JP2001035578A - 電子回路装置のテスト用ソケット及びその製造方法 - Google Patents
電子回路装置のテスト用ソケット及びその製造方法Info
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- JP2001035578A JP2001035578A JP11290825A JP29082599A JP2001035578A JP 2001035578 A JP2001035578 A JP 2001035578A JP 11290825 A JP11290825 A JP 11290825A JP 29082599 A JP29082599 A JP 29082599A JP 2001035578 A JP2001035578 A JP 2001035578A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣ等のテスト用ソケットで、ＩＣリードと
電気的接触をするコンタクトピンにＩＣリードからの半
田が転移し、コンタクト特性が劣化するのを防止する。 【解決手段】 コンタクトピンがリードに接触する面を
曲面に形成するとともに、金メッキされたベリリウム銅
などのコンタクトピン母材の表面に、ニッケルまたはチ
タンのスパッタをし、次にタングステン、クロムまたは
チタンのスパッタをして薄膜を被覆する。あるいは、金
メッキをしていないベリリウム銅のコンタクトピン母材
の表面に、ニッケルまたはチタンのスパッタをし、次に
タングステン、クロムまたはチタンのスパッタをして薄
膜で被覆する。
電気的接触をするコンタクトピンにＩＣリードからの半
田が転移し、コンタクト特性が劣化するのを防止する。 【解決手段】 コンタクトピンがリードに接触する面を
曲面に形成するとともに、金メッキされたベリリウム銅
などのコンタクトピン母材の表面に、ニッケルまたはチ
タンのスパッタをし、次にタングステン、クロムまたは
チタンのスパッタをして薄膜を被覆する。あるいは、金
メッキをしていないベリリウム銅のコンタクトピン母材
の表面に、ニッケルまたはチタンのスパッタをし、次に
タングステン、クロムまたはチタンのスパッタをして薄
膜で被覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路
（以下、適宜ＩＣと略称する）をテストする際に使用す
るテスト用ソケットに関するもので、特にソケットに内
蔵されＩＣの各リードにコンタクトするコンタクトピン
とその製造方法に関するものである。
（以下、適宜ＩＣと略称する）をテストする際に使用す
るテスト用ソケットに関するもので、特にソケットに内
蔵されＩＣの各リードにコンタクトするコンタクトピン
とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５〜図８は、半導体集積回路（以下、
適宜ＩＣと略称する）などをテストするときの従来のテ
スト用ソケットのコンタクトピンについて説明するため
の図であり、図５はコンタクトピンの先端部の構造を示
す斜視図、図６及び図７はＩＣリードとコンタクトピン
の接触状態を示す断面図、図８は従来のコンタクトピン
の材質構造を説明するためのコンタクトピン先端部の断
面構造図である。図５に示すように、従来のコンタクト
ピン３０は、全体にバネアクションを有する基体部３１
の先端に平坦な接触面３３を有する接触部３２を備えて
構成されている。
適宜ＩＣと略称する）などをテストするときの従来のテ
スト用ソケットのコンタクトピンについて説明するため
の図であり、図５はコンタクトピンの先端部の構造を示
す斜視図、図６及び図７はＩＣリードとコンタクトピン
の接触状態を示す断面図、図８は従来のコンタクトピン
の材質構造を説明するためのコンタクトピン先端部の断
面構造図である。図５に示すように、従来のコンタクト
ピン３０は、全体にバネアクションを有する基体部３１
の先端に平坦な接触面３３を有する接触部３２を備えて
構成されている。
【０００３】そして図６に示すように、このコンタクト
ピン３０の接触面３３をＩＣ１５のリード１６に接触さ
せて電気的コンタクトをとり、ＩＣのテストが行われ
る。ＩＣのテスト、特にファイナルテストをする場合に
は、ＩＣのリード、所謂、足はプリント基板への実装
上、半田メッキされている場合が多い。このようなＩＣ
のリードにソケットコンタクトのピンを当てて電気的接
続を成して電気的特性テストをしＩＣの良否判定をす
る。このようなＩＣテストを繰り返すうちに、図７に示
すように、ＩＣリード１６の半田くず１７がコンタクト
ピン表面にくず（屑）として貯まり、その上にリード１
６がコンタクトするという形態になり、その結果、接触
抵抗のバラツキおよび増大という問題を生じている。
ピン３０の接触面３３をＩＣ１５のリード１６に接触さ
せて電気的コンタクトをとり、ＩＣのテストが行われ
る。ＩＣのテスト、特にファイナルテストをする場合に
は、ＩＣのリード、所謂、足はプリント基板への実装
上、半田メッキされている場合が多い。このようなＩＣ
のリードにソケットコンタクトのピンを当てて電気的接
続を成して電気的特性テストをしＩＣの良否判定をす
る。このようなＩＣテストを繰り返すうちに、図７に示
すように、ＩＣリード１６の半田くず１７がコンタクト
ピン表面にくず（屑）として貯まり、その上にリード１
６がコンタクトするという形態になり、その結果、接触
抵抗のバラツキおよび増大という問題を生じている。
【０００４】図８は従来のコンタクトピンの材料構造を
示す断面図である。図８において、２１はべリリュウム
銅によるピンのバネ母材、２２は数μm厚のニッケル下
地メッキ（ニッケルの薄膜）、２３は、0．2−0．3μm
厚の金メッキ（金の薄膜）を示している。この時のソケ
ットコンタクトピンは、電気的抵抗値が低いこと、低高
温下で酸化して絶縁抵抗を持たないこと等の為に、バネ
性を持つべリリウム銅のコンタクト母材２１の上にニッ
ケルメッキした後、金メッキをした物がほとんどであ
る。金メッキは、種々の環境下でも電気的抵抗値が低い
こと、低高温下で酸化して絶縁抵抗を持たないこと等の
特徴を持つ一方、ＩＣのリードメッキの半田成分の錫や
鉛と容易に酸化物を生成し易く（所謂、半田の転移現象
を発生し易く）、特に、鉛の酸化物によって電気的な接
触抵抗の増大、経時変化的には接続不良と言うコンタク
ト不良を発生させる欠点を持つ。特殊な用途として金メ
ッキ以外のもの（ニッケルメッキ、錫メッキ、銀メッ
キ、ロジユームメッキ等）があるが、いずれも以下のよ
うな課題は共通して有している。
示す断面図である。図８において、２１はべリリュウム
銅によるピンのバネ母材、２２は数μm厚のニッケル下
地メッキ（ニッケルの薄膜）、２３は、0．2−0．3μm
厚の金メッキ（金の薄膜）を示している。この時のソケ
ットコンタクトピンは、電気的抵抗値が低いこと、低高
温下で酸化して絶縁抵抗を持たないこと等の為に、バネ
性を持つべリリウム銅のコンタクト母材２１の上にニッ
ケルメッキした後、金メッキをした物がほとんどであ
る。金メッキは、種々の環境下でも電気的抵抗値が低い
こと、低高温下で酸化して絶縁抵抗を持たないこと等の
特徴を持つ一方、ＩＣのリードメッキの半田成分の錫や
鉛と容易に酸化物を生成し易く（所謂、半田の転移現象
を発生し易く）、特に、鉛の酸化物によって電気的な接
触抵抗の増大、経時変化的には接続不良と言うコンタク
ト不良を発生させる欠点を持つ。特殊な用途として金メ
ッキ以外のもの（ニッケルメッキ、錫メッキ、銀メッ
キ、ロジユームメッキ等）があるが、いずれも以下のよ
うな課題は共通して有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
コンタクトピンは、ＩＣリード等との接触面が一般に水
平の平面として形成され使用されるため、ＩＣリードの
半田屑がコンタクトピンの接触面に堆積しやすかった。
さらに、従来のコンタクトピンの表面は金メッキであっ
た為、ＩＣのリードの半田メッキがコンタクトピン表面
に「半田の転移」を起こす現象が発生し易く、これが接
触抵抗値を上昇させ、又は、接続不良を発生させ、正し
いＩＣの電気的特性テストを阻害していた。その結果、
歩留を低下させたり、「半田転移」した錫、鉛の酸化物
を除去するために、「洗浄」、「研磨」の各作業を行う
必要が生じ、生産性を低下させ、無駄な費用を発生させ
ていた。
コンタクトピンは、ＩＣリード等との接触面が一般に水
平の平面として形成され使用されるため、ＩＣリードの
半田屑がコンタクトピンの接触面に堆積しやすかった。
さらに、従来のコンタクトピンの表面は金メッキであっ
た為、ＩＣのリードの半田メッキがコンタクトピン表面
に「半田の転移」を起こす現象が発生し易く、これが接
触抵抗値を上昇させ、又は、接続不良を発生させ、正し
いＩＣの電気的特性テストを阻害していた。その結果、
歩留を低下させたり、「半田転移」した錫、鉛の酸化物
を除去するために、「洗浄」、「研磨」の各作業を行う
必要が生じ、生産性を低下させ、無駄な費用を発生させ
ていた。
【０００６】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、コンタクトピンの表面にＩＣの
半田メッキが「半田の転移」をしてコンタクト不良等を
生じるという問題を発生させないようにしたコンタクト
ピンを得ること、また、そのようなコンタクトピンを備
えたテスト用ソケットとその製造方法を得ることを目的
としている。
ためになされたもので、コンタクトピンの表面にＩＣの
半田メッキが「半田の転移」をしてコンタクト不良等を
生じるという問題を発生させないようにしたコンタクト
ピンを得ること、また、そのようなコンタクトピンを備
えたテスト用ソケットとその製造方法を得ることを目的
としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
る電子回路装置のテスト用ソケットは、電子回路装置の
リードに電気的接触をさせるコンタクトピンを備えたテ
スト用ソケットにおいて、上記コンタクトピンの上記リ
ードとの接触面を曲面状に形成したことを特徴とするも
のである。
る電子回路装置のテスト用ソケットは、電子回路装置の
リードに電気的接触をさせるコンタクトピンを備えたテ
スト用ソケットにおいて、上記コンタクトピンの上記リ
ードとの接触面を曲面状に形成したことを特徴とするも
のである。
【０００８】また、請求項２にかかる電子回路装置のテ
スト用ソケットは、請求項１に記載のものにおいて、上
記コンタクトピンを、コンタクトピン母材の表面に金の
薄膜を被覆し、この金の薄膜の上にニッケルまたはチタ
ンの薄膜を被覆し、このニッケルまたはチタンの薄膜の
上にタングステン、クロムまたはチタンの薄膜を被覆し
て形成したことを特徴とするものである。
スト用ソケットは、請求項１に記載のものにおいて、上
記コンタクトピンを、コンタクトピン母材の表面に金の
薄膜を被覆し、この金の薄膜の上にニッケルまたはチタ
ンの薄膜を被覆し、このニッケルまたはチタンの薄膜の
上にタングステン、クロムまたはチタンの薄膜を被覆し
て形成したことを特徴とするものである。
【０００９】また、請求項３にかかる電子回路装置のテ
スト用ソケットは、請求項１に記載のものにおいて、上
記コンタクトピンを、ベリリウム銅、リン青銅又はバネ
鋼の母材の上に、ニッケルまたはチタンの薄膜を被覆
し、このニッケルまたはチタンの薄膜の上にタングステ
ン、クロムまたはチタンの薄膜を被覆して形成したこと
を特徴とするものである。
スト用ソケットは、請求項１に記載のものにおいて、上
記コンタクトピンを、ベリリウム銅、リン青銅又はバネ
鋼の母材の上に、ニッケルまたはチタンの薄膜を被覆
し、このニッケルまたはチタンの薄膜の上にタングステ
ン、クロムまたはチタンの薄膜を被覆して形成したこと
を特徴とするものである。
【００１０】また、請求項４にかかる電子回路装置のテ
スト用ソケットの製造方法は、電子回路装置のリードに
電気的接触をさせるコンタクトピンを備えた電子回路装
置のテスト用ソケットの製造において、コンタクトピン
の母材の先端を曲面に形成するとともに表面に金の薄膜
を被覆し、この金の薄膜の上をスパッタによりニッケル
またはチタンの薄膜で被覆し、さらにこのニッケルまた
はチタンの薄膜の上をスパッタによりタングステン、ク
ロムまたはチタンの薄膜で被覆してコンタクトピンを形
成することを特徴とするものである。
スト用ソケットの製造方法は、電子回路装置のリードに
電気的接触をさせるコンタクトピンを備えた電子回路装
置のテスト用ソケットの製造において、コンタクトピン
の母材の先端を曲面に形成するとともに表面に金の薄膜
を被覆し、この金の薄膜の上をスパッタによりニッケル
またはチタンの薄膜で被覆し、さらにこのニッケルまた
はチタンの薄膜の上をスパッタによりタングステン、ク
ロムまたはチタンの薄膜で被覆してコンタクトピンを形
成することを特徴とするものである。
【００１１】また、請求項５にかかる電子回路装置のテ
スト用ソケットの製造方法は、電子回路装置のリードに
電気的接触をさせるコンタクトピンを備えた電子回路装
置のテスト用ソケットの製造において、ベリリウム銅、
リン青銅又はバネ鋼のコンタクトピン母材の先端を曲面
に形成するとともに表面をスパッタによりニッケルまた
はチタンの薄膜で被覆し、さらにこのニッケルまたはチ
タンの薄膜の上をスパッタによりタングステン、クロム
またはチタンの薄膜で被覆してコンタクトピンを形成す
ることを特徴とするものである。
スト用ソケットの製造方法は、電子回路装置のリードに
電気的接触をさせるコンタクトピンを備えた電子回路装
置のテスト用ソケットの製造において、ベリリウム銅、
リン青銅又はバネ鋼のコンタクトピン母材の先端を曲面
に形成するとともに表面をスパッタによりニッケルまた
はチタンの薄膜で被覆し、さらにこのニッケルまたはチ
タンの薄膜の上をスパッタによりタングステン、クロム
またはチタンの薄膜で被覆してコンタクトピンを形成す
ることを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１〜図４は、本
発明の実施の形態１による電子回路装置のテスト用ソケ
ットのコンタクトピンについて説明するための図であ
り、図１はこの実施の形態によるコンタクトピンの先端
部分の構造の一例を示す斜視図、図２はＩＣリード等と
の接触状態を示す断面図、図３及び図４はコンタクトピ
ンの材料構造を示す断面図である。
発明の実施の形態１による電子回路装置のテスト用ソケ
ットのコンタクトピンについて説明するための図であ
り、図１はこの実施の形態によるコンタクトピンの先端
部分の構造の一例を示す斜視図、図２はＩＣリード等と
の接触状態を示す断面図、図３及び図４はコンタクトピ
ンの材料構造を示す断面図である。
【００１３】図１に示すように、この実施の形態のコン
タクトピン１０は、全体にバネアクションを有する基体
部１１の先端部１２に曲面の接触面１３を有する接触部
１４を備えて構成されている。接触部１４の接触面１３
の付近は、例えば曲率半径０．１μｍの円筒の表面のよ
うに形成されており、その基部はやや末広がりになって
先端部１２に固定されている。
タクトピン１０は、全体にバネアクションを有する基体
部１１の先端部１２に曲面の接触面１３を有する接触部
１４を備えて構成されている。接触部１４の接触面１３
の付近は、例えば曲率半径０．１μｍの円筒の表面のよ
うに形成されており、その基部はやや末広がりになって
先端部１２に固定されている。
【００１４】ＩＣリード等の接触は、図２に示すよう
に、接触部１４の接触面１３がＩＣ１５のリード１６な
どに線状に接触し電気的コンタクトを形成する。この
際、ＩＣリード１６の半田くず１７がコンタクトピン表
面に転移しても、接触部１４の接触面１３からは振るい
落とされ、先端部１２の平面部分に落ちることになる。
このように、接触面１３とＩＣリード１６との接触によ
って接触面１３はセルフクリーニング状態となり、接触
面１３は常に清浄に保たれ低抵抗の電気的コンタクトが
維持される。
に、接触部１４の接触面１３がＩＣ１５のリード１６な
どに線状に接触し電気的コンタクトを形成する。この
際、ＩＣリード１６の半田くず１７がコンタクトピン表
面に転移しても、接触部１４の接触面１３からは振るい
落とされ、先端部１２の平面部分に落ちることになる。
このように、接触面１３とＩＣリード１６との接触によ
って接触面１３はセルフクリーニング状態となり、接触
面１３は常に清浄に保たれ低抵抗の電気的コンタクトが
維持される。
【００１５】さらに、この実施の形態のコンタクトピン
の材料構造の一例は、図３に示すように構成される。図
３において、２１はベリリウム銅、リン青銅又はバネ鋼
によるピンのバネ母材（コンタクトピン母材）、２２は
ニッケルメッキの薄膜、２３は金メッキの薄膜、２４は
スパッタされたニッケルの薄膜、２５はスパッタされた
タングステンの薄膜を示す。
の材料構造の一例は、図３に示すように構成される。図
３において、２１はベリリウム銅、リン青銅又はバネ鋼
によるピンのバネ母材（コンタクトピン母材）、２２は
ニッケルメッキの薄膜、２３は金メッキの薄膜、２４は
スパッタされたニッケルの薄膜、２５はスパッタされた
タングステンの薄膜を示す。
【００１６】このコンタクトピンは、べリリュウム銅な
どのバネ母材２１の上を、ニッケルメッキの薄膜２２及
び金メッキの薄膜２３で被覆している点は従来のものと
同様であるが、その上にさらに、ニッケルをスパッタ
し、さらにその上にタングステンをスパッタして形成さ
れている。
どのバネ母材２１の上を、ニッケルメッキの薄膜２２及
び金メッキの薄膜２３で被覆している点は従来のものと
同様であるが、その上にさらに、ニッケルをスパッタ
し、さらにその上にタングステンをスパッタして形成さ
れている。
【００１７】この場合、ニッケルの薄膜２４は、密着
性、固着力、干渉性の向上を図る観点からスパッタされ
たもので、その外の物としては、チタン、クロム等でも
良い。又、半田転移しない最上層の金属としてはタング
ステンの他、クロム、チタンなどでも良い。また、この
実施の形態では、各々の薄膜の厚みは、ニッケル等の下
地薄膜２４を0．5μm、その上のタングステンの薄膜２
５を1μmに、経済性等の観点から選んでいる。
性、固着力、干渉性の向上を図る観点からスパッタされ
たもので、その外の物としては、チタン、クロム等でも
良い。又、半田転移しない最上層の金属としてはタング
ステンの他、クロム、チタンなどでも良い。また、この
実施の形態では、各々の薄膜の厚みは、ニッケル等の下
地薄膜２４を0．5μm、その上のタングステンの薄膜２
５を1μmに、経済性等の観点から選んでいる。
【００１８】又、最上層をタングステン、その下地をニ
ッケルに選ぶのは、これらが特に酸化し難いこと、ま
た、ある程度耐摩耗性があること、さらには下記のよう
に電気抵抗が小さいことである。 体積抵抗率 クロム（比較例） 17 ×１０-8 Ω・m ニッケル 7．2×１０-8 Ω・m タングステン 5．5×１０-8 Ω・m なお、アルミニウムは、体積抵抗率は、2．7×１０-8
Ω・mと小さいが、酸化し易いので除外している。
ッケルに選ぶのは、これらが特に酸化し難いこと、ま
た、ある程度耐摩耗性があること、さらには下記のよう
に電気抵抗が小さいことである。 体積抵抗率 クロム（比較例） 17 ×１０-8 Ω・m ニッケル 7．2×１０-8 Ω・m タングステン 5．5×１０-8 Ω・m なお、アルミニウムは、体積抵抗率は、2．7×１０-8
Ω・mと小さいが、酸化し易いので除外している。
【００１９】以上の例では、ピン表面へのニッケル及び
タングステンの金属薄膜の形成を「スパッタ法」で行う
ように説明したが、その外にも、物理的薄膜形成法（PV
D）として、真空蒸着法、イオンプレーティング法等が
あるが、固着力や経済性を配慮して「スパッタ法」を最
適な方法として用いている。
タングステンの金属薄膜の形成を「スパッタ法」で行う
ように説明したが、その外にも、物理的薄膜形成法（PV
D）として、真空蒸着法、イオンプレーティング法等が
あるが、固着力や経済性を配慮して「スパッタ法」を最
適な方法として用いている。
【００２０】そして、コンタクトピンは一般的には、打
抜き治具によるプレス加工で製作するが、その時のピン
の表面には剪断面と破断面が出来る。通常、半田の付着
はデコボコした破断面から発生し始める為、コンタクト
ピン、また特にその接触部１４を「シェービング加
工」、「フラスト処理」、「放電加工処理」、「ワイヤ
ーカット加工」等により、より表面が滑らかで、剪断面
のようなデコボコの少ない表面のみにするほうがより効
果が期待出来る。
抜き治具によるプレス加工で製作するが、その時のピン
の表面には剪断面と破断面が出来る。通常、半田の付着
はデコボコした破断面から発生し始める為、コンタクト
ピン、また特にその接触部１４を「シェービング加
工」、「フラスト処理」、「放電加工処理」、「ワイヤ
ーカット加工」等により、より表面が滑らかで、剪断面
のようなデコボコの少ない表面のみにするほうがより効
果が期待出来る。
【００２１】以上のように、この実施の形態では、コン
タクトピンがＩＣリードに接触する接触面付近を曲面に
形状するとともに、その最表面をタングステン薄膜で形
成することにより、物理的あるいは形状的な面からの半
田成分の付着を防止するとともに、ＩＣリードからの半
田成分の転移を材質面からも防止することにより、半田
成分の堆積を防止し、良好な電気的コンタクトを実現す
るものである。
タクトピンがＩＣリードに接触する接触面付近を曲面に
形状するとともに、その最表面をタングステン薄膜で形
成することにより、物理的あるいは形状的な面からの半
田成分の付着を防止するとともに、ＩＣリードからの半
田成分の転移を材質面からも防止することにより、半田
成分の堆積を防止し、良好な電気的コンタクトを実現す
るものである。
【００２２】実施の形態２．図４は本発明の実施の形態
２によるテスト用ソケットのコンタクトピンの材質構造
を示す断面図である。図４において、２１はベリリウム
銅、リン青銅又はバネ鋼のバネ母材（コンタクトピン母
材）、２4はスパッタされたニッケルの薄膜、２５はス
パッタされたのタングステンの薄膜を示す。
２によるテスト用ソケットのコンタクトピンの材質構造
を示す断面図である。図４において、２１はベリリウム
銅、リン青銅又はバネ鋼のバネ母材（コンタクトピン母
材）、２4はスパッタされたニッケルの薄膜、２５はス
パッタされたのタングステンの薄膜を示す。
【００２３】このコンタクトピンは、べリリュウム銅な
どのバネ母材２１の上に、チタンをスパッタし、さらに
その上にタングステンをスパッタして形成されている。
この例では、べリリュウム銅のバネ母材２１の上にニッ
ケルメッキ及び金メッキが施された従来のコンタクトピ
ンを用いるのではなく、べリリュウム銅などのバネ母材
２１から出発し、その表面に先ずニッケルを、次にその
上にタングステンをスパッタしたものである。
どのバネ母材２１の上に、チタンをスパッタし、さらに
その上にタングステンをスパッタして形成されている。
この例では、べリリュウム銅のバネ母材２１の上にニッ
ケルメッキ及び金メッキが施された従来のコンタクトピ
ンを用いるのではなく、べリリュウム銅などのバネ母材
２１から出発し、その表面に先ずニッケルを、次にその
上にタングステンをスパッタしたものである。
【００２４】実施の形態１と同様に、この場合のニッケ
ルは、密着性、固着力、干渉性の観点からスパッタした
もので、その外の物としては、チタン、クロム等でも良
い。又、半田転移しない最上層の金属としてはタングス
テンの他、クロム、チタンなどでも良い。今回の各々の
厚みは、ニッケル等の下地薄膜２４を0．5μm、その上
のタングステンの薄膜２５を1μmに経済性等の観点から
選んでいる。又、最上層をタングステンに選らんだのは
酸化し難いこと、ある程度耐摩耗性がある事と電気抵抗
が小さいことである。その他、実施の形態１で説明した
ことは、この実施の形態２でも同様であるが、簡略のた
め重複した説明は省略する。
ルは、密着性、固着力、干渉性の観点からスパッタした
もので、その外の物としては、チタン、クロム等でも良
い。又、半田転移しない最上層の金属としてはタングス
テンの他、クロム、チタンなどでも良い。今回の各々の
厚みは、ニッケル等の下地薄膜２４を0．5μm、その上
のタングステンの薄膜２５を1μmに経済性等の観点から
選んでいる。又、最上層をタングステンに選らんだのは
酸化し難いこと、ある程度耐摩耗性がある事と電気抵抗
が小さいことである。その他、実施の形態１で説明した
ことは、この実施の形態２でも同様であるが、簡略のた
め重複した説明は省略する。
【００２５】この実施の形態においても、コンタクトピ
ンの接触部の接触面を曲面に形成し、かつその最表面を
タングステン薄膜で形成することにより、ＩＣリードか
ら半田成分が転移した場合にこれを振るい落とすととも
に、ＩＣリードからの半田成分の転移を材質面から減ら
すようにして、良好な電気的コンタクトを維持するもの
である。
ンの接触部の接触面を曲面に形成し、かつその最表面を
タングステン薄膜で形成することにより、ＩＣリードか
ら半田成分が転移した場合にこれを振るい落とすととも
に、ＩＣリードからの半田成分の転移を材質面から減ら
すようにして、良好な電気的コンタクトを維持するもの
である。
【００２６】以上説明したように、この発明の実施の形
態１及び２における、ソケットコンタクトピンの接触部
の形状は、凸条の曲面に形成し、半田屑が落下しやすい
ように形成されている。一例としては、円筒表面の一部
のような形状として説明した。しかし、接触部の表面形
状はこれに限られるものではなく、接触面が平面でなく
接触位置の付近が傾斜を有しており、半田屑が残留せず
に落下するような凸状の形状であればその効果がある。
態１及び２における、ソケットコンタクトピンの接触部
の形状は、凸条の曲面に形成し、半田屑が落下しやすい
ように形成されている。一例としては、円筒表面の一部
のような形状として説明した。しかし、接触部の表面形
状はこれに限られるものではなく、接触面が平面でなく
接触位置の付近が傾斜を有しており、半田屑が残留せず
に落下するような凸状の形状であればその効果がある。
【００２７】また、以上説明したように、この発明の実
施の形態１及び２における、ソケットコンタクトピンの
表面の最上層は、半田の着き難い導電性の良い金属、例
えば、タングステン、クロム、チタン等を「スパッタ
法」で付けて、コンタクト不良を防ぎ、複雑な作業も不
要にするようにしたものである。
施の形態１及び２における、ソケットコンタクトピンの
表面の最上層は、半田の着き難い導電性の良い金属、例
えば、タングステン、クロム、チタン等を「スパッタ
法」で付けて、コンタクト不良を防ぎ、複雑な作業も不
要にするようにしたものである。
【００２８】従来の場合では、経時変化的に金メッキの
ピン表面に「半田の転移」によって徐々に接触抵抗が大
きくなり、最終的に接続不良になっていたが、この発明
においては、ピン表面を半田の付かないタングステン等
をスパッタ法によって付けたためにＩＣリードの半田メ
ッキが「転移」することなく何時までもＩＣのリードの
半田メッキとピンのタングステンとの間で良好な電気抵
抗が得られる。
ピン表面に「半田の転移」によって徐々に接触抵抗が大
きくなり、最終的に接続不良になっていたが、この発明
においては、ピン表面を半田の付かないタングステン等
をスパッタ法によって付けたためにＩＣリードの半田メ
ッキが「転移」することなく何時までもＩＣのリードの
半田メッキとピンのタングステンとの間で良好な電気抵
抗が得られる。
【００２９】なお、以上の説明では、ＩＣをテストする
ソケットピンを例にとり説明したが、プリント基板の半
田接続された電気的接続間をテストするインサーキット
テスター用のポゴピンに適用しても同様の効果が得られ
ることは明らかである。また、この発明は、その他の電
子回路装置のテストなどのために、そのリードに対して
電気的コンタクトをとる装置全般に応用できるものであ
る。
ソケットピンを例にとり説明したが、プリント基板の半
田接続された電気的接続間をテストするインサーキット
テスター用のポゴピンに適用しても同様の効果が得られ
ることは明らかである。また、この発明は、その他の電
子回路装置のテストなどのために、そのリードに対して
電気的コンタクトをとる装置全般に応用できるものであ
る。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ＩＣ
等のテスト用ソケットのコンタクトピン表面に、「半田
の転移」によって半田異物が堆積して接触抵抗が大きく
なったり、接続不良になったりしないので、ピンの「洗
浄」、「研磨」作業が不要になリ、テストコストが低下
し、又、接触抵抗値が大きくならないのでテスト時のテ
スト波形が整形され、電圧ドロップも無く歩留も向上す
る。
等のテスト用ソケットのコンタクトピン表面に、「半田
の転移」によって半田異物が堆積して接触抵抗が大きく
なったり、接続不良になったりしないので、ピンの「洗
浄」、「研磨」作業が不要になリ、テストコストが低下
し、又、接触抵抗値が大きくならないのでテスト時のテ
スト波形が整形され、電圧ドロップも無く歩留も向上す
る。
【図１】 本発明の実施の形態１によるコンタクトピン
の先端部分の構造の一例を示す斜視図。
の先端部分の構造の一例を示す斜視図。
【図２】 実施の形態１において、ＩＣリード等とコン
タクトピンとの接触状態を示す断面図。
タクトピンとの接触状態を示す断面図。
【図３】 実施の形態１において、コンタクトピンの材
料構造を示す断面図。
料構造を示す断面図。
【図４】 実施の形態１において、コンタクトピンの他
の材料構造を示す断面図。
の材料構造を示す断面図。
【図５】 従来のコンタクトピンの先端部の構造を示す
斜視図。
斜視図。
【図６】 従来のＩＣリードとコンタクトピンの接触状
態を示す断面図。
態を示す断面図。
【図７】 従来のＩＣリードとコンタクトピンの他の接
触状態を示す断面図。
触状態を示す断面図。
【図８】 従来のコンタクトピンの材料構造を示す断面
図。
図。
１０ コンタクトピン、 １１ コンタクトピン基体
部、 １２ コンタクトピン先端部、 １３ 接触面、
１４ 接触部、 ２１ ピン母材、 ２２ニッケル
の薄膜、 ２３ 金の薄膜、 ２４ ニッケルの薄
膜、 ２５タングステンの薄膜。
部、 １２ コンタクトピン先端部、 １３ 接触面、
１４ 接触部、 ２１ ピン母材、 ２２ニッケル
の薄膜、 ２３ 金の薄膜、 ２４ ニッケルの薄
膜、 ２５タングステンの薄膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 23/32 Ｈ０１Ｌ 23/32 Ａ
Claims (5)
- 【請求項１】 電子回路装置のリードに電気的接触をさ
せるコンタクトピンを備えたテスト用ソケットにおい
て、上記コンタクトピンの上記リードとの接触面を曲面
状に形成したことを特徴とする電子回路装置のテスト用
ソケット。 - 【請求項２】 上記コンタクトピンを、コンタクトピン
母材の表面に金の薄膜を被覆し、この金の薄膜の上にニ
ッケルまたはチタンの薄膜を被覆し、このニッケルまた
はチタンの薄膜の上にタングステン、クロムまたはチタ
ンの薄膜を被覆して形成したことを特徴とする請求項１
に記載の電子回路装置のテスト用ソケット。 - 【請求項３】 上記コンタクトピンを、ベリリウム銅、
リン青銅又はバネ鋼の母材の上に、ニッケルまたはチタ
ンの薄膜を被覆し、このニッケルまたはチタンの薄膜の
上にタングステン、クロムまたはチタンの薄膜を被覆し
て形成したことを特徴とする請求項１に記載の電子回路
装置のテスト用ソケット。 - 【請求項４】 電子回路装置のリードに電気的接触をさ
せるコンタクトピンを備えた電子回路装置のテスト用ソ
ケットの製造において、コンタクトピンの母材の先端を
曲面に形成するとともに表面に金の薄膜を被覆し、この
金の薄膜の上をスパッタによりニッケルまたはチタンの
薄膜で被覆し、さらにこのニッケルまたはチタンの薄膜
の上をスパッタによりタングステン、クロムまたはチタ
ンの薄膜で被覆してコンタクトピンを形成することを特
徴とする電子回路装置のテスト用ソケットの製造方法。 - 【請求項５】 電子回路装置のリードに電気的接触をさ
せるコンタクトピンを備えた電子回路装置のテスト用ソ
ケットの製造において、ベリリウム銅、リン青銅又はバ
ネ鋼のコンタクトピン母材の先端を曲面に形成するとと
もに表面をスパッタによりニッケルまたはチタンの薄膜
で被覆し、さらにこのニッケルまたはチタンの薄膜の上
をスパッタによりタングステン、クロムまたはチタンの
薄膜で被覆してコンタクトピンを形成することを特徴と
する電子回路装置のテスト用ソケットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11290825A JP2001035578A (ja) | 1999-05-14 | 1999-10-13 | 電子回路装置のテスト用ソケット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-134959 | 1999-05-14 | ||
| JP13495999 | 1999-05-14 | ||
| JP11290825A JP2001035578A (ja) | 1999-05-14 | 1999-10-13 | 電子回路装置のテスト用ソケット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001035578A true JP2001035578A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=26468937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11290825A Pending JP2001035578A (ja) | 1999-05-14 | 1999-10-13 | 電子回路装置のテスト用ソケット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001035578A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004767A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Micronics Japan Co Ltd | 接触子及びその製造方法 |
| WO2003005042A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Nhk Spring Co., Ltd. | Contact conducteur |
| JP2003323929A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-11-14 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 耐アーク性端子対 |
| JP2009103563A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Micronics Japan Co Ltd | 接触子及びこれを用いる電気的接続装置 |
| JP2013057677A (ja) * | 2012-10-30 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電気的接続装置 |
| WO2013054941A3 (ja) * | 2011-10-14 | 2013-06-13 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 嵌合型接続端子およびその製造方法 |
| CN113725647A (zh) * | 2020-05-26 | 2021-11-30 | 北京小米移动软件有限公司 | 电连接器和电子设备 |
-
1999
- 1999-10-13 JP JP11290825A patent/JP2001035578A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004767A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Micronics Japan Co Ltd | 接触子及びその製造方法 |
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| US7081767B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-07-25 | Nhk Spring Co., Ltd. | Electroconductive contact unit |
| JP2003323929A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-11-14 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 耐アーク性端子対 |
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| CN113725647A (zh) * | 2020-05-26 | 2021-11-30 | 北京小米移动软件有限公司 | 电连接器和电子设备 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081104 |
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