JP2001005942A - Ｉｃカード及びその製造方法並びにアンテナ付き半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
Ｉｃカード及びその製造方法並びにアンテナ付き半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程を簡素化して優れた特性を有するＩ
Ｃカードを容易に量産可能とする。 【解決手段】 カード形に形成した電気的絶縁性を有す
るフィルム材１６の一方の面にポリシラン薄膜２０を形
成し、該ポリシラン薄膜２０に平面コイルを形成する部
位を遮光して紫外線を照射し、次いで、該ポリシラン薄
膜に酸化性物質をドーピングして紫外線が遮光された部
位を平面コイル１２の導電体部２４に形成した後、該平
面コイル１２と半導体素子とを電気的に接続して半導体
素子１４を搭載し、前記フィルム材１６の一方の面側に
カード形に形成したフィルム材１７を接着し、前記平面
コイル１２および半導体素子１４を封止する。
Ｃカードを容易に量産可能とする。 【解決手段】 カード形に形成した電気的絶縁性を有す
るフィルム材１６の一方の面にポリシラン薄膜２０を形
成し、該ポリシラン薄膜２０に平面コイルを形成する部
位を遮光して紫外線を照射し、次いで、該ポリシラン薄
膜に酸化性物質をドーピングして紫外線が遮光された部
位を平面コイル１２の導電体部２４に形成した後、該平
面コイル１２と半導体素子とを電気的に接続して半導体
素子１４を搭載し、前記フィルム材１６の一方の面側に
カード形に形成したフィルム材１７を接着し、前記平面
コイル１２および半導体素子１４を封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣカード及びその
製造方法並びにアンテナ付き半導体装置及びその製造方
法に関する。
製造方法並びにアンテナ付き半導体装置及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣカードは非接触方式の通信に使用す
るもので、通常規格のカード形に形成し、携帯等の使い
勝手を便利に形成したものである。図７にＩＣカードの
構成例を示す。このＩＣカードは導線１０を同一平面内
で複数回卷回して形成した平面コイル１２に半導体素子
１４を電気的に接続し、平面コイル１２と半導体素子１
４とを２枚の樹脂フィルム１６の間に挟んで圧着して形
成する。樹脂フィルム１６の圧着面にはポリウレタン樹
脂等から成る接着剤層が設けられており、この接着剤層
を介して樹脂フィルム１６を圧着することにより平面コ
イル１２と半導体素子１４が内部に封止される。こうし
て、ＩＣカードは１ｍｍ程度の厚さの単板状に形成され
る。
るもので、通常規格のカード形に形成し、携帯等の使い
勝手を便利に形成したものである。図７にＩＣカードの
構成例を示す。このＩＣカードは導線１０を同一平面内
で複数回卷回して形成した平面コイル１２に半導体素子
１４を電気的に接続し、平面コイル１２と半導体素子１
４とを２枚の樹脂フィルム１６の間に挟んで圧着して形
成する。樹脂フィルム１６の圧着面にはポリウレタン樹
脂等から成る接着剤層が設けられており、この接着剤層
を介して樹脂フィルム１６を圧着することにより平面コ
イル１２と半導体素子１４が内部に封止される。こうし
て、ＩＣカードは１ｍｍ程度の厚さの単板状に形成され
る。
【０００３】平面コイル１２は所要の通信特性を得るた
め導線１０を複数回卷回して形成する。その製造方法に
いくつかの方法がある。たとえば、導線１０に被覆線を
使用し、被覆線をコイル状に卷回して平面コイル１２と
する方法、金属薄板をエッチングして平面コイル１２を
形成する方法、金属薄板をプレス加工して平面コイル１
２を形成する方法、導体ペーストをコイルのパターンに
印刷して平面コイル１２を形成する方法等である。
め導線１０を複数回卷回して形成する。その製造方法に
いくつかの方法がある。たとえば、導線１０に被覆線を
使用し、被覆線をコイル状に卷回して平面コイル１２と
する方法、金属薄板をエッチングして平面コイル１２を
形成する方法、金属薄板をプレス加工して平面コイル１
２を形成する方法、導体ペーストをコイルのパターンに
印刷して平面コイル１２を形成する方法等である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＩＣカ
ードを製造する方法には平面コイルを形成する方法等に
よっていくつかの方法がある。これらのＩＣカードの製
造方法においては、平面コイルがある程度微細なパター
ンに形成しなければならないという製造上の問題と、Ｉ
Ｃカードを製造する工程が平面コイルを形成する工程と
樹脂フィルムをラミネートする工程とが完全に別の工程
になるといった工程上の問題がある。ＩＣカードは大量
に使用されるから、その製造工程は容易に量産できる工
程であることが望ましい。
ードを製造する方法には平面コイルを形成する方法等に
よっていくつかの方法がある。これらのＩＣカードの製
造方法においては、平面コイルがある程度微細なパター
ンに形成しなければならないという製造上の問題と、Ｉ
Ｃカードを製造する工程が平面コイルを形成する工程と
樹脂フィルムをラミネートする工程とが完全に別の工程
になるといった工程上の問題がある。ＩＣカードは大量
に使用されるから、その製造工程は容易に量産できる工
程であることが望ましい。
【０００５】また、ＩＣカードに使用する平面コイルは
所要の通信特性を得るため、従来品ではカードの外周縁
に沿って卷回させる設計としてコイルの長さとコイルの
断面積を大きくとることができるように設計している。
ところで、この平面コイルの特性を示すＱ値は次式によ
って規定される。 Ｑ＝（１／２Ｒ）√（Ｌ／Ｃ） ここで、Ｒは平面コイルの抵抗値、Ｌはインダクタン
ス、Ｃはキャパシタンスである。このＱの式から平面コ
イルの特性がその抵抗値にも依存することがわかる。す
なわち、平面コイルの抵抗値を調節することができれ
ば、ＩＣカードに搭載する半導体素子について最も有効
なＱ値を設定することが可能である。従来の平面コイル
は完全導体によって形成しているから、従来の製造方法
による場合は平面コイルのＱ値を調節することができな
いという問題があった。
所要の通信特性を得るため、従来品ではカードの外周縁
に沿って卷回させる設計としてコイルの長さとコイルの
断面積を大きくとることができるように設計している。
ところで、この平面コイルの特性を示すＱ値は次式によ
って規定される。 Ｑ＝（１／２Ｒ）√（Ｌ／Ｃ） ここで、Ｒは平面コイルの抵抗値、Ｌはインダクタン
ス、Ｃはキャパシタンスである。このＱの式から平面コ
イルの特性がその抵抗値にも依存することがわかる。す
なわち、平面コイルの抵抗値を調節することができれ
ば、ＩＣカードに搭載する半導体素子について最も有効
なＱ値を設定することが可能である。従来の平面コイル
は完全導体によって形成しているから、従来の製造方法
による場合は平面コイルのＱ値を調節することができな
いという問題があった。
【０００６】本発明はこれらの問題点を解消すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、優れた特性
を有するＩＣカード及びその好適な製造方法、並びに非
接触方式によって信号を授受できるアンテナ付き半導体
装置及びその好適な製造方法を提供しようとするもので
ある。
れたものであり、その目的とするところは、優れた特性
を有するＩＣカード及びその好適な製造方法、並びに非
接触方式によって信号を授受できるアンテナ付き半導体
装置及びその好適な製造方法を提供しようとするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、信号授受用
のアンテナである平面コイルと該平面コイルに電気的に
接続して搭載した半導体素子が、カード形に形成した電
気的絶縁性を有する一対のフィルム材により両面から挟
まれて封止されたＩＣカードにおいて、前記フィルム材
によって挟まれた内層に、ポリシラン薄膜が形成され、
該ポリシラン薄膜が前記平面コイルとなる導電体部に形
成されていることを特徴とする。また、半導体素子の電
極端子形成面に信号授受用のアンテナである平面コイル
を備えたアンテナ付き半導体装置であって、前記半導体
素子の電極端子形成面にポリシラン薄膜が形成され、該
ポリシラン薄膜が前記平面コイルとなる導電体部に形成
され、半導体素子と電気的に接続されていることを特徴
とする。
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、信号授受用
のアンテナである平面コイルと該平面コイルに電気的に
接続して搭載した半導体素子が、カード形に形成した電
気的絶縁性を有する一対のフィルム材により両面から挟
まれて封止されたＩＣカードにおいて、前記フィルム材
によって挟まれた内層に、ポリシラン薄膜が形成され、
該ポリシラン薄膜が前記平面コイルとなる導電体部に形
成されていることを特徴とする。また、半導体素子の電
極端子形成面に信号授受用のアンテナである平面コイル
を備えたアンテナ付き半導体装置であって、前記半導体
素子の電極端子形成面にポリシラン薄膜が形成され、該
ポリシラン薄膜が前記平面コイルとなる導電体部に形成
され、半導体素子と電気的に接続されていることを特徴
とする。
【０００８】また、ＩＣカードの製造方法において、カ
ード形に形成した電気的絶縁性を有するフィルム材の一
方の面にポリシラン薄膜を形成し、該ポリシラン薄膜に
平面コイルを形成する部位を遮光して紫外線を照射し、
次いで、該ポリシラン薄膜に酸化性物質をドーピングし
て紫外線が遮光された部位を平面コイルの導電体部に形
成した後、該平面コイルと電気的に接続して半導体素子
を搭載し、前記フィルム材の一方の面側にカード形に形
成したフィルム材を接着し、前記平面コイルおよび半導
体素子を封止することを特徴とする。また、基材の一方
の面にポリシラン薄膜を形成し、該ポリシラン薄膜を平
面コイルの導電体部に形成して、半導体素子を搭載した
後、基材、平面コイルおよび半導体素子を、カード形に
形成した電気的絶縁性を有するフィルム材により両面か
ら挟んで接着して封止することを特徴とする。また、半
導体素子の電極端子形成面にポリシラン薄膜を形成し、
該ポリシラン薄膜に平面コイルを形成する部位を遮光し
て紫外線を照射し、次いで、該ポリシラン薄膜に酸化性
物質をドーピングして紫外線が遮光された部位を平面コ
イルの導電体部に形成するとともに、半導体素子の電極
端子と平面コイルとを電気的に接続して、電極端子形成
面に信号授受用のアンテナである平面コイルが形成され
た半導体装置を製造することを特徴とする。また、複数
の半導体素子が一体に形成された半導体ウエハの電極端
子形成面にポリシラン薄膜を形成し、該ポリシラン薄膜
に平面コイルを形成する部位を遮光して紫外線を照射
し、次いで、該ポリシラン薄膜に酸化性物質をドーピン
グして紫外線が遮光された部位を平面コイルとなる導電
体部に形成するとともに、半導体素子の電極端子と平面
コイルとを電気的に接続した後、半導体装置となる切断
位置に合わせて前記ポリシラン薄膜とともに半導体ウエ
ハを個片に切断することにより、電極端子形成面に信号
授受用のアンテナである平面コイルが形成された半導体
装置を製造することを特徴とする。
ード形に形成した電気的絶縁性を有するフィルム材の一
方の面にポリシラン薄膜を形成し、該ポリシラン薄膜に
平面コイルを形成する部位を遮光して紫外線を照射し、
次いで、該ポリシラン薄膜に酸化性物質をドーピングし
て紫外線が遮光された部位を平面コイルの導電体部に形
成した後、該平面コイルと電気的に接続して半導体素子
を搭載し、前記フィルム材の一方の面側にカード形に形
成したフィルム材を接着し、前記平面コイルおよび半導
体素子を封止することを特徴とする。また、基材の一方
の面にポリシラン薄膜を形成し、該ポリシラン薄膜を平
面コイルの導電体部に形成して、半導体素子を搭載した
後、基材、平面コイルおよび半導体素子を、カード形に
形成した電気的絶縁性を有するフィルム材により両面か
ら挟んで接着して封止することを特徴とする。また、半
導体素子の電極端子形成面にポリシラン薄膜を形成し、
該ポリシラン薄膜に平面コイルを形成する部位を遮光し
て紫外線を照射し、次いで、該ポリシラン薄膜に酸化性
物質をドーピングして紫外線が遮光された部位を平面コ
イルの導電体部に形成するとともに、半導体素子の電極
端子と平面コイルとを電気的に接続して、電極端子形成
面に信号授受用のアンテナである平面コイルが形成され
た半導体装置を製造することを特徴とする。また、複数
の半導体素子が一体に形成された半導体ウエハの電極端
子形成面にポリシラン薄膜を形成し、該ポリシラン薄膜
に平面コイルを形成する部位を遮光して紫外線を照射
し、次いで、該ポリシラン薄膜に酸化性物質をドーピン
グして紫外線が遮光された部位を平面コイルとなる導電
体部に形成するとともに、半導体素子の電極端子と平面
コイルとを電気的に接続した後、半導体装置となる切断
位置に合わせて前記ポリシラン薄膜とともに半導体ウエ
ハを個片に切断することにより、電極端子形成面に信号
授受用のアンテナである平面コイルが形成された半導体
装置を製造することを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて添付図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明
に係るＩＣカードの製造方法の一実施形態を示す。図１
(a) は、まず、ＩＣカードの外面を形成するフィルム材
である電気的絶縁性を有する樹脂フィルム１６の一方の
面に、１μｍ程度の厚さにポリシラン薄膜２０を形成し
た状態を示す。ポリシラン薄膜２０は樹脂フィルム１６
の一方の面に溶媒に溶解したポリオルガノシランをスピ
ンコート等によって塗布し、溶媒を揮散させることによ
って固体状の薄膜に形成することができる。なお、ポリ
オルガノシランはσ結合からなるＳｉ−Ｓｉ結合骨格構
造を有するポリマーであって、導電性や光導電性、発光
特性等の電子的特性を有するものである。樹脂フィルム
１６は半導体素子を封止するＩＣカードのカバー部分と
なるもの、ＩＣカードのカード形状に合わせて形成され
ている。
ついて添付図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明
に係るＩＣカードの製造方法の一実施形態を示す。図１
(a) は、まず、ＩＣカードの外面を形成するフィルム材
である電気的絶縁性を有する樹脂フィルム１６の一方の
面に、１μｍ程度の厚さにポリシラン薄膜２０を形成し
た状態を示す。ポリシラン薄膜２０は樹脂フィルム１６
の一方の面に溶媒に溶解したポリオルガノシランをスピ
ンコート等によって塗布し、溶媒を揮散させることによ
って固体状の薄膜に形成することができる。なお、ポリ
オルガノシランはσ結合からなるＳｉ−Ｓｉ結合骨格構
造を有するポリマーであって、導電性や光導電性、発光
特性等の電子的特性を有するものである。樹脂フィルム
１６は半導体素子を封止するＩＣカードのカバー部分と
なるもの、ＩＣカードのカード形状に合わせて形成され
ている。
【００１０】ポリシラン薄膜２０は紫外線を照射するこ
とにより紫外線が照射された部位が酸化されて絶縁体と
なる性質を有する。この性質を利用して、ポリシラン薄
膜に所要の回路パターンにしたがって紫外線を照射し、
紫外線が照射された部位を絶縁体とし、遮光された部位
が導電性を有するよう処理して電子回路を形成する方法
が提案されている（再公表特許 国際公開番号ＷＯ９６
／０８１２７）。ポリオルガノシランのＳｉ−Ｓｉ結合
が光酸化反応によりＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に変換され、Ｓ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含むポリマーが絶縁性を示すもので
ある。本実施形態のＩＣカードの製造方法は、このポリ
シラン薄膜２０を利用して平面コイルを形成することを
特徴とする。
とにより紫外線が照射された部位が酸化されて絶縁体と
なる性質を有する。この性質を利用して、ポリシラン薄
膜に所要の回路パターンにしたがって紫外線を照射し、
紫外線が照射された部位を絶縁体とし、遮光された部位
が導電性を有するよう処理して電子回路を形成する方法
が提案されている（再公表特許 国際公開番号ＷＯ９６
／０８１２７）。ポリオルガノシランのＳｉ−Ｓｉ結合
が光酸化反応によりＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に変換され、Ｓ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含むポリマーが絶縁性を示すもので
ある。本実施形態のＩＣカードの製造方法は、このポリ
シラン薄膜２０を利用して平面コイルを形成することを
特徴とする。
【００１１】図１(b) は、次に、ポリシラン薄膜２０に
紫外線を照射する工程を示す。２２は平面コイル１２の
パターンにしたがってポリシラン薄膜２０を露光するた
めのマスクである。ポリシラン薄膜２０は露光した部位
が絶縁体になるから、マスク２２は平面コイル１２とし
て導線１０を形成する部位を遮光する形状に形成する。
すなわち、マスク２２は平面コイル１２の形状に合わせ
てコイル状に形成したものである。図１(b) で２０ａは
紫外線によってポリシラン薄膜２０を露光した際に遮光
される部位である。
紫外線を照射する工程を示す。２２は平面コイル１２の
パターンにしたがってポリシラン薄膜２０を露光するた
めのマスクである。ポリシラン薄膜２０は露光した部位
が絶縁体になるから、マスク２２は平面コイル１２とし
て導線１０を形成する部位を遮光する形状に形成する。
すなわち、マスク２２は平面コイル１２の形状に合わせ
てコイル状に形成したものである。図１(b) で２０ａは
紫外線によってポリシラン薄膜２０を露光した際に遮光
される部位である。
【００１２】ポリシラン薄膜２０で紫外線が照射された
部位は、酸化され、絶縁体となる。図１(c) は、次に、
ポリシラン薄膜２０にヨウ素等の酸化性物質をドーピン
グして、紫外線が照射されていない部位を導電性とする
工程である。たとえば、ポリシラン薄膜２０をヨウ素蒸
気に曝すことによってヨウ素をドーピングする。ポリシ
ラン薄膜２０のうち紫外線が照射された部位はヨウ素等
の酸化性物質をドーピングしても一定の絶縁性を保持す
るのに対し、紫外線が照射されていない部位は一定の導
電性を備えるようになる。実際には、紫外線を露光した
部位と紫外線を遮光した部位の体積抵抗率が大きく異な
る結果、一方が絶縁体、他方が導電体として作用するも
のである。体積抵抗率としては紫外線の遮光部が１０6
Ω・ｃｍ、紫外線の遮光部が１０13Ω・ｃｍ程度の差が
ある。
部位は、酸化され、絶縁体となる。図１(c) は、次に、
ポリシラン薄膜２０にヨウ素等の酸化性物質をドーピン
グして、紫外線が照射されていない部位を導電性とする
工程である。たとえば、ポリシラン薄膜２０をヨウ素蒸
気に曝すことによってヨウ素をドーピングする。ポリシ
ラン薄膜２０のうち紫外線が照射された部位はヨウ素等
の酸化性物質をドーピングしても一定の絶縁性を保持す
るのに対し、紫外線が照射されていない部位は一定の導
電性を備えるようになる。実際には、紫外線を露光した
部位と紫外線を遮光した部位の体積抵抗率が大きく異な
る結果、一方が絶縁体、他方が導電体として作用するも
のである。体積抵抗率としては紫外線の遮光部が１０6
Ω・ｃｍ、紫外線の遮光部が１０13Ω・ｃｍ程度の差が
ある。
【００１３】図１(c) は、上記の処理を施してポリシラ
ン薄膜２０のうち図１(b) で遮光した部位を導電体部２
４に形成した状態である。図２にポリシラン薄膜２０に
導電体部２４を形成した状態の平面図を示す。平面コイ
ル１２を形成する部位を遮蔽するマスク２２を使用して
紫外線を照射し、上記処理を施すことにより、ポリシラ
ン薄膜２０に平面コイル１２として作用する導電体部２
４が形成される。図２は導電体部２４がコイル状に複数
回卷回されて形成された状態を示す。２４ａは平面コイ
ル１２と半導体素子とを接続するための接続端子であ
る。
ン薄膜２０のうち図１(b) で遮光した部位を導電体部２
４に形成した状態である。図２にポリシラン薄膜２０に
導電体部２４を形成した状態の平面図を示す。平面コイ
ル１２を形成する部位を遮蔽するマスク２２を使用して
紫外線を照射し、上記処理を施すことにより、ポリシラ
ン薄膜２０に平面コイル１２として作用する導電体部２
４が形成される。図２は導電体部２４がコイル状に複数
回卷回されて形成された状態を示す。２４ａは平面コイ
ル１２と半導体素子とを接続するための接続端子であ
る。
【００１４】この平面コイル１２を形成する導電体部２
４はポリシラン薄膜２０の厚さ、合成方法を選択する等
によって異なる体積抵抗率のものを形成することができ
る。前述したように、平面コイルの特性は、平面コイル
の抵抗値Ｒ、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによ
って決まるから、ポリシラン薄膜２０に導電体部２４を
形成する際に、導電体部２４の抵抗値を調節することに
よって、ＩＣカードに搭載する半導体素子に最適なＱ値
が得られるようにすることができる。
４はポリシラン薄膜２０の厚さ、合成方法を選択する等
によって異なる体積抵抗率のものを形成することができ
る。前述したように、平面コイルの特性は、平面コイル
の抵抗値Ｒ、インダクタンスＬ、キャパシタンスＣによ
って決まるから、ポリシラン薄膜２０に導電体部２４を
形成する際に、導電体部２４の抵抗値を調節することに
よって、ＩＣカードに搭載する半導体素子に最適なＱ値
が得られるようにすることができる。
【００１５】図１(d) は、次に、導電体部２４による平
面コイル１２が一方の面に形成された樹脂フィルム１６
に、平面コイル１２と電気的に接続して半導体素子１４
を搭載した状態を示す。本実施形態ではフリップチップ
方式によって平面コイル１２に半導体素子１４を搭載し
ている。２６は半導体素子１４を接続端子２４ａ、２４
ａに接続するためのバンプである。もちろん、フリップ
チップ方式によらず、ワイヤボンディングによって半導
体素子１４を接続端子２４ａ、２４ａとを接続すること
もできる。
面コイル１２が一方の面に形成された樹脂フィルム１６
に、平面コイル１２と電気的に接続して半導体素子１４
を搭載した状態を示す。本実施形態ではフリップチップ
方式によって平面コイル１２に半導体素子１４を搭載し
ている。２６は半導体素子１４を接続端子２４ａ、２４
ａに接続するためのバンプである。もちろん、フリップ
チップ方式によらず、ワイヤボンディングによって半導
体素子１４を接続端子２４ａ、２４ａとを接続すること
もできる。
【００１６】半導体素子１４を搭載した後、図１(e) に
示すように、樹脂フィルム１６の半導体素子１４を搭載
した面に樹脂フィルム１６と同一形状のカード形に形成
した樹脂フィルム１７を接着し、平面コイル１２と半導
体素子１４とを封止してＩＣカードを形成する。樹脂フ
ィルム１７の接着面にポリウレタン等の接着剤層２８を
形成し、接着剤層２８を介して樹脂フィルム１７を接着
する。図３が平面コイル１２と半導体素子１４を中間に
挟んで樹脂フィルム１６および樹脂フィルム１７を接着
してＩＣカードを形成した状態の断面図である。樹脂フ
ィルム１６、１７を加熱・加圧することにより外表面が
平坦面に形成されたＩＣカードが得られる。
示すように、樹脂フィルム１６の半導体素子１４を搭載
した面に樹脂フィルム１６と同一形状のカード形に形成
した樹脂フィルム１７を接着し、平面コイル１２と半導
体素子１４とを封止してＩＣカードを形成する。樹脂フ
ィルム１７の接着面にポリウレタン等の接着剤層２８を
形成し、接着剤層２８を介して樹脂フィルム１７を接着
する。図３が平面コイル１２と半導体素子１４を中間に
挟んで樹脂フィルム１６および樹脂フィルム１７を接着
してＩＣカードを形成した状態の断面図である。樹脂フ
ィルム１６、１７を加熱・加圧することにより外表面が
平坦面に形成されたＩＣカードが得られる。
【００１７】図４は上記ＩＣカードの平面図である。カ
ード形に形成した樹脂フィルム１６、１７に挟まれて平
面コイル１２と半導体素子１４とが封止されている。平
面コイル１２がアンテナとして作用し、非接触型のＩＣ
カードとして使用することができる。
ード形に形成した樹脂フィルム１６、１７に挟まれて平
面コイル１２と半導体素子１４とが封止されている。平
面コイル１２がアンテナとして作用し、非接触型のＩＣ
カードとして使用することができる。
【００１８】なお、上記実施形態では、カード形に形成
した樹脂フィルム１６にポリシラン薄膜２０を形成して
ＩＣカードとしているが、ＩＣカードの製造方法はこの
実施形態の方法に限られるものではない。すなわち、ポ
リシラン薄膜２０を形成する基材には種々の材質が使用
できる。たとえば、シリコン基板にポリシラン薄膜２０
を被着し、上述したと同様な方法によってシリコン基板
上に平面コイル１２を形成することもできる。そして、
平面コイル１２を形成したシリコン基板に半導体素子１
４を搭載し、カード形に形成した樹脂フィルムによって
両側から挟んで封止しながら接着してカード形のＩＣカ
ードを得ることができる。
した樹脂フィルム１６にポリシラン薄膜２０を形成して
ＩＣカードとしているが、ＩＣカードの製造方法はこの
実施形態の方法に限られるものではない。すなわち、ポ
リシラン薄膜２０を形成する基材には種々の材質が使用
できる。たとえば、シリコン基板にポリシラン薄膜２０
を被着し、上述したと同様な方法によってシリコン基板
上に平面コイル１２を形成することもできる。そして、
平面コイル１２を形成したシリコン基板に半導体素子１
４を搭載し、カード形に形成した樹脂フィルムによって
両側から挟んで封止しながら接着してカード形のＩＣカ
ードを得ることができる。
【００１９】これら実施形態でのＩＣカードの製造方法
は、樹脂フィルム１６の一方の面にポリシラン薄膜２０
を形成し、このポリシラン薄膜２０を利用して平面コイ
ル１２となる導電体部２４を形成することを特徴とし、
これによって平面コイル１２を１μｍ以下といったきわ
めて薄く形成することができ、ＩＣカードの薄型化を図
ることができる。また、製造工程が簡素になって量産に
適し、紫外線を利用して平面コイル１２のパターンを形
成することから、平面コイル１２を任意のパターンに形
成することができて微細なパターンに形成できる等の利
点がある。
は、樹脂フィルム１６の一方の面にポリシラン薄膜２０
を形成し、このポリシラン薄膜２０を利用して平面コイ
ル１２となる導電体部２４を形成することを特徴とし、
これによって平面コイル１２を１μｍ以下といったきわ
めて薄く形成することができ、ＩＣカードの薄型化を図
ることができる。また、製造工程が簡素になって量産に
適し、紫外線を利用して平面コイル１２のパターンを形
成することから、平面コイル１２を任意のパターンに形
成することができて微細なパターンに形成できる等の利
点がある。
【００２０】なお、上記実施形態ではあらかじめ所定の
カード形に形成した樹脂フィルム１６を使用してＩＣカ
ードを形成したが、樹脂フィルムとして帯状あるいは多
数個取り用の大判の樹脂フィルムを使用してＩＣカード
を形成することも可能である。すなわち、帯状あるいは
多数個取り用の樹脂フィルムの表面にポリシラン薄膜を
形成し、ＩＣカードのカード配置に合わせてポリシラン
薄膜に複数の平面コイルを形成した後、個々の平面コイ
ルに半導体素子を搭載し、前記樹脂フィルムの半導体素
子が搭載されている面側に、帯状または多数個取り用の
別体の樹脂フィルムを接着して半導体素子および平面コ
イルを封止し、樹脂フィルムを個々のＩＣカードに切断
して所定サイズのＩＣカードを形成することができる。
帯状あるいは多数個取り用の樹脂フィルムを使用するこ
とによって、ＩＣカードを効率的に製造することが可能
となる。
カード形に形成した樹脂フィルム１６を使用してＩＣカ
ードを形成したが、樹脂フィルムとして帯状あるいは多
数個取り用の大判の樹脂フィルムを使用してＩＣカード
を形成することも可能である。すなわち、帯状あるいは
多数個取り用の樹脂フィルムの表面にポリシラン薄膜を
形成し、ＩＣカードのカード配置に合わせてポリシラン
薄膜に複数の平面コイルを形成した後、個々の平面コイ
ルに半導体素子を搭載し、前記樹脂フィルムの半導体素
子が搭載されている面側に、帯状または多数個取り用の
別体の樹脂フィルムを接着して半導体素子および平面コ
イルを封止し、樹脂フィルムを個々のＩＣカードに切断
して所定サイズのＩＣカードを形成することができる。
帯状あるいは多数個取り用の樹脂フィルムを使用するこ
とによって、ＩＣカードを効率的に製造することが可能
となる。
【００２１】上記実施形態はカード形のＩＣカードを形
成する方法に関するものであるが、ＩＣカードは必ずし
も所定のカード形に形成しなければならないわけではな
い。平面コイルは所要の特性値が得られるものであれ
ば、その形状、巻き線数等適宜設定すればよいからであ
る。上述したように、ポリシラン薄膜を利用して平面コ
イルを形成する方法は、微細なパターンに平面コイル１
２を形成することが容易であるから、たとえば信号授受
用の半導体素子１４そのものに平面コイル１２を組み込
む形式とすることも可能である。
成する方法に関するものであるが、ＩＣカードは必ずし
も所定のカード形に形成しなければならないわけではな
い。平面コイルは所要の特性値が得られるものであれ
ば、その形状、巻き線数等適宜設定すればよいからであ
る。上述したように、ポリシラン薄膜を利用して平面コ
イルを形成する方法は、微細なパターンに平面コイル１
２を形成することが容易であるから、たとえば信号授受
用の半導体素子１４そのものに平面コイル１２を組み込
む形式とすることも可能である。
【００２２】図５、６はアンテナ付き半導体装置の製造
例を示す。アンテナ付き半導体装置によれば、ＩＣカー
ドと同様に、非接触方式により送信装置との間で信号を
授受することができる。この半導体装置では、半導体素
子１４の電極端子形成面に平面コイル１２を形成する。
したがって、図５(a) に示すように、半導体素子１４の
電極端子形成面に、まずポリシラン薄膜２０を形成し、
平面コイル１２となる部位を遮光して紫外線を照射し、
導電体部２４を形成する処理を施して半導体素子１４の
電極端子形成面に平面コイル１２を形成する。図５(b)
が半導体素子１４の電極端子形成面に平面コイル１２を
形成した状態を示す。
例を示す。アンテナ付き半導体装置によれば、ＩＣカー
ドと同様に、非接触方式により送信装置との間で信号を
授受することができる。この半導体装置では、半導体素
子１４の電極端子形成面に平面コイル１２を形成する。
したがって、図５(a) に示すように、半導体素子１４の
電極端子形成面に、まずポリシラン薄膜２０を形成し、
平面コイル１２となる部位を遮光して紫外線を照射し、
導電体部２４を形成する処理を施して半導体素子１４の
電極端子形成面に平面コイル１２を形成する。図５(b)
が半導体素子１４の電極端子形成面に平面コイル１２を
形成した状態を示す。
【００２３】図６は半導体素子１４の電極端子形成面に
平面コイル１２を形成した状態の平面図である。３０、
３０が平面コイル１２と半導体素子１４の電極端子とを
電気的に接続する接続部である。接続部３０は平面コイ
ル１２となる導電体部を形成する際に、半導体素子１４
の電極端子に位置合わせして同時に形成することができ
る。半導体素子１４の特性に合わせて平面コイル１２の
巻き線数、抵抗値を調節することは上記実施形態の場合
と同様である。
平面コイル１２を形成した状態の平面図である。３０、
３０が平面コイル１２と半導体素子１４の電極端子とを
電気的に接続する接続部である。接続部３０は平面コイ
ル１２となる導電体部を形成する際に、半導体素子１４
の電極端子に位置合わせして同時に形成することができ
る。半導体素子１４の特性に合わせて平面コイル１２の
巻き線数、抵抗値を調節することは上記実施形態の場合
と同様である。
【００２４】このように半導体素子１４にアンテナとな
る平面コイル１２を組み込んだアンテナ付き半導体装置
は、信号授受機能を備えた製品としてきわめてコンパク
トに形成されるという利点を有する。また、アンテナ付
き半導体装置は、カードに組み込んで使用する等の種々
の用途に利用することが可能になる。なお、半導体素子
１４の電極端子形成面に形成した平面コイル１２の表面
あるいは平面コイル１２の表面と半導体素子１４の裏面
とを樹脂材によりコーティングして保護することもでき
る。
る平面コイル１２を組み込んだアンテナ付き半導体装置
は、信号授受機能を備えた製品としてきわめてコンパク
トに形成されるという利点を有する。また、アンテナ付
き半導体装置は、カードに組み込んで使用する等の種々
の用途に利用することが可能になる。なお、半導体素子
１４の電極端子形成面に形成した平面コイル１２の表面
あるいは平面コイル１２の表面と半導体素子１４の裏面
とを樹脂材によりコーティングして保護することもでき
る。
【００２５】なお、半導体素子１４の電極端子形成面に
平面コイル１２を形成する方法として、複数の半導体素
子１４が一体に形成された半導体ウエハの段階で電極端
子形成面にポリシラン薄膜２０を形成し、平面コイル１
２のパターンにしたがって紫外線を照射して導電体部２
４を形成した後、ポリシラン薄膜とともに所定の切断位
置で半導体ウエハをスライシングして個片のアンテナ付
き半導体装置を得る方法がある。本方法によれば、半導
体ウエハをワークとして処理することによって、作業効
率を向上させることができる。なお、半導体ウエハの電
極端子形成面に平面コイルを形成した後、平面コイルの
表面、あるいは平面コイルの表面と半導体素子の裏面と
をスピンコート等によって保護用の樹脂材により被覆
し、個片の半導体装置に分割することによって表面が樹
脂材により保護されたアンテナ付き半導体装置が得られ
る。このように半導体素子１４と同一寸法のアンテナ付
き半導体装置を製造する場合も、ポリシラン薄膜を利用
して平面コイルを形成する方法は、製造工程を簡素化す
ることができ、製造が容易になるという利点がある。
平面コイル１２を形成する方法として、複数の半導体素
子１４が一体に形成された半導体ウエハの段階で電極端
子形成面にポリシラン薄膜２０を形成し、平面コイル１
２のパターンにしたがって紫外線を照射して導電体部２
４を形成した後、ポリシラン薄膜とともに所定の切断位
置で半導体ウエハをスライシングして個片のアンテナ付
き半導体装置を得る方法がある。本方法によれば、半導
体ウエハをワークとして処理することによって、作業効
率を向上させることができる。なお、半導体ウエハの電
極端子形成面に平面コイルを形成した後、平面コイルの
表面、あるいは平面コイルの表面と半導体素子の裏面と
をスピンコート等によって保護用の樹脂材により被覆
し、個片の半導体装置に分割することによって表面が樹
脂材により保護されたアンテナ付き半導体装置が得られ
る。このように半導体素子１４と同一寸法のアンテナ付
き半導体装置を製造する場合も、ポリシラン薄膜を利用
して平面コイルを形成する方法は、製造工程を簡素化す
ることができ、製造が容易になるという利点がある。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係るＩＣカード及びその製造方
法並びにアンテナ付き半導体装置及びその製造方法によ
れば、樹脂フィルムあるいは半導体ウエハ等の所定の基
材の表面にポリシラン薄膜を形成し、ポリシラン薄膜に
所要の処理を施して導電体部を形成して平面コイルを形
成するから、ＩＣカードの薄形化、半導体装置の小型化
を容易に図ることができるとともに、平面コイルの抵抗
値を調節することによって優れた特性を有する製品とし
て得ることが可能となる。また、ＩＣカード等の製造工
程が簡素化でき、これらの製品を容易に量産することが
可能になる等の著効を奏する。
法並びにアンテナ付き半導体装置及びその製造方法によ
れば、樹脂フィルムあるいは半導体ウエハ等の所定の基
材の表面にポリシラン薄膜を形成し、ポリシラン薄膜に
所要の処理を施して導電体部を形成して平面コイルを形
成するから、ＩＣカードの薄形化、半導体装置の小型化
を容易に図ることができるとともに、平面コイルの抵抗
値を調節することによって優れた特性を有する製品とし
て得ることが可能となる。また、ＩＣカード等の製造工
程が簡素化でき、これらの製品を容易に量産することが
可能になる等の著効を奏する。
【図１】本発明に係るＩＣカードの製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図２】ポリシラン薄膜に平面コイルを形成した状態の
平面図である。
平面図である。
【図３】ＩＣカードの断面図である。
【図４】ＩＣカードの平面図である。
【図５】アンテナ付き半導体装置の製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図６】アンテナ付き半導体装置の平面図である。
【図７】ＩＣカードの従来の構成を示す平面図である。
１０ 導線 １２ 平面コイル １４ 半導体素子 １６、１７ 樹脂フィルム ２０ ポリシラン薄膜 ２２ マスク ２４ 導電体部 ２４ａ 接続端子 ２６ バンプ ２８ 接着剤層 ３０ 接続部
Claims (6)
- 【請求項１】 信号授受用のアンテナである平面コイル
と該平面コイルに電気的に接続して搭載した半導体素子
が、カード形に形成した電気的絶縁性を有する一対のフ
ィルム材により両面から挟まれて封止されたＩＣカード
において、 前記フィルム材によって挟まれた内層に、ポリシラン薄
膜が形成され、 該ポリシラン薄膜が前記平面コイルとなる導電体部に形
成されていることを特徴とするＩＣカード。 - 【請求項２】 半導体素子の電極端子形成面に信号授受
用のアンテナである平面コイルを備えたアンテナ付き半
導体装置であって、 前記半導体素子の電極端子形成面にポリシラン薄膜が形
成され、 該ポリシラン薄膜が前記平面コイルとなる導電体部に形
成され、半導体素子と電気的に接続されていることを特
徴とするアンテナ付き半導体装置。 - 【請求項３】 カード形に形成した電気的絶縁性を有す
るフィルム材の一方の面にポリシラン薄膜を形成し、 該ポリシラン薄膜に平面コイルを形成する部位を遮光し
て紫外線を照射し、 次いで、該ポリシラン薄膜に酸化性物質をドーピングし
て紫外線が遮光された部位を平面コイルの導電体部に形
成した後、 該平面コイルと電気的に接続して半導体素子を搭載し、 前記フィルム材の一方の面側にカード形に形成したフィ
ルム材を接着し、前記平面コイルおよび半導体素子を封
止することを特徴とするＩＣカードの製造方法。 - 【請求項４】 基材の一方の面にポリシラン薄膜を形成
し、該ポリシラン薄膜を平面コイルの導電体部に形成し
て、半導体素子を搭載した後、 基材、平面コイルおよび半導体素子を、カード形に形成
した電気的絶縁性を有するフィルム材により両面から挟
んで接着して封止することを特徴とする請求項３記載の
ＩＣカードの製造方法。 - 【請求項５】 半導体素子の電極端子形成面にポリシラ
ン薄膜を形成し、 該ポリシラン薄膜に平面コイルを形成する部位を遮光し
て紫外線を照射し、 次いで、該ポリシラン薄膜に酸化性物質をドーピングし
て紫外線が遮光された部位を平面コイルの導電体部に形
成するとともに、半導体素子の電極端子と平面コイルと
を電気的に接続して、電極端子形成面に信号授受用のア
ンテナである平面コイルが形成された半導体装置を製造
することを特徴とするアンテナ付き半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】 複数の半導体素子が一体に形成された半
導体ウエハの電極端子形成面にポリシラン薄膜を形成
し、 該ポリシラン薄膜に平面コイルを形成する部位を遮光し
て紫外線を照射し、 次いで、該ポリシラン薄膜に酸化性物質をドーピングし
て紫外線が遮光された部位を平面コイルとなる導電体部
に形成するとともに、半導体素子の電極端子と平面コイ
ルとを電気的に接続した後、 半導体装置となる切断位置に合わせて前記ポリシラン薄
膜とともに半導体ウエハを個片に切断することにより、
電極端子形成面に信号授受用のアンテナである平面コイ
ルが形成された半導体装置を製造することを特徴とする
アンテナ付き半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17836499A JP2001005942A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | Ｉｃカード及びその製造方法並びにアンテナ付き半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17836499A JP2001005942A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | Ｉｃカード及びその製造方法並びにアンテナ付き半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001005942A true JP2001005942A (ja) | 2001-01-12 |
| JP2001005942A5 JP2001005942A5 (ja) | 2006-04-06 |
Family
ID=16047214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17836499A Pending JP2001005942A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | Ｉｃカード及びその製造方法並びにアンテナ付き半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001005942A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6831604B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-12-14 | Communications Research Laboratory Independent Administrative Institution | Optical control electromagnetic wave circuit |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02500475A (ja) * | 1987-08-14 | 1990-02-15 | ケルンフオルシユングスツエントルム カールスルーエ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 集積化信号処理機構を有するマイクロセンサの製造方法 |
| WO1996008127A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Toshiba Silicone Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un circuit electronique |
| JPH08222695A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | インダクタ素子及びその製造方法 |
| JPH10193849A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-28 | Rohm Co Ltd | 回路チップ搭載カードおよび回路チップモジュール |
| JPH10211784A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Denso Corp | Ｉｃカードおよびその製造方法 |
| JPH10268521A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-10-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH10302040A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Toshiba Corp | 薄型電子機器の製法および薄型電子機器 |
| JP2001005940A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置と半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-24 JP JP17836499A patent/JP2001005942A/ja active Pending
Patent Citations (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPH02500475A (ja) * | 1987-08-14 | 1990-02-15 | ケルンフオルシユングスツエントルム カールスルーエ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 集積化信号処理機構を有するマイクロセンサの製造方法 |
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| JP2001005940A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置と半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6831604B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-12-14 | Communications Research Laboratory Independent Administrative Institution | Optical control electromagnetic wave circuit |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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