JP2000349003A - 露光用ランプ、これを用いた露光装置、ランプ適正位置測定および刻印装置、ならびにランプ適正位置設定装置 - Google Patents

露光用ランプ、これを用いた露光装置、ランプ適正位置測定および刻印装置、ならびにランプ適正位置設定装置

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JP2000349003A
JP2000349003A JP15703799A JP15703799A JP2000349003A JP 2000349003 A JP2000349003 A JP 2000349003A JP 15703799 A JP15703799 A JP 15703799A JP 15703799 A JP15703799 A JP 15703799A JP 2000349003 A JP2000349003 A JP 2000349003A
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alignment mark
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Katsumi Saegusa
克己 三枝
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
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    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70016Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ランプ交換時における初期光軸調整を簡単な
構造、および安価なコストで、速やかに行ない、以て露
光装置の稼働効率を上げる。 【解決手段】 水銀またはキセノンなどの希ガスを封入
した放電ランプ自身に、該放電ランプの取り付け時の適
正位置情報を記述しておき、ランプ交換時はその情報を
基にランプの光軸調整作業の一部を自動化することで、
調整時間を減少させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体および液晶
製造装置として用いられる露光装置に関し、特にこのよ
うな露光装置において、その光源に用いられている放電
ランプおよびそれを適正位置設定に設定するための機構
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、露光装置に用いられる露光光
源用ランプを装置に取り付けた際の光軸調整(X,Y,
Z)などの初期調整においては、ランプハウスのアーク
モニタの窓に映る電極の陰影を眺めながらランプをXY
Z方向に少しずつ手動で動かして、照度が高く、かつ照
度のムラの少ない最適のポイントを探り出していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では、上述したように、ランプの光軸調整において
は、全てを手動で行なっていたため、最適のポイントを
探り出すのに、かなりの手間と時間が必要とされるとい
う問題があった。そのため、ほとんどのユーザにおいて
24時間稼動で運営されている露光装置を、ランプ交換
のたびごとに長時間止めてしまうことになり、それがユ
ーザにとっては、結果的に多大な損失となって計上され
ていた。
【0004】また、この省力化については特開平3−1
15827号公報および特開平3−115828号公報
に示すような提案等もなされているが、これらは電極陰
影から理想位置までのズレ量を数値化し表示するだけで
あった。よって、最終的なランプの移動動作は手動であ
り、また、どうしても構造的に複雑であり、またコスト
がかかったため、実際の装置においては、容易に実現し
うるものではなかった。
【0005】よって、本発明の第一の目的は、装置の実
稼動時間を増やすため、露光装置の(稼動停止を伴う)
ランプ交換時における初期光軸調整において、「最適の
ポイントを探り出すための作業時間をいかに少なくする
か」ということである。
【0006】それには、ある程度、ランプを最適ポイン
トの近くに追い込んでしまえるような、半自動的なラン
プの光軸粗調整(プリアライメント)機能を持ち、それ
を最初に行なってから最終調整へ移行する手順を踏むこ
とによって、手間と時間のかかる手動調整作業を減らす
ことが必要となる。
【0007】そして、本発明の第二の目的は、従来の電
極陰影を観測して行なう方法よりも、さらに簡単な構
造、および安価なコストで、上記の目的を行なえるよう
にすることで、「ランプの初期調整の自動化に対する現
実的な解決方法」を提案することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の露光用ランプは、水銀または希ガスを封入
した放電ランプであって、該放電ランプの取り付け時の
適正位置情報がランプ自身に記述されていることを特徴
とする。本発明の好ましい実施例において、前記適正位
置情報は、アライメントマークによって記述される。ア
ライメントマークとしては、光学素子用マーク、磁気素
子用マーク、およびホログラム素子用マークなどを用い
ることができる。アライメントマークは、露光用ランプ
の横、縦および回転軸(X,Y,θ軸)補正用、上下軸
(Z軸)補正用、および傾き軸(λ軸)補正用のいずれ
かまたは全部が刻印などにより記述される。
【0009】本発明の露光装置は、上述の露光用ランプ
を用いる露光装置であって、所定位置に取り付けられた
放電ランプの前記適正位置情報を読み出す手段と、該露
光装置における前記所定位置のオフセット情報を記憶す
る手段と、ランプ装着時に上記オフセットを露光装置よ
り読み出す手段と、該適正位置情報およびオフセット情
報に基づいて放電ランプの光軸調整を行なう手段とを具
備することを特徴とする。
【0010】また、本発明のランプ適正位置測定および
刻印装置は、上述のランプ製造時に、その陰極先端(≒
輝度中心)位置を測定し、それを基にランプの適正設定
位置を示すアライメントマークをランプ自身に刻印して
おく手段を具備することを特徴とする。
【0011】さらに、本発明のランプ適正位置設定装置
は、上述の露光用ランプが露光装置などにおける所定位
置に取り付けられた際、その露光用ランプを適正な位置
に設定するため適正位置設定装置であって、所定位置に
取り付けられた放電ランプの前記適正位置情報を読み出
す手段と、該適正位置情報に基づいて放電ランプの光軸
調整を行なう手段とを具備することを特徴とする。
【0012】
【作用】本発明によれば、水銀、もしくはキセノンなど
の希ガスを封入した放電ランプの取り付け時の適正位置
情報を、ランプ自身に記述できるような構造に作成し、
その情報を基にランプの光軸調整作業の一部を自動化す
ることで、ランプ交換時の調整時間を減少させることが
できる。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態で
は、 露光装置製造時にその製造誤差データをオフセットと
して記憶しておく手段、 ランプ装着時に、上記オフセットを露光装置より読み
出す手段、 ランプ製造時に、その陰極先端(≒輝度中心)位置を
測定し、それを基にランプの適正設定位置を示すアライ
メントマークをランプ自身に刻印しておく手段(図2お
よび3)、 ランプ装着時に、上記アライメントマークをランプよ
り検出する手段(図4)、および 上記オフセット、およびアライメントマークに基づ
き、ランプを適正設定位置(X,Y,Z,回転角θ,
[傾き角λ])に自動で移動する手段(図4または図1
0) といった手段を有することを特徴とする。
【0014】またさらに、これらの組み合わせにより、
ランプ交換時の光軸調整作業時間を可能な限り減少させ
ることで、露光装置の実稼動時間を上げ、ユーザ先での
24時間稼動体制に与える影響を減らす手段を有するこ
とを特徴とする。
【0015】ここで、適正設定位置をランプより検出す
る手段、およびランプを適正設定位置に自動で、もって
いく手段については、図4(または図10)に示すよう
に、 <l> 装置のオフセット保持、およびリード機構 <2> ランプ上のアライメントマークリード機構 <3> 適正設定位置(X,Y,Ζ,回転角θ[傾き角
λ])へのランプ可動機構 等の構造が上げられる。
【0016】
【実施例】以下、図面に基づき本発明の実施例を説明す
る。 [第1の実施例]図1〜5は本発明の一実施例に係わる
ランプ組み立ておよび露光装置への取り付け方法を説明
する図である。図1〜3はランプ製造サイドにおける様
子を示し、図1は「ランプの組み立て」の様子を、図2
は「ランプの陰極先端(≒輝度中心)位置の測定」の様
子を、図3は「ランプのアライメントマークの刻印」の
様子をそれぞれ示している。図4および図5は露光装置
サイドにおける様子を示し、図4は「ランプの光軸粗調
整」の様子を、図5は「ランプの点灯」の様子を示して
いる。
【0017】本実施例の運用手順としては、図1、2、
3、4、5の順序で進行させる。具体的には、ランプの
製造時においては、まず、ランプの組み立てを行ない、
それから、先端位置測定機構を用いて陰極先端位置を測
定し、そして、そのデータを反映したアライメントマー
クをランプ口金部などに記録する。そして、露光装置に
おけるランプの点灯時(使用時)においては、まず、ラ
ンプ口金部などよりアライメントマークを検出してマー
ク位置データとして記憶し、さらに装置の製造誤差オフ
セットを読み出して、前述のマーク位置データに加えた
値をもとに光軸粗調整(プリアライメント)を行ない、
その後にランプの点灯をさせる。
【0018】(露光装置へのランプの取り付け)まず、
図4は、それぞれ本発明の第1の実施例に係わる半導体
製造装置用照明系ユニット内のランプのアライメントマ
ークの読み込み機構およびプリアライメント機構の概略
を示したものである。また、図6は、図4のランプ上方
より見た口金部アライメントマークに対するセンサ(1
センサ式)の配置図である。各図において、前述の照明
系ユニットは、ランプ1、マークセンサ[d,a,b,
c]、陰極口金支持部7、ランプ回転機構(θ駆動)
8、ランプ左右前後上下動作機構(XYZ駆動)9、制
御装置10、ランプ点灯装置11で構成されている。
【0019】マークセンサとしては、例えば、投光器と
その反射光情報を取得するためのセンサを用いることが
できる。投光器としてはLEDやレーザスキャンを用い
ることができる。また、反射光情報取得センサとしては
フォトダイオードなどの単体受光素子やCCDなどの微
細集積受光素子を用いることができる。ランプ1は、陰
極口金5および陽極口金6を備え、陰極口金5には図1
〜3に示すランプ製造サイドでアライメントマーク[Z
d,Xa,Yb,Yc]が刻印されている。
【0020】ランプ交換後、ランプの光軸(位置)調整
が必要になった場合には、図4および図6に示すよう
に、まず、制御装置10は、ランプ1に対しX,Y,θ
方向の位置出しを行なう。そのため、ランプ陰極口金5
上に刻印されたアライメントマーク[Xa,Yb,Y
c]を、その近傍に設置されたマークセンサ[a,b,
c]によって、X,Y,θ方向にフルストロークの範囲
をスキャンしながら、各マークからの反射光を読み込
む。次に、それらの値の中から、反射率の最大値と最小
値を各々抽出する。そして、その各データから、各マー
クの明部と暗部の各境界値(最大値と最小値の中間値)
を求めておく。
【0021】ランプ1は、図7(A)に示すようにXY
平面方向において、X方向ズレ、Y方向ズレ、θ方向ズ
レといった3種のズレを持ちうる。しかし、本実施例に
おいては、ランプ1は最終的には制御装置10によりX
Y平面内の理想設定位置まで移動させられて、ズレは補
正される。この補正方法を手順に従って説明すると、ま
ず第1に装置は、図7(B)に示すように、センサb出
力を検知しながら、Y方向にランプ左右前後上下動作機
構(XYZ駆動)9を用いて駆動し、アライメントマー
ク[Yb]からの反射光の出力が、上述の境界値の出力
(以下、境界値出力という)となる位置までランプ1を
移動させる。次に装置は、図7(C)に示すように、セ
ンサb出力を検知し、出力が中間点である境界値の出力
となるように維持しながらランプ回転機構(θ駆動)8
およびランプ左右前後上下動作機構(XYZ駆動)9を
用いてθおよびY方向に駆動し、センサc出力も同時に
境界値出力となる位置までランプ1を移動させる。この
後は、図7(D)に示すように、前述の駆動によりXY
平面内のランプのズレはX方向だけを残すのみとなって
いるため、X方向に駆動し、残りのセンサa出力も境界
値となるような位置までランプ1を移動させる。そし
て、駆動終了位置において、センサa,b,cの出力の
全てが同時に境界値出力となるようにすることで、ラン
プはXY平面内の理想設定位置まで送り込まれたことに
なる。
【0022】次に、図4のアライメントマーク[Zd]
とマークセンサ[d]を用い、上記の方法にて、Z(上
下)方向の境界値を求める。そして、ランプ1の残りの
Z方向ズレについても、同様にして、Z方向にランプ左
右前後上下動作機構(XYΖ駆動)9を用いて駆動し、
残りのセンサd出力も境界値となるような位置までラン
プ1を移動させることで、ランプのZ方向の理想設定位
置への補正動作を行なう。
【0023】以上の2種の補正動作を行なうことで、露
光装置の照明系ユニット内におけるランプの理想設定位
置に対し、かなり近づいた状態になるため、ランプ交換
時における光軸調整時間が、大幅に短縮できることにな
る。
【0024】(ランプの製造)図2は、本発明の第1の
実施例に係わる半導体製造装置用ランプの製造に用いら
れる電極先端位置測定機構の概略を示したものであり、
また、図3は、アライメントマーク刻印機構の概略を示
したものである。
【0025】図2の測定機構は、先端位置検出ユニット
20、水平移動機構付き投光器21、水平移動機構付き
受光器23、位置検出ユニットの上下駆動部24、ラン
プの回転駆動部27、先端位置測定および刻印制御部2
8、および測定データ保持部29で構成されている。2
5は位置検出ユニット20の上下動作、26は位置検出
ユニット20の水平移動動作を示している。また、この
測定機構には、図3に示すようなマーク刻印装置30も
設けられている。投光器21と受光器23は、ランプの
適正位置を測定するためのものである。投光器21とし
ては例えばLEDやレーザスキャンを用いることができ
る。投光器21からの透過光情報取得センサである受光
器23としてはフォトダイオードなどの単体受光素子や
CCDなどの微細集積受光素子を用いることができる。
【0026】ランプ製造後、ランプの電極先端位置測定
およびアライメントマーク刻印が必要になった場合に
は、図2に示すように、まず、先端位置測定および刻印
制御部28は、上下駆動部24を用いて先端検出ユニッ
ト20を、ユニット20内の投光器21から受光器23
に向けて出ている位置検出ビーム22が陽極口金6によ
って遮られなくなる陽極口金6の上端の位置まで移動さ
せ、ここをZaKとする。
【0027】そして、次に制御部28は、ランプ回転駆
動部27を用いてランプ1を回転させる。すると、前述
のZaKの近傍の口金6の左端が、ランプ1の偏心回転
によって左右に変動するが、この時、口金左端が最も左
にあるポイントのランプ角度θとX座標λL 、および最
も右にあるポイントのX座標λR を計測する。
【0028】また、偏心によるランプの最大傾き角をλ
とすると、前述のλL 、λR およびランプの全長Aは、 tanλ=((λR −λL )/2)/A の式よって表現できる。この式を変形すると、λは、 λ=tan-1((λR −λL )/2A) ここで、基準点から陽極口金6の上端の点までの長さZ
akは、すなわちランプ全長Aであるため、 λ=tan-1((λR −λL )/2ZaK) となるので、これを計算し、各々、回転角座標θ、傾き
角座標λとして記憶する。
【0029】それから、再び口金左端がX座標λL にく
る位置までランプ1を回転させた後、上下駆動部24、
先端位置検出ユニット20、およびユニット20内部の
水平移動機構を用いて、ビーム22が陰極43の上端す
れすれの位置にくるようにさせ、この時のZ座標Zkお
よびX座標Xkを計測し、記憶する。
【0030】さらに、ランプ回転駆動部27を用いてラ
ンプ1を時計方向に90度回転させた後、前述と同様に
上下駆動部24、先端位置検出ユニット20、およびユ
ニット20内部の水平移動機構を用いて、ビーム22が
陰極43の上端すれすれの位置にくるようにさせ、90
度回転によりXからYに変換されているため、この時に
計測したX座標は、Y座標Ykとして記憶する。
【0031】最後に、上記で求めた各座標値(θ,Z
k,Xk,Yk)から各標準値分を減算して、各々の偏
差を求め、測定データ保持部29に格納する。
【0032】その後、偏差が既定値以内のものであれ
ば、図3に示すように、制御部28は、データ保持部2
9より各偏差を読み出し、それらをアライメントマーク
の基準刻印位置からの補正用オフセット値として定義
し、そして高出力レーザー等を用いたマーク刻印装置3
0に送り込んでランプ1の電極口金5にアライメントマ
ークとして刻印する。
【0033】(上記構成の動作)上記構成における動作
をより具体的に説明する。図8は、前述の「ランプ上の
アライメントマークを用いた、装置のプリアライメント
機構の動作」を図4の構成にて行なう場合のフローチャ
ートである。
【0034】<ステップf1> X方向に、フルストロー
クでスキャンしつつ、Xaマークの反射光強度を、aセ
ンサで読む。 <ステップf2> ステップf1で求めた値の中から[最
大値」、[最小値」を抽出する。 <ステップf3> ステップf2で求めた値の中間値を、
Xaマークの明部と暗部の「境界値」とする。 <ステップf4> ステップf1〜3と同様にして、Yb
マークの明部と暗部の「境界値」を求める。 <ステップf5> ステップf1〜3と同様にして、Yc
マ−クの明部と暗部の「境界値」を求める。
【0035】<ステップf6> Ybマークの反射光強度
をbセンサで読む。 <ステップf7> bセンサ出力が境界値かをチェック
し、境界値なら、ステップfllへ進み、そうでなけれ
ば、ステップf8へ進む。 <ステップf8> Y方向に微少移動する。 <ステップf9> Yストロークの範囲外かをチェック
し、範囲外なら、ステップf10へ進み、そうでなけれ
ば、ステップf6へ戻る。 <ステップf10> アライメントマークのリミット外エ
ラーを表示する。
【0036】<ステップ f11> ステップf6〜10と
同様にして、Ycマークの反射光強度をcセンサで読み
ながら、それが境界値になるまで、θ方向に移動する。 <ステップf12> bセンサ出力が境界値かをチェック
し、境界値なら、ステップf13へ進み、そうでなけれ
ば、ステップf6へ戻る。 <ステップf13> ステップf6〜10と同様にして、
Xaマークの反射光強度をaセンサで読みながら、それ
が境界値になるまで、X方向に移動する。 <ステップf14> ステップfl〜3と同様にして、Z
dマークの明部と暗部の「境界値」を求める。 <ステップf15> ステップf6〜10と同様にして、
Zdマークの反射光強度をdセンサで読みながら、それ
が境界値になるまで、Z方向に移動する。
【0037】図9は、前述の「ランプ陰極先端(≒輝度
中心)位置の測定処理および、アライメントマーク刻印
処理」を図2の構成にて行なう場合のフローチャートで
ある。 <ステップg1> ランプを装置にセットする。 <ステップg2> 検出光ビームが陽極口金で遮られなく
なる場所(口金上端)まで検出ユニットを上方向へ動か
す処理を行なう。 <ステップg3> 検出光ビームが遮られなくなる場所を
ZaK点とする。 <ステップg4> ランプの回転を開始し、(ZaK点近
傍の)陽極口金の左端が、ランプの偏心によって変動す
るようにする。
【0038】<ステップg5> ランプを回転させなが
ら、(ZaK点近傍の)陽極口金の左端が一番左にある
時の角度θとX座標λL を計測する。 <ステップg6> 同様に、一番右にある時のX座標λR
を計測する。 <ステップg7> 上記座標情報より、ランプの最大傾き
角λを計算する。
【0039】<ステップg8> ランプを回転させ、再び
(ZaK点近傍の)陽極口金の左端を一番左にする。 <ステップg9> 検出光ビームが陰極上端(先端)で遮
られなくなる境界点まで検出ユニットを上方向へ動かす
処理を行なう。 <ステップg10> 検出光ビームが遮られなくなる境界
点のZ座標(Zk点)とX座標(Xk点)を記憶する。
【0040】<ステップg13> ランプを時計方向に9
0度だけ回転させる。 <ステップg14> 検出光ビームが陰極上端(先端)で
遮られなくなる境界点まで検出ユニットを上方向へ動か
す処理を行なう。 <ステップg15> 検出光ビームが遮られなくなる境界
点のX座標をY座標(Yk点)として記憶する。
【0041】<ステップg18> 各座標値から各標準値
分を減算し、各々の偏差を求める。 <ステップg19> 全偏差が既定限界値以下なら、ステ
ップg21へ進み、そうでなければステップg20へ進
む。 <ステップg20> 偏差リミットエラーを表示し、その
後、処理を終了する。
【0042】<ステップg21> 各偏差をアライメント
マークの基準刻印位置からの補正用オフセット値に変換
する。 <ステップg22> 陰極口金上の基準刻印位置に補正用
オフセット値を加えた位置に、刻印装置でアライメント
マークを書き込む。
【0043】[第2の実施例]図10は、本発明の第2
の実施例に係わる半導体製造装置用照明系ユニットに係
わるランプのアライメントマークの読み込み機構、およ
びプリアライメント機構の概略を示したものである。図
10の機構は、図4のものに対し、ランプ1として、さ
らに陽極口金6にアライメントマーク[λe]を刻印し
たものを用い、前述のλをも調整するようにしたもの
で、アライメントマーク[λe]検出用のマークセンサ
[e]を付加するとともに、図4のランプ左右前後上下
動作機構(XYZ駆動)9に代えて、ランプ左右前後上
下傾き動作機構(XYZλ駆動)90を用いたものであ
る。
【0044】図10の構成において、ランプ交換後、ラ
ンプの光軸(位置)調整が必要になった場合、まず、制
御装置10は、図4および図6を用いて説明したと同様
の手法にて、ランプ1に対しX,Y,Z,θ方向の位置
出しを行なう。
【0045】そしてさらに、同様の手法にて、λ(傾
き)方向の境界値を求める。そして、ランプ1のλ方向
ズレについても、λ方向にランプ左右前後上下傾き動作
機構(XYZλ駆動)90を用いて駆動し、残りのセン
サe出力も境界値となるような位置までランプ1を移動
させることで、ランプのλ方向の理想設定位置への補正
動作を行なう。
【0046】以上の補正動作を行なうことで、露光装置
の照明系ユニット内におけるランプの理想設定位置に対
し、かなり近づいた状態になるため、ランプ交換時の光
軸調整時間が、大幅に短縮できることになる。
【0047】また、本実施例の動作を行なうことで、前
述した第1の実施例には無い、ランプの傾き方向のズレ
λも補正できるようになるため、ランプのプリアライメ
ント精度をさらに向上できる可能性がある。
【0048】[第3の実施例]図11は、本発明の第3
の実施例に係わる半導体製造装置用照明系ユニットにお
けるランプのアライメントマークの読み込み機構、およ
びプリアライメント機構の概略を示したものである。ま
た、図12は、図11のランプ上方より見た口金部アラ
イメントマークに対するセンサ(2センサ式)の配置、
および各センサ側から見たセンサマークの図である。図
13は、第1の実施例と本実施例とでランプのアライメ
ント精度の違いが生じる理由を説明する図である。
【0049】各図において、前述の機構は、マークセン
サ[d2,a2,b2,c2]、陰極口金支持部7、ラ
ンプ回転機構(θ駆動)8、ランプ左右前後上下動作機
構(XYZ駆動)9、制御装置10、ランプ点灯装置1
1で構成されている。また、ランプ1は、陰極口金5、
アライメントマーク[Zd2,Xa2,Yb2,Yc
2]、陽極口金6を備えている。
【0050】ランプ交換後、ランプの光軸(位置)調整
が必要になった場合には、図11および図12に示すよ
うに、まず、制御装置10は、第1の実施例の手法に
て、ランプ1に対しX,Y,Z,θ方向の位置出しを行
なう。特に本実施例では、図13(B)に示すように、
各センサの出力を測って単に境界値等を求めるだけでな
く、各センサにおける2素子の境界値を各々求めて、そ
の2値の中間位置を真の境界位置とし、そこへ追い込む
形態にしている。
【0051】このようにすることで、図13(A)に示
すように、前述の第1の実施例では難しかった、アライ
メントマーク近傍部の汚れやサビ等による誤差分(δ)
を、相殺して削減することができるため、ランプのプリ
アライメント精度をさらに向上できる可能性がある。
【0052】[第4の実施例]図14および図15は、
本発明の第4の実施例に係わる半導体製造装置用照明系
ユニットにおけるランプのアライメントマークの読み込
み機構、およびプリアライメント機構の概略を示したも
のである。また、図16は、本実施例に係わるランプの
アライメントの過程を示した図である。
【0053】各図において、前述の機構は、XYθ補正
センサユニット105、マーク拡大レンズ104、マー
クセンサ[d,a,b,c]、投光素子106,受光素
子107、陰極口金支持部7、ランプ回転機構(θ駆
動)8、ランプ左右前後上下動作機構(XYΖ駆動)
9、制御装置10、およびランプ点灯装置11で構成さ
れている。ランプ1には、第1の実施例におけるアライ
メントマーク[Xa,Yb,Yc]の代わりに、陰極口
金5の下部の突出した部分109に、アライメントマー
ク108が設けられている。
【0054】ランプ交換後、ランプの光軸(位置)調整
が必要になった場合には、図14に示す制御装置10
は、まず、ランプ1に対しX,Y,θ方向の位置出しを
行なう。そのため、ランプ陰極口金5上に刻印されたア
ライメントマーク108を、その下方に設置されたマー
ク拡大レンズ104によって拡大し、さらに下方に配置
されたマークセンサ[a,b,c]によって、X,Y,
θ方向にフルストロークの範囲をスキャンしながら、マ
ークからの反射光を読み込む。次に、それらの値の中か
ら、反射率の最大値と最小値を各々抽出する。そして、
その各データから、各マークの明部と暗部の各境界値
(最大値と最小値の中間値)を求めておく。
【0055】前述ランプ1は、図16(A)に示すよう
にXY平面方向において、X方向ズレ、Y方向ズレ、θ
方向ズレといった3種のズレを持ちうる。しかし、本実
施例においては、ランプ1は最終的には制御装置10に
よりXY平面内の理想設定位置まで移動させられて、ズ
レは補正される。この補正方法を手順に従って説明する
と、まず第1に装置は、図16(B)に示すように、セ
ンサb出力を検知しながら、Y方向にランプ左右前後上
下動作機構(XYZ駆動)9を用いて駆動し、アライメ
ントマーク108からの反射光の出力が、上述の境界値
の出力となる位置までランプ1を移動させる。次に装置
は、図16(C)に示すように、センサb出力を検知
し、出力が中間点である境界値の出力となるように維持
しながらθ,Y方向にランプ回転機構(θ駆動)8、お
よびランプ左右前後上下動作機構(XYZ駆動)9を用
いて駆動し、センサc出力も同時に境界値出力となる位
置までランプ1を移動させる。この後は、図16(D)
に示すように、前述の駆動によりXY平面内のランプの
ズレはX方向だけを残すのみとなっているため、X方向
に駆動し、残りのセンサa出力も境界値となるような位
置までランプ1を移動させる。そして、駆動終了位置に
おいて、センサa,b,cの出力の全てが同時に境界値
出力となるようにすることで、ランプはXY平面内の理
想設定位置まで送り込まれたことになる。
【0056】次に、第1の実施例と同様の方法にて、Z
(上下)方向の境界値を求める。そして、ランプ1の残
りのZ方向ズレについても、同様にして、Z方向にラン
プ左右前後上下動作機構(XYZ駆動)9を用いて駆動
し、残りのセンサd出力も境界値となるような位置まで
ランプ1を移動させることで、ランプのZ方向の理想設
定位置への補正動作を行なう。
【0057】以上の2種の補正動作を行なうことで、露
光装置の照明系ユニット内におけるランプの理想設定位
置に対し、かなり近づいた状態になるため、ランプ交換
時における光軸調整時間が、大幅に短縮できることにな
る。
【0058】このようにすることで、前述の第1の実施
例では難しかった、Y方向用アライメントマーク間のス
パンを拡大することができる構造になるため、ランプの
θ(回転)方向のプリアライメント精度をさらに向上で
きる可能性がある。
【0059】[その他の実施例]なお、上述において
は、アライメントマークとして光学素子(例えばLED
とフォトダイオード)を用いて読み出し可能な光学素子
用マークを用いた例を示したが、前記アライメントマー
クは、ホール素子などの磁気素子を用いて読み出される
磁気素子用マークや、ホログラム素子を用いて読み出さ
れるホログラム素子用マークであってもよい。
【0060】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、以
下のような効果が得られる。 (1)ランプの初期調整にて、最適のポイントへの移動
をある程度、自動で行なえるようになるので、それらに
かけていた多大な手間と時間が節約できるようになる。 (2)露光装置個々の製造誤差が明確になるため、その
個体差を減少させる対策等が容易になる。 (3)ランプに適正位置設定用のアライメントマークを
追加することにより、ランプメーカが、より加工精度の
高いランプの製造を検討し始める可能性があり、それが
露光装置に対する実質的なランプの光軸調整時間を、さ
らに減少させるといった好循環を生むようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例に係わる半導体製造装
置用ランプの組立の様子を説明する図である。
【図2】 前記第1の実施例に係わる半導体製造装置用
ランプの製造工程で用いられる電極先端位置測定機構の
概略を示した図である。
【図3】 前記第1の実施例に係わる半導体製造装置用
ランプのマーク刻印機構の様子を説明する図である。
【図4】 前記第1の実施例に係わる半導体製造装置用
照明系ユニットにおけるランプのアライメントマークの
読み込み機構およびプリアライメント機構の概略を示し
た図である。
【図5】 前記第1の実施例に係わる半導体製造装置用
ランプを半導体製造装置用照明系ユニットに組み込んで
点灯した様子を説明する図である。
【図6】 前記第1の実施例に係わる半導体製造装置用
ランプのアライメントマークとセンサ(1センサ式)の
関係の概略を示した図である。
【図7】 前記第1の実施例に係わるランプのアライメ
ントの過程を示した図である。
【図8】 前記第1の実施例に係わる半導体製造装置の
ランプのアライメントマークに基づくプリアライメント
機構の動作を示すフローチャートである。
【図9】 前記第1の実施例に係わる半導体製造装置の
ランプ陰極先端(輝度中心)位置の測定処理および、ア
ライメントマーク刻印処理のフローチャートである。
【図10】 本発明の第2の実施例に係わる発明に係わ
る半導体製造装置用照明系ユニットにおけるランプのア
ライメントマークの読み込み機構およびプリアライメン
ト機構の概略を示した図である。
【図11】 本発明の第3の実施例に係わる半導体製造
装置用照明系ユニットにおける半導体製造装置用ランプ
のアライメントマークの読み込み機構およびプリアライ
メント機構の概略を示した図である。
【図12】 前記第3の実施例に係わる半導体製造装置
用ランプのアライメントマークとセンサ(2センサ式)
の関係の概略を示した図である。
【図13】 前記第3の実施例に係わるランプのアライ
メント精度の違いが生ずる理由を示した図である。
【図14】 本発明の第4の実施例に係わる半導体製造
装置用照明系ユニットにおけるランプのアライメントマ
ークの読み込み機構およびプリアライメント機構の概略
を示した図である。
【図15】 前記第4の実施例に係わる半導体製造装置
用ランプのアライメントマークとセンサ(マーク拡大方
式)の関係の概略を示した図である。
【図16】 前記第4の実施例に係わるランプのアライ
メントの過程を示した図である。
【符号の説明】
1:ランプ、5:陰極口金、6:陽極口金、7:陰極口
金支持部、8:ランプ回転機構(θ駆動)、9:ランプ
左右前後上下機構(XYZ駆動)、10:制御装置、1
1:ランプ点灯装置、20:先端位置検出ユニット、2
1:投光器、22:位置検出光ビーム、23:受光器、
24:位置検出ユニットの上下駆動部、25:位置検出
ユニットの上下動作、26:位置検出ユニット内の受光
器の左右動作、27:ランプの回転駆動部、28:電極
先端位置測定およびアライメントマーク刻印制御部、2
9:測定データ保持部、30:マーク刻印装置、41:
陽極、43:陰極、90:ランプ左右前後上下傾き機構
(XYZ駆動λ駆動)、104:マーク拡大レンズ、1
05:XYθ補正センサユニット、106:投光素子、
107:受光素子、Xa,Yb,Yc,Ζd,λe,X
a2,Yb2,Yc2,Zd2,108:電極口金上に
刻印されたアライメントマーク、a〜e,a2〜d2:
アライメントマークセンサ。

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 水銀または希ガスを封入した放電ランプ
    であって、該放電ランプの取り付け時の適正位置情報が
    ランプ自身に記述されていることを特徴とする露光用ラ
    ンプ。
  2. 【請求項2】 前記適正位置情報がアライメントマーク
    によって記述されていることを特徴とする請求項1記載
    の露光用ランプ。
  3. 【請求項3】 前記アライメントマークが光学素子用マ
    ークであることを特徴とする請求項2記載の露光用ラン
    プ。
  4. 【請求項4】 前記アライメントマークが磁気素子用マ
    ークであることを特徴とする請求項2記載の露光用ラン
    プ。
  5. 【請求項5】 前記アライメントマークがホログラム素
    子用マークであることを特徴とする請求項2記載の露光
    用ランプ。
  6. 【請求項6】 前記アライメントマークとして、横、縦
    および回転軸補正用のアライメントマークが用いられて
    いることを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載の
    露光用ランプ。
  7. 【請求項7】 前記アライメントマークとして、上下軸
    補正用のアライメントマークが用いられていることを特
    徴とする請求項2〜6のいずれかに記載の露光用ラン
    プ。
  8. 【請求項8】 前記アライメントマークとして、傾き軸
    補正用のアライメントマークが用いられていることを特
    徴とする請求項2〜7のいずれかに記載の露光用ラン
    プ。
  9. 【請求項9】 請求項1〜8のいずれかに記載の露光用
    ランプを用いる露光装置であって、所定位置に取り付け
    られた放電ランプの前記適正位置情報を検出する手段
    と、該露光装置における前記所定位置のオフセット情報
    を記憶する手段と、該適正位置情報およびオフセット情
    報に基づいて放電ランプの光軸調整を行なう手段とを具
    備することを特徴とする露光装置。
  10. 【請求項10】 前記適正位置情報を検出する手段に、
    LEDおよびその反射光情報取得センサを用いたことを
    特徴とする請求項9記載の露光装置。
  11. 【請求項11】 前記適正位置情報を検出する手段に、
    レーザスキャンおよびその反射光情報取得センサを用い
    たことを特徴とする請求項9記載の露光装置。
  12. 【請求項12】 前記反射光情報取得センサに、フォト
    ダイオード等の単体受光素子を用いたことを特徴とする
    請求項10または11記載の露光装置。
  13. 【請求項13】 前記反射光情報取得センサに、CCD
    等の微細集積受光素子を用いたことを特徴とする請求項
    10または11記載の露光装置。
  14. 【請求項14】 請求項1〜8のいずれかに記載の露光
    用ランプにおける適正位置情報を記述するために用いる
    ランプ適正位置測定および刻印装置であって、 所定位置に取り付けられた放電ランプの適正位置を測定
    する手段と、それを情報化して記録刻印する手段とを具
    備することを特徴とする適正位置測定および刻印装置。
  15. 【請求項15】 前記適正位置を測定する手段に、LE
    Dおよびその透過光情報取得センサを用いたことを特徴
    とする請求項14記載のランプ適正位置測定および刻印
    装置。
  16. 【請求項16】 前記適正位置を測定する手段に、レー
    ザスキャンおよびその透過光情報取得センサを用いたこ
    とを特徴とする請求項14記載のランプ適正位置測定お
    よび刻印装置。
  17. 【請求項17】 前記透過光情報取得センサに、フォト
    ダイオード等の単体受光素子を用いたことを特徴とする
    請求項15または16記載のランプ適正位置測定および
    刻印装置。
  18. 【請求項18】 前記透過光情報取得センサに、CCD
    等の微細集積受光素子を用いたことを特徴とする請求項
    15または16記載のランプ適正位置測定および刻印装
    置。
  19. 【請求項19】 請求項1〜8のいずれかに記載の露光
    用ランプが所定位置に取り付けられた際、その露光用ラ
    ンプを適正な位置に設定するためランプ適正位置設定装
    置であって、 前記所定位置に取り付けられた放電ランプの前記適正位
    置情報を読み出す手段と、該適正位置情報に基づいて放
    電ランプの光軸調整を行なう手段とを具備することを特
    徴とするランプ適正位置設定装置。
  20. 【請求項20】 前記適正位置情報を検出する手段に、
    LEDおよびその反射光情報取得センサを用いたことを
    特徴とする請求項19記載のランプ適正位置設定装置。
  21. 【請求項21】 前記適正位置情報を検出する手段に、
    レーザスキャンおよびその反射光情報取得センサを用い
    たことを特徴とする請求項19記載のランプ適正位置設
    定装置。
  22. 【請求項22】 前記反射光情報取得センサに、フォト
    ダイオード等の単体受光素子を用いたことを特徴とする
    請求項20または21記載のランプ適正位置設定装置。
  23. 【請求項23】 前記反射光情報取得センサに、CCD
    等の微細集積受光素子を用いたことを特徴とする請求項
    20または21記載のランプ適正位置設定装置。
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