐ型ＩｎＰ）を図
１の実施例より薄く形成し、例えば、夫々厚さ０．０５
μｍとする。
の実施例の発光効率を改善した例である。図中、４ａ、
４ｂは発光層（例えば発光波長１．３μｍのアンドープ
ＧａＩｎＡｓＰ、夫々の厚さが０．１μｍ）であり、１
１はｐ型の中間層（例えば、キャリア濃度１×１０Ｅ１
８／ｃｍ３のｐ型ＩｎＰ、厚さ１μｍ）である。この実
施例では、３および５の高濃度ｐ型半導体層（例えばキ
ャリア濃度２×１０Ｅ１８／ｃｍ３のｐ型ＩｎＰ）を図
１の実施例より薄く形成し、例えば、夫々厚さ０．０５
μｍとする。
【００２０】図１の例では、３及び５の高濃度ｐ型半導
体層を余り薄く形成すると、発光層を含むｐ領域に注入
された電子が、拡散によりバンド間トンネルを起こして
いる逆バイアスｐｎ接合に一部達してしまい、非発光電
流成分となってしまう問題がある。そのため、図１の例
では３、４、５の３つの半導体層の合計が電子の拡散長
（およそ１μｍ）より十分厚く設定することが望まし
い。しかしながら、一方、ｐｎ接合から発光層までの距
離が余り長いとその間に少数キャリアである電子が価電
子帯の正孔とバンド間再結合して減少しまい、発光層に
達する電子が損なわれて発光効率が低下してしまう問題
がある。従って、図１の実施例では、ｐ領域を十分厚く
することと、ｐｎ接合から発光層までの厚さをなるべく
薄くすることのトレードオフがあり、双方向発光素子と
する限り、最適設計においても一部の無効電流が含まれ
ざるを得ないという欠点があった。図３の実施例はこの
問題を解決しており、図４に示すようにｐｎ接合から発
光層までの距離を短く、また、発光層からｐｎトンネル
接合までの距離を長くするため、通電極性により発光す
る活性層を別々に２つ設けている。図４の（ａ）は熱平
衡状態、（ｂ）、（ｃ）は図２と同様な極性でバイアス
した場合の夫々バンド図である。
体層を余り薄く形成すると、発光層を含むｐ領域に注入
された電子が、拡散によりバンド間トンネルを起こして
いる逆バイアスｐｎ接合に一部達してしまい、非発光電
流成分となってしまう問題がある。そのため、図１の例
では３、４、５の３つの半導体層の合計が電子の拡散長
（およそ１μｍ）より十分厚く設定することが望まし
い。しかしながら、一方、ｐｎ接合から発光層までの距
離が余り長いとその間に少数キャリアである電子が価電
子帯の正孔とバンド間再結合して減少しまい、発光層に
達する電子が損なわれて発光効率が低下してしまう問題
がある。従って、図１の実施例では、ｐ領域を十分厚く
することと、ｐｎ接合から発光層までの厚さをなるべく
薄くすることのトレードオフがあり、双方向発光素子と
する限り、最適設計においても一部の無効電流が含まれ
ざるを得ないという欠点があった。図３の実施例はこの
問題を解決しており、図４に示すようにｐｎ接合から発
光層までの距離を短く、また、発光層からｐｎトンネル
接合までの距離を長くするため、通電極性により発光す
る活性層を別々に２つ設けている。図４の（ａ）は熱平
衡状態、（ｂ）、（ｃ）は図２と同様な極性でバイアス
した場合の夫々バンド図である。
【００２１】図４から分るようにｐｎ接合から発光層ま
での距離を短くすることは、３及び５の高濃度ｐ型半導
体層を薄く形成することで可能となり、発光層からｐｎ
トンネル接合までの距離はｐ型中間層１１を十分厚くす
ることで実現される。ｐ型中間層１１は正孔が多数キャ
リアであり、この厚さが厚いことによる正孔の損失は特
にない。従って、図３の実施例では従来の単方向型半導
体発光素子と全く同等の発光効率が得られ、むしろ、動
作している発光層をオーバーフローした一部の電子がト
ンネルｐｎ接合側の発光層でも発光する分、効率の向上
が可能である。
での距離を短くすることは、３及び５の高濃度ｐ型半導
体層を薄く形成することで可能となり、発光層からｐｎ
トンネル接合までの距離はｐ型中間層１１を十分厚くす
ることで実現される。ｐ型中間層１１は正孔が多数キャ
リアであり、この厚さが厚いことによる正孔の損失は特
にない。従って、図３の実施例では従来の単方向型半導
体発光素子と全く同等の発光効率が得られ、むしろ、動
作している発光層をオーバーフローした一部の電子がト
ンネルｐｎ接合側の発光層でも発光する分、効率の向上
が可能である。
【００２２】尚、図３、図４では発光層４ａ、４ｂがｐ
ｎ接合よりｐ側に位置しているが、これはｎ側に位置し
てもよく、またｐｎ接合中にあっても良い。即ち、２、
３、４ａ、１１、４ｂ、５、６の順序を、３と５を高濃
度ｎ型の３'、５'、１１を高濃度ｐ型の１１'として、
２、４ａ、３'、１１'、５'、４ｂ、６としても良く、
また、３と５を削除し１１を高濃度ｐ型の１１'とし
て、２、４ａ、１１'、４ｂ、６という構成にしても良
い。特に、後者の場合にはバンドギャップの狭い発光層
がトンネル接合を形成するため、トンネル接合のための
高濃度ｐ層、ｎ層の設定キャリア濃度が比較的低く設定
でき、素子作製を容易にしたり、発光した光の内部吸収
損失を少なくできるといった利点もある。また、図３の
素子では、発光層４ａと４ｂの発光波長を変えておき
（例えば１．３μｍと１．２μｍ）、多波長発光素子と
することも可能である。この場合、通電方向により発光
波長を変えることができ、波長多重光伝送を１つの発光
素子で構成できるなどの新規な応用も可能になる。
ｎ接合よりｐ側に位置しているが、これはｎ側に位置し
てもよく、またｐｎ接合中にあっても良い。即ち、２、
３、４ａ、１１、４ｂ、５、６の順序を、３と５を高濃
度ｎ型の３'、５'、１１を高濃度ｐ型の１１'として、
２、４ａ、３'、１１'、５'、４ｂ、６としても良く、
また、３と５を削除し１１を高濃度ｐ型の１１'とし
て、２、４ａ、１１'、４ｂ、６という構成にしても良
い。特に、後者の場合にはバンドギャップの狭い発光層
がトンネル接合を形成するため、トンネル接合のための
高濃度ｐ層、ｎ層の設定キャリア濃度が比較的低く設定
でき、素子作製を容易にしたり、発光した光の内部吸収
損失を少なくできるといった利点もある。また、図３の
素子では、発光層４ａと４ｂの発光波長を変えておき
（例えば１．３μｍと１．２μｍ）、多波長発光素子と
することも可能である。この場合、通電方向により発光
波長を変えることができ、波長多重光伝送を１つの発光
素子で構成できるなどの新規な応用も可能になる。
【００２３】図５は、本発明の他の実施例であり、図３
の実施例で発光層の発光波長を別に設定した場合の混合
発光特性を改善し、極性により発光する発光層をほぼ完
全に分離する例である。図中、１２はｎ型半導体層であ
り、図３の実施例のｐ型半導体層１１をｎ型にした、ｎ
ｐｎｐｎ型半導体発光素子である。この素子の熱平衡状
態のバンド構造を図６（ａ）に示すが、この実施例では
ｐｎ逆接合と、ｐｎ順接合が２つずつ存在している。こ
の素子の動作を図６（ｂ）を用いて説明する。図６
（ｂ）は、電極７（ｎ型半導体６側）が負極、電極８
（ｎ型半導体２側）が正極の場合であり、素子への印加
電圧が比較的低い状態では２と３のｐｎ逆接合、および
１２と５のｐｎ逆接合に主にバイアスが印加される。２
と３のｐｎ逆接合は、図１及び図３の実施例と同様にや
がてバンド間トンネル電流を生じる電圧に達して印加電
圧の上昇が少なくなるが、それ以降の素子へのバイアス
印加は１２と５のｐｎ逆接合に主に加わるようになる。
その結果、５の高濃度ｐ型半導体に空乏層が広がり、キ
ャリア濃度と厚さの積が１２のｎ型半導体層より低くな
るように５の厚さを設定しておけば、ある程度電圧印加
された時点で５のｐ型半導体層が空乏化、所謂パンチス
ルーした状態となり、５の高濃度ｐ型半導体層によるｐ
ｎ逆バイアス接合がｎｎ接合と等価な状況になる。それ
以降のバイアス電圧は３と１２のｐｎ順バイアス接合に
印加されるようになり、４ａの発光層に電子とバンド間
トンネル電流による正孔が注入され、発光動作をするよ
うになる。この機構は、素子への印加電圧極性が逆の場
合でも同様であり、図６（ｃ）のように今度は４ｂの発
光層が発光動作する。
の実施例で発光層の発光波長を別に設定した場合の混合
発光特性を改善し、極性により発光する発光層をほぼ完
全に分離する例である。図中、１２はｎ型半導体層であ
り、図３の実施例のｐ型半導体層１１をｎ型にした、ｎ
ｐｎｐｎ型半導体発光素子である。この素子の熱平衡状
態のバンド構造を図６（ａ）に示すが、この実施例では
ｐｎ逆接合と、ｐｎ順接合が２つずつ存在している。こ
の素子の動作を図６（ｂ）を用いて説明する。図６
（ｂ）は、電極７（ｎ型半導体６側）が負極、電極８
（ｎ型半導体２側）が正極の場合であり、素子への印加
電圧が比較的低い状態では２と３のｐｎ逆接合、および
１２と５のｐｎ逆接合に主にバイアスが印加される。２
と３のｐｎ逆接合は、図１及び図３の実施例と同様にや
がてバンド間トンネル電流を生じる電圧に達して印加電
圧の上昇が少なくなるが、それ以降の素子へのバイアス
印加は１２と５のｐｎ逆接合に主に加わるようになる。
その結果、５の高濃度ｐ型半導体に空乏層が広がり、キ
ャリア濃度と厚さの積が１２のｎ型半導体層より低くな
るように５の厚さを設定しておけば、ある程度電圧印加
された時点で５のｐ型半導体層が空乏化、所謂パンチス
ルーした状態となり、５の高濃度ｐ型半導体層によるｐ
ｎ逆バイアス接合がｎｎ接合と等価な状況になる。それ
以降のバイアス電圧は３と１２のｐｎ順バイアス接合に
印加されるようになり、４ａの発光層に電子とバンド間
トンネル電流による正孔が注入され、発光動作をするよ
うになる。この機構は、素子への印加電圧極性が逆の場
合でも同様であり、図６（ｃ）のように今度は４ｂの発
光層が発光動作する。
【００２４】図３の実施例の場合、一方の発光層が動作
しているとき、他方の発光層に少数キャリアが拡散によ
り達して発光動作を生じ易かったが、この実施例では、
一方の発光層が動作する際、パンチスルーしたｐｎ逆接
合から送られる多数キャリア（図６の場合電子）がパン
チスルーに要したバイアス分エネルギーが高いため、動
作発光層側ｐｎ順バイアス接合のバイアスが比較的低い
状態で少数キャリアが注入される。その結果、高エネル
ギーのキャリア（図６では電子）と反対のキャリア（図
６では正孔）がｐｎ順バイアス接合（図６（ｂ）では３
と１２の接合）の拡散電位に閉じ込められ易くなり、非
動作発光層（図６（ｂ）では４ｂ）への拡散到達がほと
んど無くなる。従って、極性による動作発光層の分離が
高くなり、図３の実施例で説明した波長多重光伝送用発
光素子とする場合に、波長間の混合（クロストーク）を
抑制することが可能となる。
しているとき、他方の発光層に少数キャリアが拡散によ
り達して発光動作を生じ易かったが、この実施例では、
一方の発光層が動作する際、パンチスルーしたｐｎ逆接
合から送られる多数キャリア（図６の場合電子）がパン
チスルーに要したバイアス分エネルギーが高いため、動
作発光層側ｐｎ順バイアス接合のバイアスが比較的低い
状態で少数キャリアが注入される。その結果、高エネル
ギーのキャリア（図６では電子）と反対のキャリア（図
６では正孔）がｐｎ順バイアス接合（図６（ｂ）では３
と１２の接合）の拡散電位に閉じ込められ易くなり、非
動作発光層（図６（ｂ）では４ｂ）への拡散到達がほと
んど無くなる。従って、極性による動作発光層の分離が
高くなり、図３の実施例で説明した波長多重光伝送用発
光素子とする場合に、波長間の混合（クロストーク）を
抑制することが可能となる。
【００２５】次に、半導体発光素子が半導体レーザであ
る本発明の実施例について説明する。図７（ａ）は本発
明実施例の半導体発光素子であり、図５の実施例を面型
半導体レーザに適用した例である。図の２'、６'は高濃
度ｎ型半導体多層膜であり、ここでは半導体レーザの共
振ミラーとなるよう、高屈折率層と低屈折率層を４分の
１波長毎に交互に積層している。また、１３はＳｉＯ２
などの絶縁膜である。高屈折率層と低屈折率層は、例え
ば発光波長１．１μｍのＧａＩｎＡｓＰとＩｎＰ、また
は、Ａｌ組成０．９のＡｌＧａＡｓとＧａＡｓの積層膜
を直接接着したものなど、種種の材料を用いることがで
きる。発光層４ａ、４ｂは同一波長でも異なる波長でも
良く、異なる波長とする場合には２'および６'の積層ミ
ラーの共振波長内で設定する。ここでは例として発光波
長１．１μｍのＧａＩｎＡｓＰとＩｎＰをそれぞれ５０
ペア積層して共振ミラーとし、発光層４ａ、４ｂの発光
波長を１．３μｍ、１．２８μｍとする。この結果、図
７では８を正極、７を負極とすると１．３μｍの発振波
長、７を正極、８を負極とすると１．２８μｍの発振波
長となる多波長半導体レーザとなる。
る本発明の実施例について説明する。図７（ａ）は本発
明実施例の半導体発光素子であり、図５の実施例を面型
半導体レーザに適用した例である。図の２'、６'は高濃
度ｎ型半導体多層膜であり、ここでは半導体レーザの共
振ミラーとなるよう、高屈折率層と低屈折率層を４分の
１波長毎に交互に積層している。また、１３はＳｉＯ２
などの絶縁膜である。高屈折率層と低屈折率層は、例え
ば発光波長１．１μｍのＧａＩｎＡｓＰとＩｎＰ、また
は、Ａｌ組成０．９のＡｌＧａＡｓとＧａＡｓの積層膜
を直接接着したものなど、種種の材料を用いることがで
きる。発光層４ａ、４ｂは同一波長でも異なる波長でも
良く、異なる波長とする場合には２'および６'の積層ミ
ラーの共振波長内で設定する。ここでは例として発光波
長１．１μｍのＧａＩｎＡｓＰとＩｎＰをそれぞれ５０
ペア積層して共振ミラーとし、発光層４ａ、４ｂの発光
波長を１．３μｍ、１．２８μｍとする。この結果、図
７では８を正極、７を負極とすると１．３μｍの発振波
長、７を正極、８を負極とすると１．２８μｍの発振波
長となる多波長半導体レーザとなる。
【００２６】尚、この実施例では共振ミラーを２つの発
光層に兼用しているため、波長多重の間隔を大きく取れ
ないが、１２のｎ型半導体層を積層ミラー構造とし、上
側の積層膜を発光層４ｂ用、下側の積層膜を４ａ用とす
る二重ミラー構造とすると、２つの発振波長を大きく離
すことも可能である。このとき、４ｂの発光層で４ａの
発光層による光の吸収を少なくするため、４ｂ側を短
く、例えば１．２μｍ、４ａ側を１．３μｍとすること
で、下側発光層の光吸収損失を低減できる。
光層に兼用しているため、波長多重の間隔を大きく取れ
ないが、１２のｎ型半導体層を積層ミラー構造とし、上
側の積層膜を発光層４ｂ用、下側の積層膜を４ａ用とす
る二重ミラー構造とすると、２つの発振波長を大きく離
すことも可能である。このとき、４ｂの発光層で４ａの
発光層による光の吸収を少なくするため、４ｂ側を短
く、例えば１．２μｍ、４ａ側を１．３μｍとすること
で、下側発光層の光吸収損失を低減できる。
【００２７】図７（ｂ）は、図７（ａ）の本発明実施例
の双方向半導体発光素子に合わせた受光素子の例であ
り、波長多重受信を可能とするため２つの吸収層を備え
た素子の例を示す。１４はｎ型ＩｎＰ基板、１５は１．
３μｍ組成ＧａＩｎＡｓＰ（アンドープ、厚さ２μ
ｍ）、１６はｐ型ＩｎＰ（厚さ０．５μｍ）、１７はｎ
型ＩｎＰ（厚さ０．５μｍ）、１８は１．２μｍ組成Ｇ
ａＩｎＡｓＰ（アンドープ、厚さ２μｍ）、１９はｐ型
ＩｎＰ（厚さ０．５μｍ）、２０、２１、２２は夫々電
極金属であり、２１の電極は１６と１７の両方の半導体
層に接続されている。この受光素子は１．２μｍ以下の
波長の光が１８、１８の吸収波長より長く１．３μｍ以
下の波長の光が１５で夫々光吸収される。１５、１８の
半導体層の上下に多層膜フィルタを構成して、更に波長
選択性を高めることも可能である。この素子と図７
（ａ）の実施例を用いた光伝送装置の例を図８に示す。
の双方向半導体発光素子に合わせた受光素子の例であ
り、波長多重受信を可能とするため２つの吸収層を備え
た素子の例を示す。１４はｎ型ＩｎＰ基板、１５は１．
３μｍ組成ＧａＩｎＡｓＰ（アンドープ、厚さ２μ
ｍ）、１６はｐ型ＩｎＰ（厚さ０．５μｍ）、１７はｎ
型ＩｎＰ（厚さ０．５μｍ）、１８は１．２μｍ組成Ｇ
ａＩｎＡｓＰ（アンドープ、厚さ２μｍ）、１９はｐ型
ＩｎＰ（厚さ０．５μｍ）、２０、２１、２２は夫々電
極金属であり、２１の電極は１６と１７の両方の半導体
層に接続されている。この受光素子は１．２μｍ以下の
波長の光が１８、１８の吸収波長より長く１．３μｍ以
下の波長の光が１５で夫々光吸収される。１５、１８の
半導体層の上下に多層膜フィルタを構成して、更に波長
選択性を高めることも可能である。この素子と図７
（ａ）の実施例を用いた光伝送装置の例を図８に示す。
【００２８】図８は、本発明実施例の光伝送装置を示す
構成図であり、２３がパルス発生源、２４が結合コンデ
ンサ、２５は波長多重型の双方向半導体発光素子で例え
ば図７（ａ）に示した素子（発光波長１．２μｍ及び
１．３μｍ）、２６は光伝送路、２７は波長多重型の受
光素子で例えば図７（ｂ）に示した素子、２８は受光素
子２７の寄生容量（交流等価回路素子）であり、２４の
コンデンサと２３のパルス信号源の内部抵抗により電気
的な微分回路が構成される。この光伝送装置はパルス信
号の微分波形を伝送することで、パルス信号全幅に渡る
信号伝送に比し大幅な消費電力の低減が可能であるが、
信号パルスの電気的な微分波形（コンデンサ２４を流れ
る電流波形）が正極と負極の尖頭波形で交互に現われ、
２５の素子で夫々波長の異なる光に変換されて２６の光
伝送路に結合される。また、２６を通じて送られた光信
号は、２７の受光素子により電気変換され、それがコン
デンサ２８により積分されて元のパルス信号が復元され
る。図７（ｂ）の受光素子は、等価回路的に図９の従来
例の３１と３２の接続と同等になり、１．２μｍの光で
充電、１．３μｍの光で放電の動作を繰り返す。
構成図であり、２３がパルス発生源、２４が結合コンデ
ンサ、２５は波長多重型の双方向半導体発光素子で例え
ば図７（ａ）に示した素子（発光波長１．２μｍ及び
１．３μｍ）、２６は光伝送路、２７は波長多重型の受
光素子で例えば図７（ｂ）に示した素子、２８は受光素
子２７の寄生容量（交流等価回路素子）であり、２４の
コンデンサと２３のパルス信号源の内部抵抗により電気
的な微分回路が構成される。この光伝送装置はパルス信
号の微分波形を伝送することで、パルス信号全幅に渡る
信号伝送に比し大幅な消費電力の低減が可能であるが、
信号パルスの電気的な微分波形（コンデンサ２４を流れ
る電流波形）が正極と負極の尖頭波形で交互に現われ、
２５の素子で夫々波長の異なる光に変換されて２６の光
伝送路に結合される。また、２６を通じて送られた光信
号は、２７の受光素子により電気変換され、それがコン
デンサ２８により積分されて元のパルス信号が復元され
る。図７（ｂ）の受光素子は、等価回路的に図９の従来
例の３１と３２の接続と同等になり、１．２μｍの光で
充電、１．３μｍの光で放電の動作を繰り返す。
【００２９】この例は、図９の従来例と比較すればその
利点が一目瞭然であり、発光素子、受光素子、光伝送路
が夫々１つで従来装置と同等の機能をし、また、光経路
が１つだけであるため光軸調整も１伝送路分だけで良
い。このため、従来例に比し、大幅なコスト低減と実装
密度の向上が可能となる。
利点が一目瞭然であり、発光素子、受光素子、光伝送路
が夫々１つで従来装置と同等の機能をし、また、光経路
が１つだけであるため光軸調整も１伝送路分だけで良
い。このため、従来例に比し、大幅なコスト低減と実装
密度の向上が可能となる。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば正負
いずれの極性でも通電発光可能な双方向半導体発光素子
が得られ、複数の素子や外部回路を用いずに交流発光源
が構成できる。また、基本的に交流電気信号を整流、バ
イアス印加等の操作なしで光に変換でき、従来素子で実
現できなかった新規な光応用システムが実現可能となる
という効果を奏する。
いずれの極性でも通電発光可能な双方向半導体発光素子
が得られ、複数の素子や外部回路を用いずに交流発光源
が構成できる。また、基本的に交流電気信号を整流、バ
イアス印加等の操作なしで光に変換でき、従来素子で実
現できなかった新規な光応用システムが実現可能となる
という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明実施例の双方向半導体発光素子の概略
構成図。
構成図。
【図２】 本発明実施例の双方向半導体発光素子のエネ
ルギーバンド図。
ルギーバンド図。
【図３】 本発明実施例の双方向半導体発光素子の概略
構成図。
構成図。
【図４】 本発明実施例の双方向半導体発光素子のエネ
ルギーバンド図。
ルギーバンド図。
【図５】 本発明実施例の双方向半導体発光素子の概略
構成図。
構成図。
【図６】 本発明実施例の双方向半導体発光素子のエネ
ルギーバンド図。
ルギーバンド図。
【図７】（ａ）本発明実施例の双方向半導体発光素子の
概略構成図、（ｂ）本発明実施例の光伝送装置に用いる
受光素子の概略構成図。
概略構成図、（ｂ）本発明実施例の光伝送装置に用いる
受光素子の概略構成図。
【図８】 本発明実施例の光伝送装置の概略構成図。
【図９】 従来の光伝送装置の概略構成図。
１ ｎ型半導体基板 ２ 高濃度ｎ型半導体層 ３ 高濃度ｐ型半導体層 ４ 発光層 ５ 高濃度ｐ型半導体層 ６ 高濃度ｎ型半導体層 ７、８ 電極 ９ 電子 １０ 正孔 １１ ｐ型半導体層 １２ ｎ型半導体層 １３ 絶縁膜 １４ ｎ型半導体基板 １５、１８ 光吸収層 １６、１９ ｐ型半導体層 １７ ｎ型半導体層 ２０、２１，２２ 電極 ２３ パルス信号源 ２４ 結合コンデンサ ２５ 双方向半導体発光素子 ２６ 光伝送路 ２７ 波長多重受光素子 ２８、３３ 等価容量 ２９、３０ 発光素子 ３１、３２ 受光素子
Claims (6)
- 【請求項１】 ｎｐｎ接合（又はｐｎｐ接合）中に少な
くとも一層の半導体発光層を含み、前記ｎｐｎ接合の各
ｎ型半導体（又は前記ｐｎｐ接合の各ｐ型半導体）に電
極を有するダイオード素子であり、前記ｎｐｎ接合（ま
たは前記ｐｎｐ接合）の各ｐｎ接合が逆バイアス時にバ
ンド間トンネル電流を生じる如く不純物濃度を設定し、
前記ダイオード素子への印加電圧極性が正負いずれの場
合も通電発光が可能となる事を特徴とする双方向半導体
発光素子。 - 【請求項２】 ｎｐｎｐｎ接合（又はｐｎｐｎｐ接合）
中に少なくとも一層の半導体発光層を含み、前記ｎｐｎ
ｐｎ接合の外側の各ｎ型半導体（又は前記ｐｎｐｎｐ接
合の外側の各ｐ型半導体）に電極を有するダイオード素
子であり、該ダイオード素子のバイアス電圧印加時に前
記ｎｐｎｐｎ接合（または前記ｐｎｐｎｐ接合）の２つ
のｐｎ逆バイアス接合の一方にバンド間トンネル電流を
生じるとともに他方のｐｎ逆バイアス接合がパンチスル
ーする如く不純物濃度を設定し、前記ダイオード素子へ
の印加電圧極性が正負いずれの場合も通電発光が可能と
なる事を特徴とする双方向半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記トンネル電流を生じるｐｎ接合は、
熱平衡状態でｎ側伝導帯とｐ側価電子帯のエネルギー差
が１００ｍｅＶ以上である事を特徴とする請求項１又は
請求項２記載の双方向半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記半導体発光層が２層であり、それぞ
れの半導体発光層の発光波長が異なる事を特徴とする請
求項１又は請求項２又は請求項３記載の双方向半導体発
光素子。 - 【請求項５】 前記ダイオード素子の印加電圧極性によ
り、発光波長が異なる事を特徴とする請求項４記載の双
方向半導体発光素子。 - 【請求項６】 双方向通電発光が可能且つ通電極性によ
り発光波長の異なる双方向半導体発光素子に電気入力信
号の微分波形を印加し、該双方向半導体発光素子の出力
光を伝送することにより信号伝送を行う事を特徴とする
光伝送装置。
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|---|---|---|---|
| JP20906299A JP4024431B2 (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | 双方向半導体発光素子及び光伝送装置 |
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| JP4024431B2 JP4024431B2 (ja) | 2007-12-19 |
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- 1999-07-23 JP JP20906299A patent/JP4024431B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2000
- 2000-07-21 US US09/621,482 patent/US6365911B1/en not_active Expired - Fee Related
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