JP2000323662A5 - 液晶表示装置、半導体装置及びコンデンサー並びにそれらの作製方法 - Google Patents
液晶表示装置、半導体装置及びコンデンサー並びにそれらの作製方法 Download PDFInfo
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴの上方に設けられた導電膜と、
前記導電膜の上方に設けられた画素電極と、を有し、
前記導電膜と前記画素電極との間には、窒化シリコン膜及び樹脂絶縁膜が積層して設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
基板の上方に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜の上方に設けられたＭｏ及びＮｂを含む第１導電膜と、
前記第１導電膜の上方に設けられたＡｌを含む第２導電膜と、
前記第１及び第２導電膜の上方に設けられた金属膜と、
前記金属膜の上方に設けられた画素電極と、を有し、
前記金属膜と前記画素電極との間には、窒化シリコン膜及び樹脂絶縁膜が積層して設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記画素電極は透明導電膜であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記樹脂絶縁膜はアクリル膜であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
基板上に形成されたＴＦＴ、該ＴＦＴの上方に形成された保持容量を含む半導体装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴの上方に層間絶縁膜を介して設けられた導電膜と、該導電膜に接して設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に接して設けられた樹脂材料でなる絶縁膜と、該樹脂材料でなる絶縁膜に接して設けられた画素電極とで形成され、
前記樹脂材料でなる絶縁膜は、前記導電膜及び前記絶縁膜が形成する段差を平坦化するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上に形成されたＴＦＴ、該ＴＦＴの上方に形成された保持容量を含む半導体装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴの上方に層間絶縁膜を介して設けられた遮蔽膜と、該遮蔽膜を酸化して得られた酸化物と、該酸化物に接して設けられた樹脂材料でなる絶縁膜と、該樹脂材料でなる絶縁膜に接して設けられた画素電極とで形成され、
前記樹脂材料でなる絶縁膜は、前記遮蔽膜及び前記酸化物が形成する段差を平坦化するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上に形成されたＴＦＴ、該ＴＦＴの上方に形成された保持容量を含む半導体装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴの上方に層間絶縁膜を介して設けられた遮蔽膜と、該遮蔽膜を酸化して得られた酸化物と、該酸化物に接して設けられた樹脂材料でなる絶縁膜と、該樹脂材料でなる絶縁膜に接して設けられた前記画素電極とで形成され、
前記樹脂材料でなる絶縁膜は、前記絶縁膜の上と前記酸化物の上とで膜厚が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、前記樹脂材料でなる絶縁膜の膜厚は、前記絶縁膜の上において１３０〜５００ｎｍであり、前記酸化物の上において１０〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一項において、前記樹脂材料でなる絶縁膜はアクリル膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、前記遮蔽膜はアルミニウムを主成分とする材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
第１導電膜と、該第１導電膜に接して設けられた絶縁物と、該絶縁物に接して設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に接して設けられた第２導電膜とで形成され、
前記絶縁膜は、前記第１導電膜と前記絶縁物とで形成される段差を平坦化するように設けられていることを特徴とするコンデンサー。
【請求項１２】
第１導電膜と、該第１導電膜を酸化して得られた酸化物と、該酸化物に接して設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に接して設けられた第２導電膜とで形成され、
前記絶縁膜は、前記第１導電膜と前記酸化物とで形成される段差を平坦化するように設けられていることを特徴とするコンデンサー。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、前記第１導電膜は遮光性を有する金属膜でなることを特徴とするコンデンサー。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一項において、前記絶縁膜は樹脂材料でなることを特徴とするコンデンサー。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一項において、前記絶縁膜の表面の高低差は０．０１〜０．２μｍであることを特徴とするコンデンサー。
【請求項１６】
第１導電膜を形成し、
前記第１導電膜に接して絶縁物を形成し、
前記絶縁物に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の膜厚を減じて前記第１導電膜及び前記絶縁物によって形成された段差を平坦化し、
前記膜厚を減じられた絶縁膜の上に第２導電膜を形成することを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項１７】
第１導電膜を形成し、
前記第１導電膜を酸化して酸化物を形成し、
前記酸化物に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の膜厚を減じて前記第１導電膜及び前記酸化物によって形成された段差を平坦化し、
前記膜厚を減じられた絶縁膜の上に第２導電膜を形成することを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、前記絶縁膜の平坦化は、前記絶縁膜を前記酸化物の上に１０〜１００ｎｍの膜厚で残すように行われることを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項１９】
請求項１７又は１８において、前記酸化物は陽極酸化法により形成されることを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項２０】
請求項１６乃至１９のいずれか一項において、前記第１導電膜は遮光性を有する金属膜でなることを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至２０のいずれか一項において、前記絶縁膜は樹脂材料でなることを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項２２】
基板上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴを覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜の上に遮蔽膜を形成し、
前記遮蔽膜を酸化することにより酸化物を形成し、
前記遮蔽膜及び酸化物を覆って樹脂材料でなる絶縁膜を形成し、
前記樹脂材料でなる絶縁膜を平坦化し、
前記樹脂材料でなる絶縁膜及び前記層間絶縁膜を開孔して前記ＴＦＴに接続する画素電極を形成し、
前記遮蔽膜、前記酸化物、前記樹脂材料でなる絶縁膜及び前記画素電極で保持容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
基板上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴを覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜の上に遮蔽膜を形成し、
前記遮蔽膜を酸化することにより酸化物を形成し、
前記遮蔽膜及び酸化物を覆って樹脂材料でなる絶縁膜を形成し、
前記樹脂材料でなる絶縁膜を酸素ガスを用いたプラズマ処理によりエッチングし、
前記樹脂材料でなる絶縁膜及び前記層間絶縁膜を開孔して前記ＴＦＴに接続する画素電極を形成し、
前記遮蔽膜、前記酸化物、前記樹脂材料でなる絶縁膜及び前記画素電極で保持容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２３において、前記樹脂材料でなる絶縁膜のエッチングは、該樹脂材料でなる絶縁膜を前記酸化物の上に１０〜１００ｎｍの膜厚で残すように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２２乃至２４のいずれか一項において、前記層間絶縁膜は樹脂材料でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２２乃至２５のいずれか一項において、前記遮蔽膜はアルミニウムを主成分とする材料でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２２乃至２６のいずれか一項において、前記酸化物は陽極酸化法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１】
基板の上方に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴの上方に設けられた導電膜と、
前記導電膜の上方に設けられた画素電極と、を有し、
前記導電膜と前記画素電極との間には、窒化シリコン膜及び樹脂絶縁膜が積層して設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
基板の上方に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜の上方に設けられたＭｏ及びＮｂを含む第１導電膜と、
前記第１導電膜の上方に設けられたＡｌを含む第２導電膜と、
前記第１及び第２導電膜の上方に設けられた金属膜と、
前記金属膜の上方に設けられた画素電極と、を有し、
前記金属膜と前記画素電極との間には、窒化シリコン膜及び樹脂絶縁膜が積層して設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記画素電極は透明導電膜であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記樹脂絶縁膜はアクリル膜であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
基板上に形成されたＴＦＴ、該ＴＦＴの上方に形成された保持容量を含む半導体装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴの上方に層間絶縁膜を介して設けられた導電膜と、該導電膜に接して設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に接して設けられた樹脂材料でなる絶縁膜と、該樹脂材料でなる絶縁膜に接して設けられた画素電極とで形成され、
前記樹脂材料でなる絶縁膜は、前記導電膜及び前記絶縁膜が形成する段差を平坦化するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上に形成されたＴＦＴ、該ＴＦＴの上方に形成された保持容量を含む半導体装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴの上方に層間絶縁膜を介して設けられた遮蔽膜と、該遮蔽膜を酸化して得られた酸化物と、該酸化物に接して設けられた樹脂材料でなる絶縁膜と、該樹脂材料でなる絶縁膜に接して設けられた画素電極とで形成され、
前記樹脂材料でなる絶縁膜は、前記遮蔽膜及び前記酸化物が形成する段差を平坦化するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上に形成されたＴＦＴ、該ＴＦＴの上方に形成された保持容量を含む半導体装置であって、
前記保持容量は、前記ＴＦＴの上方に層間絶縁膜を介して設けられた遮蔽膜と、該遮蔽膜を酸化して得られた酸化物と、該酸化物に接して設けられた樹脂材料でなる絶縁膜と、該樹脂材料でなる絶縁膜に接して設けられた前記画素電極とで形成され、
前記樹脂材料でなる絶縁膜は、前記絶縁膜の上と前記酸化物の上とで膜厚が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、前記樹脂材料でなる絶縁膜の膜厚は、前記絶縁膜の上において１３０〜５００ｎｍであり、前記酸化物の上において１０〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一項において、前記樹脂材料でなる絶縁膜はアクリル膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、前記遮蔽膜はアルミニウムを主成分とする材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
第１導電膜と、該第１導電膜に接して設けられた絶縁物と、該絶縁物に接して設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に接して設けられた第２導電膜とで形成され、
前記絶縁膜は、前記第１導電膜と前記絶縁物とで形成される段差を平坦化するように設けられていることを特徴とするコンデンサー。
【請求項１２】
第１導電膜と、該第１導電膜を酸化して得られた酸化物と、該酸化物に接して設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に接して設けられた第２導電膜とで形成され、
前記絶縁膜は、前記第１導電膜と前記酸化物とで形成される段差を平坦化するように設けられていることを特徴とするコンデンサー。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、前記第１導電膜は遮光性を有する金属膜でなることを特徴とするコンデンサー。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一項において、前記絶縁膜は樹脂材料でなることを特徴とするコンデンサー。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一項において、前記絶縁膜の表面の高低差は０．０１〜０．２μｍであることを特徴とするコンデンサー。
【請求項１６】
第１導電膜を形成し、
前記第１導電膜に接して絶縁物を形成し、
前記絶縁物に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の膜厚を減じて前記第１導電膜及び前記絶縁物によって形成された段差を平坦化し、
前記膜厚を減じられた絶縁膜の上に第２導電膜を形成することを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項１７】
第１導電膜を形成し、
前記第１導電膜を酸化して酸化物を形成し、
前記酸化物に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の膜厚を減じて前記第１導電膜及び前記酸化物によって形成された段差を平坦化し、
前記膜厚を減じられた絶縁膜の上に第２導電膜を形成することを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、前記絶縁膜の平坦化は、前記絶縁膜を前記酸化物の上に１０〜１００ｎｍの膜厚で残すように行われることを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項１９】
請求項１７又は１８において、前記酸化物は陽極酸化法により形成されることを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項２０】
請求項１６乃至１９のいずれか一項において、前記第１導電膜は遮光性を有する金属膜でなることを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至２０のいずれか一項において、前記絶縁膜は樹脂材料でなることを特徴とするコンデンサーの作製方法。
【請求項２２】
基板上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴを覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜の上に遮蔽膜を形成し、
前記遮蔽膜を酸化することにより酸化物を形成し、
前記遮蔽膜及び酸化物を覆って樹脂材料でなる絶縁膜を形成し、
前記樹脂材料でなる絶縁膜を平坦化し、
前記樹脂材料でなる絶縁膜及び前記層間絶縁膜を開孔して前記ＴＦＴに接続する画素電極を形成し、
前記遮蔽膜、前記酸化物、前記樹脂材料でなる絶縁膜及び前記画素電極で保持容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
基板上にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴを覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜の上に遮蔽膜を形成し、
前記遮蔽膜を酸化することにより酸化物を形成し、
前記遮蔽膜及び酸化物を覆って樹脂材料でなる絶縁膜を形成し、
前記樹脂材料でなる絶縁膜を酸素ガスを用いたプラズマ処理によりエッチングし、
前記樹脂材料でなる絶縁膜及び前記層間絶縁膜を開孔して前記ＴＦＴに接続する画素電極を形成し、
前記遮蔽膜、前記酸化物、前記樹脂材料でなる絶縁膜及び前記画素電極で保持容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２３において、前記樹脂材料でなる絶縁膜のエッチングは、該樹脂材料でなる絶縁膜を前記酸化物の上に１０〜１００ｎｍの膜厚で残すように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２２乃至２４のいずれか一項において、前記層間絶縁膜は樹脂材料でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２２乃至２５のいずれか一項において、前記遮蔽膜はアルミニウムを主成分とする材料でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２２乃至２６のいずれか一項において、前記酸化物は陽極酸化法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁表面を有する基板上にＴＦＴで形成した大面積集積回路を有する半導体装置の開発が進んでいる。液晶表示装置、ＥＬ表示装置、および密着型イメージセンサはその代表例として知られている。特に、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）を活性層にしたＴＦＴ（以下、ポリシリコンＴＦＴと記す）は電界効果移動度が高いことから、いろいろな機能を有する回路に用いることができる。
【従来の技術】
絶縁表面を有する基板上にＴＦＴで形成した大面積集積回路を有する半導体装置の開発が進んでいる。液晶表示装置、ＥＬ表示装置、および密着型イメージセンサはその代表例として知られている。特に、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）を活性層にしたＴＦＴ（以下、ポリシリコンＴＦＴと記す）は電界効果移動度が高いことから、いろいろな機能を有する回路に用いることができる。
この時、膜の形成に先立ってＨ２、ＮＨ３等水素を含むガスを用いてプラズマ処理を行い、成膜後に熱処理を行うことは有効である。この前処理により励起された水素が第１、第２層間絶縁膜中に供給される。この状態で熱処理を行うことで、パッシベーション膜１６３の膜質を改善するとともに、第１、第２層間絶縁膜中に添加された水素が下層側に拡散するため、効果的に活性層を水素化することができる。
遮蔽膜１６５はアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）から選ばれた元素でなる遮光性を有する金属膜または前記いずれかの元素を主成分（本明細書中では５０重量％以上で含む場合に主成分とみなす）とする金属膜で１００〜３００ｎｍの厚さに形成する。本実施例では１ｗｔ％のチタンを含有させたアルミニウム膜を１２５ｎｍの厚さに形成する。なお、本明細書中ではこの遮蔽膜を「第１導電膜」と呼ぶ場合がある。
次に、遮蔽膜１６５の表面に公知の陽極酸化法又はプラズマ酸化法（本実施例では陽極酸化法）により２０〜１００ｎｍ（好ましくは３０〜５０ｎｍ）の厚さの酸化物を形成する。本実施例では遮蔽膜１６５としてアルミニウムを主成分とする膜を用い、陽極酸化法を用いるため、陽極酸化物１６６として酸化アルミニウム膜（アルミナ膜）が形成される。
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| JP2011242506A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Sony Corp | 表示装置の製造方法、および表示装置 |
-
1999
- 1999-05-12 JP JP13097499A patent/JP4712926B2/ja not_active Expired - Fee Related
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