JP2001026875A

JP2001026875A - ガス処理方法

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Publication number: JP2001026875A
Application number: JP11201357A
Authority: JP
Inventors: Hayashi Otsuki; 林大槻; Yutaka Miura; 豊三浦
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-07-15
Filing date: 1999-07-15
Publication date: 2001-01-30
Anticipated expiration: 2019-07-15
Also published as: JP4401479B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理ガスラインからの処理ガスの供給を停止
した際に、処理ガスライン内に処理ガスが残存し難いガ
ス処理方法を提供すること。【解決手段】処理ガスを供給する処理ガスライン５５
と、この処理ガスライン５５と合流するとともに処理ガ
スをキャリアするキャリアガスを供給するキャリアガス
ライン５６と、被処理基板Ｗが配置され、キャリアガス
によってキャリアされた処理ガスが導入されるチャンバ
ー１１とを有するガス処理装置１００を用いて基板に対
してガス処理を行うにあたり、キャリアガスとして分子
量が３０以下のものを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ成膜等のガ
ス処理を行うガス処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程においては、被処理体で
ある半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）に配線パ
ターンを形成するために、あるいは配線間のホールを埋
め込むために、Ｗ（タングステン）、ＷＳｉ（タングス
テンシリサイド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナ
イトライド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属
あるいは金属化合物を堆積させて薄膜を形成している。

【０００３】これらの中で、ＷＳｉを成膜する際には、
処理ガスとして例えばＷＦ_６（六フッ化タングステン）
とＳｉＨ_４（シラン）またはＳｉＨ_２Ｃｌ_２（ジクロル
シラン）とが用いられる。また、キャリアガスとしてＡ
ｒが用いられている。

【０００４】ＷＳｉ膜を成膜する際には、上記処理ガス
をキャリアガスによりキャリアさせてチャンバー内に導
入し、チャンバー内のウエハを加熱することにより処理
ガスを反応させる。この際に、初期段階においてＷＦ_６
の流量を厳密に制御して所望のニュークリエーション膜
を形成することにより膜質の向上を図っており、このた
め、流量を厳密に制御することが可能なニュークリエー
ション膜用のＷＦ_６ガスラインと通常のＷＦ_６ガスライ
ンとを設けている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
ガスラインを切換えた際、従前のガスラインのバルブ下
流側部分のＷＦ_６ガス残存量が多い場合には、この残存
ガスがキャリアガスによって吸い出され、チャンバー内
には制御外の処理ガスが供給されることとなり、形成さ
れた膜が所要の膜質とならない場合が生じる。

【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、処理ガスラインからの処理ガスの供給を停止
した際に、処理ガスライン内に処理ガスが残存し難いガ
ス処理方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、処理ガスを供給する処理ガスラインと、
この処理ガスラインと合流するとともに処理ガスをキャ
リアするキャリアガスを供給するキャリアガスライン
と、被処理基板が配置され、キャリアガスによってキャ
リアされた処理ガスが導入されるチャンバーとを有する
ガス処理装置を用いて基板に対してガス処理を行うにあ
たり、前記キャリアガスとして分子量が３０以下のもの
を用いることを特徴とするガス処理方法を提供する。

【０００８】図１は処理ガスとキャリアガスが混合する
部分の代表的な構造を示す模式図であるが、この図に示
すように、処理ガスライン１とキャリアガスライン２の
合流点において、処理ガスを停止した場合に、処理ガス
ライン１のバルブ３の下流側の残存ガスは、キャリアガ
スと混合して下流に流出する。この場合に、本発明者ら
の検討結果によれば、残存した処理ガスがキャリアガス
と混合して下流側に流れるのは、キャリアガスと処理ガ
スの相互拡散が原因であり、その程度は拡散係数に依存
する。つまり、拡散係数が大きいほどキャリアガスによ
る残存処理ガスの流出効果が大きい。ここで、拡散係数
はキャリアガスの分子量および処理ガスの分子量が小さ
くなるほど大きくなるから、キャリアガスとして分子量
の小さいものを使用するほど残存処理ガス流出効果が大
きくなる。従来はこのような観点からの検討は行われて
おらず、従来キャリアガスとして用いられているＡｒガ
スは、分子量が３９．９４８と比較的大きく、処理ガス
が残存しやすかったが、本発明のようにキャリアガスと
して分子量が３０以下のものを用いることにより、従来
よりも処理ガスラインに処理ガスを残存し難くすること
ができる。

【０００９】本発明において、前記処理ガスラインの処
理ガスの供給をバルブにより停止した際に、前記処理ガ
スラインのバルブより下流側のいずれの部分においても
残存する処理ガスの濃度がその部分のガス全体に対して
１％以下であることが好ましい。このような範囲であれ
ば、残存ガスがプロセスに悪影響を与えない。

【００１０】また、前記キャリアガスの流量が１００ｓ
ｃｃｍ以上であることが好ましい。これにより、キャリ
アガスの流量に依存せず残存処理ガス濃度を略一定にす
ることが可能となる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態について具体的に説明する。図２は、本発明
の実施に用いられるＣＶＤ装置を模式的に示す断面図で
あり、ＷＳｉ膜成膜用のものを示す。

【００１２】図２に示すように、ＣＶＤ装置１００は、
例えばアルミニウム等により円筒状に形成されたチャン
バー１１を有しており、その上に蓋体１２が設けられて
いる。このチャンバー１１内には、チャンバー１１の底
部から起立させた支持部材１３上に、保持部材１４を介
してウエハＷを載置する載置台１５が設けられている。
なお、この支持部材１３の径方向内側は、熱線を反射す
るように形成されており、載置台１５は、厚さ２ｍｍ程
度の例えばカーボン素材、セラミックス等で形成されて
いる。

【００１３】この載置台１５の下方には、ウエハＷを載
置台１５から持ち上げるためのリフトピン１６が例えば
３本設けられており、このリフトピン１６は、保持部材
１７を介して押し上げ棒１８に支持されていて、この押
し上げ棒１８がアクチュエータ１９に連結している。こ
れにより、アクチュエータ１９が押し上げ棒１８を昇降
させると、押し上げ棒１８および保持部材１７を介して
リフトピン１６が昇降し、ウエハＷが昇降するようにな
っている。このリフトピン１６は、熱線を透過する材
料、例えば石英により形成されている。また、リフトピ
ン１６に一体的に支持部材２０が設けられており、この
支持部材２０にシールドリング２１が取り付けられてい
る。このシールドリング２１は、後述するハロゲンラン
プ２６の熱線が上方に照射されることを防止するととも
に、クリーニング時にクリーニングガスの流路を確保す
る機能を有している。載置台１５には、さらに、ウエハ
Ｗの加熱時にウエハＷの温度を計測するための熱電対２
２が埋設されており、この熱電対２２の保持部材２３が
支持部材１３に取付けられている。

【００１４】載置台１５の真下のチャンバー底部には、
石英等の熱線透過材料よりなる透過窓２４が気密に設け
られており、その下方には、透過窓２４を囲むように箱
状の加熱室２５が設けられている。この加熱室２５内に
は、例えば４個のハロゲンランプ２６が反射鏡をも兼ね
る回転台２７に取付けられており、この回転台２７は、
回転軸２８を介して加熱室２５の底部に設けられた回転
モータ２９により回転されるようになっている。したが
って、このハロゲンランプ２６から放出された熱線は、
透過窓２４を透過して載置台１５の下面を照射してこれ
を加熱し得るようになっている。この加熱室２５の側壁
には、この室内や透過窓２４を冷却するための冷却エア
を導入する冷却エア導入口３０およびこのエアを排出す
るための冷却エア排出口３１が設けられている。

【００１５】載置台１５の外周側には、多数の整流孔を
有するリング状の整流板３２が、環状に形成した支持コ
ラム３３の上端に設けられた水冷プレート３４に載置さ
れている。この水冷プレート３４の内周側には、上方の
処理ガスが下方に流れることを防止するためのリング状
の石英製またはアルミニウム製のアタッチメント３５が
設けられている。これら整流板３２、水冷プレート３４
およびアタッチメント３５の下側には、成膜処理時、処
理ガスと反応しない不活性ガス例えば窒素ガス等をバッ
クサイドガスとして供給し、これにより、処理ガスが載
置台１５の下側に回り込んで余分な成膜作用を及ぼすこ
とを防止している。

【００１６】また、チャンバー１１の底部の四隅には、
排気口３６が設けられており、この排気口３６には、図
示しない真空ポンプが接続されている。これにより、チ
ャンバー１内は、例えば１００Ｔｏｒｒ〜１０^−６Ｔｏ
ｒｒの真空度に維持し得るようになっている。

【００１７】チャンバー１１の天井部には、処理ガス等
を導入するためのシャワーヘッド４０が設けられてい
る。このシャワーヘッド４０は、蓋体１２に嵌合して形
成されたシャワーベース４１を有しており、このシャワ
ーベース４１の上部中央には、処理ガス等を通過させる
オリフィスプレート４２が設けられている。さらに、こ
のオリフィスプレート４２の下方に、２段の拡散プレー
ト４３，４４が設けられており、これら拡散プレート４
３，４４の下方に、シャワープレート４５が設けられて
いる。オリフィスプレート４２の上側にはガス導入部材
４６が配置されており、このガス導入部材４６にはガス
導入口４７が設けられている。このガス導入口４７には
チャンバー１１内へ処理ガス等を供給するガス供給機構
５０が接続されている。

【００１８】ガス供給機構５０は、第１のＷＦ_６ガス供
給源５１、キャリアガス供給源５２、第２のＷＦ_６ガス
供給源５３、ＳｉＨ_４ガスまたはＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガス供
給源５４を有しており、第１のＷＦ_６ガス供給源５１に
はガスライン５５、キャリアガス供給源５２にはガスラ
イン５６、第２のＷＦ_６ガス供給源５３にはガスライン
５７、ＳｉＨ_４ガスまたはＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガス供給源５
４にはガスライン５８が接続されている。ガスライン５
５にはマスフローコントローラ５９とその前後の開閉バ
ルブ６０，６１とが設けられ、ガスライン５６にはマス
フローコントローラ６２とその前後の開閉バルブ６３，
６４とが設けられ、ガスライン５７にはマスフローコン
トローラ６５とその前後の開閉バルブ６６，６７とが設
けられ、ガスライン５８にはマスフローコントローラ６
８とその前後の開閉バルブ６９，７０とが設けられてい
る。処理ガスラインであるガスライン５５，５７，５８
は、キャリアガスラインであるガスライン５６に合流す
るようになっており、これらが合流し、ガスライン５６
に連続するガスライン７１が上述のガス導入口４７に接
続されている。本発明では後述するように、キャリアガ
ス供給源５２から供給されるキャリアガスとして分子量
が３０以下のものを用いる。

【００１９】このように構成されるＣＶＤ装置１００に
より、ウエハＷの表面にＷＳｉ膜を成膜する際には、ま
ず、チャンバー１１の側壁に設けられた図示しないゲー
トバルブを開いて搬送アームによりチャンバー１１内に
ウエハＷを搬入し、リフトピン１６を押し上げることに
よりウエハＷをリフトピン１６側に受け渡し、押し上げ
棒１８を降下させることによりリフトピン１６を押し下
げて、ウエハＷを載置台１５上に載置する。

【００２０】次いで、排気口３６から内部雰囲気を吸引
排気することによりチャンバー１１内を所定の真空度例
えば０．１Ｔｏｒｒ〜８０Ｔｏｒｒの範囲内の値に設定
し、後述するようにしてガス供給源５０からシャワーヘ
ッド４０を介してチャンバー１１内に処理ガスであるＷ
Ｆ_６ガスおよびＳｉＨ_４ガスを導入し、これと同時に加
熱室２５内のハロゲンランプ２６を回転させながら点灯
し、ハロゲンランプ２６からの熱線を載置台１５に照射
する。これにより、所定の反応が生じてウエハＷ上にＷ
Ｓｉ膜が成膜される。

【００２１】次に、ガス供給機構５０による処理ガスの
供給について詳細に説明する。上述したように、ガス供
給機構５０から処理ガスを供給する際には、キャリアガ
ス供給源５２からガスライン５６にキャリアガスを流し
つつ、まず第１のＷＦ _６ガス供給源５１から、高精度の
マスフローコントローラ５９で厳密に流量を制御しつ
つ、ニュークリエーションのためのＷＦ_６ガスをガスラ
イン５５に流すとともに、ＳｉＨ_４ガスまたはＳｉＨ_２
Ｃｌ_２ガス供給源５４からもう一方の処理ガスであるＳ
ｉＨ_４ガスまたはＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスをガスライン５８
に流す。ガスライン５５からのＷＦ_６ガスおよびガスラ
イン５８からのＳｉＨ_４ガスまたはＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガス
はガスライン５６に合流してキャリアガスにキャリアさ
れ、ガスライン７１およびシャワーヘッド４０を介して
チャンバー１１内に供給される。

【００２２】所定時間経過後、ガスライン５５のバルブ
６１が閉じられ、第１のＷＦ_６ガス供給源５１からのニ
ュークリエーション用のＷＦ_６ガスの供給が停止され、
代わりに第２のＷＦ_６ガス供給源５３に接続されたガス
ライン５７のバルブ６７が開かれメインのＷＦ_６ガスが
ガスライン５７からガスライン５６に合流する。

【００２３】この場合に、ガスライン５５のバルブ６１
下流側部分にはＷＦ_６ガスが残存しており、この残存ガ
スを速やかに流出させないと、その部分には多量のＷＦ
_６ガスが残存することとなる。この状態で、メインのＷ
Ｆ_６ガスを供給して成膜すると、残存ガスがキャリアガ
スによって徐々に吸い出され、チャンバー内には制御外
の処理ガスが供給されることとなり、膜質が悪くなるお
それがある。従来はキャリアガスとしてＡｒガスが用い
られており、実際にこのような問題が生じていたが、キ
ャリアガスとして分子量が３０以下のものを用いること
により、処理ガスの残存量を少なくすることができる。

【００２４】以下、このような結論に至ったシミュレー
ション結果について説明する。図３に示すような、処理
ガスとキャリアガスが混合する部分の代表的な構造を用
いてシミュレーションを行った。処理ガスライン８１お
よびキャリアガスライン８２はいずれもφ６ｍｍであ
り、処理ガスライン８１のバルブ８３下流側の長さを１
０ｃｍと設定した。処理ガスはバルブ８３により供給を
遮断し、処理ガスライン８１のバルブ８３下流側の部分
に残存しているものとした。

【００２５】キャリアガスとしてＡｒガス、Ｈｅガスを
用い、処理ガスとしてＷＦ_６，ＳｉＨ_４を用いて、これ
らガスの４通りの組合せで、キャリアガスの流量を５，
５０、２５０，５００ｓｃｃｍとして、バルブの直下部
分（図中点Ｂ）および処理ガスライン８１とキャリアガ
スライン８２との交点中央（図中点Ａ）における処理ガ
ス残存濃度をシミュレーションにより求めた。なお、シ
ミュレーションには汎用解析プログラムであるＦＬＵＥ
ＮＴを用いた。

【００２６】その際に用いた解析チャートの例を図４に
示す。実際のチャートはガス濃度が色彩で示されてお
り、濃度分布が明確に把握することができるようになっ
ている。

【００２７】また、図５にキャリアガスの流量を変化さ
せた場合の点Ａにおける定常状態での処理ガス残存濃度
を示し、図６に同じくキャリアガス流量を変化させた場
合の点Ｂにおける定常状態での処理ガス残存濃度を示
す。これらの図に示すように、点Ａおよび点Ｂのいずれ
においても、キャリアガスとしてＨｅガスを用いたほう
がＡｒガスを用いた場合よりも処理ガスの残存濃度が約
３桁低いことが確認された。

【００２８】図４の実際のチャートから、残存した処理
ガスがキャリアガスと混合して下流に流出するのは主に
キャリアガスとプロセスガスの相互拡散が原因であるこ
とが把握された。このように処理ガスがキャリアガスと
混合して下流に流出する原因が主にキャリアガスと処理
ガスとの相互拡散にある場合、その程度は拡散係数に依
存する。つまり、拡散係数が大きいほどキャリアガスに
よる残存処理ガスの流出効果が大きい。

【００２９】いま、キャリアガスの分子量をＭ_Ｃ、処理
ガスの分子量をＭ_Ｐとすると、拡散係数Ｄ_ＣＰは以下の
（１）で表すことができる。

【００３０】

【数１】

【００３１】ただしＴ：系の温度［Ｋ］Ｐ：系の圧力［Ｐａ］ σ_ＣＰ：レナードジョーンズポテンシャルモデルのサイ
ズパラメータ［Ａ］ Ω_ＤＣＰ：ガス１（ここではキャリアガス（成分Ｃ））
とガス２（ここでは処理ガス（成分Ｐ））の衝突により
定まる衝突積分

【００３２】ここで、成分Ｃ，Ｐのレナードジョーンズ
パラメータσ_Ｃおよびσ_Ｐを用いて、平均サイズパラメ
ータσ_ＣＰと平均エネルギーパラメータε_ＣＰ／κを次
の（２）、（３）式で求める。 σ_ＣＰ＝（σ_Ｃ＋σ_Ｐ）／２ ……（２） ε_ＣＰ／κ＝（ε_Ｃ・ε_Ｐ）^１／２／κ ……（３）次にε_ＣＰ／κより係数を求める温度Ｔに対する規格化
温度Ｔ_Ｎを以下の（４）式により求める。Ｔ_Ｎ＝Ｔ／（ε_ＣＰ／κ） ……（４）このＴ_Ｎにより衝突積分Ω_ＤＣＰを以下の（５）式によ
り求める。

【００３３】

【数２】

【００３４】上記式（１）からガスの分子量が小さくな
るほど拡散係数Ｄ_ＣＰが大きくなることが確認される。
上述したように、拡散係数が大きいほどキャリアガスに
よる残存処理ガスの流出効果が大きいから、キャリアガ
スの分子量が小さいほど処理ガスライン中のガスがより
多く流出し処理ガスの残存量が少なくなる。

【００３５】本シミュレーションに用いたＡｒガス、Ｈ
ｅガス、ＷＦ_６ガス、ＳｉＨ_４ガスの分子量を表１に、
これらの組合せによる拡散係数Ｄ_ＣＰを表２に示す。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】表１に示すように、Ｈｅガスの分子量はＡ
ｒガスの分子量の約１／１０であり、それとは逆にＨｅ
ガスを用いた場合には拡散係数は大きくなる。例えば、
処理ガスとしてＷＦ_６を用いた場合、拡散係数Ｄ_ＣＰは
Ｈｅガスでは２．９６３２×１０^−４、Ａｒガスでは
５．５７８６×１０^−５であって、ＨｅガスがＡｒガス
の５．３１倍となる。したがって、キャリアガスとして
Ｈｅガスを用いたほうが残存処理ガスの流出効果が大き
い。

【００３９】上記図５、６に示すシミュレーション結果
は、このことを示すものであり、上述したように、点Ａ
および点Ｂのいずれにおいても、キャリアガスとしてＨ
ｅガスを用いたほうがＡｒガスを用いた場合よりも処理
ガスの残存濃度が約３桁低い。そして、この傾向は処理
ガスとしてＷＦ_６およびＳｉＨ_４のいずれを用いた場合
にも存在することから、処理ガスの種類に依存しない。
また、キャリアガスが約１００ｓｃｃｍ以上では、処理
ガスの残存濃度がほとんど変化せず、キャリアガスの流
量に依存しないことがわかる。つまり、キャリアガスが
約１００ｓｃｃｍ以上で安定した処理を行うことができ
る。

【００４０】残存ガスがプロセスに悪影響を与えない観
点からは、処理ガスラインの処理ガスの供給を停止した
際に、処理ガスラインのバルブより下流側のいずれの部
分においても残存する処理ガスの濃度がその部分のガス
全体に対して１％以下であることが好ましい。図５、６
を見るとキャリアガスとしてＨｅを用いた場合には、点
Ａおよび点Ｂのいずれにおいても、これよりも十分に低
い濃度であることがわかる。これに対してＡｒガスを用
いた場合には、点Ｂにおいては残存濃度がその部分のガ
ス全体の１％を超えており、Ａｒガスはキャリアガスと
して好ましくないことが把握される。したがって、Ａｒ
ガスよりも拡散係数が高くなるガス、つまりＡｒガスよ
りも分子量が小さいガスをキャリアガスとして用いるこ
とが好ましい。なお、処理ガスとしてＷＦ_６を用い、キ
ャリアガスとしてＨｅを用いて、処理ガスラインのバル
ブ下流側部分の長さが１０ｃｍとしてシミュレーション
を行った場合には、残存処理ガス濃度１％となる位置
が、処理ガスラインおよびキャリアガスラインの交点か
ら９４．６ｍ上流側の部分となる。つまり、残存処理ガ
ス濃度が１％となる配管距離が著しく長いことが確認さ
れた。

【００４１】図７に、処理ガスとしてＷＦ_６を用い、キ
ャリアガスとして種々の不活性ガスを用いた場合におけ
る拡散係数とキャリアガスの分子量との関係を示す。こ
の図に示すように、Ａｒガスよりも分子量が小さく、し
たがって拡散係数が大きい不活性ガスとしては、Ｈｅガ
ス以外にＮ_２ガスおよびＮｅガスが存在する。これらの
ガスをキャリアガスとして用いれば、処理ガスラインに
残存する処理ガスの濃度をＡｒガスの場合よりも小さく
することができ、処理ガスラインのバルブ下流側のいず
れの部分においても残存する処理ガスの濃度がその部分
のガス全体に対してほぼ１％以下にすることができると
考えられる。そして、Ｎ_２ガスの分子量は約２８である
から、本発明ではキャリアガスの分子量を３０以下と規
定している。

【００４２】このように、本発明ではキャリアガスの分
子量を３０以下と規定し、その範囲内に含まれるものと
しては、Ｈｅガス、ＮｅガスおよびＮ_２ガスがあるが、
分子量が小さいほど残存処理ガスの流出効果が大きいか
ら、これらの中ではＨｅガスが最も好ましい。

【００４３】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態で
は本発明をＷＳｉのＣＶＤ成膜に規定したが、これに限
らず、他の材料、例えばＷ、Ｔｉ、ＴｉＮ等のＣＶＤ成
膜に適用することができるし、また、ＣＶＤ以外の他の
ガス処理にも適用することができる。また、被処理基板
はウエハに限られるものではなく、他の基板であっても
よい。さらに、キャリアガスとしてはＨｅガス等の不活
性ガスを例示したが、これに限らず、ＮＨ_３、Ｎ_２Ｏ、
ＮＯ等の無機系ガスや気化または蒸発した有機溶媒等の
有機系ガスのように、処理ガスの一部として機能するも
のであってもよい。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
キャリアガスの分子量を３０以下としたことにより、処
理ガスラインからの処理ガスの供給を停止した際に、処
理ガスライン内の処理ガス残存濃度を低くすることがで
き、処理ガスラインに残存した処理ガスが処理へ悪影響
を与えることを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明するための模式図。

【図２】本発明の実施に用いられるＣＶＤ装置を模式的
に示す断面図。

【図３】本発明を導いたシミュレーションの条件を示す
模式図。

【図４】シミュレーション結果を示すチャート。

【図５】シミュレーション結果に基づいて点Ａにおける
キャリアガス流量と処理ガス残存濃度との関係を示すグ
ラフ。

【図６】シミュレーション結果に基づいて点Ｂにおける
キャリアガス流量と処理ガス残存濃度との関係を示すグ
ラフ。

【図７】拡散係数と分子量との関係を示すグラフ。

【符号の説明】

１；処理ガスライン２；キャリアガスライン３；バルブ１１；チャンバー１５；載置台４０；シャワーヘッド５０；ガス供給機構５５，５７、５８；ガスライン（処理ガスライン）５６；ガスライン（キャリアガスライン）６１，６４，６７，７０；バルブＷ……半導体ウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4K030 AA04 AA06 AA16 AA18 EA01 EA11 JA05 JA06 5F045 AB30 AC01 AC02 AC05 AC17 EC07 EE14 EF05 EK14 EM10 EN04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理ガスを供給する処理ガスラインと、
この処理ガスラインと合流するとともに処理ガスをキャ
リアするキャリアガスを供給するキャリアガスライン
と、被処理基板が配置され、キャリアガスによってキャ
リアされた処理ガスが導入されるチャンバーとを有する
ガス処理装置を用いて基板に対してガス処理を行うにあ
たり、前記キャリアガスとして分子量が３０以下のもの
を用いることを特徴とするガス処理方法。
【請求項２】前記処理ガスラインの処理ガスの供給を
バルブにより停止した際に、前記処理ガスラインのバル
ブより下流側のいずれの部分においても残存する処理ガ
スの濃度がその部分のガス全体に対して１％以下である
ことを特徴とする請求項１に記載のガス処理方法。
【請求項３】前記キャリアガスの流量が１００ｓｃｃ
ｍ以上であることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載のガス処理方法。
【請求項４】前記キャリアガスは、Ｈｅガス，Ｎｅガ
ス，Ｎ_２ガスのいずれかであることを特徴とする請求項
１ないし請求項３のいずれか１項に記載のガス処理方
法。