JP2000503840A - 三重ウエルの電荷ポンプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、改良された電荷ポンプである。この電荷ポンプは、三重のウエル配列(２０６，２０４，２０６)を有する少なくとも１つのトランジスタを備える。この三重ウエルポンプトランジュスタは、反対の導電型を有する第１のウエル(２０６)上に形成された第１の導電型のソースとドレイン領域(２１０，２１２)を有する。第１の導電聖を有する第２のウエル(２０４)は、第１のウエル(２０６)の外側に形成される。ソース領域、第１のウエル及び第２のウエルは、実質的に同じ電位にセットされる。この構成の１つの特徴は、第１のウエルがドレイン領域(２１２)と共に半導体ダイオードを形成することである。この配列の他の特徴は、トランジスタの基体効果が減少されることである。基体効果の減少は、トランジスタのスレッショルド電圧を減少する。上述のダイオードとトランジスタのスレッショルド電圧が、単独でまた組み合わさって、電化ポンプがより効率的に動作することを可能にすることが分かった。

Description

【発明の詳細な説明】 三重ウエルの電荷ポンプ 発明の属する技術分野 本発明は、電荷ポンプ回路に関し、特に電荷ポンプ回路の設計にいて三重ウエ ルトランジスタを用いることに関する。 発明の背景 電荷ポンプは、電荷ポンプに供給される電圧より高い出力電圧を発生すること ができる回路である。電荷ポンプの応用の１つは、電気的に消去できるプログラ ム可能なリード・オンリーメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）やフラッシユメモリのような ある種の不揮発性の半導体メモリデバイスを消去したりプログラムするための電 圧を発生することである。これらのメモリデバイスを動作する一つの方法は、ホ ットエレクトロン注入によってプログラムし、フォウラーノルドハイム(Fowler- Nordheim)のトンネリングによって消去することである。このようなメモリセル のプログラミングや消去は、フローティングゲート電極を囲む誘電体を通過する 電流を必要とする。結果的に、一般的に高電圧が必要とされる。従来の不揮発性 半導体メモリデバイスは、通常の５ボルト電源に加えて外部の高電圧（例えば、 １２ボルト）の適用を必要とする。この配列は、それが複雑であり、回路基板上 の実際の場所を浪費するために、好ましくない。近年、多くの不揮発性半導体メ モリデバイスの製造業者は、消去やプログラミングのために必要な高電圧を生じ るように、チップ上に電荷ポンプを配置する。多くの消費者はこの開発を歓迎し 、不揮発性半導体デバイスの販売は増加している。 不揮発性半導体デバイスにおけるメモリセルの数が増加するにつれて、これら のセルを消去し、プログラムするために必要な電流も増加している。結果的に、 効率的である、例えば多くの電流をより速く発生する電荷ポンプに対する必要性 がある。 発明の概要 本発明は、電荷ポンプの効率を増大するために三重ウエルトランジスタを使用 することである。本発明の電荷ポンプは、ポンピングトランジスタに印加された クロックパルスに応答して、第１のポンピングトランジスタから最後のポンピン グトランジスタまでの電圧レベルを増加するように配置された複数のポンピング トランジスタを有する。これら複数のポンピングトランジスタの少なくとも１つ は、反対の導電型を有する第１のウエルに形成された第１の導電型のソース及び ドレイン領域を有している。 第１の導電型を有する第２のウエルは第１のウエルの外側に形成される。第２ のウエルは基板上に作られる。このトランジスタ設計は、一般に“三重ウエル” トランジスタと呼ばれる。ソース領域、第１のウエル、及び第２のウエルは、実 質的に同じ電位にセットされるのが好ましい。本発明の１つの実施形態において 、第２のウエルは電荷ポンプの最も高い正の電位にセットされる。 この形状の１つの特徴は、第１のウエルがドレイン領域を有する半導体ダイオ ードを形成することである。従来構造のポンピングトランジスタを比較して、こ のダイオードは、多くの電流がポンピングトランジスタを介して流れるようにす る。この配列の他の特徴は、それが三重ウエルトランジスタの基体効果を減少す ることである。結果として、このトランジスタのスレッショルド電圧は減少され る。スレッショルド電圧の減少によって、トランジスタは素早くターンオンされ る。 上述のダイオード及びスレッショルド電圧の減少効果は、単独に又組み合わさ って、電荷ポンプがより効率的に動作することを可能にする。改善された効率の 例は、出力電流を増加すること、電源電圧レベルを下げること、及び動作周波数 を増加することである。 本発明の三重ウエルポンピングトランジスタは正電圧及び負電圧の電荷ポンプ において使用されることができる。 本発明のこれら及び他の特徴は、図面と共に以下の詳細な説明を読むことによ って明らかになるであろう。 図面の簡単な説明 図１は、本発明の４ステージの電荷ポンプの概略図である。 図２は、図１の電荷ポンプと共に用いられることができるクロックパルスのタ イミング図を示す。 図３は、本発明の三重ウエルＮＭＯＳの概略断面図を示す。 図４は、図１の電荷ポンプに使用されることができる本発明の４つの三重ウエ ルトランジスタの上面図である。 図５は、図１の電荷ポンプのいろいろな点における電圧プロフィールを示す。 図６は、本発明による負電圧の電荷ポンプの概略図である。 発明の詳細な説明 本発明は、新規な電荷ポンプシステムに関する。以下の記載は、この分野の通 常の知識を有するもの（当業者）が本発明を作り、使用することができるように 記載されている。特定の応用の記載は、例示としてのみ与えられる。好適な実施 形態に対するいろいろな変更は当業者に容易に明らかであり、又ここで規定され た一般的な原理は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、他の実施形態 適用され、また応用されることができる。従って、本発明は、示された実施態様 に限定されることを意図するものでなく、ここに記載された原理や特徴に一致す る広い範囲に与えられるべきである。 図１は、本発明の４ステージ(段)電荷ポンプ１０.０の概略図である。電荷ポ ンプ１０.０は９つの三重ウエルＮＭＯＳトランジスタ１０２〜１１０、及び１ ２の通常のＮＭＯＳトランジスタ１１２〜１１９と１３２〜１３５を有する。こ れらの通常のＮＭＯＳトランジスタは、低いスレッショルド電圧を有する本来の ｎチャネルデバイスであるのが好ましい。通常のＮＭＯＳトランジスタ１１２〜 １１９はキャパシタとして働き、クロックパルス１２２‐１２９に結合される。 クロックパルスは、トランジスタ１１２〜１１９の容量作用をとおして対応する 三重ウエルＮＭＯＳトランジスタに結合される。８つのクロックパルスがあるけ れども、それらは、対として、即ち（１２２，１２４）、（１２３，１２５）、 （１２６，１２８）及び（１２７，１２９）として配列されている。対における 各クロックパルスは同じパルスのタイミングを有するが、一方、異なる対は異な るパルスのタイミングを有している。タイミング１９２〜１９５が対（１２２， １２４）、（１２３，１２５）、（１２６，１２８）及び（１２７，１２９）に それぞれ対応する場合のクロックパルスが図２に示されている。これらのパルス はこれらのキャパシタのゲートを交互にブースとアップする。これにより断から 断へ電圧レベルが増加する。電圧がポンプアップされる方法は、従来の電荷ポン プと同様である。本発明の１つの実施形態において、電荷ポンプに上級される電 圧は３ボルトだけであるのに対し、三重ウエルＮＭＯＳ１１０のドレイン端子に おける出力電圧は約１０．５ボルトである。以下に詳細に説明されるように、こ れらの三重ウエルトランジスタ（通常のＮＭＯＳトランジスタに代わって）の使 用は、従来の４ステージ電荷ポンプと比較して、電荷ポンプの性能及び効率を増 大する。 電荷ポンプは、好ましくは他の関連回路、例えばプリチャージや電圧調整回路 を含むことが留意されるべきである。これらの回路は、当業者によってよく知ら れており、ここでは説明しない。 図３は、図１のトランジスタ１０２〜１１０のために使用されることができる 三重ウエルＮＭＯＳトランジスタの概略断面図である。トランジスタ２０.０は ｐ型基板２０２上に作られる。Ｎウエル２０４は基板の上部に形成され、Ｐウエ ル２０６はＮウエル２０４上に形成される。Ｎ⁺型ドレイン領域２１０はＰウエ ル２０６に形成され、Ｎ⁺型ソース領域２１２もＰウエル２０６に形成される。 チャネル領域２１４がＰウエル２０６のソースとドレイン領域の間に画定される 。薄いゲート酸化物がゲート２１６とチャネル領域２１４の間に堆積される。ド レイン領域２１０、ゲート２１６、ソース領域２１２、Ｐウエル２０６及びＮウ エル２０４は、それぞれ個々の端子２２０‐２２４に結合される。従って、三重 ウエルトランジスタ２０.０は５つの端子デバイスと考えられる。本発明の１つ の実施形態において、Ｎ⁺ソースとＮ⁺ドレインは、電荷ポンプがアクティブのと き相互変更できる。何故ならば、何れか一方の端子は他の端子より高い電位を有 しているからである。 本発明の１つの実施形態において、ソース領域２１２、Ｐウエル２０６及びＮ ウエル２０４の電位は、同じ値にセットされる。この条件に合致する１つの方法 は、端子２２２、２２３と２２４を電気的に接続することである。基板２０２の 電位は、通常接地電位にセットされる。この配列はＰウエル２０６とドレイン領 域２１０間にＰＮダイオードを形成する。このダイードは本来この三重ウエル構 造内にあり、余分なシリコン領域を占有しない。このダイオードは、それがター ンオンされた後、十分な電流量を導通することができ、従って、特別な低抵抗路 をＮＭＯＳトランジスタに与える。この適用において、このダイオードは“エキ ストラダイオード“と呼ばれる。以下に更に詳細に説明されるように、このエキ ストラダイオードは以下の有利な効果を有する。 （１）次のステージのＮＭＯＳキャパシタ（即ち、トランジスタ１１２〜１１９ ）をチャージするため幾らかの電流がエキストラダイオードによって導通するこ とができるため、三重ウエルＮＭＯＳトランジスタ１０２〜１０９のパスゲート の大きさを減少することができる。 （２）ＮＭＯＳトランジスタ１０２〜１０９の大きさが減少されるため、それら の寄生キャパシタが減少する。その結果、ほとんど電力が消費されず、ポンプの 出力電流が増大する。 （３）この低抵抗のエキストラダイオード通路は順方向の導通電流を増加する。 それは、電荷が急速にビルドアップするため、ポンピング周波数を増加すること ができる。 （４）エキストラダイオードの導電路は、Ｖ_DD＋Ｖ_OUTから０．７＋Ｖ_OUT電圧ま で出力トランジスタ１１０においてピーク電圧のスイングを減少する。ここで、 Ｖ_DDは電源電圧であり、Ｖ_OUTは電荷ポンプ1０.９の出力端子１３８における出 力電圧である。結果的に、電荷ポンプの内部電圧ストレスば減少する。 上述の利点の結果として、電荷ポンプの性能は、このダイオードの存在によっ て著しく向上する。この利点は、実際のシリコンの場所を何ら必要とすることな く達成される。 この配列の他の利点は、基体（ボディー）効果が抑制されることである。基体 効果は、ソースと基板が逆バイアスされるときに生じる。ＮＭＯＳトランジスタ のスレッシヨルド電圧は、 Ｖ_T＝Ｖ_TO＋γ√［(Ｖ_BS＋Ｖ_BI)²‐（ＶＩ）²] で与えられる。ただし、Ｖ_Tは、基板バイアスがないときのスレッショルドであ り、Ｖ_TOは、ソースと基体間の電位であり、そしてＶ_BIは、外部電圧が印加され ない（即ち、ゼロバイアス）の場合、Ｐ-Ｎ接合の電位差である。Ｖ_TO、Ｖ_BI及び γの代表的な値は、それぞれ０．７ボルト、０．７ボルト及び０．４である。 逆バイアスされたソース−基板接合を横切って電圧を印加することはトランジ スタのスレッショルド電圧を増加する傾向にあることが上記式から理解される。 本発明の三重ウエルトランジスタにおいて、Ｖ_BSは、０.７ボルトのＰ‐Ｎ接合 カットイン電圧内に限定される。これは、ポンピングが作動されると、電荷がチ ャネル２１４、及びウエル２０６と領域２１０によって形成されたエキストラダ イオードを通して、Ｎ⁺拡散領域２１２からＮ⁺拡散領域２１０まで流れるためで ある。従って、ソースである低電位のＮ＋拡散領域は、従来のレギュレータＮＭ ＯＳ電荷ポンプにおける基板バイアスの１０ボルト以上と比較して、非常に小さ い最小化された約０．７ボルトの基板バイアスを受ける。電化ポンプ回路におい て、電荷が素早くビルドアップするように高い順方向の導電電流を発生すること が重要である。低いスレッシヨルド電圧は、ＮＭＯＳチャネルが早くターンオン されることを可能にし、従って、ポンピング周波数を増加することができる。本 発明の三重ウエルＮＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧は非常に低いため に、本発明の電荷ポンプのポンピング周波数は、従来の電荷ポンプより非常に高 くすることができる。本発明の実施形態において、電荷ポンプは、２２ＭＨｚで 効率的に動作することができるのに対し、従来の電荷ポンプは代表的には１０Ｍ Ｈｚで動作する。 図４は本発明に用いられた４つの三重ウエルトランジスタの上面図２５０を示 す。それはＰウエル２５８とＮウエル２５６の内部に形成された２つのトランジ スタ２５２と２５４を示す。トランジスタ２５２は、更に、ゲート２６０、ソー ス領域２６２及びドレイン領域２６４を有する。トランジスタ２５２は、図１の トランジスタ１０２に相当する。トランジスタ２５４は、更に、ゲート２７０、 ソース領域２７２及びドレイン領域２７４を有する。トランジスタ２５４は図１ のトランジスタ１０６に相当する。 図４は、またＰウエル２８８とＮウエル２８６の内部に形成された２つのトラ ンジスタ２８２と２８４を示す。トランジスタ２８２は、更に、ゲート２９０、 ソース領域２９２及びドレイン領域２９４を有する。トランジスタ２８２は図１ のトランジスタ１０３に相当する。トランジスタ２８４は、更に、ゲート２８０ 、２７２と同じ電位を有しなければならない。従って、これら２つのウエルも同 じ電位(Ｖ_DD)を有する。 図１は、トランジスタ１０２のゲート端子がトランジスタ１０６のドレイン端 子１４５、トランジスタ１０３のソース端子１４６及びトランジスタ１０７のソ ース端子に接続されていることを示す。上に説明されたように、Ｐウエル２８８ とＮウエル２８６は、(ソース端子１４６，１４７に結合されている)ソース領域 ２９２と３０２と同じ電位を有しなければならない。従って、ゲート２６０、ド レイン領域２７４、ソース領域２９２と３０２、Ｎウエル２８６及びＰウエル２ ８８は全て同じ電位を有している。 図１は、トランジスタ１０２のドレイン端子１５０がトランジスタ１０６のゲ ート１５１に接続されていることを示している。従って、図４において、ドレイ ン領域２６４はゲート２７０と同じ電位を有している。 図１は、(トランジスタ１０４と１０８のソース端子１５５と１５６に加えて) トランジスタ１０７のドレイン端子１５４に接続されている。従って、図４にお いて、ゲート２９０はドレイン領域３０４と同じ電位を有する。図１は、またト ランジスタ１０３のドレイン端子１５８がトランジスタ１０７のゲート１５９に せいつ属されていることを示している。従って、図４において、ドレイン領域２ ９４はゲート３０.０と同じ電位を有している。 図４において、電荷ポンプを有する９つの三重ウエルＮＭＯＳトランジスタの ４つだけが示されている。トランジスタ１０４〜１０５と１０８〜１０９の構造 は図４に示されたそれと同じである。トランジスタ１１０の構造は図４のトラン ジスタ１５４のそれと同じである。 本発明の１つの実施形態において、全ての三重ウエルトランジスタのチャネル 長は１.２μｍである。トランジスタ２５２と２８２(図１のトランジスタ１０２ と１０３に相当する)のチャネル長は６μｍであり、一方トランジスタ２５４と ２８４(図１のトランジスタ１０６と１０７に相当する)のチャネル幅は１８μｍ である。従って、これら２つのトランジスタも１.２μｍのチャネル長と６μｍ のチャネル幅を有している。トランジスタ１０８と１０９は、それぞれトランジ スタ１０６と１０７の同じ構造を有している。従って、これら２つのトランジス タも１.２μｍのチャネル長と１８μｍのチャネル幅を有している。図１の出力 トランジスタ１１０に対して、チャネル幅は１５μｍである。 同じ実施形態の通常のトランジスタ１１２〜１１９及び１３２〜１３５の大き さはテーブル１に示される。 テーブル１ トランジスタ チャネル長（μｍ） チャネル幅（μｍ） １１２ １０ １８ １１３ １０ １８ １１４ ２０ １８ １１５ ２０ ２４ １１６ １２０ ６０ １１７ １２０ ６０ １１８ １２０ ６０ １１９ １２０ ６０ １３２ １.２ ４ １３３ １.２ ４ １３４ １.２ ４ １３５ １.２ ４ 電荷ポンプにおける通常のトランジスタ上の三重ウエルトランジスタの改善を 決めるために、ポンプ負荷ラインを示す４つのテーブルが以下に示される。各テ ーブルにおいて、２つの右側列は、本発明の好適な三重ウエルトランジスタを用 いて構成された電荷ポンプの負荷ラインに相当する。２つの右側列からこれら２ つの右側列の左は、通常のトランジスタを用いて構成された同じ電荷ポンプの負 らラインに相当する。本発明の電荷ポンプは、ほとんど全ての電圧レベルで高い 電流を有していることが分かる。 テーブル２：ポンプ負荷ライン、Ｖ_DD＝２ｖ、温度＝２５Ｃ 平均二乗の平方根によって測定されたＩ_OUT、単位ｍＡ テーブル３：ポンプ負荷ライン、Ｖ_DD＝２ｖ、温度＝２５Ｃ 平均によって測定されたＩ_OUT、単位ｍＡ テーブル４：ポンプ負荷ライン、Ｖ_DD＝３ｖ、温度＝２５Ｃ 平均二乗の平方根によって測定されたＩ_OUT、単位ｍＡ テーブル５：ポンプ負荷ライン、Ｖ_DD＝３ｖ、温度＝２５Ｃ 平均によって測定されたＩ_OUT単位ｍＡ テーブル２から５に示された結果は、以下のことを示している． （１）本発明の電荷ポンプは、低いＶ_DDにおいて効率的に働く。例えば、Ｖ_DD＝ ２ボルトにおいて従来の電荷ポンプに対して本発明の電荷ポンプの性能の改善点 はＶ_DD＝３ボルトにおける電荷ポンプより大きい。本発明の電荷ポンプは １.５ボルトまで効率的に動作することが分かった。 （２）本発明の電荷ポンプは２２ＭＨｚで効率的に動作することができる。例え ば、テーブル２は、２２ＭＨｚにおいて本発明の電荷ポンプの出力電流は７.３ ＭＨｚ(Ｖ_OUT＝７ｖ)のそれよりも約２.５倍である。一方、２２ＭＨｚと７.３ ＭＨｚにおける従来の電荷ポンプの出力電流はほとんど差がない。 電荷ポンプ１００の動作について説明する。図５(Ａ)〜図５(Ｃ)は、図１のノ ード１６１〜１６８及び１３８における電圧プロフィールを示している。図５( Ａ)は、図２のパルス１２４，１２５，１２８及び１２９と同じ４つのクロック パルスを示す。これらのクロックパルスは、電圧プロフィールを理解するのに参 考となるようにここに再度示してた。図５(Ｂ)は、ノード１６５〜１６８及び１ ３８における電圧プロフィール３６１〜１６４をそれぞれ示している。図５(Ｃ) は、ノード１６１〜１６４における電圧プロフィール３６６〜３６９をそれぞれ 示している。三重ウエルトランジスタ１０７〜１０９がターンオンしたとき、電 荷が続くステージにポンプされることが図５(Ｂ)の領域３７１〜３７３に示され ている。結果的に、２つの隣り合うステージの電圧はこれらの領域において等し い。このポンピング効果は、エキストラダイオードによって向上され、本発明の 対応する三重ウエルトランジスタのスレショルド電圧を減少した。他の三重ウエ ルトランジスタの改善された効果は、当業者によって容易に理解されることがで き、ここに詳細に説明はしない。 本発明は、負の出力電圧を有する負の電荷ポンプに適用することができる。図 ６は、本発明による負の電荷ポンプ５００の概略図である。電荷ポンプ５００は 、１１の三重ウエルＮＭＯＳトランジスタ５０２〜５１２、及び１０のＰチャネ ルトランジスタ５２２〜５３１を有する。これらのＰチャネルトランジスタは、 キャパシタとして働き、クロックパルス５３４〜５４３へ結合される。クロック パルスは、トランジスタ５２２〜５３１のキャパシタ動作を介して対応する三重 ウエルＮＭＯＳトランジスタに結合される。４つのＰチャネルトランジスタ５５ ０から５５３は、初期のプルダウンのために三重ウエルトランジスタ５０８〜５ １１のソース端子に任意に結合される。本発明の１つの実施形態において、電荷 ポンプ５００に印加される電圧が約３ボルトのとき、三重ウエルトランジスタ５ １２ のドレイン端子における出力電圧は約−８ボルトである。トランジスタ５０２〜 ５１２における三重ウエル構造の使用は、基体効果を抑圧し、電荷ポンプ１００ に関して上述したと同じ方法で、エキストラダイオードを導入する。従って、上 述された全ての有益な効果は電荷ポンプ５００にも存在する。 いくつかの実施形態について説明したが、上に述べられない他の多くの変更や 変形が、本発明の精神及び請求項の範囲を逸脱することなく行なわれることは当 業者に容易に明らかであろう。例えば、上述した三重ウエル構造は、図１及び図 ６の電荷ポンプの設計に制限されず、全ての電荷ポンプに実際に用いることがで きる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チェン ヤオ ウー 台湾 タイペイ セクション ２ ホッピ ング イースト ロード レーン118― ＃５―エフ３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．電荷ポンプであって、 クロックパルスに応答して第１のトランジスタから最後のトランジスタまで 電圧レベルを増加するために配列された複数のトランジスタを備え、前記最後 のトランジスタは、前記複数のトランジスタに結合された電源電圧より実質的 に高い電圧を有しており、且つ 前記複数のトランジスタの少なくとも１つは、反対の導電型を有する第１の ウエル上に形成された第１の導電型のソース及びドレイン領域を有し、それに より前記第１のウエル、及び前記ソースとドレイン領域間に半導体接合を形成 し、前記一つのトランジスタは基板の上部に形成されていることを特徴とする 電荷ポンプ。 ２．前記ソース領域及び第１のウエルは実質的にに同じ電気を有することを特徴 とする請求項１に記載の電荷ポンプ。 ３．更に、前記第１の導電型を有する第２のウエルを備え、前記第２のウエルは 前記第１のウエルの外側で、前記基板の上部に形成されることを特徴とする請 求項１に記載の電荷ポンプ。 ４．更に、前記第１の導電型を有する第２のウエルを備え、前記第２のウエルは 前記第１のウエルの外側で、前記基板の上部に形成され、前記第１と第２のウ エルは実質的に同じ電位を有し、それにより前記１つのトランジスタの基体効 果を実質的に減少することを特徴とする請求項１に記載の電荷ポンプ。 ５．前記電源電圧は、約５ボルトと約１.５ボルト間の範囲にあることを特徴と する請求項４に記載の電荷ポンプ。 ６．前記電源電圧は、３ボルトに実質的に等しいことを特徴とする請求項４に記 載の電荷ポンプ。 ７．前記電源電圧は、２ボルトに実質的に等しいことを特徴とする請求項４に記 載の電荷ポンプ。 ８．前記クロックパルスの少なくとも１つは、１０ＭＨより高い周波数で動作す ることを特徴とする請求項４に記載の電荷ポンプ。 ９．前記クロックパルスの少なくとも１つは、２２ＭＨにほぼ等しい周波数で動 作することを特徴とする請求項４に記載の電荷ポンプ。 10．前記最後のトランジスタにおける前記電圧レベルは、正であることを特徴と する請求項１に記載の電荷ポンプ。 11．前記最後のトランジスタにおける前記電圧レベルは、負であることを特徴と する請求項１に記載の電荷ポンプ。 12．更に、前記クロックパルスを前記トランジスタに結合するための手段を有す ることを特徴とする請求項１に記載の電荷ポンプ。 13．更に、前記結合するための手段は、ＭＯＳトランジスタを有することを特徴 とする請求項１２に記載の電荷ポンプ。