JP2001015669A - Lead frame, resin sealed semiconductor device using the same, and its manufacture - Google Patents
Lead frame, resin sealed semiconductor device using the same, and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱効果を高める
ことができる半導体装置用のリードフレームとそれを用
いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関する
ものであり、特にパッケージクラックを防止して信頼性
を向上させることができるリードフレームとそれを用い
た樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device capable of enhancing a heat radiation effect, a resin-sealed semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same. The present invention relates to a lead frame capable of improving reliability by using the same, a resin-sealed semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with miniaturization of electronic equipment, high-density mounting of semiconductor components such as resin-encapsulated semiconductor devices has been required.
Thinning is progressing. In addition, the number of pins has been increased while being small and thin, and a high-density small and thin resin-sealed semiconductor device has been demanded.
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。Hereinafter, a lead frame used in a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described.
【０００４】図１５は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図１６は従来のリードフレームの構
成を示す断面図であり、図１５のＡ−Ａ１箇所の断面を
示している。FIG. 15 is a plan view showing the structure of a conventional lead frame. FIG. 16 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional lead frame, and shows a cross section taken along a line AA1 in FIG.
【０００５】図１５，図１６に示すように、従来のリー
ドフレームは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１
０１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド
部１０２と、ダイパッド部１０２を支持する吊りリード
部１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した
半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続す
るビーム状のインナーリード部１０４と、そのインナー
リード部１０４と連続して設けられ、外部端子との接続
のためのアウターリード部１０５と、アウターリード部
１０５どうしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めと
なるタイバー部１０６とより構成されていた。またダイ
パッド部１０２はディプレス加工により、インナーリー
ド部１０４の上面よりも下方に配置されているものであ
る。As shown in FIGS. 15 and 16, a conventional lead frame includes a frame 101 and its frame 1.
01, a rectangular die pad portion 102 on which a semiconductor element is mounted, a suspension lead portion 103 supporting the die pad portion 102, and a semiconductor element mounted on the semiconductor chip. A beam-shaped inner lead portion 104 electrically connected by the connecting means, an outer lead portion 105 provided continuously with the inner lead portion 104 for connection to an external terminal, and an outer lead portion 105 connected and fixed. The tie bar portion 106 serves as a resin stopper at the time of resin sealing. The die pad portion 102 is disposed below the upper surface of the inner lead portion 104 by depressing.
【０００６】なお、リードフレームは、図１５に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。Note that the lead frame has not one pattern having the structure shown in FIG.
They are arranged vertically continuously.
【０００７】次に図１５，図１６に示したような従来の
リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置について
説明する。図１７は従来の樹脂封止型半導体装置を示す
断面図である。Next, a resin-sealed semiconductor device using a conventional lead frame as shown in FIGS. 15 and 16 will be described. FIG. 17 is a sectional view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【０００８】図１７に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０７が搭載され、そ
の半導体素子１０７とインナーリード部１０４とが金属
細線１０８により電気的に接続されている。そしてダイ
パッド部１０２上の半導体素子１０７、インナーリード
部１０４の外囲は封止樹脂１０９により封止されてい
る。封止樹脂１０９の側面からはアウターリード部１０
５が突出して設けられ、先端部はベンディングされてい
る。As shown in FIG. 17, a semiconductor element 107 is mounted on a die pad section 102 of a lead frame, and the semiconductor element 107 and the inner lead section 104 are electrically connected by a thin metal wire 108. The outer periphery of the semiconductor element 107 and the inner lead part 104 on the die pad part 102 is sealed with a sealing resin 109. From the side of the sealing resin 109, the outer lead portion 10
5 is provided so as to protrude, and the tip is bent.
【０００９】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。図１８〜図２２は、リードフレー
ムを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す工程ごとの断面図である。Next, a method of manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described. 18 to 22 are cross-sectional views for each process showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device using a lead frame.
【００１０】まず図１８に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状の
ダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２を支持する
吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置
した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接
続するビーム状のインナーリード部１０４と、そのイン
ナーリード部１０４と連続して設けられ、外部端子との
接続のためのアウターリード部と、アウターリード部ど
うしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとなるタイ
バー部とを有したリードフレームを用意する。[0010] First, as shown in FIG.
In the frame, a rectangular die pad portion 102 on which the semiconductor element is mounted, a suspension lead portion supporting the die pad portion 102, and when the semiconductor element is mounted, the mounted semiconductor element and a thin metal wire. A beam-shaped inner lead portion 104 electrically connected by the connecting means, and an outer lead portion provided continuously with the inner lead portion 104 for connecting to an external terminal, and connecting and fixing the outer lead portions to each other. Then, a lead frame having a tie bar portion to be a resin stopper at the time of resin sealing is prepared.
【００１１】次に図１９に示すように、リードフレーム
のダイパッド部１０２上に半導体素子１０７を銀ペース
ト等の接着剤により接合する（ダイボンド工程）。Next, as shown in FIG. 19, the semiconductor element 107 is bonded to the die pad portion 102 of the lead frame with an adhesive such as a silver paste (die bonding step).
【００１２】次に図２０に示すように、ダイパッド部１
０２上に搭載した半導体素子１０７の表面の電極パッド
（図示せず）と、リードフレームのインナーリード部１
０４の先端部とを金属細線１０８により接続する（ワイ
ヤーボンド工程）。Next, as shown in FIG.
02 and the inner lead portion 1 of the lead frame on the surface of the semiconductor element 107 mounted on the
04 is connected to the distal end portion by a thin metal wire 108 (wire bonding step).
【００１３】その後、図２１に示すように、半導体素子
１０７の外囲を封止樹脂により封止するが、封止領域は
リードフレームのタイバー部で包囲された領域内を封止
樹脂１０９により封止し、アウターリード部１０５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。Thereafter, as shown in FIG. 21, the outer periphery of the semiconductor element 107 is sealed with a sealing resin, and the sealing region is sealed with a sealing resin 109 in the region surrounded by the tie bar portion of the lead frame. Then, the outer lead portion 105 is sealed by protruding outside (resin sealing step).
【００１４】そして図２２に示すように、タイバー部の
部分で封止樹脂１０９の境界部をリードカットし、各ア
ウターリード部１０５を分離し、フレーム枠を除去する
とともに、アウターリード部１０５の先端部をベンディ
ングすることにより（タイバーカット・ベンド工程）、
樹脂封止型半導体装置を得るものである。Then, as shown in FIG. 22, the boundary portion of the sealing resin 109 is lead-cut at the tie bar portion, each outer lead portion 105 is separated, the frame is removed, and the tip of the outer lead portion 105 is removed. By bending the part (tie bar cut bend process),
A resin-encapsulated semiconductor device is obtained.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、基本的にはダイパッド部は半導体素
子を支持する機能を有しているが、半導体素子より発せ
られた熱を外部に放熱する機能は有しておらず、発熱性
の半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成す
ることはできなかった。また、ダイパッド部の底面を封
止樹脂から露出させ、ダイパッド部自体を放熱板として
機能させ、発熱性の半導体素子を搭載して樹脂封止型半
導体装置を構成することも可能であるが、ダイパッド部
底面を封止樹脂より露出させているため、気密性、およ
び熱応力によるパッケージクラック、または耐湿性の面
で、フルモールドタイプの樹脂封止型半導体装置よりも
劣り、信頼性上、好ましくないという課題があった。However, in the conventional lead frame, the die pad portion basically has the function of supporting the semiconductor element, but the function of radiating the heat generated from the semiconductor element to the outside is not provided. Therefore, a resin-encapsulated semiconductor device cannot be configured by mounting a heat-generating semiconductor element. It is also possible to form a resin-sealed semiconductor device by exposing the bottom surface of the die pad portion from the sealing resin, making the die pad portion itself function as a heat sink, and mounting a heat-generating semiconductor element. Since the bottom surface is exposed from the sealing resin, it is inferior to a full-mold type resin-sealed semiconductor device in terms of airtightness, package crack due to thermal stress, or moisture resistance, and is not preferable in reliability. There was a problem that.
【００１６】本発明は前記した従来の課題を解決するも
のであり、小型、薄型の放熱機能を備えたフルモールド
タイプの樹脂封止型半導体装置を実現することができる
リードフレームを提供するものであり、またパッケージ
クラック等の信頼性を向上させることができるリードフ
レームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその
製造方法を提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and provides a lead frame capable of realizing a full-mold type resin-sealed semiconductor device having a small and thin heat dissipation function. It is another object of the present invention to provide a lead frame capable of improving the reliability of a package crack or the like, a resin-sealed semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のリードフレームは、フレーム枠と、
前記フレーム枠内に、半導体素子が載置される放熱部材
と、前記放熱部材の上面とその底面とが接着され、半導
体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属
細線等の接続手段により電気的接続するインナーリード
部と、前記インナーリード部と連続して設けられ、外部
端子との接続のためのアウターリード部とより構成さ
れ、前記放熱部材の半導体素子が搭載される領域に開口
部が設けられ、前記開口部の形状は、半導体素子が搭載
された際、その半導体素子の底面の各辺にその開口部の
一部が位置する形状であるリードフレームである。In order to solve the above-mentioned conventional problems, a lead frame according to the present invention comprises:
In the frame, a heat radiating member on which a semiconductor element is mounted, and an upper surface and a bottom surface of the heat radiating member are adhered to each other, and when the semiconductor element is mounted, connection of the mounted semiconductor element to a thin metal wire or the like. An inner lead portion electrically connected by means, and an outer lead portion provided continuously with the inner lead portion and connected to an external terminal, and formed in a region where the semiconductor element of the heat dissipation member is mounted. An opening is provided, and the shape of the opening is such that when the semiconductor element is mounted, a part of the opening is located on each side of the bottom surface of the semiconductor element.
【００１８】具体的には、放熱部材の開口部の形状は菱
形であって、その菱形の各コーナー部は丸みを有し、そ
のコーナー部が、半導体素子が搭載された際、その半導
体素子の底面の各辺に位置する形状であるリードフレー
ムである。Specifically, the shape of the opening of the heat dissipating member is a rhombus, and each corner of the rhombus has a rounded shape. The lead frame has a shape located on each side of the bottom surface.
【００１９】また、放熱部材の開口部の形状は略八角形
であって、その八角形の四辺が、半導体素子が搭載され
た際、その半導体素子の底面の各辺に位置する形状であ
るリードフレームである。The shape of the opening of the heat dissipating member is substantially octagonal, and the four sides of the octagon are located on each side of the bottom surface of the semiconductor element when the semiconductor element is mounted. It is a frame.
【００２０】また、放熱部材の開口部の形状は略十字形
であって、その十字形の突出四辺が、半導体素子が搭載
された際、その半導体素子の底面の各辺に位置する形状
であるリードフレームである。The shape of the opening of the heat radiating member is substantially a cross shape, and the four sides of the cross shape are located on each side of the bottom surface of the semiconductor element when the semiconductor element is mounted. It is a lead frame.
【００２１】本発明の樹脂封止型半導体装置は、コーナ
ー部が丸みを有した略菱形の開口部を有した放熱部材上
に半導体素子が搭載され、前記半導体素子の電極パッド
とインナーリード部とが金属細線で接続され、前記半導
体素子、放熱部材、インナーリード部、および金属細線
の接続領域の外囲が封止樹脂で樹脂封止され、前記封止
樹脂から前記インナーリード部と接続したアウターリー
ド部が突出した樹脂封止型半導体装置であって、前記放
熱部材の上面は前記インナーリード部の先端部底面と接
着され、前記放熱部材の前記略菱形の開口部の各コーナ
ー部は搭載した半導体素子の底面の各辺にその一部が位
置している樹脂封止型半導体装置である。In the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, a semiconductor element is mounted on a heat dissipating member having a substantially rhombic opening with a rounded corner, and an electrode pad and an inner lead portion of the semiconductor element are provided. Are connected by a thin metal wire, the outer periphery of the semiconductor element, the heat radiating member, the inner lead portion, and the outer periphery of the connection region of the thin metal wire are resin-sealed with a sealing resin, and connected to the inner lead portion from the sealing resin. In a resin-encapsulated semiconductor device having protruding leads, an upper surface of the heat dissipating member is bonded to a bottom surface of a distal end of the inner lead portion, and each corner of the substantially rhombic opening of the heat dissipating member is mounted. This is a resin-encapsulated semiconductor device in which a part is located on each side of the bottom surface of the semiconductor element.
【００２２】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、フレーム枠と、前記フレーム枠内に、半導体素子が
載置される放熱部材と、前記放熱部材の上面とその底面
とが接着され、半導体素子を載置した場合、その載置し
た半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続
するインナーリード部と、前記インナーリード部と連続
して設けられ、外部端子との接続のためのアウターリー
ド部とより構成され、前記放熱部材の半導体素子が搭載
される領域にコーナー部が丸みを有した略菱形の開口部
が設けられ、前記開口部の各コーナー部は、半導体素子
が搭載された際、その半導体素子の底面の各辺に位置す
るリードフレームを用意する工程と、用意したリードフ
レームの前記放熱部材上に前記開口部を覆うように半導
体素子を接着剤により接合するとともに、搭載した半導
体素子の底面の各辺に前記開口部のコーナー部を位置さ
せる工程と、前記放熱部材上に搭載した半導体素子の電
極パッドとインナーリード部とを金属細線により接続す
る工程と、前記リードフレーム上の半導体素子、放熱部
材、インナーリード部および金属細線の接続領域の各外
囲を封止樹脂によりフルモールドして樹脂封止する工程
とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。According to the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, a frame, a heat radiating member on which a semiconductor element is mounted in the frame, and an upper surface and a bottom surface of the heat radiating member are bonded. When a semiconductor element is mounted, an inner lead portion electrically connected to the mounted semiconductor element by a connecting means such as a thin metal wire and the like, and an inner lead portion is provided continuously with the inner lead portion for connection with an external terminal. A substantially rhombic opening having a rounded corner is provided in a region where the semiconductor element of the heat dissipating member is mounted, and each corner of the opening has a semiconductor element mounted thereon. A step of preparing a lead frame located on each side of the bottom surface of the semiconductor element, and bonding the semiconductor element to the adhesive so as to cover the opening on the heat dissipation member of the prepared lead frame. And bonding the corners of the opening to each side of the bottom surface of the mounted semiconductor element, and connecting the electrode pads of the semiconductor element mounted on the heat dissipating member and the inner lead parts with thin metal wires. A resin-encapsulated semiconductor device, comprising the steps of: fully encapsulating a semiconductor element, a heat radiation member, an inner lead portion, and a connection region of a thin metal wire on the lead frame with a sealing resin and sealing the resin with resin; It is a manufacturing method of.
【００２３】前記構成の通り、本発明のリードフレーム
は、放熱部材の半導体素子が搭載される領域に開口部が
設けられ、その開口部の形状は、半導体素子が搭載され
た際、その半導体素子の底面の各辺にその開口部の一部
が位置する形状であるため、封止樹脂との密着性を高め
るとともに、パッケージ（封止樹脂）に対する局所的な
応力を防止し、パッケージクラックを防止して信頼性の
高い樹脂封止型半導体装置を実現できるものである。As described above, in the lead frame of the present invention, an opening is provided in a region of the heat radiation member where the semiconductor element is mounted, and the shape of the opening is such that the semiconductor element is mounted when the semiconductor element is mounted. The shape is such that a part of the opening is located on each side of the bottom surface of the package, which enhances the adhesion to the sealing resin and prevents local stress on the package (sealing resin) to prevent package cracks. As a result, a highly reliable resin-sealed semiconductor device can be realized.
【００２４】また、本発明のリードフレームを用いるこ
とにより、半導体素子を搭載した放熱部材をフルモール
ドしても、インナーリード部を通じて放熱できるので、
放熱性を向上させ、また気密性を高め、耐湿性を向上さ
せた樹脂封止型半導体装置を実現できるものである。Further, by using the lead frame of the present invention, heat can be dissipated through the inner lead even if the heat dissipating member on which the semiconductor element is mounted is fully molded.
It is possible to realize a resin-sealed semiconductor device with improved heat dissipation, airtightness, and improved moisture resistance.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
の主とした実施形態について図面を参照しながら説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A lead frame, a resin-sealed semiconductor device using the same and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００２６】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。First, the lead frame of this embodiment will be described.
【００２７】図１は本実施形態のリードフレームを示す
平面図である。図２は本実施形態のリードフレームの底
面図である。また図３は本実施形態のリードフレームの
断面図であり、図１におけるＢ−Ｂ１箇所の断面を示し
ている。FIG. 1 is a plan view showing a lead frame of the present embodiment. FIG. 2 is a bottom view of the lead frame of the present embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view of the lead frame of the present embodiment, and shows a cross section taken along line BB1 in FIG.
【００２８】図示するように本実施形態のリードフレー
ムは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリードフレ
ームに用いられている金属板よりなり、フレーム枠１
と、そのフレーム枠１内に、半導体素子が載置され、放
熱機能を有する放熱部材２と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的接続し、放熱部材２の周辺に先端部が配置さ
れたビーム状のインナーリード部３と、そのインナーリ
ード部３と連続して設けられ、外部端子との接続のため
のアウターリード部４と、アウターリード部４どうしを
連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとなるタイバー部
５とより構成されている。なお、放熱部材２はポリイミ
ド樹脂によりインナーリード部３の先端部底面と加熱接
着されているものであり、本実施形態では放熱部材２の
上面全体にポリイミド樹脂を形成し、約３００［℃］で
加熱して接着したものである。As shown in the figure, the lead frame of this embodiment is made of a copper plate or a metal plate used for a normal lead frame such as 42-alloy.
And a heat dissipating member 2 having a heat dissipating function in which a semiconductor element is mounted in the frame 1 and, when the semiconductor element is mounted, electrically connected to the mounted semiconductor element by connecting means such as a thin metal wire. A beam-shaped inner lead portion 3 having a distal end disposed around the heat radiating member 2; an outer lead portion 4 provided continuously with the inner lead portion 3 for connection to an external terminal; The tie bar portion 5 is used to connect and fix the lead portions 4 to each other and to stop the resin at the time of resin sealing. The heat dissipating member 2 is heat-bonded to the bottom surface of the distal end portion of the inner lead portion 3 with a polyimide resin. In this embodiment, the polyimide resin is formed on the entire upper surface of the heat dissipating member 2 and is heated at about 300 ° C. It was heated and adhered.
【００２９】そして詳細には、本実施形態のリードフレ
ームの放熱部材２には、半導体素子が搭載される領域に
開口部６が設けられている。この開口部６は、半導体素
子を搭載し、外囲を封止樹脂で封止した際、その開口部
６に封止樹脂が回り込み、密着性を向上させるととも
に、応力緩和して、パッケージクラックを防止できるも
のである。さらに放熱部材２はインナーリード部３と接
着されており、搭載した半導体素子から発せられた熱を
外部に放熱する機能を有している。また開口部６は、半
導体素子が搭載された際、半導体素子の底面の各辺にそ
のコーナー部が位置するように設けられ、形状として
は、本実施形態では、コーナー部が丸みを有した菱形を
採用している。図１において、破線で示した領域が、半
導体素子が搭載される領域であって、半導体素子の底面
を示している。More specifically, the heat dissipation member 2 of the lead frame according to the present embodiment has an opening 6 in a region where the semiconductor element is mounted. When the semiconductor element is mounted and the outer periphery is sealed with a sealing resin, the sealing resin wraps around the opening 6 to improve the adhesiveness, relieve stress, and reduce package cracks. It can be prevented. Further, the heat radiating member 2 is bonded to the inner lead portion 3 and has a function of radiating the heat generated from the mounted semiconductor element to the outside. The opening 6 is provided such that a corner thereof is located on each side of the bottom surface of the semiconductor element when the semiconductor element is mounted, and in the present embodiment, the opening 6 is shaped like a rhombus having a rounded corner. Is adopted. In FIG. 1, a region indicated by a broken line is a region where the semiconductor element is mounted, and indicates a bottom surface of the semiconductor element.
【００３０】また本実施形態のリードフレームはその表
面がメッキ処理されたものであり、必要に応じて例え
ば、ハンダメッキ、またはニッケル（Ｎｉ），パラジウ
ム（Ｐｄ）および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適
宜メッキされているものである。また本実施形態のリー
ドフレームは図１，図２に示したようなパターンが１つ
よりなるものではなく、左右・上下に連続して形成でき
るものである。The lead frame according to the present embodiment has its surface plated. If necessary, for example, solder plating or metal such as nickel (Ni), palladium (Pd) and gold (Au) is used. They are laminated and plated appropriately. Further, the lead frame of the present embodiment does not consist of one pattern as shown in FIGS. 1 and 2, but can be formed continuously in the left, right, up and down directions.
【００３１】本実施形態のリードフレームにより、半導
体素子を搭載し、金属細線で半導体素子と各リードとを
接続し、樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を構成した
際、放熱部材２をフルモールドしても、半導体素子から
の熱はインナーリード部３を通じて外部に放熱でき、ま
た放熱部材２には半導体素子の底面の領域からはみ出さ
ない開口部６が設けられているので、封止樹脂を開口部
に回り込ませ、半導体素子の底面とも接触させることが
できるので、密着性を向上させるとともに、応力緩和し
て、パッケージクラックを防止し、信頼性の高い樹脂封
止型半導体装置を実現できるものである。With the lead frame of the present embodiment, when the semiconductor element is mounted, the semiconductor element and each lead are connected by a thin metal wire, and the resin is sealed to form a resin-sealed semiconductor device, the heat radiating member 2 is formed. Even when fully molded, heat from the semiconductor element can be radiated to the outside through the inner lead portion 3, and the heat radiation member 2 is provided with an opening 6 that does not protrude from the area of the bottom surface of the semiconductor element. Resin can be wrapped around the opening to make contact with the bottom surface of the semiconductor element, improving adhesiveness, relaxing stress, preventing package cracks, and realizing a highly reliable resin-encapsulated semiconductor device. You can do it.
【００３２】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の一実
施形態について図面を参照しながら説明する。図４は本
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
る。また本実施形態では図１，図２および図３に示した
リードフレームを例として用いた樹脂封止型半導体装置
である。Next, an embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a sectional view showing the resin-sealed semiconductor device according to the present embodiment. The present embodiment is a resin-sealed semiconductor device using the lead frame shown in FIGS. 1, 2 and 3 as an example.
【００３３】図４に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、開口部６を有した放熱部材２上に半導
体素子７が搭載され、半導体素子７の主面の電極パッド
とインナーリード部３とが金属細線８で電気的に接続さ
れ、半導体素子７、放熱部材２、インナーリード部３、
および金属細線８の接続領域の外囲が封止樹脂９でフル
モールドされ、封止樹脂９からインナーリード部３と接
続したアウターリード部４が突出した樹脂封止型半導体
装置であって、放熱部材２の上面はインナーリード部３
の先端部底面と接着され、放熱部材２の開口部６は搭載
した半導体素子７の底面の各辺にそのコーナー部が位置
した樹脂封止型半導体装置である。As shown in FIG. 4, in the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, a semiconductor element 7 is mounted on a heat radiating member 2 having an opening 6, and an electrode pad on the main surface of the semiconductor element 7 The inner lead 3 is electrically connected to the inner lead 3 by a thin metal wire 8, and the semiconductor element 7, the heat radiation member 2, the inner lead 3,
And a resin-encapsulated semiconductor device in which an outer periphery of a connection region of the thin metal wire 8 is fully molded with a sealing resin 9 and an outer lead portion 4 connected to the inner lead portion 3 projects from the sealing resin 9. The upper surface of the member 2 is the inner lead portion 3.
The opening 6 of the heat dissipating member 2 is a resin-sealed semiconductor device in which corners are located on each side of the bottom surface of the mounted semiconductor element 7.
【００３４】以上のように、本実施形態の樹脂封止型半
導体装置は、放熱部材２がフルモールドされても、半導
体素子７からの熱はインナーリード部３を通じて外部に
放熱でき、また放熱部材２には半導体素子７の底面の領
域からはみ出さない開口部６が設けられているので、封
止樹脂９を開口部６に回り込ませ、半導体素子７の底面
とも接触させることができるので、半導体素子７からの
熱を効率よく放熱部材２を通して放散でき、さらに密着
性を向上させるとともに、応力緩和してパッケージクラ
ックを防止し、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置であ
る。As described above, in the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, even if the heat radiating member 2 is fully molded, the heat from the semiconductor element 7 can be radiated to the outside through the inner lead portion 3. 2 is provided with an opening 6 that does not protrude from the area of the bottom surface of the semiconductor element 7, so that the sealing resin 9 can flow around the opening 6 and contact the bottom surface of the semiconductor element 7. The heat from the element 7 can be efficiently dissipated through the heat radiating member 2, the adhesion is further improved, and the stress is relaxed to prevent the package from cracking.
【００３５】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の一実施形態について図面を参照しながら説明す
る。図５〜図１０は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す工程ごとの断面図と平面図である。な
お、本実施形態では、図１，図２および図３に示したよ
うなリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製
造する形態を説明する。Next, an embodiment of a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the present invention will be described with reference to the drawings. 5 to 10 are a cross-sectional view and a plan view for each step showing the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment. In the present embodiment, an embodiment in which a resin-encapsulated semiconductor device is manufactured using a lead frame as shown in FIGS. 1, 2, and 3 will be described.
【００３６】まず図５に示すように、リードフレームと
して銅材または、４２−アロイ等の通常のリードフレー
ムに用いられている金属板よりなり、フレーム枠と、そ
のフレーム枠内に、半導体素子が載置され、放熱機能を
有する放熱部材２と、半導体素子を載置した場合、その
載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気
的接続するビーム状のインナーリード部３と、そのイン
ナーリード部３と連続して設けられ、外部端子との接続
のためのアウターリード部と、アウターリード部どうし
を連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとなるタイバー
部とより構成され、放熱部材２がインナーリード部３と
その放熱部材２上面全体に設けられた樹脂により接着さ
れ、放熱部材２の半導体素子が搭載される領域に開口部
６が設けられたリードフレームを用意する。First, as shown in FIG. 5, the lead frame is made of a copper plate or a metal plate used for a normal lead frame such as 42-alloy, and a semiconductor device is provided in the frame frame. A heat dissipating member 2 having a heat dissipating function, and a beam-shaped inner lead 3 electrically connected to the mounted semiconductor element by a connecting means such as a thin metal wire when the semiconductor element is mounted, An outer lead portion provided to be continuous with the lead portion 3 for connection to an external terminal, and a tie bar portion for connecting and fixing the outer lead portions to each other and serving as a resin stopper at the time of resin sealing. The member 2 is bonded to the inner lead portion 3 with a resin provided on the entire upper surface of the heat radiating member 2, and an opening 6 is provided in a region of the heat radiating member 2 where the semiconductor element is mounted. To provide a lead frame.
【００３７】次に図６に示すように、用意したリードフ
レームの放熱部材２上に半導体素子７を銀ペースト等の
接着剤、または絶縁性接着剤により接合する。ここでは
放熱部材２の開口部６を除く領域にポイントサポート的
に接着剤を介して半導体素子７を接合するものである。Next, as shown in FIG. 6, the semiconductor element 7 is bonded onto the heat radiating member 2 of the prepared lead frame with an adhesive such as a silver paste or an insulating adhesive. Here, the semiconductor element 7 is joined to the area of the heat radiation member 2 except for the opening 6 via an adhesive as a point support.
【００３８】図７にはリードフレームに半導体素子７を
搭載した状態を示している。図７に示すように、半導体
素子７は放熱部材２上の開口部６（破線で示した構成）
を覆い、その開口部６は、搭載された半導体素子７の底
面の各辺にそのコーナー部が位置し、またそのコーナー
部が丸みを有した菱形である。FIG. 7 shows a state where the semiconductor element 7 is mounted on a lead frame. As shown in FIG. 7, the semiconductor element 7 has an opening 6 on the heat radiating member 2 (a configuration shown by a broken line).
The opening 6 has a corner portion on each side of the bottom surface of the mounted semiconductor element 7, and the corner portion has a rounded diamond shape.
【００３９】次に図８に示すように、放熱部材２に搭載
した半導体素子７の主面上の電極パッドと、インナーリ
ード部３の各上面とを金属細線８により電気的に接続す
る。ここでは、インナーリード部３の先端底面は放熱部
材２上面と接着されているので、インナーリード部３の
ガタつき、位置ズレを防止してワイヤーボンドできるも
のである。Next, as shown in FIG. 8, the electrode pads on the main surface of the semiconductor element 7 mounted on the heat radiating member 2 and the respective upper surfaces of the inner lead portions 3 are electrically connected by thin metal wires 8. Here, since the bottom surface of the tip of the inner lead portion 3 is adhered to the upper surface of the heat radiating member 2, the inner lead portion 3 can be back-bonded and wire-bonded while preventing displacement.
【００４０】次に図９に示すように、半導体素子７、放
熱部材２、インナーリード部３および金属細線８の接続
領域の外囲を封止樹脂９によりフルモールドして樹脂封
止する。この時、放熱部材２の開口部６にも封止樹脂９
が充填され、半導体素子７の底面も封止される。通常は
この樹脂封止は、上下封止金型を用いたトランスファー
モールドにより行う。また放熱部材２の上面全体にはイ
ンナーリード部３の接着のためのポリイミド樹脂が形成
されているため、封止樹脂９と放熱部材２との密着性を
向上させることができる。Next, as shown in FIG. 9, the outer periphery of the connection area of the semiconductor element 7, the heat radiation member 2, the inner lead portion 3, and the thin metal wire 8 is full-molded with a sealing resin 9 and resin-sealed. At this time, the sealing resin 9 is also provided in the opening 6 of the heat radiation member 2.
And the bottom surface of the semiconductor element 7 is also sealed. Usually, this resin sealing is performed by transfer molding using upper and lower sealing dies. Further, since a polyimide resin for bonding the inner lead portion 3 is formed on the entire upper surface of the heat radiating member 2, the adhesion between the sealing resin 9 and the heat radiating member 2 can be improved.
【００４１】そして図１０に示すように、樹脂封止後は
リードフレームのフレーム枠から形成した樹脂封止型半
導体装置をタイバーカットして分離するとともに、封止
樹脂９の側面から突出したアウターリード部４をベンデ
ィングすることにより、開口部６を有した放熱部材２上
に半導体素子７が搭載され、半導体素子７の主面の電極
パッドとインナーリード部３とが金属細線８で電気的に
接続され、半導体素子７、放熱部材２、インナーリード
部３、および金属細線８の接続領域の外囲が封止樹脂９
でフルモールドされ、封止樹脂９からインナーリード部
３と接続したアウターリード部４が突出した樹脂封止型
半導体装置であって、放熱部材２の上面はインナーリー
ド部３の先端部底面と接着され、放熱部材２の開口部６
は搭載した半導体素子７の底面の各辺にそのコーナー部
が位置した樹脂封止型半導体装置を得る。Then, as shown in FIG. 10, after resin sealing, the resin-encapsulated semiconductor device formed from the frame of the lead frame is separated by tie-bar cutting, and the outer leads projecting from the side surfaces of the sealing resin 9 are separated. By bending the portion 4, the semiconductor element 7 is mounted on the heat radiating member 2 having the opening 6, and the electrode pad on the main surface of the semiconductor element 7 and the inner lead portion 3 are electrically connected by the thin metal wire 8. The surroundings of the connection regions of the semiconductor element 7, the heat radiation member 2, the inner lead portions 3, and the thin metal wires 8 are sealing resin 9.
And a resin-encapsulated semiconductor device in which the outer lead portion 4 connected to the inner lead portion 3 projects from the sealing resin 9, wherein the upper surface of the heat radiating member 2 is bonded to the bottom surface of the distal end portion of the inner lead portion 3. The opening 6 of the heat radiation member 2
Obtains a resin-encapsulated semiconductor device in which corners are located on each side of the bottom surface of the mounted semiconductor element 7.
【００４２】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法により、放熱性を有するとともに、耐湿性を
向上させ、またパッケージクラックを防止、信頼性を向
上させた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。As described above, according to the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, the resin-encapsulated semiconductor device having heat dissipation, improved moisture resistance, and prevented package cracks and improved reliability. Can be realized.
【００４３】次に本実施形態の放熱部材の開口部につい
て説明する。図１１〜図１４は放熱部材の開口部を示す
平面図であり、各図中、破線で示した領域は、半導体素
子が搭載された際の半導体素子の底面を示している。Next, the opening of the heat radiation member of this embodiment will be described. FIGS. 11 to 14 are plan views showing the openings of the heat radiation member, and in each figure, a region shown by a broken line shows a bottom surface of the semiconductor element when the semiconductor element is mounted.
【００４４】まず本実施形態では、図１１に示すよう
に、放熱部材２に設けた開口部６の形状は、菱形とし、
半導体素子の底面の各辺と接する部分、またはその内側
にそのコーナー部が位置するものであり、またそのコー
ナー部（角部）が鋭角ではなく、丸みを有したものであ
る。そのため、半導体素子からの熱を効率よく放熱部材
２を通して放散でき、パッケージ（封止樹脂）に対する
局所的な応力を防止し、パッケージクラックを防止でき
るものである。また、この菱形の形状は、半導体素子の
底面と放熱部材２との接着面積（ボンディング領域）を
確保し、開口面積を高めるとともに、その形状により応
力を緩和できるため、パッケージクラックの発生を防止
し、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を実現できるも
のである。また、本実施形態の菱形の形状において、そ
の菱形の開口部６は、半導体素子の底面の領域（面積）
よりも大きくなると、熱放散が十分に行われず、放熱効
率を下げるため、搭載する半導体素子の底面の領域（面
積）よりも小さくするものである。なお、図中、破線で
示した半導体素子の底面領域において、菱形の開口部６
以外の破線領域内、すなわち菱形の開口部６の各辺と半
導体素子の底面領域との間の略三角領域が半導体素子の
底面と放熱部材２との接着面積（ボンディング領域）と
なる。First, in this embodiment, as shown in FIG. 11, the shape of the opening 6 provided in the heat radiating member 2 is rhombic.
The corner portion is located at a portion in contact with or inside each side of the bottom surface of the semiconductor element, and the corner portion (corner portion) is not acute but rounded. Therefore, heat from the semiconductor element can be efficiently dissipated through the heat radiating member 2, local stress on the package (sealing resin) can be prevented, and package cracks can be prevented. In addition, this rhombus shape secures a bonding area (bonding region) between the bottom surface of the semiconductor element and the heat radiating member 2, increases the opening area, and alleviates the stress by the shape, thereby preventing the occurrence of package cracks. Thus, a highly reliable resin-encapsulated semiconductor device can be realized. In the rhombus shape of the present embodiment, the rhombus opening 6 is formed in a region (area) on the bottom surface of the semiconductor element.
If it is larger than this, heat is not sufficiently dissipated and the heat radiation efficiency is reduced, so that the area (area) of the bottom surface of the semiconductor element to be mounted is made smaller. In the figure, a diamond-shaped opening 6 is formed in the bottom surface region of the semiconductor element shown by the broken line.
In other than the broken line region, that is, a substantially triangular region between each side of the diamond-shaped opening 6 and the bottom surface region of the semiconductor element is an adhesion area (bonding region) between the bottom surface of the semiconductor element and the heat radiation member 2.
【００４５】また図１２に示すように、開口部６は略菱
形であって、八角形とすることにより、開口部６のコー
ナー部（突出した部分）は鋭角ではなく、平坦面を成し
ているので、パッケージ（封止樹脂）に対する局所的な
応力を防止し、パッケージクラックを防止できるもので
ある。As shown in FIG. 12, the opening 6 is substantially rhombic and octagonal, so that the corners (projected portions) of the opening 6 are not acute angles but form flat surfaces. Therefore, local stress on the package (sealing resin) can be prevented, and package cracks can be prevented.
【００４６】また図１３に示すように、開口部６は略十
字形であって、開口部６の半導体素子の底面の各辺と接
する部分（各先端部）は鋭角ではなく、平坦面を成して
いるので、パッケージ（封止樹脂）に対する局所的な応
力を防止し、パッケージクラックを防止できるものであ
る。また十字形を変形させて、Ｘ字形としてもよい。As shown in FIG. 13, the opening 6 has a substantially cross shape, and a portion (each end) of the opening 6 that contacts each side of the bottom surface of the semiconductor element is not an acute angle but a flat surface. Therefore, local stress on the package (sealing resin) can be prevented, and package cracks can be prevented. Further, the cross shape may be changed to an X-shape.
【００４７】また図１４に示すように、開口部６は略円
形（楕円形）であって、開口部６の半導体素子の底面の
各辺と接する部分は局面を成しているので、パッケージ
（封止樹脂）に対する局所的な応力を防止し、パッケー
ジクラックを防止できるものである。As shown in FIG. 14, the opening 6 is substantially circular (elliptical), and the portion of the opening 6 that is in contact with each side of the bottom surface of the semiconductor element forms a surface, so that the package ( This prevents local stress on the sealing resin and prevents package cracks.
【００４８】以上、本実施形態に示したように、リード
フレームの放熱部材は開口部を有し、その開口部の半導
体素子の底面の各辺と接する部分、例えばコーナー部は
局所的な応力、衝撃をパッケージ（封止樹脂）に印加す
ることがないため、パッケージクラックを防止し、信頼
性の高い樹脂封止型半導体装置を実現できるものであ
る。As described above, as shown in the present embodiment, the heat dissipation member of the lead frame has an opening, and a portion of the opening that contacts each side of the bottom surface of the semiconductor element, for example, a corner portion has a local stress, Since no impact is applied to the package (sealing resin), the package crack is prevented, and a highly reliable resin-sealed semiconductor device can be realized.
【００４９】また半導体素子を搭載した放熱部材をフル
モールドしても、インナーリード部を通じて放熱できる
ので、放熱性を向上させ、また気密性を高め、耐湿性を
向上させた樹脂封止型半導体装置を実現できるものであ
る。Even if the heat dissipating member on which the semiconductor element is mounted is fully molded, heat can be dissipated through the inner lead portion, so that the heat dissipating property is improved, the airtightness is improved, and the moisture resistance is improved. Can be realized.
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上、本発明のリードフレームにより、
放熱部材をフルモールドしても、インナーリード部を通
じて放熱できるので、放熱性を向上させ、また気密性を
高め、耐湿性を向上させた樹脂封止型半導体装置を実現
でき、また放熱部材は開口部を有し、その開口部の半導
体素子の底面の各辺と接する部分は局所的な応力、衝撃
をパッケージ（封止樹脂）に印加することがないため、
パッケージクラックを防止し、信頼性の高い樹脂封止型
半導体装置を実現できるものである。As described above, according to the lead frame of the present invention,
Even if the heat dissipating member is fully molded, heat can be dissipated through the inner leads, so that a resin-encapsulated semiconductor device with improved heat dissipating properties, improved airtightness, and improved moisture resistance can be realized. Since a portion of the opening that contacts each side of the bottom surface of the semiconductor element does not apply a local stress or impact to the package (sealing resin),
A package crack can be prevented and a highly reliable resin-encapsulated semiconductor device can be realized.
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態のリードフレームを示す底
面図FIG. 2 is a bottom view showing the lead frame according to the embodiment of the present invention;
【図３】本発明の一実施形態のリードフレームを示す断
面図FIG. 3 is a sectional view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図FIG. 4 is a sectional view showing a resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図FIG. 5 is a sectional view showing the method for manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the embodiment of the present invention;
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図FIG. 6 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す平面図FIG. 7 is a plan view showing the method for manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図FIG. 8 is a sectional view showing the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to one embodiment of the present invention;
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図FIG. 9 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 10 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;
【図１１】本発明の一実施形態のリードフレームの放熱
部材を示す平面図FIG. 11 is a plan view showing a heat radiation member of the lead frame according to the embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の一実施形態のリードフレームの放熱
部材を示す平面図FIG. 12 is a plan view showing a heat radiation member of the lead frame according to the embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の一実施形態のリードフレームの放熱
部材を示す平面図FIG. 13 is a plan view showing a heat radiation member of the lead frame according to the embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の一実施形態のリードフレームの放熱
部材を示す平面図FIG. 14 is a plan view showing a heat radiation member of the lead frame according to the embodiment of the present invention.
【図１５】従来のリードフレームを示す平面図FIG. 15 is a plan view showing a conventional lead frame.
【図１６】従来のリードフレームを示す断面図FIG. 16 is a sectional view showing a conventional lead frame.
【図１７】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図FIG. 17 is a sectional view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図１８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図FIG. 18 is a sectional view showing a method for manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図FIG. 19 is a sectional view showing a method of manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図２０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図FIG. 20 is a sectional view showing a method of manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図２１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図FIG. 21 is a sectional view showing a method for manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図２２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図FIG. 22 is a sectional view showing a method of manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
１ フレーム枠 ２ 放熱部材 ３ インナーリード部 ４ アウターリード部 ５ タイバー部 ６ 開口部 ７ 半導体素子 ８ 金属細線 ９ 封止樹脂 １０１ フレーム枠 １０２ ダイパッド部 １０３ 吊りリード部 １０４ インナーリード部 １０５ アウターリード部 １０６ タイバー部 １０７ 半導体素子 １０８ 金属細線 １０９ 封止樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Frame frame 2 Heat dissipation member 3 Inner lead part 4 Outer lead part 5 Tie bar part 6 Opening part 7 Semiconductor element 8 Fine metal wire 9 Sealing resin 101 Frame frame 102 Die pad part 103 Suspended lead part 104 Inner lead part 105 Outer lead part 106 Tie bar Part 107 semiconductor element 108 thin metal wire 109 sealing resin
Claims (6)
導体素子が載置される放熱部材と、前記放熱部材の上面
とその底面とが接着され、半導体素子を載置した場合、
その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により
電気的接続するインナーリード部と、前記インナーリー
ド部と連続して設けられ、外部端子との接続のためのア
ウターリード部とより構成され、前記放熱部材の半導体
素子が搭載される領域に開口部が設けられ、前記開口部
の形状は、半導体素子が搭載された際、その半導体素子
の底面の各辺にその開口部の一部が位置する形状である
ことを特徴とするリードフレーム。1. A frame frame, a heat radiating member on which a semiconductor element is mounted in the frame frame, and an upper surface and a bottom surface of the heat radiating member are bonded to each other, and when the semiconductor element is mounted,
An inner lead portion electrically connected to the mounted semiconductor element by a connection means such as a thin metal wire, and an outer lead portion provided continuously with the inner lead portion and connected to an external terminal, An opening is provided in a region of the heat dissipating member where the semiconductor element is mounted, and the shape of the opening is such that when the semiconductor element is mounted, a part of the opening is positioned on each side of the bottom surface of the semiconductor element. A lead frame characterized in that the lead frame has a shape.
て、その菱形の各コーナー部は丸みを有し、そのコーナ
ー部が、半導体素子が搭載された際、その半導体素子の
底面の各辺に位置する形状であることを特徴とする請求
項１に記載のリードフレーム。2. The shape of the opening of the heat dissipating member is rhombus, and each corner of the rhombus has a rounded shape. When the corner is mounted on the semiconductor element, each corner of the bottom of the semiconductor element is closed. The lead frame according to claim 1, wherein the lead frame has a shape located on a side.
って、その八角形の四辺が、半導体素子が搭載された
際、その半導体素子の底面の各辺に位置する形状である
ことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。3. The shape of the opening of the heat dissipating member is substantially octagonal, and the four sides of the octagon are located on each side of the bottom surface of the semiconductor element when the semiconductor element is mounted. The lead frame according to claim 1, wherein:
って、その十字形の突出四辺が、半導体素子が搭載され
た際、その半導体素子の底面の各辺に位置する形状であ
ることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。4. The shape of the opening of the heat dissipating member is substantially a cross shape, and the four sides of the cross shape are located on each side of the bottom surface of the semiconductor element when the semiconductor element is mounted. The lead frame according to claim 1, wherein:
部を有した放熱部材上に半導体素子が搭載され、前記半
導体素子の電極パッドとインナーリード部とが金属細線
で接続され、前記半導体素子、放熱部材、インナーリー
ド部、および金属細線の接続領域の外囲が封止樹脂で樹
脂封止され、前記封止樹脂から前記インナーリード部と
接続したアウターリード部が突出した樹脂封止型半導体
装置であって、前記放熱部材の上面は前記インナーリー
ド部の先端部底面と接着され、前記放熱部材の前記略菱
形の開口部の各コーナー部は搭載した半導体素子の底面
の各辺にその一部が位置していることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。5. A semiconductor device is mounted on a heat dissipating member having a substantially rhombic opening having a rounded corner, and an electrode pad of the semiconductor device and an inner lead portion are connected by a thin metal wire. A resin-sealed type in which the outer periphery of the connection region of the element, the heat dissipating member, the inner lead portion, and the thin metal wire is resin-sealed with a sealing resin, and the outer lead portion connected to the inner lead portion protrudes from the sealing resin. In the semiconductor device, an upper surface of the heat dissipating member is bonded to a bottom surface of a distal end portion of the inner lead portion, and each corner of the substantially rhombic opening of the heat dissipating member is formed on each side of a bottom surface of the mounted semiconductor element. A resin-encapsulated semiconductor device, a part of which is located.
導体素子が載置される放熱部材と、前記放熱部材の上面
とその底面とが接着され、半導体素子を載置した場合、
その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により
電気的接続するインナーリード部と、前記インナーリー
ド部と連続して設けられ、外部端子との接続のためのア
ウターリード部とより構成され、前記放熱部材の半導体
素子が搭載される領域にコーナー部が丸みを有した略菱
形の開口部が設けられ、前記開口部の各コーナー部は、
半導体素子が搭載された際、その半導体素子の底面の各
辺に位置するリードフレームを用意する工程と、用意し
たリードフレームの前記放熱部材上に前記開口部を覆う
ように半導体素子を接着剤により接合するとともに、搭
載した半導体素子の底面の各辺に前記開口部のコーナー
部を位置させる工程と、前記放熱部材上に搭載した半導
体素子の電極パッドとインナーリード部とを金属細線に
より接続する工程と、前記リードフレーム上の半導体素
子、放熱部材、インナーリード部および金属細線の接続
領域の各外囲を封止樹脂によりフルモールドして樹脂封
止する工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法。6. A frame frame, a heat radiating member on which a semiconductor element is mounted in the frame frame, and an upper surface and a bottom surface of the heat radiating member bonded to each other to mount the semiconductor element.
An inner lead portion electrically connected to the mounted semiconductor element by a connection means such as a thin metal wire, and an outer lead portion provided continuously with the inner lead portion and connected to an external terminal, A substantially rhombic opening having a rounded corner is provided in a region where the semiconductor element of the heat dissipating member is mounted, and each corner of the opening is
When the semiconductor element is mounted, a step of preparing a lead frame located on each side of the bottom surface of the semiconductor element, and bonding the semiconductor element with an adhesive so as to cover the opening on the heat dissipation member of the prepared lead frame. Joining and locating the corners of the opening on each side of the bottom surface of the mounted semiconductor element, and connecting the electrode pads of the semiconductor element mounted on the heat dissipating member and the inner lead parts with thin metal wires And a step of performing a full molding with a sealing resin on the outer periphery of the connection area of the semiconductor element, the heat radiating member, the inner lead portion, and the thin metal wire on the lead frame to perform resin sealing. A method for manufacturing a fixed semiconductor device.
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1999
- 1999-07-02 JP JP18875899A patent/JP3454192B2/en not_active Expired - Lifetime
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