JP2000332002A - 半導体処理装置及びその使用方法 - Google Patents
半導体処理装置及びその使用方法Info
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- JP2000332002A JP2000332002A JP11144702A JP14470299A JP2000332002A JP 2000332002 A JP2000332002 A JP 2000332002A JP 11144702 A JP11144702 A JP 11144702A JP 14470299 A JP14470299 A JP 14470299A JP 2000332002 A JP2000332002 A JP 2000332002A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体処理容器の排気用通路の壁面等に付着
したデポ物が振動により剥がれ落ちて発生するパーティ
クルが半導体ウエハーに付着するのを防止することがで
きる半導体処理装置及びその使用方法を提供する。 【解決手段】 排気用通路１２ａ及び排気口１４を有し
内部に反応ガスを充填して反応処理室１２ｂで半導体ウ
エハー２２のエッチング処理を行う半導体処理容器１２
と、半導体処理容器１２内の排気方向における排気用通
路１２ａの上流側に設けられ、その開側に凹部２４ｃを
有するようほぼＶ字の上半部有底状に断面が形成された
多数のフィルター構成部材２４ａが開側の凹部２４ｃを
同じ側に向けて平面状に並べて設けられたフィルター２
４とを備えた半導体エッチング装置２０。
したデポ物が振動により剥がれ落ちて発生するパーティ
クルが半導体ウエハーに付着するのを防止することがで
きる半導体処理装置及びその使用方法を提供する。 【解決手段】 排気用通路１２ａ及び排気口１４を有し
内部に反応ガスを充填して反応処理室１２ｂで半導体ウ
エハー２２のエッチング処理を行う半導体処理容器１２
と、半導体処理容器１２内の排気方向における排気用通
路１２ａの上流側に設けられ、その開側に凹部２４ｃを
有するようほぼＶ字の上半部有底状に断面が形成された
多数のフィルター構成部材２４ａが開側の凹部２４ｃを
同じ側に向けて平面状に並べて設けられたフィルター２
４とを備えた半導体エッチング装置２０。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウ
エハーの表面に金属電極膜や絶縁酸化膜等の薄膜を形成
したり、或はそのような半導体ウエハーの表面の薄膜を
エッチングする等の半導体処理に用いられるような、半
導体処理装置及びその使用方法に関するものである。
エハーの表面に金属電極膜や絶縁酸化膜等の薄膜を形成
したり、或はそのような半導体ウエハーの表面の薄膜を
エッチングする等の半導体処理に用いられるような、半
導体処理装置及びその使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体処理装置としては、例え
ば、図３に示すような半導体エッチング装置１０があ
る。同図に示す半導体エッチング装置１０は、外部が例
えば、表面にアルマイトコーティングが施されたアルミ
ニウムにより形成された、半導体処理容器１２により覆
われている。
ば、図３に示すような半導体エッチング装置１０があ
る。同図に示す半導体エッチング装置１０は、外部が例
えば、表面にアルマイトコーティングが施されたアルミ
ニウムにより形成された、半導体処理容器１２により覆
われている。
【０００３】そして、この半導体処理容器１２の図中上
側に形成された排気用通路１２ａの上部には、排気口１
４が設けられている。そして、この排気口１４の内側に
は制御弁体１６が、排気口１４からの排気量を調整でき
るようにその傾きを制御可能に、排気口１４に対向して
設けられている。
側に形成された排気用通路１２ａの上部には、排気口１
４が設けられている。そして、この排気口１４の内側に
は制御弁体１６が、排気口１４からの排気量を調整でき
るようにその傾きを制御可能に、排気口１４に対向して
設けられている。
【０００４】半導体処理容器１２内の排気用通路１２ａ
より図中下方の、排気用通路１２ａより広くなっている
反応処理室１２ｂ内には、互いに空間を隔てて、かつ互
いに対向して配置され、電力を印加されることによりそ
の間の空間で放電を行う一対の、上部電極１８と下部電
極１９が設けられている。
より図中下方の、排気用通路１２ａより広くなっている
反応処理室１２ｂ内には、互いに空間を隔てて、かつ互
いに対向して配置され、電力を印加されることによりそ
の間の空間で放電を行う一対の、上部電極１８と下部電
極１９が設けられている。
【０００５】上部電極１８は、例えば表面にアルマイト
コーティングが施されたアルミニウムにより形成され、
下部電極１９は、例えばステンレススチール（ＳＵＳ）
により形成されている。そして下部電極１９の上面に
は、表面に例えば金属電極膜や絶縁酸化膜等の薄膜が形
成された、半導体ウエハー２２が載置されるようになっ
ている。
コーティングが施されたアルミニウムにより形成され、
下部電極１９は、例えばステンレススチール（ＳＵＳ）
により形成されている。そして下部電極１９の上面に
は、表面に例えば金属電極膜や絶縁酸化膜等の薄膜が形
成された、半導体ウエハー２２が載置されるようになっ
ている。
【０００６】このような半導体処理容器１２内に、反応
性ガスとして、塩素系またはクロロフロロカーボン系の
ガスを所定の圧力で供給し、下部電極１９に高周波電力
を印加することにより、上部電極１８と下部電極１９の
間の空間で放電してその空間にプラズマ領域Ａを形成す
る。このとき下部電極１９上の半導体ウエハー２２の表
面の金属電極膜や絶縁酸化膜等の薄膜は、プラズマ領域
Ａ中のラジカルや反応性イオンとの化学的及び物理的反
応により、全面または特定した場所がエッチング処理さ
れる。
性ガスとして、塩素系またはクロロフロロカーボン系の
ガスを所定の圧力で供給し、下部電極１９に高周波電力
を印加することにより、上部電極１８と下部電極１９の
間の空間で放電してその空間にプラズマ領域Ａを形成す
る。このとき下部電極１９上の半導体ウエハー２２の表
面の金属電極膜や絶縁酸化膜等の薄膜は、プラズマ領域
Ａ中のラジカルや反応性イオンとの化学的及び物理的反
応により、全面または特定した場所がエッチング処理さ
れる。
【０００７】その後、エッチングされた物質や反応ガス
等は、半導体処理容器１２内に使用済みガス成分として
存在し、制御弁体１６により時間当りの排気量が制御さ
れて、ターボ分子ポンプ等の超高速真空ポンプ（図示せ
ず）により排気口１４から半導体処理容器１２の外側に
排気される。
等は、半導体処理容器１２内に使用済みガス成分として
存在し、制御弁体１６により時間当りの排気量が制御さ
れて、ターボ分子ポンプ等の超高速真空ポンプ（図示せ
ず）により排気口１４から半導体処理容器１２の外側に
排気される。
【０００８】このように排気される使用済みガス成分
は、半導体処理容器１２の反応処理室１２ｂ及び排気用
通路１２ａの壁面等で冷却されると、固体化してデポ物
と呼ばれるものとなり、このデポ物は上記壁面等に付着
する。
は、半導体処理容器１２の反応処理室１２ｂ及び排気用
通路１２ａの壁面等で冷却されると、固体化してデポ物
と呼ばれるものとなり、このデポ物は上記壁面等に付着
する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体エッチング装置１０においては、図３に示す
ように、排気口１４が半導体処理容器１２の上部に設け
られているため、その排気用通路１２ａの壁面等に付着
した上記デポ物が、大気開放時や、半導体ウエハー２２
の搬送時等における振動により剥がれ落ちる。そして、
その剥がれ落ちたデポ物がパーティクルＰとなって、そ
のパーティクルＰが下部電極１９上の半導体ウエハー２
２に付着する。
来の半導体エッチング装置１０においては、図３に示す
ように、排気口１４が半導体処理容器１２の上部に設け
られているため、その排気用通路１２ａの壁面等に付着
した上記デポ物が、大気開放時や、半導体ウエハー２２
の搬送時等における振動により剥がれ落ちる。そして、
その剥がれ落ちたデポ物がパーティクルＰとなって、そ
のパーティクルＰが下部電極１９上の半導体ウエハー２
２に付着する。
【００１０】このように半導体ウエハー２２に付着した
パーティクルＰは、ドライエッチングの際にマスクとな
り、被エッチング膜が残ってしまう。そして、残った被
エッチング膜が配線材料の場合には配線ショートを起こ
したり、残った被エッチング膜が平坦化膜の場合は平坦
性の悪化を起こし、その後の配線工程にて配線間ショー
トを起こすなどのさまざまな異常を発生させ、半導体ウ
エハー２２のエッチング処理の歩留まりの低下を引き起
こす。
パーティクルＰは、ドライエッチングの際にマスクとな
り、被エッチング膜が残ってしまう。そして、残った被
エッチング膜が配線材料の場合には配線ショートを起こ
したり、残った被エッチング膜が平坦化膜の場合は平坦
性の悪化を起こし、その後の配線工程にて配線間ショー
トを起こすなどのさまざまな異常を発生させ、半導体ウ
エハー２２のエッチング処理の歩留まりの低下を引き起
こす。
【００１１】また、パーティクルＰの発生の増大と共に
半導体エッチング装置１０のメンテナンスの頻度が多く
なり、半導体ウエハー２２から製造されるＬＳＩ等の半
導体装置の生産性の低下にもつながってしまう。
半導体エッチング装置１０のメンテナンスの頻度が多く
なり、半導体ウエハー２２から製造されるＬＳＩ等の半
導体装置の生産性の低下にもつながってしまう。
【００１２】そこで本発明は、このような問題点を解決
するために、半導体処理容器の排気用通路の壁面等に付
着したデポ物が振動によりその壁面等から剥がれ落ちて
発生するパーティクルが半導体ウエハーに付着するのを
防止することができる半導体処理装置及びその使用方法
を提供することを課題とするものである。
するために、半導体処理容器の排気用通路の壁面等に付
着したデポ物が振動によりその壁面等から剥がれ落ちて
発生するパーティクルが半導体ウエハーに付着するのを
防止することができる半導体処理装置及びその使用方法
を提供することを課題とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明による半導体処理装置及びその使用方法
は、次のような構成としたものである。
ために、本発明による半導体処理装置及びその使用方法
は、次のような構成としたものである。
【００１４】（１） 排気用通路及び排気口を有し内部
に反応ガスを充填して反応処理室で半導体材料の反応処
理を行う半導体処理容器と、前記半導体処理容器内の排
気方向における前記排気用通路の上流側に設けられ、そ
の開側に凹部を有するようほぼＶ字の上半部有底状に断
面が形成された多数のフィルター構成部材が前記開側の
凹部を同じ側に向けて平面状に並べて設けられたフィル
ターとを備えたことを構成とする半導体処理装置。
に反応ガスを充填して反応処理室で半導体材料の反応処
理を行う半導体処理容器と、前記半導体処理容器内の排
気方向における前記排気用通路の上流側に設けられ、そ
の開側に凹部を有するようほぼＶ字の上半部有底状に断
面が形成された多数のフィルター構成部材が前記開側の
凹部を同じ側に向けて平面状に並べて設けられたフィル
ターとを備えたことを構成とする半導体処理装置。
【００１５】（２） 排気用通路及び排気口を有し内部
に反応ガスを充填して反応処理室で半導体材料の反応処
理を行う半導体処理容器と、前記半導体処理容器内の排
気方向における前記排気用通路の上流側に設けられ、そ
の開側に凹部を有するようほぼＶ字の上半部有底状に断
面が形成された多数のフィルター構成部材が前記開側の
凹部を同じ側に向けて平面状に並べて設けられたフィル
ターとを備えた半導体処理装置を用いて、前記半導体処
理容器内の使用済みガス成分を前記排気口より排気する
際に、排気方向における前記フィルターより下流側のパ
ーティクルがフィルターより上流側に移動しようとする
ときは、前記パーティクルを前記フィルター構成部材の
開側の凹部内に捕捉するようにしたことを特徴とする半
導体処理装置の使用方法。
に反応ガスを充填して反応処理室で半導体材料の反応処
理を行う半導体処理容器と、前記半導体処理容器内の排
気方向における前記排気用通路の上流側に設けられ、そ
の開側に凹部を有するようほぼＶ字の上半部有底状に断
面が形成された多数のフィルター構成部材が前記開側の
凹部を同じ側に向けて平面状に並べて設けられたフィル
ターとを備えた半導体処理装置を用いて、前記半導体処
理容器内の使用済みガス成分を前記排気口より排気する
際に、排気方向における前記フィルターより下流側のパ
ーティクルがフィルターより上流側に移動しようとする
ときは、前記パーティクルを前記フィルター構成部材の
開側の凹部内に捕捉するようにしたことを特徴とする半
導体処理装置の使用方法。
【００１６】このような構成の半導体処理装置及びその
使用方法によれば、半導体処理容器内の使用済みガス成
分を排気口より排気する際に、排気方向におけるフィル
ターより下流側のパーティクルがフィルターより上流側
に移動しようとするときは、そのパーティクルをフィル
ター構成部材の開側の凹部内に捕捉するようにしたこと
により、フィルターより下流側のパーティクルがフィル
ターより上流側に移動するのを規制することができる。
このため、半導体処理容器の排気用通路の壁面等に付着
したデポ物が振動によりその壁面等から剥がれ落ちて発
生するパーティクルが半導体ウエハーに付着するのを防
止することができる。
使用方法によれば、半導体処理容器内の使用済みガス成
分を排気口より排気する際に、排気方向におけるフィル
ターより下流側のパーティクルがフィルターより上流側
に移動しようとするときは、そのパーティクルをフィル
ター構成部材の開側の凹部内に捕捉するようにしたこと
により、フィルターより下流側のパーティクルがフィル
ターより上流側に移動するのを規制することができる。
このため、半導体処理容器の排気用通路の壁面等に付着
したデポ物が振動によりその壁面等から剥がれ落ちて発
生するパーティクルが半導体ウエハーに付着するのを防
止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づいて具体的に説明する。図１は、本発明
による半導体処理装置及びその使用方法の第１の実施の
形態について説明するために参照する図である。
て、図面に基づいて具体的に説明する。図１は、本発明
による半導体処理装置及びその使用方法の第１の実施の
形態について説明するために参照する図である。
【００１８】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る
半導体エッチング装置２０を示す図である。同図に示す
半導体エッチング装置２０は、外部が例えば、表面にア
ルマイトコーティングが施されたアルミニウムにより形
成された、半導体処理容器１２により覆われている。
半導体エッチング装置２０を示す図である。同図に示す
半導体エッチング装置２０は、外部が例えば、表面にア
ルマイトコーティングが施されたアルミニウムにより形
成された、半導体処理容器１２により覆われている。
【００１９】そして、この半導体処理容器１２の図中上
側に形成された排気用通路１２ａの上部には、排気口１
４が設けられている。そして、この排気口１４の内側に
は制御弁体１６が、排気口１４からの排気量を調整でき
るようにその傾きを制御可能に、排気口１４に対向して
設けられている。
側に形成された排気用通路１２ａの上部には、排気口１
４が設けられている。そして、この排気口１４の内側に
は制御弁体１６が、排気口１４からの排気量を調整でき
るようにその傾きを制御可能に、排気口１４に対向して
設けられている。
【００２０】半導体処理容器１２内の排気用通路１２ａ
より図中下方の、排気用通路１２ａより広くなっている
反応処理室１２ｂ内には、互いに空間を隔てて、かつ互
いに対向して配置され、電力を印加されることによりそ
の間の空間で放電を行う一対の、上部電極１８と下部電
極１９が設けられている。
より図中下方の、排気用通路１２ａより広くなっている
反応処理室１２ｂ内には、互いに空間を隔てて、かつ互
いに対向して配置され、電力を印加されることによりそ
の間の空間で放電を行う一対の、上部電極１８と下部電
極１９が設けられている。
【００２１】上部電極１８は、例えば表面にアルマイト
コーティングが施されたアルミニウムにより形成され、
下部電極１９は、例えばステンレススチール（ＳＵＳ）
により形成されている。そして下部電極１９の上面に
は、表面に例えば金属電極膜や絶縁酸化膜等の薄膜が形
成された、半導体ウエハー２２（半導体材料）が載置さ
れるようになっている。
コーティングが施されたアルミニウムにより形成され、
下部電極１９は、例えばステンレススチール（ＳＵＳ）
により形成されている。そして下部電極１９の上面に
は、表面に例えば金属電極膜や絶縁酸化膜等の薄膜が形
成された、半導体ウエハー２２（半導体材料）が載置さ
れるようになっている。
【００２２】半導体処理容器１２内の、排気方向（半導
体処理容器１２内の矢印方向）における制御弁体１６よ
り上流側（図中下側）にはフィルター２４が設けられて
いる。そしてこのフィルター２４は、図中右上の拡大図
に示すように、その開側に凹部２４ｃを有するようほぼ
Ｖ字の上半部有底状に断面が形成された、多数のフィル
ター構成部材２４ａがその凹部２４ｃを図中上側に向け
て平面状に並べて設けられている。
体処理容器１２内の矢印方向）における制御弁体１６よ
り上流側（図中下側）にはフィルター２４が設けられて
いる。そしてこのフィルター２４は、図中右上の拡大図
に示すように、その開側に凹部２４ｃを有するようほぼ
Ｖ字の上半部有底状に断面が形成された、多数のフィル
ター構成部材２４ａがその凹部２４ｃを図中上側に向け
て平面状に並べて設けられている。
【００２３】そしてこれらの多数のフィルター構成部材
２４ａの相互隣接間には、後述する使用済みガス成分が
通れる隙間２４ｂが形成されている。また、フィルター
２４の近傍で半導体処理容器１２の外側には、フィルタ
ー２４を加熱するヒーター２６が設けられている。
２４ａの相互隣接間には、後述する使用済みガス成分が
通れる隙間２４ｂが形成されている。また、フィルター
２４の近傍で半導体処理容器１２の外側には、フィルタ
ー２４を加熱するヒーター２６が設けられている。
【００２４】このような半導体エッチング装置２０の半
導体処理容器１２内に、反応性ガスとして、塩素系また
はクロロフロロカーボン系のガスを所定の圧力で供給
し、下部電極１９に高周波電力を印加することにより、
上部電極１８と下部電極１９の間の空間で放電して、そ
の空間にプラズマ領域Ａを形成する。このとき下部電極
１９上の半導体ウエハー２２の表面の金属電極膜や絶縁
酸化膜等の薄膜は、プラズマ領域Ａ中のラジカルや反応
性イオンとの化学的及び物理的反応により、全面または
特定した場所がエッチング処理される。
導体処理容器１２内に、反応性ガスとして、塩素系また
はクロロフロロカーボン系のガスを所定の圧力で供給
し、下部電極１９に高周波電力を印加することにより、
上部電極１８と下部電極１９の間の空間で放電して、そ
の空間にプラズマ領域Ａを形成する。このとき下部電極
１９上の半導体ウエハー２２の表面の金属電極膜や絶縁
酸化膜等の薄膜は、プラズマ領域Ａ中のラジカルや反応
性イオンとの化学的及び物理的反応により、全面または
特定した場所がエッチング処理される。
【００２５】その後、エッチングされた物質や反応ガス
等は、半導体処理容器１２内に使用済みガス成分として
存在し、制御弁体１６により時間当りの排気量が制御さ
れて、ターボ分子ポンプ等の超高速真空ポンプ（図示せ
ず）により排気口１４から半導体処理容器１２の外側に
排気される。このように排気される使用済みガス成分
は、フィルター２４を通過した後、排気用通路１２ａを
通ってから制御弁体１６を通過して排気口１４から排気
される。
等は、半導体処理容器１２内に使用済みガス成分として
存在し、制御弁体１６により時間当りの排気量が制御さ
れて、ターボ分子ポンプ等の超高速真空ポンプ（図示せ
ず）により排気口１４から半導体処理容器１２の外側に
排気される。このように排気される使用済みガス成分
は、フィルター２４を通過した後、排気用通路１２ａを
通ってから制御弁体１６を通過して排気口１４から排気
される。
【００２６】このように排気される使用済みガス成分が
フィルター２４を通過する際には、フィルター２４がヒ
ーター２６により加熱されるため、排気される使用済み
ガス成分がフィルター２４により冷却されることはない
ので、その使用済みガス成分が冷却されて固体化するデ
ポ物がフィルター２４に付着するのを防止することがで
きる。
フィルター２４を通過する際には、フィルター２４がヒ
ーター２６により加熱されるため、排気される使用済み
ガス成分がフィルター２４により冷却されることはない
ので、その使用済みガス成分が冷却されて固体化するデ
ポ物がフィルター２４に付着するのを防止することがで
きる。
【００２７】そして、排気される使用済みガス成分はフ
ィルター２４を通過した後、排気用通路１２ａの壁面等
で冷却されて固体化してデポ物を生成し、このデポ物は
その壁面等に付着する。このようなデポ物は、半導体処
理容器１２の大気開放時や、半導体ウエハー２２の搬送
時等における振動によりその壁面等から剥がれ落ちる。
そして、その剥がれ落ちたデポ物がパーティクルＰとな
り、そのパーティクルＰがフィルター２４より上流側に
流れ込もうとすると、多数のフィルター構成部材２４ａ
の開側の凹部２４ｃに入って捕捉される。
ィルター２４を通過した後、排気用通路１２ａの壁面等
で冷却されて固体化してデポ物を生成し、このデポ物は
その壁面等に付着する。このようなデポ物は、半導体処
理容器１２の大気開放時や、半導体ウエハー２２の搬送
時等における振動によりその壁面等から剥がれ落ちる。
そして、その剥がれ落ちたデポ物がパーティクルＰとな
り、そのパーティクルＰがフィルター２４より上流側に
流れ込もうとすると、多数のフィルター構成部材２４ａ
の開側の凹部２４ｃに入って捕捉される。
【００２８】このようにして、排気方向におけるフィル
ター２４より下流側のパーティクルＰが、フィルター２
４より上流側に流れ込むのを規制することができるた
め、パーティクルＰが反応処理室１２ｂ内の下部電極１
９上の半導体ウエハー２２に付着するのを防止すること
ができる。
ター２４より下流側のパーティクルＰが、フィルター２
４より上流側に流れ込むのを規制することができるた
め、パーティクルＰが反応処理室１２ｂ内の下部電極１
９上の半導体ウエハー２２に付着するのを防止すること
ができる。
【００２９】図２は、本発明の第２の実施の形態に係る
半導体エッチング装置３０について説明するために参照
する図である。前記第１の実施の形態においては、排気
口１４が半導体処理容器１２の上部に形成されていたの
に対して、この第２の実施の形態においては、排気口３
４が半導体処理容器３２の下部に形成されている点にお
いて異なるものである。
半導体エッチング装置３０について説明するために参照
する図である。前記第１の実施の形態においては、排気
口１４が半導体処理容器１２の上部に形成されていたの
に対して、この第２の実施の形態においては、排気口３
４が半導体処理容器３２の下部に形成されている点にお
いて異なるものである。
【００３０】また、半導体処理容器３２内の、排気方向
（半導体処理容器３２内の矢印方向）における制御弁体
１６より上流側（図中上側）にはフィルター２４が設け
られ、このフィルター２４は図中右上の拡大図に示すよ
うに、その開側に凹部２４ｃを有するようほぼＶ字の上
半部有底状に断面が形成された、多数のフィルター構成
部材２４ａがその凹部２４ｃを図中下側に向けて平面状
に並べて設けられている。
（半導体処理容器３２内の矢印方向）における制御弁体
１６より上流側（図中上側）にはフィルター２４が設け
られ、このフィルター２４は図中右上の拡大図に示すよ
うに、その開側に凹部２４ｃを有するようほぼＶ字の上
半部有底状に断面が形成された、多数のフィルター構成
部材２４ａがその凹部２４ｃを図中下側に向けて平面状
に並べて設けられている。
【００３１】そしてこれらの多数のフィルター構成部材
２４ａの相互隣接間には、使用済みガス成分が通れる隙
間２４ｂが形成されている。また、フィルター２４の近
傍で半導体処理容器１２の外側には、フィルター２４を
加熱するヒーター２６が設けられている。
２４ａの相互隣接間には、使用済みガス成分が通れる隙
間２４ｂが形成されている。また、フィルター２４の近
傍で半導体処理容器１２の外側には、フィルター２４を
加熱するヒーター２６が設けられている。
【００３２】そして、排気される使用済みガス成分がフ
ィルター２４を通過する際には、フィルター２４がヒー
ター２６により加熱されるため、排気される使用済みガ
ス成分がフィルター２４により冷却されることはないの
で、その使用済みガス成分が冷却されて固体化するデポ
物がフィルター２４に付着するのを防止することができ
る。
ィルター２４を通過する際には、フィルター２４がヒー
ター２６により加熱されるため、排気される使用済みガ
ス成分がフィルター２４により冷却されることはないの
で、その使用済みガス成分が冷却されて固体化するデポ
物がフィルター２４に付着するのを防止することができ
る。
【００３３】このような本発明の第２の実施の形態に係
る半導体エッチング装置３０においては、半導体処理容
器３２の排気用通路３２ａの壁等から剥がれ落ちたデポ
物がパーティクルＰとなって、大気開放時や、半導体ウ
エハー２２の搬送時等における振動により巻き上げられ
て、パーティクルＰがフィルター２４より上流側に流れ
込もうとすると、多数のフィルター構成部材２４ａの開
側の凹部２４ｃに入って捕捉される。
る半導体エッチング装置３０においては、半導体処理容
器３２の排気用通路３２ａの壁等から剥がれ落ちたデポ
物がパーティクルＰとなって、大気開放時や、半導体ウ
エハー２２の搬送時等における振動により巻き上げられ
て、パーティクルＰがフィルター２４より上流側に流れ
込もうとすると、多数のフィルター構成部材２４ａの開
側の凹部２４ｃに入って捕捉される。
【００３４】このようにして、排気方向におけるフィル
ター２４より下流側のパーティクルＰがフィルター２４
より上流側に流れ込むのを規制することができるため、
パーティクルＰが反応処理室１２ｂ内の下部電極１９上
の半導体ウエハー２２に付着するのを防止することがで
きる。
ター２４より下流側のパーティクルＰがフィルター２４
より上流側に流れ込むのを規制することができるため、
パーティクルＰが反応処理室１２ｂ内の下部電極１９上
の半導体ウエハー２２に付着するのを防止することがで
きる。
【００３５】なお、前記実施の形態においては本発明を
半導体エッチング装置に適用した場合について説明した
が、本発明は、半導体エッチング装置以外に、金属電極
膜や絶縁酸化膜等の薄膜を形成する薄膜形成装置等、そ
の他のどのような半導体処理装置にも適用することがで
きる。
半導体エッチング装置に適用した場合について説明した
が、本発明は、半導体エッチング装置以外に、金属電極
膜や絶縁酸化膜等の薄膜を形成する薄膜形成装置等、そ
の他のどのような半導体処理装置にも適用することがで
きる。
【００３６】また、前記実施の形態においてはフィルタ
ー２４を加熱するためにヒーター２６を設けた場合につ
いて説明したが、フィルター２４だけでなく、排気用通
路１２ａ，３２ａの壁全体をも加熱するためのヒーター
を設けるようにしてもよい。
ー２４を加熱するためにヒーター２６を設けた場合につ
いて説明したが、フィルター２４だけでなく、排気用通
路１２ａ，３２ａの壁全体をも加熱するためのヒーター
を設けるようにしてもよい。
【００３７】また前記実施の形態においては、半導体処
理容器１２や上部電極１８は表面にアルマイトコーティ
ングが施されたアルミニウムにより形成され、下部電極
１９はステンレススチール（ＳＵＳ）により形成される
場合を例示して説明したが、それらの半導体処理容器１
２、上部電極１８や下部電極１９は、他の材料によって
も形成することができることはもちろんである。
理容器１２や上部電極１８は表面にアルマイトコーティ
ングが施されたアルミニウムにより形成され、下部電極
１９はステンレススチール（ＳＵＳ）により形成される
場合を例示して説明したが、それらの半導体処理容器１
２、上部電極１８や下部電極１９は、他の材料によって
も形成することができることはもちろんである。
【００３８】以上、本発明の実施の形態について具体的
に述べてきたが、本発明は上記の実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の技術的思想に基づいて、その
他にも各種の変更が可能となる。
に述べてきたが、本発明は上記の実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の技術的思想に基づいて、その
他にも各種の変更が可能となる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体処
理装置及びその使用方法によれば、半導体処理容器内の
使用済みガス成分を排気口より排気する際に、排気方向
におけるフィルターより下流側のパーティクルがフィル
ターより上流側に移動しようとするときは、そのパーテ
ィクルをフィルター構成部材の開側の凹部内に捕捉する
ようにしたことにより、フィルターより下流側のパーテ
ィクルがフィルターより上流側に移動するのを規制する
ことができる。このため、半導体処理容器の排気用通路
の壁面等に付着したデポ物が振動によりその壁面等から
剥がれ落ちて発生するパーティクルが半導体ウエハーに
付着するのを防止することができる。
理装置及びその使用方法によれば、半導体処理容器内の
使用済みガス成分を排気口より排気する際に、排気方向
におけるフィルターより下流側のパーティクルがフィル
ターより上流側に移動しようとするときは、そのパーテ
ィクルをフィルター構成部材の開側の凹部内に捕捉する
ようにしたことにより、フィルターより下流側のパーテ
ィクルがフィルターより上流側に移動するのを規制する
ことができる。このため、半導体処理容器の排気用通路
の壁面等に付着したデポ物が振動によりその壁面等から
剥がれ落ちて発生するパーティクルが半導体ウエハーに
付着するのを防止することができる。
【００４０】また、本発明の半導体処理装置及びその使
用方法によれば、半導体処理装置のメンテナンスの頻度
を低減させることができるので、ＬＳＩ等の半導体装置
の生産性の低下をも防止することができる。
用方法によれば、半導体処理装置のメンテナンスの頻度
を低減させることができるので、ＬＳＩ等の半導体装置
の生産性の低下をも防止することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体エッチ
ング装置を示す断面側面図及びフィルターの拡大断面側
面図である。
ング装置を示す断面側面図及びフィルターの拡大断面側
面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体エッチ
ング装置を示す断面側面図及びフィルターの拡大断面側
面図である。
ング装置を示す断面側面図及びフィルターの拡大断面側
面図である。
【図３】従来の半導体エッチング装置を示す断面側面図
である。
である。
１０，２０，３０…半導体エッチング装置、１２…半導
体処理容器、１２ａ…排気用通路、１２ｂ…反応処理
室、１４…排気口、１６…制御弁体、１８…上部電極、
１９…下部電極、２２…半導体ウエハー、２４…フィル
ター、２４ａ…フィルター構成部材、２４ｂ…隙間、２
４ｃ…凹部、２６…ヒーター、３２…半導体処理容器、
３２ａ…排気用通路、３４…排気口
体処理容器、１２ａ…排気用通路、１２ｂ…反応処理
室、１４…排気口、１６…制御弁体、１８…上部電極、
１９…下部電極、２２…半導体ウエハー、２４…フィル
ター、２４ａ…フィルター構成部材、２４ｂ…隙間、２
４ｃ…凹部、２６…ヒーター、３２…半導体処理容器、
３２ａ…排気用通路、３４…排気口
Claims (5)
- 【請求項１】 排気用通路及び排気口を有し内部に反応
ガスを充填して反応処理室で半導体材料の反応処理を行
う半導体処理容器と、 前記半導体処理容器内の排気方向における前記排気用通
路の上流側に設けられ、その開側に凹部を有するようほ
ぼＶ字の上半部有底状に断面が形成された多数のフィル
ター構成部材が前記開側の凹部を同じ側に向けて平面状
に並べて設けられたフィルターとを備えたことを特徴と
する半導体処理装置。 - 【請求項２】 前記排気口が前記半導体処理容器の上部
に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の半導体
処理装置。 - 【請求項３】 前記排気口が前記半導体処理容器の下部
に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の半導体
処理装置。 - 【請求項４】 前記フィルターの近傍にヒーターを設け
たことを特徴とする請求項１に記載の半導体処理装置。 - 【請求項５】 排気用通路及び排気口を有し内部に反応
ガスを充填して反応処理室で半導体材料の反応処理を行
う半導体処理容器と、 前記半導体処理容器内の排気方向における前記排気用通
路の上流側に設けられ、その開側に凹部を有するようほ
ぼＶ字の上半部有底状に断面が形成された多数のフィル
ター構成部材が前記開側の凹部を同じ側に向けて平面状
に並べて設けられたフィルターとを備えた半導体処理装
置を用いて、 前記半導体処理容器内の使用済みガス成分を前記排気口
より排気する際に、 排気方向における前記フィルターより下流側のパーティ
クルがフィルターより上流側に移動しようとするとき
は、 前記パーティクルを前記フィルター構成部材の開側の凹
部内に捕捉するようにしたことを特徴とする半導体処理
装置の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144702A JP2000332002A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 半導体処理装置及びその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144702A JP2000332002A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 半導体処理装置及びその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332002A true JP2000332002A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15368303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11144702A Pending JP2000332002A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 半導体処理装置及びその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000332002A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030068628A (ko) * | 2002-02-15 | 2003-08-25 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조용 챔버 |
| CH697552B1 (de) * | 2004-11-12 | 2008-11-28 | Oerlikon Trading Ag | Vakuumbehandlungsanlage. |
| TWI771191B (zh) * | 2021-06-24 | 2022-07-11 | 南韓商未來寶股份有限公司 | 在蝕刻製程中產生的反應副產物的捕獲裝置 |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP11144702A patent/JP2000332002A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030068628A (ko) * | 2002-02-15 | 2003-08-25 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조용 챔버 |
| CH697552B1 (de) * | 2004-11-12 | 2008-11-28 | Oerlikon Trading Ag | Vakuumbehandlungsanlage. |
| TWI771191B (zh) * | 2021-06-24 | 2022-07-11 | 南韓商未來寶股份有限公司 | 在蝕刻製程中產生的反應副產物的捕獲裝置 |
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