JP2000504495A

JP2000504495A - チップモジュール中の配線能力を改善するための方法及び装置

Info

Publication number: JP2000504495A
Application number: JP10521600A
Authority: JP
Inventors: ジョージペテフィッシュ，ウイリアム
Original assignee: WL Gore and Associates Inc
Current assignee: WL Gore and Associates Inc
Priority date: 1996-11-08
Filing date: 1997-10-31
Publication date: 2000-04-11
Also published as: WO1998020540A1; AU5005897A; US5879787A

Abstract

(57)【要約】内表面及び外表面を有し、誘電体層で隔てられた第１及び第２の伝導体層を有する第１の積層体を形成し、上記第１の伝導体層及び誘電体層を孔あけして、上記第２の層の内表面と共存する底を有するブラインドビアを形成し、このブラインドビアを伝導性材料でメッキし、そして上記第２の層をパターン形成して上記ブラインドビアを覆う少なくとも１つの接点パッドを形成することを包含する積層構造体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】チップモジュール中の配線能力を改善するための方法及び装置発明の分野本発明は、一般に、マイクロエレクトロニクスの二次加工の分野に関し、より詳しくは集積回路パッケージにおける配線密度を改善する方法に関する。発明の背景多層のモジュール又はパッケージは、集積回路チップを機械的に支持し、電気的に接続するために半導体工業において広く使用されている。モジュールは、単一のチップ又は多数のチップを実装するために、これにコンフィギュレーションを行う（ｃｏｎｆｉｇｕｒｅ）ことができ、かくして単一のチップモジュールに対して“ＳＣＭ”の、及び多チップモジュールに対して“ＭＣＭ”の名称を生じさせる。典型的なモジュールは、ＳＣＭであれＭＣＭであれ、交互に配置された誘電体層及び伝導体層の多層から作られる。これら伝導体層は、典型的にはホトリソグラフィ法を用いてパターン形成され、隣接する伝導体層は、これら誘電体層を通過するビアを形成することにより電気的に接続することができる。これらの接続は、チップをそのパッケージに、そしてこのパッケージを対応する印刷された配線盤（ＰＷＢ）に相互接続することを可能にする。従って、適正なビアの形成は、パッケージを作るのに使用される多段の製作の重要な側面である。多くのチップパーケージ法において、チップ／パッケージ／ＰＷＢ接続を容易にするために、パッケージの外表面の上にビアに被さるようにボンディングパッドが形成される。パッケージのボンディングパッドは、適性な電気的・機械的接続を確保するために正確に形成し、正確に配置しなければならない。更に、フリップチップパッケージにおけるように、はんだボールがボンディングパッド上に形成される場合には、適切に形成されたボンディングパッドは、はんだボールを良好に形成するための必要条件である。ボンディングパッド／はんだボール接続を形成するための既知の方法を図１に示す。基板の外表面側から積層基板１０に孔あけすることによりブラインドビアが形成される。この孔あけ工程は最上部の誘電体層１２から材料を除き、すこしテーパーのかかった窪みを形成する。次に、マイクロエレクトロニクスの二次加工の分野では周知のいずれかの被着方法を用いて、この窪みを伝導性物質でメッキする。次いで、このメッキされた窪み伝導性充填材料１４で充填する。この充填材料を、外側伝導体層１６の外側表面と同一平面になるように、平らにしなければならない。次いで、この伝導性層１６上に形成されたはんだボール１８を用いて基板１０を集積回路チップ２０に接続する。このはんだボール１６の下の領域はパターン化されてボンディングパッドを形成している。上記方法は適当な接続を形成するが、ブラインドビア中の充填材を平らにして前記伝導性層１６と同一平面にするのは比較的困難でありコスト高である。また、メッキ工程がこのパッドのＺ軸寸法を増すと仮定すると、生じるボンディングパッドは最適なサイズ及び形状に達しない。ボンディングパッド形成から生じるスペースの不適切な浪費は、接続に役立つスペースを減らすことによって、配線置換可能性に悪影響を与える。図２に示した回路の相互接続を形成するための他の方法は、積層基板２４中に貫通ビア２２を形成し、このビアをメッキし、次いでビア獲得パッド（ｖａｃａｐｔｕｒｅｐａｄｓ）２６をこれらビア２２の頂部に形成することを包含する。別個のチップ取り付け捕獲パッド２８がビア捕獲パッド２６のそれぞれの１つに接続されている。このチップ取り付け捕獲パッド２８は、チップはんだボール（図示していない）に取り付けるための領域を提供する。この配列において、前記ビア捕獲パッドは、はんだマスク（図示していない）で被覆され、はんだがビア２２を通って流下するのを防止する。別個の捕獲パッド２６が一般に使用されるが、それらは大きなスペースを取り、従って、図２の破線の方向矢印“Ａ”及び“Ｂ”で示すように、パッドの間の信号配線を通す能力を制限する。これらの矢印は制限された配線通路を示し、従ってこのパッケージの配線密度の限界を示す。発明の要約本発明の１つの目的は、チップモジュールにおける配線設置可能性を改善する方法であって、加工工程を減らし、従って製造コストを下げる方法を提供することである。本発明の他の目的は、チップ取り付け捕獲パッドとは別にビア捕獲パッドを形成する必要性を排除することによってチップモジュールにおける配線設置可能性を改善する方法を提供することである。本発明の更に他の目的は、より薄いパッケージング、より高い集積及び配線層のより高い経路形成能を生じるマイクロエレクトロニクスの二次加工に使用する積層された構造体を形成する方法を提供することである。これらの及び他の目的は、内外表面を有し、誘電体層で隔てられた第１及び第２の伝導性層を有する第１の積層体を形成し、この第１の伝導性層及び誘電体層を通して孔をあけて前記第２の伝導性層の内表面と共存する底部を有するブラインドビアを形成し、このブラインドビアをメッキし、そしてこの第２の伝導体層をパターン形成して前記ブラインドビアを覆って少なくとも１つの接点パッドを形成する工程を包含する、積層構造体を作る方法を提供することにより、達成される。これらは、以下に明らかになるであろう目的及び利点と共に、以下に、より充分に記載され特許請求される構造及び操作の詳細中に存在する。その際、その一部を構成する添付の図面を参照のこと。ここに、一貫して同様な数字は同様な要素を指す。図面の簡単な説明図１は公知の接点パッド及びはんだボールの形状の断面図である。図２は、別個に形成されたビア捕獲パッド及びチップ取り付け捕獲パッドに固有の制限された配線通路を示す基板の平面図である。図３は、本発明の積層構造を形成するのに使用される金属コアの鉛直断面図である。図４は、パターン形成して開口部を形成した後の図３の金属コアの鉛直断面図である。図５は、誘電体層及び金属層で積層した後の図４のパターン化されたコアの鉛直断面図である。図６は、ブラインドビアの形成の後の図５の積層構造体の鉛直断面図である。図７は、前記ブラインドビアをメッキした後の図６の積層構造体の鉛直断面図である。図８は、外側金属層上に金属パターンを形成した後の積層構造体の鉛直断面図である。図９は、本発明の一連の工程に従って形成された積層構造体の接点パッド領域の平面図である。図１０は、本発明に従って作られた他の積層体の鉛直断面図である。図１１は、本発明に従う積層された構造体中にビアを形成するために使用されたレーザーシステムの概略図である。図１２は、エポキシで含浸された延伸膨張されたポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）からなる好ましい誘電体の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像である。図１３は、前記ｅＰＴＦＥ材料のマトリックスが更にセラミック粉末で含浸された他の誘電体のＳＥＭ画像である。好ましい具体例の詳細な説明本発明の方法論は、積層された構造体を形成する一連の加工工程を伴う。この積層された構造体は、この構造の外表面の接点パッドが形成する方法の故に、改善された配線設置可能性を達成する。図３及び４を参照して、金属コア３０は相対する平坦面３２及び３４を有する。この金属コアはいずれかの適当な伝導性材料、例えば銅で作ることができる。このコアはパターン化されて複数の開口部を形成し、その開口部３６を図４に示す。公知のパターン化法、例えば写真平版に基づくもののいずれも使用することができる。図５に見られるように、コア３０は２つの誘電体層３８及び２つの伝導体層４０及び４２の間に置かれている。種々の層が合体力のかかる圧縮機中に置かれるとき、積層体４４が形成される。この誘電体層は圧縮されると、Ｂ−ステージになり、これは、積層プロセスが、一体の、金属コア及び複数の外側の金属層を有する多層構造体を生じるのを促進する。積層の間、２つの層からの誘電性材料は開口部３６に流入し、これを満たす。前記誘電体層は、好ましくは、シアネートエステル及びエポキシで含浸されたポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、より詳しくは、延伸膨張されたＰＴＦＥ又は“ｅＰＴＦＥ”のような有機材料でできている。この誘電性材料のより詳細な説明を以下に説明する。図６に見られるように、構造体４４の伝導体層４２側からの孔あけにより、積層構造体４４中にブラインドビア４６が形成される。このブラインドビア４６は、伝導体層４２から開けられ、誘電体層３８を通って伸び、伝導体層４０の内部表面と一致する深さに達する。好ましくは、前記ブラインドビア４６はレーザー孔あけ法を用いて孔あけをする。特に、前記誘電体層３８が有機ＰＴＦＥベースの材料でできているとき、Ｎｄ：ＹＡＧパルスのレーザーが、２６６nm又は３５５nmでの紫外ビームを作りだすために第３調波（third harmonic）又は第４調波で使用される。軽いテーパーは、レーザー孔あけ法の特徴であり、テーパーの方向は、これら図面の方向が与えられたならば、下側からビームが来たことを示す。Ｎｄ：ＹＡＧレーザーがビアを孔あけするのに特に適しているが、他のレーザーも用い得、これにはエキシマレーザー及びＣＯ₂レーザーが含まれる。本発明を実施するのに使用できるレーザー孔あけ装置のより詳細な説明を次に述べる。ブラインドビアの形成に続いて、図７に見られるように、ブラインドビア４６は伝導性材料４８でメッキされ、これは２つの伝導性層４０及び４２を相互接続する。公知のメッキ法のいずれもメッキを形成するのに使用でき、これには無電解メッキが含まれ、この場合、銅フィルムがビアの壁に形成される。メッキの後、外側の伝導体層は、標準的な写真平版法を用いてパターン化され、図９に見られるような接点パッドを形成する。この接点パッドはどんな数の接続を作るのにも使用できる。例えば、図９に見られるように、複数の接点パッド４０ａが、積層構造体５０にチップを接続するためのパターンをなすように示されている。この接点パッドはチップ取り付けパッドとして機能し、破線の方向矢印“Ｃ”及び“Ｄ”に沿って積層構造体５０の外側に、制限されない配線通路を提供する。図２と較べると、図９で達し得る配線通路は図２から得られるものよりも制限が少ない。配線設置能力におけるこの改善は、複数の内部層を排除し、これは今度は、全ての配線がこのチップモジュールの上部層及び下部層上に存在するから、コストの節約を増す。内部配線層は排除できるので、比較的薄いパッケージが生じるか、又はモジュールの比較的高い集積を得ることができる。図１０は、本発明の３層の具体例の鉛直断面図であり、この場合基板５２は２つの伝導体層の間に積層された誘電体層５４を含む。前述の方法論に従って、ブラインドビア５６が、下部伝導体層及び誘電体層５４を通って形成され、上部伝導体層の内表面で終わっている。ビアをメッキした後、前記２つの伝導性層はパターン化されて、複数のチップ取り付けパッド５８を形成し、これは図９におけるように、Ｘ−Ｙグリッドに配列することができる。図１０の具体例はコア伝導性層を有しないので、前記誘電体層はレーザーで除去してビアを形成するか、又は標準の写真平版法を用いて写真画定することができる。ビアを形成するためのレーザーシステム上述のブラインドビアは、図１１に示すレーザーシステム６２を用いて形成される。このレーザーシステム６２はレーザー源６４を含み、これはパルス化されたレーザービーム６４ａを出力し、これはレーザー光学システムを通って方向づけされる。この光学システムは鏡６６及び６８、並びに焦点レンズ７０を有し、このレンズはＸ−Ｙ位置決めテーブル７４上に配置された多層基板７２上に焦点の合わせられたビームを方向づける。この焦点を合わせられたビームは、図５〜８の多層積層体４４に対応する基板７２上に焦点を形成する。レーザー除去の用意ができると、この積層体４４は諸図面に方向の与えられたものを裏返して、伝導体層４０がＸ−Ｙテーブル７４上に乗り、伝導体層４２がレーザーを向くようにする。この基板７２は図５〜８に示したものと正確に対応する必要はなく、複数の追加の交互に配置された誘電体層及び伝導体層を持つことができる。このレーザーシステム６２は、基板７２に関してレーザービームの焦点の位置を制御するための手段を有する。この制御手段は、レンズ７０をＸ方向に動かすアクチュエータ７８に制御信号Ｓ１を発することによって焦点の位置決めを制御するコンピューター７６であり得る。このコンピューターは更に、Ｘ−Ｙ位置決めテーブルをＹ方向に動かすアクチュエータ８０に制御信号Ｓ２を発する。この組み合わされたＸ及びＹの運動はシステム６２がコンピューターによってプログラムされた方法でレーザービームを動かし、望みのタイプのビアを形成する。他のＸ−Ｙ位置決めも用いることができ、これには鏡６６及び６８の位置を制御するガルバノメーターを含む。これらは商業的に入手可能であり、商業的に入手可能なレーザー装置に取り付けることができる。いずれにせよ、コンピューター７６は予めプログラムして、ビーム点の動きのパターンを確立して望みのビアを形成することができる。更に、レーザー光線発射パラメーター、例えばビーム通過速度（１秒あたりのミリメーター）、パルス繰り返し速度、パルス長さ、及び電力を確立するために、コンピューター７６がレーザー源６４に運転可能に取り付けられる。レーザーエネルギー密度における殆ど瞬時の現場での変化をさせるめに、コンピューター７６は幾つかの制御パラメーターのいずれか１つ、例えばパルス長さを変化させることができる。パルス長さは幾つかの方法で変化でき、これらの方法にはキャビティダンピング、モード同期及びＱスイッチングがある。Ｑスイッチングは、使用されるレーザーのタイプに依存し、幾つかの基本的なタイプがある。これらのタイプには、回転鏡、音響光学装置を用いるアクチブモジュレータ（ａｃｔｉｖｅｍｏｄｕｌａｔｏｒ）、及びパッシブサチュラブルダイセル（ｐａｓｓｉｖｅｓａｔｕｒａｂｌｅｄｙｅｃｅｌｌ）がある。レーザー焦点の動きの好ましいパターンは、レーザー焦点の運動の好ましいパターンは「管状くり抜き」であり、この場合前記ビーム焦点は望みのビアの中心に始まり、徐々にらせん状に外側に動いてこのビアの外径に達する。その点でビームは特定のビアに必要であると決定されただけの数の回転をビア中心の周りに旋回する。これが終了すると、この焦点は中心にらせんを描いて戻り、その後次の命令を待つ。管状くり抜き速度の例は、１秒あたり３ミリメートルである。本発明にとってレーザーの選択は重要である。好ましいレーザーは、パルス固体レーザー、例えば波長３５５nmで射出する周波数三重化（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ −ｔｒｉｐｌｅｄ）Ｎｄ：ＹＡＧ（ネオジムイットリウムアルミニウムガーネット）レーザー、又は波長２６６nm で射出する周波数四重化Ｎｄ：ＹＡＧレーザーである。基本レーザーは、米国オレゴン州ポートランドのＥｌｅｃｔｒｏＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓによって製造されているＭｏｄｅｌ５０００ＬａｓｅｒＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＳｙｓｔｅｍとして入手可能である。しかしながら、先に述べたように、他のレーザー、例えばエキシマレーザー及びＣＯ₂レーザーを用いることもできる。現場でレーザーエネルギー密度を変化させるにあたって、コンピューターはＱスイッチを制御してパルス繰り返し速度を変化することができる。以下の表は３５５nmＮｄ：ＹＡＧレーザーについて繰り返し速度と共にどの様にレーザーエネルギー及び電力が変化するかを明らかにする。同様に、以下の表は、２６６nmＮｄ：ＹＡＧレーザーについて繰り返し速度と共にどの様にレーザーエネルギー及び電力が変化するかを明らかにする。レーザー焦点形状が上記のものに加えられれば、エネルギー密度が計算できる。このエネルギー密度は、基板のレーザー除去を設定してここに記載した有機基板中のビアを形成するための複数の主たるパラメーターの内の１つである。誘電材料本発明において、全ての適当な誘電材料が使用でき、例えば、ポリイミド及びポリイミド積層体、エポキシ樹脂、他の樹脂材料と組み合わせたエポキシ樹脂、有機材料を、単独で又はこれらを充填材と組み合わせて使用できるが、これらに限られない。好ましい誘電材料はフルオロポリマーマトリックスを包含し、ここにフルオロポリマーはＰＴＦＥ、ｅＰＴＦＥ又はコポリマー又は混合物であり得る。適当なフルオロポリマーとしては、ポリテトラフルオロエチレン又は延伸膨張されたポリテトラフルオロエチレンで、接着性充填材混合物を有し又は有しないものを含む。好ましい材料としては、Ｗ．Ｌ．Ｇｏｒｅ＆Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＳｐｅｅｄｂｏａｄ（商標）ボンドプライズ（ｂｏｎｄｐｌｉｅｓ）、例えばＳｐｅｅｄｂｏａｄ（商標）Ｃ（これはポリテトラフルオロエチレンマトリックス中にシアネートエステル樹脂を含有する不織材料の含浸体である）がある。Ｓｐｅｅｄｂｏａｄ（商標）Ｃは誘電率Ｄｋが１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚで２．６〜２．７であり、誘電正接が１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚで０．００４であり、絶縁耐力Ｖ／ミルが１０００より大であり、ガラス転移点Ｔｇが２２０℃であり、樹脂含量が６６〜６８ｗｔ％であり、種々の厚さのものが入手可能である。また、延伸膨張されたＰＴＦＥマトリックス中の多エポキシ接着剤であるＳｐｅｅｄｂｏａｄ（商標）Ｎプリプレグも使用できる。Ｓｐｅｅｄｂｏａｄ（商標）Ｎは誘電率Ｄｋが１ＭＨｚで３．０であり、誘電正接が１ＭＨｚで０．０２であり、絶縁耐力Ｖ／ミルが９００より大であり、ガラス転移点Ｔｇが１４０℃であり、樹脂含量が６６〜６８ｗｔ％であり、種々の厚さのものが入手可能である。他の誘電体は、少なくとも２つのシアネートエステル化合物、エポキシ化合物、ビストリアジン化合物及びポリ（ビス−マレイミド）樹脂の混合物を含み、図１２に示された延伸膨張されたＰＴＦＥマトリックスである。例えば、５．９５ポンドのＭ−３０（チバガイギー）、４．０７ポンドのＲＳＬ１４６２（ＳｈｅｌｌＲｅｓｉｎｓ，Ｉｎｃ．）、４．５７ポンドのＢＣ−５８（ＧｒｅａｔＬａｋｅｓＩｎｃ．）、１３６ｇのビスフェノールＡ（ＡｌｄｒｉｃｈＣｏｍｐａｎｙ）、２３．４ｇのイルガノックス（商標）１０１０、ミネラルスピリット中のＭｎＨＥＸ−ＣＥＭの１０％溶液１８．１ｇ、及び８．４０kgのＭＥＫを混合することにより作られる。このワニス溶液を更に希釈して２つの別々の浴−２０％（ｗ／ｗ）及び５３．８％（ｗ／ｗ）とした。このワニス溶液を別々の含浸浴中に注入し、ｅ−ＰＴＦＥウェブを各含浸浴に一方から直ちに他方へ連続的に通過させた。このワニスを連続的に攪拌して均一性を保った。次いでこの含浸したウェブを直ちに加熱された炉に通して全ての又は殆ど全ての溶媒を除き、接着剤を硬化させ、ロールに巻き取った。このｅＰＴＦＥウェブはどんな望みの厚さでもよく、例えば２５μｍ、４０μｍ又はそれ以上であり得る。厚さ２５μｍの材料は質量が約０．９ｇであり、面積あたりの重量が約１１．２〜１３．８ｇ／m²である。他の種類の誘電材料は、多孔質マトリックス系が吸収された又は含浸された接着剤−充填材混合物を含有するものを包含する。この多孔質マトリックスは、基板の初期気孔率の結果として、多量の充填材及び熱可塑性もしくは熱硬化性接着剤を吸収し、加熱されて前記接着剤が部分的に硬化されてＢ−ステージの複合体を形成した不織基板である。基板は、米国特許Ｎ₀.３９５３５６６及び４４８２５１６の多孔質で延伸膨張されたポリテトラフルオロエチレン材料のようなフルオロポリマーを包含する。望ましくは、平均流通孔径（ｍｅａｎｆｌｏｗｐｏｒｅｓｉｚｅ）は、最大の粒子のそれの約２〜５倍の又はそれ以上であるべきであり、この充填材のそれの約２．４倍より大きいＭＦＰＳが特に好ましい。しかしながら、平均粒度に対する平均流通孔径の比が１．４より大きくなるように選ぶことによって、適当な複合物が調製できるということも本発明の範囲内である。平均粒度に対する最小孔径の比が少なくとも０．８より大、又は最大孔径に対する最小孔径の比が少なくとも０．４より大であるときも、許容できる複合物が調製できる。粒度に対するＭＦＰＳの比は、Ｍｉｃｒｏｔｒａｋ（商標）モデルＦＲＡＰａｒｔｉｃｌｅＡｎａｌｙｚｅｒ装置を用いて測定できる。これに代えて、相対的孔及び粒度を測定するための他のメカニズムは、最小孔径が最大粒度の約１．４倍以上であるので、計算できる。延伸膨張されたフルオロポリマー基板に加えて、多孔質で延伸膨張されたポリオレフィン、例えば超高分子量（ＵＨＭＷ）ポリエチレン、延伸膨張されたポリプロピレン、ペースト押し出し（ｐａｓｔｅｅｘｔｒｕｓｉｏｎ）及び犠牲充填材（ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌｆｉｌｌｅｒｓ）、多孔質の無機もしくは有機の発泡体、又は微多孔質酢酸セルロースを添加することにより調製されるポリテトラフルオロエチレンも使用できる。この多孔質基体は、初期気孔率が少なくとも３０％、好ましくは少なくとも５０％、最も好ましくは少なくとも７０％であり、気孔中に熱硬化性及び熱可塑性接着性樹脂及び粒状充填材ペーストの収容を促進し、柔軟な強化を提供して全体の複合物の脆さ及び粒子の局在を防ぐ。この充填材はＣｏｕｌｔｅｒ（商標）ＰｏｒｏｍｅｔｅｒＩＩ装置で分析すると、種々の粒子の集合体であり、最大粒度、最小粒度及び平均粒度を包含するヒストグラムを表示する。前記接着剤に添加するのに適した充填材としては、ＢａＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｎＯ，ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂，沈降シリカ，ゾル−ゲルシリカ、非伝導性カーボン（カーボンブラック）及びこれらの混合物がある。特に好ましい充填材は、ＳｉＯ₂，ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂の単独又はこれらと非伝導性カーボンとの組み合わせである。最も好ましい充填材は、米国特許Ｎ₀.４７０５７６２に教示された蒸気金属燃焼法によって作られた充填材を包含し、例えばケイ素、チタン及びアルミニウムを燃焼して均一な表面曲率及び高度の球状性を有し、全く中実である、即ち中空球でない人工のシリカ、チタニア、及びアルミナの粒子を包含するがこれらに限られない。これら充填材は、カップリング剤を用いて充填材を疎水性にする周知の方法で処理してもよい。適当なカップリング剤としては、シラン類、シラノール、チタネート類、ジルコネート類、及びアルミネート類がある。適当なシリル化剤としては、官能性シリル化剤、シラザン類、ジシラザン類、シロキサン類があるがこれらに限られず、ヘキサメチルジシラザン（ＨｕｌｓＨ７３０）及びヘキサメチルシクロトリシラザンのようなシラザン類、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド（ＨｕｌｓＢ２５００）のようなシリルアミド類、トリメチルシリル尿素のようなシリル尿素、及びトリメチルシリルイミダゾールのようなシリルイミダゾールがある。チタネートカップリング剤の例としては、テトラアルキルタイプ、モノアルキルタイプ、配位タイプ、キレートタイプ、第４級塩タイプ、ネオアルコキシタイプ、シクロヘテロ原子タイプがある。好ましいチタネートの例としては、テトラアルキルチタネート、Ｔｙｚｏｒ（商標）ＴＯＴ〔テトラキス（２−エチル−ヘキシル）チタネート〕、Ｔｙｚｏｒ（商標）ＴＰＴ（テトライソプロピルチタネート）、キレート化チタネート、Ｔｙｚｏｒ（商標）ＣＬＡ（デュポン社の商標）、モノアルコキシチタネート（Ｋｅｎ−Ｒｅａｃｔ（商標）ＫＲＴＴＳ）、Ｋｅｎ−Ｒｅａｃｔ（商標）、ＫＲ−５５テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル）ブチルチタネート、ＬＩＣＡ（商標）３８ネオペンチル（ジアリル）オキシチタネート、トリ（ジオクチル）ピロ−ホスファトチタネートがある。適当なジルコネートの例としては、Ｋｅｎｒｉｃｈのカタログの第２２頁に記述された全てのもの、特にＫＺ５５−テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル）ブチルジルコネート、ジ（ジトリデシル）ホスファイトジルコネート、ＮＺ−０１−ネオペンチル（ジアリル）オキシジルコネート、トリネオデカノイルジルコネート、ＮＺ−０９−ネオペンチル（ジアリル）オキシジルコネート、トリ（ドデシル）ベンゼン−スルホニルジルコネートがある。本発明に使用できるアルミネートの例としては、Ｋｅｎｒｉｃｈ（商標）、ＫＡ３２２及びＫＡ４８９があるが、これらに限られない。上記のものに加えて、ある種のポリマー、例えば架橋されたビニルポリマー、例えばジビニルベンゼン、ジビニルピリジン、又は最初は非常に希釈されて（ＭＥＫ中の０．１〜１．０％の溶液）適用される開示された熱硬化性マトリックス接着剤のいずれかのサイズ剤がある。また、ジクミルパーオキサイドと充填材の反応により調製されるカップリング剤も使用できる。接着剤それ自体は、熱硬化性又は熱可塑性であり得、ポリグリシジルエーテル、ポリシアヌレート、ポリイソシアネート、ビス−トリアジン樹脂、ポリ（ビス −マレイミド）、ノルボルネン−末端ポリイミド、ポリジボラン、アセチレン− 末端ポリイミド、ポリブタジエン、環状オレフィン性ポリシクロブタジエン及びその官能化されたコポリマー、ポリシロキサン、ポリシスクアロキサン（ｐｏｌｙｓｉｓｑｕａｌｏｘａｎｅ）、官能化されたポリフェニレンエーテル、ポリアクリレート、ノボラックポリマー及びコポリマー、フルオロポリマー及びコポリマー、メラミンポリマー及びコポリマー、ポリ（ビスフェニルシクロブタン）及びこれらの混合物を包含することができる。難燃性又は靭性の向上に影響を与えるために、上述の接着剤はそれら自体相互に混合されてもよく、又は他のポリマー又は添加剤と混合されてもよい。ここに言う平均流通孔径及び最小孔径は、Ｃｏｕｌｔｅｒ（商標）ＰｒｏｍｏｔｅｒＩＩ（ＣｏｕｌｔｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬｔｄ．，ＬｕｔｏｎＵＫ）を用いて測定したもので、この装置は値を直接示す。平均粒度及び最大粒度は、Ｍｉｃｒｏｔｒａｋ（商標）光散乱粒度分析器モデルＮ₀.ＦＲＡ（ＭｉｃｒｏｔｒａｋＤｉｖｉｓｉｏｎｏｆＬｅｅｄｓ＆Ｎｏｒｔｈｕｐ，ＮｏｒｔｈＷａｌｅｓ，ＰＡ，ＵＳＡ）を用いて測定した。平均粒度（ＡＰＳ）は、粒子の５０％がそれよりも大きい値として定義される。最大粒度（ＬＰＳ）は、Ｍｉｃｒｏｔｒａｋ（商標）ヒストグラム上で検出可能な最大のものと定義される。一般に、接着剤−充填材誘電体は次の工程を包含する：（ａ）潤滑押し出ししたプリフォームを延伸してポリテトラフルオロエチレンシートを延伸膨張させ、空隙又は細孔容積中に小粒子及び接着剤が自由に流入するに充分な微細構造を形成する工程；（ｂ）ポリマー材料、例えば熱硬化性又は熱可塑性材料と充填材とからペーストを形成する工程；並びに（ｃ）浸漬、被覆、又は押し込み供給、により接着剤−充填材ペーストを、高度に多孔質の足場、例えば延伸膨張されたポリテトラフルオロエチレン中に吸収させる工程。本発明の充填された接着性材料、例えば層、フィルム等を調製するために、粒状充填材を溶剤溶液、水溶液、又は溶融した接着剤に混合して、微細に分散された混合物を得る。小さな粒子形態の充填材は、通常、サイズが４０μｍ未満であり、好ましくは平均粒度が１〜１０μｍである。前記ポリテトラフルオロエチレンの節−及び−フィブリル構造の平均孔径は、粒子の適切な浸透をさせるに充分大きかるべきである。表１は、基板の平均流通孔径（ＭＦＰＳ）及び粒度の関係の効果を示す。最大粒子に対する平均流通孔径（ＭＦＰＳ）の比が１．４又はそれ未満であるときは、不良の結果が観察される。この場合、均一な結果が観察されず、粒状充填材の殆どは微多孔質基板に均一に浸透しない。最大粒子に対するＭＦＰＳの比が約２．０より大きいと、均一な複合体が得られる。最大粒子に対するＭＦＰＳの比が大きいほど、均一な分散体が微多孔質基板中に吸収される割合が多くなることも観察される。セラミック接着剤−充填材誘電性複合体（例１）ＭＥＫ中の難燃化されたジシアナミド／２−メチルイミダゾールで触媒されたビスフェノルールＡベースのポリグリシジルエーテル（ＮｅｌｃｏＮ−４００２−５，ＮｅｌｃＣｏｒｐ．）の２０％（ｗ／ｗ）溶液中に、２８１．６ｇのＴｉＯ₂（ＴＩＰｕｒｅＲ−９００，デュポン社）を混合することによって微細な分散液を調製した。この分散液を連続的に撹拌して均一性を確保した。次いで、延伸膨張されたＰＴＦＥの見本を樹脂混合物中に浸漬した。このウェブを張力をかけて１６５℃で１分乾燥し可撓性の部分的に硬化した複合材を得た。こうして得られた部分的に硬化した接着性複合材は、５７ｗｔ％のＴｉＯ₂、１３ｗｔ％のＰＴＦＥ及び３０ｗｔ％のエポキシ接着剤からなっていた。数層の接着性シートを銅フォイルの間に広げ、２２５℃の温度にて真空で補助した油圧プレス中６００ｐｓｉで９０分圧縮し、次いで圧縮下に冷却した。これは誘電率１９．０の銅積層体を生じ、これは平均層厚さ１００μｍ（０．００３９”（３．９ミル））の誘電積層体厚さで、２８０℃にて３０秒のソルダーショック（ｓｏｌｄｅｒｓｈｏｃｋ）に耐えた。（例２）フェニルトリメトキシシラン（０４３３０，Ｈｕｌｓ／Ｐｅｔｒａｒｃｈ）で予備処理した３８６ｇのＳｉＯ₂（ＨＷ−１１−８９，ＨａｒｂｉｓｏｎＷａｌｋｅｒＣｏｒｐ．）を、２００ｇのビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ２０６０ＢＪ，三菱ガス化学）及び３８８ｇのＭＥＫのマンガンで触媒された溶液中に混合することにより、微細な分散液を調製した。この分散液を連続的に攪拌して均一性を確保した。次いで、厚さ０．０００２”の延伸膨張されたＰＴＦＥの見本を前記樹脂混合物中に浸漬し、取り出し、次いで張力をかけて１６５℃で１分乾燥し可撓性の部分的に硬化した複合材を得た。このプリプレグの数層を銅フォイルの間に広げ、２２５℃の温度にて真空で補助した油圧プレス中２５０ｐｓｉで９０分圧縮し、次いで圧縮下に冷却した。こうして得られた誘電体は、５３ｗｔ％のＳｉＯ₂、５ｗｔ％のＰＴＦＥ及び４２ｗｔ％の接着剤からなり、銅に対する良好な接着性、誘電率（１０ＧＨｚにて）３．３及び誘電正接（１０ＧＨｚにて）０．００５を示した。（例３）４８３ｇのＳｉＯ₂（ＨＷ−１１−８９，ＨａｒｂｉｓｏｎＷａｌｋｅｒＣｏｒｐ．）を、２７４．７ｇのビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ２０６０ＢＪ，三菱ガス化学）及び４８５ｇのＭＥＫのマンガンで触媒された溶液中に混合することにより、微細な分散液を調製した。この分散液を連続的に攪拌して均一性を確保した。次いで、厚さ０．０００２”の延伸膨張されたＰＴＦＥの見本を前記樹脂混合物中に浸漬し、取り出し、次いで張力をかけて１６５℃で１分乾燥し可撓性の部分的に硬化した複合材を得た。このプリプレグの数層を銅フォイルの間に広げ、２２５℃の温度にて真空で補助した油圧プレス中２５０ｐｓｉで９０分圧縮し、次いで圧縮下に冷却した。こうして得られた誘電体は、５７ｗｔ％のＳｉＯ₂、４ｗｔ％のＰＴＦＥ及び３９ｗｔ％の接着剤からなり、銅に対する良好な接着性、誘電率（１０ＧＨｚにて）３．２及び誘電正接（１０ＧＨｚにて）０．００５を示した。（例４）１５．４４kgのＴｉＯ₂（ＴＩＰｕｒｅＲ−９００，デュポン社）を、３．３０kgのビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ２０６０ＢＪ，三菱ガス化学）及び１５．３８kgのＭＥＫのマンガンで触媒された溶液中に混合することにより、微細な分散液を調製した。この分散液を連続的に攪拌して均一性を確保した。次いで、厚さ０．０００４”のＴｉＯ₂で充填され延伸膨張されたＰＴＦＥ（ＴｉＯ₂を４０％配合し、膜を最後に圧縮しなかった他は、Ｍｏｒｔｉｍｅｒの米国特許Ｎ₀.４９８５２９６の教えに従って充填した）の見本を前記樹脂混合物中に浸漬し、取り出し、次いで張力をかけて１６５℃で１分乾燥し可撓性の部分的に硬化した複合材を得た。こうして得られた部分的に硬化した接着剤複合材は、７０ｗｔ％のＴｉＯ₂、９ｗｔ％のＰＴＦＥ及び２１ｗｔ％の接着剤からなっていた。このプリプレグの数層を銅フォイルの間に広げ、２２０℃の温度にて真空で補助した油圧プレス中５００ｐｓｉで９０分圧縮し、次いで圧縮下に冷却した。こうして得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性、誘電率１０．０及び誘電正接０．００８を示した。特に好ましい接着性充填材誘電体は、蒸発金属燃焼によって調製され、タツモリ（株）から入手可能な球形のＳｉＯ₂の使用に頼る。（例５）７．３５kgのＳｉＯ₂（ＡＤＭＡＴＥＣＨＳＳＯ−Ｅ２，タツモリ（株））を７．３５kgのＭＥＫ及び７３．５ｇのカップリング剤、即ち、３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（ＤｙｎａｓｙｌａｎＧＬＹＭＯ（ＰｅｔｒａｃｈＳｙｓｔｅｍｓ）と混合することにより微細な分散液を調製した。この分散液に、シアノ化フェノール樹脂、ＰｒｉｍａｓｅｔＰＴ−３０（ＬｏｎｚａＣｏｒｐ．）の５０％（ｗ／ｗ）ＭＥＫ溶液９３２ｇ、ＲＳＬ１４６２（ＳｈｅｌｌＲｅｓｉｎｓ，Ｉｎｃ．（ＣＡＳ＃２５０６８−３８−６）の５０％（ｗ／ｗ）ＭＥＫ溶液８９６ｇ、ＢＣ−５８（ＧｒｅａｔＬａｋｅｓ，Ｉｎｃ．）の５０％（ｗ／ｗ）ＭＥＫ溶液３８０ｇ、ビスフェノールＡ（ＡｌｄｒｉｃｈＣｏｍｐａｎｙ）の５０％（ｗ／ｗ）ＭＥＫ溶液５４ｇ、イルガノックス（商標）１０１０（チバガイギー）１２．６ｇ、ＭｎＨＥＸ−ＣＨＥＭ（ＯＭＧＬｔｄ．）の０．６％溶液３．１ｇ、及び２．４０kgのＭＥＫを加えた。この分散液を、約２０分、約１〜３ガロン／分の速度で、Ｍｉｓｏｎｉｃｓ連続フローセルを通して超音波攪拌に供した。こうして得られた微細な分散液を更に希釈して全体の浴の固体濃度１１．９％（ｗ／ｗ）とした。この微細な分散液を含浸浴中に注入した。図１３に示す節フィブリル構造及び次の性質を有する延伸膨張されたポリテトラフルオロエチレンウェブを含浸した。フレージャー（Frazier）２０．５５ｃｆ³／分／ｆｔ² 表面積９ｇ／m² ボールバースト３．２Ｌｂｓ（Ball Burst）厚さ６．５ミル平均流通孔径９．０μm 前記フレージャー数は、評価される材料の空気透過性に関する。空気透過性は、前記ウェブをガスケットの付いたジグで締めつけることにより測定した。このジグは、空気流測定のための約６インチの円形領域を設けられていた。この上流側は乾燥圧縮空気源とインラインになっている流量計と連結されていた。このサンプル取り付け品は雰囲気に解放されていた。試験は、水０．５インチの圧力を前記サンプルの上流にかけ、インラインの流量計（流量計に連結されたボールーフロートロタメーター）を通過する空気の流速を記録することにより行った。前記ボールバースト強度（ＢａｌｌＢｕｒｓｔＳｔｒｅｎｇｔｈ）は、破断時最大値を測定することによりサンプルの相対強度を測定する試験である。このウェブは２枚の板で挟んでいる間に直径１インチのボールで試した。Ｃｈａｔｉｌｌｏｎ，Ｆｏｒｃｅゲージボール／バースト試験を用いた。前記ｅＰＴＦＥウェブを、均一性を確保するために約３フィート／分の速度で、連続的に攪拌された含浸浴に通した。含浸されたウェブを直ちに加熱炉に通して、溶媒の全て又はほぼ全てを除き、接着剤を部分的に硬化させ、ロールに巻き取った。このプリプレグの数層を銅フォイルの間に広げ、２２０℃の温度にて真空で補助した油圧プレス中２００ｐｓｉで９０分圧縮し、次いで圧縮下に冷却した。こうして得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性、誘電率（１０ＧＨｚ）３．０及び誘電正接（１０ＧＨｚ）０．０８５を示した。（例６）溶融シリコンの蒸気燃焼から調製されたＳｉＯ₂をベースとする含浸された接着性充填材混合物を含有するｅＰＴＦＥマトリックスを、前駆体溶液から調製した。前駆体溶液Ｉは例５のそれに類似のシラン化シリカを含むスラリーの形態をしており、他は樹脂及び他の成分の触媒されていない混合物であった。溶液Ｉ前記シリカスラリーはＭＥＫ中の例５のＳＯ−Ｅ２シリカの５０／５０混合物であり、このシリカは、シリカ重量の１％に等しいシランの被膜を含有する。シランを使用する代わりに、このシリカはＫＲ−５５−テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル）ブチル，ジ（ジトリデシル）ホスファイトチタネートで被覆されていてもよい。５ガロンの容器に、１７．５ポンドのＭＥＫ及び７９ｇのシランを加え、この２成分を混合してＭＥＫ中のシランの均一な分散体を得た。次いで、例５のシリカ１７．５ポンドを加えた。ＭＥＫ−シリカ−シラン混合物の２つの５ガロン容器を反応容器に加え、内容物、即ち、スラリーを超音波分散機に通して約１時間再循環し、存在しうる全てのシリカ凝集物を崩壊させた。この超音波処理を完了し、この反応容器の内容物を連続的に混合しながら、約８０℃に約１時間加熱した。次いで、反応した混合物を１０ガロン容器中に移した。溶液II 望みの樹脂混合物は、約６０％の固体を含有する触媒されていない樹脂混合物（接着剤）を含有するＭＥＫベースの溶液であり、ここに、この固体部分は、４１．２％のＰＴ−３０シアネートエステル樹脂、３９．５％のＲＳＬ１４６２エポキシ樹脂、１６．７％のＢＣ−５８難燃剤、１．５％のイルガノックス１０１０、及び１％のビスフェノールＡ共触媒（全ての％は重量基準である）の正確な混合物である。１０ガロンの容器中に、１４．８ポンドのＰＴ−３０及び１５〜２０ポンドのＭＥＫを加え、激しく攪拌して前記ＰＴ−３０を完全に溶媒和した。次いで、６ポンドのＢＣ−５８を測定し、前記ＭＥＫ／ＰＴ−３０溶液に加え、激しく攪拌して前記ＢＣ−５８を溶媒和した。安定剤については、２４４．５ｇのイルガノックス１０１０及び１６３ｇのビスフェノールＡを加えた。この１０ガロンの容器を再秤量し、１４．２２ポンドのＲＳＬ１４６２を加えた。追加のＭＥＫを加えてこの溶液の重量が６０ポンドになるようにした。次いで、この内容物を約１〜２時間、即ち前記固体成分を完全に溶解するのに必要な時間激しく攪拌した。望みの製品はシラン化した又はチタネート化されたシリカのスラリー、前記触媒されていない（触媒のない）樹脂混合物、及びＭＥＫの混合物であり、ここに、固体の６８ｗｔ％はシリカであり、全固体はこの溶液の５％〜５０％である。正確な固体濃度は実験毎に異なり、部分的に含浸されるべき膜に依存する。触媒の量はＰＴ−３０及びＲＳＬ１４６２の合計に関して１０ppmである。溶液Ｉ及びIIの固体含量を測定して前駆体の精度を照合し、既に生じた全ての溶媒蒸発を補償した。次いで、溶液Ｉを１０ガロン容器に加えて１２ポンドの固体、即ち、固体含量５１％の２３．４８ポンドの溶液Ｉを与えた。次いで、溶液IIを前記容器に加えて５．６４ポンドの固体、即ち、固体含量５９．６％の９．４６ポンドの溶液IIを与えた。マンガン触媒溶液（ミネラルスピリット中０．６％）、３．４５ｇを溶液Ｉ及び溶液IIの混合物に加え、充分に混合して高固体含量の溶液を形成した。ｅＰＴＦＥマトリックスを含浸するための浴溶液、固体２８％の溶液を、前記高固体含量の溶液に充分なＭＥＫを加えて、全重量が６３ポンドになるようにすることにより調製した。その後、ｅＰＴＦＥマトリックスをこの浴溶液で含浸させて誘電性材料を形成し、加熱して溶媒を除き、接着剤を部分的に硬化させてＢ−ステージの製品を形成した。（例７）２６．８ｇのＦｕｒｎａｃｅＢｌａｃｋ（ＳｐｅｃｉａｌＳｃｈｗａｒｚ１００，ＤｅｇｕｓｓａＣｏｒｐ，ＲｉｄｇｅｆｉｅｌｄＰａｒｋ，ＮＪ）及び７９．８ｇのカップリング剤（ＧＬＹＭＯＣＡＳ＃２５３０−８３−８）：３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランを混合することにより、微細な分散体を調製した。この分散体を１分超音波攪拌に供し、次いで１７．５ポンドのＭＥＫ中の１７．５ポンドのＳｉＯ₂（ＳＯ−Ｅ２）を加えた。この分散液を還流しながら１時間連続的なオーバーヘッド混合（ｏｖｅｒｈｅａｄｍｉｘｉｎｇ）をしながら加熱し、次いで室温に冷却した。別に、次のものを加えることにより接着性ワニスを調製した：ＭＥＫ中のＰｒｉｍａｓｅｔＰＴ−３０の５７．５％（ｗ／ｗ）溶液３４１３ｇＮＭＥＫ中のＲＳＬ１４６２の７６．８％（ｗ／ｗ）溶液２４５６ｇ、ＭＥＫ中のＢＣ−５８の５３．２％（ｗ／ｗ）溶液１４９５ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノールＡの２３．９％（ｗ／ｗ）溶液２００ｇ、７１．５ｇのイルガノックス１０１０、ミネラルスピリット中のＭｎＨＥＸ−ＣＥＭの０．６％（ｗ／ｗ）溶液３．２１ｇ、及び２．４０ kgのＭＥＫ。別の容器中に、上記の分散液３７３９ｇを、０．０２３３ｇのＦｕｒｎａｃｅＢｌａｃｋ（ＳｐｅｃｉａｌＳｃｈｗａｒｚ１００）、上記接着性ワニスｌ３２８ｇ及び３８．３ＬｂｓのＭＥＫと共に加えた。この混合物を含浸浴中に注入し、ｅＰＴＦＥウェブを約３フィート／分の速度で前記含浸浴に通過させた。均一性を保つためにこの分散液を連続的に攪拌した。この含浸されたウェブを直ちに加熱炉に通過させて全ての又は殆ど全ての溶媒を除き、ロールに巻き取った。このプリプレグの数層を銅フォイルの間に広げ、２２０℃の温度にて真空で補助した油圧プレス中２００ｐｓｉで９０分圧縮し、次いで圧縮下に冷却した。こうして得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性を示した。（例８）次のものを加えることにより接着性ワニスを調製した：ＭＥＫ中のＰｒｉｍａｓｅｔＰＴ−３０（ＰＭＮＰ−８８−１５９１）の５７．５％（ｗ／ｗ）溶液３４１３ｇ、ＭＥＫ中のＲＳＬ１４６２の７６．８％（ｗ／ｗ）溶液２４５６ｇ、ＭＥＫ中のＢＣ−５８の５３．２％（ｗ／ｗ）溶液１４９５ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノールＡの２３．９％（ｗ／ｗ）溶液２００ｇ、７１．５ｇのイルガノックス１０１０、ミネラルスピリット中のＭｎＨＥＸ−ＣＥＭの０．６％（ｗ／ｗ）溶液３．２１ｇ、及び２．４０kgのＭＥＫ。別の容器中に、上記の接着性ワニス１３２８ｇ、４２．３ＬｂｓのＭＥＫ、６．４０ｇのＦｕｒｎａｃｅＢｌａｃｋ（ＳｐｅｃｉａｌＳｃｈｗａｒｚ１００）、及び１８６０ｇのＳｉＯ₂（ＳＯ −Ｅ２）を加えた。この混合物を含浸浴中に注入し、ｅＰＴＦＥウェブを３フィート／分又は約３フィート／分の速度で前記含浸浴に通過させた。均一性を保つためにこの分散液を連続的に攪拌した。この含浸されたウェブを直ちに加熱炉に通過させて全ての又は殆ど全ての溶媒を除き、ロールに巻き取った。このプリプレグの数層を銅フォイルの間に広げ、２２０℃の温度にて真空で補助した油圧プレス中２００ｐｓｉで９０分圧縮し、次いで圧縮下に冷却した。こうして得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性を示した。本発明の多数の態様及び利点は前記詳細な説明から明らかであり、従って添付の請求の範囲によって、本発明の真の精神及び範囲内に属する本発明の全てのそのような態様及び利点をカバーすることを意図している。更に、多数の修正と変形は当業者に容易に考えつかれるので、本発明を、例示し記述された正確な構造及び操作に限定されることは望まないし、従って全ての修正と均等物は本発明の範囲内に入るものと解釈されるべきである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims

【特許請求の範囲】１．次の工程を含む積層構造体の製造方法：それぞれ内表面及び外表面を持ち、誘電体層によって隔てられた第１及び第２の伝導体層を有する第１の積層体を形成する工程；前記第２の伝導体層の内表面と共存する底を有するブラインドビアを形成する工程；前記ブラインドビアを伝導性材料でメッキする工程；並びに前記第２の伝導体層をパターン形成して該ブラインドビアを覆う少なくとも１つの接点パッドを形成する工程。２．前記ブラインドビアを形成する工程が前記第１の積層体をパルスレーザービームで照射することを含む、請求項１に記載の方法。３．前記レーザービームが第３調波で作動するＮｄ：ＹＡＧレーザーによって作りだされる、請求項２に記載の方法。４．前記レーザービームが第４調波で作動するＮｄ：ＹＡＧレーザーによって作りだされる、請求項２に記載の方法。５．前記誘電体層がＰＴＦＥベースの材料で作られている、請求項２に記載の方法。６．前記ＰＴＦＥベースの材料が、シアネートエステル及びエポキシで含浸された延伸膨張されたＰＴＦＥマトリックスである、請求項５に記載の方法。７．前記第１の積層体を形成する工程が、少なくとも１つの開口部を有するように伝導性コア要素をパターン形成し、このパターン形成されたコア要素を２つの誘電体層の間に配置し、これらコア及び２つの誘電体層を第１及び第２の伝導体層の間に配置し、それによって積み重ねを形成し、そしてこの積み重ねを充分な熱及び圧力で圧縮して積層された多層構造体を形成することを含む、請求項１に記載の方法。８．更に前記第１の伝導体層をパターン形成することを含む、請求項１に記載の方法。９．前記メッキ工程が無電解メッキにより前記ブラインドビア中に伝導性フィルムを被着させることを含む、請求項１に記載の方法。１０．前記第１の積層体が厚さ２mm未満で、平面内（ｉｎ−ｐｌａｎｅ）モジュラスが≦５０ＧＰａであり、曲げモジュラスが≦６０ＧＰａである、請求項１に記載の方法。１１．次のものを含む積層構造体：誘電体層で隔てられ、内表面及び外表面を有する第１及び第２の伝導体層を有する第１の積層体；前記第１の伝導体層及び誘電体層に孔あけされ、前記第２の伝導体層の内表面と共存する底を有する少なくとも１つのブラインドビア；前記ブラインドビア上にメッキされた伝導性フィルム；並びに前記ブラインドビアを覆う第２の伝導体からパターン形成された接点パッド。１２，前記誘電体層がＰＴＦＥベースの材料でできている、請求項１１に記載の積層構造体。１３．前記ＰＴＦＥベースの材料がシアネートエステル及びエポキシで含浸された延伸膨張されたＰＴＦＥマトリックスである、請求項１２に記載の積層構造体。１４．更に、パターン形成され、少なくとも１つの開口部を有する伝導性コア要素を更に有し、このコア要素は２つの誘電体層の間に配置され、このコア及び２つの誘電体層は第１及び第２の伝導体層の間に配置され、これによって積み重ねを形成し、この積み重ねは、積層された多層構造体を形成するに充分な熱及び圧力で圧縮されている、請求項１１に記載の積層構造体。１５．更に第１の伝導体層をパターン形成することを含む、請求項１１に記載の積層構造体。１６．次の工程を含むチップ取り付けパッドを形成する方法：誘電体層で分離された第１及び第２の外側伝導体層を有する積層体を形成する工程；前記第１の伝導体層から前記誘電体層を通過して伸び、前記第２の伝導体層の内表面で終わるブラインドビアを形成する工程；このブラインドビアをメッキする工程；並びに前記第２の伝導体層をパターン形成してチップ取り付けパッドを形成する工程。１７．前記ブラインドビアの形成の工程が、標準的な写真平版法を用いてブラインドビアを光画定する（ｐｈｏｔｏ−ｄｅｆｉｎｅ）ことを含む、請求項１６に記載の方法。