JP2000338304A - 反射防止膜の製造方法 - Google Patents

反射防止膜の製造方法

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JP2000338304A
JP2000338304A JP11145815A JP14581599A JP2000338304A JP 2000338304 A JP2000338304 A JP 2000338304A JP 11145815 A JP11145815 A JP 11145815A JP 14581599 A JP14581599 A JP 14581599A JP 2000338304 A JP2000338304 A JP 2000338304A
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JP
Japan
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film
silicon oxide
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refractive index
oxide layer
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Yoshihiro Oshima
宜浩 大島
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 十分な膜強度(膜密着度)を有した反射防止
膜を製造し得る、反射防止膜の製造方法の提供が望まれ
ている。 【解決手段】 基体A上に低屈折率材料からなる低屈折
率層と高屈折率材料からなる高屈折率層とが交互に積層
されてなり、高屈折率層のうち最も外側に位置する最外
高屈折率層の上に、低屈折率層でありかつ保護層として
機能する酸化ケイ素層15が設けられてなる反射防止膜
Bの製造方法である。酸化ケイ素層15をスパッタ法で
形成するにあたり、この酸化ケイ素層15のうちの少な
くとも最外高屈折率層との界面側を形成する際、この酸
化ケイ素成膜用のターゲットを備えたスパッタカソード
に、単位電流あたり19V〜42Vの電圧を印加する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば陰極線管
(CRT)のパネルガラス表面や、液晶ディスプレイの
表面に設けられる反射防止膜の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、陰極線管(CRT)や液晶ディ
スプレイなどの表示装置では、画像が表示される面に反
射防止膜が設けられている。この反射防止膜は、外光の
写り込みを和らげて好ましい映像や文字情報を再現する
目的で設けられたもので、屈折率の異なる薄膜材料が交
互に積層されて形成されたものである。
【0003】すなわち、この反射防止膜は、有機材料か
らなる透明フィルム状の基体上に、酸化ケイ素や窒化ケ
イ素、フッ化マグネシウムなどの低屈折率材料からなる
低屈折率層と、ITO(酸化スズ含有の酸化インジウ
ム)や酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム等
の高屈折率材料からなる高屈折率層とが交互に積層され
ることによって構成されたものである。
【0004】このような反射防止膜を製造するには、例
えば図1に示すような巻取式スパッタロールコータが用
いられている。この巻取式スパッタロールコータは、有
機基体Aを巻回した巻出ローラ1と、この巻出ローラ1
から巻出された有機基体Aをスパッタ室内にて周回させ
る第1の成膜ローラ2および第2の成膜ローラ3と、成
膜後の有機基体Aを巻き取る巻取ロール4とを備えて構
成されたもので、有機基体Aを多数のガイドロール7…
によってスパッタ室内に送り、さらに前記第1、第2の
成膜ローラ2、3によってこれを周回させることによ
り、その上に反射防止膜Bを形成するものである。
【0005】第1の成膜ローラ2が設置された第1のス
パッタ室5内には、第1エリア5a、第2エリア5b、
第3エリア5c、第4エリア5dが形成されており、第
2の成膜ローラ3が設置された第2のスパッタ室6内に
は、第5エリア6a、第6エリア6b、第7エリア6c
が形成されている。これら各エリアにはそれぞれスパッ
タカソード(図示略)が配設されており、これらスパッ
タカソードにはそれぞれターゲット材8が設けられてい
る。
【0006】ここで、本例においては形成する反射防止
膜Bを、図2に示すように有機基体A上に酸化ケイ素
(SiOx )層11、ITO層12、酸化ケイ素(Si
2 )層13、ITO層14、酸化ケイ素(SiO2
層15の順に積層して厚さ0.2μm程度に形成するも
のとする。なお、酸化ケイ素層11は有機基体Aとの密
着層として機能し、ITO層12は高屈折率層、酸化ケ
イ素層13は低屈折率層としてそれぞれ機能し、さらに
ITO層14は高屈折率層かつ導電層として、また酸化
ケイ素層15は低屈折率層かつ保護層としてそれぞれ機
能するようになっている。
【0007】したがって、このような積層膜からなる反
射防止膜Bを形成するため、図1に示した巻取式スパッ
タロールコータにおいては、第1のスパッタ室5におけ
る第1エリア5aのターゲット材8を多結晶シリコンと
し、さらに第2エリア5bのターゲット材8をITO、
第3エリア5cのターゲット材8を多結晶シリコン、第
4エリア5dのターゲット材8をITOとしている。な
お、第1エリア5a、第3エリア5cでは共にターゲッ
ト材8を多結晶シリコンとしているものの、これらエリ
ア内に導入するガスとして酸素ガスを十分に供給するこ
とにより、それぞれ酸化ケイ素を成膜するようになって
いる。
【0008】また、形成する反射防止膜Bにおける酸化
ケイ素15については、前述したようにこれを保護層と
しても機能させるため、その層厚を0.1μm程度にし
ている。このため第2のスパッタ室6では、その第5エ
リア6a、第6エリア6b、第7エリア6cのそれぞれ
のターゲット材8を酸化ケイ素とし、これら三つのエリ
アで連続して酸化ケイ素を成膜し、内膜、中膜、外膜を
それぞれ形成することにより、酸化ケイ素層15を所望
する厚さに形成している。
【0009】ところで、このような巻取式スパッタロー
ルコータで形成した反射防止膜Bについては、その膜強
度(膜密着度)をスチールウール摩擦テストによって調
べている。このスチールウール摩擦テストでは、まず、
図3に示すように有機基体A上に反射防止膜Bを形成し
てなる試料を、その反射防止膜Bを上にしてガラス板2
0上に載置する。
【0010】次に、反射防止膜Bの上面、すなわち反射
防止膜Bの最外層となる酸化ケイ素層15上で逆さにし
た分銅21を数十回程度往復させ、これにより分銅21
の先端部(取っ手部)21aで酸化ケイ素層15表面を
擦って膜の破壊や剥離などが起こるのを検査し、これに
よって反射防止膜Bの膜強度(膜密着度)を調べる。な
お、分銅21の先端部21aには#0000番のスチー
ルウール(図示略)を巻き付けておき、これで擦った際
の摩擦を強くしている。また、往復の回数や分銅21の
重さについては反射防止膜Bの強度(密着度)に応じて
適宜変更している。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかして、このような
スチールウール摩擦テストによると、前述した巻取式ス
パッタロールコータで得られた反射防止膜Bでは、十分
な膜強度が得られないことがあった。本発明は前記事情
に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、十
分な膜強度(膜密着度)を有した反射防止膜を製造し得
る、反射防止膜の製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記の十分
な膜強度でないものについて調べたところ、特に膜の破
壊の発生は、ITO層12、14のうち外側に位置する
ITO層14と、これの上に形成された酸化ケイ素層1
5との界面で起こることを究明した。そして、この界面
で起こる破壊についてさらに調べたところ、ITO層1
4の上に形成する酸化ケイ素層15のITO層14との
膜密着度が不十分であることから、この酸化ケイ素層1
5に破壊が起こるとの見解に至り、このような知見に基
づき、本発明者は本発明を完成させた。
【0013】すなわち、本発明では、基体上に低屈折率
材料からなる低屈折率層と高屈折率材料からなる高屈折
率層とが交互に積層されてなり、高屈折率層のうち最も
外側に位置する最外高屈折率層の上に、低屈折率層であ
りかつ保護層として機能する酸化ケイ素層が設けられて
なる反射防止膜の製造方法において、前記酸化ケイ素層
をスパッタ法で形成するにあたり、該酸化ケイ素層のう
ちの少なくとも前記最外高屈折率層との界面側を形成す
る際、この酸化ケイ素成膜用のターゲットを備えたスパ
ッタカソードに、単位電流あたり19V〜42Vの電圧
を印加することを前記課題の解決手段とした。
【0014】本発明者は、前述したように酸化ケイ素層
15のITO層14に対する膜密着度が不十分であるこ
とについてさらに調べたところ、特に図1に示した巻取
式スパッタロールコータの第5エリア6aで形成する酸
化ケイ素層15の内膜の成膜条件に問題があり、これを
前述したように改善することにより、良好な膜密着度を
有する酸化ケイ素層を形成することができることを確認
した。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の反射防止膜の製造方法で
は、その一例として、図1に示した巻取式スパッタロー
ルコータを用い、図2に示したように有機基体A上に反
射防止膜Bを製造する。
【0016】すなわち、本例では、巻出ローラ1より巻
き出した有機基体Aをガイドロール7…で案内して、こ
れを第1のスパッタ室5の第1の成膜ローラ2に送る。
すると、有機基体Aはこの第1の成膜ローラ2によって
第1のスパッタ室5内を周回し、その際、第1エリア5
aで酸化ケイ素が成膜されて酸化ケイ素層11が形成さ
れ、以下、第2エリア5bでITO層12が、第3エリ
ア5cで酸化ケイ素層13が、第4エリア5dでITO
層14がそれぞれ形成される。
【0017】そして、このようにして酸化ケイ素層1
1、ITO層12、酸化ケイ素層13、ITO層14が
形成された有機基体Aを、第1の成膜ローラ2からガイ
ドロール7…に送り、さらにガイドロール7…で案内し
て第2のスパッタ室6に送り、第2の成膜ローラ3によ
ってこの第2のスパッタ室6内を周回させる。その際、
第5エリア6aで酸化ケイ素が成膜されて酸化ケイ素層
15の内膜が形成され、同様に第6エリア6bで酸化ケ
イ素層15の中膜が形成され、第7エリア6cで酸化ケ
イ素層15の外膜が形成される。その後、酸化ケイ素層
15が形成されたことによって反射防止膜Bが形成され
た有機基体Aを、第2の成膜ローラ3からガイドロール
7…に送り、さらにガイドロール7…で案内して巻取ロ
ール4に巻き取る。
【0018】ここで、従来では酸化ケイ素層15の形成
条件として、その内膜、中膜、外膜のいずれについても
同条件で行っている。特に、ターゲットを備えたスパッ
タカソードへの電力の供給については同一の電力を供給
するようにしており、また、使用ガスについてもアルゴ
ンガスと酸素ガスとの混合ガスを用いるようにしてい
る。特に、第5エリア6aで形成する酸化ケイ素層15
の内膜の成膜条件については、供給電力を約12.0
〔kW〕とし、その際の印加電圧を860〜667
〔V〕、電流を14〜16.5〔A〕としており、単位
電流あたり(1Aあたり)の印加電圧を約44〜61
〔V〕としている。
【0019】しかして、このような条件で得られた酸化
ケイ素層15の内膜は、前述したようにITO層14に
対する膜密着度が不十分であった。そこで、本発明者は
これを改善すべく種々条件を変えて実験を重ねた結果、
供給する電力を同じ(本例では12.0〔kW〕)にし
たままで、その単位電流あたりの印加電圧を19〔V〕
以上、42〔V〕以下とすることにより、酸化ケイ素層
15のITO層14に対する膜密着度を格段に向上でき
ることを見い出したのである。
【0020】すなわち、本例では、前述の従来例と同様
に供給電力は12.0〔kW〕とするものの、その際の
印加電圧を710〜480〔V〕、電流を17〜25
〔A〕とし、単位電流あたり(1Aあたり)の印加電圧
を19〔V〕以上、42〔V〕以下とすることにより、
従来のものに比べ膜密着度が格段に向上した反射防止膜
Bを形成することができたのである。ここで、このよう
な電圧および電流の調整については種々の方法が採用可
能であり、例えばアルゴンガスの供給量を一定にした状
態で酸素ガスの供給量を変化させる、などの方法が好適
に採用される。
【0021】なお、酸化ケイ素層15の中膜、外膜につ
いては、前記の内膜と同じ条件で成膜してもよいが、こ
れらの膜については特に膜密着度に影響がないため、従
来と同じ条件で成膜するのが好ましい。
【0022】このようにして得られた反射防止膜Bにつ
いて、図3に示したスチールウール摩擦テストを行った
ところ、分銅21の重さを400gにして100往復以
上させてもキズがはいらず、得られた反射防止膜Bは特
にその酸化ケイ素層15とITO層14との界面におい
ても十分に強い膜密着度を有していることが確認され
た。一方、従来の反射防止膜Bでは、分銅21の重さを
200gにして50往復程度させることにより、破壊等
によるキズが生じていた。
【0023】なお、前記例では、低屈折率層の形成材料
として酸化ケイ素を、高屈折率層の形成材料としてIT
Oを用いたが、本発明はこれらに限定されることなく、
最外層に酸化ケイ素層を配置すれば、低屈折率層の形成
材料として窒化ケイ素を用いたり、高屈折率層の形成材
料として窒化チタンや酸化チタンを用いるようにしても
よい。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明の反射防止膜
の製造方法は、酸化ケイ素層をスパッタ法で形成するに
あたり、該酸化ケイ素層のうちの少なくとも最外高屈折
率層との界面側を形成する際、この酸化ケイ素成膜用の
ターゲットを備えたスパッタカソードに、単位電流あた
り19V〜42Vの電圧を印加するようにしたので、従
来に比べ良好な膜密着度を有する酸化ケイ素層を形成す
ることができ、これにより反射防止膜の品質向上および
その歩留りの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る巻取式スパッタロールコータの一
例を示す概略構成図である。
【図2】反射防止膜の要部側断面図である。
【図3】スチールウール摩擦テストを説明するための図
である。
【符号の説明】
A…有機基体、B…反射防止膜、11…酸化ケイ素層、
12…ITO層、13…酸化ケイ素層、14…ITO
層、15…酸化ケイ素層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基体上に低屈折率材料からなる低屈折率
    層と高屈折率材料からなる高屈折率層とが交互に積層さ
    れてなり、高屈折率層のうち最も外側に位置する最外高
    屈折率層の上に、低屈折率層でありかつ保護層として機
    能する酸化ケイ素層が設けられてなる反射防止膜の製造
    方法において、 前記酸化ケイ素層をスパッタ法で形成するにあたり、該
    酸化ケイ素層のうちの少なくとも前記最外高屈折率層と
    の界面側を形成する際、この酸化ケイ素成膜用のターゲ
    ットを備えたスパッタカソードに、単位電流あたり19
    V〜42Vの電圧を印加することを特徴とする反射防止
    膜の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010519586A (ja) * 2007-02-23 2010-06-03 エシロール アテルナジオナール カンパニー ジェネラーレ デ オプティック 接着性および耐摩耗性が改善された非反射または反射コーティングで被覆された光学製品の製造方法
US8318245B2 (en) 2007-02-23 2012-11-27 Essilor International (Compagnie Generale D'optique) Method for producing an optical article coated with an antireflection or a reflective coating having improved adhesion and abrasion resistance properties

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