JP2013532363A - 制御された放射を有する透明発光デバイス - Google Patents
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Abstract
本発明は発光デバイスに関し、当該発光デバイスは、透明基板１１と、基板１１上に配置された部分的に透明なアノード層１２又はそのアセンブリと、アノード層１２上に配置された発光層１３と、発光層１３上に配置された透明カソード層１４とを有し、アノード層１２又はそのアセンブリは、基板１１に面する第１表面１５と、発光層１３に面し且つ第１表面１５と反対側に位置する第２表面１６とを有し；第１表面１５は透明導電材料を有し、第２表面１６は第１領域１７及び第２領域１８を有し、第１領域１７は導電性且つ不透明であり、第２領域１８は透明且つ電気絶縁性であり、第１領域１７は発光層１３と直接的に接触し、第１表面１５と発光層１３との間の電気接触を可能にするように構成される。当該発光デバイスは透明ＯＬＥＤデバイスに適用されてエミッション制御を可能にし得る。
Description
本発明は、エミッション制御を有する透明発光デバイスに関する。
有機発光デバイスは、光を放射（エミッション）することができるように一方が少なくとも部分的に透明にされた２つの電極間に有機発光層を配置するという原理に基づく。高い透明度を有する電極を用いることにより、高エミッションひいては高効率を達成することができる。現在、双方の電極が少なくとも部分的に透明にされる透明有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）に、開発の焦点が当てられている。故に、透明ＯＬＥＤデバイスは、正面及び背面の双方において同時に放射する。幾つかの用途では、両方向に放射を有することが望まれ得る。しかしながら、他の用途では、放射方向を制御することが好ましい。例えば、発光デバイスの背面からの抑制された放射又は放射なし、及び発光デバイスの正面からの良好な放射、と組み合わせて高い透明度を有することが有利となり得る。
特許文献１に、アノードとカソードとの間の有機層と、アノード上あるいはカソード上のミラー層とを有し、ミラー層が不透明ゾーンと透明ゾーン内とに構造化されたＯＬＥＤが記載されている。このＯＬＥＤは透明ゾーン内で完全あるいは部分的に非活性化されることができる。この構造により、光に対してＯＬＥＤを透明にすることができると同時に、エミッションを或る程度まで制御することができる。不透明なミラーゾーンは光放出を阻止し、光を所望方向に反射する。
しかしながら、依然として、透明発光デバイスのエミッション制御を向上させるソリューションが技術的に望まれる。
本発明の１つの目的は、従来技術の問題を少なくとも部分的に解決し、改善されたエミッション制御を有する発光デバイスと、そのようなデバイスを製造する有利な方法とを提供することである。
第１の態様によれば、本発明は発光デバイスに関し、当該発光デバイスは、透明基板と、前記基板上に配置された、部分的に透明なアノード層又はアノード層アセンブリと、前記アノード層上に配置された発光層と、前記発光層上に配置された透明カソード層とを有し、前記アノード層又はアノード層アセンブリは、前記基板に面する第１表面と、前記発光層に面し且つ前記第１表面と反対側に位置する第２表面とを有し、前記第１表面は透明導電材料を有し、前記第２表面は第１領域及び第２領域を有し、前記第１領域は導電性且つ不透明であり、前記第２領域は透明且つ電気絶縁性であり、且つ前記第１領域は、前記発光層と直接的に接触し、前記第１表面と前記発光層との間の電気接触を可能にするように構成される。それにより、非常に効率的な放射方向の制御が達成される。例えば、本発明は、改善された片面放射型透明ＯＬＥＤデバイスの製造と、デバイスの一方の面で１つの色の光を放射し且つ反対側の面で第２の色の光を放射する透明発光デバイスの製造とを可能にする。放射方向の高度な制御が達成され得るのと同時に、この発光デバイスは、高い光透明性と有するように製造されることができる。
本発明の実施形態において、発光デバイスのアノードの第１表面は導電性ポリマーを有する。導電性ポリマーを用いることにより、改善された柔軟性を有する発光デバイスを得ることができる。
本発明の実施形態において、発光デバイスの上記第１表面は、例えばＩＴＯ又はＡｌＺｎＯ材料などの少なくとも１つの導電性酸化物を有する。第１表面に酸化物材料を用いることにより、次の層の製造中のダメージの虞が低減される。例えば、第１表面が既に酸化物の形態にあるので、第１表面が酸化によって影響されるかにかかわらず、選択酸化を用いてアノードの第２表面を製造することができるからである。
本発明の実施形態において、アノードの第２表面の第１領域は金属又は合金、好ましくは電気めっきされた金属、例えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕなどを有する。金属又は合金を用いることにより、高い導電性の表面を作り出すことができる。電気めっきされた金属が使用される場合、これは、製造コストを低減することを可能にする。
本発明の実施形態において、発光デバイスのアノードの第２領域は絶縁性の透明ポリマーを有する。絶縁透明ポリマーを用いることにより、改善された柔軟性を有する発光デバイスを得ることができる。
本発明の実施形態において、発光デバイスのアノード層の第２領域は、例えばＳｉＯ２などのガラスを有する。ガラス材料を用いることにより、高い透明度を得ることができる。また、例えばＳｉＮ又はＡｌＯなどのセラミック材料が使用されてもよい。
本発明の実施形態において、発光デバイスの上記第２表面は、上記第１領域と上記第２領域とを含む金属層を有し、該金属層は、上記第１領域内では非酸化形態にあり且つ上記第２領域内では酸化された少なくとも１つの金属又は合金を有する。このような第１及び第２領域を有する金属層を用いることにより、効率的な、交互の、導電不透明領域と透明非導電領域とを有する発光デバイスを低コストで達成することが可能である。さらに、比較的少ない製造工程によってデバイスを製造する可能性が提供される。
本発明の実施形態において、発光デバイスのアノード層は、部分的に酸化された形態にある少なくとも１つの金属又は合金層で構成されることができ、上記第１表面及び上記第１領域は非酸化形態にあり、上記第２領域は酸化された形態にあるようにされ得る。このような第１及び第２領域とこのような第１表面とを有する金属層を用いることにより、交互にされた導電不透明領域及び透明非導電領域と、導電性の第１表面とを有する効率的な発光デバイスを低コストで達成することが可能である。さらに、比較的少ない製造工程によってデバイスを製造する可能性が提供される。
本発明の実施形態において、発光デバイスは更に、カソード層上に配置された更なる発光層と、更なる発光層上に配置された、部分的に透明な、更なるアノード層又はアノード層アセンブリとを有し、更なるアノード層又はアノード層アセンブリは、更なる発光層に面する第１表面と、該第１表面と反対側に位置する第２表面とを有し、該第１表面は第１領域及び第２領域を有し、該第１領域は導電性且つ不透明であり、該第２領域は透明且つ電気絶縁性であり、該第２表面は透明導電材料を有し、且つ該第１領域は、更なる発光層と直接的に接触し、該第２表面と更なる発光層との間の電気接触を可能にするように構成される。このようなレイヤ構成を用いることにより、非常に先進的なエミッション制御が可能なデバイスを達成することができる。例えば、デバイスの相異なる面から反対方向に放射する２つの異なる色又は光パターンを作り出すことが可能である。
第２の態様によれば、本発明は、発光層が有機材料を有するようにした上述の発光デバイスを有するＯＬＥＤに関する。このＯＬＥＤは、フレキシブルＯＬＥＤであってもよく、また、例えばランプ、内視鏡、ウィンドウ、又はセキュリティ用途に適用され得る。本発明に係る発光デバイスをＯＬＥＤにて用いることにより、放射方向が制御可能であるのと同時に高度な柔軟性が達成され得る。さらに、デバイスの高い透明度が維持される。
第３の態様によれば、本発明は、上述の発光デバイスを製造する方法に関し、当該方法は、透明基板を準備する工程と、前記基板上に、部分的に透明なアノード層又はアノード層アセンブリを設ける工程であり、該アノード層又はアノード層アセンブリは、前記基板に面する透明且つ導電性の第１表面を有し、該アノード層又はアノード層アセンブリは、不透明導電材料の第１領域と、透明電気絶縁材料の第２領域とを備える、工程と、前記アノード層上に発光層を設ける工程と、前記発光層上に透明カソード層を設ける工程とを有し、前記第１領域は、前記発光層と直接的に接触し、前記第１表面と前記発光層との間の電気接触を可能にするように構成される。それにより、上述の利点を有する発光デバイスを製造することができる。また、この方法は、高い透明度、高い柔軟性及び制御エミッションを備えた発光デバイスを製造するコスト効率の良い手法を可能にする。
本発明の実施形態において、アノード層は、上記基板上に透明導電材料の第１のサブレイヤを設け、第１のサブレイヤを部分的に覆うように透明電気絶縁材料の不連続な第２のサブレイヤを設け、不連続な第２のサブレイヤによって覆われていない第１のサブレイヤ上の領域に不透明導電材料を設けることによって設けられる。それにより、第１表面と第２表面とで材料を異ならせることで、機能に関して、且つ発光デバイスの製造中の材料劣化のリスクの最小化に関して、材料を最適化することができる。
本発明の実施形態において、アノード層は、透明導電材料の第１のサブレイヤを設け、金属又は合金の第２のサブレイヤを設け、第２のサブレイヤを選択酸化し、それにより上記第１領域及び上記第２領域を形成することによって設けられる。この方法は第１領域及び第２領域の両方に対して１つの配設工程のみを必要とするため、コスト効率の良い方法が提供される。
本発明の実施形態において、選択酸化は、第２のサブレイヤを部分的に覆い、且つ覆われていない第２のサブレイヤの領域を酸化することによって行われる。それにより、導電不透明領域と透明非導電領域とを交互に有するデバイスを達成することができる、また、エッチング工程は不要である。
本発明の実施形態において、アノード層は、金属又は合金の層を設け、該層の表面を所定深さまで選択酸化し、それにより上記第１表面と、導電材料の上記第１領域と、電気絶縁材料の上記第２領域とを形成することによって設けられる。この方法は第２表面の第１領域及び第２領域と第１表面とを有するアノード層に対して単一の配設工程のみを必要とするため、コスト効率の良い方法が提供される。
本発明の実施形態において、アノード層を設ける工程は、金属の電気めっきを用いることを有する。電気めっきを用いることの利点は、標準的な透明ＯＬＥＤの製造と比較して追加の工程を必要としないこと、及び電気めっきは低コストの金属堆積工程であることである。また、このプロセスは、例えば選択酸化プロセスなどのその他の堆積プロセスより、制御するのが単純である。
なお、本発明は、特許請求の範囲に記載される特徴群の可能な組合せ全てに関する。
以下、本発明の上述及びその他の態様を、本発明の実施形態を示す添付図面を参照しながら詳細に説明する。
本発明に係る発光デバイスの第１の例を示す図である。
本発明に係る発光デバイスの第２の例を示す図である。
本発明に係る発光デバイスを製造する方法の一例を示す図である。
本発明に係る発光デバイスを製造する方法の一例を示す図である。
本発明に係る発光デバイスを製造する方法の一例を示す図である。
本発明に係る発光デバイスを製造する方法の一例を示す図である。
本発明によるアノード層を製造する一手法を示す図である。
本発明によるアノード層を製造する異なる一手法を示す図である。
本発明によるアノード層を製造する異なる一手法を示す図である。
本発明は、放射方向を制御することが可能な透明発光デバイス、その製造方法、及び、例えばフレキシブル透明ＯＬＥＤなどの透明ＯＬＥＤにおけるデバイスの使用方法に関する。このようなデバイスは特に、内視鏡、ウィンドウ広告又はセキュリティ用途におけるランプとして有用である。以下の詳細な説明では、本発明の好適な複数の実施形態を説明する。しかしながら、理解されるように、これら相異なる実施形態の特徴群は、実施形態間で交換可能であるとともに、特に断らない限り、異なるように組合わされてもよい。
図面に示されるように、層（レイヤ）及び領域の大きさは、説明目的のために誇張されており、故に、本発明の実施形態の概略構造を例示するために提示されたものである。図面全体を通して、同様の要素は似通った参照符号で参照する。
図１は、本発明に係る発光デバイスの一例を示している。発光デバイス１０は、透明基板１１と、基板１１上に配置された部分的に透明なアノード層アセンブリ１２と、アノード層アセンブリ１２上に配置された発光層１３と、発光層１３上に配置された透明カソード層１４とを有している。アノード層アセンブリ１２は、基板１１に面する第１表面１５と、第１表面１５の反対側に位置して発光層１３に面する第２表面１６とを有する。第１表面１５は透明導電材料を有し、第２表面１６は第１及び第２の領域１７、１８を有する。第１の領域１７は導電性且つ不透明であり、第２の領域１８は透明且つ電気絶縁性である。第１の領域１７は、発光層１３と直接的に接触しており、第１表面１５と発光層１３との間の電気接触を可能にするように構成されている。本発明の発明者は、交互にした導電性不透明領域１７及び非導電性絶縁領域１８を用いることによって放射方向の優れた制御を達成できることを見出した。この発光デバイスは有利である。何故なら、例えば、絶縁性透明領域と導電性不透明領域とを有する表面又は層が、放射方向の非常に効率的な制御を可能にするからである。この発光デバイスは特に片面放射型のＯＬＥＤ及びＯＬＥＤデバイスに有利である。また、量子ドットデバイスにも適している。
透明基板１１は、ガラス又はプラスチックからなるものとすることができ、デバイス寿命を長期化するために防湿層（モイスチャーバリア）を含んでいてもよい。基板は、平坦な基板であってもよいし、例えばレンズ用に、湾曲した基板であってもよい。透明アノード層アセンブリ１２は、２つ以上のサブレイヤ（部分層）からなるものとすることができ、下側の層は、第１表面１５を形成する基本的に透明且つ導電性の材料からなり、上側の層は、第２表面１６を形成する透明電気絶縁材料及び不透明導電材料を交互にしたものからなるものとし得る。ここでは、下側は基板１１に近い側を意味し、上側は発光層１３に近い側を意味する。
ここでは、“透明材料”は、半透明、部分的に透明、あるいは完全に透明な材料を意味する。例えば、“透明材料”は、入射光の少なくとも２０％が当該材料を通過することを可能にする材料にかかわる。“透明”もまた、例えば格子構造を形成する層によって、その層を通して光を輸送可能にすることを含むものである。
続いて、図１のアノード層アセンブリ１２を更に詳細に説明する。アノードは、第１のサブレイヤ１９と、該第１のサブレイヤに接触する第２のサブレイヤ２０とを用い、それによりレイヤアセンブリ１２を形成することによって作り出され得る。アノード層アセンブリの第１のサブレイヤ１９は、例えばＩＴＯ若しくはＡｌＺｎＯ材料といった基本的に透明な導電性酸化物、又は透明導電性ポリマーから製造されることができる。例えば、第１のサブレイヤは、非常に薄い（例えば、０．１μｍ未満）、あるいは格子構造を有した、金属層で形成されてもよい。第２のサブレイヤ２０は、交互にされた導電性不透明領域１７（第１領域）及び非導電性絶縁領域１８（第２領域）を有し、あるいは、これらから形成され得る。導電性不透明領域１７は、第１のサブレイヤ１９と発光層１３との間の電気接触を可能にするように層内に配置される。第２のサブレイヤ２０の第１領域１７は、不透明な導電性ポリマー、導電性酸化物、又は例えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉなどの導電性金属若しくは合金で製造されることができ、その一方で、第２領域１８は、絶縁性で透明な、ポリマー、例えばＳｉＯ２などのガラス、ＳｉＮ若しくはＡｌＯに基づくセラミック材料を有し得る。他の例では、第１領域１７は複数の金属又は合金のスタック（積層体）であってもよく、例えば、第１のサブレイヤ１９への良好な接着性を提供する第１の金属又は合金と、発光層１３への良好な電荷注入を提供する第２の金属又は合金とを有し得る。接着性を促進する金属の場合、例えばＴｉＮ又はＴｉＷＮなどの、ドープされた金属も使用され得る。
他の例では、アノードは、第１及び第２表面を有し且つ該第２表面が上述の第１及び第２領域を有する単一層で形成されてもよい。
本発明の発明者は、アノード層アセンブリ１２を製造することには幾つかの好適手法が存在することを見出した。
第１の例において、発光デバイスのアノード層アセンブリは、例えばＩＴＯ又はＡｌＺｎＯなどの導電性酸化物からなる第１のサブレイヤを有し、第２のサブレイヤは、部分的に酸化された金属又は合金材料（例えばＡｌ）からなる。第２のサブレイヤの第１領域では上記金属又は合金は非酸化形態であるのに対し、上記金属又は合金の第２領域は、絶縁性をもたらすように酸化された形態にある。
第２の例において、発光デバイスのアノード層アセンブリ１２はその全体が金属又は合金で製造され、非酸化形態の金属又は合金が第１のサブレイヤを形成し、第２の金属サブレイヤが部分的に酸化されて、導通を提供する第１の非酸化領域と電気絶縁を提供する第２の酸化領域とを形成する。この例において、第１のサブレイヤの厚さは、該第１のサブレイヤを通した光輸送を可能にするのに十分な薄さに選定される。代替的に、第１のサブレイヤは不連続にされて、格子内のスペースを介した光透過を提供してもよい。
第３の例において、アノード層アセンブリ１２は、例えばＩＴＯなどの導電性酸化物の第１のサブレイヤを有し、導電性の第１領域１７は金属又は合金からなり、第２領域１８はＳｉＯ２からなる。
好ましくは、第２表面１６のうちの７０％よりかなり低い部分が不透明領域によって覆われる。例えば、該表面の約１０−５０％が不透明領域で覆われ得る。他の例では、例えば１０％未満など、第２表面１６のうちの更に小さい部分が不透明領域で覆われてもよい。導電領域の形状及び配置は、所望の外観に応じて自由に選定することができる。例えば、正方形、長方形、円形、格子状、又は蜂の巣状のドット群が使用され得る。複数の第１領域が、第１領域の規則的なパターンにて配置されてもよいし、あるいはアノード層内に無秩序的に配置されてもよい。後者の配置は、干渉効果及びモアレ効果が低減あるいは抑圧され得るという利点を有する。例えばストライプや同心円など、ドット以外の形状も可能であり、故に、特に金属領域が視認可能な実装形態の場合に、最終的な外観における更に大きな設計自由度がもたらされる。
発光層１３は、１層又は複数層の従来からの光活性材料で形成され得る。光活性材料は、例えば有機蛍光体などの有機材料からなってもよいし、あるいはセラミック蛍光体材料を有していてもよい。好適な材料の例に、量子ドット材料が含まれる。
透明カソード層１４は、例えば銀層などの金属層からなり得る。基本的に透明なカソード層を達成するため、金属層は、例えば１００μｍ未満といった非常に薄い金属層から形成され得る。他の例では、透明カソード層は、導電性の酸化物、ポリマー、若しくは不連続層、又は格子構造にされた金属層で形成されてもよい。
また、発光デバイスは、例えば電荷輸送層や電荷注入層などの更なる機能層を有していてもよい。
図２は、本発明に係る発光デバイスの他の一例を示している。
この発光デバイス２０は、図１のデバイス１０と同じレイヤ構造を有し、さらに、カソード層１４上に配置された更なる発光層２１と、更なる発光層２１上に配置された、部分的に透明な、更なるアノード層アセンブリ２２とを有している。更なるアノード層アセンブリ２２は、更なる発光層２１に面する第１表面２３と、該第１表面の反対に位置する第２表面２７とを有する。第１表面２３は第１領域２５及び第２領域２６を有している。第１領域２５は導電性且つ不透明であり、第２領域２６は透明且つ電気絶縁性である。第２表面２７は透明な導電材料を有しており、第１領域２５が、発光層２１に直接的に接触して、第２表面２７と発光層２１との間の電気接触を可能にするように構成されている。第１領域２５及び第２領域２６は、領域１７、１８に関して上述したのと同様とし得る。
なお、アノード層アセンブリ２２は、上記第１及び第２表面を有し且つ第２表面が上記第１及び第２領域を有する単一のアノード層によって置き換えられてもよい。
この図に示されるように、発光デバイス２０は光を二方向に放射し得る。異なる方向に放射される光は、発光層の光活性材料の選択や波長変換材料の存在などによって、異なる色を有するようにしてもよい。また、大きい下向きの矢印によって表されるように、デバイス２０は光的に透明である。
図３ａ−３ｄは、本発明に係る発光デバイスを製造する方法の一例を示している。この方法は、（Ａ）例えばガラス又はプラスチックなどの透明基板を準備するステップ（図３ａ）；（Ｂ）部分的に透明なアノード層アセンブリを基板上に配設するステップ（図３ｂ）；（Ｃ）アノード層アセンブリ上に発光層を配設するステップ（図３ｃ）；及び（Ｄ）発光層上に透明カソード層を配設するステップ（図３ｄ）を有する。この方法において、アノード層アセンブリは、基板に面する透明且つ導電性の第１表面と、不透明な導電材料の第１領域と、透明な電気絶縁材料の第２領域とを備える。また、第１領域は、発光層と直に接触しており、第１表面と発光層との間の電気接触を可能するように構成される。
図４ａ、４ｂ及び４ｃは、本発明によるアノード層又はアノード層アセンブリを製造するための３つの異なる方法のステップ群を示している。
図４ａにおいて、アノード層アセンブリは、（ａ１）透明導電材料の第１のサブレイヤ１９を基板１１上に設け；（ａ２）第１のサブレイヤ１９を部分的に覆うように、透明で電気絶縁性の材料の不連続な第２のサブレイヤ２０を設け；且つ（ａ３）上記不連続な第２のサブレイヤによって覆われていない第１のサブレイヤ上の領域に、不透明な導電材料を設けることによって配設される。例えば、これは、例えばＩＴＯを基板上に設けた後に、例えばＳｉＯ２などの絶縁透明材料の連続層をＩＴＯ層上に堆積することによって行われ得る。連続した絶縁層を不連続な層に変換するため、連続した層の複数部分が、例えば従来からの有機コーティングなどの保護材料で覆われ、絶縁層の複数部分が、例えば剥離溶液又はプラズマエッチングを用いることによって、エッチングによって除去される。その後、形成された絶縁層の孔内に、例えば電気めっきを用いて、金属が堆積される。上述の保護コーティングは、エッチング工程の直後又は金属の堆積後の何れかに除去されることができる。後者は、構造のうちの不所望の領域での金属堆積が回避され得るという利点をもたらす。また、金属は、表面全体に堆積されて、絶縁領域の頂部から例えば研磨を用いて除去されてもよい。
図４ｂにおいて、アノード層アセンブリは、（ｂ１）透明導電材料の第１のサブレイヤ１９を設け；（ｂ２）金属又は合金の第２のサブレイヤ２０を設け；且つ（ｂ３）第２のサブレイヤを選択的に酸化し、それにより第１及び第２領域１７、１８を形成することによって配設される。例えば、これは、ＩＴＯの第１のサブレイヤを基板上に設け、Ａｌの第２のサブレイヤを付加し、導電性に維持されるべきレイヤアセンブリの部分（すなわち、第１領域）を、印刷又はフォトリソグラフィによって、構造化されたレジストで覆い、そして、覆われていないＡｌ層の部分を下方にＩＴＯ層まで酸化することでＡｌ２Ｏ３の電気絶縁領域を形成することによって行われ得る。その後、レジストは除去され得る。他の例では、第１領域が所望される位置において第２のサブレイヤ上に導電性の不活性材料が設けられる。金属領域１７は不透明のままであり、酸化された領域１８は酸化によって透明になる。
図４ｃにおいて、アノード層は、（ｃ１）金属又は合金の層１２を設け；（ｃ２）層１２の表面を所定の深さまで選択的に酸化し、それにより、この酸化で未反応の領域である導電材料の第１領域１７を画成するとともに、非導電性の酸化された材料の第２領域（酸化領域）１８を形成することによって配設される。この選択酸化は、第２のサブレイヤを部分的に覆い；覆われていない第２のサブレイヤの領域を下方に所定の深さまで酸化することによって行われ得る。金属領域１７は不透明なままであり、酸化領域１８は上述の酸化によって透明になる。第２領域１８の下方の領域の金属層は透明さをもたらすべきである。例えば、第２領域１８の下の金属領域は、透明であるのに十分な薄さにされ得る。また、第２領域１８の下の金属領域は、この層を光が通過することを可能にするよう、気孔（ポア）若しくは通路（チャンネル）を備えたり、不連続であったりしてもよい。例えば、一部の用途では、アノード層１２の総厚の少なくとも３０−７０％に相当する酸化深さが選択され得る。また、不連続な層が使用される場合、導電領域の網状構造（例えば、格子パターンにされた第１領域構造）によって導電領域が互いに電気的に接続されること、又は、第１領域が個々に電気接続されることが必要とされる。不連続な層が望まれる一部の用途において、アノード層の複数領域の複数部分を下方に基板まで酸化してもよい場合がある。
請求項において、括弧内に置かれた如何なる参照符号も、請求項を限定するものとして解されるべきでない。動詞“有する”及びその活用形の使用は、その請求項中に記載されたもの以外の要素又はステップの存在を排除するものではない。要素の前に置かれる冠詞“ａ”又は“ａｎ”は、その要素が複数存在することを排除するものではない。本発明は、複数の別個の要素を有するハードウェアによって実現されてもよい。複数の手段を列挙するデバイスクレームにおいて、それらの手段のうちの幾つかが、単一且つ同一のハードウェア品目によって具現化されてもよい。特定の複数の手段が互いに異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、それらの手段の組合せが有利に使用され得ないことを指し示すものではない。
第１の態様によれば、本発明は発光デバイスに関し、当該発光デバイスは、透明基板と、前記基板上に配置された、部分的に透明なアノード層又はアノード層アセンブリと、前記アノード層上に配置された発光層と、前記発光層上に配置された透明カソード層とを有し、前記アノード層又はアノード層アセンブリは、前記基板に面する第１表面と、前記発光層に面し且つ前記第１表面と反対側に位置する第２表面とを有し、前記第１表面は透明導電材料を有し、前記第２表面は、第１領域及び第２領域を有する金属層を有し、該金属層は、前記第１領域内では非酸化形態にあり且つ前記第２領域内では酸化された少なくとも１つの金属又は合金を有し、前記第１領域は導電性且つ不透明であり、前記第２領域は透明且つ電気絶縁性であり、且つ前記第１領域は、前記発光層と直接的に接触し、前記第１表面と前記発光層との間の電気接触を可能にするように構成される。それにより、非常に効率的な放射方向の制御が達成される。例えば、本発明は、改善された片面放射型透明ＯＬＥＤデバイスの製造と、デバイスの一方の面で１つの色の光を放射し且つ反対側の面で第２の色の光を放射する透明発光デバイスの製造とを可能にする。放射方向の高度な制御が達成され得るのと同時に、この発光デバイスは、高い光透明性と有するように製造されることができる。
他の例では、発光デバイスのアノードの第２領域は絶縁性の透明ポリマーを有する。絶縁透明ポリマーを用いることにより、改善された柔軟性を有する発光デバイスを得ることができる。
他の例では、発光デバイスのアノード層の第２領域は、例えばＳｉＯ２などのガラスを有する。ガラス材料を用いることにより、高い透明度を得ることができる。また、例えばＳｉＮ又はＡｌＯなどのセラミック材料が使用されてもよい。
第３の態様によれば、本発明は、上述の発光デバイスを製造する方法に関し、当該方法は、透明基板を準備する工程と、前記基板上に、部分的に透明なアノード層又はアノード層アセンブリを設ける工程であり、該アノード層又はアノード層アセンブリは、前記基板に面する透明且つ導電性の第１表面を有し、該アノード層又はアノード層アセンブリは、不透明導電材料の第１領域と、透明電気絶縁材料の第２領域とを備える、工程と、前記アノード層上に発光層を設ける工程と、前記発光層上に透明カソード層を設ける工程とを有し、前記第１領域は、前記発光層と直接的に接触し、前記第１表面と前記発光層との間の電気接触を可能にするように構成される。アノード層は：透明導電材料の第１のサブレイヤを設け、金属又は合金の第２のサブレイヤを設け、且つ第２のサブレイヤを選択酸化し、それにより上記第１領域及び上記第２領域を形成することによって；あるいは、金属又は合金の層を設け、且つ該層の表面を所定深さまで選択酸化し、それにより導電材料の上記第１領域と電気絶縁材料の上記第２領域とを形成することによって；の何れかで設けられる。それにより、上述の利点を有する発光デバイスを製造することができる。また、この方法は、高い透明度、高い柔軟性及び制御エミッションを備えた発光デバイスを製造するコスト効率の良い手法を可能にする。
他の例では、アノード層は、上記基板上に透明導電材料の第１のサブレイヤを設け、第１のサブレイヤを部分的に覆うように透明電気絶縁材料の不連続な第２のサブレイヤを設け、不連続な第２のサブレイヤによって覆われていない第１のサブレイヤ上の領域に不透明導電材料を設けることによって設けられる。それにより、第１表面と第２表面とで材料を異ならせることで、機能に関して、且つ発光デバイスの製造中の材料劣化のリスクの最小化に関して、材料を最適化することができる。
Claims (16)
- − 透明基板；
− 前記基板上に配置された、部分的に透明なアノード層又はアノード層アセンブリ；
− 前記アノード層上に配置された発光層；及び
− 前記発光層上に配置された透明カソード層；
を有し、
− 前記アノード層又はアノード層アセンブリは、前記基板に面する第１表面と、前記発光層に面し且つ前記第１表面と反対側に位置する第２表面とを有し；
− 前記第１表面は透明導電材料を有し；
− 前記第２表面は第１領域及び第２領域を有し；
− 前記第１領域は導電性且つ不透明であり；
− 前記第２領域は透明且つ電気絶縁性であり；且つ
− 前記第１領域は、前記発光層と直接的に接触し、前記第１表面と前記発光層との間の電気接触を可能にするように構成されている、
発光デバイス。 - 前記第１表面は導電性ポリマーを有する、請求項１に記載の発光デバイス。
- 前記第１表面は少なくとも１つの導電性酸化物を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
- 前記第１領域は金属又は合金を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
- 前記第２領域は絶縁性の透明ポリマーを有する、請求項１に記載の発光デバイス。
- 前記第２領域はセラミック材料又はガラス材料を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
- 前記第２表面は、前記第１領域と前記第２領域とを含む金属層を有し、前記金属層は、前記第１領域内では非酸化形態にあり且つ前記第２領域内では酸化された少なくとも１つの金属又は合金を有する、請求項４に記載の発光デバイス。
- 前記アノード層は、部分的に酸化された形態にある少なくとも１つの金属又は合金層で構成され、前記第１表面及び前記第１領域は非酸化形態にあり、前記第２領域は酸化された形態にある、請求項４に記載の発光デバイス。
- − 前記カソード層上に配置された更なる発光層；及び
− 前記更なる発光層上に配置された、部分的に透明な、更なるアノード層又はアノード層アセンブリ；
を更に有し、
− 前記更なるアノード層又はアノード層アセンブリは、前記更なる発光層に面する第１表面と、該第１表面と反対側に位置する第２表面とを有し；
− 該第１表面は第１領域及び第２領域を有し；
− 該第１領域は導電性且つ不透明であり；
− 該第２領域は透明且つ電気絶縁性であり；
− 該第２表面は透明導電材料を有し；
− 該第１領域は、前記更なる発光層と直接的に接触し、該第２表面と前記更なる発光層との間の電気接触を可能にするように構成されている、
請求項１に記載の発光デバイス。 - 請求項１乃至９の何れか一項に記載の発光デバイスを有するＯＬＥＤ。
- 発光デバイスを製造する方法であって：
− 透明基板を準備する工程；
− 前記基板上に、部分的に透明なアノード層又はアノード層アセンブリを設ける工程であり、該アノード層又はアノード層アセンブリは、前記基板に面する透明且つ導電性の第１表面を有し、該アノード層又はアノード層アセンブリは、不透明導電材料の第１領域と、透明電気絶縁材料の第２領域とを備える、工程；
− 前記アノード層上に発光層を設ける工程；及び
− 前記発光層上に透明カソード層を設ける工程；
を有し、
前記第１領域は、前記発光層と直接的に接触し、前記第１表面と前記発光層との間の電気接触を可能にするように構成される、
方法。 - 前記アノード層は、
− 前記基板上に、透明導電材料の第１のサブレイヤを設け；
− 前記第１のサブレイヤを部分的に覆うように、透明電気絶縁材料の不連続な第２のサブレイヤを設け；
− 前記不連続な第２のサブレイヤによって覆われていない前記第１のサブレイヤ上の領域に不透明導電材料を設ける；
ことによって設けられる、請求項１１に記載の方法。 - 前記アノード層は、
− 透明導電材料の第１のサブレイヤを設け；
− 金属又は合金の第２のサブレイヤを設け；
− 前記第２のサブレイヤを選択酸化し、それにより前記第１領域及び前記第２領域を形成する；
ことによって設けられる、請求項１１に記載の方法。 - 前記選択酸化は、
− 前記第２のサブレイヤを部分的に覆い；且つ
− 覆われていない前記第２のサブレイヤの領域を酸化する；
ことによって行われる、請求項１３に記載の方法。 - 前記アノード層は、
− 金属又は合金の層を設け；
− 該層の表面を所定深さまで選択酸化し、それにより導電材料の前記第１領域と電気絶縁材料の前記第２領域とを形成する；
ことによって設けられる、請求項１１に記載の方法。 - 前記アノード層を設ける工程は、金属の電気めっきを用いることを有する、請求項１１に記載の方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160106793A (ko) * | 2015-03-02 | 2016-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101084263B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP5758314B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2015-08-05 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子、及び照明装置 |
| DE102012202041B4 (de) * | 2012-02-10 | 2022-03-17 | Osram Oled Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
| KR101989144B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2019-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 및 박막의 패터닝 방법, 박막 트랜지스터 기판 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
| KR20140126439A (ko) * | 2013-04-23 | 2014-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 플렉시블 표시장치의 제조방법 및 이를 이용한 투명 플렉시블 표시장치 |
| EP2808916B1 (en) * | 2013-05-30 | 2018-12-12 | LG Display Co., Ltd. | Method of manufacturing an organic light emitting display device |
| KR102212457B1 (ko) * | 2013-05-30 | 2021-02-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| DE102013110666B4 (de) * | 2013-09-26 | 2023-05-17 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben |
| KR102211965B1 (ko) * | 2013-10-18 | 2021-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102122359B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2020-06-12 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 제조방법 |
| CA3002752A1 (en) | 2015-10-26 | 2017-05-04 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
| CN110785867B (zh) | 2017-04-26 | 2023-05-02 | Oti照明公司 | 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置 |
| US11043636B2 (en) | 2017-05-17 | 2021-06-22 | Oti Lumionics Inc. | Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating |
| CN107256878A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制备方法 |
| US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
| KR20210006912A (ko) | 2018-05-07 | 2021-01-19 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 보조 전극을 제공하는 방법 및 보조 전극을 포함하는 장치 |
| US11730012B2 (en) | 2019-03-07 | 2023-08-15 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
| CN117500334A (zh) | 2019-06-26 | 2024-02-02 | Oti照明公司 | 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备 |
| US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
| US20220278299A1 (en) | 2019-08-09 | 2022-09-01 | Oti Lumionics Inc. | Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition |
| JP2023553379A (ja) | 2020-12-07 | 2023-12-21 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 核形成抑制被膜及び下地金属被膜を用いた導電性堆積層のパターニング |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0693256A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-05 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子 |
| JP2001005410A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Toray Ind Inc | 表示装置の製造方法 |
| JP2003162923A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 透明導電性基板及び発光素子 |
| WO2005004550A1 (ja) * | 2003-07-07 | 2005-01-13 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
| JP2007142446A (ja) * | 2002-06-07 | 2007-06-07 | Lg Electron Inc | Ａｍｅｌ（アクティブマトリックスｅｌ）ディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2007324233A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| WO2010046833A1 (en) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Transparent oled device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5902688A (en) * | 1996-07-16 | 1999-05-11 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent display device |
| US6664732B2 (en) * | 2000-10-26 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2003249379A (ja) | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Takeshi Sakakibara | 透明導電性膜の表面処理方法、かかる方法により表面改質された透明導電性膜、及び表面改質透明導電性膜を有する電荷注入型発光素子 |
| EP1377133A1 (en) | 2002-06-18 | 2004-01-02 | Alcan Technology & Management Ltd. | Lighting element with luminescent surface and uses thereof |
| TW200515836A (en) * | 2003-10-22 | 2005-05-01 | Hannstar Display Corp | Organic electroluminescent element |
| US7612496B2 (en) | 2005-12-19 | 2009-11-03 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved power distribution |
| JP2009532839A (ja) | 2006-04-03 | 2009-09-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機エレクトロルミネッセント装置 |
| JP2008135259A (ja) | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| EP2144290A1 (en) | 2008-07-08 | 2010-01-13 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Electronic device and method of manufacturing the same |
-
2011
- 2011-06-15 CN CN201180030127.2A patent/CN102934252B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-15 EP EP11729756.4A patent/EP2583328B1/en not_active Not-in-force
- 2011-06-15 US US13/704,730 patent/US8766306B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2011-06-15 JP JP2013514821A patent/JP6058533B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0693256A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-05 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子 |
| JP2001005410A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Toray Ind Inc | 表示装置の製造方法 |
| JP2003162923A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 透明導電性基板及び発光素子 |
| JP2007142446A (ja) * | 2002-06-07 | 2007-06-07 | Lg Electron Inc | Ａｍｅｌ（アクティブマトリックスｅｌ）ディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| WO2005004550A1 (ja) * | 2003-07-07 | 2005-01-13 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
| JP2007324233A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| WO2010046833A1 (en) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Transparent oled device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160106793A (ko) * | 2015-03-02 | 2016-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102449804B1 (ko) * | 2015-03-02 | 2022-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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