JP2001019422A - 高気孔容積を有する親水性シリカゲルの製造法 - Google Patents
高気孔容積を有する親水性シリカゲルの製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高気孔率を有する親水性シリカゲルを、エー
ロゲルを製造する従来の方法に頼らずに形成することが
できる便利な方法を提供する。 【解決手段】 シリカヒドロゲルを有機ケイ素化合物で
処理して疎水化させた疎水性シリカヒドロゲルを、酸化
性雰囲気の存在下で、その表面処理により付与された疎
水性を低下させるのに十分な温度に加熱し、それによっ
て高気孔容積を有するより親水性のシリカゲルを製造す
る。
ロゲルを製造する従来の方法に頼らずに形成することが
できる便利な方法を提供する。 【解決手段】 シリカヒドロゲルを有機ケイ素化合物で
処理して疎水化させた疎水性シリカヒドロゲルを、酸化
性雰囲気の存在下で、その表面処理により付与された疎
水性を低下させるのに十分な温度に加熱し、それによっ
て高気孔容積を有するより親水性のシリカゲルを製造す
る。
Description
【０００１】本発明は、高気孔容積を有する親水性シリ
カゲルの製造法に関する。この方法においては、親水性
シリカヒドロゲルの疎水化を行うために、そのシリカヒ
ドロゲルが触媒量の強酸の存在下で有機ケイ素化合物
（organosilicon compound）で処理される。次いで、そ
の疎水性シリカゲルが、酸化性雰囲気の存在下で、その
表面処理により付与された疎水性を低下させるのに十分
な温度まで加熱され、それによって高気孔容積を有する
より親水性のシリカゲルが生成される。
カゲルの製造法に関する。この方法においては、親水性
シリカヒドロゲルの疎水化を行うために、そのシリカヒ
ドロゲルが触媒量の強酸の存在下で有機ケイ素化合物
（organosilicon compound）で処理される。次いで、そ
の疎水性シリカゲルが、酸化性雰囲気の存在下で、その
表面処理により付与された疎水性を低下させるのに十分
な温度まで加熱され、それによって高気孔容積を有する
より親水性のシリカゲルが生成される。
【０００２】
【従来の技術】シリカゲルは、典型的には、例えばケイ
酸ナトリウムを酸性か中性のいずれかの条件下でゲル化
して三次元の網状構造をもたらす湿式法で製造される
が、その三次元網状構造は、潰れを減少させるか又はそ
れを妨げる特別の予備注意を払わない限りは、乾燥する
と一部潰れてしまうものである。液体の媒体が除去さ
れ、それに伴って構造が圧縮され、そしてその液体が除
去されるにつれて表面張力により気孔率が少なくともあ
る程度低下せしめられるゲルは、定義によって、キセロ
ゲルと称される。このようなキセロゲルは、典型的に
は、５０〜６００m2／gの範囲内の表面積と０．５〜１m
L／gの範囲内の気孔容積を有する。一般的にはエーロゲ
ルと称されるが、さらに高い気孔率を有するシリカゲル
を得るためには、ヒドロゲルをアルコゲルのような有機
ゲルに転化し、次いでその有機ゲルを、オートクレーブ
中で、液気界面がなくなるようにその液体の臨界点より
高い温度まで加熱して蒸気を放出させ、それにより潰れ
または構造の変化を避けるようにすることが一般に必要
である。エーロゲルを製造するこの方法により、典型的
にはキセロゲルに関連して達成される値より大きい表面
積と気孔率を有するシリカエーロゲルを生成させること
ができるけれども、それはコストの高い方法であり、従
ってその利用には限りがある。
酸ナトリウムを酸性か中性のいずれかの条件下でゲル化
して三次元の網状構造をもたらす湿式法で製造される
が、その三次元網状構造は、潰れを減少させるか又はそ
れを妨げる特別の予備注意を払わない限りは、乾燥する
と一部潰れてしまうものである。液体の媒体が除去さ
れ、それに伴って構造が圧縮され、そしてその液体が除
去されるにつれて表面張力により気孔率が少なくともあ
る程度低下せしめられるゲルは、定義によって、キセロ
ゲルと称される。このようなキセロゲルは、典型的に
は、５０〜６００m2／gの範囲内の表面積と０．５〜１m
L／gの範囲内の気孔容積を有する。一般的にはエーロゲ
ルと称されるが、さらに高い気孔率を有するシリカゲル
を得るためには、ヒドロゲルをアルコゲルのような有機
ゲルに転化し、次いでその有機ゲルを、オートクレーブ
中で、液気界面がなくなるようにその液体の臨界点より
高い温度まで加熱して蒸気を放出させ、それにより潰れ
または構造の変化を避けるようにすることが一般に必要
である。エーロゲルを製造するこの方法により、典型的
にはキセロゲルに関連して達成される値より大きい表面
積と気孔率を有するシリカエーロゲルを生成させること
ができるけれども、それはコストの高い方法であり、従
ってその利用には限りがある。
【０００３】米国特許第３，０２４，１２６号明細書に
は、前もって形成された強化用シリカ充填材を、有機溶
媒中で、ケイ素原子１個当たり合計０．１〜２個のヒド
ロキシル基および／またはアルコキシ基を含む有機シラ
ンまたは低分子量有機シロキサンのような有機ケイ素化
合物、および少量のアミン、四級アンモニウムまたは有
機金属化合物で処理することによって、上記シリカ充填
材を疎水性にする方法が教示される。
は、前もって形成された強化用シリカ充填材を、有機溶
媒中で、ケイ素原子１個当たり合計０．１〜２個のヒド
ロキシル基および／またはアルコキシ基を含む有機シラ
ンまたは低分子量有機シロキサンのような有機ケイ素化
合物、および少量のアミン、四級アンモニウムまたは有
機金属化合物で処理することによって、上記シリカ充填
材を疎水性にする方法が教示される。
【０００４】米国特許第３，９７９，５４６号明細書に
は、強化用シリカ充填材の表面を、α−アルコキシ−ω
−シロキサノールをアルコールと共に緩和な条件下で用
いることにより疎水性にする方法が教示される。ここに
教示される充填材は前もって形成された固体である。
は、強化用シリカ充填材の表面を、α−アルコキシ−ω
−シロキサノールをアルコールと共に緩和な条件下で用
いることにより疎水性にする方法が教示される。ここに
教示される充填材は前もって形成された固体である。
【０００５】米国特許第３，０１５，６４５号明細書に
は、ジメチルジクロロシランまたはトリメチルメトキシ
シランのような有機ケイ素化合物を、酸性触媒の存在下
で、シリカ有機ゲルと反応させ、次いで揮発性の物質を
除去することによって疎水性のシリカ粉末を製造する方
法が教示される。この方法ではシリカヒドロゲルを製造
することが必要とされるが、そのシリカヒドロゲルがそ
の中の水を有機溶媒で置換することにより有機ゲルに転
化される。
は、ジメチルジクロロシランまたはトリメチルメトキシ
シランのような有機ケイ素化合物を、酸性触媒の存在下
で、シリカ有機ゲルと反応させ、次いで揮発性の物質を
除去することによって疎水性のシリカ粉末を製造する方
法が教示される。この方法ではシリカヒドロゲルを製造
することが必要とされるが、そのシリカヒドロゲルがそ
の中の水を有機溶媒で置換することにより有機ゲルに転
化される。
【０００６】米国特許第３，１２２，５２０号明細書に
は、酸性のシリカヒドロゲルをまず加熱して強化性のシ
リカ構造を発現させ、次いで有機ケイ素化合物、酸触媒
および水不混和性有機溶媒と混合して疎水性シリカ充填
材を生成させる方法が教示される。
は、酸性のシリカヒドロゲルをまず加熱して強化性のシ
リカ構造を発現させ、次いで有機ケイ素化合物、酸触媒
および水不混和性有機溶媒と混合して疎水性シリカ充填
材を生成させる方法が教示される。
【０００７】米国特許第５，７０８，０６９号明細書に
は、疎水性シリカゲルを中性条件下で製造する方法が記
載される。この方法は２つの工程を含んで成るもので、
その第一工程では、シリカヒドロゲルの形成を促進する
ために、シリカヒドロゾルのpHが塩基でpH３〜７の範囲
内に調整される。第二工程において、そのシリカヒドロ
ゲルは、その疎水化を行うために、触媒量の強酸の存在
下で有機ケイ素化合物と接触せしめられる。１つの好ま
しい方法では、その疎水性シリカゲルが、第三工程にお
いて、その疎水性シリカヒドロゲルを疎水性シリカ有機
ゲルに転化するために、十分な量の水不混和性有機溶媒
と接触せしめられる。
は、疎水性シリカゲルを中性条件下で製造する方法が記
載される。この方法は２つの工程を含んで成るもので、
その第一工程では、シリカヒドロゲルの形成を促進する
ために、シリカヒドロゾルのpHが塩基でpH３〜７の範囲
内に調整される。第二工程において、そのシリカヒドロ
ゲルは、その疎水化を行うために、触媒量の強酸の存在
下で有機ケイ素化合物と接触せしめられる。１つの好ま
しい方法では、その疎水性シリカゲルが、第三工程にお
いて、その疎水性シリカヒドロゲルを疎水性シリカ有機
ゲルに転化するために、十分な量の水不混和性有機溶媒
と接触せしめられる。
【０００８】米国特許第５，７８９，５１４号明細書に
は、親水性シリカゲルを酸性条件下で製造する方法が記
載される。この方法は２つの工程を含んで成るもので、
その第一工程では、シリカヒドロゲルを形成するため
に、シリカヒドロゾルがpH１未満のpHで十分な濃度の強
鉱酸と接触せしめられる。第二工程において、そのシリ
カヒドロゲルは、その疎水化を行うために、触媒量の強
酸の存在下で、その明細書に記載される有機ケイ素化合
物と接触せしめられ、それによって疎水性のシリカヒド
ロゲルが形成される。１つの好ましい方法において、そ
の疎水性シリカヒドロゲルは、それを疎水性のシリカ有
機ゲルに転化するために、十分な量の水不混和性有機溶
媒と接触せしめられる。
は、親水性シリカゲルを酸性条件下で製造する方法が記
載される。この方法は２つの工程を含んで成るもので、
その第一工程では、シリカヒドロゲルを形成するため
に、シリカヒドロゾルがpH１未満のpHで十分な濃度の強
鉱酸と接触せしめられる。第二工程において、そのシリ
カヒドロゲルは、その疎水化を行うために、触媒量の強
酸の存在下で、その明細書に記載される有機ケイ素化合
物と接触せしめられ、それによって疎水性のシリカヒド
ロゲルが形成される。１つの好ましい方法において、そ
の疎水性シリカヒドロゲルは、それを疎水性のシリカ有
機ゲルに転化するために、十分な量の水不混和性有機溶
媒と接触せしめられる。
【０００９】米国特許第５，７８９，４９５号明細書に
は、有機シリケート変性シリカゲルをpH３〜７の範囲内
のpHにおいて製造する方法が記載される。この方法は２
つの工程を含んで成るもので、その第一工程では、有機
シリケート変性シリカヒドロゲルの形成を促進するため
に、有機シリケート変性シリカヒドロゾルのpHが塩基に
よりpH３〜７の範囲内に調整される。第二工程におい
て、その有機シリケート変性シリカヒドロゲルは、その
疎水化を行って疎水性の有機シリケート変性シリカヒド
ロゲルを形成するために、触媒量の強酸の存在下で、有
機ケイ素化合物と接触せしめられる。
は、有機シリケート変性シリカゲルをpH３〜７の範囲内
のpHにおいて製造する方法が記載される。この方法は２
つの工程を含んで成るもので、その第一工程では、有機
シリケート変性シリカヒドロゲルの形成を促進するため
に、有機シリケート変性シリカヒドロゾルのpHが塩基に
よりpH３〜７の範囲内に調整される。第二工程におい
て、その有機シリケート変性シリカヒドロゲルは、その
疎水化を行って疎水性の有機シリケート変性シリカヒド
ロゲルを形成するために、触媒量の強酸の存在下で、有
機ケイ素化合物と接触せしめられる。
【００１０】米国特許第５，８０７，５０１号明細書に
は、中性で熟成された疎水性の有機シリケート変性シリ
カゲルを製造する方法が記載される。この方法は３つの
工程を含んで成るもので、その第一工程では、有機シリ
ケート変性シリカヒドロゲルを形成するために、有機シ
リケート変性シリカヒドロゾルが１未満のpHで強鉱酸と
接触せしめられる。その有機シリケート変性シリカヒド
ロゲルは、第二工程において、pH３．５〜８の範囲内の
pHで熟成される。第三工程において、その中性熟成・有
機シリケート変性シリカヒドロゲルの疎水化を行って疎
水性の有機シリケート変性シリカヒドロゲルを形成する
ために、その有機シリケート変性シリカヒドロゲルは、
触媒量の強酸の存在下で、有機ケイ素化合物と接触せし
められる。
は、中性で熟成された疎水性の有機シリケート変性シリ
カゲルを製造する方法が記載される。この方法は３つの
工程を含んで成るもので、その第一工程では、有機シリ
ケート変性シリカヒドロゲルを形成するために、有機シ
リケート変性シリカヒドロゾルが１未満のpHで強鉱酸と
接触せしめられる。その有機シリケート変性シリカヒド
ロゲルは、第二工程において、pH３．５〜８の範囲内の
pHで熟成される。第三工程において、その中性熟成・有
機シリケート変性シリカヒドロゲルの疎水化を行って疎
水性の有機シリケート変性シリカヒドロゲルを形成する
ために、その有機シリケート変性シリカヒドロゲルは、
触媒量の強酸の存在下で、有機ケイ素化合物と接触せし
められる。
【００１１】米国特許第５，７９５，５５６号明細書に
は、水ガラス水溶液を酸性化し、得られたシリカを塩基
の添加により重縮合させ、そのゲルから水を除去し、そ
のゲルをシリル化剤と反応させ、そしてそのゲルを乾燥
する工程を含む、キセロゲルの製造法が記載される。
は、水ガラス水溶液を酸性化し、得られたシリカを塩基
の添加により重縮合させ、そのゲルから水を除去し、そ
のゲルをシリル化剤と反応させ、そしてそのゲルを乾燥
する工程を含む、キセロゲルの製造法が記載される。
【００１２】米国特許第５，６４７，９６２号明細書に
は、水ガラス水溶液を酸性化し、生成したケイ酸を塩基
の添加により重縮合させてゲルを形成し、そのゲルから
水を有機溶媒による抽出蒸留により除去し、そのゲルを
シリル化剤と反応させ、そしてそのゲルを乾燥する工程
を含む、キセロゲルの製造法が記載される。
は、水ガラス水溶液を酸性化し、生成したケイ酸を塩基
の添加により重縮合させてゲルを形成し、そのゲルから
水を有機溶媒による抽出蒸留により除去し、そのゲルを
シリル化剤と反応させ、そしてそのゲルを乾燥する工程
を含む、キセロゲルの製造法が記載される。
【００１３】シュベルトフェジャー（Schwertfeger）等
のChem. Mater.、1995、7、1909-1914には、有機置換エ
ーロゲルをアルゴンの停滞雰囲気中で熱分解して炭素質
構造物を形成し、そのエーロゲルの内表面を被覆する方
法が記載される。
のChem. Mater.、1995、7、1909-1914には、有機置換エ
ーロゲルをアルゴンの停滞雰囲気中で熱分解して炭素質
構造物を形成し、そのエーロゲルの内表面を被覆する方
法が記載される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高気孔率を
有する親水性シリカゲルを、前記で述べたようなエーロ
ゲルを製造する方法に頼らずに形成することができる便
利な方法を提供することを目的とする。
有する親水性シリカゲルを、前記で述べたようなエーロ
ゲルを製造する方法に頼らずに形成することができる便
利な方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、高気孔容積を
有する親水性シリカゲルを製造する方法である。このよ
うな親水性シリカゲルは、高表面積と高気孔容積が一般
的に利用されるような用途のいずれにおいても、特に、
例えばシリコーンおよび有機流体や、シーラントのよう
なシリコーンゴム組成物におけるレオロジー制御剤とし
て有用である。
有する親水性シリカゲルを製造する方法である。このよ
うな親水性シリカゲルは、高表面積と高気孔容積が一般
的に利用されるような用途のいずれにおいても、特に、
例えばシリコーンおよび有機流体や、シーラントのよう
なシリコーンゴム組成物におけるレオロジー制御剤とし
て有用である。
【００１６】高気孔率を有する親水性シリカヒドロゲル
を製造する本発明の方法は、有機置換基が結合されてい
る疎水性シリカゲルを、酸化性雰囲気中で、その疎水性
シリカゲルの疎水性を低下させるのに十分な温度におい
て加熱し、それによって親水性シリカゲルを形成する工
程を含んで成る。
を製造する本発明の方法は、有機置換基が結合されてい
る疎水性シリカゲルを、酸化性雰囲気中で、その疎水性
シリカゲルの疎水性を低下させるのに十分な温度におい
て加熱し、それによって親水性シリカゲルを形成する工
程を含んで成る。
【００１７】さらに具体的に述べると、本発明の方法
は、次の：
は、次の：
【００１８】（Ａ）シリカヒドロゲルを、（１）触媒量
の強酸、および（２）式：R1 aHbSiX 4-a-b（ｉ）で表さ
れる有機シラン、式：R1 nSiO(4-n)/2で（ｉｉ）で表さ
れる有機シロキサンおよび式：(R1 3Si)2NH（ｉｉｉ）で
表される有機ジシラザン（但し、上記の式において、R1
は各々独立に１〜１２個の炭素原子を含む炭化水素基お
よび１〜１２個の炭素原子を含む有機官能性の炭化水素
基から選ばれ、Xは各々独立にハロゲンおよび１〜１２
個の炭素原子を含むアルコキシ基から選ばれ、ａ＝０、
１、２または３であり、ｂ＝０または１であり、ａ＋ｂ
＝１、２または３であり、但しｂ＝１であるときａ＋ｂ
＝２または３であり、そしてｎは２〜３の整数（２及び
３を含む）である）から選ばれる有機ケイ素化合物と接
触させ、それによって疎水性シリカゲルを形成し、そし
て
の強酸、および（２）式：R1 aHbSiX 4-a-b（ｉ）で表さ
れる有機シラン、式：R1 nSiO(4-n)/2で（ｉｉ）で表さ
れる有機シロキサンおよび式：(R1 3Si)2NH（ｉｉｉ）で
表される有機ジシラザン（但し、上記の式において、R1
は各々独立に１〜１２個の炭素原子を含む炭化水素基お
よび１〜１２個の炭素原子を含む有機官能性の炭化水素
基から選ばれ、Xは各々独立にハロゲンおよび１〜１２
個の炭素原子を含むアルコキシ基から選ばれ、ａ＝０、
１、２または３であり、ｂ＝０または１であり、ａ＋ｂ
＝１、２または３であり、但しｂ＝１であるときａ＋ｂ
＝２または３であり、そしてｎは２〜３の整数（２及び
３を含む）である）から選ばれる有機ケイ素化合物と接
触させ、それによって疎水性シリカゲルを形成し、そし
て
【００１９】（Ｂ）上記の疎水性シリカゲルを、酸化性
雰囲気中で、その疎水性シリカヒドロゲルの疎水性を低
下させるのに十分な温度において加熱し、それによって
親水性シリカゲルを形成する工程を含んで成る。
雰囲気中で、その疎水性シリカヒドロゲルの疎水性を低
下させるのに十分な温度において加熱し、それによって
親水性シリカゲルを形成する工程を含んで成る。
【００２０】前記のシリカヒドロゲルを製造する方法
は、本発明には格別重要なわけではなく、この技術分野
で公知の方法のいずれであってもよい。本発明で有用な
シリカヒドロゲルは、例えば米国特許第３，１２２，５
２２号、同第５，７０８，０６９号、同第５，７８９，
５１４号、同第５，６４７，９６２号および同第５，７
９５，５５６号明細書に記載されるもののような方法で
製造することができ、また米国特許第５，７８９，４９
５号および同第５，８０７，５０１号明細書に記載され
るような有機シリケート変性シリカヒドロゲルがある。
は、本発明には格別重要なわけではなく、この技術分野
で公知の方法のいずれであってもよい。本発明で有用な
シリカヒドロゲルは、例えば米国特許第３，１２２，５
２２号、同第５，７０８，０６９号、同第５，７８９，
５１４号、同第５，６４７，９６２号および同第５，７
９５，５５６号明細書に記載されるもののような方法で
製造することができ、また米国特許第５，７８９，４９
５号および同第５，８０７，５０１号明細書に記載され
るような有機シリケート変性シリカヒドロゲルがある。
【００２１】本発明の方法で有用なシリカヒドロゲル
は、SiO2を０．０２〜０．５g／mLの濃度で、そして所
望によってはメチルケイ酸ナトリウムのような有機シリ
ケートを生成ヒドロゾルの重量に基づいて１〜５０重量
パーセントの濃度で含むシリカヒドロゾルをまず形成す
ることによって製造することができる。このシリカヒド
ロゾルを製造するのに用いられる方法は格別重要なわけ
ではなく、この技術分野で公知の方法のいずれであって
もよい。シリカヒドロゾルは、例えばイオン交換樹脂を
使用する等の方法でケイ酸ナトリウムを脱イオン化する
ことによって製造することができる。或いはまた、シリ
カヒドロゾルはシランを低温で加水分解することによっ
ても製造することができる。シリカヒドロゾルは、ケイ
酸ナトリウムを脱イオン化することによって製造するの
が好ましい。
は、SiO2を０．０２〜０．５g／mLの濃度で、そして所
望によってはメチルケイ酸ナトリウムのような有機シリ
ケートを生成ヒドロゾルの重量に基づいて１〜５０重量
パーセントの濃度で含むシリカヒドロゾルをまず形成す
ることによって製造することができる。このシリカヒド
ロゾルを製造するのに用いられる方法は格別重要なわけ
ではなく、この技術分野で公知の方法のいずれであって
もよい。シリカヒドロゾルは、例えばイオン交換樹脂を
使用する等の方法でケイ酸ナトリウムを脱イオン化する
ことによって製造することができる。或いはまた、シリ
カヒドロゾルはシランを低温で加水分解することによっ
ても製造することができる。シリカヒドロゾルは、ケイ
酸ナトリウムを脱イオン化することによって製造するの
が好ましい。
【００２２】シリカヒドロゲルは、上記シリカヒドロゾ
ルから酸性または中性の条件下、即ちpH０〜７のpH範囲
内で形成することができる。シリカヒドロゲルを酸性条
件下で形成しようとする場合、シリカヒドロゲルの形成
を行うために、シリカヒドロゾルに強鉱酸を加えること
ができる。いかなる強鉱酸も使用することができる。本
明細書で使用される「強鉱酸」なる用語は、０．１Ｎ水
溶液中で１８℃において少なくとも２５パーセント程度
までイオン化するそのような鉱酸を意味する。強鉱酸
は、例えば塩化水素酸、ヨウ化水素酸、硫酸、硝酸およ
びリン酸であることができる。シリカヒドロゲルを中性
条件下で形成しようとする場合、シリカヒドロゲルの形
成を行うために、シリカヒドロゾルに塩基を加えること
ができる。塩基は、例えばNaOH、KOHおよびNa2(SiO2)
3.36であることができる。
ルから酸性または中性の条件下、即ちpH０〜７のpH範囲
内で形成することができる。シリカヒドロゲルを酸性条
件下で形成しようとする場合、シリカヒドロゲルの形成
を行うために、シリカヒドロゾルに強鉱酸を加えること
ができる。いかなる強鉱酸も使用することができる。本
明細書で使用される「強鉱酸」なる用語は、０．１Ｎ水
溶液中で１８℃において少なくとも２５パーセント程度
までイオン化するそのような鉱酸を意味する。強鉱酸
は、例えば塩化水素酸、ヨウ化水素酸、硫酸、硝酸およ
びリン酸であることができる。シリカヒドロゲルを中性
条件下で形成しようとする場合、シリカヒドロゲルの形
成を行うために、シリカヒドロゾルに塩基を加えること
ができる。塩基は、例えばNaOH、KOHおよびNa2(SiO2)
3.36であることができる。
【００２３】シリカヒドロゲルが形成される温度は２０
〜２５０℃の範囲内であることができ、この場合７５〜
１５０℃の範囲が好ましく、９０〜１１０℃の範囲が最
も好ましい。
〜２５０℃の範囲内であることができ、この場合７５〜
１５０℃の範囲が好ましく、９０〜１１０℃の範囲が最
も好ましい。
【００２４】シリカヒドロゲルを形成するのに必要とさ
れる時間はシリカヒドロゾルの温度とpHと共に変わり、
その所要時間はpHが前記pH範囲の限界に近づくにつれて
短くなる。シリカヒドロゾルおよび得られるヒドロゲル
は、疎水化工程後の生成物が、Jour. Am. Chem. Soc.、
60：309（1938）に記載され、また米国特許第３，１２
２，５２０号明細書にさらに記載されているブルナウア
ー・エメット−テーラー（Brunauer Emmett and Telle
r）（BET）法で測定して、乾燥状態で１００〜１０００
m2／gの範囲内の表面積を持つそのような構造を有する
ようになる、そのような温度と時間長で加熱されるのが
好ましい。一般的に言えば、シリカヒドロゲルの表面積
は、シリカヒドロゲルの表面に結合されて行く有機シリ
ル基が平均粒度を大きくするので、その疎水化反応によ
って小さくなる。シリカヒドロゲルの表面は、疎水化処
理がその表面積を１００〜１０００m2／gの範囲内にも
たらすと言う条件で、１０００m2／gを越えていること
ができる。
れる時間はシリカヒドロゾルの温度とpHと共に変わり、
その所要時間はpHが前記pH範囲の限界に近づくにつれて
短くなる。シリカヒドロゾルおよび得られるヒドロゲル
は、疎水化工程後の生成物が、Jour. Am. Chem. Soc.、
60：309（1938）に記載され、また米国特許第３，１２
２，５２０号明細書にさらに記載されているブルナウア
ー・エメット−テーラー（Brunauer Emmett and Telle
r）（BET）法で測定して、乾燥状態で１００〜１０００
m2／gの範囲内の表面積を持つそのような構造を有する
ようになる、そのような温度と時間長で加熱されるのが
好ましい。一般的に言えば、シリカヒドロゲルの表面積
は、シリカヒドロゲルの表面に結合されて行く有機シリ
ル基が平均粒度を大きくするので、その疎水化反応によ
って小さくなる。シリカヒドロゲルの表面は、疎水化処
理がその表面積を１００〜１０００m2／gの範囲内にも
たらすと言う条件で、１０００m2／gを越えていること
ができる。
【００２５】シリカヒドロゲルは、それを本発明の方法
で使用する前に、２０〜２５０℃の範囲内の温度で、あ
る一定時間加熱することによって熟成することができ
る。シリカヒドロゲルを熟成する場合、７５〜１５０℃
の温度が好ましい。このような熟成の時間長は５分から
２４時間またはそれ以上までの範囲内の時間であること
ができる。一般的に言えば、そのような熟成を３０分〜
２０時間の範囲内の時間行うのが好ましい。
で使用する前に、２０〜２５０℃の範囲内の温度で、あ
る一定時間加熱することによって熟成することができ
る。シリカヒドロゲルを熟成する場合、７５〜１５０℃
の温度が好ましい。このような熟成の時間長は５分から
２４時間またはそれ以上までの範囲内の時間であること
ができる。一般的に言えば、そのような熟成を３０分〜
２０時間の範囲内の時間行うのが好ましい。
【００２６】本発明の方法の工程（Ａ）において、シリ
カヒドロゲルは、前記の式（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉ
ｉｉ）で表される有機ケイ素化合物の内の１種または２
種以上と、触媒量の強酸の存在下で接触せしめられる。
工程（Ａ）において、その強酸は、シリカヒドロゲルを
酸性条件下で製造する場合、そのシリカヒドロゲルを製
造する際に使用されるものと同じ酸であることができ
る。但し、シリカヒドロゲルは、所望によっては、酸な
しで洗浄することができ、また触媒量の強酸は有機ケイ
素化合物の添加前、添加と同時に、または添加に続いて
のいずれにおいても加えることができる。有機ケイ素化
合物が、例えばクロロシランである場合、その接触量の
強酸は、そのクロロシランの加水分解またはそのクロロ
シランとシリカヒドロゲルのヒドロキシル基との直接反
応によって、その反応の場で生成させることができる。
工程（Ａ）において、「強酸の触媒量」とは、有機ケイ
素化合物とシリカヒドロゲルとの反応を行うのに十分な
任意の量のことである。有用な酸の例を挙げると、塩化
水素酸、硫酸およびベンゼンスルホン酸がある。工程
（Ａ）では、その強酸触媒は２．５未満のpHを与えるこ
とが好ましい。
カヒドロゲルは、前記の式（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉ
ｉｉ）で表される有機ケイ素化合物の内の１種または２
種以上と、触媒量の強酸の存在下で接触せしめられる。
工程（Ａ）において、その強酸は、シリカヒドロゲルを
酸性条件下で製造する場合、そのシリカヒドロゲルを製
造する際に使用されるものと同じ酸であることができ
る。但し、シリカヒドロゲルは、所望によっては、酸な
しで洗浄することができ、また触媒量の強酸は有機ケイ
素化合物の添加前、添加と同時に、または添加に続いて
のいずれにおいても加えることができる。有機ケイ素化
合物が、例えばクロロシランである場合、その接触量の
強酸は、そのクロロシランの加水分解またはそのクロロ
シランとシリカヒドロゲルのヒドロキシル基との直接反
応によって、その反応の場で生成させることができる。
工程（Ａ）において、「強酸の触媒量」とは、有機ケイ
素化合物とシリカヒドロゲルとの反応を行うのに十分な
任意の量のことである。有用な酸の例を挙げると、塩化
水素酸、硫酸およびベンゼンスルホン酸がある。工程
（Ａ）では、その強酸触媒は２．５未満のpHを与えるこ
とが好ましい。
【００２７】工程（Ａ）の疎水化を行う温度は格別重要
なわけではなく、２０〜２５０℃であることができる。
一般的には、工程（Ａ）の疎水化は３０〜１５０℃の範
囲内の温度で行われることが好ましい。工程（Ａ）の疎
水化は、水不混和性の有機溶媒が存在するとき、その有
機溶媒の還流温度で行うことができる。
なわけではなく、２０〜２５０℃であることができる。
一般的には、工程（Ａ）の疎水化は３０〜１５０℃の範
囲内の温度で行われることが好ましい。工程（Ａ）の疎
水化は、水不混和性の有機溶媒が存在するとき、その有
機溶媒の還流温度で行うことができる。
【００２８】工程（Ａ）において、シリカヒドロゲル
は、前記式（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）で表され
る有機ケイ素化合物と反応せしめられる。式（ｉ）、
（ｉｉ）および（ｉｉｉ）において、R1は各々独立に１
〜１２個の炭素原子を含む炭化水素基および１〜１２個
の炭素原子を含む有機官能性の炭化水素基から選ぶこと
ができる。R1は飽和または不飽和の炭化水素基であるこ
とができる。R1は置換または非置換炭化水素基であるこ
とができる。R1は、例えばメチル、エチル、プロピル、
ｔ−ブチル、ヘキシル、へプチル、オクチル、デシルお
よびドデシルのようなアルキル基；ビニル、アリルおよ
びヘキセニルのようなアルケニル基；クロロメチル、
３，３，３−トリフルオロプロピルおよび６−クロロヘ
キシルのような置換アルキル基；並びにフェニル、ナフ
チルおよびトリルのようなアリール基であることができ
る。R1は、例えば官能基がメルカプト、ジスルフィド、
ポリスルフィド、アミノ、カルボン酸、カルビノール、
エステルまたはアミドの各基である場合の、１〜１２個
の炭素原子を含む有機官能性炭化水素基であることがで
きる。R1がアルキル基であるときが好ましく、その場合
メチル基が最も好ましい。
は、前記式（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）で表され
る有機ケイ素化合物と反応せしめられる。式（ｉ）、
（ｉｉ）および（ｉｉｉ）において、R1は各々独立に１
〜１２個の炭素原子を含む炭化水素基および１〜１２個
の炭素原子を含む有機官能性の炭化水素基から選ぶこと
ができる。R1は飽和または不飽和の炭化水素基であるこ
とができる。R1は置換または非置換炭化水素基であるこ
とができる。R1は、例えばメチル、エチル、プロピル、
ｔ−ブチル、ヘキシル、へプチル、オクチル、デシルお
よびドデシルのようなアルキル基；ビニル、アリルおよ
びヘキセニルのようなアルケニル基；クロロメチル、
３，３，３−トリフルオロプロピルおよび６−クロロヘ
キシルのような置換アルキル基；並びにフェニル、ナフ
チルおよびトリルのようなアリール基であることができ
る。R1は、例えば官能基がメルカプト、ジスルフィド、
ポリスルフィド、アミノ、カルボン酸、カルビノール、
エステルまたはアミドの各基である場合の、１〜１２個
の炭素原子を含む有機官能性炭化水素基であることがで
きる。R1がアルキル基であるときが好ましく、その場合
メチル基が最も好ましい。
【００２９】式（ｉ）において、Xは各々独立にハロゲ
ンおよび１〜１２個の炭素原子を含むアルコキシ基から
選ばれる。Ｘがハロゲンであるとき、ハロゲンは塩素で
あることが好ましい。Ｘがアルコキシ基であるとき、Ｘ
は、例えばメトキシ、エトキシおよびプロポキシの各基
であることができる。Ｘが塩素原子である場合が好まし
い。
ンおよび１〜１２個の炭素原子を含むアルコキシ基から
選ばれる。Ｘがハロゲンであるとき、ハロゲンは塩素で
あることが好ましい。Ｘがアルコキシ基であるとき、Ｘ
は、例えばメトキシ、エトキシおよびプロポキシの各基
であることができる。Ｘが塩素原子である場合が好まし
い。
【００３０】式（ｉｉ）で表される有機シロキサンの粘
度には制限がなく、流体の粘度からガムの粘度までの範
囲であることができる。一般的に言えば、分子量がより
高い有機シロキサンが本発明の方法の酸性条件により開
裂され、それらシロキサンをシリカヒドロゲルと反応さ
せる。
度には制限がなく、流体の粘度からガムの粘度までの範
囲であることができる。一般的に言えば、分子量がより
高い有機シロキサンが本発明の方法の酸性条件により開
裂され、それらシロキサンをシリカヒドロゲルと反応さ
せる。
【００３１】本発明の方法には、有機ケイ素化合物は、
式（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）で表される単一の
化合物として、またはそれらの式で表される２種または
３種以上の有機ケイ素化合物の混合物として与えること
ができる。
式（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）で表される単一の
化合物として、またはそれらの式で表される２種または
３種以上の有機ケイ素化合物の混合物として与えること
ができる。
【００３２】有用な有機ケイ素化合物の例に次のものが
ある：ジエチルジクロロシラン、アリルメチルジクロロ
シラン、メチルフェニルジクロロシラン、フェニルエチ
ルジエトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピ
ルメチルジクロロシラン、トリメチルブトキシシラン、
sym-ジフェニルテトラメチルジシロキサン、トリビニル
トリメチルシクロトリシロキサン、ヘキサエチルジシロ
キサン、ペンチルメチルジクロロシラン、ジビニルジプ
ロポキシシラン、ビニルジメチルクロロシラン、ビニル
メチルジクロロシラン、ビニルジメチルメトキシシラ
ン、トリメチルクロロシラン、ヘキサメチルジシロキサ
ン、ヘキセニルメチルジクロロシラン、ヘキセニルジメ
チルクロロシラン、ジメチルクロロシラン、ジメチルジ
クロロシラン、メルカプトプロピルメチルジメトキシシ
ラン、ヘキサメチルジシラザンおよびビス｛３−（トリ
エトキシシリル）プロピル｝テトラスルフィド。有機ケ
イ素化合物は、ヘキサメチルジシロキサンまたはジメチ
ルジクロロシランであるのが好ましい。
ある：ジエチルジクロロシラン、アリルメチルジクロロ
シラン、メチルフェニルジクロロシラン、フェニルエチ
ルジエトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピ
ルメチルジクロロシラン、トリメチルブトキシシラン、
sym-ジフェニルテトラメチルジシロキサン、トリビニル
トリメチルシクロトリシロキサン、ヘキサエチルジシロ
キサン、ペンチルメチルジクロロシラン、ジビニルジプ
ロポキシシラン、ビニルジメチルクロロシラン、ビニル
メチルジクロロシラン、ビニルジメチルメトキシシラ
ン、トリメチルクロロシラン、ヘキサメチルジシロキサ
ン、ヘキセニルメチルジクロロシラン、ヘキセニルジメ
チルクロロシラン、ジメチルクロロシラン、ジメチルジ
クロロシラン、メルカプトプロピルメチルジメトキシシ
ラン、ヘキサメチルジシラザンおよびビス｛３−（トリ
エトキシシリル）プロピル｝テトラスルフィド。有機ケ
イ素化合物は、ヘキサメチルジシロキサンまたはジメチ
ルジクロロシランであるのが好ましい。
【００３３】本発明の方法に加えられる有機ケイ素化合
物の量は、シリカヒドロゲルを十分に疎水化して、いか
なる後続の乾燥、溶媒交換および加熱操作の際にもその
気孔率を実質的に保持している疎水性のシリカゲルを提
供するのに十分な量である。一般的には、有機ケイ素化
合物は、本発明の方法に、シリカヒドロゲル中にそのSi
O2単位１個につき少なくとも０．０４個の有機シリル単
位が存在するそのような量で加えられるのがよい。その
プロセスに対する有機ケイ素化合物の添加量の上限に
は、そのシリカゲルを飽和するのに必要とされる量を越
えるいかなる量も本発明の方法の溶媒として作用するか
ら、臨界がない。
物の量は、シリカヒドロゲルを十分に疎水化して、いか
なる後続の乾燥、溶媒交換および加熱操作の際にもその
気孔率を実質的に保持している疎水性のシリカゲルを提
供するのに十分な量である。一般的には、有機ケイ素化
合物は、本発明の方法に、シリカヒドロゲル中にそのSi
O2単位１個につき少なくとも０．０４個の有機シリル単
位が存在するそのような量で加えられるのがよい。その
プロセスに対する有機ケイ素化合物の添加量の上限に
は、そのシリカゲルを飽和するのに必要とされる量を越
えるいかなる量も本発明の方法の溶媒として作用するか
ら、臨界がない。
【００３４】工程（Ａ）の実行中は、有機ケイ素化合物
とシリカヒドロゲルとの反応を促進するために、界面活
性剤または水混和性の溶媒を加えることが望ましいこと
がある。この界面活性剤または水混和性溶媒は、本発明
の方法に加えられる何らかの水不混和性有機溶媒の存在
下または非存在下で加えることができる。適した界面活
性剤として、例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸のよ
うなアニオン系界面活性剤、ポリオキシレン（２３）ラ
ウリルエーテル、およびMeがメチルである(Me3SiO)2MeS
i(CH2)3(OCH2CH2)7OMeのようなノニオン系界面活性剤、
並びにＮ−アルキルトリメチルアンモニウムクロリドの
ようなカチオン系界面活性剤を挙げることができる。適
した水混和性溶媒として、例えば、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ｎ−ブタノールのようなアルコー
ルおよびテトラヒドロフランを挙げることができる。ｎ
−プロパノールが、本発明の方法での使用に好ましい水
混和性溶媒である。
とシリカヒドロゲルとの反応を促進するために、界面活
性剤または水混和性の溶媒を加えることが望ましいこと
がある。この界面活性剤または水混和性溶媒は、本発明
の方法に加えられる何らかの水不混和性有機溶媒の存在
下または非存在下で加えることができる。適した界面活
性剤として、例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸のよ
うなアニオン系界面活性剤、ポリオキシレン（２３）ラ
ウリルエーテル、およびMeがメチルである(Me3SiO)2MeS
i(CH2)3(OCH2CH2)7OMeのようなノニオン系界面活性剤、
並びにＮ−アルキルトリメチルアンモニウムクロリドの
ようなカチオン系界面活性剤を挙げることができる。適
した水混和性溶媒として、例えば、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ｎ−ブタノールのようなアルコー
ルおよびテトラヒドロフランを挙げることができる。ｎ
−プロパノールが、本発明の方法での使用に好ましい水
混和性溶媒である。
【００３５】工程（Ａ）で形成される疎水性シリカゲル
は工程（Ｂ）でそのまま処理することができ、その際水
含有量を低下させる工程は取らない。別法として、その
疎水性シリカゲルは、遠心分離または濾過、および／ま
たは加熱若しくは減圧または加熱と減圧の両者の組み合
わせのような方法の使用による乾燥のような方法で除去
される水の一部、その実質的に全部またはその全部を含
んでいることができる。ここで、「実質的に全部」なる
用語は、そのシリカゲルが５重量パーセント未満の水を
含んでいることを意味する。
は工程（Ｂ）でそのまま処理することができ、その際水
含有量を低下させる工程は取らない。別法として、その
疎水性シリカゲルは、遠心分離または濾過、および／ま
たは加熱若しくは減圧または加熱と減圧の両者の組み合
わせのような方法の使用による乾燥のような方法で除去
される水の一部、その実質的に全部またはその全部を含
んでいることができる。ここで、「実質的に全部」なる
用語は、そのシリカゲルが５重量パーセント未満の水を
含んでいることを意味する。
【００３６】前記有機溶媒は有機ケイ素化合物の添加
前、添加と同時に、または添加に続いて加えることがで
きる。即ち、シリカヒドロゲルを、まず、水の有機溶媒
による置換によって有機ゲルに転化させることができ
る。他方、有機ケイ素化合物と有機溶媒とを同時にシリ
カヒドロゲルに加えることができる。これらの条件下で
は、シリカヒドロゲルと有機ケイ素化合物との反応、お
よびシリカヒドロゲル中の水の有機溶媒による置換が同
時に起こることになろう。最後に、有機ケイ素化合物を
有機溶媒に先立って加えることができるが、この場合シ
リカヒドロゲルは有機ケイ素化合物と反応し、得られた
生成物が次いで有機溶媒の添加により有機ゲルに転化さ
れる。後者の２つのケースでは、有機ゲルへの転化は相
分離により達成され、その際疎水性シリカゲルが有機溶
媒相へと移行する。
前、添加と同時に、または添加に続いて加えることがで
きる。即ち、シリカヒドロゲルを、まず、水の有機溶媒
による置換によって有機ゲルに転化させることができ
る。他方、有機ケイ素化合物と有機溶媒とを同時にシリ
カヒドロゲルに加えることができる。これらの条件下で
は、シリカヒドロゲルと有機ケイ素化合物との反応、お
よびシリカヒドロゲル中の水の有機溶媒による置換が同
時に起こることになろう。最後に、有機ケイ素化合物を
有機溶媒に先立って加えることができるが、この場合シ
リカヒドロゲルは有機ケイ素化合物と反応し、得られた
生成物が次いで有機溶媒の添加により有機ゲルに転化さ
れる。後者の２つのケースでは、有機ゲルへの転化は相
分離により達成され、その際疎水性シリカゲルが有機溶
媒相へと移行する。
【００３７】１つの好ましい方法は、疎水性シリカヒド
ロゲルの形成後に水不混和性有機溶媒を加え、それによ
って疎水性のシリカ有機ゲルを形成し、その後にその溶
媒を疎水性シリカ有機ゲルから除去して実質的に乾燥し
た疎水性シリカゲルとなし、これを次いで本発明の方法
の工程（Ｂ）で処理して親水性シリカゲルを形成する場
合である。
ロゲルの形成後に水不混和性有機溶媒を加え、それによ
って疎水性のシリカ有機ゲルを形成し、その後にその溶
媒を疎水性シリカ有機ゲルから除去して実質的に乾燥し
た疎水性シリカゲルとなし、これを次いで本発明の方法
の工程（Ｂ）で処理して親水性シリカゲルを形成する場
合である。
【００３８】本発明の目的には、水と混和しないもので
あればいかなる有機溶媒も使用できる。適した溶媒に、
ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラ
シロキサン、ジフェニルテトラメチルジシロキサン、お
よび末端がトリメチルシリル基でブロックされているジ
メチルポリシロキサンの各流体のような低分子量のシロ
キサンがある。溶媒としてシロキサンを用いる場合、そ
れは溶媒、およびシリカヒドロゲルとの反応体としての
２つの役割を果たすことができる。上記に加えて、適し
た溶媒に、トルエンおよびキシレンのような芳香族炭化
水素；ヘプタン、その他の脂肪族炭化水素溶媒；シクロ
ヘキサンのようなシクロアルカン；ジエチルエーテルお
よびジブチルエーテルのようなエーテル；塩化メチレ
ン、クロロホルム、塩化エチレンおよびクロロベンゼン
のようなハロゲン化炭化水素；並びにメチルイソブチル
ケトンのようなケトンがある。
あればいかなる有機溶媒も使用できる。適した溶媒に、
ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラ
シロキサン、ジフェニルテトラメチルジシロキサン、お
よび末端がトリメチルシリル基でブロックされているジ
メチルポリシロキサンの各流体のような低分子量のシロ
キサンがある。溶媒としてシロキサンを用いる場合、そ
れは溶媒、およびシリカヒドロゲルとの反応体としての
２つの役割を果たすことができる。上記に加えて、適し
た溶媒に、トルエンおよびキシレンのような芳香族炭化
水素；ヘプタン、その他の脂肪族炭化水素溶媒；シクロ
ヘキサンのようなシクロアルカン；ジエチルエーテルお
よびジブチルエーテルのようなエーテル；塩化メチレ
ン、クロロホルム、塩化エチレンおよびクロロベンゼン
のようなハロゲン化炭化水素；並びにメチルイソブチル
ケトンのようなケトンがある。
【００３９】水不混和性有機溶媒の量は、シリカヒドロ
ゲルをシリカ有機ゲルに転化させるのに十分な溶媒が存
在する限り、格別重要なわけではない。好ましくは、こ
の溶媒は、疎水性シリカ有機ゲルからのその溶媒の除去
を容易にするために、２５０℃より低い沸点を有すべき
であるが、溶媒は遠心分離または他の適当な手段で疎水
性シリカ有機ゲルから除去することができるから、その
沸点は格別重要なわけではない。
ゲルをシリカ有機ゲルに転化させるのに十分な溶媒が存
在する限り、格別重要なわけではない。好ましくは、こ
の溶媒は、疎水性シリカ有機ゲルからのその溶媒の除去
を容易にするために、２５０℃より低い沸点を有すべき
であるが、溶媒は遠心分離または他の適当な手段で疎水
性シリカ有機ゲルから除去することができるから、その
沸点は格別重要なわけではない。
【００４０】本発明の方法の工程（Ｂ）において、疎水
性シリカゲルは、酸化性雰囲気の存在下で、その疎水性
シリカゲルの疎水性を低下させるのに十分な温度におい
て加熱される。ここで、「酸化性雰囲気」とは、上記加
熱プロセス中にSiOC結合が形成されるのを少なくする
か、またはそれを妨げるのに十分な酸素または酸素源が
存在することを意味する。１つの好ましい方法は、この
加熱を酸素の存在下で行うもので、その酸素は大気酸素
の１成分として供給されるものであってもよい。一般的
に言えば、その温度は、疎水性シリカゲルの疎水性を、
そのシリカゲルの構造に悪影響を及ぼすことなく低下さ
せる任意の温度であることができる。シリカゲルに工程
（Ａ）での処理で付与された疎水性の全てまたは一部を
工程（Ｂ）の加熱処理によって低下させることができ
る。典型的には、３００〜１０００℃の範囲内の温度が
使用することができるが、４００〜８００℃の範囲内の
温度が好ましい。工程（Ｂ）で疎水性シリカゲルを加熱
する方法は格別重要なわけではなく、火炎、還元炉、お
よび金属酸化物の工業的焼成操作で一般的に使用される
もののようなタイプの装置による方法であることができ
る。
性シリカゲルは、酸化性雰囲気の存在下で、その疎水性
シリカゲルの疎水性を低下させるのに十分な温度におい
て加熱される。ここで、「酸化性雰囲気」とは、上記加
熱プロセス中にSiOC結合が形成されるのを少なくする
か、またはそれを妨げるのに十分な酸素または酸素源が
存在することを意味する。１つの好ましい方法は、この
加熱を酸素の存在下で行うもので、その酸素は大気酸素
の１成分として供給されるものであってもよい。一般的
に言えば、その温度は、疎水性シリカゲルの疎水性を、
そのシリカゲルの構造に悪影響を及ぼすことなく低下さ
せる任意の温度であることができる。シリカゲルに工程
（Ａ）での処理で付与された疎水性の全てまたは一部を
工程（Ｂ）の加熱処理によって低下させることができ
る。典型的には、３００〜１０００℃の範囲内の温度が
使用することができるが、４００〜８００℃の範囲内の
温度が好ましい。工程（Ｂ）で疎水性シリカゲルを加熱
する方法は格別重要なわけではなく、火炎、還元炉、お
よび金属酸化物の工業的焼成操作で一般的に使用される
もののようなタイプの装置による方法であることができ
る。
【００４１】本発明の方法で製造される親水性シリカゲ
ルは、１００〜１０００m2／gの範囲内のBET表面積と２
mL／gより大きい気孔容積を有することができる。工程
（Ａ）における処理でシリカヒドロゲルに付与された疎
水性の実質的に全部が工程（Ｂ）の加熱処理で除去さ
れ、そしてその親水性シリカゲルのBET表面積が２５０
〜８５０m2／gの範囲内にあり、またその気孔容積が２
〜５mL／gの範囲内にあるそのような親水性シリカゲル
が好ましい。
ルは、１００〜１０００m2／gの範囲内のBET表面積と２
mL／gより大きい気孔容積を有することができる。工程
（Ａ）における処理でシリカヒドロゲルに付与された疎
水性の実質的に全部が工程（Ｂ）の加熱処理で除去さ
れ、そしてその親水性シリカゲルのBET表面積が２５０
〜８５０m2／gの範囲内にあり、またその気孔容積が２
〜５mL／gの範囲内にあるそのような親水性シリカゲル
が好ましい。
【００４２】
【実施例】次の実施例は、本発明を例示説明するために
与えられるものである。これらの実施例は、本発明の特
許請求の範囲を限定しようとするものではない。
与えられるものである。これらの実施例は、本発明の特
許請求の範囲を限定しようとするものではない。
【００４３】試料１〜７は、以下に与えられる方法によ
って製造され、そして特性化されたもので、それらの物
理的性質を表１および２に記載する。
って製造され、そして特性化されたもので、それらの物
理的性質を表１および２に記載する。
【００４４】疎水性シリカゲルの製造 試料１：SiO2を０．１g／mLの濃度で含有するシリカヒ
ドロゾルを、酸形態のイオン交換樹脂であるダウエック
ス（Dowex）50WX8-100［MI州、ミッドランド（Midlan
d）のダウ・ケミカル社（The Dow Chemical Compan
y）］が充填されているカラムを通過させた。このカラ
ムから溶出するシリカヒドロゾルの最初の８００mLを捨
て、脱イオン化されたシリカヒドロゾルの次の２Lを採
集した。この２Lの脱イオン化シリカヒドロゾルを５Lの
フラスコに入れ、そしてそのフラスコに６２６mLの濃塩
酸を急速に攪拌しながら加えた。シリカゲルは２、３分
以内に生成し、攪拌でばらばらになった。そのフラスコ
内容物を１００℃で３時間加熱し、次いで４０℃まで冷
却した。得られた懸濁液に８７２mLのイソプロピルアル
コールと１１２mLのヘキサメチルジシロキサンを加え
た。このフラスコ内容物を室温で４５分間攪拌し、次い
でそのフラスコに２．４Lのトルエンを加えた。そのフ
ラスコ内容物を５分間攪拌してから攪拌を止め、そのフ
ラスコ内容物を水相とトルエン相とに分離させた。その
フラスコから水相を排液し、そのトルエン相を１Lの脱
イオン水で洗浄した。そのフラスコにディーン−スター
ク（Dean-Stark）トラップを取り付け、そしてそのトル
エン相を還流させて残留水を除去した。そのトルエンを
蒸発させ、そしてその疎水性シリカゲルを１５０℃でさ
らに一晩乾燥させた。乾燥疎水性シリカゲルの収量は２
０９．７ｇであった。
ドロゾルを、酸形態のイオン交換樹脂であるダウエック
ス（Dowex）50WX8-100［MI州、ミッドランド（Midlan
d）のダウ・ケミカル社（The Dow Chemical Compan
y）］が充填されているカラムを通過させた。このカラ
ムから溶出するシリカヒドロゾルの最初の８００mLを捨
て、脱イオン化されたシリカヒドロゾルの次の２Lを採
集した。この２Lの脱イオン化シリカヒドロゾルを５Lの
フラスコに入れ、そしてそのフラスコに６２６mLの濃塩
酸を急速に攪拌しながら加えた。シリカゲルは２、３分
以内に生成し、攪拌でばらばらになった。そのフラスコ
内容物を１００℃で３時間加熱し、次いで４０℃まで冷
却した。得られた懸濁液に８７２mLのイソプロピルアル
コールと１１２mLのヘキサメチルジシロキサンを加え
た。このフラスコ内容物を室温で４５分間攪拌し、次い
でそのフラスコに２．４Lのトルエンを加えた。そのフ
ラスコ内容物を５分間攪拌してから攪拌を止め、そのフ
ラスコ内容物を水相とトルエン相とに分離させた。その
フラスコから水相を排液し、そのトルエン相を１Lの脱
イオン水で洗浄した。そのフラスコにディーン−スター
ク（Dean-Stark）トラップを取り付け、そしてそのトル
エン相を還流させて残留水を除去した。そのトルエンを
蒸発させ、そしてその疎水性シリカゲルを１５０℃でさ
らに一晩乾燥させた。乾燥疎水性シリカゲルの収量は２
０９．７ｇであった。
【００４５】試料２〜５：９６０mLの脱イオン水で希釈
された４００mLのPQ Nクリアーケイ酸ナトリウム［PQ N
Clear Sodium Silicate：PA州、バレー・フォージュ
（Valley Forge）のPQ社（PQ Corporation）］を、１３
６mLの濃HClを５０４mLの脱イオン水中に溶解している
急速に攪拌されている溶液（pH１．７）に加えることに
より、SiO2を０．０８g／mLの濃度で含むシリカヒドロ
ゾルを製造した。得られたシリカヒドロゾルのpHを、PQ
Nクリアーケイ酸ナトリウムの希薄溶液（SiO2・０．１
g／mL）でｐＨ４に調整してシリカヒドロゾルを形成し
た。このシリカヒドロゾルの試料を室温で次の時間熟成
した：試料２：３．５時間；試料３：８時間；試料４：
２４時間；および試料５：９６時間。それぞれ記載され
た時間熟成した後、各試料を次のとおり処理した。即
ち、そのシリカヒドロゲル試料に５００mLの濃HClを加
え、続いて８３３mLのイソプロピルアルコールおよび２
２７mLのヘキサメチルジシロキサンを加えた。得られた
混合物を室温で１時間攪拌し、次いでその試料に攪拌し
ながら１．５Ｌのトルエンを加えた。攪拌を止め、その
試料を水相とトルエン相とに分離させた。その水相を捨
て、そのトルエン相に２５０mLのイソピルアルコールと
５０mLの脱イオン水を加えた。その試料を２分間急速に
攪拌した。次いで、この試料に混合しながら７００mLの
脱イオン水を加え、その試料を再び相分離させた。その
水相を捨てた。試料を含んでいるそのフラスコにディー
ン−スタークトラップを取り付け、そして残留水を共沸
蒸留により除去した。そのトルエン相をガラス製パンに
注加し、そのトルエンを一晩蒸発させた。残っている疎
水性シリカヒドロゲルを１５０℃で１４時間さらに乾燥
した。
された４００mLのPQ Nクリアーケイ酸ナトリウム［PQ N
Clear Sodium Silicate：PA州、バレー・フォージュ
（Valley Forge）のPQ社（PQ Corporation）］を、１３
６mLの濃HClを５０４mLの脱イオン水中に溶解している
急速に攪拌されている溶液（pH１．７）に加えることに
より、SiO2を０．０８g／mLの濃度で含むシリカヒドロ
ゾルを製造した。得られたシリカヒドロゾルのpHを、PQ
Nクリアーケイ酸ナトリウムの希薄溶液（SiO2・０．１
g／mL）でｐＨ４に調整してシリカヒドロゾルを形成し
た。このシリカヒドロゾルの試料を室温で次の時間熟成
した：試料２：３．５時間；試料３：８時間；試料４：
２４時間；および試料５：９６時間。それぞれ記載され
た時間熟成した後、各試料を次のとおり処理した。即
ち、そのシリカヒドロゲル試料に５００mLの濃HClを加
え、続いて８３３mLのイソプロピルアルコールおよび２
２７mLのヘキサメチルジシロキサンを加えた。得られた
混合物を室温で１時間攪拌し、次いでその試料に攪拌し
ながら１．５Ｌのトルエンを加えた。攪拌を止め、その
試料を水相とトルエン相とに分離させた。その水相を捨
て、そのトルエン相に２５０mLのイソピルアルコールと
５０mLの脱イオン水を加えた。その試料を２分間急速に
攪拌した。次いで、この試料に混合しながら７００mLの
脱イオン水を加え、その試料を再び相分離させた。その
水相を捨てた。試料を含んでいるそのフラスコにディー
ン−スタークトラップを取り付け、そして残留水を共沸
蒸留により除去した。そのトルエン相をガラス製パンに
注加し、そのトルエンを一晩蒸発させた。残っている疎
水性シリカヒドロゲルを１５０℃で１４時間さらに乾燥
した。
【００４６】試料６： pH６．８で熟成され、ヘキサメ
チルジシロキサンで疎水化され、そしてFeCl3が熱安定
剤として添入されている有機シリケート変性シリカゲル
を製造した。即ち、３１２mLのPQ Nクリアーケイ酸ナト
リウム（PQ社）、１４０mLのメチルケイ酸ナトリウム
［DC（登録商標）722、MI州、ミッドランドのダウ・コ
ーニング社（Dow Corning Corporation）］および９４
８mLの脱イオン水を含む溶液を調製した。この溶液を、
３００mLの脱イオン水で希釈された３００mLの濃HClを
含む急速に攪拌されている溶液に加えて、SiO2を０．０
６３g／mLおよびMeSiO3/2（Meはメチル基を表す）を
０．０１７g／mL の濃度で含む有機シリケート変性シリ
カヒドロゾルを形成した。さらに２〜３分間攪拌した
後、その有機シリケート変性シリカヒドロゾルを平らな
パンに注加して２．５時間ゲル化させた。その有機シリ
ケート変性シリカヒドロゲルを２．５cm平方に切断し、
その溶出液のpHがpH３〜４となるまで脱イオン水で洗浄
した。洗浄された有機シリケート変性シリカヒドロゲル
をガラス製容器に入れ、濃水酸化アンモニウムを添加す
ることによりpH６．８に調整し、得られた混合物を室温
で４４時間熟成した。
チルジシロキサンで疎水化され、そしてFeCl3が熱安定
剤として添入されている有機シリケート変性シリカゲル
を製造した。即ち、３１２mLのPQ Nクリアーケイ酸ナト
リウム（PQ社）、１４０mLのメチルケイ酸ナトリウム
［DC（登録商標）722、MI州、ミッドランドのダウ・コ
ーニング社（Dow Corning Corporation）］および９４
８mLの脱イオン水を含む溶液を調製した。この溶液を、
３００mLの脱イオン水で希釈された３００mLの濃HClを
含む急速に攪拌されている溶液に加えて、SiO2を０．０
６３g／mLおよびMeSiO3/2（Meはメチル基を表す）を
０．０１７g／mL の濃度で含む有機シリケート変性シリ
カヒドロゾルを形成した。さらに２〜３分間攪拌した
後、その有機シリケート変性シリカヒドロゾルを平らな
パンに注加して２．５時間ゲル化させた。その有機シリ
ケート変性シリカヒドロゲルを２．５cm平方に切断し、
その溶出液のpHがpH３〜４となるまで脱イオン水で洗浄
した。洗浄された有機シリケート変性シリカヒドロゲル
をガラス製容器に入れ、濃水酸化アンモニウムを添加す
ることによりpH６．８に調整し、得られた混合物を室温
で４４時間熟成した。
【００４７】熟成後、その有機シリケート変性シリカゲ
ルから水相を排液し、そのシリカヒドロゲルを５Lのガ
ラスフラスコに入れた。その有機シリケート変性シリカ
ヒドロゲルに、攪拌しながら、７２７mLの濃HCl、９０
９mLのイソプロパノール、４７１mLのヘキサメチルジシ
ロキサンおよび４．２gのFeCl3を加えた。このフラスコ
内容物を室温で１時間攪拌した後、２Lのトルエンを加
えた。そのフラスコ内容物をさらに２〜３分間攪拌した
後、攪拌を止めてその水相をフラスコから排液した。そ
のトルエン相を１Lの脱イオン水で洗浄した。このフラ
スコにディーン−スタークトラップを取り付け、そして
そのトルエン相を還流させて残留水を除去した。そのト
ルエン相を減圧下で蒸発させると、生成物として疎水性
の有機シリケート変性シリカゲルが残った。この有機シ
リケート変性疎水性シリカゲルを１５０℃で１４時間乾
燥した。乾燥された疎水性の有機シリケート変性シリカ
ゲルの収量は１７１gであった。
ルから水相を排液し、そのシリカヒドロゲルを５Lのガ
ラスフラスコに入れた。その有機シリケート変性シリカ
ヒドロゲルに、攪拌しながら、７２７mLの濃HCl、９０
９mLのイソプロパノール、４７１mLのヘキサメチルジシ
ロキサンおよび４．２gのFeCl3を加えた。このフラスコ
内容物を室温で１時間攪拌した後、２Lのトルエンを加
えた。そのフラスコ内容物をさらに２〜３分間攪拌した
後、攪拌を止めてその水相をフラスコから排液した。そ
のトルエン相を１Lの脱イオン水で洗浄した。このフラ
スコにディーン−スタークトラップを取り付け、そして
そのトルエン相を還流させて残留水を除去した。そのト
ルエン相を減圧下で蒸発させると、生成物として疎水性
の有機シリケート変性シリカゲルが残った。この有機シ
リケート変性疎水性シリカゲルを１５０℃で１４時間乾
燥した。乾燥された疎水性の有機シリケート変性シリカ
ゲルの収量は１７１gであった。
【００４８】試料７：pH６．８で熟成され、ジメチルジ
クロロシランで疎水化され、そしてFeCl3が熱安定剤と
して添入されている有機シリケート変性シリカゲルを製
造した。即ち、３１２mLのPQ Nクリアーケイ酸ナトリウ
ム（PQ社）、１４０mLのメチルケイ酸ナトリウム（DC 7
22）および９４８mLの脱イオン水を含む溶液を調製し
た。この溶液を、３００mLの脱イオン水で希釈された３
００mLの濃HClを含む急速に攪拌されている溶液に加え
て、SiO2を０．０６３g／mLおよびMeSiO3/2を０．０１
７g／mL の濃度で含む有機シリケート変性シリカヒドロ
ゾルを形成した。さらに２〜３分間攪拌した後、その有
機シリケート変性シリカヒドロゾルを平らなパンに注加
して２時間ゲル化させた。その有機シリケート変性シリ
カヒドロゲルを２．５cm平方に切断し、そしてその溶出
液のpHがpH３〜４となるまで脱イオン水で洗浄した。洗
浄された有機シリケート変性シリカヒドロゲルをガラス
製容器に入れ、濃水酸化アンモニウムを添加することに
よりpH６．８に調整し、得られた混合物を室温で４４時
間熟成した。
クロロシランで疎水化され、そしてFeCl3が熱安定剤と
して添入されている有機シリケート変性シリカゲルを製
造した。即ち、３１２mLのPQ Nクリアーケイ酸ナトリウ
ム（PQ社）、１４０mLのメチルケイ酸ナトリウム（DC 7
22）および９４８mLの脱イオン水を含む溶液を調製し
た。この溶液を、３００mLの脱イオン水で希釈された３
００mLの濃HClを含む急速に攪拌されている溶液に加え
て、SiO2を０．０６３g／mLおよびMeSiO3/2を０．０１
７g／mL の濃度で含む有機シリケート変性シリカヒドロ
ゾルを形成した。さらに２〜３分間攪拌した後、その有
機シリケート変性シリカヒドロゾルを平らなパンに注加
して２時間ゲル化させた。その有機シリケート変性シリ
カヒドロゲルを２．５cm平方に切断し、そしてその溶出
液のpHがpH３〜４となるまで脱イオン水で洗浄した。洗
浄された有機シリケート変性シリカヒドロゲルをガラス
製容器に入れ、濃水酸化アンモニウムを添加することに
よりpH６．８に調整し、得られた混合物を室温で４４時
間熟成した。
【００４９】熟成後、その有機シリケート変性シリカゲ
ルから水相を排液し、そのシリカヒドロゲルを５Lのガ
ラスフラスコに入れた。その有機シリケート変性シリカ
ヒドロゲルに、攪拌しながら、７２７mLの濃HCl、９０
９mLのイソプロパノール、１３０mLのジメチルジクロロ
シランおよび４．２gのFeCl3を加えた。このフラスコ内
容物を室温で１時間攪拌した後、そのフラスコに２Lの
トルエンを加えた。そのフラスコ内容物をさらに２〜３
分間攪拌した後、攪拌を止めてその水相をフラスコから
排液した。そのトルエン相を１Lの脱イオン水で洗浄し
た。このフラスコにディーン−スタークトラップを取り
付け、そのトルエン相を還流させて残留水を除去した。
そのトルエン相を減圧下で蒸発させると、生成物として
疎水性の有機シリケート変性シリカゲルが残った。この
疎水性有機シリケート変性シリカゲルを１５０℃で１４
時間乾燥した。乾燥された疎水性の有機シリケート変性
シリカゲルの収量は１７９gであった。
ルから水相を排液し、そのシリカヒドロゲルを５Lのガ
ラスフラスコに入れた。その有機シリケート変性シリカ
ヒドロゲルに、攪拌しながら、７２７mLの濃HCl、９０
９mLのイソプロパノール、１３０mLのジメチルジクロロ
シランおよび４．２gのFeCl3を加えた。このフラスコ内
容物を室温で１時間攪拌した後、そのフラスコに２Lの
トルエンを加えた。そのフラスコ内容物をさらに２〜３
分間攪拌した後、攪拌を止めてその水相をフラスコから
排液した。そのトルエン相を１Lの脱イオン水で洗浄し
た。このフラスコにディーン−スタークトラップを取り
付け、そのトルエン相を還流させて残留水を除去した。
そのトルエン相を減圧下で蒸発させると、生成物として
疎水性の有機シリケート変性シリカゲルが残った。この
疎水性有機シリケート変性シリカゲルを１５０℃で１４
時間乾燥した。乾燥された疎水性の有機シリケート変性
シリカゲルの収量は１７９gであった。
【００５０】シリカゲルの特性化 上記の疎水性有機シリケート変性シリカゲルを、コーン
・カロリメーター（Cone Calorimeter）中で５０kW／m2
で加熱する前および加熱後の、BET表面積、気孔容積、
気孔直径および疎水性に関して特徴付けた。結果を表１
に与える。BET表面積は、前記のブルナウアー・エメッ
ト−テーラー（BET）法で測定され；気孔容積と気孔直
径は、バレット−ジョイナー−ハグレンダ（Barrett-Jo
yner-Hglenda：BJH）分析法で測定され；そして疎水性
は、シリカゲルが水と接触したときに濡れる程度を目視
観察することによって測定された：ここで「−」は湿潤
性が乏しいことを示し、「±」は部分的に湿潤性である
ことを示し、そして「＋」は湿潤性が良好であることを
示す。
・カロリメーター（Cone Calorimeter）中で５０kW／m2
で加熱する前および加熱後の、BET表面積、気孔容積、
気孔直径および疎水性に関して特徴付けた。結果を表１
に与える。BET表面積は、前記のブルナウアー・エメッ
ト−テーラー（BET）法で測定され；気孔容積と気孔直
径は、バレット−ジョイナー−ハグレンダ（Barrett-Jo
yner-Hglenda：BJH）分析法で測定され；そして疎水性
は、シリカゲルが水と接触したときに濡れる程度を目視
観察することによって測定された：ここで「−」は湿潤
性が乏しいことを示し、「±」は部分的に湿潤性である
ことを示し、そして「＋」は湿潤性が良好であることを
示す。
【００５１】
【表１】
【００５２】試料１、３および５の一部は、マッフル炉
中で、６５０℃まで２℃／分のランプ温度（ramp tempe
rature）において加熱され、そして物理的特性は前記の
ように測定された。結果を表２に与える。
中で、６５０℃まで２℃／分のランプ温度（ramp tempe
rature）において加熱され、そして物理的特性は前記の
ように測定された。結果を表２に与える。
【００５３】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームズ リチャード ハーン アメリカ合衆国 ミシガン、ミドランド、 マーチン コート 2988 (72)発明者 キアステン リン シェパード アメリカ合衆国 ミシガン、ミドランド、 パーリン ロード 2333
Claims (10)
- 【請求項１】 有機置換基が結合されている疎水性シリ
カヒドロゲルを、酸化性雰囲気中で、該疎水性シリカヒ
ドロゲルの疎水性を該有機置換基の酸化により低下させ
るのに十分な温度において加熱する工程を含んで成る、
親水性シリカゲルの製造法。 - 【請求項２】 親水性シリカゲルの製造法にして、次
の： （Ａ）シリカヒドロゲルを、（１）触媒量の強酸、およ
び（２）式：R1 aHbSiX 4-a-bで表される有機シラン、
式：R1 nSiO(4-n)/2で表される有機シロキサンおよび
式：(R1 3Si)2NHで表される有機ジシラザン（但し、上記
の式において、R1は各々独立に１〜１２個の炭素原子を
含む炭化水素基および１〜１２個の炭素原子を含む有機
官能性の炭化水素基から選ばれ、Xは各々独立にハロゲ
ンおよび１〜１２個の炭素原子を含むアルコキシ基から
選ばれ、ａ＝０、１、２または３であり、ｂ＝０または
１であり、ａ＋ｂ＝１、２または３であり、但しｂ＝１
であるときａ＋ｂ＝２または３であり、そしてｎは２〜
３の整数（２及び３を含む）である）から選ばれる有機
ケイ素化合物と接触させ、それによって疎水性シリカヒ
ドロゲルを形成し、そして（Ｂ）該疎水性シリカヒドロ
ゲルを、酸化性雰囲気中で、該疎水性シリカヒドロゲル
の疎水性を低下させるのに十分な温度において加熱し、
それによって親水性シリカゲルを形成する工程を含んで
成る、上記の親水性シリカゲルの製造法。 - 【請求項３】 親水性シリカゲルの製造法にして、次
の： （Ａ）シリカヒドロゲルを、（１）触媒量の強酸、およ
び（２）式：R1 aHbSiX 4-a-bで表される有機シラン、
式：R1 nSiO(4-n)/2で表される有機シロキサンおよび
式：(R1 3Si)2NHで表される有機ジシラザン（但し、上記
の式において、R1は各々独立に１〜１２個の炭素原子を
含む炭化水素基および１〜１２個の炭素原子を含む有機
官能性の炭化水素基から選ばれ、Xは各々独立にハロゲ
ンおよび１〜１２個の炭素原子を含むアルコキシ基から
選ばれ、ａ＝０、１、２または３であり、ｂ＝０または
１であり、ａ＋ｂ＝１、２または３であり、但しｂ＝１
であるときａ＋ｂ＝２または３であり、そしてｎは２〜
３の整数（２及び３を含む）である）から選ばれる有機
ケイ素化合物と接触させ、それによって疎水性シリカヒ
ドロゲルを形成し、 （Ｂ）該疎水性シリカヒドロゲルから水を実質的に全部
除去し、それによって疎水性シリカゲルを形成し、そし
て （Ｃ）該疎水性シリカゲルを、酸化性雰囲気中で、該疎
水性シリカゲルの疎水性を低下させるのに十分な温度に
おいて加熱し、それによって親水性シリカゲルを形成す
る工程を含んで成る、上記の親水性シリカゲルの製造
法。 - 【請求項４】 親水性シリカゲルの製造法にして、次
の： （Ａ）シリカヒドロゲルを、（１）触媒量の強酸、およ
び（２）式：R1 aHbSiX 4-a-bで表される有機シラン、
式：R1 nSiO(4-n)/2で表される有機シロキサンおよび
式：(R1 3Si)2NHで表される有機ジシラザン（但し、上記
の式において、R1は各々独立に１〜１２個の炭素原子を
含む炭化水素基および１〜１２個の炭素原子を含む有機
官能性の炭化水素基から選ばれ、Xは各々独立にハロゲ
ンおよび１〜１２個の炭素原子を含むアルコキシ基から
選ばれ、ａ＝０、１、２または３であり、ｂ＝０または
１であり、ａ＋ｂ＝１、２または３であり、但しｂ＝１
であるときａ＋ｂ＝２または３であり、そしてｎは２〜
３の整数（２及び３を含む）である）から選ばれる有機
ケイ素化合物と接触させ、それによって疎水性シリカヒ
ドロゲルを形成し、 （Ｂ）該疎水性シリカヒドロゲルを、該疎水性シリカヒ
ドロゲルを疎水性シリカ有機ゲルに転化するのに十分な
量の水不混和性有機溶媒と接触させ、そして （Ｃ）該疎水性シリカ有機ゲルを、酸化性雰囲気中で、
該疎水性シリカ有機ゲルの疎水性を低下させるのに十分
な温度において加熱し、それによって親水性シリカゲル
を形成する工程を含んで成る、上記の親水性シリカゲル
の製造法。 - 【請求項５】 親水性シリカゲルの製造法にして、次
の： （Ａ）シリカヒドロゲルを、（１）触媒量の強酸、およ
び（２）式：R1 aHbSiX 4-a-bで表される有機シラン、
式：R1 nSiO(4-n)/2で表される有機シロキサンおよび
式：(R1 3Si)2NHで表される有機ジシラザン（但し、上記
の式において、R1は各々独立に１〜１２個の炭素原子を
含む炭化水素基および１〜１２個の炭素原子を含む有機
官能性の炭化水素基から選ばれ、Xは各々独立にハロゲ
ンおよび１〜１２個の炭素原子を含むアルコキシ基から
選ばれ、ａ＝０、１、２または３であり、ｂ＝０または
１であり、ａ＋ｂ＝１、２または３であり、但しｂ＝１
であるときａ＋ｂ＝２または３であり、そしてｎは２〜
３の整数（２及び３を含む）である）から選ばれる有機
ケイ素化合物と接触させ、それによって疎水性シリカヒ
ドロゲルを形成し、 （Ｂ）該疎水性シリカヒドロゲルを、該疎水性シリカヒ
ドロゲルを疎水性シリカ有機ゲルに転化するのに十分な
量の水不混和性有機溶媒と接触させ、 （Ｃ）該疎水性シリカ有機ゲルから該溶媒を実質的に全
部除去して疎水性シリカゲルを形成し、そして （Ｄ）該疎水性シリカゲルを、酸化性雰囲気中で、該疎
水性シリカゲルの疎水性を低下させるのに十分な温度に
おいて加熱し、それによって親水性シリカゲルを形成す
る工程を含んで成る、上記の親水性シリカゲルの製造
法。 - 【請求項６】 前記の疎水性シリカが乾燥状態で１００
〜１０００m2／gの範囲内の表面積を有する、請求項
２、３、４または５に記載の方法。 - 【請求項７】 前記のシリカヒドロゲルを７５〜１５０
℃の温度において３０分〜２０時間の範囲内の時間熟成
する、請求項２、３、４または５に記載の方法。 - 【請求項８】 前記の有機ケイ素化合物がヘキサメチル
ジシロキサンおよびジメチルジクロロシランから選択さ
れる、請求項２、３、４または５に記載の方法。 - 【請求項９】 工程（Ｂ）の加熱を３００〜１０００℃
の範囲内の温度で行う、請求項２、３、４または５に記
載の方法。 - 【請求項１０】 前記の加熱を３００〜１０００℃の範
囲内の温度で行う、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US329384 | 1989-03-27 | ||
| US09/329,384 US6239243B1 (en) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | Method for preparing hydrophilic silica gels with high pore volume |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001019422A true JP2001019422A (ja) | 2001-01-23 |
Family
ID=23285138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000172851A Pending JP2001019422A (ja) | 1999-06-10 | 2000-06-09 | 高気孔容積を有する親水性シリカゲルの製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6239243B1 (ja) |
| EP (1) | EP1059267A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001019422A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006302897A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Applied Films Gmbh & Co Kg | 磁気マスクホルダー |
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