JP6677573B2 - 磁気共鳴信号検出モジュール - Google Patents
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Description
検出コイルが静磁場H0から角度θ傾いた場合、検出コイルの磁化Mは以下の式(1)で表される。
平面コイルにおいては、コイル窓の上下端付近(横成分58付近)で高周波磁場の均一度が低下する傾向がある。横成分58を試料空間(検出領域60)から遠ざけることにより、高周波磁場の均一性の低下を防止又は抑制することが可能となる。
検出コイルの上下の部分(横成分58)において容量性負荷がかかるように設計することにより、コイル窓の上下の部分に電場が集中し、試料誘電損の影響を受け難くすることができる。容量性負荷がかかった部分を試料空間(検出領域60)から遠ざけることにより、誘電損の影響をより受け難くすることが可能となる。
図8を参照して、変形例1に係る検出コイルについて説明する。図8には、変形例1に係る検出コイル82が示されている。参考として、図8には、上述した実施形態に係る検出コイル64の横成分の一部68が示されている。変形例1に係るNMRプローブにおいては、一対の検出コイル82が、上述した検出コイル24A,24Bとして用いられる。検出コイル82は超伝導体からなり、検出回路パターンを有する。図示されていないが、検出コイル82は、インダクタンスLとキャパシタンスCを内包する。検出コイル82の縦成分84は、静磁場H0に対して平行に配置される成分である。コイル窓長Lは、縦成分84の幅であり、比較例に係る検出コイル54の縦幅(縦成分56の幅)と同じである。検出コイル82においては、一例として、検出コイル82のコイル窓長Lと図示しない検出領域60の縦幅とが一致している。コイル幅Wは、検出コイル82の全体の横幅である。検出コイル82の横成分86は、図示しない検出領域60から遠ざけられる方向に向けて先細りの形状を有する。図8に示す例では、その遠ざけられる方向は、静磁場H0に平行な方向であるが、もちろん、その遠ざけられる方向は、静磁場H0に平行な方向以外の方向であってもよい。横成分86は、静磁場H0に対して斜めに配置される成分である。
図9を参照して、変形例2に係る検出コイルについて説明する。図9には、変形例2に係る検出コイル88が示されている。参考として、図9には、上述した実施形態に係る検出コイル64の横成分の他の部分70が示されている。変形例2に係るNMRプローブにおいては、一対の検出コイル88が、上述した検出コイル24A,24Bとして用いられる。検出コイル88は超伝導体からなり、検出回路パターンを有する。図示されていないが、検出コイル88は、インダクタンスLとキャパシタンスCを内包する。検出コイル88の縦成分90は、静磁場H0に対して平行に配置される成分である。コイル窓長Lは、縦成分90の幅であり、比較例に係る検出コイル54の縦幅(縦成分56の幅)と同じである。検出コイル88においては、一例として、検出コイル88のコイル窓長Lと図示しない検出領域60の縦幅とが一致している。コイル幅Wは、検出コイル88の全体の横幅である。検出コイル88の横成分は、検出領域60から遠ざけられる方向に向けて階段状の形状を有している。図9に示す例では、その遠ざけられる方向は、静磁場H0に平行な方向である。もちろん、その遠ざけられる方向は、静磁場H0に平行な方向以外の方向であってもよい。検出コイル88の横成分の一部92は、検出領域60から遠ざけられる方向へ突出しており、他の部分94よりも、検出領域60から遠ざけられた位置に配置されている。横成分の一部92は、静磁場H0に対して直交に配置される成分であり、他の部分94も同様に、静磁場H0に対して直交に配置される成分である。横成分の他の部分94は、検出領域60の端部の位置又は近傍に配置される。
図10を参照して、変形例3に係る検出コイルについて説明する。図10には、変形例3に係る検出コイル96が示されている。参考として、図10には、上述した実施形態に係る検出コイル64の横成分の他の部分70が示されている。変形例3に係るNMRプローブにおいては、一対の検出コイル96が、上述した検出コイル24A,24Bとして用いられる。検出コイル96は超伝導体からなり、検出回路パターンを有する。図示されていないが、検出コイル96は、インダクタンスLとキャパシタンスCを内包する。検出コイル96の縦成分98は、静磁場H0に対して平行に配置される成分である。コイル窓長Lは、縦成分98の幅であり、比較例に係る検出コイル54の縦幅(縦成分56の幅)と同じである。検出コイル96においては、一例として、検出コイル96のコイル窓長Lと図示しない検出領域60の縦幅とが一致している。コイル幅Wは、検出コイル96の全体の横幅である。検出コイル96の横成分100は、検出領域60から遠ざけられる方向に向けて伸びた形状を有するとともに、全体として曲線を有する。その曲線の形状は、判楕円の形状であってもよいし、双曲線の形状であってもよい。図10に示す例では、その遠ざけられる方向は、静磁場H0に平行な方向である。もちろん、その遠ざけられる方向は、静磁場H0に平行な方向以外の方向であってもよい。
上述した実施形態及び変形例1,2,3に係る検出コイルは平面コイルであるが、立体的な形状を有するコイルが検出コイルとして用いられてもよい。図11には、変形例4に係る検出コイルとして、立体的な形状を有する検出コイル102が示されている。変形例4に係るNMRプローブにおいては、一対の検出コイル102が、上述した検出コイル24A,24Bとして用いられる。検出コイル102は超伝導体からなり、検出回路パターンを有する。図示されていないが、検出コイル102は、インダクタンスLとキャパシタンスCを内包する。検出コイル102の縦成分104は、静磁場H0に対して平行に配置される成分である。コイル窓長Lは、縦成分104の幅であり、比較例に係る検出コイル54の縦幅(縦成分56の幅)と同じである。検出コイル102においては、一例として、検出コイル102のコイル窓長Lと図示しない検出領域60の縦幅とが一致している。コイル幅Wは、検出コイル102の全体の横幅である。変形例2に係る検出コイル88と同様に、検出コイル102の横成分は、検出領域60から遠ざけられる方向に向けて階段状の形状を有している。変形例2と異なり、図11に示す例では、その遠ざけられる方向は、静磁場H0の方向(Z方向)に直交する方向(Y方向)である。その遠ざけられる方向は、静磁場H0の方向に直交する方向以外の方向であって、静磁場H0に交差する方向であってもよい。検出コイル102の横成分の一部106は、検出領域60から遠ざけられる方向へ突出しており、他の部分108よりも、検出領域60から遠ざけられた位置に配置されている。横成分の一部106は、静磁場H0に対して直交に配置される成分であり、他の部分108も同様に、静磁場H0に対して直交に配置される成分である。横成分の他の部分108は、検出領域60の端部の位置又は近傍に配置される。
Claims (7)
- 試料容器の両側に設けられる一対の検出コイルを含み、
前記検出コイルは、超伝導体からなり、試料からの磁気共鳴信号を検出する電気回路パターンを有し、
前記検出コイルにおいて静磁場に交差する横成分は、階段状の形状を有し、
前記横成分の一部は、試料における検出領域と非検出領域との境界の位置から、前記検出領域から遠ざけられる方向へ突出している、
ことを特徴とする磁気共鳴信号検出モジュール。 - 試料容器の両側に設けられる一対の検出コイルを含み、
前記検出コイルは、超伝導体からなり、試料からの磁気共鳴信号を検出する電気回路パターンを有し、
前記検出コイルにおいて静磁場に交差する横成分は、試料における検出領域と非検出領域との境界の位置から、前記検出領域から遠ざけられる方向に先細りの形状を有し、
前記横成分の一部である前記横成分の先端が、平坦な形状を有する、
ことを特徴とする磁気共鳴信号検出モジュール。 - 試料容器の両側に設けられる一対の検出コイルを含み、
前記検出コイルは、超伝導体からなり、試料からの磁気共鳴信号を検出する電気回路パターンを有し、
前記検出コイルにおいて静磁場に交差する横成分は、試料における検出領域と非検出領域との境界の位置から、前記検出領域から遠ざけられる方向に先細りの形状を有する、
ことを特徴とする磁気共鳴信号検出モジュール。 - 請求項1又は請求項2に記載の磁気共鳴信号検出モジュールにおいて、
前記横成分の一部の幅は、前記試料容器の幅の1.1〜2.0倍である、
ことを特徴とする磁気共鳴信号検出モジュール。 - 請求項1又は請求項2に記載の磁気共鳴信号検出モジュールにおいて、
前記横成分の一部は、静磁場に直交する成分である、
ことを特徴とする磁気共鳴信号検出モジュール。 - 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の磁気共鳴信号検出モジュールにおいて、
前記横成分の少なくとも一部が、曲線状の形状を有する、
ことを特徴とする磁気共鳴信号検出モジュール。 - 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の磁気共鳴信号検出モジュールにおいて、
前記検出領域から遠ざけられる方向は、静磁場に平行な方向又は直交する方向である、
ことを特徴とする磁気共鳴信号検出モジュール。
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