JP2000332405A - はんだ付け装置、はんだ付け方法及びこの方法による表面実装基板 - Google Patents
はんだ付け装置、はんだ付け方法及びこの方法による表面実装基板Info
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- JP2000332405A JP2000332405A JP11145525A JP14552599A JP2000332405A JP 2000332405 A JP2000332405 A JP 2000332405A JP 11145525 A JP11145525 A JP 11145525A JP 14552599 A JP14552599 A JP 14552599A JP 2000332405 A JP2000332405 A JP 2000332405A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面実装部品の実装密度如何に拘わらず、安
定したはんだ付けを行なうことができるはんだ付け装
置、はんだ付け方法及びこの方法による表面実装基板の
提供。 【解決手段】 窒素またはアルゴンを含む不活性ガスを
噴射することで、表面に吸着した酸素を吹き飛ばし、前
記不活性ガスと酸素との置換を積極的に行なうために、
リフロー装置のプリヒート槽１０内に不活性ガス吹き出
し口１を設け、プリヒート槽の下流側に配設されるはん
だリフロー槽１３において無酸素状態ではんだ融を行な
う。
定したはんだ付けを行なうことができるはんだ付け装
置、はんだ付け方法及びこの方法による表面実装基板の
提供。 【解決手段】 窒素またはアルゴンを含む不活性ガスを
噴射することで、表面に吸着した酸素を吹き飛ばし、前
記不活性ガスと酸素との置換を積極的に行なうために、
リフロー装置のプリヒート槽１０内に不活性ガス吹き出
し口１を設け、プリヒート槽の下流側に配設されるはん
だリフロー槽１３において無酸素状態ではんだ融を行な
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、はんだ付け装置、
はんだ付け方法及びこの方法による表面実装基板に係
り、特に絶縁性基板の電子部品搭載用フットランド表面
にはんだを形成したり、電子部品を搭載してはんだ付け
を行なうための基板実装技術に関する。
はんだ付け方法及びこの方法による表面実装基板に係
り、特に絶縁性基板の電子部品搭載用フットランド表面
にはんだを形成したり、電子部品を搭載してはんだ付け
を行なうための基板実装技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からの絶縁性基板に表面実装用電子
部品をはんだ付けする方法によれば、絶縁性基板上に形
成された実装用ランド（以下フットランドとも言う）上
に、印刷製版を用い、クリームはんだを供給した後に、
チップマウンタと呼ばれる部品搭載機により各種電子部
品をクリームはんだ上に押し込むように搭載し、これを
温度が或る一定常態に保持されたリフロー槽内を通過さ
せて、クリームはんだ中の活性力を利用して、電子部品
を絶縁性基板上のフットランドにはんだ付けするように
している。
部品をはんだ付けする方法によれば、絶縁性基板上に形
成された実装用ランド（以下フットランドとも言う）上
に、印刷製版を用い、クリームはんだを供給した後に、
チップマウンタと呼ばれる部品搭載機により各種電子部
品をクリームはんだ上に押し込むように搭載し、これを
温度が或る一定常態に保持されたリフロー槽内を通過さ
せて、クリームはんだ中の活性力を利用して、電子部品
を絶縁性基板上のフットランドにはんだ付けするように
している。
【０００３】フットランドのみにはんだを形成するよう
にしたはんだプリュート基板も同様な方法が採られてい
る。使用するリフロー槽は、遠赤外線ではんだを溶融状
態にする形式のものや遠赤にエアー撹拌を併用したエア
ーリフロー槽が知られている。また、酸化防止効果を得
て、はんだ付けの効果を上げた不活性ガス（窒素または
アルゴンガスが主）利用の窒素ガス型リフロー槽等があ
る。
にしたはんだプリュート基板も同様な方法が採られてい
る。使用するリフロー槽は、遠赤外線ではんだを溶融状
態にする形式のものや遠赤にエアー撹拌を併用したエア
ーリフロー槽が知られている。また、酸化防止効果を得
て、はんだ付けの効果を上げた不活性ガス（窒素または
アルゴンガスが主）利用の窒素ガス型リフロー槽等があ
る。
【０００４】上記のリフロー槽の内で、窒素ガス型リフ
ロー槽は、電子部品の小型化、狭ピッチ化等で、微小な
不濡れ等による不良発生の防止に効果を得ている。しか
し、他のタイプについては、特に不濡れ等について不良
数が多い。
ロー槽は、電子部品の小型化、狭ピッチ化等で、微小な
不濡れ等による不良発生の防止に効果を得ている。しか
し、他のタイプについては、特に不濡れ等について不良
数が多い。
【０００５】この窒素ガス型リフロー槽のガス供給とし
ては、リフロー槽内にのみ供給し、酸素濃度コントロー
ルを行なうようにしている槽ははんだリフロー槽内のみ
である。前槽のプリヒート槽では積極的な窒素ガス供給
を行なっていない。
ては、リフロー槽内にのみ供給し、酸素濃度コントロー
ルを行なうようにしている槽ははんだリフロー槽内のみ
である。前槽のプリヒート槽では積極的な窒素ガス供給
を行なっていない。
【０００６】また、特開平０５−２９１２６９号公報の
「半導体ウェハーの熱処理装置」によれば、隙間を隔て
て重ねた状態に保持された複数の半導体ウェハーを反応
管の内部に導入する直前に窒素ガスを噴射して、隙間の
空気を窒素ガスに置換することで良好な結果を得る技術
が開示されている。
「半導体ウェハーの熱処理装置」によれば、隙間を隔て
て重ねた状態に保持された複数の半導体ウェハーを反応
管の内部に導入する直前に窒素ガスを噴射して、隙間の
空気を窒素ガスに置換することで良好な結果を得る技術
が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来法では、窒素ガス供給による酸素濃度のコントロール
がなされている槽ははんだリフロー槽内のみであり、前
槽のプリヒート槽内では窒素ガスの供給を積極的に行な
っていないものが多く、窒素ガスによる置換効果はあま
り期待できない。この置換効果は、はんだリフロー槽内
の酸素濃度を低減化した場合のみであり、絶縁性基板の
密度が上がってくることで、窒素ガスによる効果も低下
する。
来法では、窒素ガス供給による酸素濃度のコントロール
がなされている槽ははんだリフロー槽内のみであり、前
槽のプリヒート槽内では窒素ガスの供給を積極的に行な
っていないものが多く、窒素ガスによる置換効果はあま
り期待できない。この置換効果は、はんだリフロー槽内
の酸素濃度を低減化した場合のみであり、絶縁性基板の
密度が上がってくることで、窒素ガスによる効果も低下
する。
【０００８】この低下の原因は、高密度化による電子部
品間の隙間が狭くなり、絶縁性基板上及び電子部品の電
極部表面等に吸着している酸素や、電子部品間に存在す
る酸素と窒素ガスの置換が十分に行えず、これがはんだ
リフロー槽内で酸素濃度がコントロールされているにも
かかわらず、はんだ付け部に欠陥を生じるということが
判明した。
品間の隙間が狭くなり、絶縁性基板上及び電子部品の電
極部表面等に吸着している酸素や、電子部品間に存在す
る酸素と窒素ガスの置換が十分に行えず、これがはんだ
リフロー槽内で酸素濃度がコントロールされているにも
かかわらず、はんだ付け部に欠陥を生じるということが
判明した。
【０００９】したがって、本発明は上記の問題点に鑑み
て成されたものであり、表面実装部品の実装密度如何に
拘わらず、安定したはんだ付けを行なうことができるは
んだ付け装置、はんだ付け方法及びこの方法による表面
実装基板の提供を目的としている。
て成されたものであり、表面実装部品の実装密度如何に
拘わらず、安定したはんだ付けを行なうことができるは
んだ付け装置、はんだ付け方法及びこの方法による表面
実装基板の提供を目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決し、課
題を達成するために、本発明によれば、実装用ランド上
にクリームはんだを塗布し、表面実装部品を実装した基
板を、リフロー装置の基板搬送手段により各槽内を通過
させることで前記クリームはんだを液状活性化し、前記
実装用ランドと前記表面実装部品間のはんだ付けを行な
うはんだ付け装置であって、窒素またはアルゴンを含む
不活性ガスを噴射することで、表面に吸着した酸素を吹
き飛ばし、前記不活性ガスと酸素との置換を積極的に行
なうために、前記リフロー装置のプリヒート槽内に配設
される不活性ガス噴射手段と、前記プリヒート槽の下流
側に配設され、無酸素状態ではんだ溶融を行なうはんだ
リフロー槽とを具備することを特徴としている。
題を達成するために、本発明によれば、実装用ランド上
にクリームはんだを塗布し、表面実装部品を実装した基
板を、リフロー装置の基板搬送手段により各槽内を通過
させることで前記クリームはんだを液状活性化し、前記
実装用ランドと前記表面実装部品間のはんだ付けを行な
うはんだ付け装置であって、窒素またはアルゴンを含む
不活性ガスを噴射することで、表面に吸着した酸素を吹
き飛ばし、前記不活性ガスと酸素との置換を積極的に行
なうために、前記リフロー装置のプリヒート槽内に配設
される不活性ガス噴射手段と、前記プリヒート槽の下流
側に配設され、無酸素状態ではんだ溶融を行なうはんだ
リフロー槽とを具備することを特徴としている。
【００１１】また、前記不活性ガス噴射手段のガス吹き
出し口を、スリット状のスリット開口部とするととも
に、前記基板搬送手段の幅方向に沿って前記スリット開
口部を配設することを特徴としている。
出し口を、スリット状のスリット開口部とするととも
に、前記基板搬送手段の幅方向に沿って前記スリット開
口部を配設することを特徴としている。
【００１２】また、前記不活性ガス噴射手段を、下流側
の前記プリヒート槽に配設することを特徴としている。
の前記プリヒート槽に配設することを特徴としている。
【００１３】また、前記不活性ガス噴射手段を、基板入
口側から離れるように下流側に向けて５度〜１０度の範
囲で傾けて配設することを特徴としている。
口側から離れるように下流側に向けて５度〜１０度の範
囲で傾けて配設することを特徴としている。
【００１４】また、前記スリット開口部の開口幅を、前
記基板搬送手段の幅調整機構と連動させることを特徴と
している。
記基板搬送手段の幅調整機構と連動させることを特徴と
している。
【００１５】また、前記スリット開口部を基板表面から
５〜１０ｃｍの範囲で調整可能にすることを特徴として
いる。
５〜１０ｃｍの範囲で調整可能にすることを特徴として
いる。
【００１６】また、前記不活性ガスを前記不活性ガス噴
射手段に導入する導入管においてヒーター加熱手段を設
けることを特徴としている。
射手段に導入する導入管においてヒーター加熱手段を設
けることを特徴としている。
【００１７】また、前記ヒーター加熱手段は、前記不活
性ガスの温度を任意に設定可能にしたことを特徴として
いる。
性ガスの温度を任意に設定可能にしたことを特徴として
いる。
【００１８】また、実装用ランド上にクリームはんだを
塗布し、表面実装部品を実装した基板を、リフロー装置
の基板搬送手段により各槽内を通過させることで前記ク
リームはんだを液状活性化し、前記実装用ランドと前記
表面実装部品間のはんだ付けを行なうはんだ付け方法で
あって、前記リフロー装置のプリヒート槽内に配設され
る不活性ガス噴射手段により、窒素またはアルゴンを含
む不活性ガスを前記基板に噴射することで、表面に吸着
した酸素を吹き飛ばし、前記不活性ガスと酸素との置換
を積極的に行ない、前記プリヒート槽の下流側に配設さ
れるはんだリフロー槽内において、無酸素状態ではんだ
溶融を行なうことを特徴としている。
塗布し、表面実装部品を実装した基板を、リフロー装置
の基板搬送手段により各槽内を通過させることで前記ク
リームはんだを液状活性化し、前記実装用ランドと前記
表面実装部品間のはんだ付けを行なうはんだ付け方法で
あって、前記リフロー装置のプリヒート槽内に配設され
る不活性ガス噴射手段により、窒素またはアルゴンを含
む不活性ガスを前記基板に噴射することで、表面に吸着
した酸素を吹き飛ばし、前記不活性ガスと酸素との置換
を積極的に行ない、前記プリヒート槽の下流側に配設さ
れるはんだリフロー槽内において、無酸素状態ではんだ
溶融を行なうことを特徴としている。
【００１９】また、前記不活性ガス噴射手段のガス吹き
出し口を、スリット状のスリット開口部とするととも
に、前記基板搬送手段の幅方向に沿って前記スリット開
口部を配設し、不活性ガスを均一に噴射することを特徴
としている。
出し口を、スリット状のスリット開口部とするととも
に、前記基板搬送手段の幅方向に沿って前記スリット開
口部を配設し、不活性ガスを均一に噴射することを特徴
としている。
【００２０】また、前記不活性ガス噴射手段を、前記は
んだリフロー槽にも配設し、はんだ溶融することを特徴
としている。
んだリフロー槽にも配設し、はんだ溶融することを特徴
としている。
【００２１】また、前記不活性ガス噴射手段を、基板入
口側から離れるように下流側に向けて５度〜１０度の範
囲で傾けて配設し、不活性ガスを均一に噴射することを
特徴としている。
口側から離れるように下流側に向けて５度〜１０度の範
囲で傾けて配設し、不活性ガスを均一に噴射することを
特徴としている。
【００２２】また、前記スリット開口部の開口幅を、前
記基板搬送手段の幅調整機構と連動させることで、不活
性ガスを均一に噴射することを特徴としている。
記基板搬送手段の幅調整機構と連動させることで、不活
性ガスを均一に噴射することを特徴としている。
【００２３】また、前記スリット開口部を基板表面から
５〜１０ｃｍの範囲で調整可能にして、不活性ガスを均
一に噴射することを特徴としている。
５〜１０ｃｍの範囲で調整可能にして、不活性ガスを均
一に噴射することを特徴としている。
【００２４】また、前記不活性ガスを前記不活性ガス噴
射手段に導入する導入管においてヒーター加熱手段を設
け、温度の任意に設定された不活性ガスを均一に噴射す
ることを特徴としている。
射手段に導入する導入管においてヒーター加熱手段を設
け、温度の任意に設定された不活性ガスを均一に噴射す
ることを特徴としている。
【００２５】そして、はんだ付け方法による表面実装基
板であって、表面実装部品は狭ピッチのＱＦＰ（クワッ
ドフラットパッケージ）、ＳＯＰ（スモールアウトライ
ンパッケージ）を含むことを特徴としている。
板であって、表面実装部品は狭ピッチのＱＦＰ（クワッ
ドフラットパッケージ）、ＳＯＰ（スモールアウトライ
ンパッケージ）を含むことを特徴としている。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な各実施形
態につき、添付の図面を参照して説明する。図１は一実
施形態によるリフロー装置全体の横断面部であって、プ
リヒート１０槽内に組み込まれた不活性ガス吹き出し口
の横断面部を同様に示している。
態につき、添付の図面を参照して説明する。図１は一実
施形態によるリフロー装置全体の横断面部であって、プ
リヒート１０槽内に組み込まれた不活性ガス吹き出し口
の横断面部を同様に示している。
【００２７】本図において、プリヒート槽１０内には不
可性ガス噴射手段である不活性ガス吹き出し口１が不活
性ガス導入管２に接続されて設けられており、電子部品
が搭載された絶縁性基板３であって搬送装置である搬送
チェーン４上に載置されて矢印方向の下流側に向けて搬
送される表面実装基板３上に不活性ガスを噴射するよう
にしている。また搬送チェーン４には不図示の駆動装置
が設けられており、チェーンホルドバー５上において連
続運転されるように構成されている。
可性ガス噴射手段である不活性ガス吹き出し口１が不活
性ガス導入管２に接続されて設けられており、電子部品
が搭載された絶縁性基板３であって搬送装置である搬送
チェーン４上に載置されて矢印方向の下流側に向けて搬
送される表面実装基板３上に不活性ガスを噴射するよう
にしている。また搬送チェーン４には不図示の駆動装置
が設けられており、チェーンホルドバー５上において連
続運転されるように構成されている。
【００２８】不活性ガス吹き出し口１は、図中の入口ス
ロート１５の方向に角度Ａの最大で約１０度の傾きを持
たせて設置されている。また、基板表面から高さＨの５
〜１０ｃｍの範囲で調整可能にされている。
ロート１５の方向に角度Ａの最大で約１０度の傾きを持
たせて設置されている。また、基板表面から高さＨの５
〜１０ｃｍの範囲で調整可能にされている。
【００２９】この構成において、不活性ガス導入管２に
ボンベ７から窒素ガスを２００Ｎｌ／ｍｉｎの流量で流
し、不活性ガス吹き出し口１から窒素ガスを吹き出す。
ボンベ７から窒素ガスを２００Ｎｌ／ｍｉｎの流量で流
し、不活性ガス吹き出し口１から窒素ガスを吹き出す。
【００３０】この状態で、図中の入口スロート１５か
ら、電子部品が搭載された絶縁性基板３をチェーンホー
ルドバー５に設置された搬送チェーン４上に載せ、搬送
スピード０．８ｍ／ｍｉｎで矢印方向に送り込む。
ら、電子部品が搭載された絶縁性基板３をチェーンホー
ルドバー５に設置された搬送チェーン４上に載せ、搬送
スピード０．８ｍ／ｍｉｎで矢印方向に送り込む。
【００３１】電子部品が搭載された絶縁性基板３がプリ
ヒート１０の槽内に送り込まれ、不活性ガス吹き出し口
１付近に到達した時点から窒素ガスが電子部品が搭載さ
れた絶縁性基板３上に吹き付けられる。この時、電子部
品が搭載された絶縁性基板３上の各部の表面に吸着した
酸素が吹き飛ばされ、窒素ガスと酸素との置換が積極的
に行なわれることになる。この結果、電子部品が搭載さ
れた絶縁性基板３上の各部の表面は無酸素状態となる。
ヒート１０の槽内に送り込まれ、不活性ガス吹き出し口
１付近に到達した時点から窒素ガスが電子部品が搭載さ
れた絶縁性基板３上に吹き付けられる。この時、電子部
品が搭載された絶縁性基板３上の各部の表面に吸着した
酸素が吹き飛ばされ、窒素ガスと酸素との置換が積極的
に行なわれることになる。この結果、電子部品が搭載さ
れた絶縁性基板３上の各部の表面は無酸素状態となる。
【００３２】この状態で図中のプリヒート槽１１、１２
であって不図示の不活性ガス吹き出し口１を設けた槽内
に送られ、事前に酸素濃度が２００ｐｐｍにコントロー
ルされたはんだリフロー槽１３内において、電子部品が
搭載された絶縁性基板３上の電子部品接合用フットラン
ドに事前に供給しているクリームはんだを溶融し、はん
だ付けを行なう。
であって不図示の不活性ガス吹き出し口１を設けた槽内
に送られ、事前に酸素濃度が２００ｐｐｍにコントロー
ルされたはんだリフロー槽１３内において、電子部品が
搭載された絶縁性基板３上の電子部品接合用フットラン
ドに事前に供給しているクリームはんだを溶融し、はん
だ付けを行なう。
【００３３】この結果、電子部品各部のはんだ接合部に
おいてはんだ濡れが良く、はんだ付けの欠陥は皆無であ
った。
おいてはんだ濡れが良く、はんだ付けの欠陥は皆無であ
った。
【００３４】また、図１において、ガス導入管２には所
定温度にガスを温度上昇させることで活性作用を促進す
るためのヒーター８が設けられている。
定温度にガスを温度上昇させることで活性作用を促進す
るためのヒーター８が設けられている。
【００３５】次に、図２は不活性ガス吹き出し口１と搬
送チェーン４の外観斜視図である。本図において、既に
説明済みの構成部品については同様の符号を附して説明
を割愛すると、不活性ガス吹き出し口１がスリット開口
部１ｃを備えており、図示のように均一に帯状にガスを
基板３に向けて噴射するとともに、開口幅寸法Ｗ２がネ
ジを固定することで調整できる様子を示している。この
ために、導入管２に個別に接続される第１の吹き出し口
部材１ａと、第２の吹き出し口部材１ｂの２部品から構
成されている。
送チェーン４の外観斜視図である。本図において、既に
説明済みの構成部品については同様の符号を附して説明
を割愛すると、不活性ガス吹き出し口１がスリット開口
部１ｃを備えており、図示のように均一に帯状にガスを
基板３に向けて噴射するとともに、開口幅寸法Ｗ２がネ
ジを固定することで調整できる様子を示している。この
ために、導入管２に個別に接続される第１の吹き出し口
部材１ａと、第２の吹き出し口部材１ｂの２部品から構
成されている。
【００３６】一方、図示のように左右一対分が設けられ
る搬送チェーン４は基板３のサイズに合わせて幅寸法Ｗ
１が調整可能である。このために、開口幅寸法Ｗ２に合
致するようにこの幅寸法Ｗ１を調整することで、基板サ
イズ変更に対応できるようにしている。
る搬送チェーン４は基板３のサイズに合わせて幅寸法Ｗ
１が調整可能である。このために、開口幅寸法Ｗ２に合
致するようにこの幅寸法Ｗ１を調整することで、基板サ
イズ変更に対応できるようにしている。
【００３７】本図において、基板３には実装用ランド２
１と、表面実装部品である、狭ピッチ部品２０のＱＦＰ
（クワッドフラットパッケージ）、ＳＯＰ（スモールア
ウトラインパッケージ）が実装されている。
１と、表面実装部品である、狭ピッチ部品２０のＱＦＰ
（クワッドフラットパッケージ）、ＳＯＰ（スモールア
ウトラインパッケージ）が実装されている。
【００３８】尚、プリヒート１０内の搬送チェーン４の
下部に不活性ガス吹き出し口１を同様に設置すること
で、両面実装基板も同様な効果を得ることが出来た。
下部に不活性ガス吹き出し口１を同様に設置すること
で、両面実装基板も同様な効果を得ることが出来た。
【００３９】以上のように、リフロー装置のプリヒート
槽１０及びまたは各プリヒート槽１１、１２内に不活性
ガスの吹き出し口として、スリット状の形状をしたもの
を、リフロー装置の幅方向に設置し、絶縁性基板上及び
搭載された電子部品上より不活性ガスを直接吹き付ける
ことで、はんだ付け部の欠陥を無くすことが出来るよう
になる。
槽１０及びまたは各プリヒート槽１１、１２内に不活性
ガスの吹き出し口として、スリット状の形状をしたもの
を、リフロー装置の幅方向に設置し、絶縁性基板上及び
搭載された電子部品上より不活性ガスを直接吹き付ける
ことで、はんだ付け部の欠陥を無くすことが出来るよう
になる。
【００４０】また、各プリヒート槽内に設けたスリット
形状した不活性ガスの吹き出し口の吹き出し方向を、リ
フロー装置の入口側方向に向けたことで、リフロー槽内
の酸素濃度のコントロールを容易に出来、又、低酸素濃
度と共に低酸素濃度に復帰する時間を短縮することが出
来ると共にはんだ付け部の欠陥をも無くすことが出来
た。
形状した不活性ガスの吹き出し口の吹き出し方向を、リ
フロー装置の入口側方向に向けたことで、リフロー槽内
の酸素濃度のコントロールを容易に出来、又、低酸素濃
度と共に低酸素濃度に復帰する時間を短縮することが出
来ると共にはんだ付け部の欠陥をも無くすことが出来
た。
【００４１】すなわち、リフロー装置内のプリヒート槽
の各槽内に不活性ガスの吹き出し口として、スリット状
の形状をしたものを、リフロー装置の搬送ラインの上部
及びもしくは下部に設置し、不活性ガスを吹き出させ、
絶縁性基板上の電子部品搭載用フットランドにクリーム
はんだを供給し、電子部品を搭載した後に、上記装置の
搬送ラインへ投入することで、不活性ガス吹き出し口の
下を或いは上を通過する時、ガス吹き出し圧力によっ
て、前記各部品の表面に吸着していた酸素が吹き飛ばさ
れ、不活性ガスとの置換が行なわれることになる。
の各槽内に不活性ガスの吹き出し口として、スリット状
の形状をしたものを、リフロー装置の搬送ラインの上部
及びもしくは下部に設置し、不活性ガスを吹き出させ、
絶縁性基板上の電子部品搭載用フットランドにクリーム
はんだを供給し、電子部品を搭載した後に、上記装置の
搬送ラインへ投入することで、不活性ガス吹き出し口の
下を或いは上を通過する時、ガス吹き出し圧力によっ
て、前記各部品の表面に吸着していた酸素が吹き飛ばさ
れ、不活性ガスとの置換が行なわれることになる。
【００４２】この状態で後工程の酸素濃度がコントロー
ルされたはんだリフロー槽１３内に送り込まれること
で、各部品の表面と共にはんだ付け部も無酸素状態でク
リームはんだが溶かされる為、酸素による酸化から来る
はんだ付け部の欠陥を無くすことが出来る。
ルされたはんだリフロー槽１３内に送り込まれること
で、各部品の表面と共にはんだ付け部も無酸素状態でク
リームはんだが溶かされる為、酸素による酸化から来る
はんだ付け部の欠陥を無くすことが出来る。
【００４３】以上説明したように、はんだが溶融する
時、周囲に酸素がどの程度存在するかによって、はんだ
接合部の酸化程度が違う為、はんだ接合部周辺の酸素量
を出来るだけ少なくすることが重要であるが、酸素量に
於いては、電子部品の表面やクリームはんだの表面及び
絶縁性基板上の電子部品接合用フットランド表面等の吸
着酸素が、はんだ溶融時に最も影響するものであり、は
んだ溶融する前にはんだ付け部の酸素を無くすか、極力
少なくすることではんだ付けの欠陥を無くすことが出来
るようになる。
時、周囲に酸素がどの程度存在するかによって、はんだ
接合部の酸化程度が違う為、はんだ接合部周辺の酸素量
を出来るだけ少なくすることが重要であるが、酸素量に
於いては、電子部品の表面やクリームはんだの表面及び
絶縁性基板上の電子部品接合用フットランド表面等の吸
着酸素が、はんだ溶融時に最も影響するものであり、は
んだ溶融する前にはんだ付け部の酸素を無くすか、極力
少なくすることではんだ付けの欠陥を無くすことが出来
るようになる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表面実装部品の実装密度如何に拘わらず、安定したはん
だ付けを行なうことができるはんだ付け装置、はんだ付
け方法及びこの方法による表面実装基板を提供すること
ができる。
表面実装部品の実装密度如何に拘わらず、安定したはん
だ付けを行なうことができるはんだ付け装置、はんだ付
け方法及びこの方法による表面実装基板を提供すること
ができる。
【図１】一実施形態によるリフロー装置全体の横断面部
とプリヒート１０槽内に組み込まれた不活性ガス吹き出
し口の横断面部を示した図である。
とプリヒート１０槽内に組み込まれた不活性ガス吹き出
し口の横断面部を示した図である。
【図２】不活性ガス吹き出し口１と搬送チェーン４の外
観斜視図である。
観斜視図である。
１ 不活性ガス吹き出し口（不活性ガス噴射手段） ２ 不活性ガス導入管 ３ 電子部品搭載の絶縁性基板 ４ 搬送チェーン（基板搬送手段） ５ チェーンホールドバー
Claims (16)
- 【請求項１】 実装用ランド上にクリームはんだを塗布
し、表面実装部品を実装した基板を、リフロー装置の基
板搬送手段により各槽内を通過させることで前記クリー
ムはんだを液状活性化し、前記実装用ランドと前記表面
実装部品間のはんだ付けを行なうはんだ付け装置であっ
て、 窒素またはアルゴンを含む不活性ガスを噴射すること
で、表面に吸着した酸素を吹き飛ばし、前記不活性ガス
と酸素との置換を積極的に行なうために、前記リフロー
装置のプリヒート槽内に配設される不活性ガス噴射手段
と、 前記プリヒート槽の下流側に配設され、無酸素状態では
んだ溶融を行なうはんだリフロー槽とを具備することを
特徴とするはんだ付け装置。 - 【請求項２】 前記不活性ガス噴射手段のガス吹き出し
口を、スリット状のスリット開口部とするとともに、前
記基板搬送手段の幅方向に沿って前記スリット開口部を
配設することを特徴とする請求項１に記載のはんだ付け
装置。 - 【請求項３】 前記不活性ガス噴射手段を、下流側の前
記プリヒート槽に配設することを特徴とする請求項１ま
たは２のいずれかに記載のはんだ付け装置。 - 【請求項４】 前記不活性ガス噴射手段を、基板入口側
から離れるように下流側に向けて５度〜１０度の範囲で
傾けて配設することを特徴とする請求項１乃至３のいず
れか１項に記載のはんだ付け装置。 - 【請求項５】 前記スリット開口部の開口幅を、前記基
板搬送手段の幅調整機構と連動させることを特徴とする
請求項２乃至４のいずれか１項に記載のはんだ付け装
置。 - 【請求項６】 前記スリット開口部を基板表面から５〜
１０ｃｍの範囲で調整可能にすることを特徴とする請求
項２乃至５のいずれか１項に記載のはんだ付け装置。 - 【請求項７】 前記不活性ガスを前記不活性ガス噴射手
段に導入する導入管においてヒーター加熱手段を設ける
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載
のはんだ付け装置。 - 【請求項８】 前記ヒーター加熱手段は、前記不活性ガ
スの温度を任意に設定可能にしたことを特徴とする請求
項７に記載のはんだ付け装置。 - 【請求項９】 実装用ランド上にクリームはんだを塗布
し、表面実装部品を実装した基板を、リフロー装置の基
板搬送手段により各槽内を通過させることで前記クリー
ムはんだを液状活性化し、前記実装用ランドと前記表面
実装部品間のはんだ付けを行なうはんだ付け方法であっ
て、 前記リフロー装置のプリヒート槽内に配設される不活性
ガス噴射手段により、窒素またはアルゴンを含む不活性
ガスを前記基板に噴射することで、表面に吸着した酸素
を吹き飛ばし、前記不活性ガスと酸素との置換を積極的
に行ない、 前記プリヒート槽の下流側に配設されるはんだリフロー
槽内において、無酸素状態ではんだ溶融を行なうことを
特徴とするはんだ付け方法。 - 【請求項１０】 前記不活性ガス噴射手段のガス吹き出
し口を、スリット状のスリット開口部とするとともに、
前記基板搬送手段の幅方向に沿って前記スリット開口部
を配設し、不活性ガスを均一に噴射することを特徴とす
る請求項９に記載のはんだ付け方法。 - 【請求項１１】 前記不活性ガス噴射手段を、前記はん
だリフロー槽にも配設し、はんだ溶融することを特徴と
する請求項９または１０のいずれかに記載のはんだ付け
方法。 - 【請求項１２】 前記不活性ガス噴射手段を、基板入口
側から離れるように下流側に向けて５度〜１０度の範囲
で傾けて配設し、不活性ガスを均一に噴射することを特
徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載のはん
だ付け方法。 - 【請求項１３】 前記スリット開口部の開口幅を、前記
基板搬送手段の幅調整機構と連動させることで、不活性
ガスを均一に噴射することを特徴とする請求項１０乃至
１２のいずれか１項に記載のはんだ付け方法。 - 【請求項１４】 前記スリット開口部を基板表面から５
〜１０ｃｍの範囲で調整可能にして、不活性ガスを均一
に噴射することを特徴とする請求項１０乃至１３のいず
れか１項に記載のはんだ付け方法。 - 【請求項１５】 前記不活性ガスを前記不活性ガス噴射
手段に導入する導入管においてヒーター加熱手段を設
け、温度の任意に設定された不活性ガスを均一に噴射す
ることを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項に
記載のはんだ付け方法。 - 【請求項１６】 請求項９乃至１５のいずれか１項に記
載のはんだ付け方法による表面実装基板であって、 前記表面実装部品は狭ピッチのＱＦＰ（クワッドフラッ
トパッケージ）、ＳＯＰ（スモールアウトラインパッケ
ージ）を含むことを特徴とするはんだ付け方法による表
面実装基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11145525A JP2000332405A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | はんだ付け装置、はんだ付け方法及びこの方法による表面実装基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11145525A JP2000332405A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | はんだ付け装置、はんだ付け方法及びこの方法による表面実装基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332405A true JP2000332405A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15387244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11145525A Withdrawn JP2000332405A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | はんだ付け装置、はんだ付け方法及びこの方法による表面実装基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000332405A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106624241A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-10 | 上海德朗汽车零部件制造有限公司 | 一种低能耗钎焊炉 |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP11145525A patent/JP2000332405A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106624241A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-10 | 上海德朗汽车零部件制造有限公司 | 一种低能耗钎焊炉 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060801 |