JP2000507046A

JP2000507046A - ポジ型フォトレジスト組成物の熱処理方法

Info

Publication number: JP2000507046A
Application number: JP9533479A
Authority: JP
Inventors: ダメル・ラルフ・アール; ルー・ピン―フン; スピーク・マーク・エイ; アリル・オゴーゴー
Original assignee: クラリアント・インターナショナル・リミテッド
Priority date: 1996-03-07
Filing date: 1997-02-27
Publication date: 2000-06-06
Also published as: WO1997035231A3; KR20000064553A; CN1218559A; CN1135437C; EP0885409A2; WO1997035231A2; TW328142B

Abstract

(57)【要約】実質的な利点を与える、ジアゾナフトキノンスルホネートエステル−ノボラックポジ型フォトレジスト用のフラッシュソフトベーク方法を開示する。この方法は、レジストに従来よりも高いソフトベーク(SB)温度（≧130℃）かつ非常に短いベーク時間（≦30秒）を用い、また好ましくはこれは底部反射防止膜上で行われる。これは、フォトレジストの解像度、プロセス寛容度、熱変形温度、レジスト粘着性及びプラズマエッチング耐性を顕著に改善する。更に、低反射性の基体または反射防止膜が使用される場合、この方法は、厳しい定在波効果を招くことなく、フォトリソグラフィープロセス中の露光後ベーク(PEB)段階を不必要なものとする。

Description

【発明の詳細な説明】ポジ型フォトレジスト組成物の熱処理方法本発明の背景半導体工業において使用される典型的なマイクロリソグラフィープロセスにおいては、フォトレジスト材料は、回転塗布法によって半導体基体上に塗布される。回転塗布段階の後には、なお多量の溶剤（おおよそ30％まで）を含むレジスト材料は未だ非常に柔らかくそして粘着性がある。この状態では、露光されていない部分でさえ現像剤に対して耐性を示さないであろう。それゆえ、通常ソフトベークまたはプリベークと呼ばれる熱処理段階において、乾燥してより高密度なものとしなければならない。このソフトベークは、ホットプレートデバイス上でまたはエアオーブン中で行うことができる。ホットプレートを用いる場合は、レジスト層を有する基体の裏側を、60〜90秒間、最も典型的には、工業的に標準的なものとなってきている60秒の間、ホットプレートの熱い金属表面に対して接触させるかまたはプロキシミティベークする。典型的には、オーブンソフトベークは更に長い時間を使用する（例えば、通常の条件では、90℃で30分間）。回転塗布プロセスの間、レジストは非常に粘性になり、そしてレジストを有する基体上の表面の特徴（トポグラフィー）を平坦化できないことから分かるように実際上は流動しなくなる。そのフィルムはなお熱力学的平衡からはほど遠く、大部分が溶剤によって占められている多量の自由体積を含む。ソフトベーク工程の間、レジストはそれの初期流動点以上の温度まで再び加熱され、これによって溶剤が除去され濃密化されることにより再び固化するまで少しの間液体となる。この工程には、フィルム厚の薄化が伴なう。或る種のレジスト、例えばヘキサフルオロイソプロピルメタクリレートなどの単独ポリマー電子線レジストでは、ベーク温度は、そのポリマーのガラス転移温度よりも高い温度を選択できる。この場合、そのフィルムは熱力学的平衡に近くなる。しかし、半導体工業において最も常用されるジアゾナフトキノン系のレジストでは、最大ベーク温度は、ジアゾナフトキノン系感光剤(DNQ)の熱分解によって制限される。工業において通常使用されているD NQの等温分解温度は、トリヒドロキシベンゾフェノン誘導体の120℃から非ベンゾフェノン基本骨格の約130℃の範囲である。通常は、かなりより低い温度が使用される。なぜならば、g-線またはi-線ウェハステッパにおいて通常使用されるような単色放射線を用いた場合、表面に向かう光と表面から反射された光が干渉して定在波パターンを形成するからである。露光処理と現像処理の間に追加的なベーク段階（いわゆる露光後ベークまたはPEB）を経ずにウェハーを現像すると、この定在波パターンがレジストの図形に極めて忠実に再現されて、線幅の変動、解像度の低下、及び露光された領域を明確化させるための露光量の増加及び現像時間の延長を招く。これに対する通常の改善手段はPEBを行うことであり、その間に、拡散効果により、光生成物と未だそのままのDNQとが混合される。この拡散プロセスにより、定在波パターンは、多くの実際のレジストプロセスにおいて完全に観測できない程に消去される。しかし、十分な効率を持って拡散プロセスを行え得るようにするためには、通常は、ソフトベークの場合よりも高い温度でPEBを行う必要がある。典型的な組み合せは、90℃で60秒間ソフトベークを行い、次いで110℃で60秒間PEBを行うことである。SBとPEBが同じ温度で行われるような方法は希であり、また本発明者らは、SBの温度がPEBの温度を超えるような実際的な方法は聞いたことがない。後者の条件では、SBプロセスが、定在波をもはや拡散して消すことができない程度にレジストマトリックスを硬化させ、上で説明したような望ましくない現象を招くであろう。但し、レジスト基体が実質的に非反射性である場合、例えば基体が反射防止膜で覆われている場合は事情は異なる。このような膜（窒化チタン（TiN）等の無機層、あるいは有機層、これの一例は、ヘキスト・セラニーズ・コーポレーションのAZフォトレジスト・プロダクツ・ディビジョ率は元の値の数パーセントまで低めることができる。TiNの場合、最小の反射率は、ケイ素基体上50nmの厚さでおおよそ３〜3.5％と計算され、有機系のボトムコートの反射率は、それの10分の１以下まで低めることができ、これによって、露光後ベークがもはや必要でないほどに十分に定在波パターンが弱くなる。 PEBを省略することは、単なるプロセスの簡素化以上の利点をもたらす。PEBでの高温下では、ジアゾナフトキノンの光生成物は或る程度は拡散することができ、これにより、反射性の基体上に存在する定常波が消去される。それゆえ、この場合は或る程度の拡散は望ましい。しかし、ボトムコートなどの非反射性基体上では、拡散プロセスによるフォトレジスト中の潜像の劣化がPEBの利点を台無しにしてしまう。この事は実験的にも確認うが向上する（例えば、約１μｍ（マイクロメーター）レジストにおいてラインアンドスペースが0.34から0.32μｍ（マイクロメーター）に小さくなる；実施例１参照）。ストの解像度及び性能に更なる改善をもたらす。以下、この方法は“フラッシュベーク”方法と言う。フラッシュベークの利点は、これをTiNまた注意すべきである。このフラッシュベーク方法は、フォトレジストの解像度、プロセス寛容度、熱変形温度、レジストの粘着性及びプラズマエッチング耐性に顕著な改善を与える。あくまで推測であり、これに拘束されることは望まないが、我々は、当該フラッシュベーク方法は、慣用のソフトベーク方法よりもより効果的にフォトレジストの乾燥及び濃密化を可能とするために、レジストの性能を高めるものと思う。回転塗布工程において、フォトレジストは薄くなることを停止しそしてなお多量の溶剤を含む非流体状態に達する。通常のソフトベーク工程においては、先ず、温度の上昇によりレジストが流体状態に戻り、そしてこの状態で、溶剤が能率よくレジストから脱出することができる。しかし、溶剤の蒸発がそのマトリックスを硬化させるために、レジストは直ちに非流体性のガラス様状態に戻される。一旦レジストマトリックスが硬化されたら、溶剤はもはや効率よく抜け出すことはできない。たとえ長い温度処理の後、例えば30 分間、熱対流炉中でベークした後でも、そのレジストはなお、同じ温度下でより短い時間、ホットプレート上でベークした後に残るのと実質同じ量の溶剤を含むことは良く知られていることである。このことから我々は、溶剤の蒸発のほとんどは、レジストがなお流体状態にある初め方の期間中に起こるものと推論する。短時間で行われるフラッシュベーク工程中では、レジストとウェハはホットプレートの温度には達しない。処理開始20秒後にウェハの温度を測定すると、ウェハの温度は140℃のホットプレート温度よりも約５〜10℃低いことがわかる。それゆえ、フラッシュベーク工程の間はレジストはずっと流体状態のままであり、これがより完全なフィルムの乾燥を可能にして、レジストの熱安定性に関して全く予期・予測できない改善をもたらすものと考えられる。実施例３が示すように、フラッシュベーク方法により得られた熱安定性は、慣用のソフトベーク方法を用いた場合よりも20〜30℃高い。更に、フラッシュベークして得られたフィルムは、より低い温度でのより長い時間を使った慣用のソフトベークにより得られたフィルムよりも、熱力学的平衡に近いと考えられる。回転塗布及びベークした後のレジストフィルムは全て、多量の自由体積を含む。この自由体積は、レジストをそのガラス転移温度よりも高い温度でベークして、これによってポリマーの各ストリングを緩めて新しいより密に詰まった状態を形成させないかぎり除去することができない。これは、ポリメチルメタクリレート(PMMA)やヘキサフルオロイソプロピルメタクリレートなどの熱的に安定なレジストには行うことができるが、ノボラックフィルムには行うことはできない。なぜならば、これに必要な温度が感光剤の熱分解を引き起こし、更に架橋効果によりマトリックスが硬化し像形成特性が損なわれる場合があるからである。当該新規フラッシュベーク方法はレジストを自由体積が少ない状態にさせ、そしてこの少ない自由体積がより良好な溶解特性を可能にして、観測された解像度の向上につながるものと考えられる。上記の自由体積効果は、高いガラス転移温度を有するレジストの場合に特に強く現れることが予期される。この種のレジストの一つは、ｔ-ブトキシカルボニルによって保護されたポリヒドロキシスチレンに基づくDUVレジストであり、このようなレジストでは、この自由体積が基部の汚染物(base contaminants)が容易に拡散することに起因して不所望な影響を与える。このような部類のレジストの別の例は、分別した樹脂、つまりフェノール化合物とホルムアルデヒドとの縮合によるノボラック合成に通常存在する一部のまたは全ての低分子量成分が除去された樹脂を使用するジアゾナフトキノン／ノボラックレジストである。分子量基準で分別するための方法には多くのものがある。この材料の性質を例をもって説明するためにここで挙げ得る一つの方法は、良溶媒及び貧溶媒の混合物中でのノボラックの分子量依存性の混和性の格差を利用するものである。貧溶媒を、良溶媒中のノボラックの溶液に混合すると、良溶媒と貧溶媒は完全に混和可能であっても二つの相が分離する。下の方の相は高分子量のノボラックを含み、低分子量の材料は（通常、より多量の）上の相に留まる。溶媒の濃度及び比率を変えることによって、除去される最大の分子量及び低分子量フラクションの除去程度を制御することが可能である。低分子量フラクションがないため、分別されたノボラックに基づくレジストはより高いガラス転移温度を持ち、そのため回転塗布工程及び慣用のソフトベーク工程の間により迅速に固化する傾向がある。 DNQ／ノボラックレジストにおいては、分別操作は大概の場合においてレジストの感光性の大きな低下を招く。それゆえ、このようなレジストには、感光性をより高めるためにしばしばモノマー性または低分子量ポリマー性成分が添加される。この種のレジストも、本発明方法によって利益を受けることが予期される。レジストの性能への高温ベークの影響を考えると、樹脂の性質の他に、感光剤の性質、特にその熱安定性も重要である。本発明者らの経験では、ジアゾナフトキノン(DNQ)エステルに通常観測される安定性には明らかに連続性があり、2,1,5 -DNQは、2,1,4-DNQよりも安定しており；脂肪族エステルは芳香族エステルよりも安定性が悪く；芳香族エステルにおいては、基本骨格(backbone)（例えばトリヒドロキシベンゾフェノン）中の一つのフェニル環に結合した２つまたはそれ以上のDNQ部分を有するものは、非ベンゾフェノン系エステル、特に一つのフェニル環当たり一つのDNQ単位しか持たないこの種のものよりも安定性が悪い。それゆえ、一つまたはそれ以上の一価フェノールを含む基本骨格の2,1,5-DNQスルホネートに最も高い安定性が観測される。このような化合物は、本発明方法において特に有用であることが予期される。なぜならば、この化合物の高い熱安定性は、高温ベーク工程における不所望な副反応を最小にするからである。それゆえ、当該フラッシュベーク方法の利点は、このような基本骨格を含むレジストにおいてより大きい。当該フラッシュソフトベーク方法から得られる利点は非反射性基体上で行った場合に最も大きいが、しかし、この方法は、シリコンウエハや金属層などの反射性基体上でも使用することができる。これらの環境の下では、実質的な量で定在波が生じ、これによって微細な図形に対して利用可能な解像度及び縁鋭性(edg e acuity)は制限される。しかし、より大きな図形には、反射防止性基体上で観測されるものと実質的に同じ熱安定性に係る利点を得ることができる。それゆえ、反射性基体上での当該フラッシュソフトベーク方法は、大きな図形、例えばパッドやインプラント層で見られるような図形には有用である。本発明の要約特許請求される事は、基体上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜をベークし、そしてこのフォトレジストを化学線に暴露することを含む、低反射率の基体上にレリーフ像を形成する方法である。この際、上記ベーク段階は、130℃以上の温度に加熱された表面に対して30秒以下の間(５〜30秒間）、基体を接触させるかあるいはプロキシミティベークすることによって行われる。この加熱された表面の温度は好ましくは130〜160℃、最も好ましくは140〜150℃である。レジストのベーク時間は好ましくは20秒以下、最も好ましくは10〜20秒間である。このベーク工程は半導体工業において通常使用されるような装置、つまりホットプレート上で行うことができ、この際場合によっては、基体とホットプレートとの間の間隔を、間隔保持手段、例えばホットプレート表面に差し込まれたボールによって調節してプロキシミティベークの形で行うこともできる。ベークされ露光されたフォトレジストは、次いで、通常の通りに処理して、基体上で最終的な像を現像する。本発明の方法は、フォトレジストの解像度、プロセス寛容度、熱変形温度、レジスト粘着性及びプラズマエッチングに対する耐性を著しく改善する。また、本方法は、顕著な定在波効果を引き起こすことなく、フォトリソグラフィープロセス中の露光後ベーク(PEB)段階を必要なきものとする。本発明方法において使用されるフォトレジストは典型的にはジアゾナフトキノン／ノボラック系のレジストであるが、非ジアゾナフトキノン、非ノボラック系のものに基づくレジストも本方法により利点を受け得る。このジアゾナフトキノン系感光剤が熱的に安定である場合が特に有利であることがわかっている。なぜならば、高い熱安定性は感光剤の熱分解による影響を更に低減するからであり、またそうでないと性能が損なわれる恐れがあるからである。ジアゾナフトキノン類の熱安定性はその基本骨格との関係が強い。特に、脂肪族化合物でもベンゾフェノンの誘導体でもない基本骨格がしばしばより高い熱安定性を示し、このことは特に、これが、ヒドロキシ基が一つだけいずれのフェニル環にも結合している芳香族化合物である場合に顕著である。また本発明の方法は、分別されたノボラック樹脂、すなわち合成後に存在する低分子量成分を一部または全部除去する工程に付した後に得られる樹脂を含むフォトレジストに対しても特に有利であることが認められる。なぜならば、本発明の方法は、従来技術による方法によって達成できるものよりも、より高度な濃密化と少ない自由体積の存在を達成するからである。とりわけ、自由体積の低減は、分別された樹脂と、モノマー性または低分子量増速剤化合物とを組み合せて使用することによって補助することができる。このような化合物は、感光性を高めるために、しばしばこの種の樹脂に添加される。実施例１以下の実験で使用されたフォトレジストは、キャスチング溶剤としてのエチルラクテート／ｎ-ブチルアセテート混合物中にノボラック樹脂と2,1,5-ジアゾナフトキノンスルホネートエステル系感光剤とを含む、 (Somerville，NJ)のAZフォトレジストプロダクツから入手できる）であった。このフォトレジストの基本骨格はベンゾフェノン誘導体ではなく、このPACは熱的に非常に安定していることがわかった。ベークした。これらのBARLi^TMを被覆したウェハに更に上記のフォトレジストを1 .07μｍ（マイクロメーター）の厚さで塗布した。比較のために(表１のウェハ#1 A及び#1C)、シリコンウェハ上に上記のフォトレジストを直接塗布した。これらのウェハを、90℃〜150℃の温度で10秒〜60秒の間、ホットプレート上でソフトベーク(SB)した。これらのベークしたウェハを次いで、0.2μｍ（マイクロメーター）〜1.0μｍ（マイクロメーター）の線幅を有する等間隔のライン・アンド・スペースパターンを含むレチルアンモニウムヒドロキシド溶液）を用いて特定の時間（60〜120秒）現像した。現像したレジストのライン／スペースパターンの線幅を条件でのレジストのリソグラフィー性能を記載する。表１：様々な処理条件でのリソグラフィー性能ここで、ドーズ・ツゥ・プリント（Dose-to-Print;DTP 単位mJ/cm²）は、目的の（マスク）寸法に対して目的のレジスト図形サイズを再現するのに必要とされる露光量である。解像度は、DTPにおいてその目的の線幅の±10％の範囲内で測定される、解像された最小の図形と定義される。焦点深度(DOF)は、フィルム厚の損失が10％より少ないことを追加的な要件として、目的の図形の±10％内に測定される線幅をもってレジストが図形を再現するのに可能な焦点外れの範囲と定義される。表１に示したウェハ#1Aは、常套の処理条件で処理したレジストを表す。つまり、良好なレジスト性能を達成しそして基体からの光の反射により生ずる不所望な定在波効果を除去するために、比較的低いSB温度（90℃／60秒）と比較的高い PEB温度(110℃／60秒)を使用した。ウェハ#1Cにより表されるように、PEBを行わない場合は、厳しい定在波効果が観測される。（bottom antireflective coating;B.A.R.C.）を使用すると、レジスト解像度、 DOFが改善され、またPEB段階が不必要なものとなる。本発明に記載の非常に高いSB温度を使用すると予期できない利点が得られ(ウェハ#1D−1H )、図形のレジスト解像度とDOFを顕著に向上させる（例えば、ウェハ#1Hにおいて、DOFが0.40μｍ(マイクロメーター）で、0.54NA i-線ステッパで0.30μｍ（マイクロメーター）解像度）。この性能の向上は、従来技術において使用される慣用の方法、例えば90℃〜110℃で熱処理するかまたはB.A.R.Cを使用するのみの従来方法と比較して実質的な改善に相当する。このような従来方法では、ここで用いられたレジスト及び露光装置を用いたとしても上記のような数値は達成できない。実施例２四枚の10．16cm（４インチ）ウェハを、実施例１で使用したのと同じ塗布条件下にBARLi^TM膜で被覆した。次いでフォトレジストを回転塗布し、そしてこの被覆されたウェハを、140℃の温度下で10、20、30及び60秒間、ホットプレート上でソフトベークした(ベーク時間に対応してそれぞれウェハA、B、C及びDという) 。次いで各々のウェハを露光し、現像しそして実施例１に記載したのと同じ方法で測定した。表２には、本発明に記載のフラッシュベーク方法に関連してレジスト性能に対するベーク時間の影響を示す。表２：レジスト性能に対するフラッシュベーク時間の影響表２から示されるように、レジスト性能は、ソフトベーク時間が30秒以下の場合に当該フラッシュSB方法によって顕著に向上される。130℃より高い温度での3 0秒より長い時間（60秒）のソフトベークは、ウェハ#2D によって示されるように、レジスト性能の劣化を招く。また表２においては、当該フラッシュベーク方法が実践的にも有用であることが示されている。ウェハ#2A〜Cを比較すれば分かるように、性能の変化は10〜30 秒の範囲では小さく、これはベーク時間には十分に大きな裕度があることを示している。これらのデータから、140℃のベーク温度には、最適のベーク時間は約1 5秒であることが判断できる。実施例３四枚の10.16cm(４インチ）ウェハを実施例１で使用したのと同じ塗布条件下に BARLi^TM膜で被覆した。次いでフォトレジストを回転塗布し、そしてこれらの被覆されたウェハを、以下の表３に記載の温度及び時間でホットプレート上でソフトベークした。次いで、各々のウェハを表１に記載のDTP値においてi-線ステッパにより露光し像を形成して、各々同じダイの３×３配列を形成した。これらの露光したウェハを、表３に各々のウェハについて記載した現像時間を用いて、実施例１に記載したのと同じ方法によって現像した。現像された各ウェハを９個の断片に分割した。この際、この断片は、それぞれ、上記の３×３ダイ配列パターンからのダイイメージを含む。更にこの断片を、それぞれ、表３に記載の温度下に２分間ホットプレート上でベークした。次いで、ダイ上の500μｍ（マイクロメーター）パッドパターンの縁が変形し始める温度と定義されるレジスト熱流動温度をSEM検査によって測定した。表３を精査することにより分かるように、本発明に記載のフラッシュベーク方法により処理されたウェハは、明らかに著しくより良好なレジスト熱流動温度を示す。この点で、本発明では、従来のSB方法により処理されたレジスト（ウェハ#3A参照）と比較して30℃も改善することができる（ウェハ#3C参照）。表３：従来方法及びフラッシュベーク方法によるレジスト熱流動温度実施例４クした。更に、これらのBARLi^TMで被覆したウェハに、ヘキストセラニールム厚が約１μｍ（マイクロメーター）となるように回転塗布した。このフォトレジストは、2,1,5-及び2,1,4-ジアゾナフトキノンスルホネートエステル感光剤混合物とノボラック樹脂を含み、ここでこのジアゾナフトキノン感光剤の一つは、トリスヒドロキシベンゾフェノン(TOB)バラスト化合物に基づき、またこのレジストはレジストキャスチング溶剤としてPGMEAを含む。このレジストは、BARLi で被覆したウェハと裸のシリコンウェハの両方に1.07μｍ（マイクロメーター）の厚さで塗布した。次いでこれらのウェハを、以下の表４に記載されているように、ウェハ#4A及び#4Bの場合は110℃の温度で60秒間、ウェハ#4Cの場合は140℃ に10秒間ホットプレート上でそれぞれソフトベークした。次いで、これらのベークしたウェハを、0.2μｍ（マイクロメーター）〜1.0μｍ(マイクロメーター）の線幅を有する等間隔のライン・アンド・スペースパターンを含む 2.38％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液）により現像した。次いで、現像されたレジストのライン・アンド・スペースパターンの線幅表４は、BARLi^TM反射防止膜を用いてまたは用いずに処理したレジストの間で、レジスト性能を本発明に記載のフラッシュベーク方法により処理したレジストの性能と比較するものである。表４に記載される結果からも、フラッシュベーク方法を使用すると(ウェハ#4C )、BARLi^TM膜を用いてまたは用いずに従来のSB方法により処理されたもの（ウェハ#4A及び#4B）よりも、より良好なレジスト性能が得られることが示される。既に実施例１から示されているように、BARLi^TM膜の使用は、裸のシリコンウェハを使用する場合よりもレジスト性能をより改善し、この際、本発明によるフラッシュベーク方法を使用すると、更なる性能向上が得られる。当該フラッシュベーク方法により得られる性能は、トリス-ヒドロキシベンゾフェノンに基づく熱的に比較的不安定なジアゾナフトキノンを含むこのフォトレジストでは、非ベンゾフェノン系のよりト性能ほどは高くなく、このような結果は顕著に現れまた実験的に立証可能である。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】１９９８年３月１７日（１９９８．３．１７）【補正内容】請求の範囲 1. 基体上にレリーフ像を形成する方法であって、基体上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜をベークし、このフォトレジストを化学線で露光し、そして上記の最初のベーク段階における温度と同じかまたはこれより高い温度での第二のベーク段階を経ずに、この被覆された基体を処理して基体上の像を現像することを含み、この際、この基体を、130℃以上の温度に加熱された表面に対して30秒以下の間、接触させるかまたはプロキシミティベークすることによって上記ベーク段階を行う上記方法。 2. 加熱された表面の温度が130〜160℃である請求の範囲第１項の方法。 3. 加熱された表面の温度が140〜150℃である請求の範囲第１項の方法。 4. ベーク時間が21秒未満である請求の範囲第１項の方法。 5. ベーク時間が10秒〜20秒である請求の範囲第１項の方法。 6. フォトレジストがジアゾナフトキノン／ノボラックレジストである請求の範囲第１項の方法。 7. ジアゾナフトキノン感光剤が、芳香族化合物ではあるが、ベンゾフェノンの誘導体ではない基本骨格を有する請求の範囲第６項の方法。 8. 芳香族化合物がいずれのフェニル環上にも１個以下のヒドロキシ基を有する請求の範囲第７項の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７１ (72)発明者スピーク・マーク・エイアメリカ合衆国、ニュージャージー州 08837 エジソン、ワン・ハロー・ストリート (72)発明者アリル・オゴーゴーアメリカ合衆国、ニュージャージー州 07018 イースト・オレンジ、サウス・ハリソン・ストリート、320 アパートメント10エル

Claims

【特許請求の範囲】 1. 基体上にレリーフ像を形成する方法であって、基体上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜をベークし、このフォトレジストを化学線で露光し、そしてこの被覆された基体を処理して基体上の像を現像することを含み、この際、この基体を、130℃以上の温度に加熱された表面に対して30秒以下の間、接触させるかまたはプロキシミティベークすることによって上記ベーク段階を行う上記方法。 2. 加熱された表面の温度が130〜160℃である請求の範囲第１項の方法。 3. 加熱された表面の温度が月40〜150℃である請求の範囲第１項の方法。 4. ベーク時間が21秒未満である請求の範囲第１項の方法。 5. ベーク時間が10秒〜20秒である請求の範囲第１項の方法。 6. フォトレジストがジアゾナフトキノン／ノボラックレジストである請求の範囲第１項の方法。 7. ジアゾナフトキノン感光剤が、芳香族化合物ではあるが、ベンゾフェノンの誘導体ではない基本骨格を有する請求の範囲第６項の方法。 8. 芳香族化合物がいずれのフェニル環上にも１個以下のヒドロキシ基を有する請求の範囲第７項の方法。 9. フォトレジストがノボラック樹脂を含み、そしてこのノボラック樹脂が、それの低分子量成分を一部または全部除去する工程を経たものである請求の範囲第６項の方法。 10．フォトレジストが、感光性を高めるモノマー性化合物または低分子量化合物を含む請求の範囲第９項の方法。 11．基体が反射性の低いものであり、この際、この低反射性は好ましくは基体上の反射防止膜によってもたらされたものである請求の範囲第１項の方法。 12．反射防止膜が無機系の吸収性または透明材料であり、この際、この透明材料は好ましくは酸化ケイ素であり、そして吸収性材料は好ましくは窒化チタンまたはケイ素である請求の範囲第11項の方法。 13．反射防止膜が、フォトレジストを現像する工程において像形成の下に除去されるかあるいはドライエッチング工程において除去される有機系の材料である請求の範囲第11項の方法。 14．反射防止膜が、２μｍ^-1よりも高い吸収係数、最も好ましくは８μｍ^-1よりも高い吸収係数を有する着色された材料である請求の範囲第13項の方法。