JP2000334656A - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents

研磨装置および研磨方法

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JP2000334656A
JP2000334656A JP14963899A JP14963899A JP2000334656A JP 2000334656 A JP2000334656 A JP 2000334656A JP 14963899 A JP14963899 A JP 14963899A JP 14963899 A JP14963899 A JP 14963899A JP 2000334656 A JP2000334656 A JP 2000334656A
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work
polishing
retainer ring
polishing pad
workpiece
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JP14963899A
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English (en)
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Kyo Otsuka
巨 大塚
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワークを取り換える都度、リテーナリングを
取り換える必要のない研磨装置および研磨方法を提供す
る。 【解決手段】 研磨パッド(25)が置かれた回転テーブ
ル(27)を回転させてワーク(21)を研磨パッド(25)
で研磨するに際し、ワーク保持具(22)に保持されたワ
ーク(21)を第1押圧手段(210)で研磨パッド(25)
に押し付けるとともに、ワーク(21)の全周を包囲する
ように配置させたリテーナリング(23)を、独立した第
2押圧手段(220)でリテーナリング(23)を押し付け
ることにより、リテーナリング(23)が研磨されて磨耗
した場合でも、引き続き、リテーナリング(23)が研磨
パッド(25)に押し付けられるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体装置
のような薄板状のワーク(被加工物)表面(被加工面)
を平坦にするのに適した研磨装置ならびに研磨方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】平坦化加工される薄板状のワークとして
は、例えば、表面に配線を形成し、さらにその上に絶縁
膜が形成された半導体基板がある。半導体装置の製造に
おいては、この絶縁膜を含む半導体基板を研磨によって
平坦化する工程が含まれる。
【0003】一般に、半導体基板のような薄板状のワー
クを研磨して平坦化させる場合、その外周部において研
磨が過度に進行する傾向にある。外周部における過剰な
研磨は、「縁ダレ」とも呼ばれる。縁ダレは被加工面の
均一性を損なう。例えば、半導体基板の平坦化加工にお
いて縁ダレが生じると、その部分では所定の膜厚を有す
る表面層(例えば、絶縁膜)が得られないため、そのよ
うな部分から半導体チップを形成することはできない。
生産性および経済性の点を考慮すれば、一つの半導体基
板から形成されるチップの数はより多いことが望ましい
から、表面層の膜厚が一定である範囲をできるだけ広く
し、縁ダレが生じる部分をできるだけ小さくすることが
必要である。また、半導体基板以外の薄板状のワークに
ついても、被加工面の均一性ができるだけ広い範囲にわ
たって確保されるのが好ましいことは言うまでもない。
【0004】そこで、縁ダレを防止するために種々の対
策が講じられてきた。最も一般的な対策は、図1の
(a)に示すように、ワーク保持具(12)に適当な接着
手段(例えば接着剤)(14)で保持されているワーク
(11)の全周を包囲するように、ワーク(11)とほぼ同
じ厚さを有するリテーナリング(13)を、その下側の面
がワーク(11)の被加工面と面一となるようにワーク保
持具(12)に取り付けることである。
【0005】図1の(b)に示すように、ワーク保持具
(12)に取り付けられたワーク(11)およびリテーナリ
ング(13)は、適当な押圧手段によって荷重Wを加える
ことにより研磨パッド(15)に押し付けられる。図示し
た態様では、研磨パッド(15)は回転テーブル(17)上
に定盤(16)を介して取り付けられている。
【0006】ワーク(11)の研磨は、図1の(c)に示
すように、例えば、回転テーブル(17)およびワーク保
持具(12)を回転させて、ワーク(11)を研磨パッド
(15)に対して相対的に移動させるともに、必要に応じ
て研磨液(18)を供給して実施する。この際、ワーク
(11)の被加工面と面一となっているリテーナリング
(13)が、ワーク(11)の外周を包囲しているため、ワ
ーク(11)とリテーナリング(13)は見かけ上、一体と
なり、当該一体物が研磨の対象となる。この場合、縁ダ
レはワーク(11)とリテーナリング(13)とを組み合わ
せたものの最外周部、即ちリテーナリング(13)の外周
部において専ら生じ、ワーク(11)の外周部はワーク
(11)の他の部分と同様に均一に研磨される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにしてリテ
ーナリングを用いる場合、リテーナリングの外周部にお
いてのみ縁ダレを生じさせ、ワークの外周が研磨対象の
最外周部とならないようにするためには、研磨パッドに
より研磨されるリテーナリングの面、即ちリテーナリン
グの被研磨面を、ワークの被加工面と同一面にする必要
がある。そのため、ワークとともに研磨されて厚さが小
さくなったリテーナリングは、次のワークの研磨には使
用できず、一般には、ワークを取り換える都度、リテー
ナリングも取り換えなければならない。このことは作業
を煩雑にし、また、リテーナリングの材料の多くを無駄
にするという問題をもたらしていた。
【0008】本発明はかかる実情に鑑みてなされたもの
であり、ワークを取り換えるごとにリテーナリングを取
り換えなくてもよい研磨装置および研磨方法を提供する
ことを課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の研磨装置は、ワークの被加工面を研磨パッ
ドにより研磨する装置であって、 a)ワークを保持するワーク保持具; b)ワークの被加工面を研磨パッドに押し付ける第1押
圧手段; c)ワークの全周を包囲するリテーナリング; d)リテーナリングを研磨パッドに押し付ける第2押圧
手段; e)研磨パッドを支持するテーブル;および f)ワークに対して研磨パッドを相対的に移動させる手
段 を有して成ることを特徴とする。この研磨装置において
は、リテーナリングがワーク保持具に取り付けられず、
ワークの押圧手段とは別の押圧手段によって研磨パッド
に押し付けられるため、リテーナリングは、その磨耗量
の多少に拘わらず、その下側の面を被研磨面として引き
続き研磨パッドに押し付けることができる。従って、本
発明の装置によれば、1つのリテーナリングを長時間に
わたって使用でき、ワークを取り換えるたびにリテーナ
リングを取り換える必要がない。
【0010】本発明の研磨方法は、ワーク保持具に保持
されたワークを研磨パッドに押し付け、研磨パッドをワ
ークに対して相対的に移動させることによりワークを研
磨する方法において、リテーナリングを、ワークの全周
を包囲するように配置させ、ワークとは別の手段で研磨
パッドに押し付けてワークを研磨することを特徴とす
る。この研磨方法においては、上記の本発明の研磨装置
と同様、リテーナリングをワーク保持具に取り付けず、
これを独立した押圧手段で研磨パッドに押し付けるの
で、研磨中のリテーナリングの交換頻度を小さくするこ
とができる。従って、本発明によれば、効率的かつ経済
的にワークの縁ダレを防止して、ワークの被加工面を均
一に研磨することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の研磨装置および研
磨方法の具体的な態様を、図面を参照しながら説明す
る。図2は、本発明の研磨装置を、ワークの厚さ方向の
断面図で模式的に示すものである。図2において、ワー
ク(21)は半導体基板であり、接着手段(24)によって
ワーク保持具(22)に取り付けられている。ワーク(2
1)は実質的に円盤形態である。「実質的に円盤形態」
であるという用語は、例えば、完全な円盤形態のみなら
ず、オリフラが形成された半導体基板のように、円盤の
一部において円弧が欠けているようなものをも含む意味
で使用される。ワーク保持具(22)は第1押圧手段(21
0)で研磨パッド(25)に押し付けられるようになって
いる。リテーナリング(23)は、ワーク(21)の全周を
包囲して配置され、第2押圧手段(220)で研磨パッド
(25)に押し付けられるようになっている。第1および
第2押圧手段(210)(220)は制御手段(230)に接続
され、当該制御手段(230)は、ワーク(210)およびリ
テーナリング(23)が研磨パッド(25)に加える圧力を
制御する。
【0012】図示した態様において、研磨パッド(25)
は、回転テーブル(27)の上に、弾性材料(26)を介し
て配置されている。回転テーブル(27)は、その中心を
通り水平面(またはワークの被加工面と平行な面)に対
して垂直である中心軸(200)を回転軸として回転し得
る。ワーク(21)の研磨は、ワーク(21)の被加工面お
よびリテーナリング(23)の被研磨面を研磨パッド(2
5)に押し付けるとともに、回転テーブル(27)を回転
させて研磨パッド(25)を回転させ、必要に応じてワー
ク(21)を、その中心を通る鉛直方向の中心軸(240)
を回転軸として回転させることにより行う。
【0013】リテーナリング(23)は、ワーク保持具
(22)に取り付けられない部材ではあるが、ワーク(2
1)の周囲全体にわたって実質的に隙間を生じさせない
ように配置させなければならない。ワーク(21)とリテ
ーナリング(23)との間に隙間が生じて両者の連続性お
よび一体性が損なわれると、当該部分のワークの外周部
において縁ダレが生じやすくなる。図示したように、ワ
ーク(21)が実質的に円盤形態である場合には、リテー
ナリング(23)はワーク(21)の外周を包囲するリング
状(環状)体となる。また、例えば、ワークが矩形であ
る場合には、リテーナリングは矩形の枠状体となる。
【0014】リテーナリング(23)は、ワーク(21)と
ともに研磨されてワーク(21)の外周部における縁ダレ
を防止できるような素材であって、研磨により生じる切
屑がワークの品質を低下させない(例えば、ワークにス
クラッチを生じさせない)素材であることが好ましい。
そのような素材としては、例えばテフロン樹脂がある。
【0015】リテーナリングは、ワーク保持具に取り付
けられず、ワークの押圧手段とは別の押圧手段によって
研磨パッドに押し付けられるため、その厚さは特に限定
されない。例えば、ワークの厚さよりも薄いリテーナリ
ングを使用することも可能である。ただし、リテーナ
リングがワークとともに研磨され、その厚さが研磨の進
行とともに小さくなること、できるだけ多くのワーク
をリテーナリングを取り換えることなく研磨できれば研
磨効率等の点において好ましいこと等を考慮すれば、リ
テーナリングの厚さは大きいことが好ましい。従って、
図2に示すように、リテーナリング(23)は、ワーク
(21)のみならず、ワーク保持具(22)の厚さ方向の少
なくとも一部においてワーク保持具(22)の全周をも包
囲できるような厚さを有することが好ましい。リテーナ
リングはより厚くてもよく、その上側水平面(被研磨面
の反対側の水平面)のレベルがワーク保持具の上側水平
面(ワーク保持面の反対側の水平面)を超えるような厚
さを有してもよい。
【0016】リテーナリングは面積が大きいほど、ワー
クの外周部の縁ダレを有効に防止できる。但し、リテー
ナリングの面積を大きくすると、面積の大きな研磨パッ
ドを使用する必要があるため、コスト面で不利である。
また、リテーナリングの面積が大きくなると、研磨パッ
ドとの接触面積も大きくなるため、発生するトルクが大
きくなり、回転テーブル(27)等の回転駆動系(例え
ば、モータ)に負荷がかかり好ましくない。
【0017】リテーナリング(23)は、ワーク保持具
(22)の第1押圧手段(210)とは異なる第2押圧手段
(220)によって研磨パッド(25)に押し付けられる。
リテーナリング(23)と研磨パッド(25)とが接触する
各位置における圧力は一定となることが好ましく、従っ
て、第2押圧手段(220)からリテーナリング(23)に
均一に圧力を加えられるような部材を第2押圧手段(22
0)とリテーナリング(23)との間に介在させることが
好ましい。図示した態様においては、リテーナリング
(23)のリング幅とほぼ等しい幅の台部(221a)を有
する複数本のL字型棒状部材(図2においては2本のみ
図示)(221)を用い、台部(221a)をリテーナリング
(23)上に位置させ、台部のない方の端を第2押圧手段
(220)に連結している。圧力は第2押圧手段(220)か
らL字型棒状部材(221)を介してリテーナリング(2
3)のほぼ全体に等しく加えられる。L字型棒状部材(2
21)の数が多いほど、より均等にリテーナリング(23)
に圧力を加えることができる。また、第2押圧手段(22
0)は、例えばシリンダーのような機械的な荷重調節機
構であってよい。
【0018】また、両側に台部を有する真っ直ぐな棒状
部材を複数本用意し、各棒状部材の一方の台部をリテー
ナリング(23)上に配置して、各棒状部材をリテーナリ
ングに対して垂直に立て、各棒状部材の他方の台部が共
に板状部材の底面を支持するように配置し、この板状部
材を第2押圧手段によって押圧してもよい。第2押圧手
段により加えられた圧力は、板状部材および棒状部材を
介してリテーナリング(23)に加えられる。
【0019】続いて、本発明の研磨装置のリテーナリン
グ以外の部分について説明する。ワーク(21)を保持す
るワーク保持具(22)は、一般に用いられているものを
任意に使用することができる。ワーク(21)は適当な接
着手段によってワーク保持具のワーク保持面に保持され
る。「ワークがワーク保持面に保持される」とは、ワー
クを下側にしてワーク保持具を持ち上げた場合でもワー
クが落ちない程度にワークがワーク保持面に固定されて
いることを意味し、例えば接着剤等によって完全に固着
・一体化されていることは必ずしも必要とされない。従
って、ワーク(21)の接着手段(24)は、例えば、それ
自体粘着性のない液体であってよい。そのような液体
は、ワーク(21)とワーク保持具(22)のワーク保持面
との間に極めて薄い層として介在する場合、ワークを保
持することができる。この場合において、ワークは液体
の表面張力によって保持されていると考えられる。液体
は、具体的には水であることが好ましい。水を用いれ
ば、研磨が終了してワークをワーク保持具から取り外し
た後、ワークを洗浄する必要がなく後処理が実質的に不
要となるから、研磨処理の効率を向上させることができ
る。また、その他の接着手段として、常套的に用いられ
ている他の接着手段、例えば、ワックス、真空吸着等を
採用してもよい。
【0020】ワーク(21)は第1押圧手段(210)によ
って研磨パッド(25)に押し付けられる。第1押圧手段
(210)は、リテーナリング(23)の第2押圧手段(22
0)と同様のものであってよい。また、第1押圧手段(2
10)は、第2押圧手段(220)と同様に、制御手段(23
0)によって制御される。図示した態様においては、制
御手段(230)は、第1および第2押圧手段(210)(22
0)を制御しているが、この制御手段(230)は各押圧手
段を独立して制御できるものである。また、制御手段
(230)は、ワーク(21)およびリテーナリング(23)
がそれぞれ研磨パッド(25)に所定の圧力で押し付けら
れるように、第1および第2押圧手段(210)(220)を
連動させ得るものであってもよいことはいうまでもな
い。
【0021】圧力制御手段は、ワークを所定の研磨レー
トで研磨するために、ワークおよびリテーナリングがそ
れぞれ適当な圧力で研磨パッドに押し付けられるよう
に、第1押圧手段および第2押圧手段を制御する。制御
手段は、ワーク、リテーナリングおよび研磨パッドの素
材、ならびに回転テーブルの速度等に応じて、ワークお
よびリテーナリングが研磨パッドに適当な圧力で押し付
けられるようにするものであり、例えば、コンピュータ
であってよい。また、制御手段は、ワークの研磨レート
とリテーナリングの研磨レートとの間に一定の関係が保
たれるように(例えば、ワークおよびリテーナリングが
等しい研磨レートで研磨されるように)、第1押圧手段
と第2押圧手段とを連動させ得るようになっていてもよ
い。
【0022】本発明の研磨装置には、ワーク(21)の中
心を通り、ワーク(21)の被加工面に対して垂直である
中心軸(240)を回転軸として、ワーク(21)を回転さ
せる手段(図示せず)が更に含まれることが好ましい。
さらに、必要に応じてリテーナリング(23)を中心軸
(240)を回転軸として回転させる手段(図示せず)が
含まれてもよく、その場合には、ワークとリテーナリン
グとをそれぞれ独立して回転させることができるよう、
2つの回転手段がワークおよびリテーナリングそれぞれ
に接続されていることが好ましい。
【0023】研磨パッドは、回転又は移動可能なテーブ
ルの上に支持される。図示した態様では、研磨パッド
(25)は、弾性材料(26)を介して回転テーブル(27)
の上に支持されている。ワーク(21)が半導体基板であ
る場合には、通常周期数cm、振幅数μmの「うねり」が
その被加工表面に存在するが、半導体装置の製造工程に
おいては、「うねり」に起因する起伏はそのままにし
て、本来、無くすべき微小な凹凸部だけを研磨して被加
工面を平坦化することが必要とされる。弾性材料(26)
はこの要求を満たすためのものであり、研磨パッド(2
5)が「うねり」に追随しながら、ワークの被加工面を
研磨することを可能にしている。弾性材料(26)は、例
えば、不織布であることが好ましい。
【0024】回転テーブル(27)は円形であり、中心軸
(200)を回転軸として回転し得るものである。回転テ
ーブル(27)を回転させることによって研磨パッド(2
5)を回転させ、ワーク(21)に対して研磨パッド(2
5)を相対的に移動させることができる。また、研磨パ
ッドを支持するテーブルは、回転テーブル(27)でなく
てもよく、例えば、X−Yテーブルであってもよい。そ
の場合、研磨パッドは直線移動する。あるいは、回転テ
ーブルをX−Yテーブルの上に置き、回転テーブルが研
磨パッドを支持してもよい。その場合、研磨パッドは回
転および直線移動できる。
【0025】図示した態様においては、ワーク(21)お
よびリテーナリング(23)の中心(または同心)軸(24
0)と回転テーブル(27)の中心軸(200)とは、ずらさ
れて配置されている。このように配置させると、ワーク
(21)と研磨パッド(25)とを同回転数で回転させた場
合に、ワーク(21)面内で相対速度が一定となり、研磨
を均一に実施するための制御が容易となる。
【0026】次に、本発明の研磨方法について説明す
る。本発明の研磨方法は、上記本発明の研磨装置を用い
て実施できる。そこで、本発明の研磨方法を説明するに
際しても、上記と同様に、図2を参照することとする。
【0027】本発明の研磨方法においては、研磨の対象
となるワーク(21)を適当な接着手段(24)によってワ
ーク保持具(22)のワーク保持面に固定し、固定された
ワーク(21)を第1押圧手段(210)によって研磨パッ
ド(25)に押し付ける。同時に、ワーク(21)の全周を
包囲するようにリテーナリング(23)を配置させ、第1
押圧手段(210)とは異なる第2押圧手段(220)によっ
てリテーナリング(23)を研磨パッド(25)に押し付け
る。
【0028】ワーク(21)およびリテーナリング(23)
のセッティングは、例えば、ワーク(21)をワーク保持
具(22)とともに所定の位置に配置させた後、見かけ
上、ワーク(21)およびリテーナリング(23)が一体と
なるように、リテーナリング(23)をワーク(21)の全
周を包囲するように配置させる手順で行ってよい。それ
から、第1および第2押圧手段(210)(220)によって
ワーク(21)およびリテーナリング(23)を研磨パッド
(25)に押し付ける。
【0029】ワーク(21)およびリテーナリング(23)
は、同じ圧力で研磨パッド(25)に押し付けることが好
ましい。ワーク(21)およびリテーナリング(23)を研
磨パッド(25)押し付ける圧力は、ワーク(21)、リテ
ーナリング(23)および研磨パッド(25)の素材、なら
びに回転テーブル(27)の回転速度等に応じて、それぞ
れ決定することができる。
【0030】ワークの研磨は、ワークに対して研磨パッ
ドを相対的に移動させることによって実施する。例え
ば、図示したように、研磨パッド(25)を回転テーブル
(27)の上に置き、回転テーブル(27)を中心軸(20
0)を回転軸として回転させれば、ワーク(21)に対し
て研磨パッド(25)を相対的に移動させることができ
る。また、先に例示したように、回転テーブル以外の適
当な移動可能なテーブルを使用して、研磨パッドを移動
させてもよい。研磨に際しては、図1(c)に示すよう
に、適当な研磨液(18)をワーク(21)と研磨パッド
(25)との間に供給してよい。
【0031】さらに、ワーク(21)に回転手段が接続さ
れている場合には、ワーク(21)の中心軸(240)を回転
軸として回転させることが好ましい。ワーク(21)の回
転は、ワークが半導体基板のように精密な研磨を必要と
する場合には、特に必要である。また、必要に応じてリ
テーナリング(23)を中心軸(240)を回転軸として回
転させてもよい。その場合、回転速度はワークの回転速
度と同じにすることが好ましい。回転速度が異なると、
回転中、ワーク(21)とリテーナリング(23)との一体
性が確保されず、ワーク(21)の縁ダレを有効に防止で
きないおそれがある。
【0032】ワーク(21)を研磨するに際しては、ワー
クの種類および研磨パッドの種類等に応じて、ワーク
(21)およびリテーナリング(23)と研磨パッド(25)
との間の圧力、回転テーブル(27)の回転速度、ならび
にワーク(21)およびリテーナリング(23)の回転速度
を決定する必要がある。例えば、半導体基板上に絶縁膜
として形成されたSiO2膜を研磨する場合には、リテ
ーナリングをテフロン樹脂で形成し、研磨パッドとして
発泡ポリウレタンを使用し、ワーク(21)およびリテー
ナリング(23)と研磨パッド(25)との間の圧力を0.
2〜0.5kgf/cm2、回転テーブル(27)の回転速度を
20〜50rpm、ならびにワーク(21)およびリテーナ
リング(23)の回転速度を0〜50rpmとすることが好
ましい。
【0033】1つのワーク(21)の研磨が終了すると、
ワーク(21)の被加工面と同様に、リテーナリング(2
3)の被研磨面(研磨パッドと接触している面)も研磨
される。その結果、リテーナリング(23)の厚さは小さ
くなるが、本発明においては、リテーナリング(23)は
ワーク保持具(22)に取り付けられない部材であるか
ら、その厚さが小さくなっても、研磨面を、引き続き研
磨パッド(25)に押し付けることができる。従って、研
磨終了後、次に研磨すべきワークをワーク保持具に保持
させれば、リテーナリングを取り換えることなく、当該
ワークを直ちに研磨できる。
【0034】以上、本発明の研磨装置および研磨方法を
具体的な実施態様に基づいて説明したが、本発明は上記
態様に限定されるものではない。また、上記説明におい
て特に言及しなかった構成は、通常の研磨装置および研
磨方法で採用されている手段および材料等によって構成
されたものを用いることができる。例えば、研磨パッド
は、真空吸着やワックスのような接着手段によって、弾
性材料を介して、または直接テーブルに取り付けてよ
い。また、研磨パッドは、発泡ポリウレタン、研磨クロ
ス等であってよい。
【0035】本発明の研磨装置および研磨方法は、ダイ
ヤモンドスラリー等を研磨液として供給しながら行う機
械研磨(Mechanical Polishing:MP)のみならず、ア
ルカリ性の溶液にコロイダルシリカ等の砥粒を分散させ
たスラリーを研磨液として供給し、機械的な研磨を行う
とともに化学的作用による研磨をも実施する化学的機械
研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)にお
いても適用できる。
【0036】
【発明の効果】本発明の研磨装置および研磨方法は、リ
テーナリングをワーク保持具に取り付けることなく、ワ
ークの全周を包囲するように設け、当該リテーナリング
を独立した押圧手段によって研磨パッドに押し付けるこ
とを特徴とする。そして、本発明の装置および方法は、
リテーナリングがワークとともに研磨されて、その厚み
が減じた場合でも、引き続き、その被研磨面を研磨パッ
ドに押し付けて使用することを可能にする。従って、本
発明によれば、ワークを取り換える都度、リテーナリン
グを取り換えることが不要となり、研磨工程で必要とさ
れる労力および資源を有効に減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1の(a)は、従来のリテーナリングを示
すワークの厚さ方向の模式的断面図であり、図1の
(b)および(c)は従来のリテーナリングを使用した
研磨方法を示す模式図である。
【図2】 図2は、本発明の研磨装置および研磨方法の
実施態様の一例を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
11...ワーク、12...ワーク保持具、13...リテーナリン
グ、14...接着手段、15...研磨パッド、16...定盤、1
7...回転テーブル、18...研磨液、21...ワーク、22...
ワーク保持具、23...リテーナリング、24...接着手段、
25...研磨パッド、26...弾性部材、27...回転テーブ
ル、200...回転テーブルの中心軸、210...第1押圧手
段、220...第2押圧手段、221...L字型棒状部材、221
a...台部、230...制御手段、240...ワークおよびリテ
ーナリングの中心軸。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ワークの被加工面を研磨パッドにより研
    磨する装置であって、 a)ワークを保持するワーク保持具; b)ワークの被加工面を研磨パッドに押し付ける第1押
    圧手段; c)ワークの全周を包囲するリテーナリング; d)リテーナリングを研磨パッドに押し付ける第2押圧
    手段; e)研磨パッドを支持するテーブル;および f)ワークに対して研磨パッドを相対的に移動させる手
    段 を有して成る研磨装置。
  2. 【請求項2】 リテーナリングが、ワークの全周および
    ワーク保持具の厚さ方向の少なくとも一部においてワー
    ク保持具の全周を包囲している請求項1に記載の研磨装
    置。
  3. 【請求項3】 ワーク保持具のワーク保持面とワークと
    の間に介在する液体によりワークがワーク保持面に保持
    されるようになっている請求項1または請求項2に記載
    の研磨装置。
  4. 【請求項4】 研磨パッドを支持するテーブルが回転テ
    ーブルである請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨
    装置。
  5. 【請求項5】 研磨パッドとテーブルとの間に弾性体を
    配置させる請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨装
    置。
  6. 【請求項6】 ワークを、その中心軸を回転軸として回
    転させる手段を更に有して成る請求項1〜5のいずれか
    一項に記載の研磨装置。
  7. 【請求項7】 ワーク保持具に保持されたワークの被加
    工面を研磨パッドに押し付け、研磨パッドをワークに対
    して相対的に移動させて、ワークを研磨する方法におい
    て、リテーナリングを、ワークの全周を包囲するように
    配置させ、ワークとは別の手段で研磨パッドに押し付け
    て、ワークを研磨することを特徴とする研磨方法。
  8. 【請求項8】 リテーナリングを、ワークの全周および
    ワーク保持具の厚さ方向の少なくとも一部においてワー
    ク保持具の全周を包囲するように配置させることを特徴
    とする請求項7に記載の研磨方法。
  9. 【請求項9】 ワークを、ワーク保持具のワーク保持面
    とワークとの間に液体を介在させることにより、ワーク
    保持面に保持させることを特徴とする請求項7または請
    求項8に記載の研磨方法。
  10. 【請求項10】 研磨パッドを、その中心軸を回転軸と
    して回転させることにより、研磨パッドをワークに対し
    て相対的に移動させる請求項7〜9のいずれか一項に記
    載の研磨方法。
  11. 【請求項11】 ワークを、その中心軸を回転軸として
    回転させる請求項7〜10のいずれか一項に記載の研磨
    方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8100743B2 (en) 2007-10-29 2012-01-24 Ebara Corporation Polishing apparatus

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