JP2001005410A - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】低抵抗を有する膜厚の大きなガイド電極を形成
し、そのガイド電極を活用して第二電極のパターニング
形成を可能にする。 【解決手段】第一電極または第二電極の少なくとも一方
に電気的に接続されるガイド電極をめっき法により形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】基板上に形成された第一電極
とそれに対向して設けられた第二電極とを含む表示装置
の製造方法に関する。さらに具体的には、第一電極また
は第二電極の少なくとも一方と電気的に接続したガイド
電極をめっき法により形成する工程を含む表示装置の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】発光型フラットパネルディスプレイとし
てプラズマディスプレイパネルや電界発光ディスプレイ
が注目されている。これらのフラットパネルディスプレ
イは画像情報電気信号を画像光に変換する表示装置であ
り、その駆動方式として時分割駆動方式を採用している
ものが多い。時分割駆動方式は、画面を複数の要素電極
に分割し、これらの要素電極に時分割して駆動電圧を印
加する方式である。電極構成は、一般に、対向する平行
なストライプ状の電極が交差するマトリクス構造であ
る。このように対向配置された電極を第一電極および第
二電極と表示する。

【０００３】表示装置では、一方の基板側に表示光を取
り出すために、透明基板と透明電極を用いる。ディスプ
レイが大型化すると透明電極の導電性を向上させるため
に、ガイド電極を付設して使用することがある。また、
非透明電極の側にもガイド電極を設けて導電性を向上さ
せることも行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】第一電極および第二電
極の少なくとも一方にガイド電極を設ける場合、真空蒸
着などの手段を用いて導電性の金属成分をパターン化す
ることが必要である。ディスプレイが大型化した場合、
真空条件下で行う作業は設備的にも、手順的にも負担が
大きく、材料のロスも大きくなるという問題がある。ま
た、真空蒸着法などの手法では、成膜を厚く形成するた
めには作業時間が長くなり、非効率的になるので、高い
導電性を有するガイド電極を得るのには限界がある。さ
らに、ガイド電極をある程度まで厚く形成して、これを
後工程の機能要素として用いることが考えられるが、真
空蒸着法などの従来の手段でこれを達成することは非常
に困難である。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、第一電極、第
二電極の少なくとも一方に電気的に接続されるガイド電
極をめっき法で形成することにより、前記の課題を解決
する。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明は、基板上に形成された第
一電極と前記第一電極に対向して設けられた第二電極と
を含む表示装置の製造方法であって、前記第一電極およ
び前記第二電極の少なくとも一方に電気的に接続された
ガイド電極をめっき法により形成する工程を含むことを
特徴とする表示装置の製造方法である。

【０００７】さらに本発明は、第一電極上に少なくとも
有機化合物からなる発光層を含む薄膜層を形成する工程
と、前記薄膜層上に第二電極を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする表示装置の製造方法である。

【０００８】本発明が目的とする表示装置の製造方法
は、有機電界発光素子からなる表示装置に限定されるも
のではなく、その駆動方式に時分割方式が用いられてお
り、対向し、交差する第一電極と第二電極が設置されて
いる表示装置に好適に用いられる。表示装置の大型化に
伴って、これらの電極の導電性を改善し、高速駆動を可
能にするためガイド電極が併設される。ガイド電極は、
金属材料を用いて減圧条件下で行われる各種の蒸着法で
形成されるのが一般的である。このような形成方法では
金属を厚膜化して抵抗値をより小さくするなどの試みに
は限界があるなどの問題がある。本発明では、この課題
を常圧条件下で実施でき、金属を比較的厚膜に堆積させ
ることが簡便にできるめっき法を用いて解決する。

【０００９】めっき法によって形成されるガイド電極の
材料としてはＡｌ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｔａなどの金属を例示することができ
る。これらの金属元素を含んだめっき液中に基板を浸
し、その表面に金属元素を析出させることでガイド電極
を形成する。電気めっき法では、一般的に析出面を陰
極、析出金属を含む金属板を陽極として両極間に電流を
流し、めっき液中の金属イオンを陰極上で電気的に還元
することで金属を析出させる。無電解めっき法では、め
っき液中の金属イオンを化学的な還元反応や置換反応に
より還元することで金属を析出させるので、絶縁体上に
もめっきを施すことが可能である。

【００１０】Ｎｉもしくはその合金はめっき手法やめっ
き浴が多様であり、好ましい材料の１つである。Ｎｉめ
っき液としてはワット浴、スルファミン酸浴、黒ニッケ
ル浴、ニッケルセリサイト浴などの公知のものを使用す
ることができる。Ｃｕはさらに導電性が低く、特に好ま
しい材料である。Ｃｕめっき液としては硫酸銅浴、ホウ
フッ化銅浴、ピロリン酸銅浴、シアン化銅浴などの公知
のものを使用することができる。

【００１１】めっき法を用いて第一電極および第二電極
のいずれか一方に電気的に接続されたガイド電極を形成
するには、めっき用レジストをパターニングした開口部
にめっき材料を堆積させる方法が用いられる。

【００１２】以下に、本発明を具体的に示すため、例と
してめっき法による第二電極に電気的に接続されたガイ
ド電極の製造方法を図示し、説明する。

【００１３】表示装置においては、表示光を取り出すた
めにいずれか一方の基板を透明基板とし、その上に透明
電極を形成して用いることが多い。本発明の表示装置お
よび有機電界発光素子からなる表示装置においては、基
板上に形成される第一電極を透明電極とする。基板は透
明プラスチック類およびガラス材料から選択して用いる
ことができるが、無アルカリガラスなどのガラス材料を
用いることが好ましい。透明電極材料としては、酸化
錫、酸化亜鉛、酸化バナジウム、酸化インジウム、酸化
錫インジウム（ＩＴＯ）などがあるが、パターニングを
行う表示装置用途においては、加工性に優れたＩＴＯを
第一電極に用いることが好ましい。図１は、パターニン
グされたＩＴＯからなる第一電極２が基板１上に形成さ
れている状態を示す。導電性向上のためにＩＴＯには少
量の銀や金などの金属が含有されてもよく、ガイド電極
を併設することがある。このガイド電極は、種々の真空
蒸着法で形成することが多いが、めっき法で形成するこ
ともできる。

【００１４】本発明の表示装置の製造方法は、第一電極
の一部に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上にガイ
ド電極をめっき法により形成する工程とを含むことが好
ましい。

【００１５】絶縁層は、第一電極と第二電極との短絡を
防止することを目的とするものであり、種々の無機系お
よび有機系材料が用いられる。無機系材料としては、酸
化ケイ素をはじめとして酸化マンガン、酸化バナジウ
ム、酸化チタン、酸化クロムなどの酸化物材料、ケイ
素、ガリウム砒素などの半導体材料、ガラス材料、セラ
ミックス材料などを、有機系材料としては、ポリビニル
系、ポリイミド系、ポリスチレン系、アクリル系、ノボ
ラック系、シリコーン系などのポリマー材料などが好ま
しい。

【００１６】図２は、パターニングされたＩＴＯ第一電
極上の発光領域および電極引き出し部との接触部分を除
いて、その他の部分に絶縁層３を形成した状態を示す平
面図である。この絶縁層形成の形状は図示したものに限
定されるものではない。ガイド電極は、この絶縁層上に
めっき法で形成される。

【００１７】めっきは、電気めっきおよび無電解めっき
のいずれの方法を用いてもよい。本発明では、基板上に
導電層を形成する工程と、前記導電層上にガイド電極を
めっき法により形成する工程と、前記導電層の露出部分
をエッチング法により除去する工程とを含む表示装置の
製造方法が好ましい。すなわち、電気めっきの方法を可
能にする導電層を形成しておき、その上にめっき法でガ
イド電極を形成する。次いで、ガイド電極をエッチング
レジストとして活用し、露出している導電層をエッチン
グで除去することが可能である。

【００１８】導電層は、図２に示した絶縁層が形成され
た後に基板の全面に形成することができる。この導電層
として、フォトマスクなどに汎用されているクロムを用
いると成膜やエッチングの条件が確立されているので好
ましいが、これに限定されるものではなく、その他の導
電性材料を用いることができる。電気めっきを実施する
場合には、電流密度の違いによる析出金属の膜厚のばら
つきを小さくする観点から、導電層の電気抵抗値が低い
ことが好ましい。

【００１９】導電層上の必要な部分にパターン化したガ
イド電極をめっきで形成するには、基板上にめっきレジ
ストを塗布し、パターニングする工程と、前記レジスト
を利用してガイド電極をめっき法で形成する工程が含ま
れる。図３は、導電層を全面に形成した基板の上に、め
っき用レジスト４を塗布し、ガイド電極を形成する部分
を開口部としたパターンを形成した状態を示す平面図で
ある。図３の開口部５はガイド電極となる開口部であ
り、開口部６はＩＴＯ第一電極の引き出し電極となる開
口部で、開口部７は後で形成される第二電極の引き出し
電極となる開口部である。この状態で導電性金属、例え
ばＣｕを電気めっきすることにより、それぞれの開口部
にＣｕめっきが進行する。

【００２０】すなわち、本発明の製造方法は、ガイド電
極形成と同時に、引き出し電極をめっき法により形成で
きるという特徴を有している。さらに、電気めっき法で
は、めっき用レジストの開口部の大きさの違いを利用し
て電流密度を積極的に変化させることで、例えばガイド
電極の膜厚を厚く、引き出し電極の膜厚を薄く形成する
ことも可能である。

【００２１】めっきを行った後で、めっきレジストを剥
離した状態を示す平面図が図４である。図４には、第二
電極用のガイド電極８、ＩＴＯ第一電極の引き出し電極
９、および第二電極用の引き出し電極１０が示されてい
る。ここで形成された第二電極用ガイド電極はＩＴＯ第
一電極／絶縁層／導電層の上に存在し、引き出し電極は
導電層の上に存在する。そこで同一の導電性金属、例え
ばＣｕからなるガイド電極および引き出し電極をエッチ
ングレジストとして、導電層、例えばクロム膜をエッチ
ングし除去することができる。このように導電層をエッ
チング除去した状態を表す平面図が図５である。図５に
は、ＩＴＯ第一電極２、絶縁層３、第二電極用ガイド電
極８、第一電極用の引き出し電極９、第二電極用引き出
し電極１０が示されている。

【００２２】図６は図３の状態に対してめっきを行った
状態を示す平面図であり、図７は断面図である。すなわ
ち、基板１上にＩＴＯ第一電極２が形成され、それに交
差する方向に絶縁層３が存在し、その上に全面に導電層
１１が形成されている。めっきレジスト４は、絶縁層上
の所定の位置にめっき用の開口部が来るようにパターニ
ングされる。この状態で導電性金属のめっきが行われ
る。

【００２３】めっき用レジストは特に限定されず、コー
ティング型のレジストを用いてもよく、ドライフィルム
型のレジストを使用してもよい。また、使用するめっき
液の種類や温度、ｐＨに応じて、水溶性タイプや溶剤可
溶性タイプを選択することができる。レジスト膜厚は５
μｍ程度のものが利用可能であり、典型的なガイド電極
の幅は２０〜３０μｍ程度なので解像性には問題がな
い。めっき膜の厚みをレジスト膜厚以内に設定する場合
には１２に示す形態のガイド電極が得られ、もしレジス
ト膜厚以上にめっきを進行させた場合には、１３に示す
きのこ状の形態を有するガイド電極が形成可能である。
また、ピンホールなどの問題のない範囲で極薄膜のガイ
ド電極を形成することもできる。第一電極用のガイド電
極には薄膜形状のガイド電極が好ましい。

【００２４】めっき法によるガイド電極の形成方法とし
て、レジストパターンを形成後にめっきする方法のみで
なく、めっきで全面にガイド電極用の導電膜を形成した
後で、従来のフォトリソグラフィ法でパターニングして
ガイド電極を形成することもできる。

【００２５】めっき法により膜厚が数μｍにおよぶガイ
ド電極が形成できることから、本発明は、ガイド電極形
成工程の後に、蒸発源から飛来させた第二電極材料を基
板上に付着せしめることで第二電極を形成する工程を行
うことができるという特徴を発揮する。

【００２６】すなわち、第二電極のパターニング形成法
として隔壁法が知られているが、本発明で得られる膜厚
の大きなガイド電極自体をその隔壁として用いることで
第二電極のパターン化形成が可能になる。図８はその状
態を示す断面図である。基板１の上にＩＴＯ第一電極２
があり、その上に交差する絶縁層３を形成し、ガイド電
極８はその絶縁層の上に存在する。これは、図６および
図７に示したレジスト膜厚より低い状態でめっきの進行
を停止したガイド電極を用いたものであり、薄膜層１５
を形成した後に、ガイド電極を隔壁として斜め蒸着で第
二電極材料を蒸着すると、ガイド電極の一方の側は第二
電極１４と電気的に接続した状態となり、もう一方の側
は第二電極と分離した形態を有するので短絡は生じず、
ガイド電極は表示装置製造方法における機能要素として
の役割を果たすと同時に、ガイド電極としての本来の機
能も発揮することができる。

【００２７】さらに図６および図７に示した１３のよう
にレジスト膜厚を越えてめっきを行った場合に得られる
きのこ状の形状を有するガイド電極を形成した場合に
は、蒸発源に対してガイド電極が基板上につくるデッド
スペースを利用して第二電極を電気的に分離せしめるこ
とでパターニングすることができる。この場合には斜め
蒸着ではなく垂直方法から第二電極材料を蒸着すること
もできる。図９は、きのこ状の形状を有するガイド電極
１３と電気的に分離された第二電極１４の関係を示す断
面図である。

【００２８】図９の状態では、形成されたガイド電極が
隔壁としての役割を果たすだけであり、第二電極用のガ
イド電極として有効にならない。従って、本発明の表示
装置の製造方法においては、第二電極パターニング工程
と同時に、ガイド電極に第二電極材料を付着せしめるこ
とで第二電極と前記ガイド電極とを電気的に接続させる
ようにすることが好ましい。すなわち、第二電極材料を
垂直方向から蒸着して所定の膜厚に堆積した後、引き続
いて斜め蒸着を行って、ガイド電極と第二電極の片方の
端を電気的に接続することができる。

【００２９】さらに、図９に示すガイド電極と第二電極
との電気的な接続には、第二電極パターニング工程の後
に、第二電極とガイド電極とを導電性物質を介して電気
的に接続させる工程を含む方法を用いてもよい。すなわ
ち、この場合、改めて第二電極材料の斜め蒸着を行って
もよいし、第二電極材料と異なる導電性材料を斜め蒸着
してもよく、ガイド電極と第二電極の片方の端を導電性
物質で電気的に接続する方法ならこれらに限定されな
い。

【００３０】本発明の製造方法を有機電界発光素子から
なる表示装置に適用する場合、基板上に形成された第一
電極上に少なくとも有機化合物からなる発光層を含む薄
膜層を形成する工程が必要である。薄膜層を形成する工
程は、図５に示した状態に対して実施される。シャドー
マスクを用いたマスク蒸着法が用いられる場合には、ガ
イド電極がマスクを密着保持するためのスペーサーとし
て有効に作用し、薄膜層がマスクと接触して傷つきなど
の欠陥を生じることから保護するスペーサーとしての役
割を果たすことができる。

【００３１】

【実施例】以下に実施例をあげて本発明を説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。

【００３２】実施例１ 厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラス基板表面にスパッタ
リング法によって厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明膜を形成
したＩＴＯ基板を１２０×１００ｍｍの大きさに切断し
た。フォトリソグラフィ法によりＩＴＯ基板をパターニ
ングし、長さ９０ｍｍ、幅８０μｍのストライプ状の第
一電極を１００μｍピッチで８１６本形成した。

【００３３】つぎにネガティブ型のリフトオフ用フォト
レジスト（日本ゼオン社製：ＺＰＮ１１００）を全面に
厚さ３μｍに塗布した。このレジストのパターニングに
用いたフォトマスクは、６５μｍ幅で２３５μｍの長さ
の開口部が幅方向は１００μｍピッチで、長さ方向は３
００μｍピッチで配置されたものを用いた。ストライプ
状の第一電極上にフォトマスクの幅６５μｍがその中心
に配置されるように位置合わせしてパターニングした。

【００３４】このリフトオフレジストのパターン形状は
逆テーパー型になるのが特徴である。引き続きガラス基
板の全面に電子ビーム蒸着法で厚さ１５０ｎｍの酸化ケ
イ素膜を形成した。この基板をアセトン中で超音波洗浄
するとリフトオフレジストが溶解し、レジストの開口部
に蒸着された酸化ケイ素膜が第一電極上に残留する。す
なわち、絶縁膜はリフトオフレジストのパターニングに
用いたフォトマスクのパターン配置と一致した幅６５μ
ｍで長さ２３５μｍの開口部が、幅方向には１００μｍ
ピッチで、長さ方向には３００μｍピッチで配置された
ものとなる。

【００３５】次の工程は、導電層形成であり、Ｃｒをス
パッタリング法で基板全面に１５０ｎｍの厚さに堆積さ
せた。

【００３６】この導電層上にめっき用のレジストを基板
全面に塗布した。このレジストのパターニングに用いる
フォトマスクは、先に形成した絶縁層に対応してピッチ
３００μｍで幅３０μｍ、長さ１００ｍｍの開口部を２
０１本有し、同時に基板周辺部に第一電極および第二電
極のそれぞれのピッチと本数に対応する引き出し電極用
の開口部を有するものを用いる。レジストをパターニン
グした後、めっき液として酸性硫酸銅浴、陰極として前
記Ｃｒからなる導電層、陽極として銅板を用い、温度約
４０℃にて電流密度１Ａ／ｄｍ²未満の比較的低い電流
密度でＣｕの電気めっきを実施した。これによりガイド
電極および引き出し電極を形成した。その後、このＣｕ
をレジストとして用い、硝酸セリウムアンモニウムと硝
酸と水からなる溶液でＣｒをエッチングすることで導電
層の不要部分を除去した。

【００３７】実施した電気めっきの厚みはレジスト膜厚
よりも薄い４μｍに設定したのでレジスト剥離の後に得
られたガイド電極の断面形状はほぼ矩形であった。ま
た、このガイド電極の長手方向の電気抵抗値は約５００
Ω／ｍであった。

【００３８】少なくとも有機化合物からなる発光層を含
む薄膜層は、抵抗線加熱方式による真空蒸着法で形成す
る。この時の真空度は２×１０^-4Ｐａ以下で、蒸着中は
蒸着源に対して基板を回転させた。まず、正孔輸送層と
して、銅フタロシアニンを１５ｎｍ、ビス（Ｎ−エチル
カルバゾール）を６０ｎｍ発光領域の全面に蒸着した。

【００３９】次に発光層の形成を行うが、用いるシャド
ーマスクは次のようにして形成したものである。すなわ
ち、電鋳法によって電鋳母型上にＮｉ−Ｃｏ合金を析出
させることで、図１０に示すようにストライプ状の開口
部３２を有し、それを横切るように形成された補強線３
３が存在し、マスク部分３１と補強線とが同一平面内に
形成された構造を有する。このシャドーマスクの外形は
１２０×８４ｍｍ、マスク部分の厚さは２５μｍであ
る。長さ９０ｍｍ、幅１００μｍのストライプ状開口部
がピッチ３００μｍで２７２本配置されている。各スト
ライプ形状開口部には、開口部を横切り直交する幅２０
μｍの補強線がピッチ１．８ｍｍで形成されている。シ
ャドーマスクは外形が等しい幅４ｍｍのステンレス鋼製
フレーム３４に固定されている。

【００４０】前記発光層形成用シャドーマスクを基板前
方に配置して形成されているガイド電極に密着させ、基
板後方にはフェライト系磁石（日立金属社製、ＹＢＭ−
１Ｂ）を配置した。この際、ストライプ状第一電極がシ
ャドーマスクのストライプ状開口部の中心に位置し、補
強線がガイド電極のある位置と一致するように、両者は
位置合わせされている。

【００４１】このように配置した基板に対して、先ず青
色（Ｂ）発光層の形成を行う。Ｂ発光層としては、４，
４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ジフェニル
（ＤＰＶＢｉ）を用いた。この場合にはゲスト材料を使
用せず、ＤＰＶＢｉのみを２０ｎｍ蒸着した。次いで、
発光層形成用シャドーマスクの配置を第一電極の１ピッ
チ分だけずらした状態で、赤色（Ｒ）発光層を形成し
た。Ｒ発光層のホスト材料は８−ヒドロキシキノリンア
ルミニウム錯体(Ａｌｑ₃）であり、これにゲスト材料と
して１重量％の４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブ
チル−６−（ジュロリジルスチリル）ピラン（ＤＣＪＴ
Ｂ）を共蒸着しながら、１５ｎｍの厚さに蒸着した。さ
らに、シャドーマスクを第一電極の１ピッチ分ずらし、
Ａｌｑ₃と１，３，５，７，８−ペンタメチル−４，４
−ジフロロ−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−イン
ダセン（ＰＭ５４６）を共蒸着して厚さ２１ｎｍの緑色
（Ｇ）発光層を形成した。この後、発光領域の全面にＤ
ＰＶＢｉを３５ｎｍ、Ａｌｑ ₃を１０ｎｍ蒸着し、最後
に薄膜層をリチウム蒸気に曝して電子輸送層を形成し
た。

【００４２】次にガイド電極を隔壁として活用して、基
板を蒸着源に対して傾けて設置し、斜め蒸着を行って２
００ｎｍのアルミニウムを蒸着して第二電極を形成し
た。第二電極間の短絡のないことが確認され、それぞれ
の第二電極はガイド電極と電気的に接続していることが
確認された。これによりガイド電極が併設された２００
本のストライプ状第二電極が形成された。

【００４３】本実施例のめっき法で形成された膜厚の大
きなガイド電極は、マスク蒸着の際にはスペーサーの役
割を果たして薄膜層の傷付きを防止し、第二電極の形成
の際には隔壁として作用して第二電極のパターニング形
成を可能にし、さらに本来の目的である第二電極用のガ
イド電極として機能させることができた。

【００４４】実施例２ めっき用レジストの膜厚を約５μｍ越えてめっきを進行
させて、ガイド電極として頭部に出っ張りの生じたきの
こ状の形態を有するものとして、実施例１に示した薄膜
層の形成までを実施した。

【００４５】第二電極の形成を行うアルミニウムの蒸着
は、蒸着源に対して基板を平行に配置して回転させて実
施した。ガイド電極が基板上に作るデッドスペースのた
めに第二電極は電気的に分離されてパターニングされ
る。所定の厚みに第二電極を蒸着した後、蒸着源に対し
て基板を傾け、斜め蒸着を実施して第二電極の一端をガ
イド電極と電気的に接続させた。

【００４６】本実施例においても、ガイド電極は表示装
置の製造工程の機能要素として活用されると共に、本来
の目的のガイド電極として作用することが確認された。
さらに、ガイド電極の断面積が実施例１に比べて増大し
たため、その長手方向の電気抵抗値は約２００Ω／ｍと
なり、第二電極の低抵抗化がより促進された。

【００４７】

【発明の効果】第一電極および第二電極の少なくとも一
方に電気的に接続されるガイド電極をめっき法で形成す
る工程を含む表示装置の製造方法により、ガイド電極の
厚膜化が可能であり、低抵抗化に寄与できる。さらに表
示装置の製造工程において隔壁法の第二電極パターニン
グの隔壁としての役割を果たすことができると共に、シ
ャドーマスクを用いた発光層を含む薄膜層の形成におい
てはスペーサーとしての役割をし、薄膜層の傷つきが防
止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】パターニングされたＩＴＯからなる第一電極が
基板上に形成されている状態を示す平面図。

【図２】絶縁層を形成した状態を示す平面図。

【図３】めっきレジストをパターニングした状態を示す
平面図。

【図４】めっきを行った後、めっきレジストを剥離した
状態を示す平面図。

【図５】導電層をエッチング除去した状態を示す平面
図。

【図６】図３の状態に対してめっきを行った状態を示す
平面図。

【図７】図６のＸＸ′断面図。

【図８】ガイド電極を隔壁として第二電極を形成した状
態を示す断面図。

【図９】ガイド電極と第二電極が電気的に分離されてい
る状態を示す断面図。

【図１０】発光層形成に用いたシャドーマスクの形状を
示す平面図。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第一電極 ３ 絶縁層 ４ めっきレジスト ５ ガイド電極となるレジスト開口部 ６ 第一電極の引き出し電極となるレジスト開口部 ７ 第二電極の引き出し電極となるレジスト開口部 ８ ガイド電極 ９ 第一電極の引き出し電極 １０ 第二電極の引き出し電極 １１ 導電層 １２ ガイド電極の形状１ １３ ガイド電極の形状２ １４ 第二電極 １５ 薄膜層 ３１ マスク部分 ３２ 開口部 ３３ 補強線 ３４ フレーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB06 AB18 BA06 CC04 DA02 FA01 5C094 AA24 AA43 BA21 BA29 BA31 CA19 DA13 EA03 EA07 EA10 GB01

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に形成された第一電極と、第一電極
   に対向して設けられた第二電極とを含む表示装置の製造
   方法であって、第一電極または第二電極の少なくとも一
   方に電気的に接続されるガイド電極をめっき法により形
   成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方
   法。
2. 【請求項２】第一電極上に少なくとも有機化合物からな
   る発光層を含む薄膜層を形成する工程と、前記薄膜層上
   に第二電極を形成する工程とを含むことを特徴とする請
   求項１記載の表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】第一電極上の一部に絶縁層を形成する工程
   と、前記絶縁層上にガイド電極をめっき法により形成す
   る工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の表示装
   置の製造方法。
4. 【請求項４】基板上に導電層を形成する工程と、前記導
   電層上にガイド電極をめっき法により形成する工程とを
   含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】導電層上にレジストをパターニングする工
   程と、前記レジストを利用してガイド電極をめっき法に
   よりパターニングする工程とを含むことを特徴とする請
   求項４記載の表示装置の製造方法。
6. 【請求項６】ガイド電極形成と同時に、引き出し電極を
   めっき法により形成することを特徴とする請求項１記載
   の表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】ガイド電極形成工程の後に、蒸発源から飛
   来させた第二電極材料を基板上に付着せしめることで第
   二電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１
   記載の表示装置の製造方法。
8. 【請求項８】蒸発源に対してガイド電極が基板上につく
   るデッドスペースを利用して第二電極を電気的に分離せ
   しめることでパターニングすることを特徴とする請求項
   ７記載の表示装置の製造方法。
9. 【請求項９】第二電極パターニング工程と同時に、ガイ
   ド電極に第二電極材料を付着せしめることで第二電極と
   前記ガイド電極とを電気的に接続させることを特徴とす
   る請求項８記載の表示装置の製造方法。
10. 【請求項１０】第二電極パターニング工程の後に、第二
    電極とガイド電極とを導電性物質を介して電気的に接続
    させる工程を含むことを特徴とする請求項８記載の表示
    装置の製造方法。