JP2001015423A - 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】像のコントラストが互いに異なる複数のマスク
パターンを用いて多重露光するに際して、微細線の方向
が混在している複雑なパターンを含め、すべての微細線
を良好に再現するようにすること。 【解決手段】多重露光を行うに際して、複数のマスクパ
ターンのうちの複数の方向の微細線が交わるパターンあ
るいは隣接しているパターンから得られるコントラスト
が低いパターンの像の形成位置を、隣合うパターンの位
相差が１８０度であるパターンの像で露光し、前記コン
トラストが低いパターンに関する露光量分布のコントラ
ストを向上させる。
パターンを用いて多重露光するに際して、微細線の方向
が混在している複雑なパターンを含め、すべての微細線
を良好に再現するようにすること。 【解決手段】多重露光を行うに際して、複数のマスクパ
ターンのうちの複数の方向の微細線が交わるパターンあ
るいは隣接しているパターンから得られるコントラスト
が低いパターンの像の形成位置を、隣合うパターンの位
相差が１８０度であるパターンの像で露光し、前記コン
トラストが低いパターンに関する露光量分布のコントラ
ストを向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法、露光装
置、およびデバイス製造方法に関し、特に微細な回路パ
ターンを感光基板上に露光する露光方法、露光装置、お
よびデバイス製造方法に関する。本発明の露光方法およ
び露光装置は、例えばＩＣ・ＬＳＩなどの半導体チッ
プ、液晶パネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出
素子、ＣＣＤなどの撮像素子といった各種デバイス、マ
イクロメカニクスで用いる広域なパターンの製造に用い
られる。
置、およびデバイス製造方法に関し、特に微細な回路パ
ターンを感光基板上に露光する露光方法、露光装置、お
よびデバイス製造方法に関する。本発明の露光方法およ
び露光装置は、例えばＩＣ・ＬＳＩなどの半導体チッ
プ、液晶パネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出
素子、ＣＣＤなどの撮像素子といった各種デバイス、マ
イクロメカニクスで用いる広域なパターンの製造に用い
られる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＩＣ、ＬＳＩ、液晶パネル等
のデバイスをフォトリソグラフィー技術を用いて製造す
る時には、フォトマスク又はレチクル等（以下、「マス
ク」と記す。）の回路パターンを投影光学系によってフ
ォトレジスト等が塗布されたシリコンウエハ又はガラス
プレート等（以下、「ウエハ」と記す。）の感光基板上
に投影し、そこに転写する（露光する）投影露光方法及
び投影露光装置が使用されている。上記デバイスの高集
積化に対応して、ウエハに転写するパターンの微細化即
ち高解像度化とウエハにおける１チップの大面積化とが
要求されでおり、従ってウエハに対する微細加工技術の
中心を成す上記投影露光方法及び投影露光装置において
も、現在、０．５μｍ以下の寸法（線幅）の像を広範囲
に形成するべく、解像度と露光面積の向上が計られてい
る。
のデバイスをフォトリソグラフィー技術を用いて製造す
る時には、フォトマスク又はレチクル等（以下、「マス
ク」と記す。）の回路パターンを投影光学系によってフ
ォトレジスト等が塗布されたシリコンウエハ又はガラス
プレート等（以下、「ウエハ」と記す。）の感光基板上
に投影し、そこに転写する（露光する）投影露光方法及
び投影露光装置が使用されている。上記デバイスの高集
積化に対応して、ウエハに転写するパターンの微細化即
ち高解像度化とウエハにおける１チップの大面積化とが
要求されでおり、従ってウエハに対する微細加工技術の
中心を成す上記投影露光方法及び投影露光装置において
も、現在、０．５μｍ以下の寸法（線幅）の像を広範囲
に形成するべく、解像度と露光面積の向上が計られてい
る。
【０００３】従来の投影露光装置の模式図を図２２に示
す。図２２中、１９１は遠紫外線露光用光源であるエキ
シマーレーザ、１９２は照明光学系、１９３は照明光、
１９４はマスク、１９５はマスク１９４から出て光学系
１９６に入射する物体側露光光、１９６は縮小投影光学
系、１９７は光学系１９６から出て基板１９８に入射す
る像側露光光、１９８は感光基板であるウエハ、１９９
は感光基板を保持する基板ステージを示す。エキシマレ
ーザ１９１から出射したレーザ光は、引き回し光学系に
よって照明光学系１９２に導光され、照明光学系１９２
により所定の光強度分布、配光分布、開き角（開口数Ｎ
Ａ）等を持つ照明光１９３となるように調整され、マス
ク１９４を照明する。マスク１９４にはウエハ１９８上
に形成する微細パターンを投影光学系１９６の投影倍率
の逆数倍（例えば２倍や４倍や５倍）した寸法のパター
ンがクロム等によって石英基板上に形成されており、照
明光１９３はマスク１９４の微細パターンによって透過
回折され、物体側露光光１９５となる。投影光学系１９
６は、物体側露光光１９５を、マスク１９４の微細パタ
ーンを上記投影倍率で且つ充分小さな収差でウエハ１９
８上に結像する像側露光光１９７に変換する。像側露光
光１９７は図２２の下部の拡大図に示されるように、所
定の開口数ＮＡ（＝ｓｉｎθ）でウエハ１９８上に収束
し、ウエハ１９８上に微細パターンの像を結ぶ。基板ス
テージ１９９は、ウエハ１９８の互いに異なる複数の領
域（ショット領域：１個又は複数のチップとなる領域）
に順次微細パターンを形成する場合に、投影光学系の像
平面に沿ってステップ移動することによりウエハ１９８
の投影光学系１９６に対する位置を変える。
す。図２２中、１９１は遠紫外線露光用光源であるエキ
シマーレーザ、１９２は照明光学系、１９３は照明光、
１９４はマスク、１９５はマスク１９４から出て光学系
１９６に入射する物体側露光光、１９６は縮小投影光学
系、１９７は光学系１９６から出て基板１９８に入射す
る像側露光光、１９８は感光基板であるウエハ、１９９
は感光基板を保持する基板ステージを示す。エキシマレ
ーザ１９１から出射したレーザ光は、引き回し光学系に
よって照明光学系１９２に導光され、照明光学系１９２
により所定の光強度分布、配光分布、開き角（開口数Ｎ
Ａ）等を持つ照明光１９３となるように調整され、マス
ク１９４を照明する。マスク１９４にはウエハ１９８上
に形成する微細パターンを投影光学系１９６の投影倍率
の逆数倍（例えば２倍や４倍や５倍）した寸法のパター
ンがクロム等によって石英基板上に形成されており、照
明光１９３はマスク１９４の微細パターンによって透過
回折され、物体側露光光１９５となる。投影光学系１９
６は、物体側露光光１９５を、マスク１９４の微細パタ
ーンを上記投影倍率で且つ充分小さな収差でウエハ１９
８上に結像する像側露光光１９７に変換する。像側露光
光１９７は図２２の下部の拡大図に示されるように、所
定の開口数ＮＡ（＝ｓｉｎθ）でウエハ１９８上に収束
し、ウエハ１９８上に微細パターンの像を結ぶ。基板ス
テージ１９９は、ウエハ１９８の互いに異なる複数の領
域（ショット領域：１個又は複数のチップとなる領域）
に順次微細パターンを形成する場合に、投影光学系の像
平面に沿ってステップ移動することによりウエハ１９８
の投影光学系１９６に対する位置を変える。
【０００４】しかしながら、現在主流の上記のエキシマ
レーザを光源とする投影露光装置は、０．１５μｍ以下
のパターンを形成することが困難である。投影光学系１
９６は、露光（に用いる）波長に起因する光学的な解像
度と焦点深度との間のトレードオフによる解像度の限界
がある。投影露光装置による解像パターンの解像度Ｒと
焦点深度ＤＯＦは、次の（１）式と（２）式の如きレー
リーの式によって表される。
レーザを光源とする投影露光装置は、０．１５μｍ以下
のパターンを形成することが困難である。投影光学系１
９６は、露光（に用いる）波長に起因する光学的な解像
度と焦点深度との間のトレードオフによる解像度の限界
がある。投影露光装置による解像パターンの解像度Ｒと
焦点深度ＤＯＦは、次の（１）式と（２）式の如きレー
リーの式によって表される。
【０００５】Ｒ＝ｋ1（λ／ＮＡ）……（１） ＤＯＦ＝ｋ2（λ／ＮＡ2）……（２） ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系１９６の明る
さを表す像側の開口数、ｋ1、ｋ2はウエハ１９８の現像
プロセス特性等によって決まる定数であり、通常０．５
〜０．７程度の値である。この（１）式と（２）式か
ら、解像度Ｒを小さい値とする高解像度化には開口数Ｎ
Ａを大きくする「高ＮＡ化」があるが、実際の露光では
投影光学系１９６の焦点深度ＤＯＦをある程度以上の値
にする必要があるため、高ＮＡ化をある程度以上進める
ことは不可能となることと、高解像度化には結局露光波
長λを小さくする「短波長化」が必要となることとが分
かる。
さを表す像側の開口数、ｋ1、ｋ2はウエハ１９８の現像
プロセス特性等によって決まる定数であり、通常０．５
〜０．７程度の値である。この（１）式と（２）式か
ら、解像度Ｒを小さい値とする高解像度化には開口数Ｎ
Ａを大きくする「高ＮＡ化」があるが、実際の露光では
投影光学系１９６の焦点深度ＤＯＦをある程度以上の値
にする必要があるため、高ＮＡ化をある程度以上進める
ことは不可能となることと、高解像度化には結局露光波
長λを小さくする「短波長化」が必要となることとが分
かる。
【０００６】ところが、短波長化を進めていくと重大な
問題が発生する。この問題とは投影光学系１９６のレン
ズの硝材がなくなってしまうことである。殆どの硝材の
透過率は遠紫外線領域では０に近く、特別な製造方法を
用いて露光装置用（露光波長約２４８ｎｍ）に製造され
た硝材として溶融石英が現存するが、この溶融石英の透
過率も波長１９３ｎｍ以下の露光波長に対しては急激に
低下するし、０．１５μｍ以下の微細パターンに対応す
る露光波長１５０ｎｍ以下の領域では実用的な硝材の開
発は非常に困難である。また遠紫外線領域で使用される
硝材は、透過率以外にも、耐久性、屈折率均一性、光学
的歪み、加工性等の複数条件を満たす必要があり、この
事から、実用的な硝材の存在が危ぶまれている。
問題が発生する。この問題とは投影光学系１９６のレン
ズの硝材がなくなってしまうことである。殆どの硝材の
透過率は遠紫外線領域では０に近く、特別な製造方法を
用いて露光装置用（露光波長約２４８ｎｍ）に製造され
た硝材として溶融石英が現存するが、この溶融石英の透
過率も波長１９３ｎｍ以下の露光波長に対しては急激に
低下するし、０．１５μｍ以下の微細パターンに対応す
る露光波長１５０ｎｍ以下の領域では実用的な硝材の開
発は非常に困難である。また遠紫外線領域で使用される
硝材は、透過率以外にも、耐久性、屈折率均一性、光学
的歪み、加工性等の複数条件を満たす必要があり、この
事から、実用的な硝材の存在が危ぶまれている。
【０００７】このように従来の投影露光方法及び投影露
光装置では、ウエハ１９８に０．１５μｍ以下のパター
ンを形成する為には１５０ｎｍ程度以下まで露光波長の
短波長化が必要であるのに対し、この波長領域では実用
的な硝材が存在しないので、ウエハ１９８に０．１５μ
ｍ以下のパターンを形成することができなかった。
光装置では、ウエハ１９８に０．１５μｍ以下のパター
ンを形成する為には１５０ｎｍ程度以下まで露光波長の
短波長化が必要であるのに対し、この波長領域では実用
的な硝材が存在しないので、ウエハ１９８に０．１５μ
ｍ以下のパターンを形成することができなかった。
【０００８】そのため、最近においては、被露光基板
（感光基板）に対して、周期パターン露光と通常露光の
二重露光を行う露光方法および露光装置によって、０．
１５μｍ以下の部分を備える回路パターンを作成するこ
とが検討されている。ここでの「通常露光」とは、周期
パターン露光より解像度は低いが、任意のパターンで露
光することが可能な露光であり、代表的なものとして、
投影光学系によってマスクのパターンを投影することが
可能な投影露光が挙げられる。通常露光によって露光さ
れるパターンは、（以下通常露光パターンという）解像
度以下の微細なパターンを含んでおり、周期パターン露
光はこの微細なパターンと同線幅の周期パターンなどを
形成するものである。この周期パターン露光には、レベ
ンソン型の位相シフトマスクなどが用いられる。その１
例を図１に示す。図１の周期パターンと、図１の通
常露光パターンを同じ位置に露光し、その合成像である
微細なパターン図１を得ることが可能になる。このよ
うに、最終的に作成したいパターンは通常露光パターン
として露光するが、この通常露光パターンには解像度以
下のパターンを含んでいるため、同位置に高解像度の周
期パターンを露光することによって、その通常露光パタ
ーンの解像度を向上し、最終的に解像度以下の微細線を
含んだ、所望のパターンを作成することが出来るもので
ある。
（感光基板）に対して、周期パターン露光と通常露光の
二重露光を行う露光方法および露光装置によって、０．
１５μｍ以下の部分を備える回路パターンを作成するこ
とが検討されている。ここでの「通常露光」とは、周期
パターン露光より解像度は低いが、任意のパターンで露
光することが可能な露光であり、代表的なものとして、
投影光学系によってマスクのパターンを投影することが
可能な投影露光が挙げられる。通常露光によって露光さ
れるパターンは、（以下通常露光パターンという）解像
度以下の微細なパターンを含んでおり、周期パターン露
光はこの微細なパターンと同線幅の周期パターンなどを
形成するものである。この周期パターン露光には、レベ
ンソン型の位相シフトマスクなどが用いられる。その１
例を図１に示す。図１の周期パターンと、図１の通
常露光パターンを同じ位置に露光し、その合成像である
微細なパターン図１を得ることが可能になる。このよ
うに、最終的に作成したいパターンは通常露光パターン
として露光するが、この通常露光パターンには解像度以
下のパターンを含んでいるため、同位置に高解像度の周
期パターンを露光することによって、その通常露光パタ
ーンの解像度を向上し、最終的に解像度以下の微細線を
含んだ、所望のパターンを作成することが出来るもので
ある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した二
重露光においては、図１の通常露光パターンの解像度
を向上するために、図１の高解像度周期パターンを同
位置に露光する。この二重露光において、図１に示し
たパターンの微細線部分が図１の周期方向と一致して
いる場合には特に問題は生じない。しかしながら、通常
露光パターンとして、微細線の方向が混在している場
合、例えば図２に示したような周期と同じ方向の微細線
と、垂直方向の微細線が混在したパターンの場合、周期
と同じ方向の微細線は問題なく解像できるが、周期と直
交した方向の微細線は解像することが出来ない可能性が
ある。
重露光においては、図１の通常露光パターンの解像度
を向上するために、図１の高解像度周期パターンを同
位置に露光する。この二重露光において、図１に示し
たパターンの微細線部分が図１の周期方向と一致して
いる場合には特に問題は生じない。しかしながら、通常
露光パターンとして、微細線の方向が混在している場
合、例えば図２に示したような周期と同じ方向の微細線
と、垂直方向の微細線が混在したパターンの場合、周期
と同じ方向の微細線は問題なく解像できるが、周期と直
交した方向の微細線は解像することが出来ない可能性が
ある。
【００１０】この点について、ゲートパターン、Ｔゲー
トパターンと呼ばれるパターンを例に、ポジレジストを
用いた場合を想定し、図１および図２を用いて説明す
る。図では、周期パターンはすべてパターンに光が透過
し、位相か反転しているものとする。この周期パターン
は、周期数が２以上のものとし、また、通常パターン
は、周辺に光が透過し、パターン部分を遮光した、位相
が一定のバイナリー振幅のものとする。例えば図１で
は、図１の通常露光パターンであるゲートパターンの
微細線と、図１の周期パターンの方向が一致している
ため、図１の通常露光パターンであるゲートパターン
の微細線の解像度を向上することが可能になる。次に、
例えば図２に示した、ゲートパターンの微細線に、Ｔ型
に直交した微細線がついているＴゲートパターンの場
合、微細線の方向が混在している。
トパターンと呼ばれるパターンを例に、ポジレジストを
用いた場合を想定し、図１および図２を用いて説明す
る。図では、周期パターンはすべてパターンに光が透過
し、位相か反転しているものとする。この周期パターン
は、周期数が２以上のものとし、また、通常パターン
は、周辺に光が透過し、パターン部分を遮光した、位相
が一定のバイナリー振幅のものとする。例えば図１で
は、図１の通常露光パターンであるゲートパターンの
微細線と、図１の周期パターンの方向が一致している
ため、図１の通常露光パターンであるゲートパターン
の微細線の解像度を向上することが可能になる。次に、
例えば図２に示した、ゲートパターンの微細線に、Ｔ型
に直交した微細線がついているＴゲートパターンの場
合、微細線の方向が混在している。
【００１１】このように、微細線が縦方向・横方向と混
在している場合であって、その微細線と解像度以下の間
隔でパターンが隣接している領域（パターン間隔Ａ）
は、特に解像が難しい領域となり、この領域の解像度を
上げるため、図２に示したような周期パターンを用い
ることが必要になる。しかし、この周期パターンを用い
ただけでは、この解像が難しい領域は解像可能になるか
わりに、周期と直交方向の微細線が切れてしまうなどの
問題が生じる。したがって、周期パターンと通常露光パ
ターンの二重露光を行う場合、使用する周期パターンの
方向によって、作成できるパターンが限られてしまう可
能性がある。特に、周期パターンの周期方向と異なる方
向の微細線があるパターンに関しては、これまでの二重
露光の方法では、対応することが困難であった。
在している場合であって、その微細線と解像度以下の間
隔でパターンが隣接している領域（パターン間隔Ａ）
は、特に解像が難しい領域となり、この領域の解像度を
上げるため、図２に示したような周期パターンを用い
ることが必要になる。しかし、この周期パターンを用い
ただけでは、この解像が難しい領域は解像可能になるか
わりに、周期と直交方向の微細線が切れてしまうなどの
問題が生じる。したがって、周期パターンと通常露光パ
ターンの二重露光を行う場合、使用する周期パターンの
方向によって、作成できるパターンが限られてしまう可
能性がある。特に、周期パターンの周期方向と異なる方
向の微細線があるパターンに関しては、これまでの二重
露光の方法では、対応することが困難であった。
【００１２】そこで、本発明は、上記の課題を解決し、
像のコントラストが互いに異なる複数のマスクパターン
を用いて多重露光するに際して、微細線の方向が混在し
ている複雑なパターンを含め、すべての微細線を良好に
再現することが可能な露光方法、露光装置、およびデバ
イス製造方法を提供することを目的とするものである。
像のコントラストが互いに異なる複数のマスクパターン
を用いて多重露光するに際して、微細線の方向が混在し
ている複雑なパターンを含め、すべての微細線を良好に
再現することが可能な露光方法、露光装置、およびデバ
イス製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するため、露光方法、露光装置、およびデバイス製造
方法を、つぎの（１）〜（２９）のように構成したこと
を特徴とするものである。 （１）本発明の露光方法は、二重露光によりある点を中
心に複数の微細線が延びるパターン、あるいは複数の微
細線の延長線が１点で交わるパターンであって、その微
細線の数が奇数であるものを感光体に露光する露光方法
であって、前記交点を中心に、隣り合う領域の位相差が
１８０度の偶数個の境界を前記微細線の数より大なる数
だけ配置した位相シフトマスクによる露光を含むことを
特徴としている。 （２）本発明の露光方法は、前記位相シフトマスクにお
いて、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界は、
それらの境界で分けられる複数の領域の面積または角度
が互いに等しくなるように配置することを特徴としてい
る。 （３）本発明の露光方法は、前記位相シフトマスクにお
いて、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界は、
それらの境界で分けられる領域の面積または角度が広い
ところを分割するように配置することを特徴としてい
る。 （４）本発明の露光方法は、前記位相シフトマスクにお
いて隣合うパターンの位相差が１８０度の境界の所定複
数部分が前記微細線および/又は微細線の延長線と一致
することを特徴としている。 （５）本発明の露光方法は、前記位相差１８０度の境界
は、ある微細線と平行に、微細線と一致しない状態で複
数存在することを特徴としている。 （６）本発明の露光方法は、複数のマスクを用いて多重
露光を行う露光方法であって、前記複数のマスクのうち
の複数の方向の微細線が交わるパターン、あるいは複数
の方向に存在する微細線の延長線が一点で交わる場合、
パターンをもつマスクから得られるコントラストが低い
パターンの像の形成位置を、隣合うパターンの位相差が
１８０度であるパターンの像で露光し、前記コントラス
トが低いパターンに関する露光量分布のコントラストを
向上させることを特徴としている。 （７）本発明の露光方法は、前記隣合うパターンの位相
差が１８０度であるパターンの像での露光が、該隣合う
パターンの位相差が１８０度であるパターンにおける位
相差の境界を、前記複数の方向の微細線が交わるパター
ンあるいは複数の方向に存在する微細線の延長線が一点
で交わる場合、パターンにおける微細線と重ね合わせる
ことにより行われることを特徴としている。 （８）本発明の露光方法は、前記隣合うパターンの位相
差が１８０度であるパターンにおける位相差の境界によ
って、前記微細線の交点を中心に、微細線の本数が偶数
であっても奇数であってもパターン領域を偶数個に分割
し、該偶数個のパターン領域によって形成される偶数個
の境界を用いて、前記微細線を良好に再現することを特
徴としている。 （９）本発明の露光方法は、前記隣合うパターンの位相
差が１８０度であるパターンにおける位相差の境界に、
Ｃｒを配置したことを特徴としている。 （１０）本発明の露光方法は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、それらの境界で分けられる周期パターンの面積
または角度が等しくなるように配置することを特徴とし
ている。 （１１）本発明の露光方法は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、それらの境界で分けられる周期パターンの面積
または角度が広いところを分割するように配置すること
を特徴としている。 （１２）本発明の露光方法は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、微細線および微細線の延長線と重なるように配
置することを特徴としている。 （１３）本発明の露光方法は、する請求項６〜８のいず
れか前記位相差１８０度の境界は、微細線と平行して、
微細線と重なる領域以外にも複数存在することを特徴と
している。 （１４）本発明の露光方法は、前記像のコントラストが
互いに異なる複数のマスクパターンによるレジストの露
光が、放射線によることを特徴としている。 （１５）本発明の露光装置は、二重露光によりある点を
中心に複数の微細線が延びるパターン、あるいは複数の
微細線の延長線が１点で交わるパターンであって、その
微細線の数が奇数であるものを感光体に露光する露光装
置であって、前記交点を中心に、隣り合う領域の位相差
が１８０度の偶数個の境界を前記微細線の数より大なる
数だけ配置した位相シフトマスクによる露光を含むこと
を特徴としている。 （１６）本発明の露光装置は、前記位相シフトマスクに
おいて、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界
は、それらの境界で分けられる複数の領域の面積または
角度が互いに等しくなるように配置することを特徴とし
ている。 （１７）本発明の露光装置は、前記位相シフトマスクに
おいて、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界
は、それらの境界で分けられる領域の面積または角度が
広いところを分割するように配置することを特徴として
いる。 （１８）本発明の露光装置は、前記位相シフトマスクに
おいて隣合うパターンの位相差が１８０度の境界の所定
複数部分が前記微細線および/又は微細線の延長線と一
致することを特徴としている。 （１９）本発明の露光装置は、前記位相差１８０度の境
界は、ある微細線と平行に、微細線と一致しない状態で
複数存在することを特徴としている。 （２０）本発明の露光装置は、複数のマスクを用いて多
重露光を行う露光装置であって、前記複数のマスクのう
ちの複数の方向の微細線が交わるパターン、あるいは複
数の方向に存在する微細線の延長線が一点で交わる場
合、パターンをもつマスクから得られるコントラストが
低いパターンの像の形成位置を、隣合うパターンの位相
差が１８０度であるパターンの像で露光し、前記コント
ラストが低いパターンに関する露光量分布のコントラス
トを向上させることを特徴としている。 （２１）本発明の露光装置は、前記隣合うパターンの位
相差が１８０度であるパターンの像での露光が、該隣合
うパターンの位相差が１８０度であるパターンにおける
位相差の境界を、前記複数の方向の微細線が交わるパタ
ーンあるいは複数の方向に存在する微細線の延長線が一
点で交わる場合、パターンにおける微細線と重ね合わせ
ることにより行われることを特徴としている。 （２２）本発明の露光装置は、前記隣合うパターンの位
相差が１８０度であるパターンにおける位相差の境界に
よって、前記微細線の交点を中心に、微細線の本数が偶
数であっても奇数であってもパターン領域を偶数個に分
割し、該偶数個のパターン領域によって形成される偶数
個の境界を用いて、前記微細線を良好に再現することを
特徴としている。 （２３）本発明の露光装置は、前記隣合うパターンの位
相差が１８０度であるパターンにおける相差の境界に、
Ｃｒを配置したことを特徴としている。 （２４）本発明の露光装置は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、それらの境界で分けられる周期パターンの面積
または角度が等しくなるように配置することを特徴とし
ている。 （２５）本発明の露光装置は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、それらの境界で分けられる周期パターンの面積
または角度が広いところを分割するように配置すること
を特徴としている。 （２６）本発明の露光装置は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、微細線および微細線の延長線と重なるように配
置することを特徴としている。 （２７）本発明の露光装置は、前記位相差１８０度の境
界は、微細線と平行して、微細線と重なる領域以外にも
複数存在することを特徴としている。 （２８）本発明の露光装置は、前記像のコントラストが
互いに異なる複数のマスクパターンによるレジストの露
光が、放射線によることを特徴としている。 （２９）本発明のデバイス製造方法は、上記の本発明の
いずれかの露光方法を用いて、または上記の本発明のい
ずれかの露光装置を用いて、デバイスを製造することを
特徴としている。
成するため、露光方法、露光装置、およびデバイス製造
方法を、つぎの（１）〜（２９）のように構成したこと
を特徴とするものである。 （１）本発明の露光方法は、二重露光によりある点を中
心に複数の微細線が延びるパターン、あるいは複数の微
細線の延長線が１点で交わるパターンであって、その微
細線の数が奇数であるものを感光体に露光する露光方法
であって、前記交点を中心に、隣り合う領域の位相差が
１８０度の偶数個の境界を前記微細線の数より大なる数
だけ配置した位相シフトマスクによる露光を含むことを
特徴としている。 （２）本発明の露光方法は、前記位相シフトマスクにお
いて、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界は、
それらの境界で分けられる複数の領域の面積または角度
が互いに等しくなるように配置することを特徴としてい
る。 （３）本発明の露光方法は、前記位相シフトマスクにお
いて、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界は、
それらの境界で分けられる領域の面積または角度が広い
ところを分割するように配置することを特徴としてい
る。 （４）本発明の露光方法は、前記位相シフトマスクにお
いて隣合うパターンの位相差が１８０度の境界の所定複
数部分が前記微細線および/又は微細線の延長線と一致
することを特徴としている。 （５）本発明の露光方法は、前記位相差１８０度の境界
は、ある微細線と平行に、微細線と一致しない状態で複
数存在することを特徴としている。 （６）本発明の露光方法は、複数のマスクを用いて多重
露光を行う露光方法であって、前記複数のマスクのうち
の複数の方向の微細線が交わるパターン、あるいは複数
の方向に存在する微細線の延長線が一点で交わる場合、
パターンをもつマスクから得られるコントラストが低い
パターンの像の形成位置を、隣合うパターンの位相差が
１８０度であるパターンの像で露光し、前記コントラス
トが低いパターンに関する露光量分布のコントラストを
向上させることを特徴としている。 （７）本発明の露光方法は、前記隣合うパターンの位相
差が１８０度であるパターンの像での露光が、該隣合う
パターンの位相差が１８０度であるパターンにおける位
相差の境界を、前記複数の方向の微細線が交わるパター
ンあるいは複数の方向に存在する微細線の延長線が一点
で交わる場合、パターンにおける微細線と重ね合わせる
ことにより行われることを特徴としている。 （８）本発明の露光方法は、前記隣合うパターンの位相
差が１８０度であるパターンにおける位相差の境界によ
って、前記微細線の交点を中心に、微細線の本数が偶数
であっても奇数であってもパターン領域を偶数個に分割
し、該偶数個のパターン領域によって形成される偶数個
の境界を用いて、前記微細線を良好に再現することを特
徴としている。 （９）本発明の露光方法は、前記隣合うパターンの位相
差が１８０度であるパターンにおける位相差の境界に、
Ｃｒを配置したことを特徴としている。 （１０）本発明の露光方法は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、それらの境界で分けられる周期パターンの面積
または角度が等しくなるように配置することを特徴とし
ている。 （１１）本発明の露光方法は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、それらの境界で分けられる周期パターンの面積
または角度が広いところを分割するように配置すること
を特徴としている。 （１２）本発明の露光方法は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、微細線および微細線の延長線と重なるように配
置することを特徴としている。 （１３）本発明の露光方法は、する請求項６〜８のいず
れか前記位相差１８０度の境界は、微細線と平行して、
微細線と重なる領域以外にも複数存在することを特徴と
している。 （１４）本発明の露光方法は、前記像のコントラストが
互いに異なる複数のマスクパターンによるレジストの露
光が、放射線によることを特徴としている。 （１５）本発明の露光装置は、二重露光によりある点を
中心に複数の微細線が延びるパターン、あるいは複数の
微細線の延長線が１点で交わるパターンであって、その
微細線の数が奇数であるものを感光体に露光する露光装
置であって、前記交点を中心に、隣り合う領域の位相差
が１８０度の偶数個の境界を前記微細線の数より大なる
数だけ配置した位相シフトマスクによる露光を含むこと
を特徴としている。 （１６）本発明の露光装置は、前記位相シフトマスクに
おいて、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界
は、それらの境界で分けられる複数の領域の面積または
角度が互いに等しくなるように配置することを特徴とし
ている。 （１７）本発明の露光装置は、前記位相シフトマスクに
おいて、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界
は、それらの境界で分けられる領域の面積または角度が
広いところを分割するように配置することを特徴として
いる。 （１８）本発明の露光装置は、前記位相シフトマスクに
おいて隣合うパターンの位相差が１８０度の境界の所定
複数部分が前記微細線および/又は微細線の延長線と一
致することを特徴としている。 （１９）本発明の露光装置は、前記位相差１８０度の境
界は、ある微細線と平行に、微細線と一致しない状態で
複数存在することを特徴としている。 （２０）本発明の露光装置は、複数のマスクを用いて多
重露光を行う露光装置であって、前記複数のマスクのう
ちの複数の方向の微細線が交わるパターン、あるいは複
数の方向に存在する微細線の延長線が一点で交わる場
合、パターンをもつマスクから得られるコントラストが
低いパターンの像の形成位置を、隣合うパターンの位相
差が１８０度であるパターンの像で露光し、前記コント
ラストが低いパターンに関する露光量分布のコントラス
トを向上させることを特徴としている。 （２１）本発明の露光装置は、前記隣合うパターンの位
相差が１８０度であるパターンの像での露光が、該隣合
うパターンの位相差が１８０度であるパターンにおける
位相差の境界を、前記複数の方向の微細線が交わるパタ
ーンあるいは複数の方向に存在する微細線の延長線が一
点で交わる場合、パターンにおける微細線と重ね合わせ
ることにより行われることを特徴としている。 （２２）本発明の露光装置は、前記隣合うパターンの位
相差が１８０度であるパターンにおける位相差の境界に
よって、前記微細線の交点を中心に、微細線の本数が偶
数であっても奇数であってもパターン領域を偶数個に分
割し、該偶数個のパターン領域によって形成される偶数
個の境界を用いて、前記微細線を良好に再現することを
特徴としている。 （２３）本発明の露光装置は、前記隣合うパターンの位
相差が１８０度であるパターンにおける相差の境界に、
Ｃｒを配置したことを特徴としている。 （２４）本発明の露光装置は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、それらの境界で分けられる周期パターンの面積
または角度が等しくなるように配置することを特徴とし
ている。 （２５）本発明の露光装置は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、それらの境界で分けられる周期パターンの面積
または角度が広いところを分割するように配置すること
を特徴としている。 （２６）本発明の露光装置は、前記周期パターンにおい
て、隣り合うパターンの位相差が１８０度の境界を配置
する際、微細線および微細線の延長線と重なるように配
置することを特徴としている。 （２７）本発明の露光装置は、前記位相差１８０度の境
界は、微細線と平行して、微細線と重なる領域以外にも
複数存在することを特徴としている。 （２８）本発明の露光装置は、前記像のコントラストが
互いに異なる複数のマスクパターンによるレジストの露
光が、放射線によることを特徴としている。 （２９）本発明のデバイス製造方法は、上記の本発明の
いずれかの露光方法を用いて、または上記の本発明のい
ずれかの露光装置を用いて、デバイスを製造することを
特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、上記構成によって、上
述した本発明の課題を達成するものであるが、これをよ
り具体的にその実施の形態によって説明すると、例え
ば、周期パターンと通常露光パターンの二重露光を行う
場合において、異なる方向の複数の微細線の交差あるい
は微細線の延長線が一点で交わる場合、その交点を中心
に作成される。位相差が１８０度のパターンの境界に生
じる強度０のエッジを用いることによって、すべての微
細線を良好に再現することを可能とするものである。さ
らに周期パターンとして、上記のように、位相差が１８
０度のパターンの境界に生じる強度０のエッジを用いる
場合、その境界は、通常露光パターンのすべての微細線
と重なる位置に配置する。ここで、この周期パターンは
隣合う位相差が１８０度になるように０とπを交互に配
置すると、偶数個のパターンおよびパターンとの境界が
出来ることになる。つまり、通常露光パターンの微細線
の本数にかかわらず、隣合う位相差が１８０度になるよ
うに偶数個に分割した周期パターンを用いることになる
のである。
述した本発明の課題を達成するものであるが、これをよ
り具体的にその実施の形態によって説明すると、例え
ば、周期パターンと通常露光パターンの二重露光を行う
場合において、異なる方向の複数の微細線の交差あるい
は微細線の延長線が一点で交わる場合、その交点を中心
に作成される。位相差が１８０度のパターンの境界に生
じる強度０のエッジを用いることによって、すべての微
細線を良好に再現することを可能とするものである。さ
らに周期パターンとして、上記のように、位相差が１８
０度のパターンの境界に生じる強度０のエッジを用いる
場合、その境界は、通常露光パターンのすべての微細線
と重なる位置に配置する。ここで、この周期パターンは
隣合う位相差が１８０度になるように０とπを交互に配
置すると、偶数個のパターンおよびパターンとの境界が
出来ることになる。つまり、通常露光パターンの微細線
の本数にかかわらず、隣合う位相差が１８０度になるよ
うに偶数個に分割した周期パターンを用いることになる
のである。
【００１５】さらに、これを説明すると、周期パターン
は隣合う位相差を１８０度にし、その境界部に生じるエ
ッジを通常露光パターンのすべての微細線と重なるよう
に配置する場合、もし通常露光パターンの微細線の数が
偶数の場合、その微細線と重なるよう、周期パターンに
偶数本のエッジを配置するようにすることは可能であ
る。しかし、もし通常露光パターンの微細線の数が奇数
の場合、その微細線と重なるようにするためには、少な
くとも周期パターンに奇数本のエッジを配置すればよい
が、これでは隣あう位相が反転しないパターンが生じて
しまう。そこで、通常露光パターンの微細線が奇数の場
合であっても、周期パターンのエッジは微細線より１つ
以上多い偶数にし、そのエッジを通常露光パターンの微
細線と重ねることによって、すべての微細線を良好に解
像することができるようになるのである。
は隣合う位相差を１８０度にし、その境界部に生じるエ
ッジを通常露光パターンのすべての微細線と重なるよう
に配置する場合、もし通常露光パターンの微細線の数が
偶数の場合、その微細線と重なるよう、周期パターンに
偶数本のエッジを配置するようにすることは可能であ
る。しかし、もし通常露光パターンの微細線の数が奇数
の場合、その微細線と重なるようにするためには、少な
くとも周期パターンに奇数本のエッジを配置すればよい
が、これでは隣あう位相が反転しないパターンが生じて
しまう。そこで、通常露光パターンの微細線が奇数の場
合であっても、周期パターンのエッジは微細線より１つ
以上多い偶数にし、そのエッジを通常露光パターンの微
細線と重ねることによって、すべての微細線を良好に解
像することができるようになるのである。
【００１６】以上のことからも明らかなように、通常露
光パターンの微細線が奇数本であっても偶数本であって
も、周期パターンの隣合う位相差が１８０度のところに
生じるエッジを偶数本作成し、そのエッジを用いてすべ
ての微細線を良好に再現することが出来るのである。二
重露光は、２つのパターンを同位置に露光することによ
って解像度の向上を図るものであるため、ここで用いる
周期パターンは、すべて通常露光パターンの形状に合わ
せて設計される。
光パターンの微細線が奇数本であっても偶数本であって
も、周期パターンの隣合う位相差が１８０度のところに
生じるエッジを偶数本作成し、そのエッジを用いてすべ
ての微細線を良好に再現することが出来るのである。二
重露光は、２つのパターンを同位置に露光することによ
って解像度の向上を図るものであるため、ここで用いる
周期パターンは、すべて通常露光パターンの形状に合わ
せて設計される。
【００１７】以上のように、通常露光パターンと周期パ
ターンの２重露光を行う露光方法において、異なる方向
の複数の微細線が交差あるいは延長線が一点で交わる場
合、この交点を中心に作成される位相差が１８０度のパ
ターンの境界に生じる、強度０のエッジを用いることに
より、すべての微細線を良好に解像することができる。
また、通常露光パターンの微細線の本数が奇数の場合
は、周期パターンとして、前記微細線よりも１つ以上境
界を多くし、隣合う位相が反転した偶数個のパターンを
用いる。そうすると少なくとも１本以上、微細線と重な
らない境界が生じるが、特に問題ないのである。このよ
うに作成された周期パターンを用いることで、異なる方
向に複数の微細線が存在する場合においても、すべての
微細線を良好に再現することが可能になるのである。こ
こでは隣合う位相差が１８０度であることで生じる強度
０のエッジを周期パターンとして用いることを例に説明
したが、周期パターンとしてパターンの境界にＣｒが入
っても同様の効果がある。
ターンの２重露光を行う露光方法において、異なる方向
の複数の微細線が交差あるいは延長線が一点で交わる場
合、この交点を中心に作成される位相差が１８０度のパ
ターンの境界に生じる、強度０のエッジを用いることに
より、すべての微細線を良好に解像することができる。
また、通常露光パターンの微細線の本数が奇数の場合
は、周期パターンとして、前記微細線よりも１つ以上境
界を多くし、隣合う位相が反転した偶数個のパターンを
用いる。そうすると少なくとも１本以上、微細線と重な
らない境界が生じるが、特に問題ないのである。このよ
うに作成された周期パターンを用いることで、異なる方
向に複数の微細線が存在する場合においても、すべての
微細線を良好に再現することが可能になるのである。こ
こでは隣合う位相差が１８０度であることで生じる強度
０のエッジを周期パターンとして用いることを例に説明
したが、周期パターンとしてパターンの境界にＣｒが入
っても同様の効果がある。
【００１８】
【実施例】つぎに、本発明の実施例について説明する。
まず、二重露光手法のフローチャートを図３に示す。同
図において、周期パターン露光・連常露光・現像の各ブ
ロックの流れを示しているが、周期パターン露光と通常
露光の順序は図３の通りであってもその逆でもよく、ま
た複数回の露光段階を含む場合には、もちろん交互に行
うことも可能である。また、各露光ステップ側には、精
密な位置合わせを行うステップが行われるが、この処理
に関する詳細は省略する。本実施例は、波長２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマステッパーを用い、周期パターン露光
・通常露光の二重露光を行う際、周期パターンの工夫に
関するものである。
まず、二重露光手法のフローチャートを図３に示す。同
図において、周期パターン露光・連常露光・現像の各ブ
ロックの流れを示しているが、周期パターン露光と通常
露光の順序は図３の通りであってもその逆でもよく、ま
た複数回の露光段階を含む場合には、もちろん交互に行
うことも可能である。また、各露光ステップ側には、精
密な位置合わせを行うステップが行われるが、この処理
に関する詳細は省略する。本実施例は、波長２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマステッパーを用い、周期パターン露光
・通常露光の二重露光を行う際、周期パターンの工夫に
関するものである。
【００１９】つぎに、二重露光の原理について説明す
る。二重露光は、通常露光と周期パターン露光を現像の
工程を介さないでおこなうものである。これは、レジス
トの露光しきい値以下で周期パターンを露光し、その
後、露光量が多値の分布を持つ通常露光をおこなうもの
である。通常露光の露光量は、露光パターン領域（露光
領域）の小領域ごとに異なる露光量分布を持ち、それぞ
れの露光量は、露光しきい値以上であっても以下であっ
てもよい。ここで言う露光量とは、すべて、レジスト上
の露光量を示している。
る。二重露光は、通常露光と周期パターン露光を現像の
工程を介さないでおこなうものである。これは、レジス
トの露光しきい値以下で周期パターンを露光し、その
後、露光量が多値の分布を持つ通常露光をおこなうもの
である。通常露光の露光量は、露光パターン領域（露光
領域）の小領域ごとに異なる露光量分布を持ち、それぞ
れの露光量は、露光しきい値以上であっても以下であっ
てもよい。ここで言う露光量とは、すべて、レジスト上
の露光量を示している。
【００２０】露光により得られる回路パターン（リソグ
ラフィーパターン）として、図２１（２）または（３）
に示すいわゆるゲートパターンを例に説明する。図のゲ
ートパターンは横方向の最小線幅が０．１μｍであるの
に対して縦方向では、線幅は装置の通常露光による解像
力の範囲内である０．２μｍ以上である。二重露光法に
よれば、このような横方向のみの１次元方向にのみ高解
像度を求められる最小線幅パターンを持つ二次元パター
ンに対しては、例えば二光束干渉露光による周期パター
ン露光をかかる高解像度の必要な一次元方向のみでおこ
なう。
ラフィーパターン）として、図２１（２）または（３）
に示すいわゆるゲートパターンを例に説明する。図のゲ
ートパターンは横方向の最小線幅が０．１μｍであるの
に対して縦方向では、線幅は装置の通常露光による解像
力の範囲内である０．２μｍ以上である。二重露光法に
よれば、このような横方向のみの１次元方向にのみ高解
像度を求められる最小線幅パターンを持つ二次元パター
ンに対しては、例えば二光束干渉露光による周期パター
ン露光をかかる高解像度の必要な一次元方向のみでおこ
なう。
【００２１】図２０は各露光段階における露光量分布を
示している。図２０の図中に示される数値はレジストに
おける露光量を表すものである。図２０において、図２
０（１）は１次元方向のみに繰り返しパターンが生じる
周期的な露光パターンによる露光量分布である。パター
ン以外の露光量はゼロであり、パターン部分は１となっ
ている。図２０（２）は多値の通常露光による露光量分
布である。パターン以外の露光量はゼロであり、パター
ン部分は１と２の、ここでは２値の分布となっている。
これらの露光を現像の工程を介さないで二重露光をおこ
なうと、レジスト上にそれぞれの露光量の和の分布が生
じ、図２０（３）のような露光量分布となる。ここで、
レジストの感光しきい値が１から２の間にあるとき、１
より大きな部分が感光し、図２０（３）の図中、太線で
示されたようなパターンが現像により形成される。
示している。図２０の図中に示される数値はレジストに
おける露光量を表すものである。図２０において、図２
０（１）は１次元方向のみに繰り返しパターンが生じる
周期的な露光パターンによる露光量分布である。パター
ン以外の露光量はゼロであり、パターン部分は１となっ
ている。図２０（２）は多値の通常露光による露光量分
布である。パターン以外の露光量はゼロであり、パター
ン部分は１と２の、ここでは２値の分布となっている。
これらの露光を現像の工程を介さないで二重露光をおこ
なうと、レジスト上にそれぞれの露光量の和の分布が生
じ、図２０（３）のような露光量分布となる。ここで、
レジストの感光しきい値が１から２の間にあるとき、１
より大きな部分が感光し、図２０（３）の図中、太線で
示されたようなパターンが現像により形成される。
【００２２】即ち、太線で囲まれた外部にある、周期パ
ターン露光による露光パターンは、レジストの露光しき
い値以下であり、現像により消失する。通常露光の、レ
ジストの露光しきい値以下の露光量が分布する部分に関
しては、通常露光と周期パターン露光の各露光パターン
の和が、レジストの露光しきい値以上となる部分が現像
により形成される。従って、通常露光と周期パターン露
光の各露光パターンの重なる、周期パターン露光の露光
パターンと同じ解像度を持つ露光パターンが形成され
る。通常露光の、レジストの露光しきい値以上の露光量
が分布する露光パターン領域に関しては、通常露光と周
期パターン露光の各露光パターンの重なる、通常露光の
露光パターンと同じ解像度を持つ露光パターンが形成さ
れる。
ターン露光による露光パターンは、レジストの露光しき
い値以下であり、現像により消失する。通常露光の、レ
ジストの露光しきい値以下の露光量が分布する部分に関
しては、通常露光と周期パターン露光の各露光パターン
の和が、レジストの露光しきい値以上となる部分が現像
により形成される。従って、通常露光と周期パターン露
光の各露光パターンの重なる、周期パターン露光の露光
パターンと同じ解像度を持つ露光パターンが形成され
る。通常露光の、レジストの露光しきい値以上の露光量
が分布する露光パターン領域に関しては、通常露光と周
期パターン露光の各露光パターンの重なる、通常露光の
露光パターンと同じ解像度を持つ露光パターンが形成さ
れる。
【００２３】図２１は図２０で示された露光量分布を形
成するためのパターンおよびマスクを示している。図２
１（１）は、高解像度の必要な一次元方向のみに繰り返
しパターンが生じるパターンおよびマスクであり、例え
ばレベンソン型位相シフトマスクによって実現が可能で
ある。レベンソン型位相シフトマスクの場合、図の白色
部分と灰色部分は位相が互いに反転し、位相反転の効果
により２光束干渉露光による高コントラストな周期的な
露光パターンが形成される。マスクは、レベンソン型位
相シフトマスクに限定されず、このような露光量分布を
形成するのであれば、どのようなものであってもよい。
この露光パターンの周期は０．２μｍとし、この露光パ
ターンはラインとスペースのそれぞれの線幅が０．１μ
ｍのラインアンドスペースパターンにより、図２０
（１）で示された露光量分布が形成される。多値のパタ
ーンを形成するためのパターンおよびマスクは、最終的
に形成したい回路パターンと相似のパターンが描かれた
マスクを用いる。この場合、図２１（２）で示されたゲ
ートパターンが描かれたマスクを用いる。前述したよう
にゲートパターンの微細線からなる部分は、通常の露光
の解像度以下のパターンなので、レジスト上では、微細
線の２本線部分は解像されず、強度の弱い一様な分布と
なるが、これに対して微細線の両端のパターンは、装置
の通常露光による解像力の範囲内である線幅なので強度
の高いパターンとして解像される。従って、図２１
（２）で示されたパターンおよびマスクを露光すると、
図２０（２）で示された多値の露光量分布が形成され
る。
成するためのパターンおよびマスクを示している。図２
１（１）は、高解像度の必要な一次元方向のみに繰り返
しパターンが生じるパターンおよびマスクであり、例え
ばレベンソン型位相シフトマスクによって実現が可能で
ある。レベンソン型位相シフトマスクの場合、図の白色
部分と灰色部分は位相が互いに反転し、位相反転の効果
により２光束干渉露光による高コントラストな周期的な
露光パターンが形成される。マスクは、レベンソン型位
相シフトマスクに限定されず、このような露光量分布を
形成するのであれば、どのようなものであってもよい。
この露光パターンの周期は０．２μｍとし、この露光パ
ターンはラインとスペースのそれぞれの線幅が０．１μ
ｍのラインアンドスペースパターンにより、図２０
（１）で示された露光量分布が形成される。多値のパタ
ーンを形成するためのパターンおよびマスクは、最終的
に形成したい回路パターンと相似のパターンが描かれた
マスクを用いる。この場合、図２１（２）で示されたゲ
ートパターンが描かれたマスクを用いる。前述したよう
にゲートパターンの微細線からなる部分は、通常の露光
の解像度以下のパターンなので、レジスト上では、微細
線の２本線部分は解像されず、強度の弱い一様な分布と
なるが、これに対して微細線の両端のパターンは、装置
の通常露光による解像力の範囲内である線幅なので強度
の高いパターンとして解像される。従って、図２１
（２）で示されたパターンおよびマスクを露光すると、
図２０（２）で示された多値の露光量分布が形成され
る。
【００２４】この例では、形成したいパターンが露光量
分布が光透過型のもので示したが、光遮光型のパターン
も、図２１（３）に示したようなマスクを用いれば可能
である。光遮光型のパターンは、パターン以外の部分に
光が透過し、パターン部分に光を遮光したマスクを用い
れることによって実現可能になる。光遮光型パターンの
場合、解像度以上のパターンは光を遮光し、露光量分布
がゼロになるのに対し、解像度以下の微細パターンは、
完全には遮光されず、パターン周辺の露光量分布の半分
の露光量が分布するので、多値の露光量分布が形成され
る。
分布が光透過型のもので示したが、光遮光型のパターン
も、図２１（３）に示したようなマスクを用いれば可能
である。光遮光型のパターンは、パターン以外の部分に
光が透過し、パターン部分に光を遮光したマスクを用い
れることによって実現可能になる。光遮光型パターンの
場合、解像度以上のパターンは光を遮光し、露光量分布
がゼロになるのに対し、解像度以下の微細パターンは、
完全には遮光されず、パターン周辺の露光量分布の半分
の露光量が分布するので、多値の露光量分布が形成され
る。
【００２５】以上により、二重露光の原理を簡単にまと
めると、 １．通常露光をしない領域にある最大露光量がレジスト
の露光しきい値以下の、周期パターン露光による露光パ
ターンは現像により消失する。 ２．レジストの露光しきい値以下の露光量がレジストに
供給される、通常露光の露光パターン領域（露光領域）
に関しては、通常露光と周期パターン露光の各露光パタ
ーンの組み合わせにより決まる周期パターン露光の露光
パターンと同じ解像度を持つ露光パターンが形成され
る。 ３．レジストの露光しきい値以上の露光量がレジストに
供給される、通常露光の露光パターン領域（露光領域）
に関しては、通常露光と周期パターン露光の各露光パタ
ーンの組み合わせにより決まる通常露光の露光パターン
と同じ解像度を持つ露光パターンが形成される。
めると、 １．通常露光をしない領域にある最大露光量がレジスト
の露光しきい値以下の、周期パターン露光による露光パ
ターンは現像により消失する。 ２．レジストの露光しきい値以下の露光量がレジストに
供給される、通常露光の露光パターン領域（露光領域）
に関しては、通常露光と周期パターン露光の各露光パタ
ーンの組み合わせにより決まる周期パターン露光の露光
パターンと同じ解像度を持つ露光パターンが形成され
る。 ３．レジストの露光しきい値以上の露光量がレジストに
供給される、通常露光の露光パターン領域（露光領域）
に関しては、通常露光と周期パターン露光の各露光パタ
ーンの組み合わせにより決まる通常露光の露光パターン
と同じ解像度を持つ露光パターンが形成される。
【００２６】二重露光法の利点として、最も高い解像力
が要求される周期パターン露光を位相シフト形マスク等
を用いた２光束干渉露光でおこなえば、通常の投影露光
による周期パターンの結像に比べて、はるかに大きい焦
点深度が得られることが挙げられる。以上の説明では周
期パターン露光と通常露光の順番は、周期パターン露光
を先としたが、逆あるいは同時でもよい。
が要求される周期パターン露光を位相シフト形マスク等
を用いた２光束干渉露光でおこなえば、通常の投影露光
による周期パターンの結像に比べて、はるかに大きい焦
点深度が得られることが挙げられる。以上の説明では周
期パターン露光と通常露光の順番は、周期パターン露光
を先としたが、逆あるいは同時でもよい。
【００２７】以下の実施例においては、波長２４８ｎｍ
のｋｒＦエキシマステッパーを用い、周期パターン露光
・通常露光の二重露光を行う際、周期パターンに工夫を
施した各具体例について説明する。周期パターン露光・
通常パターン露光の二重露光を行う際、周期パターンの
工夫に関するものである。周期パターン露光ではコント
ラストが高い像が得られ、通常露光パターンではコント
ラストが低い像が得られる。
のｋｒＦエキシマステッパーを用い、周期パターン露光
・通常露光の二重露光を行う際、周期パターンに工夫を
施した各具体例について説明する。周期パターン露光・
通常パターン露光の二重露光を行う際、周期パターンの
工夫に関するものである。周期パターン露光ではコント
ラストが高い像が得られ、通常露光パターンではコント
ラストが低い像が得られる。
【００２８】［実施例１］実施例１は、４本の微細線が
交差している通常露光パターンを作成するための周期パ
ターンに関するものであり、図４を用いて説明する。こ
の図４は、実際に使用する周期パターンと通常露光
パターンと、それらを二重露光する位置関係を合成パ
ターンとして示している。このの２つのパターンを
合成することによって、最終的には図４の通常露光パ
ターンと同じ形のパターンを得ることが目的である。図
４に示した通常露光パターンは、４本の微細線が交差
し、先端にコンタクトホール部が接続されているもので
ある。この通常露光パターンのウエハ上の光強度分布
は、解像度以下の微細線を含んでいるため、微細線部分
とコンタクトホール部で多値となる。そして、本実施例
では、周期パターン、通常パターンの二つの露光とも、
各一回の露光ではレジストの閾値を超えず、二回の露光
によってレジストの閾値を超えることになる。以下、実
施例１から９も同様である。
交差している通常露光パターンを作成するための周期パ
ターンに関するものであり、図４を用いて説明する。こ
の図４は、実際に使用する周期パターンと通常露光
パターンと、それらを二重露光する位置関係を合成パ
ターンとして示している。このの２つのパターンを
合成することによって、最終的には図４の通常露光パ
ターンと同じ形のパターンを得ることが目的である。図
４に示した通常露光パターンは、４本の微細線が交差
し、先端にコンタクトホール部が接続されているもので
ある。この通常露光パターンのウエハ上の光強度分布
は、解像度以下の微細線を含んでいるため、微細線部分
とコンタクトホール部で多値となる。そして、本実施例
では、周期パターン、通常パターンの二つの露光とも、
各一回の露光ではレジストの閾値を超えず、二回の露光
によってレジストの閾値を超えることになる。以下、実
施例１から９も同様である。
【００２９】ここで、４本の微細線を再現するために
は、図４のような周期パターンを用いる。これは、位
相０・πの位相差で生じる強度０のエッジを用いて微細
線を作成するもので、隣あう位相が異なるように配置す
る。図４の周期パターン１と２の違いは周期パターン
の大きさである。周期パターン１は位相差で生じる強度
０のエッジをの通常露光パターンの全体と一致するよ
う配置したもので、周期パターン２はこのエッジをの
通常露光パターンの微細線と一致するように配置したも
のである。周期パターンとして、周期パターン１、周期
パターン２のどちらを用いてもよく、このように、隣合
うパターンが１８０度の位相差をもっており、この境界
に生じる強度０のエッジを用いて微細線を作成すること
によって、異なる方向の微細線をすべて良好に再現する
ことが出来るのである。
は、図４のような周期パターンを用いる。これは、位
相０・πの位相差で生じる強度０のエッジを用いて微細
線を作成するもので、隣あう位相が異なるように配置す
る。図４の周期パターン１と２の違いは周期パターン
の大きさである。周期パターン１は位相差で生じる強度
０のエッジをの通常露光パターンの全体と一致するよ
う配置したもので、周期パターン２はこのエッジをの
通常露光パターンの微細線と一致するように配置したも
のである。周期パターンとして、周期パターン１、周期
パターン２のどちらを用いてもよく、このように、隣合
うパターンが１８０度の位相差をもっており、この境界
に生じる強度０のエッジを用いて微細線を作成すること
によって、異なる方向の微細線をすべて良好に再現する
ことが出来るのである。
【００３０】［実施例２］実施例２は、通常露光パター
ンは実施例１と同じであるが、周期パターンとして隣り
合う位相が異なるパターンの間に細いＣｒが入っている
場合について、図５を用いて説明する。この図５は、実
際に使用する周期パターンと通常露光パターンと、
それらを二重露光する位置関係を合成パターンとして
示している。このの２つのパターンを合成すること
によって、最終的には図５の通常露光パターンと同じ
形のパターンを得ることが目的である。この通常露光パ
ターンのウエハ上の光強度分布は、実施例１と同様に解
像度以下の微細線を含んでいるため、微細線部分とコン
タクトホール部で多値となる。
ンは実施例１と同じであるが、周期パターンとして隣り
合う位相が異なるパターンの間に細いＣｒが入っている
場合について、図５を用いて説明する。この図５は、実
際に使用する周期パターンと通常露光パターンと、
それらを二重露光する位置関係を合成パターンとして
示している。このの２つのパターンを合成すること
によって、最終的には図５の通常露光パターンと同じ
形のパターンを得ることが目的である。この通常露光パ
ターンのウエハ上の光強度分布は、実施例１と同様に解
像度以下の微細線を含んでいるため、微細線部分とコン
タクトホール部で多値となる。
【００３１】ここで、４本の微細線を再現するために
は、図５のような周期パターンを用いる。これは、位
相０・πの位相差で生じる強度０のエッジを用いて微細
線を作成するもので、隣あう位相が異なるように配置す
る。そして、そのパターン同士の間には細いＣｒが入っ
ている。このように、細いＣｒが入っていたとしても、
実施例１で説明したように、位相が１８０度異なるとこ
ろで生じる強度０のエッジを用いて、コントラストの高
い像を形成していることには変わりない。また、実施例
１と同様に、周期パターンの大きさはここでは特に関係
ないため、周期パターンは、通常露光パターン全体と一
致するように配置したものでも良いし、通常露光パター
ンの微細線と一致するように配置したものでも良い。こ
のように、周期パターンとして、隣合うパターンの間に
あるＣｒを挟んで１８０度の位相差をもつパターンを用
い、この境界に生じる強度０のエッジを用いて微細線を
作成することによって、異なる方向の微細線をすべて良
好に再現することが出来るのである。
は、図５のような周期パターンを用いる。これは、位
相０・πの位相差で生じる強度０のエッジを用いて微細
線を作成するもので、隣あう位相が異なるように配置す
る。そして、そのパターン同士の間には細いＣｒが入っ
ている。このように、細いＣｒが入っていたとしても、
実施例１で説明したように、位相が１８０度異なるとこ
ろで生じる強度０のエッジを用いて、コントラストの高
い像を形成していることには変わりない。また、実施例
１と同様に、周期パターンの大きさはここでは特に関係
ないため、周期パターンは、通常露光パターン全体と一
致するように配置したものでも良いし、通常露光パター
ンの微細線と一致するように配置したものでも良い。こ
のように、周期パターンとして、隣合うパターンの間に
あるＣｒを挟んで１８０度の位相差をもつパターンを用
い、この境界に生じる強度０のエッジを用いて微細線を
作成することによって、異なる方向の微細線をすべて良
好に再現することが出来るのである。
【００３２】［実施例３］実施例３は、通常露光パター
ンは実施例１と同じであるが、周期パターンとして隣合
う位相差が１８０度であるエッジを複数配置した場合に
ついて、図６を用いて説明する。この図６は、実際に使
用する周期パターンと通常露光パターンと、それら
を二重露光する位置関係を合成パターンとして示して
いる。このの２つのパターンを合成することによっ
て、最終的には図６の通常露光パターンと同じ形のパ
ターンを得ることが目的である。この通常露光パターン
のウエハ上の光強度分布は、実施例１と同様に解像度以
下の微細線を含んでいるため、微細線部分とコンタクト
ホール部で多値となる。
ンは実施例１と同じであるが、周期パターンとして隣合
う位相差が１８０度であるエッジを複数配置した場合に
ついて、図６を用いて説明する。この図６は、実際に使
用する周期パターンと通常露光パターンと、それら
を二重露光する位置関係を合成パターンとして示して
いる。このの２つのパターンを合成することによっ
て、最終的には図６の通常露光パターンと同じ形のパ
ターンを得ることが目的である。この通常露光パターン
のウエハ上の光強度分布は、実施例１と同様に解像度以
下の微細線を含んでいるため、微細線部分とコンタクト
ホール部で多値となる。
【００３３】ここで、４本の微細線を再現するために
は、図６のような周期パターンを用いる。これは、位
相０・πの位相差で生じる強度０のエッジを用いて微細
線を作成するもので、隣あう位相が異なるように配置す
る。通常露光パターンの微細線と重なるところの構成は
実施例１と同様であるが、実施例３での周期パターンは
大きなパターンで微細線を作るのではなく、その大きな
パターンを図６に示したような方法で、さらに位相が反
転するようにＬ字型に細かく区切っていくのである。基
本的な考え方は実施例１と同じであるが、微細線と重な
らない領域にも位相差が１８０度の境界を作成すること
によって、微細線の線幅再現性を向上させるためであ
る。
は、図６のような周期パターンを用いる。これは、位
相０・πの位相差で生じる強度０のエッジを用いて微細
線を作成するもので、隣あう位相が異なるように配置す
る。通常露光パターンの微細線と重なるところの構成は
実施例１と同様であるが、実施例３での周期パターンは
大きなパターンで微細線を作るのではなく、その大きな
パターンを図６に示したような方法で、さらに位相が反
転するようにＬ字型に細かく区切っていくのである。基
本的な考え方は実施例１と同じであるが、微細線と重な
らない領域にも位相差が１８０度の境界を作成すること
によって、微細線の線幅再現性を向上させるためであ
る。
【００３４】Ｌ字型に配置した周期パターンを用いる場
合は、Ｌ字の交点に強度が集中するため、図７に示した
ようにＬ字の交点あるいはその近傍をあらかじめＣｒで
遮光することによって、より良好な微細線が得られる。
また、実施例１と同様に、周期パターンの大きさはここ
では特に関係ないため、周期パターンは、通常露光パタ
ーン全体と一致するように配置したものでも良いし、通
常露光パターンの微細線と一致するように配置したもの
でも良い。このように、周期パターンとして、隣合うパ
ターン１８０度の位相差をもっているＬ字型のパターン
を用い、この境界に生じる強度０のエッジを用いて微細
線を作成することによって、異なる方向の微細線をすべ
て良好に再現することが出来るのである。
合は、Ｌ字の交点に強度が集中するため、図７に示した
ようにＬ字の交点あるいはその近傍をあらかじめＣｒで
遮光することによって、より良好な微細線が得られる。
また、実施例１と同様に、周期パターンの大きさはここ
では特に関係ないため、周期パターンは、通常露光パタ
ーン全体と一致するように配置したものでも良いし、通
常露光パターンの微細線と一致するように配置したもの
でも良い。このように、周期パターンとして、隣合うパ
ターン１８０度の位相差をもっているＬ字型のパターン
を用い、この境界に生じる強度０のエッジを用いて微細
線を作成することによって、異なる方向の微細線をすべ
て良好に再現することが出来るのである。
【００３５】［実施例４］実施例４は、通常露光パター
ンは実施例１〜３と同じであるが、周期パターンとして
隣合う位相差が１８０度であるエッジを複数配置した場
合について、図８を用いて説明する。本実施例は、実施
例３の位相差１８０度の境界にＣｒが入っている場合で
ある。この図８は、実際に使用する周期パターンと
通常露光パターンと、それらを二重露光する位置関係を
合成パターンとして示している。このの２つのパ
ターンを合成することによって、最終的には図８の通
常露光パターンと同じ形のパターンを得ることが目的で
ある。この通常露光パターンのウエハ上の光強度分布
は、実施例１と同様に解像度以下の微細線を含んでいる
ため、微細線部分とコンタクトホール部で多値となる。
ここで、４本の微細線を再現するためには、図８のよ
うな周期パターンを用いる。これは、位相０・πの位相
差で生じる強度０のエッジを用いて微細線を作成するも
ので、隣あう位相が異なるように配置する。通常露光パ
ターンの微細線と重なるところの構成は実施例１と同様
であるが、本実施例４での周期パターンは大きなパター
ンで微細線を作るのではなく、その大きなパターンを図
６に示したような方法で、さらに位相が反転するように
Ｌ字型に細かく区切り、パターンの間にＣｒが配置され
ているものである。基本的な考え方は実施例１と同じで
あるが、微細線と重ならない領域にも位相差が１８０度
の境界を作成することによって、微細線の線幅再現性を
向上させるためであることは実施例３と同じである。
ンは実施例１〜３と同じであるが、周期パターンとして
隣合う位相差が１８０度であるエッジを複数配置した場
合について、図８を用いて説明する。本実施例は、実施
例３の位相差１８０度の境界にＣｒが入っている場合で
ある。この図８は、実際に使用する周期パターンと
通常露光パターンと、それらを二重露光する位置関係を
合成パターンとして示している。このの２つのパ
ターンを合成することによって、最終的には図８の通
常露光パターンと同じ形のパターンを得ることが目的で
ある。この通常露光パターンのウエハ上の光強度分布
は、実施例１と同様に解像度以下の微細線を含んでいる
ため、微細線部分とコンタクトホール部で多値となる。
ここで、４本の微細線を再現するためには、図８のよ
うな周期パターンを用いる。これは、位相０・πの位相
差で生じる強度０のエッジを用いて微細線を作成するも
ので、隣あう位相が異なるように配置する。通常露光パ
ターンの微細線と重なるところの構成は実施例１と同様
であるが、本実施例４での周期パターンは大きなパター
ンで微細線を作るのではなく、その大きなパターンを図
６に示したような方法で、さらに位相が反転するように
Ｌ字型に細かく区切り、パターンの間にＣｒが配置され
ているものである。基本的な考え方は実施例１と同じで
あるが、微細線と重ならない領域にも位相差が１８０度
の境界を作成することによって、微細線の線幅再現性を
向上させるためであることは実施例３と同じである。
【００３６】Ｌ字型に配置した周期パターンを用いる場
合は、Ｌ字の交点に強度が集中するため、図９に示した
ようにＬ字の交点をあらかじめＣｒで遮光することによ
って、より良好な微細線が得られる。また、実施例１と
同様に、周期パターンの大きさはここでは特に関係ない
ため、周期パターンは、通常露光パターン全体と一致す
るように配置したものでも良いし、通常露光パターンの
微細線と一致するように配置したものでも良い。このよ
うに、周期パターンは、隣合うパターンが１８０度の位
相差を持ち、その境界にＣｒを配置したＬ字型のパター
ンであって、この境界に生じる強度０のエッジを用いて
微細線を作成することによって、異なる方向の微細線を
すべて良好に再現することが出来るのである。
合は、Ｌ字の交点に強度が集中するため、図９に示した
ようにＬ字の交点をあらかじめＣｒで遮光することによ
って、より良好な微細線が得られる。また、実施例１と
同様に、周期パターンの大きさはここでは特に関係ない
ため、周期パターンは、通常露光パターン全体と一致す
るように配置したものでも良いし、通常露光パターンの
微細線と一致するように配置したものでも良い。このよ
うに、周期パターンは、隣合うパターンが１８０度の位
相差を持ち、その境界にＣｒを配置したＬ字型のパター
ンであって、この境界に生じる強度０のエッジを用いて
微細線を作成することによって、異なる方向の微細線を
すべて良好に再現することが出来るのである。
【００３７】［実施例５］実施例５では、通常露光パタ
ーンとして３本の微細線が交わっているＴゲートを例に
図１０・１１を用いて説明する。この図１０は、実際に
使用する周期パターンと通常露光パターンと、それ
らを二重露光する位置関係を合成パターンとして示し
ている。このの２つのパターンを合成することによ
って、最終的には図１０の通常露光パターンと同じ形
のパターンを得ることが目的である。３本の微細線を解
像するためには、最低周期パターンに３本の位相差１８
０度の境界を配置出来れば良いと考えられるが、３つの
パターンでは位相を０・πと交互に配置することが出来
ない。そのため、図１０に示したように、微細線より
も１つ多い４つのパターンに分割し、４つの位相差１８
０度の境界を作成することで、隣合う位相が反転した周
期パターンを作成することが出来る。ここで、通常露光
パターンの３つの微細線は、周期パターンの４つの位相
差１８０度の境界と重なることは当然である。
ーンとして３本の微細線が交わっているＴゲートを例に
図１０・１１を用いて説明する。この図１０は、実際に
使用する周期パターンと通常露光パターンと、それ
らを二重露光する位置関係を合成パターンとして示し
ている。このの２つのパターンを合成することによ
って、最終的には図１０の通常露光パターンと同じ形
のパターンを得ることが目的である。３本の微細線を解
像するためには、最低周期パターンに３本の位相差１８
０度の境界を配置出来れば良いと考えられるが、３つの
パターンでは位相を０・πと交互に配置することが出来
ない。そのため、図１０に示したように、微細線より
も１つ多い４つのパターンに分割し、４つの位相差１８
０度の境界を作成することで、隣合う位相が反転した周
期パターンを作成することが出来る。ここで、通常露光
パターンの３つの微細線は、周期パターンの４つの位相
差１８０度の境界と重なることは当然である。
【００３８】つまり、図１０の周期パターンで作成さ
れる４本のエッジのうち、の通常露光パターンの微細
線と重なる３本のエッジ部だけを二重露光で用いるので
ある。図１１にこのパターンの光強度分布のシミュレー
ション結果を示す。上から周期パターン・通常露光パタ
ーン・合成像の光強度分布である。二重露光することに
よって、Ｔゲートにおける縦横の微細線をより良好に再
現出来ることを確認できる。
れる４本のエッジのうち、の通常露光パターンの微細
線と重なる３本のエッジ部だけを二重露光で用いるので
ある。図１１にこのパターンの光強度分布のシミュレー
ション結果を示す。上から周期パターン・通常露光パタ
ーン・合成像の光強度分布である。二重露光することに
よって、Ｔゲートにおける縦横の微細線をより良好に再
現出来ることを確認できる。
【００３９】このように、通常露光パターンが奇数本の
微細線を含んでいる場合は、周期パターンとして偶数本
のエッジを作成するよう、となり合うパターンの位相差
が１８０度になるように配置したものを用い、その中で
所望のパターンと重なるエッジのみを二重露光で用いる
のである。このような周期パターンを用いることで、通
常露光パターンが異なる方向の微細線を奇数本含んでい
た場合でも、すべての微細線を良好に解像することが出
来るのである。
微細線を含んでいる場合は、周期パターンとして偶数本
のエッジを作成するよう、となり合うパターンの位相差
が１８０度になるように配置したものを用い、その中で
所望のパターンと重なるエッジのみを二重露光で用いる
のである。このような周期パターンを用いることで、通
常露光パターンが異なる方向の微細線を奇数本含んでい
た場合でも、すべての微細線を良好に解像することが出
来るのである。
【００４０】［実施例６］実施例６の場合を図１２に示
したが、この場合も同様である。この図１２は同じく３
本の微細線が交わっているＴゲートだが、その微細線が
斜めに曲がった部分も含んでいるものである。図１２
の通常露光パターンと同じ形状のパターンを最終的に得
たい場合、周期パターンとして、微細線が直交していな
くても、微細線に合わせて位相差１８０度のエッジを配
置したものを用いる。但し、本実施例６の場合も実施例
５と同じく、通常露光パターンの微細線が奇数本である
ため、周期パターンとして、隣合うパターンの位相が反
転するよう、偶数本の位相差１８０度のエッジを配置し
た図１２の周期パターンを用いるのである。つまり、
通常露光パターンが複数の方向の微細線があるパターン
であって、その微細線は奇数本である場合、通常露光パ
ターンの微細線と重なるように、偶数本の位相差１８０
度のエッジを配置した周期パターンを用いることによっ
て、すべての微細線を良好に解像することが出来るので
ある。
したが、この場合も同様である。この図１２は同じく３
本の微細線が交わっているＴゲートだが、その微細線が
斜めに曲がった部分も含んでいるものである。図１２
の通常露光パターンと同じ形状のパターンを最終的に得
たい場合、周期パターンとして、微細線が直交していな
くても、微細線に合わせて位相差１８０度のエッジを配
置したものを用いる。但し、本実施例６の場合も実施例
５と同じく、通常露光パターンの微細線が奇数本である
ため、周期パターンとして、隣合うパターンの位相が反
転するよう、偶数本の位相差１８０度のエッジを配置し
た図１２の周期パターンを用いるのである。つまり、
通常露光パターンが複数の方向の微細線があるパターン
であって、その微細線は奇数本である場合、通常露光パ
ターンの微細線と重なるように、偶数本の位相差１８０
度のエッジを配置した周期パターンを用いることによっ
て、すべての微細線を良好に解像することが出来るので
ある。
【００４１】［実施例７］実施例７は、異なる３つの方
向の微細線がある通常露光パターンの場合であって、図
１３を用いて説明する。この図１３は、実際に使用する
周期パターンと通常露光パターンと、それらを二重
露光する位置関係を合成パターンとして示している。
このの２つのパターンを合成することによって、最
終的には図１１の通常露光パターンと同じ形のパター
ンを得ることが目的である。この通常露光パターンのウ
エハ上の光強度分布は、解像度以下の微細線を含んでい
るため、微細線部分とコンタクトホール部で多値とな
る。
向の微細線がある通常露光パターンの場合であって、図
１３を用いて説明する。この図１３は、実際に使用する
周期パターンと通常露光パターンと、それらを二重
露光する位置関係を合成パターンとして示している。
このの２つのパターンを合成することによって、最
終的には図１１の通常露光パターンと同じ形のパター
ンを得ることが目的である。この通常露光パターンのウ
エハ上の光強度分布は、解像度以下の微細線を含んでい
るため、微細線部分とコンタクトホール部で多値とな
る。
【００４２】ここで示した図１３の通常露光パターン
には３つの方向に微細線があり、一点で交わっている。
３本の微細線を解像するためには、最低周期パターンに
この交点を中心に３本の位相差１８０度の境界を配置出
来れば良いと考えられるが、３つのパターンでは位相を
０・πと交互に配置することが出来ない。そのため、図
１３周期パターン１に示したように、微細線よりも１
つ多い４つのパターンに分割し、４つの位相差１８０度
の境界を作成することで、隣合う位相が反転した周期パ
ターンを作成することが出来る。このとき、通常露光パ
ターンの微細線と重なるように、周期パターンの位相差
１８０度の境界を配置する必要があるので、まず３本の
微細線と重なる部分に境界を設け、それ以外の領域に１
つ境界を設けることになる。
には３つの方向に微細線があり、一点で交わっている。
３本の微細線を解像するためには、最低周期パターンに
この交点を中心に３本の位相差１８０度の境界を配置出
来れば良いと考えられるが、３つのパターンでは位相を
０・πと交互に配置することが出来ない。そのため、図
１３周期パターン１に示したように、微細線よりも１
つ多い４つのパターンに分割し、４つの位相差１８０度
の境界を作成することで、隣合う位相が反転した周期パ
ターンを作成することが出来る。このとき、通常露光パ
ターンの微細線と重なるように、周期パターンの位相差
１８０度の境界を配置する必要があるので、まず３本の
微細線と重なる部分に境界を設け、それ以外の領域に１
つ境界を設けることになる。
【００４３】つまり、図１３の周期パターン１で作成
される４本のエッジのうち、の通常露光パターンの微
細線と重なる３本のエッジ部だけを二重露光で用いるの
である。但し、微細線の方向が３方向になっているた
め、図１３周期パターン２に示したように、微細線の
方向に合わせて周期パターンの位相差１８０度の境界を
配置し、結果として６つの境界をもつ周期パターンを用
いても良い。この場合は、図１３の周期パターン２で
作成される６本のエッジのうち、の通常露光パターン
の微細線と重なる３本のエッジ部だけを二重露光で用い
ることになる。
される４本のエッジのうち、の通常露光パターンの微
細線と重なる３本のエッジ部だけを二重露光で用いるの
である。但し、微細線の方向が３方向になっているた
め、図１３周期パターン２に示したように、微細線の
方向に合わせて周期パターンの位相差１８０度の境界を
配置し、結果として６つの境界をもつ周期パターンを用
いても良い。この場合は、図１３の周期パターン２で
作成される６本のエッジのうち、の通常露光パターン
の微細線と重なる３本のエッジ部だけを二重露光で用い
ることになる。
【００４４】このように、通常露光パターンが奇数本の
微細線を含んでおり、一点で交わっている場合は、周期
パターンとして偶数本のエッジを作成するよう、交点を
中心にとなり合うパターンの位相差が１８０度になるよ
うに配置したものを用い、その中で所望のパターンと重
なるエッジのみを二重露光で用いるのである。このよう
な周期パターンを用いることで、通常露光パターンが異
なる方向の微細線を奇数本含んでいた場合でも、すべて
の微細線を良好に解像することが出来るのである。ここ
で奇数本の微細線に対して偶数個の位相差１８０度のエ
ッジを配置する際、その方法としては、分割されたパタ
ーンの面積、角度が等しくなるように配置し、微細線の
延長線と重なるように配置する。角度および面積が広い
ところを分割するように配置するなどの方法がある。
微細線を含んでおり、一点で交わっている場合は、周期
パターンとして偶数本のエッジを作成するよう、交点を
中心にとなり合うパターンの位相差が１８０度になるよ
うに配置したものを用い、その中で所望のパターンと重
なるエッジのみを二重露光で用いるのである。このよう
な周期パターンを用いることで、通常露光パターンが異
なる方向の微細線を奇数本含んでいた場合でも、すべて
の微細線を良好に解像することが出来るのである。ここ
で奇数本の微細線に対して偶数個の位相差１８０度のエ
ッジを配置する際、その方法としては、分割されたパタ
ーンの面積、角度が等しくなるように配置し、微細線の
延長線と重なるように配置する。角度および面積が広い
ところを分割するように配置するなどの方法がある。
【００４５】［実施例８］実施例８は、通常露光パター
ンとして、実施例５で示した３本の微細線が交わるＴゲ
ートを含んだ、実用的なパターンの場合の周期パターン
の例であり、図１４を用いて説明する。この図１４は、
実際に使用する周期パターンと通常露光パターン
と、それらを二重露光する位置関係を合成パターンと
して示している。このの２つのパターンを合成する
ことによって、最終的には図１４の通常露光パターン
と同じ形のパターンを得ることが目的である。この通常
露光パターンは図に示した通り、ＢのパターンとＣのＴ
ゲートが交互になっているものである。そこで、すべて
の微細線を解像するためには、図１４のような周期パ
ターンを用いるＢのパターンに関しては、微細線が１本
なので、この微細線を解像するようエッジを配置する。
またＣのパターンに関しては、３本の微細線がＴ字に交
わっているＴゲートであるため、実施例６と同様、隣り
合う位相が反転するよう偶数個のエッジを作成し、その
うち３本のエッジのみを二重露光で用いることになる。
ンとして、実施例５で示した３本の微細線が交わるＴゲ
ートを含んだ、実用的なパターンの場合の周期パターン
の例であり、図１４を用いて説明する。この図１４は、
実際に使用する周期パターンと通常露光パターン
と、それらを二重露光する位置関係を合成パターンと
して示している。このの２つのパターンを合成する
ことによって、最終的には図１４の通常露光パターン
と同じ形のパターンを得ることが目的である。この通常
露光パターンは図に示した通り、ＢのパターンとＣのＴ
ゲートが交互になっているものである。そこで、すべて
の微細線を解像するためには、図１４のような周期パ
ターンを用いるＢのパターンに関しては、微細線が１本
なので、この微細線を解像するようエッジを配置する。
またＣのパターンに関しては、３本の微細線がＴ字に交
わっているＴゲートであるため、実施例６と同様、隣り
合う位相が反転するよう偶数個のエッジを作成し、その
うち３本のエッジのみを二重露光で用いることになる。
【００４６】ここでは、Ｂのパターンを作成するために
エッジを用いたが、図１４に示したようにレベンソンマ
スクを用いて作成しても良い。つまり、通常露光パター
ンが複数の方向の微細線があるパターンであって、その
微細線は奇数本である場合、通常露光パターンの微細線
と重なるように、偶数本の位相差１８０度のエッジを配
置した周期パターンを用いることによって、すべての微
細線を良好に解像することが出来るのである。
エッジを用いたが、図１４に示したようにレベンソンマ
スクを用いて作成しても良い。つまり、通常露光パター
ンが複数の方向の微細線があるパターンであって、その
微細線は奇数本である場合、通常露光パターンの微細線
と重なるように、偶数本の位相差１８０度のエッジを配
置した周期パターンを用いることによって、すべての微
細線を良好に解像することが出来るのである。
【００４７】［実施例９］実施例４では、通常露光パタ
ーンとして５本の微細線が交わっている六字ゲートを例
に図１５・１６を用いて説明する。この図１５は、実際
に使用する周期パターンと通常露光パターンと、そ
れらを二重露光する位置関係を合成パターンとして示
している。このの２つのパターンを合成することに
よって、最終的には図１５の通常露光パターンと同じ
形のパターンを得ることが目的である。通常露光パター
ンの５本の微細線を解像するためには、その微細線の交
点を中心に、微細線の方向に合わせて隣あう位相が異な
るように位相差１８０度のエッジを配置した周期パター
ンを用いれば良いが、今までの実施例で述べたように、
微細線が奇数の場合では隣合う位相が同じになってしま
い、うまく配置することができない。
ーンとして５本の微細線が交わっている六字ゲートを例
に図１５・１６を用いて説明する。この図１５は、実際
に使用する周期パターンと通常露光パターンと、そ
れらを二重露光する位置関係を合成パターンとして示
している。このの２つのパターンを合成することに
よって、最終的には図１５の通常露光パターンと同じ
形のパターンを得ることが目的である。通常露光パター
ンの５本の微細線を解像するためには、その微細線の交
点を中心に、微細線の方向に合わせて隣あう位相が異な
るように位相差１８０度のエッジを配置した周期パター
ンを用いれば良いが、今までの実施例で述べたように、
微細線が奇数の場合では隣合う位相が同じになってしま
い、うまく配置することができない。
【００４８】そこで、５本の微細線が交わったパターン
を再現するためには、図１５のような周期パターンを
用いる。周期パターンとしては、微細線が５本であった
としても、それらの交点を中心に隣り合う位相が１８０
度になるエッジを６つ作成した周期パターンを用いるの
である。勿論、この６本のエッジのうち、５本は通常露
光パターンの微細線と二重露光によって重なる位置に一
致していることは当然である。このように図１５の周
期パターンで作成される６本のエッジのうち、の通常
露光パターンの微細線と重なる５本のエッジ部だけを二
重露光で用いるのである。
を再現するためには、図１５のような周期パターンを
用いる。周期パターンとしては、微細線が５本であった
としても、それらの交点を中心に隣り合う位相が１８０
度になるエッジを６つ作成した周期パターンを用いるの
である。勿論、この６本のエッジのうち、５本は通常露
光パターンの微細線と二重露光によって重なる位置に一
致していることは当然である。このように図１５の周
期パターンで作成される６本のエッジのうち、の通常
露光パターンの微細線と重なる５本のエッジ部だけを二
重露光で用いるのである。
【００４９】つまり、通常露光パターンが複数の方向の
微細線があるパターンであって、その微細線は奇数本で
ある場合、通常露光パターンの微細線と重なるように、
偶数本の位相差１８０度のエッジを配置した周期パター
ンを用いることによって、すべての微細線を良好に解像
することが出来るのである。図１６にこのパターンの光
強度分布のシミュレーション結果を示す。上から周期パ
ターン・通常露光パターン・合成像の光強度分布であ
る。二重露光することによって、縦・横・斜めの微細線
のコントラストを高くすることが出来、それらの微細線
を良好に再現出来ていることを確認できる。
微細線があるパターンであって、その微細線は奇数本で
ある場合、通常露光パターンの微細線と重なるように、
偶数本の位相差１８０度のエッジを配置した周期パター
ンを用いることによって、すべての微細線を良好に解像
することが出来るのである。図１６にこのパターンの光
強度分布のシミュレーション結果を示す。上から周期パ
ターン・通常露光パターン・合成像の光強度分布であ
る。二重露光することによって、縦・横・斜めの微細線
のコントラストを高くすることが出来、それらの微細線
を良好に再現出来ていることを確認できる。
【００５０】また、図１７のように、微細線が交差せず
隣接している場合、つまり微細線の延長線が一点で交わ
る場合でも同様のことが言える。この場合も図１５と同
じように、微細線に合わせて、その交点を中心に隣り合
う位相が１８０度になるエッジを６つ作成した周期パタ
ーンを用い、そのうち微細線と重なった５本のエッジの
みを用いて二重露光を行うのである。この微細線が隣接
しているとみなすのは、その間隔が３Ｌ以内である場合
を想定しているが、特にこの間隔は関係ない。特に、周
期パターンとして図１７周期パターンのような形を用
いて二重露光を行う場合であれば、通常露光パターンの
微細線が上記間隔以内で隣接していない場合であっても
良い。以上のように、通常露光パターンが５本の微細線
が交差あるいは延長線が一点で交わる場合においても、
交点を中心に周期パターンとして６つのエッジを作成
し、そのうち５つのエッジを用いて二重露光を行うこと
によって、隣り合う位相を反転させることができ、結果
として、すべての微細線を良好に再現することが出来る
のである。
隣接している場合、つまり微細線の延長線が一点で交わ
る場合でも同様のことが言える。この場合も図１５と同
じように、微細線に合わせて、その交点を中心に隣り合
う位相が１８０度になるエッジを６つ作成した周期パタ
ーンを用い、そのうち微細線と重なった５本のエッジの
みを用いて二重露光を行うのである。この微細線が隣接
しているとみなすのは、その間隔が３Ｌ以内である場合
を想定しているが、特にこの間隔は関係ない。特に、周
期パターンとして図１７周期パターンのような形を用
いて二重露光を行う場合であれば、通常露光パターンの
微細線が上記間隔以内で隣接していない場合であっても
良い。以上のように、通常露光パターンが５本の微細線
が交差あるいは延長線が一点で交わる場合においても、
交点を中心に周期パターンとして６つのエッジを作成
し、そのうち５つのエッジを用いて二重露光を行うこと
によって、隣り合う位相を反転させることができ、結果
として、すべての微細線を良好に再現することが出来る
のである。
【００５１】以上をまとめると、通常露光パターンと周
期パターンの２重露光を行う露光方法において、異なる
方向の複数の微細線が交差あるいは延長線が一点で交わ
る場合、その交点を中心に隣合う位相を反転させ、位相
差による強度０のエッジを作成できるように周期パター
ンを配置することが重要である。したがって、微細線の
本数が偶数の場合は、微細線と重なる領域のみにエッジ
を配置しても良いし、それ以外の領域に使用しないエッ
ジが配置されていても良い。また、微細線の本数が奇数
の場合は、微細線よりも１本以上多いエッジを配置し、
隣合う位相が反転できるように周期パターンを配置す
る。このように、微細線と重ならない領域に使用しない
エッジが配置されていても良い。このように作成された
周期パターンを用いることで、異なる方向に複数の微細
線が存在する場合においても、すべての微細線を良好に
再現することが可能になるのである。また、実施例１と
同様、位相差で生じる強度０のエッジの長さは、の通
常露光パターンにおいて、コンタクトホール部も含んだ
パターンと重なるよう配置しても良いし、微細線のみと
重なるように配置してもよい。また、本実施例において
は、微細線が交差している場合を中心に述べたが、その
微細線は交差していなくても、実施例９のようにその近
傍に隣接していれば同様のことが言える。
期パターンの２重露光を行う露光方法において、異なる
方向の複数の微細線が交差あるいは延長線が一点で交わ
る場合、その交点を中心に隣合う位相を反転させ、位相
差による強度０のエッジを作成できるように周期パター
ンを配置することが重要である。したがって、微細線の
本数が偶数の場合は、微細線と重なる領域のみにエッジ
を配置しても良いし、それ以外の領域に使用しないエッ
ジが配置されていても良い。また、微細線の本数が奇数
の場合は、微細線よりも１本以上多いエッジを配置し、
隣合う位相が反転できるように周期パターンを配置す
る。このように、微細線と重ならない領域に使用しない
エッジが配置されていても良い。このように作成された
周期パターンを用いることで、異なる方向に複数の微細
線が存在する場合においても、すべての微細線を良好に
再現することが可能になるのである。また、実施例１と
同様、位相差で生じる強度０のエッジの長さは、の通
常露光パターンにおいて、コンタクトホール部も含んだ
パターンと重なるよう配置しても良いし、微細線のみと
重なるように配置してもよい。また、本実施例において
は、微細線が交差している場合を中心に述べたが、その
微細線は交差していなくても、実施例９のようにその近
傍に隣接していれば同様のことが言える。
【００５２】［実施例１０］実施例１０では、実施例５
と同様に３本の微細線が交わっているＴゲートを作成す
ることを目的としており、図２３を用いて説明する。実
施例５では、周期パターンと通常露光パターンの二重露
光を行う場合であって、各一回の露光ではレジストの閾
値レベルを超えず、二重露光によってレジストの閾値を
超えるようにする場合を説明したが、本実施例１０で
は、各露光時とも、それぞれ一回でレジストの閾値を超
えるレベルで露光を行う二重露光の場合について説明す
る。この図２３は、実際に使用する第１のマスクと
第２のマスクとこれらを二重露光する際の位置関係を
合成パターンとして示している。このの２つのマス
クパターンを合成することによって、最終的には3本の
微細線が交差しているＴゲートを作成することが目的で
ある。3本の微細線を作成するためには３本の位相差180
度の境界を配置できれば良いのだが、これでは位相を０
・πと交互に配置することができない。そこで、図２３
第１のマスクに示したように、微細線よりも１つ多い
４つのパターンに分割し、４つの位相差１８０度の境界
を作成することになる。この第１のマスクの露光を行う
ことによって、図２３の右に示したように、十字のパ
ターンが得られる。次に、図２３の第２のマスクのよ
うに、４つのエッジのうち、必要のない１つのエッジを
消すよう一部を遮光したマスクを用いて露光を行う。そ
して、最終的には、４つのエッジのうち必要な３つのエ
ッジだけを残して、図２３の合成パターンに示したよ
うな、Ｔ字のパターンを得ることが出来る。ここでは、
前述したように、第１のマスク、第２のマスクの露光と
ともに、レジストの閾値を超えた露光を行うところが実
施例１から９と異なるところであるが、同様の効果が得
られる。このように、奇数本の微細線が交差しているパ
ターンの場合であっても、偶数本のエッジを作成した二
重露光を行うことによって、良好なパターンを得ること
が出来るのである。
と同様に３本の微細線が交わっているＴゲートを作成す
ることを目的としており、図２３を用いて説明する。実
施例５では、周期パターンと通常露光パターンの二重露
光を行う場合であって、各一回の露光ではレジストの閾
値レベルを超えず、二重露光によってレジストの閾値を
超えるようにする場合を説明したが、本実施例１０で
は、各露光時とも、それぞれ一回でレジストの閾値を超
えるレベルで露光を行う二重露光の場合について説明す
る。この図２３は、実際に使用する第１のマスクと
第２のマスクとこれらを二重露光する際の位置関係を
合成パターンとして示している。このの２つのマス
クパターンを合成することによって、最終的には3本の
微細線が交差しているＴゲートを作成することが目的で
ある。3本の微細線を作成するためには３本の位相差180
度の境界を配置できれば良いのだが、これでは位相を０
・πと交互に配置することができない。そこで、図２３
第１のマスクに示したように、微細線よりも１つ多い
４つのパターンに分割し、４つの位相差１８０度の境界
を作成することになる。この第１のマスクの露光を行う
ことによって、図２３の右に示したように、十字のパ
ターンが得られる。次に、図２３の第２のマスクのよ
うに、４つのエッジのうち、必要のない１つのエッジを
消すよう一部を遮光したマスクを用いて露光を行う。そ
して、最終的には、４つのエッジのうち必要な３つのエ
ッジだけを残して、図２３の合成パターンに示したよ
うな、Ｔ字のパターンを得ることが出来る。ここでは、
前述したように、第１のマスク、第２のマスクの露光と
ともに、レジストの閾値を超えた露光を行うところが実
施例１から９と異なるところであるが、同様の効果が得
られる。このように、奇数本の微細線が交差しているパ
ターンの場合であっても、偶数本のエッジを作成した二
重露光を行うことによって、良好なパターンを得ること
が出来るのである。
【００５３】図１８は、本発明を適用し得る周期パター
ンの２光束干渉用露光と通常の投影露光の双方が行なえ
る高解像度露光装置を示す概略図である。図１８におい
て、２２１はＫｒＦ又はＡｒＦエキシマレーザ、２２２
は照明光学系、２２３はマスク（レチクル）、２２４は
マスクステージ、２２７はマスク２２３の回路パターン
をウエハ２２８上に縮小投影する投影光学系、２２５は
マスク（レチクル）チェンジャであり、ステージ２２４
に、通常のレチクルと前述したレベンソン型位相シフト
マスク（レチクル）又はエッジシフタ型マスク（レチク
ル）又は位相シフタを有していない周期パターンマスク
（レチクル）の一方を選択的に供給するために設けてあ
る。
ンの２光束干渉用露光と通常の投影露光の双方が行なえ
る高解像度露光装置を示す概略図である。図１８におい
て、２２１はＫｒＦ又はＡｒＦエキシマレーザ、２２２
は照明光学系、２２３はマスク（レチクル）、２２４は
マスクステージ、２２７はマスク２２３の回路パターン
をウエハ２２８上に縮小投影する投影光学系、２２５は
マスク（レチクル）チェンジャであり、ステージ２２４
に、通常のレチクルと前述したレベンソン型位相シフト
マスク（レチクル）又はエッジシフタ型マスク（レチク
ル）又は位相シフタを有していない周期パターンマスク
（レチクル）の一方を選択的に供給するために設けてあ
る。
【００５４】図１８の２２９は２光束干渉露光と投影露
光で共用される一つのＸＹＺステージであり、このステ
ージ２２９は、光学系２２７の光軸に直交する平面及び
この光軸方向に移動可能で、レーザー干渉計等を用いて
そのＸＹ方向の位置が正確に制御される。図１８の装置
は、不図示のレチクル位置合わせ光学系、ウエハ位置合
わせ光学系（オフアクシス位置合わせ光学系とＴＴＬ位
置合わせ光学系とＴＴＲ位置合わせ光学系）とを備え
る。
光で共用される一つのＸＹＺステージであり、このステ
ージ２２９は、光学系２２７の光軸に直交する平面及び
この光軸方向に移動可能で、レーザー干渉計等を用いて
そのＸＹ方向の位置が正確に制御される。図１８の装置
は、不図示のレチクル位置合わせ光学系、ウエハ位置合
わせ光学系（オフアクシス位置合わせ光学系とＴＴＬ位
置合わせ光学系とＴＴＲ位置合わせ光学系）とを備え
る。
【００５５】図１８の装置の照明光学系２２２は部分的
コヒーレント照明とコヒーレント照明とを切換え可能に
構成してあり、コヒーレント照明の場合には、ブロック
２３０内の図示した前述した（１ａ）又は（１ｂ）の照
明光を、前述したレベンソン型位相シフトレチクル又は
エッジシフタ型レチクル又は位相シフタを有していない
周期パターンレチクルの一つに供給し、部分的コヒーレ
ント照明の場合にはブロック２３０内に図示した（２）
の照明光を所望のレチクルに供給する。部分的コヒーレ
ント照明からコヒーレント照明との切換えは、通常光学
系２２２のフライアイレンズの直後に置かれる開口絞り
を、この絞りに比して開口径が十分に小さいコヒーレン
ト照明用絞りと交換すればいい。
コヒーレント照明とコヒーレント照明とを切換え可能に
構成してあり、コヒーレント照明の場合には、ブロック
２３０内の図示した前述した（１ａ）又は（１ｂ）の照
明光を、前述したレベンソン型位相シフトレチクル又は
エッジシフタ型レチクル又は位相シフタを有していない
周期パターンレチクルの一つに供給し、部分的コヒーレ
ント照明の場合にはブロック２３０内に図示した（２）
の照明光を所望のレチクルに供給する。部分的コヒーレ
ント照明からコヒーレント照明との切換えは、通常光学
系２２２のフライアイレンズの直後に置かれる開口絞り
を、この絞りに比して開口径が十分に小さいコヒーレン
ト照明用絞りと交換すればいい。
【００５６】さらに、図１９に示されるような構成のＸ
線露光装置を用いて、本実施例の方法により露光を行う
ことも可能である。本発明は以上説明した実施例等に限
定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲
において種々に変更することが可能である。
線露光装置を用いて、本実施例の方法により露光を行う
ことも可能である。本発明は以上説明した実施例等に限
定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲
において種々に変更することが可能である。
【００５７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明による
と、像のコントラストが互いに異なる複数のマスクパタ
ーンを用いて多重露光するに際して、前記複数のマスク
パターンのうちの複数の方向の微細線が交わるパターン
あるいは隣接しているパターンから得られるコントラス
トが低いパターンの像の形成位置を、隣合うパターンの
位相差が１８０度であるパターンの像で露光し、前記コ
ントラストが低いパターンに関する露光量分布のコント
ラストを向上させるるように構成することで、微細線の
方向が混在している複雑なパターンを含め、すべての微
細線を良好に再現することが可能な露光方法、露光装
置、およびデバイス製造方法を実現することができる。
と、像のコントラストが互いに異なる複数のマスクパタ
ーンを用いて多重露光するに際して、前記複数のマスク
パターンのうちの複数の方向の微細線が交わるパターン
あるいは隣接しているパターンから得られるコントラス
トが低いパターンの像の形成位置を、隣合うパターンの
位相差が１８０度であるパターンの像で露光し、前記コ
ントラストが低いパターンに関する露光量分布のコント
ラストを向上させるるように構成することで、微細線の
方向が混在している複雑なパターンを含め、すべての微
細線を良好に再現することが可能な露光方法、露光装
置、およびデバイス製造方法を実現することができる。
【図１】二重露光のパターン配置において問題を生じな
い場合を説明するための図。
い場合を説明するための図。
【図２】二重露光のパターン配置において、方向の異な
る微細線が混在していて、問題を生じる場合を説明する
ための図。
る微細線が混在していて、問題を生じる場合を説明する
ための図。
【図３】二重露光のフローチャートを示す図。
【図４】本発明の実施例１における合成パターン作成手
順を示す図。
順を示す図。
【図５】本発明の実施例２における合成パターン作成手
順を示す図。
順を示す図。
【図６】本発明の実施例３における合成パターン作成手
順を示す図。
順を示す図。
【図７】本発明の実施例３における合成パターン作成手
順を示す図。
順を示す図。
【図８】本発明の実施例４における合成パターン作成手
順を示す図。
順を示す図。
【図９】本発明の実施例４における合成パターン作成手
順を示す図。
順を示す図。
【図１０】本発明の実施例５における合成パターン作成
手順を示す図。
手順を示す図。
【図１１】実施例５のシミュレーション結果を示す図。
【図１２】本発明の実施例６における合成パターン作成
手順を示す図。
手順を示す図。
【図１３】本発明の実施例７における合成パターン作成
手順を示す図。
手順を示す図。
【図１４】本発明の実施例８における合成パターン作成
手順を示す図。
手順を示す図。
【図１５】本発明の実施例９における合成パターン作成
手順を示す図。
手順を示す図。
【図１６】実施例９のシミュレーション結果を示す図。
【図１７】本発明の実施例９における合成パターン作成
手順を示す図。
手順を示す図。
【図１８】二重露光を行う高解像度露光装置の概略図。
【図１９】Ｘ線露光装置の概略図。
【図２０】二重露光の原理を説明するための図。
【図２１】二重露光の原理を説明するための図。
【図２２】従来の投影露光装置の模式図。
【図２３】本発明の実施例１０における合成パターン作
成手順を示す図。
成手順を示す図。
１９１：エキシマレーザ １９２：照明光学系 １９３：照明光 １９４：マスク １９５：物体側露光光 １９６：縮小投影光学系 １９７：像側露光光 １９８：感光基板 １９９：基板ステージ ２２１：ＫｒＦまたはＡｒＦエキシマレーザ ２２２：照明光学系 ２２３：マスク ２２４：マスクステージ ２２７：投影光学系 ２２８：ウエハ ２２９：ＸＹＺステージ
Claims (29)
- 【請求項１】二重露光によりある点を中心に複数の微細
線が延びるパターン、あるいは複数の微細線の延長線が
１点で交わるパターンであって、その微細線の数が奇数
であるものを感光体に露光する露光方法であって、前記
交点を中心に、隣り合う領域の位相差が１８０度の偶数
個の境界を前記微細線の数より大なる数だけ配置した位
相シフトマスクによる露光を含むことを特徴とする露光
方法。 - 【請求項２】前記位相シフトマスクにおいて、隣り合う
パターンの位相差が１８０度の境界は、それらの境界で
分けられる複数の領域の面積または角度が互いに等しく
なるように配置することを特徴とする請求項１記載の露
光方法。 - 【請求項３】前記位相シフトマスクにおいて、隣り合う
パターンの位相差が１８０度の境界は、それらの境界で
分けられる領域の面積または角度が広いところを分割す
るように配置することを特徴とする請求項１記載の露光
方法。 - 【請求項４】前記位相シフトマスクにおいて隣合うパタ
ーンの位相差が１８０度の境界の所定複数部分が前記微
細線および/又は微細線の延長線と一致することを特徴
とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項５】前記位相差１８０度の境界は、ある微細線
と平行に、微細線と一致しない状態で複数存在すること
を特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項６】複数のマスクを用いて多重露光を行う露光
方法であって、 前記複数のマスクのうちの複数の方向の微細線が交わる
パターン、あるいは複数の方向に存在する微細線の延長
線が一点で交わる場合、パターンをもつマスクから得ら
れるコントラストが低いパターンの像の形成位置を、 隣合うパターンの位相差が１８０度であるパターンの像
で露光し、前記コントラストが低いパターンに関する露
光量分布のコントラストを向上させることを特徴とする
露光方法。 - 【請求項７】前記隣合うパターンの位相差が１８０度で
あるパターンの像での露光が、該隣合うパターンの位相
差が１８０度であるパターンにおける位相差の境界を、
前記複数の方向の微細線が交わるパターンあるいは複数
の方向に存在する微細線の延長線が一点で交わる場合、
パターンにおける微細線と重ね合わせることにより行わ
れることを特徴とする請求項６に記載の露光方法。 - 【請求項８】前記隣合うパターンの位相差が１８０度で
あるパターンにおける位相差の境界によって、前記微細
線の交点を中心に、微細線の本数が偶数であっても奇数
であってもパターン領域を偶数個に分割し、該偶数個の
パターン領域によって形成される偶数個の境界を用い
て、前記微細線を良好に再現することを特徴する請求項
７に記載の露光方法。 - 【請求項９】前記隣合うパターンの位相差が１８０度で
あるパターンにおける位相差の境界に、Ｃｒを配置した
ことを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の
露光方法。 - 【請求項１０】前記周期パターンにおいて、隣り合うパ
ターンの位相差が１８０度の境界を配置する際、それら
の境界で分けられる周期パターンの面積または角度が等
しくなるように配置することを特徴とする請求項６〜８
のいずれか１項に記載の露光方法。 - 【請求項１１】前記周期パターンにおいて、隣り合うパ
ターンの位相差が１８０度の境界を配置する際、それら
の境界で分けられる周期パターンの面積または角度が広
いところを分割するように配置することを特徴とする請
求項６〜８のいずれか１項に記載の露光方法。 - 【請求項１２】前記周期パターンにおいて、隣り合うパ
ターンの位相差が１８０度の境界を配置する際、微細線
および微細線の延長線と重なるように配置することを特
徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の露光方
法。 - 【請求項１３】前記位相差１８０度の境界は、微細線と
平行して、微細線と重なる領域以外にも複数存在するこ
とを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の露
光方法。 - 【請求項１４】前記像のコントラストが互いに異なる複
数のマスクパターンによるレジストの露光が、放射線に
よることを特徴とする請求項６〜１３のいずれか１項に
記載の露光方法。 - 【請求項１５】二重露光によりある点を中心に複数の微
細線が延びるパターン、あるいは複数の微細線の延長線
が１点で交わるパターンであって、その微細線の数が奇
数であるものを感光体に露光する露光装置であって、前
記交点を中心に、隣り合う領域の位相差が１８０度の偶
数個の境界を前記微細線の数より大なる数だけ配置した
位相シフトマスクによる露光を含むことを特徴とする露
光装置。 - 【請求項１６】前記位相シフトマスクにおいて、隣り合
うパターンの位相差が１８０度の境界は、それらの境界
で分けられる複数の領域の面積または角度が互いに等し
くなるように配置することを特徴とする請求項１５記載
の露光装置。 - 【請求項１７】前記位相シフトマスクにおいて、隣り合
うパターンの位相差が１８０度の境界は、それらの境界
で分けられる領域の面積または角度が広いところを分割
するように配置することを特徴とする請求項１５記載の
露光装置。 - 【請求項１８】前記位相シフトマスクにおいて隣合うパ
ターンの位相差が１８０度の境界の所定複数部分が前記
微細線および/又は微細線の延長線と一致することを特
徴とする請求項１５記載の露光装置。 - 【請求項１９】前記位相差１８０度の境界は、ある微細
線と平行に、微細線と一致しない状態で複数存在するこ
とを特徴とする請求項１５記載の露光装置。 - 【請求項２０】複数のマスクを用いて多重露光を行う露
光装置であって、 前記複数のマスクのうちの複数の方向の微細線が交わる
パターン、あるいは複数の方向に存在する微細線の延長
線が一点で交わる場合、パターンをもつマスクから得ら
れるコントラストが低いパターンの像の形成位置を、 隣合うパターンの位相差が１８０度であるパターンの像
で露光し、前記コントラストが低いパターンに関する露
光量分布のコントラストを向上させることを特徴とする
露光装置。 - 【請求項２１】前記隣合うパターンの位相差が１８０度
であるパターンの像での露光が、該隣合うパターンの位
相差が１８０度であるパターンにおける位相差の境界
を、前記複数の方向の微細線が交わるパターンあるいは
複数の方向に存在する微細線の延長線が一点で交わる場
合、パターンにおける微細線と重ね合わせることにより
行われることを特徴とする請求項２０に記載の露光装
置。 - 【請求項２２】前記隣合うパターンの位相差が１８０度
であるパターンにおける位相差の境界によって、前記微
細線の交点を中心に、微細線の本数が偶数であっても奇
数であってもパターン領域を偶数個に分割し、該偶数個
のパターン領域によって形成される偶数個の境界を用い
て、前記微細線を良好に再現することを特徴する請求項
２１に記載の露光装置。 - 【請求項２３】前記隣合うパターンの位相差が１８０度
であるパターンにおける相差の境界に、Ｃｒを配置した
ことを特徴とする請求項２０〜２２のいずれか１項に記
載の露光装置。 - 【請求項２４】前記周期パターンにおいて、隣り合うパ
ターンの位相差が１８０度の境界を配置する際、それら
の境界で分けられる周期パターンの面積または角度が等
しくなるように配置することを特徴とする請求項２０〜
２２のいずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項２５】前記周期パターンにおいて、隣り合うパ
ターンの位相差が１８０度の境界を配置する際、それら
の境界で分けられる周期パターンの面積または角度が広
いところを分割するように配置することを特徴とする請
求項２０〜２２のいずれか１項に記載の露光装置。 - 【請求項２６】前記周期パターンにおいて、隣り合うパ
ターンの位相差が１８０度の境界を配置する際、微細線
および微細線の延長線と重なるように配置することを特
徴とする請求項２０〜２２のいずれか１項に記載の露光
装置。 - 【請求項２７】前記位相差１８０度の境界は、微細線と
平行して、微細線と重なる領域以外にも複数存在するこ
とを特徴とする請求項２０〜２２のいずれか１項に記載
の露光装置。 - 【請求項２８】前記像のコントラストが互いに異なる複
数のマスクパターンによるレジストの露光が、放射線に
よることを特徴とする請求項２０〜２７のいずれか１項
に記載の露光装置。 - 【請求項２９】請求項１〜１４のいずれか１項に記載の
露光方法を用いて、または請求項１５〜２８のいずれか
１項に記載の露光装置を用いて、デバイスを製造するこ
とを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012133352A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Ultratech Inc | 位相シフトマスクを使用したフォトリソグラフィによるｌｅｄの作製 |
| WO2014019309A1 (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于制作彩色滤光片的掩模板及彩色滤光片的制作方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7175951B1 (en) * | 2002-04-19 | 2007-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Two mask in-situ overlay checking method |
| WO2005040919A1 (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | フォトマスク、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法及びマスクデータ作成方法 |
| TWI284790B (en) * | 2005-07-19 | 2007-08-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Calibration method for different types of exposure apparatus via using single mask and method for auto-feedback of the best focus |
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| US20070092844A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Macronix International Co., Ltd. | Method to form photo patterns |
| JP4357514B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 液浸露光方法 |
| US7709187B2 (en) * | 2006-10-23 | 2010-05-04 | International Business Machines Corporation | High resolution imaging process using an in-situ image modifying layer |
| US8139199B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-03-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, light converging pattern formation member, mask, and device manufacturing method |
| CN103426810B (zh) * | 2012-05-15 | 2015-09-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 后段制程中双重图形化方法 |
| CN104749900B (zh) * | 2013-12-30 | 2016-12-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 辅助图形的形成方法和曝光目标图形的修正方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666241B2 (ja) * | 1985-10-14 | 1994-08-24 | 株式会社日立製作所 | 位置検出方法 |
| US5364716A (en) * | 1991-09-27 | 1994-11-15 | Fujitsu Limited | Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor |
| US5766829A (en) * | 1995-05-30 | 1998-06-16 | Micron Technology, Inc. | Method of phase shift lithography |
| US5902716A (en) * | 1995-09-05 | 1999-05-11 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| JPH1012543A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法 |
| US6534242B2 (en) * | 1997-11-06 | 2003-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure device formation |
| US6544721B1 (en) * | 1998-06-16 | 2003-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure method |
| US6620556B2 (en) * | 1999-03-15 | 2003-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask for multiple exposure |
| US6351304B1 (en) * | 1999-06-04 | 2002-02-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure method |
| US6238850B1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-05-29 | International Business Machines Corp. | Method of forming sharp corners in a photoresist layer |
| JP3368265B2 (ja) * | 2000-03-02 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| US7083879B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-08-01 | Synopsys, Inc. | Phase conflict resolution for photolithographic masks |
| KR20020009410A (ko) * | 2000-07-25 | 2002-02-01 | 포만 제프리 엘 | 3원 리소그래픽 ａｔｔ-ＰＳＭ 포토마스크 및 그 제조 방법 |
| US6818389B2 (en) * | 2000-09-13 | 2004-11-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of design and fabrication of integrated circuits using regular arrays and gratings |
| US7122281B2 (en) * | 2002-02-26 | 2006-10-17 | Synopsys, Inc. | Critical dimension control using full phase and trim masks |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012133352A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Ultratech Inc | 位相シフトマスクを使用したフォトリソグラフィによるｌｅｄの作製 |
| WO2014019309A1 (zh) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于制作彩色滤光片的掩模板及彩色滤光片的制作方法 |
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