JPH03215915A - 積層コンデンサ - Google Patents
積層コンデンサInfo
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- JPH03215915A JPH03215915A JP2011611A JP1161190A JPH03215915A JP H03215915 A JPH03215915 A JP H03215915A JP 2011611 A JP2011611 A JP 2011611A JP 1161190 A JP1161190 A JP 1161190A JP H03215915 A JPH03215915 A JP H03215915A
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- slits
- slit
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
意粟上少肌朋分団
本発明は、数十MHz〜数GHzの高周波帯で高いQ特
性を有する積層コンデンサに関する。
性を有する積層コンデンサに関する。
災来夏肢生
電子機器の性能を向上させるためには、上述のような高
周波帯で積層コンデンサのQ特性を向上させること(以
下HiQ化という)が不可欠であこのため、従来の積層
コンデンサにおいては、一つの誘電体層で取得する容量
を小さくして並列に多くの誘電体層を並べることにより
、内部電極のESRを小さくしてHiQ化している。
周波帯で積層コンデンサのQ特性を向上させること(以
下HiQ化という)が不可欠であこのため、従来の積層
コンデンサにおいては、一つの誘電体層で取得する容量
を小さくして並列に多くの誘電体層を並べることにより
、内部電極のESRを小さくしてHiQ化している。
具体的には、1pF〜10pF程度の低容量コンデンサ
の場合を例に挙げて説明すると、第5図に示すように一
部対向させて内部電極11を2つ設けた構成では、容量
を確保できてもHiQ化が困難であるため、第6図に示
すように内部電極11の数を増加させた構成や、第7図
に示すように内部電極11の間の誘電体層12を厚くし
た構成としてある。そして、特にHiQ化を指向する場
合には、第8図に示すように内部電極11の数を増加さ
せ、かつ一部の内部電極をダブル電極11a,llbと
した構成のものもある。
の場合を例に挙げて説明すると、第5図に示すように一
部対向させて内部電極11を2つ設けた構成では、容量
を確保できてもHiQ化が困難であるため、第6図に示
すように内部電極11の数を増加させた構成や、第7図
に示すように内部電極11の間の誘電体層12を厚くし
た構成としてある。そして、特にHiQ化を指向する場
合には、第8図に示すように内部電極11の数を増加さ
せ、かつ一部の内部電極をダブル電極11a,llbと
した構成のものもある。
しよ゛と る
しかしながら、前記ESRは低周波域では小さいが、第
9図に示すように高周波域では内部電極11部分に生じ
る渦電流13の増大化により太きくなり、その結果、上
述した従来の構成のままでは高周波域において十分にI
{ i Q化できないでいた。
9図に示すように高周波域では内部電極11部分に生じ
る渦電流13の増大化により太きくなり、その結果、上
述した従来の構成のままでは高周波域において十分にI
{ i Q化できないでいた。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、高周
波域においてもESRを小さくしてHiQ化が可能な構
成の積層コンデンサを提供するごとを目的とする。
波域においてもESRを小さくしてHiQ化が可能な構
成の積層コンデンサを提供するごとを目的とする。
裸且一ξ解決すj4ひυγL段
本発明は、複数の内部電極がその間に誘電体層を介装し
た状態で一部対向させて配設された積層コンデンザにお
いて、前記内部電極の少なくとも1つに、一部対向する
側とその反対側に長手方向を向けてスリットが形成され
、かつ、このスリットの幅が前記誘電体層の厚みの2倍
以」二としてあることを特徴とする。
た状態で一部対向させて配設された積層コンデンザにお
いて、前記内部電極の少なくとも1つに、一部対向する
側とその反対側に長手方向を向けてスリットが形成され
、かつ、このスリットの幅が前記誘電体層の厚みの2倍
以」二としてあることを特徴とする。
作一一一月一
本発明にあっては、内部電極がスリットにより幅方向に
分断されているので、電流が分岐して流れ、このため渦
電流が分割された状態で発生して小さいものとなる。こ
のとき、後述するように、内部電極に形成ずるスリン1
・の幅を、これと共にコンデンザ成分を形成する誘電体
層の厚みの2倍以上にすることにより、高周波域におい
てもESRを十分小さくできる。
分断されているので、電流が分岐して流れ、このため渦
電流が分割された状態で発生して小さいものとなる。こ
のとき、後述するように、内部電極に形成ずるスリン1
・の幅を、これと共にコンデンザ成分を形成する誘電体
層の厚みの2倍以上にすることにより、高周波域におい
てもESRを十分小さくできる。
実↓例−
第1図は本発明に係る積層コンデンザの−実施例を示す
分解斜視図であり、第2図はその断面図である。この積
層コンデンザは、4枚の誘電体層1,2,3.4が積層
され、この積層体の側面には外部電極5.6が形成され
ており、この外部電極5.6と接続した状態で、下側の
3つの誘電体層1,2.3の上面には内部電極7,8.
9が形成されている。
分解斜視図であり、第2図はその断面図である。この積
層コンデンザは、4枚の誘電体層1,2,3.4が積層
され、この積層体の側面には外部電極5.6が形成され
ており、この外部電極5.6と接続した状態で、下側の
3つの誘電体層1,2.3の上面には内部電極7,8.
9が形成されている。
前記内部電極7,8.9は、誘電体層1.23の上面に
左右交互に偏らせて、具体的には内部電極7を左側に、
内部電極8を右側に、内部電極9を左側にそれぞれ偏ら
せて形成され、これらの両側は誘電体層1,2,3.4
にて挟まれている。
左右交互に偏らせて、具体的には内部電極7を左側に、
内部電極8を右側に、内部電極9を左側にそれぞれ偏ら
せて形成され、これらの両側は誘電体層1,2,3.4
にて挟まれている。
中央の内部電極8ば右側の外部電極6と接続され、上下
の内部電極7,9は左側の外部電極5と接続されていて
、上下方向で隣合う各内部電極7.89は一部を対向さ
せてあり、この対向する部分でコンデンザ成分が構成さ
れる。
の内部電極7,9は左側の外部電極5と接続されていて
、上下方向で隣合う各内部電極7.89は一部を対向さ
せてあり、この対向する部分でコンデンザ成分が構成さ
れる。
また、各内部電極7,8.9は、幅方向中央部にスリッ
ト1a.8a,9aが形成されており、このスリッ1〜
7a,8a,9aにより途中から幅方向に2つに分断さ
れた形状となっている。そして、第3図に示す如く、各
スリット7a,8δ9aの幅dは、コンデンサ成分を構
成する内側2つの誘電体層2.3の厚みも(第2図参照
)に対してd≧2tを満足するよう定めている。なお、
スリット7a,8a,9aは、内部電極を途中から幅方
向に2つに分断ずるのではなく、内部電極を完全に2つ
に分断ずるように形成してもよく、或いは両側が繋がっ
た状態で中央部だけを2つに分断ずるように形成しても
よい。
ト1a.8a,9aが形成されており、このスリッ1〜
7a,8a,9aにより途中から幅方向に2つに分断さ
れた形状となっている。そして、第3図に示す如く、各
スリット7a,8δ9aの幅dは、コンデンサ成分を構
成する内側2つの誘電体層2.3の厚みも(第2図参照
)に対してd≧2tを満足するよう定めている。なお、
スリット7a,8a,9aは、内部電極を途中から幅方
向に2つに分断ずるのではなく、内部電極を完全に2つ
に分断ずるように形成してもよく、或いは両側が繋がっ
た状態で中央部だけを2つに分断ずるように形成しても
よい。
第4図は、このように構成した積層コンデンサのESR
一周波数特性Aを示すグラフであり、比較のために従来
のスリットのない積層コンデンザの特性Bと、スリット
が有ってもd<2tの積層コンデンサの特性Cを併せて
示している。具体的な寸法としては、Aの場合はスリッ
ト幅dが100mm、その両側の内部電極部分の片方の
幅が300 mm、誘電体層厚もが20mmである。B
の場合は内部電極の幅が600mmである。Cの場合に
はスリット幅dが100mm、その両側の内部電極部分
の片方の幅が300++++n、誘電体層厚しが100
+nmである。
一周波数特性Aを示すグラフであり、比較のために従来
のスリットのない積層コンデンザの特性Bと、スリット
が有ってもd<2tの積層コンデンサの特性Cを併せて
示している。具体的な寸法としては、Aの場合はスリッ
ト幅dが100mm、その両側の内部電極部分の片方の
幅が300 mm、誘電体層厚もが20mmである。B
の場合は内部電極の幅が600mmである。Cの場合に
はスリット幅dが100mm、その両側の内部電極部分
の片方の幅が300++++n、誘電体層厚しが100
+nmである。
この図より理解されるように、従来品の場合に比べて比
較品のものの方がESRが小さくなって良くなるがほん
の僅かであり効果が小さい。これに対して本発明品の場
合には、従来品よりもESRが格段に小さくなり、Qを
30%向上させることができる。したがって、本発明に
おいてはスリット幅dを、d≧2tに定めている。
較品のものの方がESRが小さくなって良くなるがほん
の僅かであり効果が小さい。これに対して本発明品の場
合には、従来品よりもESRが格段に小さくなり、Qを
30%向上させることができる。したがって、本発明に
おいてはスリット幅dを、d≧2tに定めている。
なお、上記実施例では3つある内部電極夫々にスリット
を形成したが、本発明はこれに限らず、少なくとも1つ
にスリットを形成してもよく、この場合でも同様な効果
がある。
を形成したが、本発明はこれに限らず、少なくとも1つ
にスリットを形成してもよく、この場合でも同様な効果
がある。
また、上記実施例では誘電体層の厚みを大きくしてH
i Q化を行う構成のものに適用しているが、本発明は
これに限らず、内部電極の数を増大させてH i Q化
を行う構成のものや、内部電極の数を増大させ、かつダ
ブル電極とする構成のものにも同様に適用させることが
可能である。
i Q化を行う構成のものに適用しているが、本発明は
これに限らず、内部電極の数を増大させてH i Q化
を行う構成のものや、内部電極の数を増大させ、かつダ
ブル電極とする構成のものにも同様に適用させることが
可能である。
更に、」二記実施例では内部電極の幅方向中央に1つだ
けスリットを形成したが、木発明はこれに限らず、内部
電極の幅方向に位置を問わずに1つだけスリットを設け
てもよく、或いは2つ以上設けてもよい。
けスリットを形成したが、木発明はこれに限らず、内部
電極の幅方向に位置を問わずに1つだけスリットを設け
てもよく、或いは2つ以上設けてもよい。
発現少臥宋
以上詳述した如く本発明による場合には、内部電極がス
リットにより幅方向に分断されているので、第3図に示
すように電流が分岐して流れ、このため渦電流が分割さ
れた状態で発生して小さいものとなる。このとき、内部
電極に形成するスリットの幅を、これと共にコンデンサ
成分を形成する誘電体層の厚みの2倍以上にすることに
より、高周波域においてもESRを十分小さくでき、I
JiQ化できる。
リットにより幅方向に分断されているので、第3図に示
すように電流が分岐して流れ、このため渦電流が分割さ
れた状態で発生して小さいものとなる。このとき、内部
電極に形成するスリットの幅を、これと共にコンデンサ
成分を形成する誘電体層の厚みの2倍以上にすることに
より、高周波域においてもESRを十分小さくでき、I
JiQ化できる。
4.
また、スリットが形成された内部電極の両側にある誘電
体層がスリットを介して直接に接合されるので、密着強
度が上がりデラミネーションの発生を抑制することもで
きるという効果もある。
体層がスリットを介して直接に接合されるので、密着強
度が上がりデラミネーションの発生を抑制することもで
きるという効果もある。
第1図は本発明に係る積層コンデンサを示す分解斜視図
、第2図はその側面図、第3図は本発明の要部である内
部電極を示す平面図、第4図は本発明コンデンザの電気
的特性を示すグラフ、第5図は一般的な積層コンデンサ
を示す断面図、第6図乃至第8図は従来の積層コンデン
ザを示す断面図、第9図は従来の内部電極に生じる渦電
流を示す図である。 1,2,3.4・・・誘電体層、7,8.9・・・内部
電極、7a,8a,9a・・・スリット、d・・・スリ
ットの幅、L・・・誘電体層の厚み。
、第2図はその側面図、第3図は本発明の要部である内
部電極を示す平面図、第4図は本発明コンデンザの電気
的特性を示すグラフ、第5図は一般的な積層コンデンサ
を示す断面図、第6図乃至第8図は従来の積層コンデン
ザを示す断面図、第9図は従来の内部電極に生じる渦電
流を示す図である。 1,2,3.4・・・誘電体層、7,8.9・・・内部
電極、7a,8a,9a・・・スリット、d・・・スリ
ットの幅、L・・・誘電体層の厚み。
Claims (1)
- (1)複数の内部電極がその間に誘電体層を介装した状
態で一部対向させて配設された積層コンデンサにおいて
、 前記内部電極の少なくとも1つに、一部対向する側とそ
の反対側に長手方向を向けてスリットが形成され、かつ
、このスリットの幅が前記誘電体層の厚みの2倍以上と
してあることを特徴とする積層コンデンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011611A JPH03215915A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 積層コンデンサ |
US07/641,881 US5099387A (en) | 1990-01-19 | 1991-01-16 | Multilayer capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011611A JPH03215915A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 積層コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03215915A true JPH03215915A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11782707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011611A Pending JPH03215915A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 積層コンデンサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5099387A (ja) |
JP (1) | JPH03215915A (ja) |
Cited By (4)
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JP2011129636A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Emprie Technology Development LLC | コンデンサ |
JP2013516237A (ja) * | 2009-12-31 | 2013-05-13 | カーディアック ペースメイカーズ, インコーポレイテッド | 渦電流を減らすコンデンサを有する植込装置 |
CN104576049A (zh) * | 2013-10-11 | 2015-04-29 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件及其制造方法 |
WO2021131115A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
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US7336468B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
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KR102527711B1 (ko) * | 2016-11-17 | 2023-05-02 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
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-
1990
- 1990-01-19 JP JP2011611A patent/JPH03215915A/ja active Pending
-
1991
- 1991-01-16 US US07/641,881 patent/US5099387A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2021131115A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5099387A (en) | 1992-03-24 |
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