JP2000352788A

JP2000352788A - 熱現像感光材料及びそれを用いる画像形成方法

Info

Publication number: JP2000352788A
Application number: JP11162650A
Authority: JP
Inventors: Shigeto Goto; 成人後藤
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1999-06-09
Filing date: 1999-06-09
Publication date: 2000-12-19

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】硬調で高濃度の画像が得られ、該画像の保存
性に優れ、取り扱い性及び搬送性と得られた画像を原稿
としてＰＳ版に焼き付けるときの小点再現性を両立させ
た熱現像感光材料を提供する。【解決手段】支持体上に感光性ハロゲン化銀、有機銀
塩、還元剤、バインダーと、ヒドラジン及び４級オニウ
ム塩から選ばれる少なくとも１種を有し、該ハロゲン化
銀を含有する感光層を有する側とは反対側の面の動摩擦
係数が０．１〜０．３５であって、且つ下記一般式
（Ａ）で表される化合物、ヒドロキシルアミン、アルカ
ノールアミン、フタル酸アンモニウム化合物、一般式
（Ｂ）で表されるヒドロキサム酸化合物、一般式（Ｃ）
で表されるＮ−アシルヒドラジン化合物及び一般式
（Ｄ）Ｒ₇−Ｈで表される水素原子ドナー化合物か
ら選ばれる少なくとも１つを含有する熱現像感光材料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は熱現像感光材料に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来印刷製版や医療の分野では、画像形
成材料の湿式処理に伴う廃液が、作業性の上で問題とな
っており、近年では環境保全、省スペースの観点からも
処理廃液の減量が強く望まれている。そこで、レーザー
・イメージセッターやレーザー・イメージャーにより効
率的な露光が可能で、高解像度で鮮明な黒色画像を形成
することができる写真用途の光熱材料に関する技術が必
要とされている。この技術として、例えば、米国特許第
３，１５２，９０４号、同第３，４８７，０７５号及び
Ｄ．モーガン（Ｍｏｒｇａｎ）による「ドライシルバー
写真材料（ＤｒｙＳｉｌｖｅｒＰｈｏｔｏｇｒａｐｈ
ｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ）」（Ｈａｎｄｂｏｏｋｏ
ｆＩｍａｇｉｎｇＭａｔｅｒｉａｌｓ，Ｍａｒｃｅ
ｌＤｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ．第４８頁，１９９１）等に
記載されているように、支持体上に有機銀塩、感光性ハ
ロゲン化銀粒子、還元剤及びバインダーを含有する熱現
像材料が知られている。

【０００３】これらの熱現像感光材料は、熱現像処理に
て写真画像を形成するもので、還元可能な銀源（有機銀
塩）、感光性ハロゲン化銀、還元剤及び必要に応じて銀
の色調を抑制する色調剤を通常（有機）バインダーマト
リックス中に分散した状態で含有している。該熱現像感
光材料は常温で安定であるが、露光後高温（例えば、８
０℃〜１４０℃）に加熱することで現像される。加熱す
ることで有機銀塩（酸化剤として機能する）と還元剤と
の間の酸化還元反応を通じて銀を生成する。この酸化還
元反応は露光でハロゲン化銀に発生した潜像の触媒作用
によって促進される。露光領域中の有機銀塩の反応によ
って生成した銀は黒色画像を提供し、これは非露光領域
と対照をなし、画像の形成がなされる。この反応過程
は、外部から水等の処理液を供給することなしで進行す
る。

【０００４】これらの熱現像感光材料はマイクロフィル
ム用やＸ線撮影用に使用されてきたが、得られる画像の
濃度が低く、階調が軟調であることから、印刷製版用と
しては一部で使われているのみである。

【０００５】一方、近年のレーザーや発光ダイオードの
技術の進歩により、６００〜８００ｎｍに発振波長を有
するスキャナーで露光可能な、感度や濃度（Ｄｍａｘ）
が高く、且つ硬調な画像が得られる感光材料の開発が強
く望まれ、また簡易処理、ドライ化への要望も強くなっ
ている。

【０００６】米国特許第３，６６７，９５８号には、ポ
リヒドロキシベンゼン類とヒドロキシルアミン類、レダ
クトン類又はヒドラジン類を併用した熱現像感光材料が
高い画像識別性と解像力を有することが記載されている
が、これらの還元剤の組み合わせはカブリの上昇を引き
起こしやすい。

【０００７】また米国特許第５，４６４，７３８号、同
第５，４９６，６９５号には、有機銀塩、ハロゲン化
銀、ヒンダードフェノール類及びある種のヒドラジン誘
導体を含有する熱現像感光材料が記載されているが、こ
れらのヒドラジン誘導体を用いると、十分なＤｍａｘ或
いは超硬調性が得られず、更に黒ポツが発生して画像が
劣化してしまう。

【０００８】黒ポツを改良したヒドラジン誘導体を含有
する熱現像感光材料としては、特開平９−２９２６７１
号、同９−３０４８７０号、同９−３０４８７１号、同
９−３０４８７２号、同１０−３１２８２号に記載のも
のがあり、更に画像再現性を改善したものとして特開平
１０−６２８９８号に記載のものがあるが、いずれもＤ
ｍａｘ、超硬調性、黒ポツの抑制に加えて小点再現性や
寸法安定性の全てを満足するには至っていない。また形
成された画像の経時保存性に劣り、カブリが上昇してし
まう。

【０００９】また特開平１０−４８７７５号には、動摩
擦係数を０．１〜０．２５とすることで現像ムラ、取り
扱い性、搬送性を改良することが記載されているが、こ
の動摩擦係数にするために、マット剤、界面活性剤、オ
イル等が用いられ、これらを添加することは、熱現像画
像を原稿としてＰＳ版に焼き付ける時の小点再現性が劣
化したり、熱現像画像のＤｍａｘが低下したり、硬調化
が不十分であったりする。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたものであり、その目的は、硬調で高濃度
の画像が得られ、該画像の保存性に優れ、取り扱い性及
び搬送性と得られた画像を原稿としてＰＳ版に焼き付け
るときの小点再現性を両立させた熱現像感光材料を提供
することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、支
持体上に感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、還元剤、バイ
ンダーと、ヒドラジン及び４級オニウム塩から選ばれる
少なくとも１種を有し、該ハロゲン化銀を含有する感光
層を有する側とは反対側の面の動摩擦係数が０．１〜
０．３５であって、且つ前記一般式（Ａ）で表される化
合物、ヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、フタ
ル酸アンモニウム化合物、一般式（Ｂ）で表されるヒド
ロキサム酸化合物、一般式（Ｃ）で表されるＮ−アシル
ヒドラジン化合物及び一般式（Ｄ）で表される水素原子
ドナー化合物から選ばれる少なくとも１つを含有する熱
現像感光材料、支持体の厚みが１１０〜１５０μｍであ
ること、感光層の厚みが３〜１５μｍであること、感光
層に含有される銀の量が０．３〜１．５ｇ／ｍ²である
こと、前記熱現像感光材料にレーザー光で画像露光する
画像形成方法、レーザー光の波長が７００〜１０００ｎ
ｍの範囲にあること、熱現像感光材料を水平搬送し、プ
レヒートを経て熱現像すること、プレヒートと熱現像と
を合わせて４５秒以内で行うこと、によって達成され
る。

【００１２】以下、本発明について詳しく述べる。

【００１３】本発明の熱現像感光材料は、ヒドラジン及
び４級オニウム塩から選ばれる硬調化剤を含有し、感光
層を有する側とは反対側、即ちバックコート面側の動摩
擦係数が０．１〜０．３５であって、且つ前記一般式
（Ａ）で表される化合物、ヒドロキシルアミン、アルカ
ノールアミン、フタル酸アンモニウム化合物、一般式
（Ｂ）で表されるヒドロキサム酸化合物、一般式（Ｃ）
で表されるＮ−アシルヒドラジン化合物及び一般式
（Ｄ）で表される水素原子ドナー化合物から選ばれる少
なくとも１つを含有することを特徴とする。

【００１４】前記動摩擦係数を０．１〜０．３５に調整
するには、バックコート面側の層に添加するマット剤の
粒径や添加量、潤滑剤の種類や添加量を選択する。使用
できるマット剤は、有機化合物の粉体として具体的に
は、ポリメチルメタクリレート等の水分散性ビニル重合
体、セルロースアセテートプロピオネート、四フッ化エ
チレン、澱粉等が挙げられ、特にメチルメタクリレー
ト、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレー
トの如きアクリル酸エステルの単独重合体又はアクリル
酸エステル同士か他のビニルモノマーとの共重合体の様
な水分散性ビニル重合体の球形マット剤が好ましい。無
機化合物としては、硫酸ストロンチウムバリウム、炭酸
カルシウム、二酸化珪素、酸化マグネシウム、窒化硼
素、中空シリカ、酸化チタン等が好ましく用いられる。
添加量は１〜１０００ｍｇ／ｍ²程度、好ましくは１０
〜５００ｍｇ／ｍ²である。平均粒径は０．１〜３０μ
ｍ程度、好ましくは１〜２５μｍである。

【００１５】潤滑剤としては、米国特許第３，０４２，
５２２号、同第３，０８０，３１７号、同第３，４８
９，５６７号、同第４，００４，９２７号、同第４，０
４７，９５８号、英国特許第９５５，０６１号、同第
１，１４３，１１８号、特開昭６０−１４０３４１号等
に記載のシリコーン系化合物、米国特許第２，４５４，
０４３号、同第２，７３２，３０５号、同第２，９７
６，１４８号、同第３，２０６，３１１号、独国特許第
１，２８４，２９５号、同第１，２８４，２９４号等に
記載の高級脂肪酸系、アルコール系、酸アミド系化合
物、英国特許第１，２６３，７２２号、米国特許第３，
９３３，５１６号等に記載の金属石鹸、米国特許第２，
５８８，７６５号、同第３，１２１，０６０号、英国特
許第１，１９８，３８７号等に記載のエステル系、エー
テル系化合物、米国特許第３，５０２，４３７号、同第
３，０４２，２２２号に記載のタウリン系化合物等を挙
げることができる。添加量は１〜１０００ｍｇ／ｍ²程
度、好ましくは１０〜５００ｍｇ／ｍ²である。

【００１６】前記動摩擦係数として好ましくは０．１２
〜０．３２であり、更に好ましくは０．１５〜０．２７
である。また取り扱い性（擦り傷耐性）向上のためにマ
ット剤としてモース硬度８以上のものを用いるのも好ま
しく、特にα−アルミナが好ましい。潤滑剤としては脂
肪酸又は脂肪酸エステルが好ましい。

【００１７】一般式（Ａ）において、ＥＷＤで表される
電子吸引性基とはハメットの置換基定数σｐが正の値を
取りうる置換基のことであり、具体的には、シアノ基、
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルスル
ホニル基、アリールスルホニル基、ニトロ基、ハロゲン
原子、パーフルオロアルキル基、アシル基、ホルミル
基、ホスホリル基、カルボキシ基又はその塩、スルホ基
又はその塩、飽和若しくは不飽和のヘテロ環基、アルケ
ニル基、アルキニル基、アシルオキシ基、アシルチオ
基、スルホニルオキシ基又はこれら電子吸引性基で置換
されたアリール基等が挙げられる。これらの基は置換基
を有していてもよい。

【００１８】一般式（Ａ）で表される化合物の具体例と
しては例えば、米国特許第５，５４５，５１５号に記載
のものが挙げられる。

【００１９】ヒドロキシルアミン、アルカノールアミ
ン、フタル酸アンモニウム化合物の具体例としては例え
ば、米国特許第５，５４５，５０５号に記載のものが挙
げられる。

【００２０】一般式（Ｂ）において、Ｒ₄はアルキル基
であるのが好ましく、特に好ましいのはメチル基、エチ
ル基である。Ｒ₅はアリール基、ヘテロ環基、ヘテロ環
オキシ基、ヘテロ環チオ基であるのが好ましく、更に好
ましくはヘテロ環オキシ基、ヘテロ環チオ基である。ヘ
テロ環オキシ基として具体的には、ピリジルオキシ基、
ピリミジルオキシ基、インドリルオキシ基、ベンゾチア
ゾリルオキシ基、ベンズイミダゾリルオキシ基、フリル
オキシ基、チエニルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、イ
ミダゾリルオキシ基等が挙げられる。ヘテロ環チオ基と
して具体的には、ピリジルチオ基、ピリミジルチオ基、
インドリルチオ基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベンズイ
ミダゾリルチオ基、フリルチオ基、チエニルチオ基、ピ
ラゾリルチオ基、イミダゾリルチオ基等が挙げられる。
中でも好ましいのは、ピリジルオキシ基、チエニルオキ
シ基である。またＸは水素原子であるのが好ましい。

【００２１】一般式（Ｂ）で表される化合物の具体例と
しては例えば、米国特許第５，５４５，５０７号に記載
のものが挙げられる。

【００２２】一般式（Ｃ）において、Ｒ₆はアリール
基、ヘテロ環基、ヘテロ環オキシ基、ヘテロ環チオ基で
あるのが好ましく、更に好ましくはヘテロ環オキシ基、
ヘテロ環チオ基である。これらの具体例は前述のものが
挙げられ、中でも好ましいのは、ピリジルオキシ基、チ
エニルオキシ基である。

【００２３】一般式（Ｃ）で表される化合物の具体例と
しては例えば、米国特許第５，５５８，９８３号に記載
のものが挙げられる。

【００２４】一般式（Ｄ）で表される化合物の具体例と
しては例えば、米国特許第５，６３７，４４９号に記載
のものが挙げられる。

【００２５】以下に一般式（Ａ）〜（Ｄ）の化合物及び
ヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、フタル酸ア
ンモニウム化合物の具体例を挙げるが、これらに限定さ
れない。

【００２６】

【化４】

【００２７】

【化５】

【００２８】本発明の熱現像感光材料においては、支持
体の厚みが１１０〜１５０μｍであることが好ましく、
より好ましくは１１０〜１４０μｍ、更には１１５〜１
３５μｍであり、感光層の厚みが３〜１５μｍであるこ
とが好ましく、更には７〜１１μｍであり、感光層に含
有される銀の量が０．３〜１．５ｇ／ｍ²であることが
好ましく、更には０．７〜１．１ｇ／ｍ²である。

【００２９】本発明の熱現像感光材料の好ましい態様と
しては、支持体上に下引き層、感光層、感光層表面保護
層をこの順に設けて感光面側とすることを挙げることが
できる。該下引き層は２層以上からなることが好まし
く、膜厚の総和は０．２〜５μｍ程度、好ましくは０．
５〜３μｍである。感光層の膜厚は５〜１３μｍが好ま
しく、更には７〜１１μｍである。感光層表面保護層の
膜厚は２〜１０μｍが好ましく、更には４〜８μｍであ
る。また感光層表面保護層にはマット剤を含有するのが
好ましく、マット剤の平均粒径は０．１〜３０μｍ程
度、好ましくは１〜２５μｍであり、前述の様なものを
採用できるが、ポリメチルメタクリレート等の有機物粉
末を用いることが好ましい。

【００３０】バックコート面側については、支持体上に
下引き層、バックコート層、バックコート表面保護層を
この順に設けることが好ましい。下引き層は２層以上か
らなることが好ましく、支持体に最も近い下引き層は導
電性の金属酸化物及び／又は導電性ポリマーを含有する
帯電防止層であることが好ましい。導電性の金属酸化物
としてはＳｂで表面処理されたＳｎＯ₂が、導電性ポリ
マーとしてはポリアニリンが好ましい。下引き層の膜厚
の総和は０．２〜４μｍ程度、好ましくは０．５〜２μ
ｍである。バックコート層の膜厚は２〜１０μｍが好ま
しく、更には４〜８μｍである。バックコート層にはア
ンチハレーション染料を含むことが好ましい。バックコ
ート表面保護層の膜厚は２〜１０μｍが好ましく、更に
は４〜８μｍである。この表面保護層に前述のマット剤
や潤滑剤を含有させて動摩擦係数を調整する。

【００３１】ハロゲン化銀は光センサーとして機能する
ものである。平均粒子サイズは小さい方が好ましく、
０．１μｍ以下、より好ましくは０．０１μｍ〜０．１
μｍ、特に０．０２μｍ〜０．０８μｍが好ましい。こ
こでいう粒子サイズとは、ハロゲン化銀粒子が立方体或
いは八面体のいわゆる正常晶である場合には、ハロゲン
化銀粒子の稜の長さをいう。又、正常晶でない場合、例
えば球状、棒状、或いは平板状の粒子の場合には、ハロ
ゲン化銀粒子の体積と同等な球を考えたときの直径をい
う。またハロゲン化銀は単分散であることが好ましい。
ここでいう単分散とは、下記式で求められる単分散度が
４０以下をいう。更に好ましくは３０以下であり、特に
好ましくは０．１以上２０以下となる粒子である。

【００３２】単分散度＝（粒径の標準偏差）／（粒径の
平均値）×１００ハロゲン化銀粒子の形状については、特に制限はない
が、ミラー指数〔１００〕面の占める割合が高いことが
好ましく、この割合が５０％以上、更には７０％以上、
特に８０％以上であることが好ましい。またもう一つの
好ましいハロゲン化銀の形状は、平板粒子である。ここ
でいう平板粒子とは、投影面積の平方根を粒径ｒμｍと
して垂直方向の厚みｈμｍした場合のアスペクト比＝ｒ
／ｈが３以上のものをいう。その中でも好ましくはアス
ペクト比が３以上５０以下である。また粒径は０．１μ
ｍ以下であることが好ましく、さらに０．０１μｍ〜
０．０８μｍが好ましい。

【００３３】ハロゲン組成としては特に制限はなく、塩
化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀、臭化銀、沃臭化銀、沃化
銀のいずれであってもよい。写真乳剤は酸性法、中性
法、アンモニア法等のいずれの方法を用いて調製しても
よく、又可溶性銀塩と可溶性ハロゲン塩を反応させる形
成としては、片側混合法、同時混合法、それらの組合せ
等のいずれを用いてもよい。このハロゲン化銀はいかな
る方法で画像形成層に添加されてもよく、このときハロ
ゲン化銀は還元可能な銀源に近接するように配置する。
又、ハロゲン化銀は有機酸銀とハロゲンイオンとの反応
による有機酸銀中の銀の一部又は全部をハロゲン化銀に
変換することによって調製してもよいし、ハロゲン化銀
を予め調製しておき、これを有機銀塩を調製するための
溶液に添加してもよく、又はこれらの方法の組み合わせ
も可能であるが、後者が好ましい。一般にハロゲン化銀
は有機銀塩に対して０．７５〜３０重量％の量で含有す
ることが好ましい。

【００３４】本発明に用いられるハロゲン化銀には、周
期表の６族から１１族に属する金属イオンを含有するこ
とが好ましい。上記の金属としては、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐ
ｔ、Ａｕが好ましい。

【００３５】感光性ハロゲン化銀粒子はヌードル法、フ
ロキュレーション法等、当業界で知られている方法の水
洗により脱塩することができる。また感光性ハロゲン化
銀粒子は化学増感されていることが好ましい。好ましい
化学増感法としては当業界でよく知られているように硫
黄増感法、セレン増感法、テルル増感法、金化合物や白
金、パラジウム、イリジウム化合物等の貴金属増感法や
還元増感法を用いることができる。

【００３６】本発明において有機銀塩は還元可能な銀源
であり、還元可能な銀イオン源を含有する有機酸及びヘ
テロ有機酸の銀塩、特に長鎖（１０〜３０、好ましくは
１５〜２５の炭素原子数）の脂肪族カルボン酸及び含窒
素複素環が好ましい。配位子が、４．０〜１０．０の銀
イオンに対する総安定定数を有する有機又は無機の銀塩
錯体も有用である。好適な銀塩の例は、Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ第１７０２９号及び２９９６
３号に記載されている。好ましい銀源はベヘン酸銀、ア
ラキジン酸銀及びステアリン酸銀である。

【００３７】有機銀塩化合物は、水溶性銀化合物と銀と
錯形成する化合物を混合することにより得られるが、正
混合法、逆混合法、同時混合法、特開平９−１２７６４
３号に記載されている様なコントロールドダブルジェッ
ト法等が好ましく用いられる。

【００３８】有機銀粒子の平均粒径は０．２〜１．２μ
ｍであることが好ましく、さらに好ましくは０．３５〜
１μｍである。また有機銀粒子は単分散であることが好
ましく、好ましくは単分散度が１〜３０である。

【００３９】感光材料の失透を防ぐためには、ハロゲン
化銀及び有機銀塩の総量は、銀量に換算して１ｍ²当た
り０．５ｇ〜２．２ｇであることが好ましい。

【００４０】好適な還元剤の例は、米国特許第３，７７
０，４４８号、同第３，７７３，５１２号、同第３，５
９３，８６３号、及びＲｅｓｅａｒｃｈＤｉｓｃｌｏ
ｓｕｒｅ第１７０２９号及び２９９６３号に記載されて
いる。中でも特に好ましい還元剤はヒンダードフェノー
ル類である。ヒンダードフェノール類としては下記一般
式で表される化合物が挙げられる。

【００４１】

【化６】

【００４２】式中、Ｒは水素原子、又は炭素原子数１〜
１０のアルキル基（例えば、−Ｃ₄Ｈ₉、２，４，４−ト
リメチルペンチル）を表し、Ｒ′及びＲ″は炭素原子数
１〜５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、ｔ−ブ
チル）を表す。

【００４３】上記一般式で表される化合物の具体例を以
下に示す。ただし、本発明は、以下の化合物に限定され
るものではない。

【００４４】

【化７】

【００４５】

【化８】

【００４６】前記一般式で表される化合物を始めとする
還元剤の使用量は好ましくは銀１モル当り１×１０^-2〜
１０モル、特に１×１０^-2〜１．５モルである。

【００４７】熱現像材料に好適なバインダーは透明又は
半透明で、一般に無色であり、天然ポリマー合成樹脂や
ポリマー及びコポリマー、その他フィルムを形成する媒
体、例えば：ゼラチン、アラビアゴム、ポリ（ビニルア
ルコール）、ヒドロキシエチルセルロース、セルロース
アセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリ
（ビニルピロリドン）、カゼイン、デンプン、ポリ（ア
クリル酸）、ポリ（メチルメタクリル酸）、ポリ（塩化
ビニル）、ポリ（メタクリル酸）、コポリ（スチレン−
無水マレイン酸）、コポリ（スチレン−アクリロニトリ
ル）、コポリ（スチレン−ブタジエン）、ポリ（ビニル
アセタール）類（例えば、ポリ（ビニルホルマール）及
びポリ（ビニルブチラール））、ポリ（エステル）類、
ポリ（ウレタン）類、フェノキシ樹脂、ポリ（塩化ビニ
リデン）、ポリ（エポキシド）類、ポリ（カーボネー
ト）類、ポリ（ビニルアセテート）、セルロースエステ
ル類、ポリ（アミド）類がある。親水性でも疎水性でも
よい。好ましいバインダーとしては、ポリビニルブチラ
ール、セルロースアセテート、セルロースアセテートブ
チレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアク
リル酸、ポリウレタンなどがあげられる。その中でもポ
リビニルブチラール、セルロースアセテート、セルロー
スアセテートブチレート、ポリエステルは特に好ましく
用いられる。

【００４８】またもう一つの好ましいバインダーとして
は、水系溶媒（水溶媒）に可溶または分散可能で、２５
℃、６０％ＲＨにおける平衡含水率が２重量％以下のポ
リマーである。このようなポリマーを用いると、３０重
量％以上の水を含有する水溶媒を塗布溶媒に用いた感光
層の塗設ができる。この様なポリマーとしては、アクリ
ル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ゴム系樹脂（例えばＳ
ＢＲ樹脂やＮＢＲ樹脂）、酢酸ビニル樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂などがある。

【００４９】感光層のバインダー量は１．５〜１０ｇ／
ｍ²であることが好ましく、さらに好ましくは１．７〜
８ｇ／ｍ²である。

【００５０】ヒドラジン誘導体としては、下記一般式
〔Ｈ〕で表される化合物が好ましい。

【００５１】

【化９】

【００５２】式中、Ａ₀はそれぞれ置換基を有してもよ
い脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−Ｇ₀−Ｄ₀基を、
Ｂ₀はブロッキング基を表し、Ａ₁、Ａ₂はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基、スルホニル
基又はオキザリル基を表す。ここで、Ｇ₀は−ＣＯ−
基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ₁Ｄ₁）
−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）（Ｇ₁Ｄ
₁）−基を表し、Ｇ₁は単なる結合手、−Ｏ−基、−Ｓ−
基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は脂肪族基、芳香族
基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に複数のＤ₁
が存在する場合、それらは同じであっても異なってもよ
い。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基、
アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。

【００５３】一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀で表される脂
肪族基は好ましくは炭素数１〜３０のものであり、特に
炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基が好
ましく、例えばメチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、オ
クチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基が挙げられ、
これらは更に適当な置換基（例えばアリール基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、スルファモ
イル基、アシルアミノ基、ウレイド基等）で置換されて
いてもよい。

【００５４】一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀で表される芳
香族基は、単環又は縮合環のアリール基が好ましく、例
えばベンゼン環又はナフタレン環が挙げられ、Ａ₀で表
される複素環基としては、単環又は縮合環で窒素、硫
黄、酸素原子から選ばれる少なくとも一つのヘテロ原子
を含む複素環が好ましく、例えばピロリジン環、イミダ
ゾール環、テトラヒドロフラン環、モルホリン環、ピリ
ジン環、ピリミジン環、キノリン環、チアゾール環、ベ
ンゾチアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げら
れ、Ａ₀で表される−Ｇ₀−Ｄ₀基において、Ｇ₀は−ＣＯ
−基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ
₁Ｄ₁）−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）
（Ｇ₁Ｄ₁）−基を表す。Ｇ₁は単なる結合手、−Ｏ−
基、−Ｓ−基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は脂肪族
基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に
複数のＤ₁が存在する場合、それらは同じであっても異
なってもよい。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香族基、
複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表し、好ましい
Ｄ₀としては水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
ミノ基等が挙げられる。Ａ₀の芳香族基、複素環基及び
−Ｇ₀−Ｄ₀基は置換基を有していてもよい。

【００５５】Ａ₀として特に好ましいものはアリール基
及び−Ｇ₀−Ｄ₀基である。

【００５６】又、一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀は耐拡散
基又はハロゲン化銀吸着基を少なくとも一つ含むことが
好ましい。耐拡散基としてはカプラー等の不動性写真用
添加剤にて常用されるバラスト基が好ましく、バラスト
基としては写真的に不活性であるアルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アルコキシ基、フェニル基、フェ
ノキシ基、アルキルフェノキシ基等が挙げられ、置換基
部分の炭素数の合計は８以上であることが好ましい。

【００５７】一般式〔Ｈ〕において、ハロゲン化銀吸着
促進基としてはチオ尿素、チオウレタン基、メルカプト
基、チオエーテル基、チオン基、複素環基、チオアミド
複素環基、メルカプト複素環基、或いは特開昭６４−９
０４３９号に記載の吸着基等が挙げられる。

【００５８】一般式〔Ｈ〕において、Ｂ₀はブロッキン
グ基を表し、好ましくは−Ｇ₀−Ｄ_０基であり、Ｇ_０は
−ＣＯ−基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝Ｎ
Ｇ₁Ｄ₁）−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ
（Ｏ）（Ｇ₁Ｄ₁）−基を表す、好ましいＧ₀としては−
Ｃ_O−基、−ＣＯＣＯ−基が挙げられ、Ｇ₁は単なる結合
手、−Ｏ−基、−Ｓ−基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、
Ｄ₁は脂肪族基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表
し、分子内に複数のＤ₁が存在する場合、それらは同じ
であっても異なってもよい。Ｄ₀は水素原子、脂肪族
基、芳香族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表
し、好ましいＤ₀としては水素原子、アルキル基、アル
コキシ基、アミノ基等が挙げられる。Ａ₁、Ａ₂はともに
水素原子、又は一方が水素原子で他方はアシル基（アセ
チル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等）、
スルホニル基（メタンスルホニル基、トルエンスルホニ
ル基等）、又はオキザリル基（エトキザリル基等）を表
す。

【００５９】次に一般式〔Ｈ〕で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

【００６０】

【化１０】

【００６１】

【化１１】

【００６２】

【化１２】

【００６３】

【化１３】

【００６４】

【化１４】

【００６５】

【化１５】

【００６６】更に好ましいヒドラジン誘導体は、下記一
般式（Ｈ−１）、（Ｈ−２）、（Ｈ−３）、（Ｈ−４）
又は（Ｈ−５）で表される化合物である。

【００６７】

【化１６】

【００６８】式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃はそれぞれ置換
又は無置換のアリール基又は、置換又は無置換のヘテロ
アリール基を表す。Ｒ₁₄はヘテロ環オキシ基又はヘテロ
アリールチオ基を表す。Ａ₁、Ａ₂は共に水素原子又は一
方が水素原子で他方がアシル基、アルキルスルホニル基
又はオキザリル基を表す。

【００６９】

【化１７】

【００７０】式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアルキ
ル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Ｒ₂₂は
水素、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロア
リールアミノ基を表す。Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）の
それと同義である。

【００７１】

【化１８】

【００７２】式中、Ｇ₃₁、Ｇ₃₂は−（ＣＯ）ｐ−基、−
Ｃ（＝Ｓ）−基、スルホニル基、スルホキシ基、−Ｐ
（＝Ｏ）Ｒ₃₃−基又はイミノメチレン基を表し、ｐは１
又は２の整数を表し、Ｒ₃₃はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基
又はアミノ基を表す。但し、Ｇ₃₁がスルホニル基のとき
Ｇ₃₂はカルボニル基ではない。Ｒ₃₁、Ｒ₃₂は一価の置換
基を表す。Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）のそれと同義で
ある。

【００７３】

【化１９】

【００７４】式中、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂及びＲ₄₃はそれぞれ置換
又は無置換のアリール基又は、置換又は無置換のヘテロ
アリール基を表す。Ｒ₄₄、Ｒ₄₅は置換又は無置換のアル
キル基を表す。Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）のそれと同
義である。

【００７５】

【化２０】

【００７６】式中、Ｒ₅₁は、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アラルキル基、ヘテロ環基、置換ア
ミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ
環アミノ基、ヒドラジノ基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、ヘテロ環チオ基、アルコキシカルボニル基、ア
リールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル
基、アルキルチオカルボニル基、アリールチオカルボニ
ル基、ヘテロ環チオカルボニル基、カルバモイル基、カ
ルバモイルオキシ基、カルバモイルチオ基、カルバゾイ
ル基、オキサリル基、オキサモイル基、アルコキシウレ
イド基、アリールオキシウレイド基又はヘテロ環オキシ
ウレイド基を表す。Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）のそれ
と同義である。

【００７７】一般式（Ｈ−１）において、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及
びＲ₁₃で表されるアリール基としてはフェニル基、ｐ−
メチルフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、ヘテロア
リール基としては、トリアゾール残基、イミダゾール残
基、ピリジン残基、フラン残基、チオフェン残基等が挙
げられる。またＲ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃はそれぞれ任意の連
結基を介して結合しても良い。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃が有
してもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、複素環基、４級化され
た窒素原子を含むヘテロ環基（ピリジニオ基等）、ヒド
ロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基若しくはプ
ロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリ
ールオキシ基、アシルオキシ基、アシル基、アルコキシ
カルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモ
イル基、ウレタン基、カルボキシル基、イミド基、アミ
ノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド
基、チオウレイド基、スルファモイルアミノ基、セミカ
ルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、４
級アンモニオ基、（アルキル、アリール又はヘテロ環）
チオ基、メルカプト基、（アルキル又はアリール）スル
ホニル基、（アルキル又はアリール）スルフィニル基、
スルホ基、スルファモイル基、アシルスルファモイル
基、（アルキル又はアリール）スルホニルウレイド基、
（アルキル又はアリール）スルホニルカルバモイル基、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、リン酸アミド基等
が挙げられる。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃として全てがフェニ
ル基であることが好ましく、更に全て無置換のフェニル
基であることが好ましい。

【００７８】Ｒ₁₄で表されるヘテロアリールオキシ基と
しては、ピリジルオキシ基、インドリルオキシ基、ベン
ゾチアゾリルオキシ基、ベンズイミダゾリルオキシ基、
フリルオキシ基、チエニルオキシ基、ピラゾリルオキシ
基、イミダゾリルオキシ基等が挙げられ、ヘテロアリー
ルチオ基としては、ピリジルチオ基、ピリミジルチオ
基、インドリルチオ基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベン
ズイミダゾリルチオ基、フリルチオ基、チエニルチオ
基、ピラゾリルチオ基、イミダゾリルチオ基等が挙げら
れる。Ｒ₁₄として好ましくはピリジルオキシ基、チエニ
ルオキシ基である。

【００７９】Ａ₁又はＡ₂で表されるアシル基としては、
アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等
が挙げられ、スルホニル基としてはメタンスルホニル
基、トルエンスルホニル基等が挙げられ、オキザリル基
としてはエトキザリル基が挙げられる。Ａ₁、Ａ₂とも水
素原子であることが好ましい。

【００８０】一般式（Ｈ−２）において、Ｒ₂₁で表され
るアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｔ−ブチ
ル基、２−オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル
基、ジフェニルメチル基等が挙げられ、アリール基及び
ヘテロアリール基及び有してもよい置換基としては、Ｒ
₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃と同様である。Ｒ₂₁として好ましくは
アリール基又はヘテロアリール基であり、特に好ましく
はフェニル基である。Ｒ₂₂で表されるアルキルアミノ基
としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピル
アミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、エチルメチルアミノ基等が挙げられ、アリ
ールアミノ基としてはアニリノ基、ヘテロアリール基と
してはチアゾリルアミノ基、ベンズイミダゾリルアミノ
基、ベンズチアゾリルアミノ基等が挙げられる。Ｒ₂₂と
して好ましくはジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基
である。

【００８１】一般式（Ｈ−３）において、Ｒ₃₁、Ｒ₃₂で
表される一価の置換基としては、一般式（Ｈ−１）で述
べたものと同様であるが、好ましくはアルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基で
あり、更にはアリール基又はアルコキシ基であり、特に
好ましくはＲ₃₁がフェニル基であって、Ｒ₃₂がｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニル基である。Ｇ₃₁、Ｇ₃₂として好ま
しくは、−ＣＯ−基、−ＣＯＣＯ−基、スルホニル基又
は−ＣＳ−基であり、更に好ましくは、双方が−ＣＯ−
基又はスルホニル基の場合である。

【００８２】一般式（Ｈ−４）において、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂及
びＲ₄₃は一般式（Ｈ−１）におけるＲ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃
と同義である。好ましくは全てがフェニル基の場合であ
り、更には全て無置換のフェニル基である。Ｒ₄₄、Ｒ₄₅
で表される置換又は無置換のアルキル基としては、メチ
ル基、エチル基、ｔ−ブチル基、２−オクチル基、シク
ロヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙
げられ、好ましくは双方エチル基の場合である。

【００８３】以下に、一般式（Ｈ−１）〜（Ｈ−５）の
化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されない。

【００８４】

【化２１】

【００８５】

【化２２】

【００８６】

【化２３】

【００８７】

【化２４】

【００８８】

【化２５】

【００８９】

【化２６】

【００９０】

【化２７】

【００９１】

【化２８】

【００９２】

【化２９】

【００９３】

【化３０】

【００９４】

【化３１】

【００９５】

【化３２】

【００９６】

【化３３】

【００９７】

【化３４】

【００９８】その他に好ましく用いることのできるヒド
ラジン誘導体は、米国特許第５，５４５，５０５号カラ
ム１１〜カラム２０に記載の化合物Ｈ−１〜Ｈ−２９、
米国特許第５，４６４，７３８号カラム９〜カラム１１
に記載の化合物１〜１２である。これらのヒドラジン誘
導体は公知の方法で合成することができる。

【００９９】ヒドラジン誘導体の添加層は、ハロゲン化
銀を含む感光層及び／又は感光層に隣接した層である。
また添加量はハロゲン化銀粒子の粒径、ハロゲン組成、
化学増感の程度、抑制剤の種類等により最適量は一様で
はないが、ハロゲン化銀１モル当たり１０^-6モル〜１０
^-1モル程度、特に１０^-5モル〜１０^-2モルの範囲が好ま
しい。

【０１００】４級オニウム化合物としては、下記一般式
（Ｐ）で表される化合物が好ましく用いられる。

【０１０１】

【化３５】

【０１０２】式中、Ｑは窒素原子又は燐原子を表し、Ｒ
₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は各々、水素原子又は置換基を表
し、Ｘ^-はアニオンを表す。尚、Ｒ₁〜Ｒ₄は互いに連結
して環を形成してもよい。

【０１０３】一般式（Ｐ）において、Ｒ₁〜Ｒ₄で表され
る置換基としては、アルキル基（メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基
等）、アルケニル基（アリル基、ブテニル基等）、アル
キニル基（プロパルギル基、ブチニル基等）、アリール
基（フェニル基、ナフチル基等）、複素環基（ピペリジ
ニル基、ピペラジニル基、モルホリニル基、ピリジル
基、フリル基、チエニル基、テトラヒドロフリル基、テ
トラヒドロチエニル基、スルホラニル基等）、アミノ基
等が挙げられる。

【０１０４】Ｒ₁〜Ｒ₄が互いに連結して形成しうる環と
しては、ピペリジン環、モルホリン環、ピペラジン環、
キヌクリジン環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾー
ル環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ
る。

【０１０５】Ｒ₁〜Ｒ₄で表される基はヒドロキシル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基、ス
ルホ基、アルキル基、アリール基等の置換基を有しても
よい。

【０１０６】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄としては、水素原子
及びアルキル基が好ましい。

【０１０７】Ｘ^-が表すアニオンとしては、ハロゲンイ
オン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、ｐ−トル
エンスルホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙
げられる。

【０１０８】更に好ましくは下記一般式（Ｐａ）、（Ｐ
ｂ）又は（Ｐｃ）で表される化合物、及び下記一般式
〔Ｔ〕で表される化合物である。

【０１０９】

【化３６】

【０１１０】式中、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ⁵は、含
窒素複素環を完成させるための非金属原子群を表し、酸
素原子、窒素原子、硫黄原子を含んでもよく、ベンゼン
環が縮合しても構わない。Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ⁵
で構成される複素環は置換基を有してもよく、それぞれ
同一でも異なっていてもよい。置換基としては、アルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、ハロゲン原子、アシル基、アルコキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基、スルホ基、カル
ボキシ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アミド基、スルファモイル基、カルバモイル
基、ウレイド基、アミノ基、スルホンアミド基、スルホ
ニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及
びＡ⁵の好ましい例としては、５〜６員環（ピリジン、
イミダゾール、チオゾール、オキサゾール、ピラジン、
ピリミジン等の各環）を挙げることができ、更に好まし
い例としてピリジン環が挙げられる。

【０１１１】Ｂ_Pは２価の連結基を表し、ｍは０又は１
を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリー
レン基、アルケニレン基、−ＳＯ₂−、−ＳＯ−、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ⁶）−（Ｒ⁶はアルキル
基、アリール基、水素原子を表す）を単独又は組み合わ
せて構成されるものを表す。Ｂ_pとして好ましくは、ア
ルキレン基、アルケニレン基を挙げることができる。

【０１１２】Ｒ¹¹、Ｒ¹²及びＲ¹⁵は各々、炭素数１〜２
０のアルキル基を表す。又、Ｒ¹¹及びＲ¹²は同一でも異
っていてもよい。アルキル基とは、置換或いは無置換の
アルキル基を表し、置換基としては、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、
Ａ⁴及びＡ⁵の置換基として挙げた置換基と同様である。

【０１１３】Ｒ¹¹、Ｒ¹²及びＲ¹⁵の好ましい例として
は、それぞれ炭素数４〜１０のアルキル基である。更に
好ましい例としては、置換或いは無置換のアリール置換
アルキル基が挙げられる。

【０１１４】Ｘ_p ^-は分子全体の電荷を均衡さすに必要な
対イオンを表し、例えば塩素イオン、臭素イオン、沃素
イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、ｐ−トルエンスルホ
ナート、オキザラート等を表す。ｎ_pは分子全体の電荷
を均衡さすに必要な対イオンの数を表し、分子内塩の場
合にはｎ_pは０である。

【０１１５】

【化３７】

【０１１６】上記一般式〔Ｔ〕で表されるトリフェニル
テトラゾリウム化合物のフェニル基の置換基Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇は水素原子もしくは電子吸引性度を示すハメットの
シグマ値（σＰ）が負のものが好ましい。

【０１１７】フェニル基におけるハメットのシグマ値は
多くの文献、例えばジャーナル・オブ・メディカルケミ
ストリー（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭｅｄｉｃａｌＣ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ）２０巻、３０４頁、１９７７年記載
のＣ．ハンシュ（Ｃ．Ｈａｎｓｃｈ）等の報文等に見る
ことが出来、特に好ましい負のシグマ値を有する基とし
ては、例えばメチル基（σＰ＝−０．１７以下何れもσ
Ｐ値）、エチル基（−０．１５）、シクロプロピル基
（−０．２１）、ｎ−プロピル基（−０．１３）、ｉｓ
ｏ−プロピル基（−０．１５）、シクロブチル基（−
０．１５）、ｎ−ブチル基（−０．１６）、ｉｓｏ−ブ
チル基（−０．２０）、ｎ−ペンチル基（−０．１
５）、シクロヘキシル基（−０．２２）、アミノ基（−
０．６６）、アセチルアミノ基（−０．１５）、ヒドロ
キシル基（−０．３７）、メトキシ基（−０．２７）、
エトキシ基（−０．２４）、プロポキシ基（−０．２
５）、ブトキシ基（−０．３２）、ペントキシ基（−
０．３４）等が挙げられ、これらは何れも一般式〔Ｔ〕
の化合物の置換基として有用である。

【０１１８】ｎは１或いは２を表し、Ｘ_T ^n-で表される
アニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン等のハロゲンイオン、硝酸、硫酸、
過塩素酸等の無機酸の酸根、スルホン酸、カルボン酸等
の有機酸の酸根、アニオン系の活性剤、具体的にはｐ−
トルエンスルホン酸アニオン等の低級アルキルベンゼン
スルホン酸アニオン、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸
アニオン等の高級アルキルベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ラウリルスルフェートアニオン等の高級アルキル硫
酸エステルアニオン、テトラフェニルボロン等の硼酸系
アニオン、ジ−２−エチルヘキシルスルホサクシネート
アニオン等のジアルキルスルホサクシネートアニオン、
セチルポリエテノキシサルフェートアニオン等の高級脂
肪酸アニオン、ポリアクリル酸アニオン等のポリマーに
酸根のついたもの等を挙げることができる。

【０１１９】以下、４級オニウム化合物の具体例を下記
に挙げるが、これらに限定されるものではない。

【０１２０】

【化３８】

【０１２１】

【化３９】

【０１２２】

【化４０】

【０１２３】

【化４１】

【０１２４】

【化４２】

【０１２５】

【化４３】

【０１２６】

【化４４】

【０１２７】

【化４５】

【０１２８】

【化４６】

【０１２９】

【化４７】

【０１３０】上記４級オニウム化合物は公知の方法に従
って容易に合成でき、例えば上記テトラゾリウム化合物
はＣｈｅｍｉｃａｌＲｅｖｉｅｗｓｖｏｌ．５５
ｐ．３３５〜４８３に記載の方法を参考にできる。

【０１３１】これら４級オニウム化合物の添加量は、ハ
ロゲン化銀１モル当たり１×１０^-8〜１モル程度、好ま
しくは１×１０^-7〜１×１０^-1モルである。これらはハ
ロゲン化銀粒子形成時から塗布までの任意の時期に感光
材料中に添加できる。

【０１３２】４級オニウム化合物及びアミノ化合物は、
単独で用いても２種以上を適宜併用して用いてもよい。
また感光材料の構成層中のいかなる層に添加してもよい
が、好ましくは感光層を有する側の構成層の少なくとも
１層、更には感光層及び／又はその隣接層に添加する。

【０１３３】本発明の熱現像感光材料には、塗布助剤と
して各種の界面活性剤を用いることができる。その中で
もフッ素系界面活性剤が、帯電特性を改良したり、斑点
状の塗布故障を防ぐために好ましく用いられる。

【０１３４】本発明の熱現像感光材料は、必要に応じて
銀の色調を抑制する色調剤を含有できる。採用できる好
適な色調剤の例はＲｅｓｅａｒｃｈＤｉｓｃｌｏｓｕ
ｒｅ第１７０２９号に開示されている。また現像を抑制
あるいは促進させ現像を制御するため、分光増感効率を
向上させるため、現像前後の保存性を向上させるためな
どにメルカプト化合物、ジスルフィド化合物、チオン化
合物を含有させることができる。

【０１３５】本発明の熱現像感光材料中にはかぶり防止
剤が含まれて良い。

【０１３６】本発明の熱現像感光材料には増感色素が使
用できる。本発明に使用される有用な増感色素は例えば
ＲｅｓｅａｒｃｈＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅＩｔｅｍ１
７６４３IV−Ａ項（１９７８年１２月ｐ．２３）、同Ｉ
ｔｅｍ１８３１Ｘ項（１９７８年８月ｐ．４３７）に記
載もしくは引用された文献に記載されている。特に各種
スキャナー光源の分光特性に適した分光感度を有する増
感色素を有利に選択することができる。

【０１３７】各種の添加剤は感光層、非感光層、又はそ
の他の形成層のいずれに添加しても良い。本発明の熱現
像感光材料には例えば、酸化防止剤、安定化剤、可塑
剤、紫外線吸収剤、被覆助剤等を用いても良い。これら
の添加剤及び上述したその他の添加剤はＲｅｓｅａｒｃ
ｈＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅＩｔｅｍ１７０２９（１９
７８年６月ｐ．９〜１５）に記載されている化合物を好
ましく用いることができる。

【０１３８】本発明で用いられる支持体は、現像処理後
に所定の光学濃度を得るため、及び現像処理後の画像の
変形を防ぐためにプラスチックフィルム（例えば、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミ
ド、ナイロン、セルローストリアセテート、ポリエチレ
ンナフタレート）であることが好ましい。また熱処理し
たプラスチック支持体を用いることもできる。

【０１３９】その中でも好ましい支持体としては、ポリ
エチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略す）及びシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含むプ
ラスチック（以下ＳＰＳと略す）の支持体が挙げられ
る。

【０１４０】本発明の熱現像感光材料は波長が７００〜
１０００ｎｍの範囲にあるレーザーを光源とするスキャ
ナーで画像露光してその効果を遺憾なく発揮する。熱現
像は感光材料を水平搬送し、プレヒートを経て熱現像す
ることが好ましく、プレヒートと熱現像とを合わせて４
５秒以下、好ましくは５〜４０秒、更には５〜３０秒と
いった迅速処理で有効である。

【０１４１】好ましい加熱温度は、３０℃〜１５０℃の
範囲であるが、熱現像の好ましい範囲は８０〜１４０℃
で、１００〜１４０℃が更に好ましい。プレヒートの好
ましい範囲は３０〜１３０℃で、５０〜１２０℃が更に
好ましい。

【０１４２】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。

【０１４３】実施例１（下引済みＰＥＴ支持体の作製）市販の２軸延伸熱固定
済みの厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルムの両面に８Ｗ／
ｍ²・分のコロナ放電処理を施し、一方の面に下記下引
塗布液ａ−１を乾燥膜厚０．８μｍになるように塗設し
乾燥させて下引層Ａ−１とし、また反対側の面に下記帯
電防止加工した下引塗布液ｂ−１を乾燥膜厚０．８μｍ
になるように塗設し乾燥させて帯電防止加工下引層Ｂ−
１とした。

【０１４４】《下引塗布液ａ−１》ブチルアクリレート（３０重量％）ｔ−ブチルアクリレート（２０重量％）スチレン（２５重量％）２−ヒドロキシエチルアクリレート（２５重量％）の共重合体ラテックス液（固形分３０％）２７０ｇ（Ｃ−１）０．６ｇヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア）０．８ｇポリスチレン微粒子（平均粒径３μｍ）０．０５ｇコロイダルシリカ（平均粒径９０μｍ）０．１ｇ水で１ｌに仕上げる《下引塗布液ｂ−１》ＳｎＯ₂／Ｓｂ（９／１重量比、平均粒径０．１８μｍ）２００ｍｇ／ｍ²になる量ブチルアクリレート（３０重量％）スチレン（２０重量％）グリシジルアクリレート（４０重量％）の共重合体ラテックス液（固形分３０％）２７０ｇ（Ｃ−１）０．６ｇヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア）０．８ｇ水で１ｌに仕上げる引き続き、下引層Ａ−１及び下引層Ｂ−１の上表面に、
８Ｗ／ｍ²・分のコロナ放電を施し、下引層Ａ−１の上
には、下記下引上層塗布液ａ−２を乾燥膜厚０．９μｍ
になる様に下引層Ａ−２として、下引層Ｂ−１の上には
下記下引上層塗布液ｂ−２を乾燥膜厚０．２μｍになる
様に帯電防止機能をもつ下引上層Ｂ−２として塗設し
た。

【０１４５】《下引上層塗布液ａ−２》ゼラチン３．６ｇ／ｍ²になる重量（Ｃ−１）０．２ｇ（Ｃ−２）０．２ｇ（Ｃ−３）０．１ｇシリカ粒子（平均粒径３μｍ）０．１ｇ水で１ｌに仕上げる《下引上層塗布液ｂ−２》（Ｃ−４）６０ｇ（Ｃ−５）を成分とするラテックス液（固形分２０％）８０ｇ硫酸アンモニウム０．５ｇ（Ｃ−６）１２ｇポリエチレングリコール（重量平均分子量６００）６ｇ水で１ｌに仕上げる

【０１４６】

【化４８】

【０１４７】

【化４９】

【０１４８】（支持体の熱処理）上記の下引済み支持体
の下引乾燥工程において、支持体を１４０℃で加熱し、
その後徐々に冷却した。

【０１４９】（乳剤Ａの調製）水９００ｍｌ中にイナー
トゼラチン７．５ｇ及び臭化カリウム１０ｍｇを溶解し
て温度３５℃、ｐＨを３．０に合わせた後、硝酸銀７４
ｇを含む水溶液３７０ｍｌと（６０／３８／２）のモル
比の塩化ナトリウムと臭化カリウムと沃化カリウムを含
む水溶液及び〔Ｉｒ（ＮＯ）Ｃｌ₅〕塩を銀１モル当た
り１×１０^-6モル及び塩化ロジウム塩を銀１モル当たり
１×１０^-6モルを、ｐＡｇ７．７に保ちながらコントロ
ールドダブルジェット法で添加した。その後４−ヒドロ
キシ−６−メチル−１，３，３ａ，７−テトラザインデ
ンを添加しＮａＯＨでｐＨを８、ｐＡｇ６．５に調整す
ることで還元増感を行い平均粒子サイズ０．０６μｍ、
単分散度１０％の投影直径面積の変動係数８％、〔１０
０〕面比率８７％の立方体沃臭化銀粒子を得た。この乳
剤にゼラチン凝集剤を用いて凝集沈降させ脱塩処理を行
った。

【０１５０】（ベヘン酸Ｎａ溶液の調製）９４５ｍｌの
純水にベヘン酸３２．４ｇ、アラキジン酸９．９ｇ、ス
テアリン酸５．６ｇを９０℃で溶解した。次に高速で撹
拌しながら１．５Ｍの水酸化ナトリウム水溶液９８ｍｌ
を添加した。次に濃硝酸０．９３ｍｌを加えた後、５５
℃に冷却して３０分撹拌させてベヘン酸Ｎａ溶液を得
た。

【０１５１】（ベヘン酸銀とハロゲン化銀Ａのプレフォ
ーム乳剤の調製）上記のベヘン酸Ｎａ溶液に前記ハロゲ
ン化銀乳剤Ａを１５．１ｇ添加し水酸化ナトリウム溶液
でｐＨ８．１に調整した後に１Ｍの硝酸銀溶液１４７ｍ
ｌを７分間かけて加え、さらに２０分撹拌し限外濾過に
より水溶性塩類を除去した。できたベヘン酸銀は平均粒
子サイズ０．８μｍ、単分散度８％の粒子であった。分
散物のフロックを形成後、水を取り除き、更に６回の水
洗と水の除去を行った後乾燥させた。

【０１５２】（感光性乳剤の調製）できあがったプレフ
ォーム乳剤を分割し、それにポリビニルブチラール（平
均分子量３０００、Ｔｇ＝７０℃、−ＳＯ₃Ｋを０．２
ミリモル含有）のメチルエチルケトン溶液（１７ｗｔ
％）５４４ｇとトルエン１０７ｇを徐々に添加して混合
した後に、０．５ｍｍサイズＺｒＯ₂のビーズミルを用
いたメディア分散機で４０００ｐｓｉで３０℃、１０分
間の分散を行った。

【０１５３】前記支持体上に以下の各層を両面同時塗布
し、試料を作製した。尚、乾燥は６０℃、１５分間で行
った。

【０１５４】（バック面側塗布）支持体のＢ−１層の上
に以下の組成の液を乾燥膜厚が６μｍになる様に塗布し
てバックコート層とした。

【０１５５】セルロースアセテートブチレート１５ｇ（１０％メチルエチルケトン溶液）染料−Ａ０．００７ｇ染料−Ｂ０．００７ｇマット剤：単分散度１５％平均粒子サイズ８μｍ単分散シリカ０．０９ｇＣ₈Ｆ₁₇（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₂Ｃ₈Ｆ₁₇ ０．０５ｇＣ₉Ｆ₁₇−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ０．０１ｇ

【０１５６】

【化５０】

【０１５７】（バックコート表面保護層の塗布）バック
コート層の上に以下の組成の液を乾燥膜厚が３．５μｍ
になる様に塗布した。

【０１５８】セルロースアセテートブチレート１５ｇ（１０％メチルエチルケトン溶液）マット剤：単分散度１５％平均粒子サイズ５μｍ単分散ポリメチルメタクリレート０．２ｇＣ₈Ｆ₁₇（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₂Ｃ₈Ｆ₁₇ ０．０５ｇＣ₉Ｆ₁₇−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ０．０１ｇステアリン酸０．１ｇ α−アルミナ（平均粒径０．４μｍ）０．２ｇ（感光層面側塗布）感光層１：支持体のＡ−１層の上に以下の組成の液を塗
布銀量が１．０ｇ／ｍ²、乾燥膜厚が１０．０μｍにな
る様に塗布した。

【０１５９】プレフォーム乳剤２４０ｇ増感色素（０．１％メタノール溶液）１．７ｍｌピリジニウムプロミドペルブロミド（６％メタノール溶液）３ｍｌ臭化カルシウム（０．１％メタノール溶液）１．７ｍｌ酸化剤（１０％メタノール溶液）１．２ｍｌ２−４−クロロベンゾイル安息香酸（１２％メタノール溶液）９．２ｍｌ２−メルカプトベンズイミダゾール（１％メタノール溶液）１１ｍｌトリブロモメチルスルホキノリン（５％メタノール溶液）１７ｍｌヒドラジン誘導体表１に記載０．４ｇ硬調化促進剤表１に記載０．３ｇフタラジン０．６ｇ４−メチルフタル酸０．２５ｇテトラクロロフタル酸０．２ｇ平均粒径３μｍの炭酸カルシウム０．１ｇＡ−４（２０％メタノール溶液）２０．５ｍｌイソシアネート化合物０．５ｇ（モーベイ社製、ＤｅｓｍｏｄｕｒＮ３３００）

【０１６０】

【化５１】

【０１６１】表面保護層：以下の組成の液を感光層の上
に乾燥膜厚が６μｍとなるよう同時塗布した。

【０１６２】アセトン５ｇメチルエチルケトン２１ｇセルロースアセテートブチレート２．３ｇメタノール７ｇフタラジン０．２５ｇＡ−４（２０％メタノール溶液）１０ｇマット剤：単分散度１０％平均粒子サイズ５μｍ単分散ポリメチルメタクリレート０．０５ｇＣＨ₂＝ＣＨＳＯ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＳＯ₂ＣＨ＝ＣＨ₂ ０．０３５ｇフッ素系界面活性剤Ｃ₁₂Ｆ₂₅（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₀Ｃ₁₂Ｆ₂₅ ０．０１ｇＣ₈Ｆ₁₇−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ０．０１ｇステアリン酸０．１ｇ α−アルミナ（平均粒径０．４μｍ）０．２ｇ感光層側の表面のスムースター値は２５ｍｍＨｇであ
り、バックコート層側の表面のスムースター値は２００
ｍｍＨｇであった。なおスムースター値の測定は、未露
光試料を２３℃、４８％ＲＨで２時間調湿し、同じ環境
で感光層側の表面のスムースター値を東洋電子工業
（株）製ＳＭ−６Ｂにより測定した。

【０１６３】また作製した試料を用い、バインダーを除
去した後に、レプリカ法で電子顕微鏡で観察して測定し
たところ、有機銀粒子は、長軸径０．５±０．０５μ
ｍ、短軸径０．４±０．０５μｍ、厚み０．０１μｍの
平板状粒子が全有機銀粒子の９０％を占める単分散度５
％の粒子であった。

【０１６４】作製した熱現像材料を、暗室内で３０ｃｍ
幅で５０ｍの長さに切断して内径１０ｃｍのボール紙製
コアに巻き付けロール形状の試料とし、６０ｃｍ×２ｍ
の包装材料で巻いた。

【０１６５】なお、（試料Ｎｏ．２３）バックコート表面保護層のポリメチ
ルメタクリレート量を０．０７ｇに、ステアリン酸量を
０．０８ｇに変更し、乳剤面表面保護層のポリメチルメ
タクリレート量を０．０３ｇに、ステアリン酸量を０．
０８ｇに変更した以外は試料Ｎｏ．１と同じ（試料Ｎｏ．２４）バックコート表面保護層のポリメチ
ルメタクリレート量を０．０５ｇに、ステアリン酸量を
０．０６ｇに変更し、乳剤面表面保護層のポリメチルメ
タクリレート量を０．０３ｇに、ステアリン酸量を０．
０６ｇに変更した以外は試料Ｎｏ．１と同じ（試料Ｎｏ．２５）バックコート表面保護層のポリメチ
ルメタクリレート量を０．１１ｇに、ステアリン酸量を
０．１５ｇに変更し、乳剤面表面保護層のポリメチルメ
タクリレート量を０．０７ｇに、ステアリン酸量を０．
１５ｇに変更した以外は試料Ｎｏ．１と同じ（試料Ｎｏ．２６）バックコート表面保護層のポリメチ
ルメタクリレート量を０．０７ｇに、ステアリン酸量を
０．０８ｇに変更し、乳剤面表面保護層のポリメチルメ
タクリレート量を０．０３ｇに、ステアリン酸量を０．
０８ｇに変更した以外は試料Ｎｏ．１０と同じ（試料Ｎｏ．２７）バックコート表面保護層のポリメチ
ルメタクリレート量を０．１１ｇに、ステアリン酸量を
０．１５ｇに変更し、乳剤面表面保護層のポリメチルメ
タクリレート量を０．０７ｇに、ステアリン酸量を０．
１５ｇに変更した以外は試料Ｎｏ．１０と同じ（試料Ｎｏ．３３）バックコート表面保護層のポリメチ
ルメタクリレート量を０．０２ｇに、ステアリン酸量を
０．０３ｇに変更し、乳剤面表面保護層のポリメチルメ
タクリレート量を０．０２ｇに、ステアリン酸量を０．
０３ｇに変更した以外は試料Ｎｏ．１と同じ（試料Ｎｏ．３４）バックコート表面保護層のポリメチ
ルメタクリレート量を０．１５ｇに、ステアリン酸量を
０．２５ｇに変更し、乳剤面表面保護層のポリメチルメ
タクリレート量を０．１０ｇに、ステアリン酸量を０．
２５ｇに変更した以外は試料Ｎｏ．１と同じである。

【０１６６】《強制劣化試験》上記包装済み試料を、強
制劣化条件として４０℃、８０％ＲＨで５日間放置し
た。

【０１６７】《露光及び現像処理》その後、７８０ｎｍ
の半導体レーザーを搭載したイメージセッター機である
サイテックス社製Ｄｏｌｅｖ２ｄｒｙ（内面ドラム方
式）を用いて３００線で５％刻みで露光量変化させるよ
うに網点を露光し、９０℃で１０秒のプレヒート部を通
過させた後、オーブン中で水平搬送を行いつつ１２０℃
で１５秒の熱現像を行った。その際、露光及び現像は、
２３℃、５０％ＲＨに調湿した部屋で行った。

【０１６８】（ＰＳ版への焼き付け後の小点再現性の評
価）熱現像済み試料を密着して、光源としてメタルハラ
イドランプを使用して８ｍＷ／ｃｍ²で照射することに
より露光したＰＳ版を、市販の現像液（コニカ（株）
製、ＳＤＲ−１）を６倍に希釈した現像液で現像時間２
０秒、現像温度２７℃で現像した。またスクリーン線数
１５０ライン／インチの５０％網点の版上の面積を測定
し、小点再現性を評価した。面積の測定はマクベス濃度
計で行った。版上の網点面積比率が５０％に近いほど、
小点再現性は良好である。

【０１６９】（階調の評価）１１０℃で２０秒熱現像
し、特性曲線１．０と１．５を結ぶ直線の傾き（ガン
マ）で足切れの評価をした。

【０１７０】（熱現像後の濃度変化の評価）強制劣化を
施した試料を露光、熱現像したものを２つに分けて、片
方を５０℃、６０％ＲＨの恒温機に５日間投入して、経
時代用評価用とし、濃度２．５であったものがどのくら
い濃度変化したかで評価した。

【０１７１】（動摩擦係数）作製した試料を２３℃、８
０％ＲＨで２時間調湿した後、感光面側とバックコート
面側の動摩擦係数を以下のようにして測定した。即ち感
光面を上にして平滑な台に貼り付け固定し、その上にバ
ックコート面が接触するように試料を置いて、その上に
２００ｇの重りを乗せ、上側の試料を一定速度で引くと
きの加重を測定し動摩擦係数を求めた。

【０１７２】（搬送性の評価）Ｉｍａｔｉｏｎ社（製）
製版用ＤｒｙＶｉｅｗの熱現像機を上記処理条件に設
定し、５００ｍｍ×４４０ｍｍサイズの試料を各５０枚
ずつ処理して現像機中でローラーに巻き付いたり、ジャ
ミングを起こしたフィルムの枚数をカウントした。

【０１７３】（擦り傷耐性の評価）フィルムを机上で５
往復し、擦り傷の発生状況を５段階で評価して平均をと
った。

【０１７４】５発生なし４ピンホールが発生３ピンホールがかなり発生２スジ状の傷が発生１全面に傷が発生以上の結果を表１に示す。

【０１７５】

【表１】

【０１７６】

【発明の効果】本発明の熱現像感光材料によれば、ヒド
ラジン誘導体を含有して硬調で高濃度の画像が得られ、
且つ該画像の保存性に優れ、取り扱い性及び搬送性と得
られた画像を原稿としてＰＳ版に焼き付けるときの小点
再現性を両立させることができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上に感光性ハロゲン化銀、有機銀
塩、還元剤、バインダーと、ヒドラジン及び４級オニウ
ム塩から選ばれる少なくとも１種を有し、該ハロゲン化
銀を含有する感光層を有する側とは反対側の面の動摩擦
係数が０．１〜０．３５であって、且つ下記一般式
（Ａ）で表される化合物、ヒドロキシルアミン、アルカ
ノールアミン、フタル酸アンモニウム化合物、一般式
（Ｂ）で表されるヒドロキサム酸化合物、一般式（Ｃ）
で表されるＮ−アシルヒドラジン化合物及び一般式
（Ｄ）で表される水素原子ドナー化合物から選ばれる少
なくとも１つを含有することを特徴とする熱現像感光材
料。【化１】〔式中、ＥＷＤは電子吸引性基を表し、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ
₃は各々水素原子又は１価の置換基を表す。但し、Ｒ₁及
びＲ₂から選ばれる少なくとも一方は一価の置換基であ
る。〕【化２】〔式中、Ｒ₄は水素原子、アルキル基、アルケニル基、
アルコキシ基、アルキルチオ基、アミド基、アリール
基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、アニリノ基、ヘテロ環基、ヘテロ環オキシ基又はヘ
テロ環チオ基を表し、Ｒ₅は水素原子、アルキル基、ア
ルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミド
基、アリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、ア
リールチオ基、アニリノ基、ヘテロ環基、ヘテロ環オキ
シ基、ヘテロ環チオ基、ヒドラジノ基、アルキルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ウレイド基、オキシカルボニ
ルアミノ基、アルキニル基又は無置換のアミノ基を表
し、Ｒ₄とＲ₅は互いに結合して５〜７員の環を形成して
もよい。Ｘは水素原子、アルキル基、カルバモイル基又
はオキシカルボニル基を表す。〕【化３】〔式中、Ｒ₆はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アミド基、アリール基、アラルキ
ル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アニリノ
基、ヘテロ環基、ヘテロ環オキシ基又はヘテロ環チオ基
を表す。〕一般式（Ｄ）Ｒ₇−Ｈ〔式中、Ｒ₇はベンツヒドロール核、ジフェニルフォス
フィン核、トリフェニルメタン核、Ｎ，Ｎ′−ジアルキ
ルピペラジン核、３−ピロロリン核、キサンテン核、
９，１０−ジヒドロアントラセン核、９−ヒドロキシフ
ルオレン核、アリル−β−ケトエステル核、アルデヒド
核、アルキル−β−ケトエステル核、オキシム核、アミ
ドオキシム核、ベンズアルデヒドオキシム核、アセトフ
ェノンオキシム核、カプロラクタムオキシム核、エチル
ベンゾイルアセテート核、ピバルデヒド核、エチルイソ
ブチルアセテート核を表す。〕
【請求項２】支持体の厚みが１１０〜１５０μｍであ
ることを特徴とする請求項１に記載の熱現像感光材料。
【請求項３】前記感光層の厚みが３〜１５μｍである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の熱現像感光材
料。
【請求項４】前記感光層に含有される銀の量が０．３
〜１．５ｇ／ｍ²であることを特徴とする請求項１、２
又は３に記載の熱現像感光材料。
【請求項５】請求項１乃至４に記載の熱現像感光材料
にレーザー光で画像露光することを特徴とする画像形成
方法。
【請求項６】前記レーザー光の波長が７００〜１００
０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項５に記載の
画像形成方法。
【請求項７】熱現像感光材料を水平搬送し、プレヒー
トを経て熱現像することを特徴とする請求項５又は６に
記載の画像形成方法。
【請求項８】プレヒートと熱現像とを合わせて４５秒
以内で行うことを特徴とする請求項７に記載の画像形成
方法。