JP2000327617A - オキシスチレン誘導体の蒸留方法 - Google Patents
オキシスチレン誘導体の蒸留方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ポリマー生成がほとんどなく、高い回収率でオ
キシスチレン誘導体を得る経済性に優れた蒸留方法を提
供する。 【解決の手段】一般式１のオキシスチレン誘導体の蒸留
において、重合禁止剤としてニトロソ化合物及び／又は
ニトロ化合物を添加するオキシスチレン誘導体の蒸留方
法。 （Ｒは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル
基、アルコキシアルキル基、アルキルカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基又はアルキルシリル基を表わ
す。）
キシスチレン誘導体を得る経済性に優れた蒸留方法を提
供する。 【解決の手段】一般式１のオキシスチレン誘導体の蒸留
において、重合禁止剤としてニトロソ化合物及び／又は
ニトロ化合物を添加するオキシスチレン誘導体の蒸留方
法。 （Ｒは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル
基、アルコキシアルキル基、アルキルカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基又はアルキルシリル基を表わ
す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医農薬、機能性高
分子等の原料として有用なオキシスチレン誘導体の蒸留
方法に関するものである。例えば、パラ−第３級−ブト
キシスチレン（以下、ｐ−第３級−ブトキシスチレンを
「ＰＴＢＳ」と略記する）、パラ−アセトキシスチレン
（以下、ｐ−アセトキシスチレンを「ＰＡＣＳ」と略記
する）は、超ＬＳＩ用途等に使用されるレジスト原料と
して極めて有用であることが知られており（特開昭５９
−１９９７０５号公報、特開平３−２７７６０８号公
報、特開平６−２６６１１２号公報）、また、メタ−第
３級−ブトキシスチレン（以下、ｍ−第３級−ブトキシ
スチレンを「ＭＴＢＳ」と略記する）は、機能性高分
子、医農薬等の中間原料として有用であることが知られ
ている（特開平２−１６０７３９号公報）。
分子等の原料として有用なオキシスチレン誘導体の蒸留
方法に関するものである。例えば、パラ−第３級−ブト
キシスチレン（以下、ｐ−第３級−ブトキシスチレンを
「ＰＴＢＳ」と略記する）、パラ−アセトキシスチレン
（以下、ｐ−アセトキシスチレンを「ＰＡＣＳ」と略記
する）は、超ＬＳＩ用途等に使用されるレジスト原料と
して極めて有用であることが知られており（特開昭５９
−１９９７０５号公報、特開平３−２７７６０８号公
報、特開平６−２６６１１２号公報）、また、メタ−第
３級−ブトキシスチレン（以下、ｍ−第３級−ブトキシ
スチレンを「ＭＴＢＳ」と略記する）は、機能性高分
子、医農薬等の中間原料として有用であることが知られ
ている（特開平２−１６０７３９号公報）。
【０００２】
【従来の技術】ＰＴＢＳやＰＡＣＳ、ＭＴＢＳのごとき
オキシスチレン誘導体は、一般に光や熱などによって重
合することが知られている。例えば、ＰＴＢＳやＭＴＢ
Ｓのごとき第３級−ブトキシスチレンは、ハロスチレン
をマグネシウムと反応させグリニヤール試剤とした後、
過安息香酸−第３級ブチルエステルを作用させて得る方
法（特開昭５９−１９９７０５号公報），第３級−ブト
キシハロベンゼンをマグネシウムと反応させグリニヤー
ル試剤とした後、塩化ビニル、臭化ビニル等のビニルハ
ライドを作用させて得る方法（特公平４−７１８９６号
公報、特開平２−１６０７３９号公報）等により得られ
る。また、ＰＡＣＳのごときアセトキシスチレンは、ア
セトキシベンズアルデヒドをジブロモメタンと作用させ
て得る方法（特開平８−１５７４１０号公報）等により
得られる。
オキシスチレン誘導体は、一般に光や熱などによって重
合することが知られている。例えば、ＰＴＢＳやＭＴＢ
Ｓのごとき第３級−ブトキシスチレンは、ハロスチレン
をマグネシウムと反応させグリニヤール試剤とした後、
過安息香酸−第３級ブチルエステルを作用させて得る方
法（特開昭５９−１９９７０５号公報），第３級−ブト
キシハロベンゼンをマグネシウムと反応させグリニヤー
ル試剤とした後、塩化ビニル、臭化ビニル等のビニルハ
ライドを作用させて得る方法（特公平４−７１８９６号
公報、特開平２−１６０７３９号公報）等により得られ
る。また、ＰＡＣＳのごときアセトキシスチレンは、ア
セトキシベンズアルデヒドをジブロモメタンと作用させ
て得る方法（特開平８−１５７４１０号公報）等により
得られる。
【０００３】これらオキシスチレン誘導体の製造法につ
いては、いずれの場合においても、製品を分離回収する
ために、通常、蒸留操作が行われる。しかしながら、こ
れらオキシスチレン誘導体は、前記したように光や熱に
より重合してポリマー状物質を形成するため、製品収率
が著しく低下するという問題がある。更に、蒸留釜内及
び蒸留塔内において高粘性のポリマー状物質が生成する
ため種々のトラブルを引き起こす。従って、このような
蒸留工程での重合トラブルを回避するために、これま
で、重合禁止剤の存在下に蒸留操作を行う方法がとられ
ている。例えば、ＰＴＢＳ，ＭＴＢＳのごとき第三級−
ブトキシスチレンにおいては、ｐ−第三級−ブチルカテ
コールの存在下に蒸留を行う方法（特公平４−７１８９
６号公報、特開平２−１６０７３９号公報）、また、Ｐ
ＡＣＳのごときアセトキシスチレンにおいては２−第三
級−ブチルハイドロキノンの存在下に蒸留を行う方法
（特開平８−１５７４１０号公報）が開示されている。
いては、いずれの場合においても、製品を分離回収する
ために、通常、蒸留操作が行われる。しかしながら、こ
れらオキシスチレン誘導体は、前記したように光や熱に
より重合してポリマー状物質を形成するため、製品収率
が著しく低下するという問題がある。更に、蒸留釜内及
び蒸留塔内において高粘性のポリマー状物質が生成する
ため種々のトラブルを引き起こす。従って、このような
蒸留工程での重合トラブルを回避するために、これま
で、重合禁止剤の存在下に蒸留操作を行う方法がとられ
ている。例えば、ＰＴＢＳ，ＭＴＢＳのごとき第三級−
ブトキシスチレンにおいては、ｐ−第三級−ブチルカテ
コールの存在下に蒸留を行う方法（特公平４−７１８９
６号公報、特開平２−１６０７３９号公報）、また、Ｐ
ＡＣＳのごときアセトキシスチレンにおいては２−第三
級−ブチルハイドロキノンの存在下に蒸留を行う方法
（特開平８−１５７４１０号公報）が開示されている。
【０００４】しかしながら、これらの重合禁止剤は、蒸
留工程における加熱条件下では、十分なポリマー形成の
抑制効果を示さず、製品収率が低下するという問題に加
え、高粘性ポリマー状物質の生成により蒸留塔及び配管
が閉塞する等のトラブルを引き起こし、オキシスチレン
誘導体の蒸留方法として満足できるものではなかった。
留工程における加熱条件下では、十分なポリマー形成の
抑制効果を示さず、製品収率が低下するという問題に加
え、高粘性ポリマー状物質の生成により蒸留塔及び配管
が閉塞する等のトラブルを引き起こし、オキシスチレン
誘導体の蒸留方法として満足できるものではなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の課題
に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来の方法
では満足できなかったオキシスチレン誘導体の蒸留方法
を提供することにある。すなわち、従来の問題点を解決
し、ポリマー生成がほとんどなく、高い回収率でＰＴＢ
ＳやＰＡＣＳ、ＭＴＢＳのごときオキシスチレン誘導体
を得る経済性に優れた蒸留方法を提供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来の方法
では満足できなかったオキシスチレン誘導体の蒸留方法
を提供することにある。すなわち、従来の問題点を解決
し、ポリマー生成がほとんどなく、高い回収率でＰＴＢ
ＳやＰＡＣＳ、ＭＴＢＳのごときオキシスチレン誘導体
を得る経済性に優れた蒸留方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の問
題点を解決すべく鋭意検討した結果、ＰＴＢＳやＰＡＣ
Ｓ、ＭＴＢＳのごときオキシスチレン誘導体の蒸留工程
において、重合禁止剤として、ニトロソ化合物及び／又
はニトロ化合物を添加することにより、実質的にポリマ
ー状物質が生成することなく、ＰＴＢＳやＰＡＣＳ、Ｍ
ＴＢＳのごときオキシスチレン誘導体を高い回収率で蒸
留可能となることを見出し、本発明を完成させるに至っ
た。
題点を解決すべく鋭意検討した結果、ＰＴＢＳやＰＡＣ
Ｓ、ＭＴＢＳのごときオキシスチレン誘導体の蒸留工程
において、重合禁止剤として、ニトロソ化合物及び／又
はニトロ化合物を添加することにより、実質的にポリマ
ー状物質が生成することなく、ＰＴＢＳやＰＡＣＳ、Ｍ
ＴＢＳのごときオキシスチレン誘導体を高い回収率で蒸
留可能となることを見出し、本発明を完成させるに至っ
た。
【０００７】すなわち、本発明は、オキシスチレン誘導
体の蒸留において、重合禁止剤として、ニトロソ化合物
及び／又はニトロ化合物を添加することを特徴とするオ
キシスチレン誘導体の蒸留方法である。
体の蒸留において、重合禁止剤として、ニトロソ化合物
及び／又はニトロ化合物を添加することを特徴とするオ
キシスチレン誘導体の蒸留方法である。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】本発明において使用される上記一般式
（１）で表わされるオキシスチレン誘導体とは、ヒドロ
キシスチレンの水酸基の水素がアルキル基、アリール
基、アリールアルキル基、アルコキシアルキル基、アル
キルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキル
シリル基に置換されたものをいい、例えば、ｐ−メトキ
シスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−エトキシスチ
レン、ｍ−エトキシスチレン、ｐ−ｎ−プロポキシスチ
レン、ｍ−ｎ−プロポキシスチレン、ｐ−ｉ−プロポキ
シスチレン、ｍ−ｉ−プロポキシスチレン、ｐ−ｎ−ブ
トキシスチレン、ｍ−ｎ−ブトキシスチレン、ｐ−ｉ−
ブトキシスチレン、ｍ−ｉ−ブトキシスチレン、ｐ−第
三級−ブトキシスチレン（ＰＴＢＳ）、ｍ−第三級−ブ
トキシスチレン（ＭＴＢＳ）、ｐ−ｎ−ペンチルオキシ
スチレン、ｍ−ｎ−ペンチルオキシスチレン、ｐ−ｉ−
ペンチルオキシスチレン、ｍ−ｉ−ペンチルオキシスチ
レン、ｐ−第三級−アミルオキシスチレン、ｐ−第三級
−アミルオキシスチレン、ｐ−シクロプロピルメチルオ
キシスチレン、ｍ−シクロプロピルメチルオキシスチレ
ン、ｐ−シクロヘキシルオキシスチレン、ｍ−シクロヘ
キシルオキシスチレン等のアルコキシスチレン類、ｐ−
フェニルオキシスチレン、ｍ−フェニルオキシスチレ
ン、ｐ−（４−メチルフェニル）オキシスチレン、ｍ−
（４−メチルフェニル）オキシスチレン、ｐ−（２−メ
チルフェニル）オキシスチレン、ｍ−（２−メチルフェ
ニル）オキシスチレン、ｐ−（４−メトキシフェニル）
オキシスチレン、ｍ−（４−メトキシフェニル）オキシ
スチレン、ｐ−（２−メトキシフェニル）オキシスチレ
ン、ｍ−（２−メトキシフェニル）オキシスチレン、ｐ
−（４−エトキシフェニル）オキシスチレン、ｍ−（４
−エトキシフェニル）オキシスチレン、ｐ−（２−エト
キシフェニル）オキシスチレン、ｍ−（２−エトキシフ
ェニル）オキシスチレン、ｐ−（４−第三級−ブトキシ
フェニル）オキシスチレン、ｍ−（４−第三級−ブトキ
シフェニル）オキシスチレン、ｐ−（２−第三級−ブト
キシフェニル）オキシスチレン、ｍ−（２−第三級−ブ
トキシフェニル）オキシスチレン等のアリールオキシス
チレン類、ｐ−ベンジルオキシスチレン、ｍ−ベンジル
オキシスチレン、ｐ−（４−メチルフェニル）メトキシ
スチレン、ｍ−（４−メチルフェニル）メトキシスチレ
ン、等のアリールアルキルオキシスチレン類、ｐ−メト
キシメトキシスチレン、ｍ−メトキシメトキシスチレ
ン、ｐ−（２−テトラヒドロピラニル）オキシスチレ
ン、ｍ−（２−テトラヒドロピラニル）オキシスチレン
等のアルコキシアルキルオキシスチレン類、ｐ−アセト
キシスチレン（ＰＡＣＳ）、ｍ−アセトキシスチレン、
ｐ−アセトキシスチレン、ｐ−第三級−ブチルカルボニ
ルオキシスチレン、ｍ−第三級−ブチルカルボニルオキ
シスチレン等のアルキルカルボニルオキシスチレン類、
ｐ−メトキシカルボニルオキシスチレン、ｍ−メトキシ
カルボニルオキシスチレン、ｐ−ベンジロキシカルボニ
ルオキシスチレン、ｍ−ベンジロキシカルボニルオキシ
スチレン、ｐ−第三級−ブトキシカルボニルオキシスチ
レン、ｍ−第三級−ブトキシカルボニルオキシスチレン
等のアルコキシカルボニルオキシスチレン類、ｐ−トリ
メチルシリルオキシスチレン、ｍ−トリメチルシリルオ
キシスチレン、ｐ−第三級−ブチルジメチルシリルオキ
シスチレン、ｍ−第三級−ブチルジメチルシリルオキシ
スチレン等のアルキルシリルオキシスチレン類等が挙げ
られる。
（１）で表わされるオキシスチレン誘導体とは、ヒドロ
キシスチレンの水酸基の水素がアルキル基、アリール
基、アリールアルキル基、アルコキシアルキル基、アル
キルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキル
シリル基に置換されたものをいい、例えば、ｐ−メトキ
シスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−エトキシスチ
レン、ｍ−エトキシスチレン、ｐ−ｎ−プロポキシスチ
レン、ｍ−ｎ−プロポキシスチレン、ｐ−ｉ−プロポキ
シスチレン、ｍ−ｉ−プロポキシスチレン、ｐ−ｎ−ブ
トキシスチレン、ｍ−ｎ−ブトキシスチレン、ｐ−ｉ−
ブトキシスチレン、ｍ−ｉ−ブトキシスチレン、ｐ−第
三級−ブトキシスチレン（ＰＴＢＳ）、ｍ−第三級−ブ
トキシスチレン（ＭＴＢＳ）、ｐ−ｎ−ペンチルオキシ
スチレン、ｍ−ｎ−ペンチルオキシスチレン、ｐ−ｉ−
ペンチルオキシスチレン、ｍ−ｉ−ペンチルオキシスチ
レン、ｐ−第三級−アミルオキシスチレン、ｐ−第三級
−アミルオキシスチレン、ｐ−シクロプロピルメチルオ
キシスチレン、ｍ−シクロプロピルメチルオキシスチレ
ン、ｐ−シクロヘキシルオキシスチレン、ｍ−シクロヘ
キシルオキシスチレン等のアルコキシスチレン類、ｐ−
フェニルオキシスチレン、ｍ−フェニルオキシスチレ
ン、ｐ−（４−メチルフェニル）オキシスチレン、ｍ−
（４−メチルフェニル）オキシスチレン、ｐ−（２−メ
チルフェニル）オキシスチレン、ｍ−（２−メチルフェ
ニル）オキシスチレン、ｐ−（４−メトキシフェニル）
オキシスチレン、ｍ−（４−メトキシフェニル）オキシ
スチレン、ｐ−（２−メトキシフェニル）オキシスチレ
ン、ｍ−（２−メトキシフェニル）オキシスチレン、ｐ
−（４−エトキシフェニル）オキシスチレン、ｍ−（４
−エトキシフェニル）オキシスチレン、ｐ−（２−エト
キシフェニル）オキシスチレン、ｍ−（２−エトキシフ
ェニル）オキシスチレン、ｐ−（４−第三級−ブトキシ
フェニル）オキシスチレン、ｍ−（４−第三級−ブトキ
シフェニル）オキシスチレン、ｐ−（２−第三級−ブト
キシフェニル）オキシスチレン、ｍ−（２−第三級−ブ
トキシフェニル）オキシスチレン等のアリールオキシス
チレン類、ｐ−ベンジルオキシスチレン、ｍ−ベンジル
オキシスチレン、ｐ−（４−メチルフェニル）メトキシ
スチレン、ｍ−（４−メチルフェニル）メトキシスチレ
ン、等のアリールアルキルオキシスチレン類、ｐ−メト
キシメトキシスチレン、ｍ−メトキシメトキシスチレ
ン、ｐ−（２−テトラヒドロピラニル）オキシスチレ
ン、ｍ−（２−テトラヒドロピラニル）オキシスチレン
等のアルコキシアルキルオキシスチレン類、ｐ−アセト
キシスチレン（ＰＡＣＳ）、ｍ−アセトキシスチレン、
ｐ−アセトキシスチレン、ｐ−第三級−ブチルカルボニ
ルオキシスチレン、ｍ−第三級−ブチルカルボニルオキ
シスチレン等のアルキルカルボニルオキシスチレン類、
ｐ−メトキシカルボニルオキシスチレン、ｍ−メトキシ
カルボニルオキシスチレン、ｐ−ベンジロキシカルボニ
ルオキシスチレン、ｍ−ベンジロキシカルボニルオキシ
スチレン、ｐ−第三級−ブトキシカルボニルオキシスチ
レン、ｍ−第三級−ブトキシカルボニルオキシスチレン
等のアルコキシカルボニルオキシスチレン類、ｐ−トリ
メチルシリルオキシスチレン、ｍ−トリメチルシリルオ
キシスチレン、ｐ−第三級−ブチルジメチルシリルオキ
シスチレン、ｍ−第三級−ブチルジメチルシリルオキシ
スチレン等のアルキルシリルオキシスチレン類等が挙げ
られる。
【００１０】本発明の方法において、重合禁止剤として
用いられるニトロソ化合物及び／又はニトロ化合物と
は、構造式中にニトロソ基及び／又はニトロ基を含有す
るものを言う。ニトロソ化合物としては例えば、ニトロ
ソベンゼン、ニトロソトルエン、ｐ−ニトロソフェノー
ル、ニトロソレゾルシノール、１−ニトロソ−２−ナフ
トール、２−ニトロソ−１−ナフトール等のニトロソ芳
香族炭化水素、Ｎ−ニトロソジフェニルアミン、Ｎ−ニ
トロソ−Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−フェ
ニルアニリン、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミ
ン、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩（金属
塩、アンモニウム塩等）等のＮ−ニトロソ類が挙げられ
る。また、ニトロ化合物としては例えば、ｏ−ジニトロ
ベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｐ−ジニトロベンゼ
ン、２，４−ジニトロクロロベンゼン、１，５−ジニト
ロナフタレン、２，４−ジニトロ−１−ナフトール、
２，４−ジニトロフェノール、２，５−ジニトロフェノ
ール、２，４−ジニトロ−６−第二級−ブチル−フェノ
ール、４，６−ジニトロ−ｏ−クレゾール、１，３，５
−トリニトロベンゼン等のニトロ芳香族化合物が挙げら
れる。
用いられるニトロソ化合物及び／又はニトロ化合物と
は、構造式中にニトロソ基及び／又はニトロ基を含有す
るものを言う。ニトロソ化合物としては例えば、ニトロ
ソベンゼン、ニトロソトルエン、ｐ−ニトロソフェノー
ル、ニトロソレゾルシノール、１−ニトロソ−２−ナフ
トール、２−ニトロソ−１−ナフトール等のニトロソ芳
香族炭化水素、Ｎ−ニトロソジフェニルアミン、Ｎ−ニ
トロソ−Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−フェ
ニルアニリン、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミ
ン、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩（金属
塩、アンモニウム塩等）等のＮ−ニトロソ類が挙げられ
る。また、ニトロ化合物としては例えば、ｏ−ジニトロ
ベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｐ−ジニトロベンゼ
ン、２，４−ジニトロクロロベンゼン、１，５−ジニト
ロナフタレン、２，４−ジニトロ−１−ナフトール、
２，４−ジニトロフェノール、２，５−ジニトロフェノ
ール、２，４−ジニトロ−６−第二級−ブチル−フェノ
ール、４，６−ジニトロ−ｏ−クレゾール、１，３，５
−トリニトロベンゼン等のニトロ芳香族化合物が挙げら
れる。
【００１１】これらのうち、重合禁止能力及び入手の容
易さを考慮すると、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシル
アミンアンモニウム塩、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキ
シルアミンアルミニウム塩、２，４−ジニトロフェノー
ルの使用が好ましい。
易さを考慮すると、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシル
アミンアンモニウム塩、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキ
シルアミンアルミニウム塩、２，４−ジニトロフェノー
ルの使用が好ましい。
【００１２】本発明の方法におけるニトロソ化合物及び
／又はニトロ化合物の添加量は、オキシスチレン誘導体
に対し、１〜１０００００ｐｐｍ、好ましくは、１００
〜１００００ｐｐｍの範囲が選ばれる。添加量が、１ｐ
ｐｍ未満では重合禁止効果が十分に発揮されない。ま
た、１０００００ｐｐｍを越えると添加量の割には効果
の向上が見られず、むしろ経済的に不利となる。
／又はニトロ化合物の添加量は、オキシスチレン誘導体
に対し、１〜１０００００ｐｐｍ、好ましくは、１００
〜１００００ｐｐｍの範囲が選ばれる。添加量が、１ｐ
ｐｍ未満では重合禁止効果が十分に発揮されない。ま
た、１０００００ｐｐｍを越えると添加量の割には効果
の向上が見られず、むしろ経済的に不利となる。
【００１３】本発明の方法において、重合禁止剤を含む
オキシスチレン誘導体の蒸留温度は、特に制限はない
が、通常、２０〜２００℃の範囲であり、好ましくは、
５０〜１５０℃である。蒸留温度がこの範囲内であれ
ば、重合防止効果が十分に発揮される。また、本蒸留
は、通常、減圧下で実施され、圧力としては０．１〜２
００ｍｍＨｇの範囲が選ばれる。更に、本蒸留において
は、気流同伴を伴わない無気条件又は、窒素あるいは空
気等の気流同伴を行う有気条件下のいずれで蒸留を実施
しても良い。
オキシスチレン誘導体の蒸留温度は、特に制限はない
が、通常、２０〜２００℃の範囲であり、好ましくは、
５０〜１５０℃である。蒸留温度がこの範囲内であれ
ば、重合防止効果が十分に発揮される。また、本蒸留
は、通常、減圧下で実施され、圧力としては０．１〜２
００ｍｍＨｇの範囲が選ばれる。更に、本蒸留において
は、気流同伴を伴わない無気条件又は、窒素あるいは空
気等の気流同伴を行う有気条件下のいずれで蒸留を実施
しても良い。
【００１４】本発明の方法においては、重合防止効果を
更に向上させるために、所望に応じ、他の重合禁止剤、
例えばｐ−第三級−ブチルカテコール、ハイドロキノ
ン、ｐ−メトキシフェノール等を共存させることができ
る。
更に向上させるために、所望に応じ、他の重合禁止剤、
例えばｐ−第三級−ブチルカテコール、ハイドロキノ
ン、ｐ−メトキシフェノール等を共存させることができ
る。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明の方法を実施例により具体的
に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定される
ものではない。
に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定される
ものではない。
【００１６】実施例１ １００ｍｌフラスコに、ＰＴＢＳ １０ｇと重合禁止剤
としてＮ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアンモ
ニウム塩０．０１ｇを添加した。次にこのフラスコに還
流コンデンサーを取り付けて、１２０℃、５ｍｍＨｇの
条件で１６時間連続して還流を行った。なお、この際、
液中にキャピラリーを通じて空気を導入した。
としてＮ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアンモ
ニウム塩０．０１ｇを添加した。次にこのフラスコに還
流コンデンサーを取り付けて、１２０℃、５ｍｍＨｇの
条件で１６時間連続して還流を行った。なお、この際、
液中にキャピラリーを通じて空気を導入した。
【００１７】還流終了後、フラスコ内のＰＴＢＳをサン
プリングし、液体クロマトグラフィー（カラム：ＧＰＣ
−２０００）で分析し、その組成からポリマーの収率を
求め、その結果を表１に示した。
プリングし、液体クロマトグラフィー（カラム：ＧＰＣ
−２０００）で分析し、その組成からポリマーの収率を
求め、その結果を表１に示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】実施例２〜１０ 実施例１で使用したＮ−ニトロソフェニルヒドロキシル
アミンアンモニウム塩に代えて、表１に示した重合禁止
剤を所定量用いた以外は、実施例１に準じて還流を行
い、それらの結果を表１にまとめて示した。
アミンアンモニウム塩に代えて、表１に示した重合禁止
剤を所定量用いた以外は、実施例１に準じて還流を行
い、それらの結果を表１にまとめて示した。
【００２０】実施例１１ 実施例１で使用したＰＴＢＳに代えてＭＴＢＳ １０ｇ
を用いた以外は、実施例１に準じて還流を行った。還流
終了後、フラスコ内のＭＴＢＳをサンプリングし、液体
クロマトグラフィー（カラム：ＧＰＣ−２０００）で分
析し、その組成からポリマーの収率を求め、その結果を
表１に示した。
を用いた以外は、実施例１に準じて還流を行った。還流
終了後、フラスコ内のＭＴＢＳをサンプリングし、液体
クロマトグラフィー（カラム：ＧＰＣ−２０００）で分
析し、その組成からポリマーの収率を求め、その結果を
表１に示した。
【００２１】比較例１〜４ 実施例１で使用したＮ−ニトロソフェニルヒドロキシル
アミンアンモニウム塩に代えて、表１に示した重合禁止
剤を所定量用いた以外は、実施例１に準じて還流を行
い、それらの結果を表１にまとめて示した。
アミンアンモニウム塩に代えて、表１に示した重合禁止
剤を所定量用いた以外は、実施例１に準じて還流を行
い、それらの結果を表１にまとめて示した。
【００２２】比較例５ 実施例１で使用したＰＴＢＳに代えてＭＴＢＳ １０ｇ
を用い、重合禁止剤としてｐ−第三級−ブチルカテコー
ル ０．０１ｇを用いた以外は、実施例１に準じて還流
を行った。還流終了後、フラスコ内のＭＴＢＳをサンプ
リングし、液体クロマトグラフィー（カラム：ＧＰＣ−
２０００）で分析し、その組成からポリマーの収率を求
め、その結果を表１に示した。
を用い、重合禁止剤としてｐ−第三級−ブチルカテコー
ル ０．０１ｇを用いた以外は、実施例１に準じて還流
を行った。還流終了後、フラスコ内のＭＴＢＳをサンプ
リングし、液体クロマトグラフィー（カラム：ＧＰＣ−
２０００）で分析し、その組成からポリマーの収率を求
め、その結果を表１に示した。
【００２３】実施例１２ １００ｍｌフラスコに、ＰＡＣＳ １０ｇと重合禁止剤
としてＮ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアルミ
ニウム塩０．０５ｇを添加した。次にこのフラスコに還
流コンデンサーを取り付けて、１２０℃、４ｍｍＨｇの
条件で１６時間連続して還流を行った。なお、この際、
液中にキャピラリーを通じて空気を導入した。
としてＮ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアルミ
ニウム塩０．０５ｇを添加した。次にこのフラスコに還
流コンデンサーを取り付けて、１２０℃、４ｍｍＨｇの
条件で１６時間連続して還流を行った。なお、この際、
液中にキャピラリーを通じて空気を導入した。
【００２４】還流終了後、フラスコ内のＰＡＣＳをサン
プリングし、液体クロマトグラフィー（カラム：ＧＰＣ
−２０００）で分析し、その組成からポリマーの収率を
求め、その結果を表２に示した。
プリングし、液体クロマトグラフィー（カラム：ＧＰＣ
−２０００）で分析し、その組成からポリマーの収率を
求め、その結果を表２に示した。
【００２５】
【表２】
【００２６】実施例１３〜１８ 実施例１２で使用したＮ−ニトロソフェニルヒドロキシ
ルアミンアルミニウム塩に代えて、表２に示した重合禁
止剤を所定量用いた以外は、実施例１２に準じて還流を
行い、その結果を表２にまとめて示した。
ルアミンアルミニウム塩に代えて、表２に示した重合禁
止剤を所定量用いた以外は、実施例１２に準じて還流を
行い、その結果を表２にまとめて示した。
【００２７】比較例６〜１０ 実施例１２で使用したＮ−ニトロソフェニルヒドロキシ
ルアミンアルミニウム塩に代えて、表２に示した重合禁
止剤を所定量用いた以外は、実施例１２に準じて還流を
行い、それらの結果を表２にまとめて示した。
ルアミンアルミニウム塩に代えて、表２に示した重合禁
止剤を所定量用いた以外は、実施例１２に準じて還流を
行い、それらの結果を表２にまとめて示した。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の方法によれば、従来の問題点を解決して、オキシスチ
レン誘導体をポリマー状物質がほとんど生成することな
く、高い回収率で蒸留することが可能となる。
の方法によれば、従来の問題点を解決して、オキシスチ
レン誘導体をポリマー状物質がほとんど生成することな
く、高い回収率で蒸留することが可能となる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 67/62 Ｃ０７Ｃ 67/62 69/157 69/157
Claims (5)
- 【請求項１】下記一般式（１）（式中、Ｒは、アルキル
基、アリール基、アリールアルキル基、アルコキシアル
キル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル
基又はアルキルシリル基を表わす。）で表されるオキシ
スチレン誘導体の蒸留において、重合禁止剤としてニト
ロソ化合物及び／又はニトロ化合物を添加することを特
徴とするオキシスチレン誘導体の蒸留方法。 【化１】 - 【請求項２】オキシスチレン誘導体が、下記一般式
（２）で表される第三級−ブトキシスチレンであること
を特徴とする請求項１に記載の蒸留方法。 【化２】 - 【請求項３】オキシスチレン誘導体が、下記一般式
（３）で表されるアセトキシスチレンであることを特徴
とする請求項１に記載の蒸留方法。 【化３】 - 【請求項４】ニトロソ化合物が、Ｎ−ニトロソフェニル
ヒドロキシルアミン及び／又はその塩であることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の蒸留方法。 - 【請求項５】ニトロ化合物が、ジニトロフェノールであ
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の蒸
留方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32715599A JP3879340B2 (ja) | 1998-12-01 | 1999-11-17 | オキシスチレン誘導体の蒸留方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34155998 | 1998-12-01 | ||
| JP11-73510 | 1999-03-18 | ||
| JP7351099 | 1999-03-18 | ||
| JP10-341559 | 1999-03-18 | ||
| JP32715599A JP3879340B2 (ja) | 1998-12-01 | 1999-11-17 | オキシスチレン誘導体の蒸留方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006165143A Division JP3879775B2 (ja) | 1998-12-01 | 2006-06-14 | オキシスチレン誘導体の蒸留方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000327617A true JP2000327617A (ja) | 2000-11-28 |
| JP2000327617A5 JP2000327617A5 (ja) | 2006-07-27 |
| JP3879340B2 JP3879340B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=27301239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32715599A Expired - Lifetime JP3879340B2 (ja) | 1998-12-01 | 1999-11-17 | オキシスチレン誘導体の蒸留方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3879340B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7125475B2 (en) | 2002-02-15 | 2006-10-24 | Crompton Corporation | Nitrosophenols and C-nitrosoanilines as polymerization inhibitors |
| JP2006335715A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Tosoh Corp | 高品質ビニル安息香酸−第３級ブチルエステル及びその製造方法 |
| JP2007070255A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 高純度アダマンチル（メタ）アクリレート類の製造方法 |
-
1999
- 1999-11-17 JP JP32715599A patent/JP3879340B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7125475B2 (en) | 2002-02-15 | 2006-10-24 | Crompton Corporation | Nitrosophenols and C-nitrosoanilines as polymerization inhibitors |
| JP2006335715A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Tosoh Corp | 高品質ビニル安息香酸−第３級ブチルエステル及びその製造方法 |
| JP2007070255A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 高純度アダマンチル（メタ）アクリレート類の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3879340B2 (ja) | 2007-02-14 |
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