JP2001021511A - エネルギー分散形ｘ線検出器を備えた表面分析装置 - Google Patents
エネルギー分散形ｘ線検出器を備えた表面分析装置Info
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- JP2001021511A JP2001021511A JP11192874A JP19287499A JP2001021511A JP 2001021511 A JP2001021511 A JP 2001021511A JP 11192874 A JP11192874 A JP 11192874A JP 19287499 A JP19287499 A JP 19287499A JP 2001021511 A JP2001021511 A JP 2001021511A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 正確な二次元のＸ線強度を得ることの可能な
ＥＤＳを用いた表面分析装置を提供する。 【解決手段】 電子銃１からの電子線を試料６の表面に
照射して発生するＸ線を検出して元素分析を行う電子プ
ローブマイクロアナライザを、電子線又は試料ステージ
７を二次元的に走査して試料表面より発生するＸ線の強
度ＩＲを検出する半導体検出器９とマルチチャンネルア
ナライザ10とからなるＥＤＳと、１画素分のＸ線強度を
計数する時間内におけるＥＤＳの不感時間Ｔを１画素毎
に計時する制御・演算処理装置11と、計時された不感時
間に基づいて対応する各画素のＸ線強度の不感時間によ
る損失分を補正した補正Ｘ線強度ＩＬを記憶するデータ
記憶手段12と、補正Ｘ線強度に基づいて試料表面の元素
分布を表示する陰極線管14とで構成する。
ＥＤＳを用いた表面分析装置を提供する。 【解決手段】 電子銃１からの電子線を試料６の表面に
照射して発生するＸ線を検出して元素分析を行う電子プ
ローブマイクロアナライザを、電子線又は試料ステージ
７を二次元的に走査して試料表面より発生するＸ線の強
度ＩＲを検出する半導体検出器９とマルチチャンネルア
ナライザ10とからなるＥＤＳと、１画素分のＸ線強度を
計数する時間内におけるＥＤＳの不感時間Ｔを１画素毎
に計時する制御・演算処理装置11と、計時された不感時
間に基づいて対応する各画素のＸ線強度の不感時間によ
る損失分を補正した補正Ｘ線強度ＩＬを記憶するデータ
記憶手段12と、補正Ｘ線強度に基づいて試料表面の元素
分布を表示する陰極線管14とで構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、エネルギー分散
形Ｘ線検出器（以下ＥＤＳと略称する）を備えた表面分
析装置に関し、特に表面分析装置においてＥＤＳを用い
て二次元の元素分布観察を行う場合のＸ線強度データの
補正処理に関する。
形Ｘ線検出器（以下ＥＤＳと略称する）を備えた表面分
析装置に関し、特に表面分析装置においてＥＤＳを用い
て二次元の元素分布観察を行う場合のＸ線強度データの
補正処理に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子プローブマイクロアナライ
ザ（ＥＰＭＡと略称されている）や分析機能を備えた走
査電子顕微鏡（ＳＥＭと略称されている）においては、
細く絞った電子線を試料表面に照射して、発生した特性
Ｘ線を分光・検出することにより、試料表面の元素分布
を知ることができるようになっている。
ザ（ＥＰＭＡと略称されている）や分析機能を備えた走
査電子顕微鏡（ＳＥＭと略称されている）においては、
細く絞った電子線を試料表面に照射して、発生した特性
Ｘ線を分光・検出することにより、試料表面の元素分布
を知ることができるようになっている。
【０００３】特性Ｘ線を分光・検出するには、大別して
ＥＤＳと波長分散形Ｘ線検出器（以下ＷＤＳと略称す
る）を用いる方法がある。ＥＤＳは、半導体に入射した
Ｘ線により生じる電子・正孔対にバイアスをかけて、Ｘ
線のエネルギーに比例する高さの電気パルスを取り出
し、パルスの高さ、すなわちＸ線のエネルギー値に応じ
てマルチチャンネルアナライザに積算し、スペクトルと
して表示する方法である。一方、ＷＤＳは、分光結晶に
よるブラッグ反射の原理を用いて特定の波長のＸ線のみ
をＸ線検出器（通常、ガス増幅による比例計数管が用い
られる）で検出する方法で、分光器を波長走査し、それ
に対応したＸ線強度を計数し表示することによりスペク
トルを得るようになっている。
ＥＤＳと波長分散形Ｘ線検出器（以下ＷＤＳと略称す
る）を用いる方法がある。ＥＤＳは、半導体に入射した
Ｘ線により生じる電子・正孔対にバイアスをかけて、Ｘ
線のエネルギーに比例する高さの電気パルスを取り出
し、パルスの高さ、すなわちＸ線のエネルギー値に応じ
てマルチチャンネルアナライザに積算し、スペクトルと
して表示する方法である。一方、ＷＤＳは、分光結晶に
よるブラッグ反射の原理を用いて特定の波長のＸ線のみ
をＸ線検出器（通常、ガス増幅による比例計数管が用い
られる）で検出する方法で、分光器を波長走査し、それ
に対応したＸ線強度を計数し表示することによりスペク
トルを得るようになっている。
【０００４】次に、このようなＷＤＳあるいはＥＤＳを
用いた電子プローブマイクロアナライザ等の表面分析装
置による、一般的な試料表面の元素分布の測定方法の概
要について説明する。まず、試料の分析領域をＸ，Ｙ方
向の画素群に分割し、各画素毎に一定時間Ｘ線を計数し
記憶させる。このときＷＤＳでは測定元素のピーク位置
に分光位置を固定し、ＥＤＳでは測定元素のピークを含
むエネルギー範囲に対応するマルチチャンネルアナライ
ザからの積算値を計数する。そして各画素のＸ線強度を
レベル分けし、各々のレベルに適当な色を対応させて画
面上にカラーマップとして表示させる。このとき適当な
標準試料を用いて特性Ｘ線強度を濃度に変換すれば、カ
ラーマップはその元素の濃度分布を表すことができる。
一般に、元素分布分析においては、できるだけ分析時間
を短縮するために、高計数率が得られる分析条件を設定
し、１画素あたりの計数時間を小さく設定するようにし
ている。
用いた電子プローブマイクロアナライザ等の表面分析装
置による、一般的な試料表面の元素分布の測定方法の概
要について説明する。まず、試料の分析領域をＸ，Ｙ方
向の画素群に分割し、各画素毎に一定時間Ｘ線を計数し
記憶させる。このときＷＤＳでは測定元素のピーク位置
に分光位置を固定し、ＥＤＳでは測定元素のピークを含
むエネルギー範囲に対応するマルチチャンネルアナライ
ザからの積算値を計数する。そして各画素のＸ線強度を
レベル分けし、各々のレベルに適当な色を対応させて画
面上にカラーマップとして表示させる。このとき適当な
標準試料を用いて特性Ｘ線強度を濃度に変換すれば、カ
ラーマップはその元素の濃度分布を表すことができる。
一般に、元素分布分析においては、できるだけ分析時間
を短縮するために、高計数率が得られる分析条件を設定
し、１画素あたりの計数時間を小さく設定するようにし
ている。
【０００５】ところで、ＷＤＳ，ＥＤＳともに、Ｘ線検
出器に、あるＸ線量子が入ったとき、次のＸ線量子が入
って来ても計数できない時間、すなわち不感時間Ｔ
（秒）が存在する。しかし、ＷＤＳとＥＤＳではＸ線検
出の原理と不感時間の大きさの差異により、通常分析デ
ータの補正方法には違いがある。
出器に、あるＸ線量子が入ったとき、次のＸ線量子が入
って来ても計数できない時間、すなわち不感時間Ｔ
（秒）が存在する。しかし、ＷＤＳとＥＤＳではＸ線検
出の原理と不感時間の大きさの差異により、通常分析デ
ータの補正方法には違いがある。
【０００６】すなわち、ＷＤＳの場合、単位時間の計数
値をＩ cps，真の値をＩ′とすると、次式（１）の関係
式による測定後のデータ処理で、補正値（真の値）を得
ることができる。 Ｉ′＝Ｉ／（１−Ｔ・Ｉ） ・・・・・・・・・・（１） ＷＤＳの場合、通常不感時間Ｔはマイクロ秒のオーダー
であるので、計数値の補正量は高々数％である。
値をＩ cps，真の値をＩ′とすると、次式（１）の関係
式による測定後のデータ処理で、補正値（真の値）を得
ることができる。 Ｉ′＝Ｉ／（１−Ｔ・Ｉ） ・・・・・・・・・・（１） ＷＤＳの場合、通常不感時間Ｔはマイクロ秒のオーダー
であるので、計数値の補正量は高々数％である。
【０００７】一方、ＥＤＳの場合はＷＤＳのように予め
分光結晶で特定波長のＸ線が選別されるわけではなく、
試料から発生し検出器で検知し得る全てのＸ線量子が検
出器に入射する可能性をもっている。そのため、比較的
計数率の低い元素の特性Ｘ線ピークのみを測定対象とす
る場合も、他の元素を含む全ての入射Ｘ線強度により不
感時間が規定されてしまう。そのため、通常ＥＤＳにお
いては、不感時間による計数値の補正量はＷＤＳより大
きい。特に高計数率を必要とする測定では、強度の補正
量は数十％に及ぶことも珍しくない。したがって、ＥＤ
Ｓにおいては常に不感時間をモニターし、不感時間に相
当する時間を余分に計数することで補正を行っている。
分光結晶で特定波長のＸ線が選別されるわけではなく、
試料から発生し検出器で検知し得る全てのＸ線量子が検
出器に入射する可能性をもっている。そのため、比較的
計数率の低い元素の特性Ｘ線ピークのみを測定対象とす
る場合も、他の元素を含む全ての入射Ｘ線強度により不
感時間が規定されてしまう。そのため、通常ＥＤＳにお
いては、不感時間による計数値の補正量はＷＤＳより大
きい。特に高計数率を必要とする測定では、強度の補正
量は数十％に及ぶことも珍しくない。したがって、ＥＤ
Ｓにおいては常に不感時間をモニターし、不感時間に相
当する時間を余分に計数することで補正を行っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＷＤＳによ
る測定で不感時間補正を行う場合は、一旦記憶されたＸ
線強度データを表示するとき、上記（１）式で示す関係
式を用いて補正すれば、充分である。しかしながら、Ｅ
ＤＳで測定された、ある元素のデータを後から補正して
も、真の値を得ることはできない。なぜならば、ＥＤＳ
の検出器の不感時間は測定した元素のＸ線強度ではなく
検出器が受けるＸ線量子全体の強度で決まる。そして、
各画素のＸ線強度の測定中に検出器が受けるＸ線量子全
体の強度は、その画素に対応する試料上の元素構成の違
いにより変化する。すなわち、ＥＤＳ分析においては、
測定したい元素のＸ線強度のデータのみを用いて、後か
ら不感時間補正を施すことはできない。したがって、Ｅ
ＤＳによって測定された元素のＸ線強度を濃度に変換し
ようとしても、正しく変換されないという問題点があっ
た。
る測定で不感時間補正を行う場合は、一旦記憶されたＸ
線強度データを表示するとき、上記（１）式で示す関係
式を用いて補正すれば、充分である。しかしながら、Ｅ
ＤＳで測定された、ある元素のデータを後から補正して
も、真の値を得ることはできない。なぜならば、ＥＤＳ
の検出器の不感時間は測定した元素のＸ線強度ではなく
検出器が受けるＸ線量子全体の強度で決まる。そして、
各画素のＸ線強度の測定中に検出器が受けるＸ線量子全
体の強度は、その画素に対応する試料上の元素構成の違
いにより変化する。すなわち、ＥＤＳ分析においては、
測定したい元素のＸ線強度のデータのみを用いて、後か
ら不感時間補正を施すことはできない。したがって、Ｅ
ＤＳによって測定された元素のＸ線強度を濃度に変換し
ようとしても、正しく変換されないという問題点があっ
た。
【０００９】本発明は、従来のＥＤＳを用いた表面分析
装置における上記問題点を解消するためになされたもの
で、正確な二次元のＸ線強度を得ることの可能なＥＤＳ
を用いた表面分析装置を提供することを目的とする。
装置における上記問題点を解消するためになされたもの
で、正確な二次元のＸ線強度を得ることの可能なＥＤＳ
を用いた表面分析装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に係る発明は、電子線を試料表面に照射し
て発生する特性Ｘ線を検出して元素分析を行う電子プロ
ーブマイクロアナライザ等の表面分析装置において、電
子線又は試料ステージを二次元的に走査して試料表面よ
り発生する特性Ｘ線のＸ線強度を検出するエネルギー分
散形Ｘ線検出器と、該エネルギー分散形Ｘ線検出器にお
いて１画素分のＸ線強度を計数する時間内における該Ｘ
線検出器の不感時間を１画素毎に計時する手段と、該不
感時間計時手段で計時された不感時間に基づいて対応す
る各画素のＸ線強度の不感時間による損失分を補正した
補正Ｘ線強度データを記憶する手段と、該記憶手段に記
憶された補正Ｘ線強度データに基づいて試料表面の元素
分布を表示する手段とを備えていることを特徴とするも
のである。
め、請求項１に係る発明は、電子線を試料表面に照射し
て発生する特性Ｘ線を検出して元素分析を行う電子プロ
ーブマイクロアナライザ等の表面分析装置において、電
子線又は試料ステージを二次元的に走査して試料表面よ
り発生する特性Ｘ線のＸ線強度を検出するエネルギー分
散形Ｘ線検出器と、該エネルギー分散形Ｘ線検出器にお
いて１画素分のＸ線強度を計数する時間内における該Ｘ
線検出器の不感時間を１画素毎に計時する手段と、該不
感時間計時手段で計時された不感時間に基づいて対応す
る各画素のＸ線強度の不感時間による損失分を補正した
補正Ｘ線強度データを記憶する手段と、該記憶手段に記
憶された補正Ｘ線強度データに基づいて試料表面の元素
分布を表示する手段とを備えていることを特徴とするも
のである。
【００１１】また、請求項２に係る発明は、電子線を試
料表面に照射して発生する特性Ｘ線を検出して元素分析
を行う電子プローブマイクロアナライザ等の表面分析装
置において、電子線又は試料ステージを二次元的に走査
して試料表面より発生する特性Ｘ線のＸ線強度を検出す
るエネルギー分散形Ｘ線検出器と、該エネルギー分散形
Ｘ線検出器において検出したＸ線強度を記憶する手段
と、前記エネルギー分散形Ｘ線検出器において１画素分
のＸ線強度を計数する時間内における該Ｘ線検出器の不
感時間を１画素毎に計時し記憶する手段と、前記Ｘ線強
度記憶手段に記憶されている各画素のＸ線強度に対して
前記不感時間記憶手段に記憶されている対応する各画素
の不感時間に基づいて、各画素のＸ線強度の不感時間に
よる損失分を補正する手段と、該Ｘ線強度補正手段で補
正された補正Ｘ線強度に基づいて試料表面の元素分布を
表示する手段とを備えていることを特徴とするものであ
る。
料表面に照射して発生する特性Ｘ線を検出して元素分析
を行う電子プローブマイクロアナライザ等の表面分析装
置において、電子線又は試料ステージを二次元的に走査
して試料表面より発生する特性Ｘ線のＸ線強度を検出す
るエネルギー分散形Ｘ線検出器と、該エネルギー分散形
Ｘ線検出器において検出したＸ線強度を記憶する手段
と、前記エネルギー分散形Ｘ線検出器において１画素分
のＸ線強度を計数する時間内における該Ｘ線検出器の不
感時間を１画素毎に計時し記憶する手段と、前記Ｘ線強
度記憶手段に記憶されている各画素のＸ線強度に対して
前記不感時間記憶手段に記憶されている対応する各画素
の不感時間に基づいて、各画素のＸ線強度の不感時間に
よる損失分を補正する手段と、該Ｘ線強度補正手段で補
正された補正Ｘ線強度に基づいて試料表面の元素分布を
表示する手段とを備えていることを特徴とするものであ
る。
【００１２】このように、１画素毎に不感時間を計時
し、その計時された不感時間に基づいて対応する各画素
のＸ線強度の不感時間による損失分をリアルタイムで補
正し、その補正Ｘ線強度データを記憶し、その記憶され
た補正Ｘ線強度データに基づいて試料表面の元素分布を
表示させたり、あるいは１画素毎に不感時間を計時して
記憶させ、その記憶された１画素毎の不感時間に基づい
て各画素のＸ線強度の不感時間による損失分を一括して
補正し、補正された補正Ｘ線強度に基づいて試料表面の
元素分布を表示するように構成しているので、ＥＤＳを
用いた場合においても正確な二次元のＸ線強度データを
得ることができ、また標準試料を用いてＸ線強度を濃度
に変換して二次元の元素濃度マップを形成する場合に
は、元素濃度マップの精度を向上させることができる。
し、その計時された不感時間に基づいて対応する各画素
のＸ線強度の不感時間による損失分をリアルタイムで補
正し、その補正Ｘ線強度データを記憶し、その記憶され
た補正Ｘ線強度データに基づいて試料表面の元素分布を
表示させたり、あるいは１画素毎に不感時間を計時して
記憶させ、その記憶された１画素毎の不感時間に基づい
て各画素のＸ線強度の不感時間による損失分を一括して
補正し、補正された補正Ｘ線強度に基づいて試料表面の
元素分布を表示するように構成しているので、ＥＤＳを
用いた場合においても正確な二次元のＸ線強度データを
得ることができ、また標準試料を用いてＸ線強度を濃度
に変換して二次元の元素濃度マップを形成する場合に
は、元素濃度マップの精度を向上させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図１は、本発明に係るＥＤＳを用いた表面分析装置
の実施の形態の電子プローブマイクロアナライザを示す
概略ブロック構成図である。図１において、１は電子
銃、２は集束レンズ、３は対物レンズで、これらは電子
線を細く絞り試料に照射するための電子光学系の主要部
を構成している。４は電子線を二次元的に走査するため
の電子線走査コイルで、電子線走査回路５によって制御
される。６は分析目的の試料、７は試料６を二次元的に
走査するための試料ステージであり、試料ステージ駆動
回路８によって制御されるようになっている。９は試料
６から発生したＸ線を検出し入射したＸ線のエネルギー
に比例した電気パルスを発生する半導体検出器で、10は
該半導体検出器９から得られた電気パルスをその波高値
に応じて選別し、カウント値を積算するマルチチャンネ
ルアナライザであり、前記半導体検出器９とマルチチャ
ンネルアナライザ10とでＥＤＳを構成している。11は電
子プローブマイクロアナライザの各部を制御したり各種
演算処理を行うための制御・演算処理装置、12はマルチ
チャンネルアナライザ10から得られるＸ線強度データ、
あるいは制御・演算処理装置11で補正処理された補正Ｘ
線強度データの記憶装置、13は制御・演算処理装置11に
接続された入力装置、14は制御・演算処理装置11による
演算によって得られる補正Ｘ線強度データを表示する、
記憶装置12に接続されてい陰極線管である。
る。図１は、本発明に係るＥＤＳを用いた表面分析装置
の実施の形態の電子プローブマイクロアナライザを示す
概略ブロック構成図である。図１において、１は電子
銃、２は集束レンズ、３は対物レンズで、これらは電子
線を細く絞り試料に照射するための電子光学系の主要部
を構成している。４は電子線を二次元的に走査するため
の電子線走査コイルで、電子線走査回路５によって制御
される。６は分析目的の試料、７は試料６を二次元的に
走査するための試料ステージであり、試料ステージ駆動
回路８によって制御されるようになっている。９は試料
６から発生したＸ線を検出し入射したＸ線のエネルギー
に比例した電気パルスを発生する半導体検出器で、10は
該半導体検出器９から得られた電気パルスをその波高値
に応じて選別し、カウント値を積算するマルチチャンネ
ルアナライザであり、前記半導体検出器９とマルチチャ
ンネルアナライザ10とでＥＤＳを構成している。11は電
子プローブマイクロアナライザの各部を制御したり各種
演算処理を行うための制御・演算処理装置、12はマルチ
チャンネルアナライザ10から得られるＸ線強度データ、
あるいは制御・演算処理装置11で補正処理された補正Ｘ
線強度データの記憶装置、13は制御・演算処理装置11に
接続された入力装置、14は制御・演算処理装置11による
演算によって得られる補正Ｘ線強度データを表示する、
記憶装置12に接続されてい陰極線管である。
【００１４】次に、このように構成されている電子プロ
ーブマイクロアナライザの動作を、図２に示したフロー
チャートに基づいて説明する。まず、試料の分析領域を
二次元の画素群に分割し、最初の画素に電子線を照射し
て、一定の測定時間ＴＲ（実計数時間）における測定元
素のＸ線強度ＩＲ（実Ｘ線強度）を、マルチチャンネル
アナライザ10により計数する（ステップＳ１）。また同
時に、測定中のＥＤＳの該画素の不感時間Ｔを、半導体
検出器９が検出するＸ線量子全体の強度に基づいて制御
・演算処理装置11により計時し（ステップＳ２）、この
不感時間Ｔを考慮したとき１画素分について本来測定し
なければならない総時間（補正時間）ＴＬ（＝ＴＲ＋
Ｔ）を、制御・演算処理装置11で算出する（ステップＳ
３）。次いで、ステップＳ１で得られたＸ線強度ＩＲと
補正時間ＴＬとに基づいて、不感時間Ｔを考慮したとき
１画素分について本来測定しなければならない総計数値
（補正Ｘ線強度）ＩＬを、制御・演算処理装置11におい
て、ＩＬ＝ＩＲ×（ＴＬ／ＴＲ）の算出式で算出し（ス
テップＳ４）、得られた補正Ｘ線強度をデータ記憶装置
12に記憶する（ステップＳ５）。次いで、次の分析画素
があるか否かの判定を行い（ステップＳ６）、分析画素
がある場合、同様にしてその画素の補正Ｘ線強度を算出
して記憶する。そして、分析領域の全画素について補正
Ｘ線強度が得られたならば、記憶されている補正Ｘ線強
度データに基づいて陰極線管14に、カラーマップ像とし
て表示させる。
ーブマイクロアナライザの動作を、図２に示したフロー
チャートに基づいて説明する。まず、試料の分析領域を
二次元の画素群に分割し、最初の画素に電子線を照射し
て、一定の測定時間ＴＲ（実計数時間）における測定元
素のＸ線強度ＩＲ（実Ｘ線強度）を、マルチチャンネル
アナライザ10により計数する（ステップＳ１）。また同
時に、測定中のＥＤＳの該画素の不感時間Ｔを、半導体
検出器９が検出するＸ線量子全体の強度に基づいて制御
・演算処理装置11により計時し（ステップＳ２）、この
不感時間Ｔを考慮したとき１画素分について本来測定し
なければならない総時間（補正時間）ＴＬ（＝ＴＲ＋
Ｔ）を、制御・演算処理装置11で算出する（ステップＳ
３）。次いで、ステップＳ１で得られたＸ線強度ＩＲと
補正時間ＴＬとに基づいて、不感時間Ｔを考慮したとき
１画素分について本来測定しなければならない総計数値
（補正Ｘ線強度）ＩＬを、制御・演算処理装置11におい
て、ＩＬ＝ＩＲ×（ＴＬ／ＴＲ）の算出式で算出し（ス
テップＳ４）、得られた補正Ｘ線強度をデータ記憶装置
12に記憶する（ステップＳ５）。次いで、次の分析画素
があるか否かの判定を行い（ステップＳ６）、分析画素
がある場合、同様にしてその画素の補正Ｘ線強度を算出
して記憶する。そして、分析領域の全画素について補正
Ｘ線強度が得られたならば、記憶されている補正Ｘ線強
度データに基づいて陰極線管14に、カラーマップ像とし
て表示させる。
【００１５】上記実施の形態においては、１画素分のＸ
線強度の測定が終了すると、引き続いて不感時間に基づ
いてＸ線強度の補正を逐一リアルタイムで行うようにし
たものを示したが、１画素毎に不感時間Ｔ又はその不感
時間に基づく補正測定時間ＴＬを二次元的にＸ線強度デ
ータと対応させて記憶しておき、陰極線管にカラーマッ
プ像を表示するための処理を行う際に、全画素について
一斉に補正を行い、補正Ｘ線強度データを得るようにし
てもよい。
線強度の測定が終了すると、引き続いて不感時間に基づ
いてＸ線強度の補正を逐一リアルタイムで行うようにし
たものを示したが、１画素毎に不感時間Ｔ又はその不感
時間に基づく補正測定時間ＴＬを二次元的にＸ線強度デ
ータと対応させて記憶しておき、陰極線管にカラーマッ
プ像を表示するための処理を行う際に、全画素について
一斉に補正を行い、補正Ｘ線強度データを得るようにし
てもよい。
【００１６】また上記実施の形態は、本発明を電子プロ
ーブマイクロアナライザに適用したものを示したが、分
析機能を備えた走査電子顕微鏡など他のＥＤＳを備えた
表面分析装置にも勿論適用できるものである。
ーブマイクロアナライザに適用したものを示したが、分
析機能を備えた走査電子顕微鏡など他のＥＤＳを備えた
表面分析装置にも勿論適用できるものである。
【００１７】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、請求項１に係る発明によれば、１画素毎に不感時間
を計時し、計時された不感時間に基づいて対応する各画
素のＸ線強度の不感時間による損失分を補正して得られ
た補正Ｘ線強度データを記憶し、その記憶された補正Ｘ
線強度データに基づいた試料表面の元素分布を表示させ
るように構成されており、また請求項２に係る発明によ
れば、１画素毎に不感時間を計時して記憶させ、記憶さ
れた不感時間に基づいて各画素のＸ線強度の不感時間に
よる損失分を一括して補正し、補正された補正Ｘ線強度
に基づいて試料表面の元素分布を表示するように構成さ
れているので、ＥＤＳを用いた場合においても正確な二
次元のＸ線強度データを得ることができ、また標準試料
を用いてＸ線強度を濃度に変換して二次元の元素濃度マ
ップを形成する場合には、元素濃度マップの精度を向上
させることができる。
に、請求項１に係る発明によれば、１画素毎に不感時間
を計時し、計時された不感時間に基づいて対応する各画
素のＸ線強度の不感時間による損失分を補正して得られ
た補正Ｘ線強度データを記憶し、その記憶された補正Ｘ
線強度データに基づいた試料表面の元素分布を表示させ
るように構成されており、また請求項２に係る発明によ
れば、１画素毎に不感時間を計時して記憶させ、記憶さ
れた不感時間に基づいて各画素のＸ線強度の不感時間に
よる損失分を一括して補正し、補正された補正Ｘ線強度
に基づいて試料表面の元素分布を表示するように構成さ
れているので、ＥＤＳを用いた場合においても正確な二
次元のＸ線強度データを得ることができ、また標準試料
を用いてＸ線強度を濃度に変換して二次元の元素濃度マ
ップを形成する場合には、元素濃度マップの精度を向上
させることができる。
【図１】本発明に係るＥＤＳを備えた表面分析装置の実
施の形態の電子プローブマイクロアナライザの概略構成
を示すブロック構成図である。
施の形態の電子プローブマイクロアナライザの概略構成
を示すブロック構成図である。
【図２】図１に示した実施の形態の動作を説明するため
のフローチャートである。
のフローチャートである。
１ 電子銃 ２ 集束レンズ ３ 対物レンズ ４ 電子線走査コイル ５ 電子線走査回路 ６ 試料 ７ 試料ステージ ８ 試料ステージ駆動回路 ９ 半導体検出器 10 マルチチャンネルアナライザ 11 制御・演算処理装置 12 データ記憶装置 13 入力装置 14 陰極線管
Claims (2)
- 【請求項１】 電子線を試料表面に照射して発生する特
性Ｘ線を検出して元素分析を行う電子プローブマイクロ
アナライザ等の表面分析装置において、電子線又は試料
ステージを二次元的に走査して試料表面より発生する特
性Ｘ線のＸ線強度を検出するエネルギー分散形Ｘ線検出
器と、該エネルギー分散形Ｘ線検出器において１画素分
のＸ線強度を計数する時間内における該Ｘ線検出器の不
感時間を１画素毎に計時する手段と、該不感時間計時手
段で計時された不感時間に基づいて対応する各画素のＸ
線強度の不感時間による損失分を補正した補正Ｘ線強度
データを記憶する手段と、該記憶手段に記憶された補正
Ｘ線強度データに基づいて試料表面の元素分布を表示す
る手段とを備えていることを特徴とする表面分析装置。 - 【請求項２】 電子線を試料表面に照射して発生する特
性Ｘ線を検出して元素分析を行う電子プローブマイクロ
アナライザ等の表面分析装置において、電子線又は試料
ステージを二次元的に走査して試料表面より発生する特
性Ｘ線のＸ線強度を検出するエネルギー分散形Ｘ線検出
器と、該エネルギー分散形Ｘ線検出器において検出した
Ｘ線強度を記憶する手段と、前記エネルギー分散形Ｘ線
検出器において１画素分のＸ線強度を計数する時間内に
おける該Ｘ線検出器の不感時間を１画素毎に計時し記憶
する手段と、前記Ｘ線強度記憶手段に記憶されている各
画素のＸ線強度に対して前記不感時間記憶手段に記憶さ
れている対応する各画素の不感時間に基づいて、各画素
のＸ線強度の不感時間による損失分を補正する手段と、
該Ｘ線強度補正手段で補正された補正Ｘ線強度に基づい
て試料表面の元素分布を表示する手段とを備えているこ
とを特徴とする表面分析装置。
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|---|---|---|---|
| JP19287499A JP3790643B2 (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | エネルギー分散形ｘ線検出器を備えた表面分析装置 |
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| JP19287499A JP3790643B2 (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | エネルギー分散形ｘ線検出器を備えた表面分析装置 |
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1999
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