JP2000508054A - 核磁気共鳴プローブ用コイルとその製作法 - Google Patents

核磁気共鳴プローブ用コイルとその製作法

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Abstract

(57)【要約】 核磁気分光器使用ならびに核磁気顕微鏡検査のための共振コイル、およびその製作法が提供される。このコイルは、分布した誘導性要素を形成する導電材料の入れ子構造の遮断されたループの形をしており、またそのループの全周にわたって分布した静電容量を持つ複数の容量性要素を有している。このコイルは、非導電性の基板上に超電導材料の薄膜として形成されることが好ましい。この発明の1態様では、コイル内の電流密度は誘導性要素と、互いの間に均一なギャップを有する1組のテーパを付けた交互嵌合式コンデンサを備えることによって一定に保たれる。本発明によって、このコイルの電流容量は最大限にされる。本発明は更に、基板上の導電性材料の膜にパターンを付けて、最終的なコイルの所望周波数より低い共振周波数を有するコイルにし、次にそのコイルが増大する電流にさらされる装置、好ましくは運転中に用いられるような磁界内の装置にそのコイルを入れ、最終的に、コイルの容量性要素の一部の除去によってトリミングされた所望の共振周波数になるように、そのコイルをトリミングすることによって、コイルを製作する方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】 核磁気共鳴プローブ用コイルとその製作法 政府の関与に関する声明 米国政府は、本発明に関して実施料払込み済みの特許実施権を有し、またある 限られた場合には、特許権所有者が国立衛生研究所により授与された助成金No. 2R44RR09244-02号の条項によって規定されるような妥当な条件で他人に特許実施 を許諾することを要求する権利を有する。 発明の背景 発明の分野 この発明は、核磁気共鳴(NMR)分光器使用ならびに核磁気共鳴顕微鏡検査 のためのRFプローブに関するものである。更に詳しくは、NMR信号の送信・ 受信用の共振コイルに関するものである。いっそう更に詳しくは、平面基板上の 超伝導体コイルに係わるものである。 関連技術の説明 NMR分光測光器プローブでは、試験片が静磁界に置かれるが、静磁界はその 試験片内部の原子核を磁界の方向に整列させる。送信および受信コイルは、単一 コイルまたはコイルのセットの形で組合わせることができ、試験片の近くに配置 されたプローブ内に入れられる。送信コイルは静磁界と直交する方向にRF磁界 を加えて、核の整列を乱す。その後、送信コイルはスイッチオフされ、試験片の 共振RF信号が受信コイルによって検出される。 分光測光器の感度は、静磁界の強さ、RFコイルと試験片との結合の密接度、 RFコイルの抵抗等を含むいくつかの因子に依存する。現在、市販のNMR分光 測光器は全て、銅等の一般金属、または一般金属を組合せたもので作られたRF コイルを用いている。これまで多くの研究が最高感度のコイルの設計に向けられ てきた。例えば、コイル−試験片間の密接な結合を達成するため、コイルは、ソ レノイド、サドル・コイル、ブリッジ・コイル等、全てフィリング・ファクタ( filling factor)の高いコイルの形に作られてきた。同様に、研究者らはRFコ イルの抵抗を下げるために、RFコイルの冷却を提案してきた。しかし、低温下 でも、従来の一般金属のコイルの感度は、その抵抗ゆえに、超伝導コイルで達成 可能な感度よりも低い値に制限される。 NMR分光測光器のRFコイルに使われる在来の一般金属の代わりに、超伝導 体を使うことが従来提案されてきた。例えば、Marekは米国特許第5,24 7,256号において、薄膜NbTi超伝導コイルを用いた、NMR分光測光器 用のいくつかのRF受信コイル装置について記載している。Marekの実施例 は、いくつかの点で本発明とは異なる。特に、Marekのコイルは非平面であ り、またオーム抵抗を用いているが、これらの両点ともNbTiを使えば容易に 実現できる。 高温超伝導体(「HTS」)コイルで得られる利益は多大である。HTSコイ ルは、現在、利用できる冷凍システムで達成され得る温度(20K超)での高磁 界内で抵抗は極めて低く、運転可能である。コイルのファクターQはコイルの効 率の有用な尺度である。ファクターQは、Q=ωL/rで示され、ここでωは共 振周波数、Lはインダクタンス、rはコイルの抵抗である。良く設計された室温 用NMRコイルでは、約250の負荷時Qが達成される。HTSコイルは抵抗が 極めて低いので、10,000以上の負荷時Qを持つコイルも実現可能である。 しかし、この利点が実現できるのは、優秀なNMRプローブに必要な別の因子、 すなわち、妥当なフィリング・ファクタ(filling factor)、RF磁界およびDC 磁界の高い均質性が満たされた場合だけである。かくて、理想的なNMR用プロ ーブとは、所望の運転周波数で共振する送信/受信コイルを有し、均質なRF磁 界を発生し、DC磁界をあまり乱さず、高いフィリング・ファクタ(filling fac tor)を持ち、Qが高くて寄生損(parasitic loss)が少なく、試験片の全体積にわ たって高いRF磁界を生成するプローブのことであろう。 Marekのほかにも、他の発明者が磁気共振に使用するための薄膜超伝導体 RFコイルについて報告している。例えば、Withersは米国特許第5,2 76,398号において、磁気共鳴撮像用の薄膜HTSプローブについて記載し ている。この特許では、ターン数2以上の渦巻形のインダクタを持つ薄膜コイル と、そのインダクタから延在する容量性要素とが開示されている。Wither sは、このようにして薄膜の分布静電容量のプローブ用コイルを提供している。 しかし、この特許は、コイルによる磁界擾乱の最小化にも取り組んでいないし、 コイルの電流容量の最大化にも取り組んでいない。 WithersらのU.S.S.N.08/313,624は、参照のために本明 細書に取り入れられるが、NMR分光器使用に適する1つのタイプのコイル設計 を呈示している。この設計は、1つの縁端に沿って単一のインターデジタルコン デンサを有する単一のループで構成されている。そのRF性能は十分なものであ るが、本発明によって修正されるいくつかの欠陥を持っている。同様に、Bla ckは米国特許第5,258,710号で、NMR顕微鏡検査用のHTS薄膜受 信コイルについて記載している。Blackはスプリット・リング、ソレノイド 、サドル・コイル、ブリッジ・コイル、および「ヘルムヘルツ対」と記述された コイルを含むいくつかの実施例を開示している。Blackの実施例は、本質的 には従来のNMRコイル設計であり、高温超伝導材料独自の特性には取り組んで いない。 超伝導体は、これらのコイルに使用する場合は極めて魅力的な材料となる。そ れは、超伝導体は無線周波数において抵抗が極めて低く、従ってほとんどノイズ を発生しないからである。たとえノイズを生じたとしても、高いSN比(SNR )を得るためには、コイルは試験片にできるだけ接近しなければならない。残念 ながら、このことは、コイル材料を少しでも磁化したら、試験片の全体積にわた るDC分極磁界(B0)の一様性に悪影響が及び、スペクトル上の線形の歪みと SNRの劣化が生じることを意味する。超伝導体は強い反磁性体であるため、線 状の歪みが甚だしくなる可能性がある。 高温超伝導体(HTS)は、NMRコイルでの使用に特に魅力的である。なぜ ならば、NMRコイルは20ないし80Kの温度で作動できるので、冷凍装置を 使用することができ、冷却用液体ヘリウムを使用するには及ばないからである。 しかし、薄膜HTS膜には次のような制限が付け加わる。 薄膜HTSコイルは、一般金属のコイルの場合には存在しない設計問題および 処理問題を提起する。第1に、高温超伝導体は、最適性能を得るために配向性の 良い結晶構造を必要とする灰チタン石セラミックスである。そのような配向性は 非平面の基板上で達成するのは極めて難かしい。一般に、そのようなコイルは、 平面基板上にエピタクシー技術を用いて膜が被着されることが好ましい。しかし 、これは高いフィリング・ファクタ(filling factor)の達成をより困難にする。 コイルはまた、超伝導膜の、交わる部分のない単一層の形で被着されることが望 ましい。第2に、コイルは一様な磁界を生成して磁石の磁界(B0)の歪みを避 けながら、比較的高い電流を処理できなければならない。HTS膜が平面基板上 にエピタクシー的に被着された場合でも、結晶欠陥が不可避的に起こる。この結 果、高電流にさらされたコイルの明かな特徴であるバーンアウト(焼損)が生じ ることになる。第3に、当業界では、HTSと一般金属との間にオーム接点を形 成することは難しく、一般に接点で寄生損(parasitic loss)を起こすうことは周 知のとおりである。金属素子の抵抗損のせいで、TSHの使用により得られる利 益が、一般金属がコイルに使われている程度まで減じるのであろう。従って、理 想的なプローブは一般金属の導体を避けるのが望ましい。われわれは、高温超伝 導体から作られた超伝導NMR分光器プローブ用コイルに特有の必要条件を考慮 に入れた先行技術があるのを知らない。 発明の大要 本発明の目的は、薄膜状酸化膜超伝導NMRプローブ用コイルを提供すること にある。本発明の別の目的は、試験片の全体積にわたる分極磁界の一様性に及ぼ すHTSコイルの影響を減じることにある。本発明の別の目的は、コイルのRF 電流容量が高いNMRコイルを提供することにある。本発明の更に別の目的は、 試験片の体積を取り囲んで中に入ってくる、コイルからの電界が低いNMRコイ ル、従って低ノイズのNMRコイルを提供することにある。本発明の更に別の目 的は、運転電流での導体のバーンアウトによる周波数偏移に耐えるNMRコイル を提供することにある。 本発明のこれらの目的およびその他の目的は、複数の入れ子型ループを形成す る導電性材料の薄膜から作られたRFコイルを提供することにある。それらのル ープは各々、ギャップを画定する非導電性領域によって遮断されている。隣接す るループ同士は、どのループのギャップも隣接するループのギャップのごく近く には配置されないように入れ子構造になっている。コイルは、全体を通じて実質 的に均一な幅を有している。好適な実施例では、ギャップは対称に配置され、実 質的に等しい静電容量を持つ容量性要素を成す。ギャップによって画定されるル ープのセグメントはフィンガーを形成しており、フィンガーは隣接するギャップ (すなわちループ・セグメントの1/2)同士の間に配置されたループ・セグメ ントとして画定される。ループは誘導性要素を成し、隣接するフィンガーは容量 性要素を成している。コイルは平面基板上の高温超伝導体の薄膜で形成され、y 方向にもz方向にも対称であることが好ましい。ここで、zは分極磁界B0の方 向、yはzと直交するコイル平面である。コイルは直列接続の複数のコンデンサ を含むことが望ましい。 本発明の別の実施例では、コンデンサを成すフィンガーは、磁化を減少させる ため、各々小フィンガーに分割される。LC共振構造体を用いて磁化を減少させ なければならない全ての応用分野で、小フィンガーは利益を提供するものである 。更に別の実施例では、コンデンサは、コイル全体を通じてほぼ一定の電流密度 を維持するため、電流の方向にテーパを付けられている。 NMR分光器使用の場合、これらのコイルは、通常、コイル内の10アンペア 以上の電流で10ないし1000MHzの範囲の適切な周波数の信号を送信およ び受信しなけれなばらない。このため、HTS薄膜内では、1平方センチ当た 密度が必要となる。このような状況下で、われわれは、コイルの共振周波数が突 然に不可逆的に上方に偏移し、コイルが使用不能に陥る現象をしばしば観測した 。これは、容量性フィンガーのうちの1フィンガーのある小領域が抵抗性となっ たため、コイルの蓄積エネルギー放出され、その小領域の導電性が破壊される結 果となったため、周波数が偏移するものと考えられる。フィンガーを切り離して 回路から取り外すと、その共振周波数は上昇する。 われわれは、最終的なトリミング処理に先立ってコイルにストレスを加え、す なわちコイルを「バーンイン」し、その結果、故障しそうなフィンガーが最終的 なトリミングの前にバーンインされるようにする方法を考え出した。本質的な第 1のステップは、コイル設計において、欠陥フィンガーが全部除去されてもコイ ルの共振周波数は依然として所望の運転周波数を下回るほど、必要以上の静電容 量を供給してやることである。バーンインの後、コイルは所望の共振周波数にト リミングされる。 図面の簡単な説明 図面について説明する。なお、図面中、同一の参照番号は類似部分を示すもので ある。 図1aはU.S.S.N.08/313,624によるコイルを示す。 図1bは図1aのコイルの等価回路を示す。 図2aは本発明の2-コンデンサ実施例を示す。 図2bは図2aのコイルの等価回路を示す。 図2cは図2aのコイルの別形で、配線されていない状態を示す。 図3は本発明の4-コンデンサ実施例を示す。 図4は本発明の3-コンデンサ実施例を示す。 図5は小フィンガーを有する、本発明の実施例を示す。 図6a、b、cはテーパ付き導体を有する、本発明の実施例を示す。 図7は単純化された2-コンデンサ・コイルを示す。 図8は図7のコイルの電流・電圧分布を示す。 図9は単純化された1-コンデンサ・コイルを示す。 図10は図9のコイルの電流・電圧分布を示す。 図11は本発明の単一コンデンサの実施例を示す。 図12はトリミングに先立つコイルのバーンイン用の取付具を示す。 図13はコイルを含むバーンイン用取付具の等価回路を示す。 図14は、受信ループに結合された電力を、バーンイン用取付具の中のコイル のための周波数の関数として示す。 実施例の説明 図1aはWithersらによるNMRコイルを示す。このコイルは、1つの 縁端に沿う単一のインターデジタルコンデンサ12を有する、ターン数が2以上 の単一のループ10のインダクタで形成されている。このループは長さと幅を有 し、直角の隅14を持つ。Withersの別の実施例は、連続的な渦巻構造体 またはクロスオーバ部を持つ渦巻を有している。図1bは図1aのコイルの等価 回路を示す。図1aのコイルのRF性能はある応用分野にとっては十分であるが 、この設計は、本発明が避けようと努めるいくつかの制約を持っている。第1は 、この設計はz方向に非対称で、またy方向にも、z方向の場合より程度は落ち るが非対称であることである。非対称だと、コイル内の中心部に置かれた試験片 全体にわたる磁気の非均質性が大きくなるので、y方向にも、z方向にも非対称 を避けることが望ましい。第2は、この設計は単一コンデンサを持つことである 。その結果、ループのインダクタンスに沿って現れる電圧ωLIがほとんどコイ ル全幅を横切る単一の電気双極子として存在し、その電界が試験片体積内に達す ることである。理想的なコイルでは、磁界は試験片体積に結合されるが、電界の 方は、時間変化する磁界によって誘導される電界を除けば、試験片体積に結合さ れない。第3は、隅の近くに電流の密集が起こり、全体としてコイルの電流容量 を制限することである。第4は、最も重要であるが、超伝導体は分極磁界に呼応 して、コンデンサ内を除き単一の線の形をしているので、DC遮蔽電流が比較的 大きなループの中を流れ、試験片体積内の分極磁界に大きな不均質性を持ち込む 。本発明は、磁気擾乱を最小限に抑える構造体を提供する一方、他の特性を改善 することによって、図1のコイルよりも有利な点を提供するものである。 図2aは図1aのコイルよりも対称性の良い本発明の第1のコイルを示すが、 これは直列接続の2個のコンデンサの使用によって得られたものである。図2a は一定の倍率で描いていないが、むしろ本発明の特徴をより良く説明できるよう に描いている。超伝導膜は2組の細長い、相互嵌合した導体20、22を形成し 、この導体20、22は、その端子間に各々ギャップ25を持ち、ターン数が1 より僅かに少ないループを形成している。1組の導体は、コイルの共通のラジア ンに沿って整列されたギャップを有する1個以上の導体から成る。2組のコイル のギャップはコイルの軸に対して対称に配置されている。各ループは、電流密集 を避けるために隅24を丸めてある。コイルは実質的に均一な幅を有している。 コイルの外周のまわりの連続したギャップの間の隣接導体は、コンデンサを形成 している。本明細書で表現しているように、2つのギャップの間の導体部分は「 フィンガー」である。2-コンデンサ・コイルの場合、ループは2本のフィンガ ー30から成ることは容易に分かるであろう。コイルの各ループは、入れ子構造 体を収納するため、外周長が隣接するループの外周長とは僅かに異なる。RF電 流はループのまわりを流れる。図2aで、ループの各組はノード(節)26、2 8で接合される。図2cに示し、後で論議するように、ノードは機能的なコイル には必要ないが、ノードを含むことによってコイルの歩留まりは改善できる。図 2bの等価回路に示すように、相互嵌合の導体は直列接続の2個のコンデンサを 形成する。図2a、2cのコイルは2つの平面について完全な鏡面対称(このた めには、対称に配置されたコンデンサが4個必要である)は達成しないが、図1 aのコイルに比べればかなり対称形である。 NMR分光器コイルの場合、コイルの総合的な寸法は、試験片体積に対してフ ィリング・ファクタ(filling factor)を最大にするように選ばれる。5mmの試 験片チューブの使用に適したコイルの内側寸法は1.7cm×1.2cmである 。次に、後で討議する原理に応じて、またプローブ組立体のための所望共振周波 数を達成するために、フィンガーの数が選ばれる。2個のコンデンサを有する1 実施例では、7つのループが使われ、50μmのループ間ギャップが6つ与えら れた。 図2aのコイルに開示された原理は、直列接続の、対称に配置されたN個のコ ンデンサを有するコイルにも拡張できる。その場合、各フィンガーはコイルの外 周の1/Nを占め、相互嵌合の導体は各々、コイルの外周の2/Nより僅かに少 ない全長を持つ2個の隣接コンデンサの一方から成る。導体は容量性セグメント を切り離すギャップを有するループを完成させるために、2個づつ対にしなけれ ばならない。こうして、各ループはコイルのN個のコンデンサ全部にまたがって 延在する。 図3は対称に配置された4個のコンデンサを有するコイルを示す。4組の導体 32がコイルのまわりに対称に配置されている。各導体は、コイルの外周長の1 /2からループ間ギャップ25の長さを減じた長さを有している。図2aでは、 各コンデンサの一定の側のフィンガーは全て「タイ・ポイント」、すなわち、コ イルの頂部と底部の接合ノードで電気的に短絡されているが、図2aのコイルと は異なり、図3のコイルにはそのようなノードは存在しない。コンデンサの片方 の電気側のいくつかのフィンガーの間に電圧をかけるのは望ましくない。従って 、これらのタイ・ポイントは低電流性能にあまり影響することなく、除去するこ とができる。図4は、3組のギャップ25が3個のコンデンサを成してコイルの まわりに対称に配置されているような3組の導体32を有するコイルを示す。コ イルは、いかなる所望コンデンサ数の場合でも設計できることが容易に分かるで あろう。 ループ内で2個以上のコンデンサを直列に使用すると、設計の別の要素に影響 を与える。直列に接続された静電容量CのN個のコンデンサの実効静電容量はC /Nであるため、この場合に必要な総静電容量は、単一コンデンサ設計の場合に を達成するためには、より細い線が必要である。細い線にすれば、遮蔽電流ルー プの幅、従って磁気擾乱を低減できるという利益が当然の帰結として生じるが、 これは膜被着の能力と、細い線で無欠陥のコイルを作るフォトリソグラフィ処理 の能力とによって制約される。所要の静電容量を達成するためには、コンデンサ の長さをできるだけ伸ばさなければならない。コイルの長さ、幅、インダクタン ス、静電容量の選択に関する考察点がWithersのUSSN 08/409 ,506で更に論じられている。 所望の静電容量に必要な幅の単一線フィンガーでは、十分に小さな遮蔽電流は 得られない場合もある。遮蔽電流を更に減らすためには、コンデンサ・フィンガ ーの個々の線をRF電流と平行な方向に細長く裂くことができ、その結果、「小 フィンガー」の数「m」が創成される。これによって、RF性能は影響を受けず (除去された材料の量に比例する小さな影響を除けば)、磁化効果がほぼ1/m に減少する。図5は、インターデジタルコンデンサの各フィンガー30を4ない し6本の小フィンガー44に裂いた設計の一部を示す。小フィンガー42同士の 間のギャップは、小フィンガー間に小さな電圧しか生じないので、最小(例えば 10μm)にすることができ、その結果、フォトリソグラフィの欠陥から生じる 短絡によって、B0の一様性が橋絡欠陥の臨界電流のみに比例して劣化するであ ろう。小フィンガーは共通ノード46によって任意選択で接合できる。 図6aは、全長に沿ってテーパが付いているインターデジタル導体50を含む コイルを示す。ギャップ、すなわち導体52同士の間の間隔は、その全長にわた って一定に保たれている。図6bは単一導体の先端の拡大図である。テーパ付き 導体50は、その先端が切られている。図6cは、導体同士間に均一な間隔52 を持つ1対の隣接したテーパ付き導体50の拡大図を示す。電極にテーパを付け ると、超伝導膜の電流容量を最も適切に利用することができる。電流がコンデン サの別の(電気)側のフィンガーに伝達されるとき、各フィンガーによって運ば れる電流はそのフィンガーの端部に向かって直線的に減少するので、この方法を 用いれば単位膜幅当たりの電流を一定に保つことができる。導体を、最も必要と される場所に配置すれば、テーパを付けることによってコイルのRF抵抗も減り 、従ってRF抵抗のシステムノイズへの寄与も減る。同様に、コンデンサの最も 外側と最も内側の線は、内側コンデンサの電流の半分しか運ばず、他のフィンガ ーの半幅しか必要ない。また同様に、コンデンサの最も外側と最も内側の線は長 さがより短いので、コイルの中心に近い方の導体は、外側の導体よりも少ない電 流しか運ばない。 分布コンデンサ設計についての理解は、次の解析によってある程度得ることが できる。図7に示した設計について考える。これは、解析を単純化するため円形 とした2-コンデンサ設計である。設計されたものは、次のように解析すること ができる。 外側の導体を流れる電流Io(φ)と内側の導体を流れる電流Ii(φ)とを考える 導体に沿う電圧は、それぞれVo(φ)とVi(φ)である。電流の保存によって、角 度に無関係に、Io(φ)+Ii(φ)=Iであることが必要である。どちらの導体に 沿う電流についても、1ラジアン当たりLのインダクタンスが存在する(ro≒ riの場合はどちらの導体でもほぼ同じ)。また、導体同士の間に1ラジアン当 たりCの静電容量が存在する。そこで、次の微分方程式を書くことができる。 dVo/dφ=dVi/dφ=−jωLI (1) また dIo/dφ=−dIi/dφ=−jωC(Vo−Vi) (2) 式(1)は、内側と外側の線の間の電圧の差は角度に無関係であること、すなわ ち、不連続点を除いてVo−Vi=△Vであることを必要条件とする。次に式(2 )は、内側と外側の電流は角度に関する単純な線形関数であることを必要条件と する。電流は、φ=0の外側ループでゼロ、またφ=πの内側ループでゼロとい う境界条件を用いれば、図8に示す電流・電圧分布を導き出すことができる。各 フィンガーの全長に沿って電流を線形変化させることが、図6に示すような線形 にテーパリングしたフィンガー幅を生み出す動機となった。一定の電圧差を保つ ためには、一定のギャップ寸法(例えば50μm)が必要である。ギャップ幅は ピーク送信電圧の半分に耐えるように選ばれる。 ことができる。 コイルの全インダクタンスと全静電容量、すなわちLT=2πL、CT=2πC によって、上式は次のようになる。 かくて、図7のコイルは、分布静電容量全体の4分の1である同調コンデンサ が付いたターン数1のインダクタとして扱われる。このコイル設計は、磁気共鳴 顕微鏡検査のために用いられるコイル設計の平面、インターデジタルバージョン と見られ、Black et al.の”A probe for specimen magnetic resonance micro scopy”(「試験片の磁気共鳴顕微鏡検査のためのプローブ」),Investigative Radiology 27,157(1992)、およびBlack et al.の”A high-temperture superc onducting receiver for nuclear magnetic resonance microscopy”(「高温核 磁気共鳴顕微鏡検査で用いられる高温超伝導受信器」),Science,vol.259,p. 793,(1993)によって説明されている。実際に、この解析は、構造体の2つの 側の2個のコンデンサを、単に一まとめの値を持つものとして扱うための設計指 針を補強するものである。 上の解析は、各電気側に1本だけのフィンガーを持つインターデジタルコンデ ンサーを示す図7の状況下で導き出される。この解析は、ある、単位長さ当たり の静電容量によって特徴づけられ得る限り、いかなる種類(例えばインターデジ タル型平行板)の分布コンデンサにも一般化できることは明かである。多重フィ ンガー設計(図2a)の場合には、われわれは単位長さ当たりの静電容量は、コ ンデンサの各々の側の隣接縁端の数に比例すると仮定している(例えば、図2a の設計では各コンデンサに6つの縁端がある)。 重水素ロック(deuterium lock)に望まれるような低周波運転の場合、または動 物生体NMR顕微鏡検査等の低磁界応用の場合には、以上の設計手法を用いて十 分な静電容量を得るのは困難であろう。図9は、かなりの周波数低減をもたらし 得る改良設計を示す。この設計は実質上、ターン数1のインダクタのまわりに分 布する単一コンデンサを使っている。式1〜3は、図6の設計だけでなく、この 設計にも当てはまる。しかし境界条件は両者の間で極めて異なっている。コイル 内の電流・電圧分布を図10に示す。最も重要なことは、共振周波数がfres= ・ループのインダクタンスで、CTは全分布静電容量である。静電容量の分布特 性は、共振周波数には影響を及ぼさないことが分かる。 図11に示すように、単一コンデンサ設計は2対以上のフィンガーに拡張でき る。円形フィンガー60は、左から右に向かって、一つおきに共通のノード(頂 部)62に結び付けられる。同じ解析が当てはまるが、この場合は多数のフィン ガーによって生じる高い値の、1ラジアン当たりの静電容量を使って解析がなさ れることになる。 好適な実施例では、超伝導膜は、77K以上の温度で低い無線周波数表面抵抗 を有する高温超伝導体である。これらの材料はYBaCuO、TIBaCaCuO、 BiSrCaCuO、および関連する灰チタン石化合物を含む。膜被着はスパッタリ ング、レーザ融除、蒸着、または化学的気相成長等によって行うことができる。 基板はサファイア(Al2O3)、LaAlO3、SrTiO3、MgO、イットリウム 安定化ジルコニウム(YSZ)、またはその他の材料、あるいはこれらの基板を 緩衝層と組み合わせたもの等である。 本発明の好適な実施例、特に多重コンデンサを小フィンガーと組み合わせたも のは、10μmという細い導線と、所望の共振周波数に極めて近い、コイルの非 同調共振周波数を必要とする。このことは、2つの難問を提起することになる。 第1は、超伝導体の線の結晶構造内の不純物が、コイルの作動に必要な電流負荷 の際に導体のバーンアウトを引き起こすおそれがあることである。第2は、NM R分光器コイルの共振周波数は、負荷時のQ(QL)の逆数よりもずっと少ない 分数の精度まで同調されなければならないので、10,000の範囲の負荷時Q を持つ高温超伝導(HTS)薄膜で作られたNMRコイルにとって、同調は重要 な問題になる。機械的に制御された手段を用いる実時間での可逆同調は、NMR 測定の直前あるいは測定中に共振周波数を調整するために用いることができるが 、その可逆同調はQLの低下と振動感度の増大という犠牲を払って達成されるの で、機械的同調範囲を最小限に抑えておくことが望ましい。 導体のバーンアウト問題と、コイルの共振周波数の合成偏移の問題とに対処す るため、われわれは最終的なトリミングに先立ってコイルにストレスを加え、す なわちコイルを「バーンイン」し、その結果、故障しそうなフィンガーが最終的 なトリミングの前にバーンインされるようにする方法を考え出した。本質的な第 1のステップは、コイル設計において、欠陥フィンガーが全部除去されてもコイ ルの共振周波数は依然として所望の運転周波数を下回るほど、必要以上の静電容 量を供給してやることである。コイルは、共振周波数が所望の運転周波数を3な いし5パーセントだけを下回り、静電容量の6ないし10パーセントを除去でき るよう設計されるのが普通である。「バーンイン」に関しては、コイルは最初、 図12に示す簡単な取付具に取り付けられるが、この取付具はデュアー瓶内の冷 たいヘリウム・ガスで冷却することができる。この取付具は、小さなループ84 、86の付いた2本の同軸ケーブル80、82を有するが、この小さなループ8 4、86はコイル90の近くでこのケーブルの端末を成している。このコイルに 対する2つのループの相対位置は、取付具の頂部に取り付けられたマイクロメー タ92を室温で調節することによって変えることができる。図13はバーンイン 装置におけるコイルの等価回路を示す。1本のケーブル80がRF電力源に接続 されている。この「送信」ケーブルに取り付けられたループ84は、一般にRF 電力源がコイル90に強く結合されるよう調整される。RF電力源は通常、回路 網解析器102によってドライブされる増幅器100である。別のループ86は 、コイル内の実電流が監視され得るようにこの回路網解析器102に接続されて いる。この「受信」ループは、コイル内への電力の流入をあまり乱さないように 、コイルに弱く結合してある。 図14は、7テスラの磁界内のバーンイン装置におけるコイルから受け取られ た電力を示す図である。測定とバーンイン処理は次のように進行する。 先ず、RF電力源を低電力(一般に0.1mW)に設定し、送信・受信ループ は、この受信ループに結合される電力が有能電力(20db以上の挿入損)の1 %のみであるように、共振周波数fresでのコイルからの反射電力が最小化され るように、すなわちコイルが電力源に整合するように、またRF電力源からの有 能電力は全てコイル内で消費されるように調整する。これを一層低い電力で繰り 返すと、コイル抵抗が電流には無関係である領域での運転を確保することができ る。RF電力源周波数を共振点を通して掃引すると、受信ループに結合された電 力は図14の最も下の曲線を描く。 次に、そのコイルに整合したQ値、すなわちQm、下記の式から得られる3-d B点での共振線の全幅Dfから計算される。 Qm=fres/Df また、コイル抵抗Rは次の式から計算される。 R=(2πfresL)/(2Qm) ここでLはコイルのインダクタンスである。分母は無負荷時のQで、整合Qの2 倍である。このような状況下で、共振時のコイル内を流れる電流の実効値は、次 式から計算される。 ここで、Pは電力源からの有能電力である。図14に示すように、有能電力が− 33dBm(0.5μW)であるこの例のコイルの場合には、14mAがコイル を通して流れる。 その後、有能電力は増加するが、受信ループに結合された電力がこの図に追加かなる点における電流も容易に計算される。有能電力は、共振点において観測さ れる電流が所望のバーンイン・レベルに達するまで増大する。このバーンイン・ レベルは一般のNMR応用例の場合には5ないし50アンペアである。このため 、整合Qが10,000で、インダクタンスが30nHである一般的なコイルの 場合、10W以上のRF電力が必要になるであろう。RF電力源は、バーンイン を達成するため、ある延長された時間(秒)の間、そのコイルの共振周波数にと どまることが可能になる。代わりの方法として、RF電力源は、NMR送信動作 をシミュレートするため、パルス化することもできる。コイルの運転環境を最も 完全にシミュレートするためには、図14に示すように、バーンイン処理を磁石 の内側のコイルについて行えばよい。 バーンイン処理の間、コイル共振周波数の偏移が見られた場合はいつでも、低 電力での共振周波数およびQを測定しながら、この処理を最初から繰り返す。こ の作業は、コイルが周波数偏移を受けることなく所望の電流レベルに耐え得るよ うになるまで行う。 バーンインが終わった後は、コイルを所望周波数に同調させる作業を、フォト リソグラフィ、レーザ・トリミング、または超短波トリミング等の技法によって 遂行する。図1aに示すコイルは一例として使用することができる。このコイル の所望の運転周波数はfop=300MHzである。このコイルは、そのインダ の295MHzとなるように設計される。実共振周波数f1は、プローブへの弱 い誘導性結合を伴う上述のRF回路網解析法を用いて測定される。プローブは、 それがNMR測定に使われる時と同じ温度であり、またNMR測定時と類似の電 気的環境(例えば、測定に用いらるべきNMRプローブの場合のように電気遮蔽 が存在する)にあることが重要である。 周知の、共振周波数の静電容量依存性から、静電容量の所望の減少割合は、小 さな割合の補正の場合には次式のように算出できる。 △C/C=2(1−fl/fop) 図1aのコイルの場合には、インターデジタルコンデンサの電極のどちらのセ ットの縁端の総数も線形である。従って、縁端長さを△L=L△C/Cだけ減ら すフィンガー数は、除去することが望ましい。ここで、Lは初期の縁端長さであ る。この除去を正確に完遂するためには、コイルをフォトレジストで覆い、除去 さるべきフィンガー領域を、長さと幅が可変で、顕微鏡で角度調整された長方形 のスリットを通過した光で1回以上露出してやればよい。除去さるべき所定領域 の測定には、小さなチック・マーク、すなわちフィンガー領域の全長に沿って一 定間隔を置いて存在するパターン上に与えられた「定規」が役に立つ。レジスト を形成し、薄膜を化学的にエッチング、すなわちイオンエッチングする。重要な ことは、全領域が除去されることであって、切り離されることではない。それは 、切離し部分には著しい漂遊容量が生じることが分かっているからである。この 技法を用いた場合、1工程で0.03%の精度が達成された。この処理法は、別 のタイプの設計の平行板コンデンサにも適用でき、コイルの電気的特性を劣化さ せない方法である。 この技法の別形は、コイルの静電容量を現場で、すなわちその共振周波数を測 定しながら、トリミングすることである。この手法では、低温測定環境でトリミ ングしている間にコイルを観測するための、コイルに合焦されたレーザと適切な 光学機器が必要になる。 結論 本発明の精神と範囲に反することなく数多くの変更が可能であることは、当業 者には理解されるであろう。例えば、本発明は低温超伝導体にも、室温または低 温における一般金属導体にも等しく適用できる。低温超伝導体コイルは、運転温 度が20K超であるという利益は提供しないが、極めて高いQを達成することは 可能である。一般金属コイルは、超伝導体コイルの持つ高いQを実現することは できないが、本発明のある一定の態様の応用から恩恵を受けることができ、少な くとも最低限の機能性は有している。コイル設計は、試験片の大きさと形状に依 存するフィリング・ファクタ(filling factor)に関して最適化することができ、 所望の共振周波数を目指す設計が可能であることも了解されるであろう。更に、 本発明はNMR分光器使用およびNMR顕微鏡検査にとって、また磁気共鳴撮像 にとっても有用であることが理解されよう。 以上述べてきた開示は多くの特殊性を含むが、これらは単なる例として示した ものであることを了解されたい。本発明の範囲は以上に示した特殊の例によって 限定さるべきものではなく、添付の特許請求の範囲ならびにそれらの合法的な均 等物によってのみ制約さるべきものである。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】1997年5月9日(1997.5.9) 【補正内容】 請求の範囲 1.複数の入れ子型ループを形成する導電性材料の薄膜を含む、磁気共鳴分光器 使用または磁気共鳴顕微鏡検査のためのRFコイルであって;前記ループは各々 、ギャップを画定する非導電性領域によって遮断され;隣接するループ同士は、 どのループのギャップも隣接ループのギャップのごく近くには配置されないよう に入れ子構造になっており;各ループは第1のフィンガーと第2のフィンガーと を有して、フィンガーは、1つのループのギャップと隣接ループのギャップとの 間に配置された1つのループの一部として画定され;それによって、前記ループ は誘導性要素を形成し、前記複数の入れ子型ループのうちの1つのループのフィ ンガーは、前記複数の入れ子型ループのうちの隣接ループのフィンガーと共に容 量性要素を形成するようにしたことを特徴とするRFコイル。 2.前記導電性材料が非導電性基板上に固定されていることを特徴とする、請求 項1に記載のコイル。 3.前記基板が平面であることを特徴とする、請求項2に記載のコイル。 4.前記導電性材料が超伝導体であることを特徴とする、請求項1に記載のコイ ル。 5.前記超伝導体が高温超伝導体であることを特徴とする、請求項4に記載のコ イル。 6.各ループが複数の対称に配置された非導電性領域を含むことを特徴とする、 請求項1に記載のコイル。 7.各ループのギャップが別のループのギャップと位置合わせされ、隣接ループ と共に、複数のフィンガーを含む単一の容量性要素を形成するような、複数の非 隣接式の入れ子型ループを更に含むことを特徴とする、請求項1に記載のコイル 。 8.2つ以上のループのフィンガーにつながる導電性材料を更に含むことを特徴 とする、請求項6に記載のコイル。 9.フィンガーが細長く、その長手方向軸に沿って平行に分割されて複数の小フ ィンガーになっていることを特徴とする、請求項1に記載のコイル。 10.前記ループが湾曲した導電性材料のセグメントを含むことを特徴とする、 請求項1に記載のコイル。 11.NMRプローブ用コイルを製作する方法であって、 (a)基板上に導電性膜を被着する工程と; (b)前記コイルがその所望共振周波数より低い予想共振周波数を有するような 誘導性要素と容量性要素とを有するコイルを形成するために、前記膜にパターン を付ける工程と; (c)前記予想共振周波数、またはその近傍において、RF電力を前記コイルに 結合する工程と; (d)前記コイルの第1の観測される共振周波数を測定する工程と; (e)前記コイルの観測される共振周波数、またはその近傍において、該コイル へのRF電力を増加させる工程と; (f)前記コイルの前記共振周波数が、新しい、観測される共振周波数へ変化す る状態を観測する工程と; (g)前記観測される共振周波数、またはその近傍において、該コイルへのRF 電力を増加させる作業を、前記コイルに対する所望の電力に達するまで繰り返す 工程と; (h)前記容量性要素の一部を除去することによって、コイルを同調させる工程 と; を含むことを特徴とする方法。 12.前記基板がサファイア、LaAlO3、MgO、SrTiO3、およびYSZか ら成るグループから選ばれることを特徴とする、請求項11に記載の方法。 13.前記導電性膜が超伝導体であることを特徴とする、請求項11に記載の方 法。 14.前記超伝導体が30Kより高い臨界温度を有する酸化膜超伝導体であるこ とを特徴とする、請求項13に記載の方法。 15.前記膜被着がスパッタリング、レーザ融除、蒸着、または化学的気相成長 によって実施されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。 16.前記除去作業が一定の間隔を置いて配置されたチック・マークを有するマ スクを供給することによって実施されることを特徴とする、請求項11に記載の 方法。 17.前記除去作業がフォトリソグラフィ、レーザ・トリミング、または超音波 トリミングによって実施されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。 18.前記除去された容量性要素の前記部分が次の公式: △C/C=2(1−f1/fop) によって決定され、ここで△C/Cは前記コイルの静電容量の所望の割合変化で 、f1/fopは前記コイルの観測される共振周波数と前記コイルの所望の共振周 波数との比であることを特徴とする、請求項11に記載の方法。 19.入力電力を加えながら、磁界に前記コイルを入れる工程を更に含むことを 特徴とする、請求項11に記載の方法。 20.磁気共鳴分光器使用または磁気共鳴顕微鏡検査のためのRFコイルであっ て、容量性要素と誘電性要素とを含む導電性材料を有し、前記誘電性要素は、各 々幅が約w/2である2本の外側フィンガーを有する2つの外側ループと、幅が wである2本の内側フィンガーを有して前記2つの外側ループの間に配置された 内側ループとを含み、前記外側および内側フィンガーのうちの少なくとも2本は 互いに隣接して配置され、容量性要素を形成するようにしたことを特徴とするR Fコイル。 21.前記導電性材料が基板上に被着されることを特徴とする、請求項20に記 載のコイル。 22.前記導電性材料が超伝導体であることを特徴とする、請求項20に記載の コイル。 23.前記超伝導体が高温超伝導体であることを特徴とする、請求項21に記載 のコイル。 24.前記内側フィンガーがテーパを付けられていることを特徴とする、請求項 20ないし22のいずれか1つに記載のコイル。 25.平面の基板上に導電性材料の薄膜を含むRFコイル内のインダクタに使用 するためのコンデンサであって、前記膜は、第1のテーパ付きの細長いフィンガ ーと第2のテーパ付きの細長いフィンガーとを含み、各フィンガーは広い端部と 狭い端部とを有し;前記第1のフィンガーの広い端部は前記第2のフィンガーの 狭い端部のごく近くに配置され、前記第1のフィンガーの狭い端部は前記第2の フィンガーの広い端部のごく近くに配置され、隣接するフィンガー同士はそれら の間に均一なギャップを形成し、それによって、前記第1および前記第2のフィ ンガーの間に容量性要素が形成されるようにしたことを特徴とするコンデンサ。 26.前記第1または第2の細長いフィンガーの少なくとも1本が、隣接するフ ィンガーに比べて長さが短いことを特徴とする、請求項25に記載のコンデンサ 。 27.平面の基板上に導電性材料の薄膜を含む[磁気共鳴装置の誘導性共振器に 使用するための]コンデンサにおいて、前記膜が: 少なくとも1本のフィンガーを含む細長い導電性フィンガーの第1の組であっ て、各々第1の末端と第2の末端とを有し、その第1の末端からその第2の末端 にかけて実質的に単調なテーパの付け方をされるようにした導電性フィンガーの 第1の組と; 少なくとも1本のフィンガーを含む細長い導電性フィンガーの第2の組であっ て、 各々第1の末端と第2の末端とを有する導電性フィンガーの第2の組とを含み、 該第2の組が前記第1の組と相互嵌合して配置されるようにし、それによって、 前記第1の組の第1の末端は前記第2の組の第2の末端のごく近くに横たわり、 隣接するフィンガー同士はそれらの間にほぼ均一な幅のギャップを画定するよう にしたことを特徴とするコンデンサ。 28.前記導電性材料が超伝導体であることを特徴とする、請求項27に記載の コンデンサ。 29.前記超伝導体が高温超伝導体であることを特徴とする、請求項28に記載 のコンデンサ。 30.前記第1の組のうちの少なくとも1本のフィンガーが、隣接するフィンガ ーに比べて長さが短いことを特徴とする、請求項27に記載のコンデンサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(KE,LS,MW,SD,S Z,UG),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD ,RU,TJ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ ,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CZ, DE,DK,EE,ES,FI,GB,GE,HU,I L,IS,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LK ,LR,LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK, MN,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,R U,SD,SE,SG,SI,SK,TJ,TM,TR ,TT,UA,UG,UZ,VN (72)発明者 アンダーソン,ウエストン,エー. アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94306 サニーヴェイル,ラパラ アベニ ュー 763 (72)発明者 ワング,ワイ,ハ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 91754 モンテレイ パーク,ウエスト エル レペット ドライブ 671 (72)発明者 フクス,ルイズ,フェリペ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フレモント,イースト ワレン コモン 214 (72)発明者 コツボ,ビンセント,ワイ. アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94086 サニーヴェイル,バルボア コー ト #5 1228 (72)発明者 ウィザース,リチャード,エス. アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94086 サニーヴェイル,ウエスト マッ キンリー アベニュー 898 【要約の続き】 法を提供する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.複数の入れ子型ループを形成する導電性材料の薄膜を含む、磁気共鳴分光器 使用または磁気共鳴顕微鏡検査のためのRFコイルであって;前記ループは各々 、ギャップを画定する非導電性領域によって遮断され;隣接するループ同士は、 どのループのギャップも隣接ループのギャップのごく近くには配置されないよう に入れ子構造になっており;各ループは第1のフィンガーと第2のフィンガーと を有して、フィンガーは前記コイルの隣接するギャップ同士の間に配置されたル ープの一部によって画定され;それによって、前記ループは誘導性要素を形成し 、1つのループの第1のフィンガーは別のループの隣接フィンガーと共に容量性 要素を形成するようにしたことを特徴とするRFコイル。 2.前記導電性材料が非導電性基板上に固定されていることを特徴とする、請求 項1に記載のコイル。 3.前記基板が平面であることを特徴とする、請求項2に記載のコイル。 4.前記導電性材料が超伝導体であることを特徴とする、請求項1に記載のコイ ル。 5.前記超伝導体が高温超伝導体であることを特徴とする、請求項4に記載のコ イル。 6.各ループが複数の対称に配置された非導電性領域を含むことを特徴とする、 請求項1に記載のコイル。 7.各ループのギャップが別のループのギャップと位置合わせされ、隣接ループ と共に、複数のフィンガーを含む単一の容量性要素を形成するような、複数の非 隣接式の入れ子型ループを更に含むことを特徴とする、請求項1に記載のコイル 。 8.前記容量性要素のフィンガーにつながる導電性材料を更に含むことを特徴と する、請求項6に記載のコイル。 9.フィンガーが細長く、その長手方向軸に沿って平行に分割されて複数の小フ ィンガーになっていることを特徴とする、請求項1に記載のコイル。 10.前記ループが湾曲した導電性材料のセグメントを含むことを特徴とする、 請求項1に記載のコイル。 11.磁気共鳴コイル用の容量性要素において、導電性材料の第1の細長いフィ ンガーであって、ほぼその全長に沿って裂かれて、少なくとも2本の小フィンガ ーの間にギャップを画定する、少なくとも2本の小フィンガーになるようにした 第1の細長いフィンガーと、導電性材料の第2の細長いフィンガーであって、前 記第1のフィンガーが前記第2のフィンガーのごく近くに配置されるようにした 第2の細長いフィンガーとを含み、それによって、前記第1のフィンガーと前記 第2のフィンガーとの間に容量性要素が形成されるようにしたことを特徴とする 容量性要素。 12.NMRプローブ用コイルを製作する方法であって、 (a)基板上に導電性膜を被着する工程と; (b)前記コイルがその所望共振周波数より低い予想共振周波数を有するような 誘導性要素と容量性要素とを有するコイルを形成するために、前記膜にパターン を付ける工程と;(c)前記予想共振周波数、またはその近傍において、RF電 力を前記コイルに結合する工程と; (d)前記コイルの第1の観測される共振周波数を測定する工程と; (e)前記コイルの観測される共振周波数、またはその近傍において、該コイル へのRF電力を増加させる工程と; (f)前記コイルの前記共振周波数が、新しい、観測される共振周波数へ変化す る状態を観測する工程と; (g)前記観測される共振周波数、またはその近傍において、該コイルへのRF 電力を増加させる作業を、前記コイルに対する所望の電力に達するまで繰り返す 工程と; (h)前記容量性要素の一部を除去することによって、コイルを同調させる工程 と; を含むことを特徴とする方法。 13.前記基板がサファイア、LaAlO3、MgO、SrTiO3、およびYSZ から成るグループから選ばれることを特徴とする、請求項12に記載の方法。 14.前記導電性膜が超伝導体であることを特徴とする、請求項12に記載の方 法。 15.前記超伝導体が30Kより高い臨界温度を有する酸化膜超伝導体であるこ とを特徴とする、請求項14に記載の方法。 16.前記膜被着がスパッタリング、レーザ融除、蒸着、または化学的気相成長 によって実施されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。 17.前記除去作業が一定の間隔を置いて配置されたチック・マークを有するマ スクを供給することによって実施されることを特徴とする、請求項12に記載の 方法。 18.前記除去作業がフォトリソグラフィ、レーザ・トリミング、または超音波 トリミングによって実施されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。 19.前記除去された容量性要素の前記部分が次の公式: △C/C=2(1−fl/fop) によって決定され、ここで△C/Cは前記コイルの静電容量の所望の割合変化で 、fl/fopは前記コイルの観測される共振周波数と前記コイルの所望の共振周 波数との比であることを特徴とする、請求項12に記載の方法。 20.入力電力を加えながら、磁界に前記コイルを入れる工程を更に含むことを 特徴とする、請求項12に記載の方法。 21.磁気共鳴分光器使用または磁気共鳴顕微鏡検査のためのRFコイルであっ て、容量性要素と誘電性要素とを含む導電性材料を有し、前記誘電性要素は、幅 がwである2本の内側フィンガーを有する内側ループと、2つの外側ループとを 含み、各外側ループは、幅が約w/2である2本の外側フィンガーを有し、前記 内側および外側フィンガーは互いにごく近接して配置され、それによって、隣接 するフィンガー対の間に容量性要素が形成されるようにしたことを特徴とするR Fコイル。 22.前記導電性材料が基板上に被着されることを特徴とする、請求項21に記 載のコイル。 23.前記導電性材料が超伝導体であることを特徴とする、請求項21に記載の コイル。 24.前記超伝導体が高温超伝導体であることを特徴とする、請求項22に記載 のコイル。 25.前記内側フィンガーがテーパを付けられていることを特徴とする、請求項 21に記載のコイル。 26.前記内側フィンガーがテーパを付けられていることを特徴とする、請求項 22に記載のコイル。 27.前記内側フィンガーがテーパを付けられていることを特徴とする、請求項 23に記載のコイル。 28.RFコイル内のインダクタに使用するためのコンデンサであって、第1の テーパ付きの細長いフィンガーと第2のテーパ付きの細長いフィンガーとを含み 、各フィンガーは広い端部と狭い端部とを有し;前記第1のフィンガーの広い端 部は前記第2のフィンガーの狭い端部のごく近くに配置され、前記第1のフィン ガーの狭い端部は前記第2のフィンガーの広い端部のごく近くに配置され、隣接 するフィンガー同士はそれらの間に均一なギャップを形成し、それによって、前 記第1および前記第2のフィンガーの間に容量性要素が形成されるようにしたこ とを特徴とするコンデンサ。 29.少なくとも1本の前記フィンガーが、隣接するフィンガーに比べて長さが 短いことを特徴とする、請求項28に記載のコンデンサ。 30.1組のうちの、少なくとも1本の前記フィンガーが、隣接するフィンガー に比べて長さが短いことを特徴とする、請求項28に記載のコンデンサ。 31.磁気共鳴装置の誘導性共振器に使用するためのコンデンサにおいて、少な くとも1本のフィンガーを含む細長い導電性フィンガーの第1の組であって、各 々第1の末端と第2の末端とを有し、その第1の末端からその第2の末端にかけ て実質的に単調なテーパの付け方をされるようにした導電性フィンガーの第1の 組と; 少なくとも1本のフィンガーを含む細長い導電性フィンガーの第2の組であって 、 各々第1の末端と第2の末端とを有する導電性フィンガーの第2の組とを含み、 該第2の組が前記第1の組と相互嵌合して配置されるようにし、それによって、 前記第1の組の第1の末端は前記第2の組の第2の末端のごく近くに横たわり、 隣接するフィンガー同士はそれらの間にほぼ均一な幅のギャップを画定するよう にしたことを特徴とするコンデンサ。 32.前記導電性材料が超伝導体であることを特徴とする、請求項31に記載の コンデンサ。 33.前記超伝導体が高温超伝導体であることを特徴とする、請求項32に記載 のコンデンサ。
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