JP2000340691A

JP2000340691A - 絶縁パッケージ

Info

Publication number: JP2000340691A
Application number: JP11146043A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Goto; 芳宏後藤; Yoshinobu Natsuhara; 善信夏原
Original assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date: 1999-05-26
Filing date: 1999-05-26
Publication date: 2000-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】金属キャップが傾斜しないで封止され、封止
強度に優れ、低背化された絶縁パッケージを提供する。【解決手段】底板部２および枠体部３を有する絶縁性
ベース１と、絶縁性ベース１の内方から外方に導出され
た電極４，５と、底板部２の下面の端子部６，７と、支
持部８とを有し、前記電極４，５に水晶振動片１４を接
続固着し、前記枠体部３の上面と端面に接地用の導電層
９，１０，１１を形成し、底板部２の下面に前記接地用
の導電層９，１０，１１と電気的に接続された接地用の
端子部１２，１３を形成し、前記枠体部３の上面の導電
層９の上に、導電性の球形粒子１８ａ，１８ｂ，１８ｃ
を分散した低融点ガラス１５で金属キャップ１６を気密
に固着封止した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、底板部および枠体
部を有する絶縁性ベースに金属キャップを低融点ガラス
で気密に固着封止してなる絶縁パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】最近の電子部品の小型・軽量化および表
面実装化に伴って、水晶振動子も従来の円筒型金属パッ
ケージからセラミックパッケージ化が進められている。
その代表的なものについて、以下説明する。図１０ない
し図１２は従来の表面実装型水晶振動子Ｃを示し、図１
０は一部を切り開いた平面図、図１１は長手方向の中心
線に沿う縦断面図、図１２は下面図である。図１０ない
し図１２において、５１はセラミック製の底板部５２お
よび枠体部５３を有する絶縁性ベースで、底板部５２の
上面の長手方向の一端部近傍には、Ａｇペースト，Ａｇ
／Ｐｄペースト等を塗布焼成してなる電極５４，５５が
形成されている。前記電極５４，５５の一方の電極５４
は、底板部５２と枠体部５３の間を通って長手方向の一
端部に導出されており、他方の電極５５は底板部５２と
枠体部５３の間を迂回して長手方向の他端部に導出され
ている。そして、これら両電極５４，５５は、底板部５
２の端面を通って、底板部５２の下面にＷペースト，Ｍ
ｏペースト等を塗布焼成してなる端子部５６，５７に接
続されている。前記底板部５２の長手方向の他端部近傍
には、後述する水晶振動片（５９）を水平に支持する，
いわゆる「枕」と称される支持部５８が形成されてい
る。この支持部５８は、前記電極５４，５５と同一材料
により、同時に、かつ同一厚さに形成されている。前記
電極５４，５５には、両面に電極（図示省略）を形成し
た水晶振動片５９が、導電性接着材等により水平状態に
接続固着されている。前記枠体部５３の上面には、低融
点ガラス６０を介してセラミツク製のキャップ６１が気
密に固着封止されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
水晶振動子Ｃにおいて、枠体部５３とキャップ６１との
間に、低融点ガラス６０を介在して固着封止している
が、低融点ガラス６０の厚さｔの制御が困難であった。
特に、図１３の低融点ガラス６０による封止部の要部拡
大縦断面図に示すように、キャップ６１が傾斜して封止
されると、一方側（図示右半分）では、低融点ガラス６
０の厚さｔが不足して、封止不良が発生しやすいし、他
方側（図示左半分）では、枠体部５３とキャップ６１と
の間隔寸法ｇが大きくなって、低融点ガラス６０の不足
を招来し、低融点ガラス６０が枠体部５３およびキャッ
プ６１の外方端よりも寸法ｌだけ入り込んで、封止距離
の不足から封止不良になりやすいという問題点があっ
た。また、このようなキャップ６１の傾斜は、必然的に
キャップ６１の高い方の端部（図示左側）での高さ寸法
ｈの増大を招く。このキャップ６１の傾斜による高さ寸
法の増大は、絶対値としてはそれほど大きくはないが、
絶縁パッケージ全体の厚さが１．０ｍｍ程度と薄型化さ
れてきた現在においては、このキャップ６１の傾斜が無
視できなくなってきた。

【０００４】また、上記絶縁パッケージにおいては、セ
ラミック製の底板部５２，枠体部５３およびキャップ６
１の熱膨張係数が水晶振動片５９の熱膨張係数と相違す
るため、熱膨張係数差に起因する応力によって、水晶振
動片５９の特性変動が生じるという問題点があった。ま
た、セラミック製のキャップ６１は、その機械的強度の
点から薄型化に限度があり、水晶振動子Ｃ全体の低背化
にも限度があるという問題点があった。

【０００５】そこで、本件出願人は、図１４ないし図１
６に示すように、ガラスにセラミック微粉末を分散した
ガラスセラミック製の底板部７２および枠体部７３を有
する熱膨張係数が１０〜１５ｐｐｍ／℃の絶縁性ベース
７１を開発するとともに、セラミツク製のキャップ６１
に代えてステンレス等よりなる金属キャップ８１を用い
る水晶振動子Ｄ用の絶縁パツケージを開発した。図１４
ないし図１６において、７６，７７は端子部で、図１０
ないし図１２の水晶振動子Ｃでは、絶縁性ベース５１が
セラミック製であるため、端子部５６，５７はＷペース
ト，Ｍｏペーストを塗布焼成して形成したが、ガラスセ
ラミック製の絶縁性ベース７１の場合は、ガラスの融点
の関係からＡｇペースト，Ａｇ／Ｐｄペースト等を塗布
焼成して形成される。なお、７４，７５は電極、７８は
支持部、７９は水晶振動片、８０は低融点ガラスで、そ
れぞれ図１０ないし図１２の電極５４，５５、支持部５
８、水晶振動片５９、低融点ガラス６０と同様であり、
説明を省略する。この水晶振動子Ｄによれば、底板部７
２および枠体部７３と金属キャップ８１の熱膨張係数
が、水晶振動片７９の熱膨張係数に一致またはきわめて
近似しているので、これらの底板部７２および枠体部７
３と金属キャップ８１の熱膨張係数と水晶振動片７９の
熱膨張係数との差に起因する応力は全くないか著しく小
さいため、応力に起因する水晶振動片７９の特性変動が
全くないか、著しく小さく無視できるという優れた特長
がある。また、セラミック製のキャップ６１に代えて、
金属キャップ８１を用いるので、キャップの薄型化がで
き、したがって水晶振動子Ｄ全体の低背化ができるとい
う優れた特長がある。

【０００６】しかしながら、上記の水晶振動子Ｄにおい
ても、枠体部７３と金属キャップ８１とを、低融点ガラ
ス８０を介して固着封止しているが、低融点ガラス８０
の厚さｔの制御が困難であった。図１３に示したと同様
に、金属キャップ８１が傾斜して封止されると、一方側
（図示右半分）では、低融点ガラス８０の厚さｔが不足
して、封止不良が発生しやすいし、他方側（図示左半
分）では、枠体部７３と金属キャップ８１との間隔寸法
ｇが大きくなって、低融点ガラス８０の不足を招来し、
低融点ガラス８０が枠体部７３および金属キャップ８１
の外方端よりも寸法ｌだけ入り込んで、封止距離の不足
から封止不良になりやすいという問題点は未解決のまま
であった。また、このような金属キャップ８１の傾斜
は、必然的に金属キャップ８１の高い方の端部（図示左
側）での高さ寸法ｈの増大を招く。この金属キャップ８
１の傾斜による高さ寸法の増大は、絶対値としてはそれ
ほど大きくはないが、絶縁パッケージ全体の厚さが０．
５〜１．０ｍｍ程度と薄型化されてきた現在において
は、この金属キャップ８１の傾斜が無視できなくなって
きた。また、浮遊容量や外来電磁波の影響により、内部
に収容した水晶振動片７９の特性変動が生じることがあ
り、このような浮遊容量や外来電磁波に起因する特性変
動が防止することが望まれている。

【０００７】そこで、本発明は、金属キャップの傾斜が
生じない絶縁パッケージを提供することを目的とする。
また、本発明の別の目的は、内部に収容した水晶振動片
等の素子が、浮遊容量や外来電磁波に起因して特性変動
を生じるのを防止することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、底板部および
枠体部を有する絶縁性ベースと、この絶縁性ベースの内
方から外方に導出された電極と、前記枠体部の上に低融
点ガラスを介して気密に固着封止された金属キャップと
を有する絶縁パッケージにおいて、前記低融点ガラス
が、粒径が１０μｍ以上の球形粒子を分散させたもので
あることを特徴とする絶縁パッケージである。

【０００９】

【作用】上記本発明の絶縁パッケージによれば、低融点
ガラスに分散された球形粒子によって、枠体部の上面と
キャップ下面との間の間隙寸法が容易かつ確実に規制さ
れて、金属キャップの傾斜が防止され、従来よりもさら
に低背化が実現できる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
底板部および枠体部を有する絶縁性ベースと、この絶縁
性ベースの内方から外方に導出された電極と、前記枠体
部の上に低融点ガラスを介して気密に固着封止された金
属キャップとを有する絶縁パッケージにおいて、前記低
融点ガラスが、粒径が１０μｍ以上の球形粒子を分散さ
せたものであることを特徴とする絶縁パッケージであ
る。

【００１１】本発明の請求項２記載の発明は、ガラスセ
ラミツク製の底板部および枠体部を有する絶縁性ベース
と、この絶縁性ベースの内方から外方に導出された電極
と、前記枠体部の上に低融点ガラスを介して気密に固着
封止された金属キャップとを有する絶縁パッケージにお
いて、前記低融点ガラスが、粒径が１０μｍ以上の球形
粒子を分散させたものであることを特徴とする絶縁パッ
ケージである。

【００１２】本発明の請求項３記載の発明は、前記球形
粒子が導電性粒子であり、前記底板部の端面および下面
に接地用の導電層および端子部を有し、前記枠体部の端
面および上面に接地用の導電層を有し、前記金属キャッ
プの下面と枠体部上面の接地用の導電層とが、前記導電
性粒子を介して電気的に接続されていることを特徴とす
る請求項１または２記載の絶縁パッケージである。

【００１３】本発明の請求項４記載の発明は、前記導電
性粒子が、金属製または合金製の球形粒子であることを
特徴とする請求項３記載の絶縁パッケージである。

【００１４】本発明の請求項５記載の発明は、前記導電
性粒子が、絶縁性の球形粒子の表面に導電層を形成した
ものであることを特徴とする請求項３記載の絶縁パッケ
ージである。

【００１５】本発明の請求項６記載の発明は、前記両電
極が、絶縁パツケージの長手方向の両端部から導出さ
れ、絶縁パツケージの下面の長手方向の両端部に形成さ
れた端子部に接続されており、前記接地用の導電層が絶
縁パッケージの短手方向の両端部から前記枠体部および
底板部の端面を通って絶縁パッケージの下面の短手方向
の両端部に形成された接地用の端子部に接続されている
ことを特徴とする請求項３ないし５記載の絶縁パッケー
ジである。

【００１６】本発明の請求項７記載の発明は、前記両電
極が、絶縁パツケージの一対の対角部から導出され、前
記底板部の一対の対角部端面を通って、絶縁パツケージ
の下面の一対の対角部に形成された端子部に接続されて
おり、前記接地用の導電層が、絶縁パッケージの他の一
対の対角部から前記枠体部および底板部の対角部端面を
通って、絶縁パッケージの下面の他の一対の対角部に形
成された接地用の端子部に接続されていることを特徴と
する請求項３ないし５記載の絶縁パッケージである。

【００１７】

【第１実施例】本発明の第１実施例の絶縁パツケージを
用いた水晶振動子Ａについて、以下、図面を参照して説
明する。図１ないし図３は本発明の一実施例の表面実装
型水晶振動子Ａを示し、図１は一部を切り開いた平面
図、図２は一部に正面図を併示した長手方向の中心線に
沿う縦断面図、図３はその下面図である。図１ないし図
３において、１はガラス中にセラミックの微粉末を分散
したガラスセラミツク製の絶縁性ベースで、底板部２お
よび枠体部３を有する。前記底板部２および枠体部３を
構成するガラスセラミックは、例えば、ＳｉＯ₂：５０
〜７０ｗｔ％、Ａｌ₂Ｏ₃：２〜１５ｗｔ％、ＲＯ（Ｒは
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，のうちの一種以上）：５〜３０ｗｔ
％、Ｂ₂Ｏ₃：１〜８ｗｔ％、ＺｎＯ：２〜１５ｗｔ％、
Ｒ₂Ｏ（ＲはＮａ，Ｋ，Ｌｉのうちの一種以上）：５〜
３０ｗｔ％の組成を有する０．３〜３μｍのガラス微粉
末に、０．３〜３μｍのフォルステライトの微粉末を３
０〜７０ｗｔ％分散させたガラスセラミック製のグリー
ンシートを焼成してなるもので、熱膨張係数が１０〜１
５ｐｐｍ／℃のものである。

【００１８】前記底板部２の上面の長手方向の一端部近
傍には、Ａｇペースト，Ａｇ／Ｐｄペースト等を塗布焼
成してなる電極３，４を有する。また、底板部２の下面
の長手方向の両端部近傍には、Ａｇペースト，Ａｇ／Ｐ
ｄペースト等を塗布焼成してなる端子部６，７を有す
る。

【００１９】前記一方の電極４は、底板部２と枠体部３
の間を通って長手方向の一端部（図示左側）に露出し、
底板部２の端面を通って、底板部２の一方端の下面に形
成された端子部６に接続されている。他方の電極５は、
底板部２と枠体部３との間を迂回して長手方向の他端部
（図示右側）に露出し、底板部２の端面を通って、底板
部２の他方端の下面に形成された端子部７に接続されて
いる。

【００２０】前記底板部２の上面の電極４，５の形成さ
れた側とは反対側の端部近傍には、Ａｇペースト，Ａｇ
／Ｐｄペースト等を塗布焼成してなる，いわゆる「枕」
と称される支持部８が形成されている。この支持部８
は、電極４，５と同時に、かつ同一厚さに形成されてい
る。

【００２１】前記枠体部３の上面には、メタライズ法ま
たはＡｇペースト，Ａｇ／Ｐｄペースト等の塗布焼成に
より、接地用の導電層９が形成されている。同様に、前
記底板部２および枠体部３の短手方向の両端面には、メ
タライズ法またはＡｇペースト，Ａｇ／Ｐｄペースト等
の塗布焼成により、接地用の導電層１０，１１が形成さ
れている。また、底板部２の裏面の短手方向の両端部に
は、Ａｇペースト，Ａｇ／Ｐｄペースト等の塗布焼成に
より、接地用の端子部１２，１３が形成されている。

【００２２】前記電極４，５には、両面に電極（図示省
略）を形成した水晶振動片１４が、導電性接着剤等によ
り電気的に接続されるとともに、機械的に固着されてい
る。そして、前記枠体部３の上面に形成された接地用の
導電層９には、低融点ガラス１５によりステンレス鋼等
よりなる金属キャップ１６が気密に固着封止されてい
る。前記低融点ガラス１５は、例えば図４に示すよう
に、低融点ガラスペースト１７中に粒径が１０μｍ以上
の球形粒子，特に好ましくは、全体がＣｕ，Ｎｉ等の金
属製またはＡｇ−Ｃｕ，Ａｇ−Ｃｄ等の合金製の導電性
の球形粒子１８ａを分散したものや、図５に示すよう
に、低融点ガラスペースト１７中に粒径が１０μｍ以上
のセラミックまたはガラスセラミック等の球形絶縁粒子
１９の表面に、前記した金属または合金よりなる厚さが
０．１〜１０μｍ程度の導電層２０を形成した導電性の
球形粒子１８ｂを分散した低融点ガラスペーストを塗布
焼成したものである。

【００２３】図６は、本発明の水晶振動子Ａの低融点ガ
ラス１５による封止部の拡大縦断面図を示し、右半分
は、導電性の球形粒子１８ａ，１８ｂの粒径が、制御し
ようとする間隙寸法ｇ１に等しい低融点ガラスペースト
１５ａ，１５ｂを用いた場合を示し、左半分は、導電性
の球形粒子１８ｃの粒径が規制しようとする間隙寸法ｇ
１よりも小さい場合を示している。ここで、球形粒子１
８ａ，１８ｂ，１８ｃの粒径は、低融点ガラス１５の厚
さに応じて設定される。低融点ガラス１５の厚さは、薄
ければ薄いほど低背化のためには望ましいが、一般に
は、枠体部３の上面の平面度および金属キャップ１６の
平面度のばらつきを許容するために、約５０μｍ程度に
設定されている。したがって、低融点ガラス１５の狙い
目の厚さが５０μｍの場合は、導電性の球形粒子１８
ａ，１８ｂの粒径は略５０μｍに設定される。また、球
形粒子１８ｃの場合は、その粒径は１０μｍ以上に設定
される。すなわち、その理由は、球形粒子１８ｃの粒径
が１０μｍ未満の場合は、球形粒子１８ｃ相互の接触が
困難になり、低融点ガラス１５の厚さの均一化が困難に
なるのみならず、低融点ガラス１５の導電性確保が困難
になって、枠体部３の上面に形成した接地用の導電層９
と金属キャップ１６との電気的な接続が困難になるから
である。なお、低融点ガラス１５の狙い目の厚さに略等
しい粒径の球形粒子１８ａ，１８ｂの場合は、球形粒子
１８ａ，１８ｂで低融点ガラス１５厚さを狙い目の厚さ
にできるので、その分散量はそれほど多くする必要はな
いが、低融点ガラス１５の狙い目の厚さよりも粒径の小
さい球形粒子１８ｃの場合は、球形粒子１８ｃ相互の接
触を確保するため、分散量を多くする必要がある。

【００２４】本発明の水晶振動子Ａによれば、図１０な
いし図１２や図１４ないし図１６に示す従来の水晶振動
子Ｃ，Ｄと比較して、第１に、枠体部３の上面の導電層
９と金属キャップ１６との間に導電性の球形粒子１８
ａ，１８ｂ，１８ｃを分散した低融点ガラス１５で封止
されているので、前記導電性の球形粒子１８ａ，１８
ｂ，１８ｃがスペーサの役目をして、図６に示すよう
に、枠体部３の上面に形成された導電層９と金属キャッ
プ１６との間隔寸法ｇ１が、容易かつ確実に一定にで
き、したがって金属キャップ１６の傾斜による封止不良
やパッケージ全体の高背化が防止できる。

【００２５】第２に、前記図６から明らかなように、枠
体部３の上面に形成された導電層９と金属キャップ１６
とが、低融点ガラス１５内に分散された導電性の球形粒
子１８ａ，１８ｂ，１８ｃにより、電気的に接続されて
おり、前記導電層９は枠体部３の端面および底板部２の
端面に形成された導電層１０，１１を介して、底板部２
の裏面に形成された端子部１２，１３に接続されている
ので、結局、金属キャップ１６は接地用の端子部１２，
１３に接続されている。このため、接地用の端子部１
２，１３をプリント基板等の取付板の接地用の導電ラン
ドに接続固着すれば、金属キャップ１６を接地できるの
である。このように、金属キャップ１６を接地すると、
浮遊容量がなくなるのみならず、外来電磁波は金属キャ
ップ１６から接地されて、内部に収容された水晶振動片
１４に悪影響を及ぼすことが防止できる。

【００２６】

【第２実施例】図７ないし図９は本発明の第２実施例の
水晶振動子Ｂを示し、図７は一部を切り開いた平面図、
図８は長手方向の中心線に沿う縦断面図、図９は下面図
である。図７ないし図９において、２１はガラスセラ
ミック製の絶縁ベースで、底板部２２および枠体部２３
を有するとともに、図１ないし図３に示す第１実施例の
水晶振動子Ａと相違して、４隅に円弧状の凹部２４，２
５，２６，２７を有する。また、底板部２２の上面の一
方端（図示左側）近傍の電極形成位置には、底板部２２
と同一材質の台座部２８，２９を有し、他方端（図示右
側）近傍には、前記台座部２８，２９と同一材質かつ同
一高さの支持部３０を有する。３１，３２はそれぞれ前
記台座部２８，２９を覆ってＡｇペースト，Ａｇ／Ｐｄ
ペースト等を塗布焼成して形成した電極である。また、
３３，３４，３５，３６は底板部２２の裏面の４隅近傍
に、Ａｇペースト，Ａｇ／Ｐｄペースト等を塗布焼成し
て形成した端子部である。そして、前記一方の電極３１
は、枠体部２３と底板部２２との間を通って一対の対角
部における一方（図７左下）の凹部２４に導出されてお
り、凹部２４の端面を通って底板部２２の裏面の端子部
３３に接続されている。他方の電極３２は、枠体部２３
と底板部２２との間を迂回して一対の対角部における他
方（図７右上）の凹部２５に導出されており、凹部２５
の端面を通って底板部２２の裏面の端子部３４に接続さ
れている。前記他の一対の対角部の凹部２６，２７の端
面には、図では明確でないが、Ａｇペースト，Ａｇ／Ｐ
ｄペースト等を塗布焼成して形成した接地用の導電層３
７，３８を有し、これらの導電層３７，３８は、それぞ
れ底板部２２の裏面の端子部３５，３６に接続されてい
る。さらに、枠体部２３の上面には、Ａｇペースト，Ａ
ｇ／Ｐｄペースト等を塗布焼成して形成した接地用の導
電層３９を有する。

【００２７】４０は水晶振動片、４１は低融点ガラス、
４２はステンレス鋼等よりなる金属キャップであり、こ
れらは図１ないし図５に示す第１実施例の水晶振動子Ａ
と同様であるので、その説明を省略する。

【００２８】上記の構成によれば、本発明の特徴である
低融点ガラス４１によって枠体部２３と金属キャップ４
２とが封止されるとともに、低融点ガラス４１内に分散
された導電性の球形粒子（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ）が
金属キャップ４２と枠体部２３の上面との間のスペーサ
の役目をして、金属キャップ４２の傾斜が防止でき、低
融点ガラス４１の過不足が生じず、良好な封止特性が得
られるのみならず、低背化が図れる。また、低融点ガラ
ス４１内に分散された導電性の球形粒子（１８ａ，１８
ｂ，１８ｃ）が金属キャップ４２と枠体部２３の上面の
導電層３９との間を電気的に接続し、したがって金属キ
ャップ４２は、金属キャップ４２−導電層３９−導電層
３７（３８）を介して、底板部２２の下面の接地用の端
子部３５（３６）に電気的に接続されて接地されている
ことにより、浮遊容量や外来電磁波の影響によって、水
晶振動片４０が特性変動を生じることがないという優れ
た特長を有するものである。

【００２９】さらに、図１ないし図３の第１実施例に比
較して、第１に、底板部２２および枠体部２３の四隅部
に円弧状の凹部２４，２５，２６，２７を形成している
ため、構造的に角部が欠け難くなる利点がある。第２
に、電極３２の迂回寸法が小さくなり、それだけ高価な
ＡｇペーストやＡｇ／Ｐｄペースト等の使用量が低減で
きるため、コスト低減ができるという利点がある。第３
に、底板部２２の上面の電極形成位置に底板部２２と同
一材質の台座部２８，２９が形成されて、水晶振動片４
０の自由振動を保証する間隙を形成しており、それを覆
って電極３１，３２が形成されているため、電極３１，
３２は電気的に必要な最小限度の従来よりも格段に薄い
ものでよく、したがって高価なＡｇペースト，Ａｇ／Ｐ
ｄペースト等の使用量を低減でき、原価低減ができる。
第４に、支持部３０全体が底板部２２と同一材質で形
成されているため、前記同様に高価なＡｇペースト，Ａ
ｇ／Ｐｄペースト等の使用量を低減でき、原価低減がで
きる。

【００３０】なお、上記各実施例は特定の構成の水晶振
動子ＡおよびＢについて説明したが、本発明はこれらの
実施例の水晶振動子ＡおよびＢに限定されるものではな
く、本発明の精神を逸脱しない範囲で各種の変形された
構成が採用できる。例えば、支持部３０全体を底板部２
２と同一材質で形成する場合のみならず、台座部２８，
２９と同様の台座部を形成してもよい。

【００３１】また、本発明は、水晶振動子のみならず弾
性表面波素子や半導体素子や電子素子等の各種素子収容
用の絶縁パッケージにも実施できるものである。すなわ
ち、上記各実施例は水晶振動子ＡおよびＢについて説明
したので、底板部および枠体部よりなる絶縁性ベース
を、水晶振動片の熱膨張係数に整合するガラスセラミッ
クで構成したが、他の用途においては、例えばセラミッ
クで構成することもできる。その場合、底板部の下面の
端子部はＷペースト，Ｍｏペースト等を塗布焼成して形
成することができる。

【００３２】さらに、上記実施例では、金属キャップ１
６，４２を接地する場合について説明したが、もし、接
地する必要がない場合は、枠体部３，２３の上面の導電
層９，３９、絶縁性ベース１，２１の端面の導電層１
０，１１，３７，３８および底板部２，２２の裏面の端
子部１２，１３，３５，３６は省略できる。同様に、球
形粒子は導電性である必要はない。

【００３３】

【発明の効果】本発明は以上のように、底板部および枠
体部を有する絶縁性ベースと、この絶縁性ベースの内方
から外方に導出された電極と、前記枠体部の上に低融点
ガラスを介して気密に封止された金属キャップとを有す
る絶縁パッケージにおいて、前記低融点ガラスが、粒径
が１０μｍ以上の球形粒子を分散させたものであるか
ら、この球形粒子のスペーサ効果によって、容易かつ確
実に金属キャップを傾斜させることなく封止でき、低融
点ガラスの過不足が生じなく、良好な封止特性が得られ
るのみならず、低背化された絶縁パッケージが提供でき
る。また、接地用の導電層および端子部を形成し、低融
点ガラスに分散する球形粒子を導電性のものとすること
により、金属キャップを接地して、浮遊容量や外来電磁
波に起因する絶縁パッケージ内の水晶振動片等の素子の
特性変動を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の水晶振動子Ａの一部を
切り開いた平面図

【図２】本発明の第１実施例の水晶振動子Ａの一部に
正面図を併示した長手方向の中心線に沿う縦断面図

【図３】本発明の第１実施例の水晶振動子Ａの下面図

【図４】本発明の第１実施例の水晶振動子Ａにおける
低融点ガラス用の第１実施例の低融点ガラスペーストの
拡大縦断面図

【図５】本発明の第１実施例の水晶振動子Ａにおける
低融点ガラス用の第２実施例の低融点ガラスペーストの
拡大縦断面図

【図６】本発明の第１実施例の水晶振動子Ａにおける
低融点ガラスによる金属キャップ封止部の拡大縦断面図

【図７】本発明の第２実施例の水晶振動子Ｂの一部を
切り開いた平面図

【図８】本発明の第２実施例の水晶振動子Ｂの長手方
向の中心線に沿う縦断面図

【図９】本発明の第２実施例の水晶振動子Ｂの下面図

【図１０】従来の水晶振動子Ｃの一部を切り開いた平
面図

【図１１】従来の水晶振動子Ｃの長手方向の中心線に
沿う縦断面図

【図１２】従来の水晶振動子Ｃの下面図

【図１３】従来の水晶振動子Ｄにおける低融点ガラス
によるキャップ封止部の要部拡大縦断面図

【図１４】従来の水晶振動子Ｄの一部を切り開いた平
面図

【図１５】従来の水晶振動子Ｄの長手方向の中心線に
沿う縦断面図

【図１６】従来の水晶振動子Ｄの下面図

【符号の説明】

Ａ、Ｂ水晶振動子１、２１絶縁性ベース２、２２底板部３、２３枠体部４、５、３１、３２電極６、７、３３、３４電極用の端子部８、３０支持部９、１０，１１、３７、３８、３９接地用の導電層１２、１３、３５、３６接地用の端子部１４、４０水晶振動片１５、４１低融点ガラス１５ａ，１５ｂ低融点ガラスペースト１６、４２金属キャップ１８ａ，１８ｂ，１８ｃ導電性の球形粒子１９絶縁性の球形粒子２０導電層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】底板部および枠体部を有する絶縁性ベース
と、この絶縁性ベースの内方から外方に導出された電極
と、前記枠体部の上に低融点ガラスを介して気密に固着
封止された金属キャップとを有する絶縁パッケージにお
いて、前記低融点ガラスが、粒径が１０μｍ以上の球形
粒子を分散させたものであることを特徴とする絶縁パッ
ケージ。
【請求項２】ガラスセラミツク製の底板部および枠体部
を有する絶縁性ベースと、この絶縁性ベースの内方から
外方に導出された電極と、前記枠体部の上に低融点ガラ
スを介して気密に固着封止された金属キャップとを有す
る絶縁パッケージにおいて、前記低融点ガラスが、粒径
が１０μｍ以上の球形粒子を分散させたものであること
を特徴とする絶縁パッケージ。
【請求項３】前記球形粒子が導電性粒子であり、前記底
板部の端面および下面に接地用の導電層および端子部を
有し、前記枠体部の端面および上面に接地用の導電層を
有し、前記金属キャップの下面と枠体部上面の接地用の
導電層とが、前記導電性粒子を介して電気的に接続され
ていることを特徴とする請求項１または２記載の絶縁パ
ッケージ。
【請求項４】前記導電性粒子が、金属製または合金製の
球形粒子であることを特徴とする請求項３記載の絶縁パ
ッケージ。
【請求項５】前記導電性粒子が、絶縁性の球形粒子の表
面に導電層を形成したものであることを特徴とする請求
項３記載の絶縁パッケージ。
【請求項６】前記両電極が、絶縁パツケージの長手方向
の両端部から導出され、絶縁パツケージの下面の長手方
向の両端部に形成された端子部に接続されており、前記
接地用の導電層が絶縁パッケージの短手方向の両端部か
ら前記枠体部および底板部の端面を通って絶縁パッケー
ジの下面の短手方向の両端部に形成された接地用端子部
に接続されていることを特徴とする請求項３ないし５記
載の絶縁パッケージ。
【請求項７】前記両電極が、絶縁パツケージの一対の対
角部から導出され、前記底板部の一対の対角部端面を通
って、絶縁パツケージの下面の一対の対角部に形成され
た端子部に接続されており、前記接地用の導電層が、絶
縁パッケージの他の一対の対角部から前記枠体部および
底板部の対角部端面を通って、絶縁パッケージの下面の
他の一対の対角部に形成された接地用の端子部に接続さ
れていることを特徴とする請求項３ないし５記載の絶縁
パッケージ。