JP2000299270A - 露光用ランプ、その製造誤差測定装置および露光装置 - Google Patents

露光用ランプ、その製造誤差測定装置および露光装置

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JP2000299270A
JP2000299270A JP10561299A JP10561299A JP2000299270A JP 2000299270 A JP2000299270 A JP 2000299270A JP 10561299 A JP10561299 A JP 10561299A JP 10561299 A JP10561299 A JP 10561299A JP 2000299270 A JP2000299270 A JP 2000299270A
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exposure lamp
exposure
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Katsumi Saegusa
克己 三枝
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光用ランプの交換時等における光軸調整作
業の時間を減縮する。 【解決手段】 露光用ランプに内部の電極先端または輝
度中心の位置の製造誤差に関する情報を記録するための
構造を設け、前記情報を記録する。この情報の記録を行
なうために、露光用ランプの内部の電極先端または輝度
中心の位置を測定する誤差測定手段(図1(b))と、
この測定結果に基づく製造誤差に関する情報を前記露光
用ランプに記録する記録手段(図1(c))とを備える
露光用ランプの製造誤差測定刻印装置を用いる。露光装
置においては、露光用ランプに記録されている製造誤差
に関する情報を読み取る読取り手段と、読み取った情報
に基づいて前記露光用ランプの光軸調整を行なう光軸調
整手段とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置や
液晶製造装置に使用される露光装置、それに使用できる
露光用ランプ、およびその製造誤差測定装置に関し、特
に、露光用ランプの製造誤差の測定および記録を行な
い、この記録に基づいて露光用ランプの初期位置の設定
ができるようにしたものに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、露光装置に用いられる露光光源用
ランプを装置に取り付けた際の光軸調整(X,Y,Z)
などの初期調整においては、ランプハウスのアークモニ
タの窓に映る電極の陰影を眺めながらランプをXYZ方
向に少しずつ手動で動かして、照度が高く、かつ照度の
ムラの少ない最適のポイントを探り出している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術によれば、ランプの光軸調整の全てを手動
で行なっているため、最適のポイントを探り出すのに、
かなりの手間と時間が必要とされるという問題がある。
そのため、ほとんどのユーザにおいて24時間稼動によ
る運営で使用されている露光装置を、ランプ交換のたび
ごとに長時間止めてしまうことになり、それがユーザに
とっては、結果的に多大な損失となって計上されてい
る。
【0004】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、露光用ランプの交換時における作業時間を
減縮し、もって露光装置の実稼動時間を増加させること
ができる露光用ランプ、その製造誤差測定装置、および
露光装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の露光用ランプは、内部の電極または輝度中心の
位置の製造誤差に関する情報を記録するための構造を具
備し、あるいはさらに前記情報が記録してあることを特
徴とする。また、本発明の製造誤差測定装置は、露光用
ランプの内部の電極または輝度中心の位置を、露光用ラ
ンプの製造時等において測定する誤差測定手段と、この
測定結果に基づく製造誤差に関する情報を前記露光用ラ
ンプに記録する記録手段とを具備することを特徴とす
る。また、本発明の露光装置は、露光用ランプに記録さ
れている製造誤差に関する情報を、露光用ランプ装着時
等において読み取る読取り手段と、読み取った情報に基
づいて露光用ランプの光軸調整を行なう光軸調整手段と
を具備することを特徴とする。露光装置の実稼動時間を
増やすには、露光装置の稼動停止を伴う露光用ランプ交
換時における初期光軸調整において、「最適のポイント
を探り出すための作業時間をいかに少なくするか」とい
うことが重要である。それには、ある程度、露光用ラン
プを最適ポイントの近くに追い込んでしまえるような、
半自動的なランプの光軸粗調整(プリアライメント)機
能を有し、それを最初に行なってから最終調整に移行す
る手順を踏むことによって、手間と時間のかかる手動調
整作業を減らすことが必要となる。本発明はこの光軸粗
調整が半自動的に行なわれるようにしたものであり、本
発明によれば、製造誤差測定装置により露光用ランプの
製造誤差に関する情報を露光用ランプに記録し、この記
録に基づいて露光装置が露光用ランプの光軸調整を行な
う。これにより、ランプ交換時の光軸調整作業時間が減
少され、露光装置の実稼動時間が向上し、ユーザ先での
24時間稼動体制に与える影響が低減される。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、誤差測定手段は、レーザスキャンによる反射光情
報または透過光情報を用いて製造誤差の測定を行なうも
のであり、あるいはLEDおよびそこからの光を受光す
る受光素子を用いたものである。この受光素子としては
反射光受光型CCD、透過光受光型CCD等の微細集積
受光素子を使用することができる。
【0007】また、誤差測定手段は、輝度中心を測定す
る場合は、輝度中心からの光を検出する単一または4分
割のフォトセンサ、および輝度中心からの直線光束以外
の外乱光がフォトセンサに入らないようにするための直
列に2段に組んだピンホールを有する。あるいは、ピン
ホールおよびこれを介して輝度中心からの光を受光する
CCDを組み合わせて構成した輝度中心測定手段、また
は、ピンホールおよびこれを介して輝度中心からの光を
検出する4分割フォトセンサを組み合わせて構成した輝
度中心測定手段を有する。
【0008】前記情報の記録はバーコード、2次元バー
コード、磁気コード、またはホログラムによるもの等で
ある。露光用ランプは水銀、キセノン等の希ガスを封入
した放電ランプ等である。
【0009】読取り手段としては、例えば図3に示すよ
うなバーコードリーダ3が使える。光軸調整手段として
は、図3に示すようなランプ回転機構8、ランプ左右前
後上下傾き機構9等により露光用ランプを所定位置
(X,Y,Z)および角度(偏心角θ,傾き角λ)に移
動する手段が使用できる。また、誤差測定手段として
は、図4に示すような陰極43のエッジおよび陽極口金
6のエッジを検出することによって、露光装置のランプ
ハウス内のランプ固定部基準点からの陰極43や陽極口
金6先端位置までの距離、角度等の測定を行なう機構等
が使用される。
【0010】図1および図2は、露光用ランプの製造か
ら露光装置での使用に至るまでの手順において本発明を
適用した場合の全体の概略を示す。図2は露光装置サイ
ドでの様子を示しており、これに対応する例を後述の実
施例1として詳述する。図1はランプ製造サイドでの様
子を示しており、これに対応する例を実施例2において
詳述する。図1(a)は「ランプの組立て」、(b)は
「ランプの製造誤差の測定」、(c)は「ランプの製造
誤差の記録」、図2(a)は「ランプの製造誤差の読込
み」、(b)は「ランプの点灯」を示しており、この順
で、本発明を適用した手順は進行する。具体的には、ラ
ンプの製造時においては、まず、露光用ランプの組立て
を行ない、それから、本発明の製造誤差測定装置を用い
て製造誤差を測定し、そして、その情報を本発明の露光
用ランプに記録する。その後の本発明の露光装置におけ
るランプの点灯時(使用時)においては、まず、本発明
の露光用ランプから製造誤差に関する情報を読み込み、
それに基づいて光軸粗調整を行ない、そして、ランプの
点灯を行なう。
【0011】
【実施例】[実施例1]図3は、本発明の第1の実施例
に係る半導体製造装置(露光装置)の照明系ユニットに
おけるランプ製造誤差の読込み機構(読取り手段)およ
びプリアライメント機構(光軸粗調整手段)の構成を示
す。同図に示すように、この半導体製造装置は、露光用
のランプ1と、ランプ1に記録されている製造誤差に関
する情報を読み取るためのバーコードリーダ3と、読み
取った製造誤差に関する情報に基づいてランプ1の光軸
調整を行なうプリアライメント機構とを備える。ランプ
1は、陰極口金5と、製造誤差に関する情報が記録され
ている陰極口金5上の陰極口金部バーコード2と、陽極
口金6とを含む。プリアライメント機構は、ランプ1を
支持してZ軸に平行な軸の周りすなわちθ方向に回転さ
せるランプ回転機構8と、陰極口金5を支持する陰極口
金支持部7と、陰極口金支持部7により支持され、ラン
プ回転機構8によりθ方向が決められているランプ1を
X、YおよびZ方向ならびにY軸に平行な軸の周りすな
わちλ方向に回転させるランプ左右前後上下傾き機構9
と、ランプ1の点灯を行なうランプ点灯装置11と、バ
ーコードリーダ3、ランプ回転機構8、ランプ左右前後
上下傾き機構9およびランプ点灯装置11の駆動を制御
する制御装置10とを備える。
【0012】図6はランプ製造誤差データに基づくプリ
アライメント機構の動作を示すフローチャートである。
上記構成において、ランプ1の交換後、ランプの光軸
(位置)調整が必要になった場合には、同図に示すよう
に、制御装置10は、まず、ステップa1において、ラ
ンプ陰極口金5上に刻印されたバーコード2を、その近
傍に設置されたバーコードリーダ3によって読み込む。
このとき、バーコードデータの読込みが正常に行なわれ
た場合はステップa3へ進み、正常に行なわれなかった
場合はステップa1へ戻る。ステップa3では、読み取
ったバーコードから各製造誤差のデータを抽出する。次
に、ステップa4において、全製造誤差が既定値範囲内
であるか否かを判定し、既定値範囲内であればステップ
a6に進み、そうでなければステップa5に進む。
【0013】ステップa5へ進んだ場合は、製造誤差が
既定値範囲外である旨のリミットエラーを表示し、その
後、処理を終了する。ステップa6へ進んだ場合は、各
製造誤差データに基づき、ランプ1を送り込むべき各座
標値を計算する。各座標値はその標準値と各製造誤差を
加算することにより導出する。そして、ステップa10
において、導出した各座標値の位置ヘ、ランプ回転機構
8およびランプ左右前後上下傾き機構9により、ランプ
1を移動(プリアライメント)する。
【0014】これにより、ランプ1は、露光装置の照明
系ユニット内における理想設定位置にかなり近づいた状
態になるため、ランプ1の交換時における光軸調整時間
を大幅に短縮することができる。
【0015】[実施例2]図4および図5は本発明の第
2の実施例に係る半導体製造装置に用いられる露光用の
ランプの製造時における製造誤差を測定し、記録する製
造誤差測定装置の構成を示す。図4はこの製造誤差測定
装置の製造誤差測定機構の部分を示し、図5は製造誤差
刻印機構の部分を示す。これらの図において、41はラ
ンプ1の陽極、43はランプ1の陰極、20は陰極43
の先端位置を検出するための先端位置検出ユニット、2
1および23は先端位置検出ユニット20を構成する水
平移動機構付き投光器および水平移動機構付き受光器、
22は投光器21が発し、受光器23が受光する位置検
出用の光ビーム、24は位置検出ユニット20をZ方向
に駆動する上下駆動部、27はランプ1をZ軸に平行な
軸のまわりすなわちθ方向に回転させる回転駆動部、3
2はバーコード2をランプ陰極口金5上に刻印するデー
タ刻印装置、28は上下駆動部24、回転駆動部27お
よびデータ刻印装置32を制御する誤差測定および刻印
制御部、29は製造誤差測定機構により測定したデータ
を記憶する測定データ保持部である。
【0016】図7はこの構成におけるランプ製造誤差の
測定処理を示すフローチャートである。ランプ製造後、
ランプの製造誤差測定が必要になった場合には、同図に
示すように、まず、ステップb1において、ランプ1を
製造誤差測定装置にセットする。次に、誤差測定および
刻印制御部28は、ステップb2およびb3において、
上下駆動部24により、先端検出ユニット20をその投
光器21から受光機23に向けて出ている位置検出ビー
ム22が陽極口金6によって遮られなくなる陽極口金6
の上端まで移動させ、そのときの移動位置をZaKとす
る。次に、制御部28は、ステップb4において、ラン
プ回転駆動部27によりランプ1をθ方向に回転させ
る。このとき、前述の位置ZaK近傍の陽極口金6の左
端の位置が、ランプ1の回転軸が偏心していることによ
って左右に変動する。
【0017】次に、ステップb5〜b7において、この
θ方向の回転により位置ZaK近傍の陽極口金6の左端
が最も左に位置するときのランプ1の回転角度θと陽極
口金6の左端のX座標Lrp、および最も最も右に置す
るときのX座標Rrpを計測する。このとき、偏心によ
るランプの最大傾き角をλ、ランプの全長をAとすれ
ば、次式が成り立つ。
【0018】 tanλ=((Rrp−Lrp)/2)/A この式を変形すると、λは次式で表すことができる。
【0019】 λ=tan-1((Rrp−Lrp)/2A) ここで、基準点から陽極口金6の上端の点までの長さZ
aKはランプ全長Aであるため、この式は次式となる。
【0020】 λ=tan-1((Rrp−Lrp)/2ZaK) そこで、この式によりランプの最大傾き角λを計算し、
前述の回転角度θおよびこの最大傾き角λを、それぞれ
回転角座標θおよび傾き角座標λとして記憶する。
【0021】次に、ステップb8において、再び位置Z
aK近傍の陽極口金6の左端がX座標Lrpに位置する
までランプ1を回転させる。そして、ステップb9およ
びb10において、上下駆動部24、先端位置検出ユニ
ット20およびその水平移動機構を用いて、検出光ビー
ム22を上方向へ移動し、検出光ビーム22が陰極43
の上端すれすれの位置、すなわち検出光ビーム22が陰
極43上端(先端)で遮られなくなる境界点に位置さ
せ、このときのZ座標ZkおよびX座標Xkを計測し、
記憶する。
【0022】さらに、ステップb11においてランプ回
転駆動部27によりランプ1を時計方向に90度回転さ
せた後、ステップb12およびb13において、前述と
同様に上下駆動部24、先端位置検出ユニット20およ
びその水平移動機構を用いて検出光ビーム22を陰極4
3の上端すれすれに位置させ、そのときのX座標を、Y
座標Ykとして記憶する。ランプ1の90度回転により
XからYに変換されているため、このとき計測したX座
標は、Y座標を表しているからである。
【0023】次に、ステップb14において、上述のよ
うにして求めた各座標値(θ,λ,Zk,Xk,Yk)
からそれぞれの標準値を減算して各製造誤差を求め、そ
れらを測定データ保持部29に格納する。そして、ステ
ップb15において、全製造誤差が既定限界値以下であ
るか否かを判定し、既定限界値以下であればステップb
17へ進み、そうでなければステップb16へ進む。ス
テップb16では、製造誤差エラーを表示し、その後、
処理を終了する。ステップb17では、制御部28は、
データ保持部29より各製造誤差を読み出し、各製造誤
差をバーコードデータに変換する。そしてステップb1
8において、そのバーコードデータを、高出力レーザ等
を用いたデータ刻印装置32に送り込んで、ランプ陰極
口金5にバーコードとして刻印する。
【0024】[実施例3]図8は本発明の第3の実施例
に係る半導体製造装置に用いられる露光用ランプの製造
時における製造誤差を測定する製造誤差測定機構の構成
を示す。この構成自体は、図4の構成と同じである。本
実施例が図4の実施例と異なるのは、図4の実施例では
陰極43の先端の座標Zk、XkおよびYkを測定して
いるのに対し、本実施例では陽極41の下端のZ座標Z
a、X座標XaおよびY座標Yaを測定するようにして
いる点にある。すなわち、本実施例では、ランプの製造
誤差測定をする場合には、図4の実施例の場合と同様な
手法を用いて、各座標値(θ,λ,Za,Xa,Ya)
を求める。この後、その各座標値から各標準値分を減算
して製造誤差を求め、それらを測定データ保持部29に
格納する。さらに、そのデータを基にして、実施例2の
場合と同様にして、ランプ1の陰極口金5にバーコード
を刻印する。
【0025】[実施例4]図9は本発明の第4の実施例
に係る半導体製造装置用ランプに用いられる露光用ラン
プの製造時における製造誤差を測定する製造誤差測定機
構の構成を示す。この構成自体は、図4の構成と同じで
ある。本実施例が図4の実施例と異なるのは、図4の実
施例では陰極43の先端の座標Zk、XkおよびYkを
測定しているのに対し、本実施例では、これに加え、さ
らに陽極41の下端のZ座標Za、X座標XaおよびY
座標Yaを測定するようにしている点にある。すなわ
ち、本実施例では、ランプの製造誤差測定をする場合に
は、実施例2の場合と同様な手法を用いて、各座標値
(θ,λ,Zk,Xk,Yk,Za,Xa,Ya)を求
める。この後、その各座標値から各標準値分を減算して
製造誤差を求め、それらを測定データ保持部29に格納
する。さらに、そのデータを基にして、実施例2の場合
と同様にして、ランプ1の陰極口金5にバーコードの刻
印を行なう。
【0026】[実施例5]図10は、本発明の第5の実
施例に係る半導体製造装置用ランプに用いられる露光用
ランプの製造時における製造誤差を測定する製造誤差測
定機構の構成を示す。図10において、11はランプ1
の点灯を行なうランプ点灯装置、30はランプ1の輝度
中心の位置を測定するための輝度中心測定器である。他
の図4と同一の符号を付した要素は図4の場合と同一の
要素である。
【0027】図12は図10の構成におけるランプ製造
誤差の測定処理を示すフローチャートである。同図にお
いて、まず、ステップg1〜g8は図7におけるステッ
プb1〜b8と同様であり、同様の手順で回転角座標θ
および傾き角座標λを求め、記憶する。そして、ステッ
プg8において再び陽極口金6の左端がX座標Lrpに
位置するまでランプ1を回転させた後、ステップg9に
おいて、ランプ1を点灯させる。次に、ステップg10
およびg11において、上下駆動部24、検出ユニット
20およびその水平移動機構を用いて、輝度中心測定器
30をその入力値が最大になる点に位置させ、このとき
のZ座標ZbおよびX座標Xbを計測し、記憶する。
【0028】さらに、ステップg12において、ランプ
回転駆動部27を用いてランプ1を時計方向に90度回
転させた後、ステップg13およびg14において、前
述と同様に上下駆動部24、先端位置検出ユニット20
およびその水平移動機構を用いて、輝度中心測定器30
を、その入力値が最大になる点に位置させ、そのときの
X座標をY座標Ybとして記憶する。
【0029】以降のステップg15〜g19の処理は、
扱うデータ以外は図7のステップb14〜b18の処理
と同様である。すなわち、上述のようにして求めた各座
標値(θ,λ,Zb,Xb,Yb)から各標準値分を減
算してランプ輝度中心座標の製造誤差分を求め、それら
を測定データ保持部29に格納し、さらに、そのデータ
を基にして、図5の実施例と同様にして、ランプ1の電
極口金5にバーコード2を刻印する。このバーコード2
に基づき、図3のプリアライメント機構と同様の構成に
よりランプ1の光軸粗調整を行なうことができる。
【0030】図11は、この、ランプ輝度中心の製造誤
差データに基づくプリアライメント機構の動作のフロー
チャートである。取り扱うデータが、図6の動作の場合
における陰極43先端の座標(Xk,Yk,Zk)の代
わりにランプ輝度中心の座標(Zb,Xb,Yb)とな
る以外は図6の動作と同様である。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
の効果が得られる。 (1)ランプの交換時における光軸調整等において、最
適ポイントヘのランプの移動をある程度自動で行なえる
ようになるため、調整に要する多大な手間と時間を節約
することができる。 (2)今まで、規格内であれば不問にされていたランプ
個々の製造誤差および誤差データが明確になり、ランプ
メーカ各社のランプ加工精度の実力がわかるようにな
る。 (3)上記データが明確になることにより、ランプメー
カが、より加工精度の高いランプの製造を検討し始める
可能性があり、それが露光装置に対する実質的なランプ
の光軸調整時間を、さらに減少させるといった好循環を
生むようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 露光用ランプの製造から露光装置での使用に
至るまでの手順において本発明を適用した場合のランプ
製造サイドでの様子を示す図である。
【図2】 露光用ランプの製造から露光装置での使用に
至るまでの手順において本発明を適用した場合の露光装
置サイドでの様子を示す図である。
【図3】 本発明の第1の実施例に係る半導体製造装置
(露光装置)の照明系ユニットにおけるランプ製造誤差
の読込み機構(読取り手段)およびプリアライメント機
構(光軸粗調整手段)の構成を示す概略図である。
【図4】 本発明の第2の実施例に係る半導体製造装置
に用いられる露光用のランプの製造時における製造誤差
を測定し、記録する製造誤差測定装置の製造誤差測定機
構の部分を示す斜視図である。
【図5】 本発明の第2の実施例に係る半導体製造装置
に用いられる露光用のランプの製造時における製造誤差
を測定し、記録する製造誤差測定装置の製造誤差刻印機
構の部分を示す概略図である。
【図6】 図3のプリアライメント機構の動作を示すフ
ローチャートである。
【図7】 図4の製造誤差測定機構によるランプ製造誤
差の測定処理および図5の誤差刻印処理を示すフローチ
ャートである。
【図8】 本発明の第3の実施例に係る半導体製造装置
に用いられる露光用ランプの製造時における製造誤差を
測定する製造誤差測定機構の構成を示す斜視図である。
【図9】 本発明の第4の実施例に係る半導体製造装置
用ランプに用いられる露光用ランプの製造時における製
造誤差を測定する製造誤差測定機構の構成を示す斜視図
である。
【図10】 本発明の第5の実施例に係る半導体製造装
置用ランプに用いられる露光用ランプの製造時における
製造誤差を測定する製造誤差測定機構の構成を示す斜視
図である。
【図11】 図10の機構によるランプ輝度中心の製造
誤差データに基づくプリアライメント機構の動作のフロ
ーチャートである。
【図12】 図10の構成におけるランプ製造誤差の測
定処理および誤差刻印処理を示すフローチャートであ
る。
【符号の説明】
1:ランプ、2:陰極口金上に刻印されたバーコード、
3:バーコードリーダ、5:陰極口金、6:陽極口金、
7:陰極口金支持部、8:ランプ回転機構(θ駆動)、
9:ランプ左右前後上下傾き機構(XYZ駆動,λ駆
動)、10:制御装置、11:ランプ点灯装置、20:
先端位置検出ユニット、21:投光器、22:位置検出
光ビーム、23:受光器、24:位置検出ユニットの上
下駆動部、27:ランプの回転駆動部、28:誤差測定
および刻印制御部、29:測定データ保持部、30:輝
度中心測定器、31:測定データ刻印光、32:データ
刻印装置、41:陽極、43:陰極。

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部の電極または輝度中心の位置の製造
    誤差に関する情報を記録するための構造を具備すること
    を特徴とする露光用ランプ。
  2. 【請求項2】 前記情報が記録してあることを特徴とす
    る請求項1に記載の露光用ランプ。
  3. 【請求項3】 露光用ランプの内部の電極または輝度中
    心の位置を測定する誤差測定手段と、この測定結果に基
    づく製造誤差に関する情報を前記露光用ランプに記録す
    る記録手段とを具備することを特徴とする露光用ランプ
    の製造誤差測定装置。
  4. 【請求項4】 前記誤差測定手段は、レーザスキャンに
    よる反射光情報を用いて前記製造誤差の測定を行なうも
    のであることを特徴とする請求項3に記載の製造誤差測
    定装置。
  5. 【請求項5】 前記誤差測定手段は、レーザスキャンに
    よる透過光情報を用いて前記製造誤差の測定を行なうも
    のであることを特徴とする請求項3に記載の製造誤差測
    定装置。
  6. 【請求項6】 前記誤差測定手段は、LEDおよびそこ
    からの光を受光する受光素子を用いたものであることを
    特徴とする請求項3に記載の製造誤差測定装置。
  7. 【請求項7】 前記受光素子は反射光受光型CCD、透
    過光受光型CCD等の微細集積受光素子であることを特
    徴とする請求項6に記載の製造誤差測定装置。
  8. 【請求項8】 前記誤差測定手段は、前記輝度中心を測
    定するために前記輝度中心からの光を検出するフォトセ
    ンサ、および前記輝度中心からの直線光束以外の外乱光
    が前記フォトセンサに入らないようにするための直列に
    2段に組んだピンホールを有することを特徴とする請求
    項3〜7のいずれか1項に記載の製造誤差測定装置。
  9. 【請求項9】 前記誤差測定手段は、ピンホールおよび
    これを介して前記輝度中心からの光を受光するCCDを
    組み合わせて構成した輝度中心測定手段を有することを
    特徴とする請求項3〜7のいずれか1項に記載の製造誤
    差測定装置。
  10. 【請求項10】 前記誤差測定手段は、ピンホールおよ
    びこれを介して前記輝度中心からの光を検出する4分割
    フォトセンサを組み合わせて構成した輝度中心測定手段
    を有することを特徴とする請求項3〜7のいずれか1項
    に記載の製造誤差測定装置。
  11. 【請求項11】 前記フォトセンサは単一のセンサであ
    ることを特徴とする請求項8に記載の製造誤差測定装
    置。
  12. 【請求項12】 前記フォトセンサは4分割センサであ
    ることを特徴とする請求項8に記載の製造誤差測定装
    置。
  13. 【請求項13】 露光用ランプに記録されている製造誤
    差に関する情報を読み取る読取り手段と、読み取った情
    報に基づいて前記露光用ランプの光軸調整を行なう光軸
    調整手段とを具備することを特徴とする露光装置。
  14. 【請求項14】 前記製造誤差に関する情報は請求項3
    〜12のいずれかの製造誤差測定装置により測定され、
    記録された情報であることを特徴とする請求項13に記
    載の露光装置。
  15. 【請求項15】 前記情報の記録はバーコードによるも
    のであることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1
    項に記載のランプまたは装置。
  16. 【請求項16】 前記情報の記録は2次元バーコードに
    よるものであることを特徴とする請求項1〜14のいず
    れか1項に記載のランプまたは装置。
  17. 【請求項17】 前記情報の記録は磁気コードによるも
    のであることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1
    項に記載のランプまたは装置。
  18. 【請求項18】 前記情報の記録はホログラムによるも
    のであることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1
    項に記載のランプまたは装置。
  19. 【請求項19】 前記製造誤差に関する情報は、前記露
    光用ランプの光軸調整に用いられるものであることを特
    徴とする1〜18のいずれか1項に記載のランプまたは
    装置。
  20. 【請求項20】 前記露光用ランプは水銀、キセノン等
    の希ガスを封入した放電ランプであることを特徴とする
    請求項1〜19のいずれか1項に記載のランプまたは装
    置。
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