JP2000323452A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸素活性種を主体とするエッチングにおいて
エッチング異方性を得ることができるドライエッチング
方法を提供すること。 【解決手段】 エッチングチャンバ１０の内部に炭素系
堆積物を付着させた状態で、下地基板１上に形成された
有機材料層２を、所定の形状にパターニングされた無機
材料層４をマスクとして酸素活性種でエッチングする。
エッチングチャンバ１０の内部に付着させた炭素系堆積
物から、基板のエッチング処理時にカーボン系のガスを
生じさせ、これをパターニングした有機材料層２の側壁
に堆積させながら側壁保護膜として機能させる。
エッチング異方性を得ることができるドライエッチング
方法を提供すること。 【解決手段】 エッチングチャンバ１０の内部に炭素系
堆積物を付着させた状態で、下地基板１上に形成された
有機材料層２を、所定の形状にパターニングされた無機
材料層４をマスクとして酸素活性種でエッチングする。
エッチングチャンバ１０の内部に付着させた炭素系堆積
物から、基板のエッチング処理時にカーボン系のガスを
生じさせ、これをパターニングした有機材料層２の側壁
に堆積させながら側壁保護膜として機能させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
等に適用されるドライエッチング方法に関し、更に詳し
くは、基板上に形成された有機材料層を、所定の形状に
パターニングされた無機材料層をマスクとしてエッチン
グガスによりエッチングするドライエッチング方法に関
する。
等に適用されるドライエッチング方法に関し、更に詳し
くは、基板上に形成された有機材料層を、所定の形状に
パターニングされた無機材料層をマスクとしてエッチン
グガスによりエッチングするドライエッチング方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】今日までの半導体産業は、３年で４倍と
いう高集積化の道を歩みながら発展してきた。この高集
積化は、ＬＳＩを構成する回路の最小線幅を、０．５μ
ｍから０．３５μｍ、０．３５μｍから０．２５μｍ
と、世代毎に７割ずつ細めることにより達成してきた。
しかし、このとどまることのない微細化の要求が今、リ
ソグラフィ技術の限界点に差し掛かろうとしている。
いう高集積化の道を歩みながら発展してきた。この高集
積化は、ＬＳＩを構成する回路の最小線幅を、０．５μ
ｍから０．３５μｍ、０．３５μｍから０．２５μｍ
と、世代毎に７割ずつ細めることにより達成してきた。
しかし、このとどまることのない微細化の要求が今、リ
ソグラフィ技術の限界点に差し掛かろうとしている。
【０００３】一般に、光リソグラフィの解像度は、光源
の波長（λ）と投影光学系の開口数（ＮＡ）を用いて、
解像度＝０．５×λ／（ＮＡ）の式で求められることが
知られている。投影光学系のＮＡは、０．５から０．６
が用いられるため、結局、光リソグラフィの解像度は光
源の波長程度が限界となる。線幅０．２５μｍ世代のＬ
ＳＩ作製には辛うじて波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ
レーザが用いられようとしているが、それ以降の０．１
８μｍ世代や０．１３μｍ世代における有力なリソグラ
フィ光源がないのが現状である。
の波長（λ）と投影光学系の開口数（ＮＡ）を用いて、
解像度＝０．５×λ／（ＮＡ）の式で求められることが
知られている。投影光学系のＮＡは、０．５から０．６
が用いられるため、結局、光リソグラフィの解像度は光
源の波長程度が限界となる。線幅０．２５μｍ世代のＬ
ＳＩ作製には辛うじて波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ
レーザが用いられようとしているが、それ以降の０．１
８μｍ世代や０．１３μｍ世代における有力なリソグラ
フィ光源がないのが現状である。
【０００４】この問題を解決する手段として、選択的シ
リル化を用いた表層イメージング技術が注目されてい
る。この技術は、高解像度と高いドライエッチング耐性
を両立できるため、特に波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシ
マレーザ以降のレジストプロセスにおいて期待されてい
る技術である。図１から図３を参照して、表層イメージ
ング技術（Top Surface Imaging 、以下、ＴＳＩと略記
する。）のプロセスを説明する。
リル化を用いた表層イメージング技術が注目されてい
る。この技術は、高解像度と高いドライエッチング耐性
を両立できるため、特に波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシ
マレーザ以降のレジストプロセスにおいて期待されてい
る技術である。図１から図３を参照して、表層イメージ
ング技術（Top Surface Imaging 、以下、ＴＳＩと略記
する。）のプロセスを説明する。
【０００５】下地基板１上に、下地基板１の表面段差を
吸収するのに十分な厚さで、本例ではポジ型のレジスト
２を有機材料層として塗布する。ステッパ等の投影露光
装置により回路パターンが露光されると、レジスト２は
光の照射された露光部３だけが選択的に架橋される（図
１参照）。架橋は、露光により直ちに反応が起こる材料
もあれば、露光によってまず酸が生じてこれが触媒とな
り、その後のベーキングプロセスにより二次的に架橋反
応が起こるタイプ等、様々な反応機構が提案されてい
る。いずれにせよ、架橋された部分は後述するシリル化
剤の拡散を防ぐため、未露光部のレジスト表層だけがシ
リル化されることになる（図２参照）。
吸収するのに十分な厚さで、本例ではポジ型のレジスト
２を有機材料層として塗布する。ステッパ等の投影露光
装置により回路パターンが露光されると、レジスト２は
光の照射された露光部３だけが選択的に架橋される（図
１参照）。架橋は、露光により直ちに反応が起こる材料
もあれば、露光によってまず酸が生じてこれが触媒とな
り、その後のベーキングプロセスにより二次的に架橋反
応が起こるタイプ等、様々な反応機構が提案されてい
る。いずれにせよ、架橋された部分は後述するシリル化
剤の拡散を防ぐため、未露光部のレジスト表層だけがシ
リル化されることになる（図２参照）。
【０００６】シリル化の方法としては、減圧下で基板Ｗ
の表面に気化したシリル化剤を送る気相シリル化法と、
液体のシリル化剤に基板Ｗを浸漬させる液相シリル化法
の２通りの方法が提案されている。シリル化工程後、酸
素活性種（Ｏ2 ラジカル）を主体としたエッチングプロ
セスにより、無機材料層であるシリル化層４がマスクと
なり、シリル化されていない部分が除去されて現像工程
が終了し、最終的に未露光部分が残る（図３参照）。
の表面に気化したシリル化剤を送る気相シリル化法と、
液体のシリル化剤に基板Ｗを浸漬させる液相シリル化法
の２通りの方法が提案されている。シリル化工程後、酸
素活性種（Ｏ2 ラジカル）を主体としたエッチングプロ
セスにより、無機材料層であるシリル化層４がマスクと
なり、シリル化されていない部分が除去されて現像工程
が終了し、最終的に未露光部分が残る（図３参照）。
【０００７】この技術は、レジスト２の表層だけで光学
像が形成されればよいので、レジストが透明である必要
はなく、レジスト材料にドライエッチング耐性の高いポ
リマーを選択することができる。表層だけでイメージン
グを行うということは、光学的には薄膜レジストを用い
ているのと同じ原理になるので、高解像度と広い焦点深
度の確保が可能となる。
像が形成されればよいので、レジストが透明である必要
はなく、レジスト材料にドライエッチング耐性の高いポ
リマーを選択することができる。表層だけでイメージン
グを行うということは、光学的には薄膜レジストを用い
ているのと同じ原理になるので、高解像度と広い焦点深
度の確保が可能となる。
【０００８】しかしながら、この技術の問題点は、酸素
プラズマを用いたエッチングが酸素活性種を主体とする
ものであり、しかもプラズマ中の酸素活性種は電気的に
中性のものがほとんどであるため、ウェットエッチング
と同様な等方的なエッチングとなり、よって酸素プラズ
マエッチングの異方性が確保できない点にある。
プラズマを用いたエッチングが酸素活性種を主体とする
ものであり、しかもプラズマ中の酸素活性種は電気的に
中性のものがほとんどであるため、ウェットエッチング
と同様な等方的なエッチングとなり、よって酸素プラズ
マエッチングの異方性が確保できない点にある。
【０００９】図７から図９に酸素プラズマエッチングの
異方性が十分に確保できず、シリル化層直下にアンダー
カットが入ったレジストパターンの断面ＳＥＭ写真を示
す。図７は線幅０．３０μｍの孤立ラインを、図８はラ
インアンドスペースが０．３０μｍのパターンを、そし
て図９はラインアンドスペースが０．２０μｍのパター
ンをそれぞれ示しているが、特に図９では、上層のシリ
ル化層を下層のレジストが支えきれず、パターン倒れが
生じている。
異方性が十分に確保できず、シリル化層直下にアンダー
カットが入ったレジストパターンの断面ＳＥＭ写真を示
す。図７は線幅０．３０μｍの孤立ラインを、図８はラ
インアンドスペースが０．３０μｍのパターンを、そし
て図９はラインアンドスペースが０．２０μｍのパター
ンをそれぞれ示しているが、特に図９では、上層のシリ
ル化層を下層のレジストが支えきれず、パターン倒れが
生じている。
【００１０】このときの実験条件は以下のとおりであ
る。 露光：ＡｒＦステッパ（ＮＡ＝０．５５） レジスト：Microlithography Chemical Corp. 製、ＭＸ
−Ｐ７ エッチング 高周波電力：６０Ｗ ガス流量：Ｏ2 ／５０ｓｃｃｍ 基板温度：−５０℃ ガス圧力：２６６ｍＰａ 処理時間：９０ｓｅｃ
る。 露光：ＡｒＦステッパ（ＮＡ＝０．５５） レジスト：Microlithography Chemical Corp. 製、ＭＸ
−Ｐ７ エッチング 高周波電力：６０Ｗ ガス流量：Ｏ2 ／５０ｓｃｃｍ 基板温度：−５０℃ ガス圧力：２６６ｍＰａ 処理時間：９０ｓｅｃ
【００１１】一方、レジストパターン側壁を酸素活性種
から保護する炭素系膜が側壁保護膜として有用であるこ
とは知られており、そのためにエッチングガスとともに
炭素系ガスをエッチングチャンバに導入し、かつ基板温
度が例えばマイナス５０度の低温下でエッチング処理を
行うことによって、レジストパターン側壁への炭素の付
着・堆積を促進する技術が知られている。
から保護する炭素系膜が側壁保護膜として有用であるこ
とは知られており、そのためにエッチングガスとともに
炭素系ガスをエッチングチャンバに導入し、かつ基板温
度が例えばマイナス５０度の低温下でエッチング処理を
行うことによって、レジストパターン側壁への炭素の付
着・堆積を促進する技術が知られている。
【００１２】ところが、この技術では一般に、エッチン
グ異方性を上げるのにエッチング中の基板温度を下げる
ことが有効とされているが、これは炭素系ガスをかなり
の流量でエッチングチャンバ内に導入しても大きな効果
を得ることができないことが原因にある。ゆえに、当該
技術ではエッチング異方性に関して大した効果が得られ
ていないというのが現状である。
グ異方性を上げるのにエッチング中の基板温度を下げる
ことが有効とされているが、これは炭素系ガスをかなり
の流量でエッチングチャンバ内に導入しても大きな効果
を得ることができないことが原因にある。ゆえに、当該
技術ではエッチング異方性に関して大した効果が得られ
ていないというのが現状である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に
鑑みてなされ、酸素活性種を主体とするエッチングにお
いてエッチング異方性を得ることができるドライエッチ
ング方法を提供することを課題とする。
鑑みてなされ、酸素活性種を主体とするエッチングにお
いてエッチング異方性を得ることができるドライエッチ
ング方法を提供することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するに
あたり、本発明は、エッチングチャンバの内部に炭素系
堆積物を付着させた状態で、下地基板上に形成された有
機材料層を、所定の形状にパターニングされた無機材料
層をマスクとして、酸素活性種でエッチングする方法を
提案する。つまり、エッチングチャンバの内部に付着さ
せた炭素系堆積物から、基板のエッチング処理時にカー
ボン系のガスを生じさせ、これをパターニングした有機
材料層の側壁に堆積させながら側壁保護膜として機能さ
せる。
あたり、本発明は、エッチングチャンバの内部に炭素系
堆積物を付着させた状態で、下地基板上に形成された有
機材料層を、所定の形状にパターニングされた無機材料
層をマスクとして、酸素活性種でエッチングする方法を
提案する。つまり、エッチングチャンバの内部に付着さ
せた炭素系堆積物から、基板のエッチング処理時にカー
ボン系のガスを生じさせ、これをパターニングした有機
材料層の側壁に堆積させながら側壁保護膜として機能さ
せる。
【００１５】具体的には、マイナス１０℃以下の低温
下、より好ましくはマイナス５０℃以上マイナス２０℃
以下の低温下で、例えば有機膜を塗布したダミーウェー
ハのエッチング処理を製品ウェーハのエッチング処理前
に行っておく。これにより、エッチングチャンバ内の内
壁や電極付近に炭素系堆積物を付着させることができ
る。
下、より好ましくはマイナス５０℃以上マイナス２０℃
以下の低温下で、例えば有機膜を塗布したダミーウェー
ハのエッチング処理を製品ウェーハのエッチング処理前
に行っておく。これにより、エッチングチャンバ内の内
壁や電極付近に炭素系堆積物を付着させることができ
る。
【００１６】有機膜は、レジストやＢＡＲＣ（Bottom A
nti-Reflective Corting：反射防止膜）、あるいは有機
系層間絶縁膜といった半導体製造工程でよく用いられる
ものでよい。
nti-Reflective Corting：反射防止膜）、あるいは有機
系層間絶縁膜といった半導体製造工程でよく用いられる
ものでよい。
【００１７】その後、温度をマイナス１０℃を越える、
好ましくは０℃以上２０℃以下の基板温度で製品ウェー
ハのエッチング処理を行えば、エッチングチャンバの内
部に付着した炭素系堆積物から発生するカーボン系のガ
スが有機材料層の側壁に付着し、酸素活性種から側壁を
保護してパターン側壁の膜減りを減少させることができ
る。
好ましくは０℃以上２０℃以下の基板温度で製品ウェー
ハのエッチング処理を行えば、エッチングチャンバの内
部に付着した炭素系堆積物から発生するカーボン系のガ
スが有機材料層の側壁に付着し、酸素活性種から側壁を
保護してパターン側壁の膜減りを減少させることができ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、本実施の形態におい
ても上述した従来例と同様に選択的シリル化によるＴＳ
Ｉ技術を用いてレジストパターンの現像を行う例につい
て説明するが、図２のシリル化工程までは同一の内容で
あるので説明は省略する。
て図面を参照して説明する。なお、本実施の形態におい
ても上述した従来例と同様に選択的シリル化によるＴＳ
Ｉ技術を用いてレジストパターンの現像を行う例につい
て説明するが、図２のシリル化工程までは同一の内容で
あるので説明は省略する。
【００１９】図３に示す酸素プラズマエッチングによる
レジストの現像工程は、例えば図１０に示すエッチング
チャンバ１０内で行う。エッチングチャンバ１０には上
部電極１３および下部電極１４を備え、ガス導入孔１１
から反応ガス（エッチングガス）を導入するとともに、
排気孔１２からエッチングチャンバ１０内を排気して所
定の真空度に維持する。基板Ｗは下部電極１４の上に載
置され、下部電極１４に高周波電源１５を供給すること
により上部電極１３と下部電極１４との間に反応ガスの
プラズマを形成する。
レジストの現像工程は、例えば図１０に示すエッチング
チャンバ１０内で行う。エッチングチャンバ１０には上
部電極１３および下部電極１４を備え、ガス導入孔１１
から反応ガス（エッチングガス）を導入するとともに、
排気孔１２からエッチングチャンバ１０内を排気して所
定の真空度に維持する。基板Ｗは下部電極１４の上に載
置され、下部電極１４に高周波電源１５を供給すること
により上部電極１３と下部電極１４との間に反応ガスの
プラズマを形成する。
【００２０】そこで本実施の形態では、製品となる基板
Ｗのエッチング処理前に、有機膜としてレジストやＢＡ
ＲＣ（反射防止膜）、あるいはＴＥＯＳ等の有機系層間
絶縁膜を塗布したダミーウェーハをエッチングチャンバ
１０内でエッチング処理することにより、エッチングチ
ャンバ１０の内壁面や上部電極１３に炭素系堆積物を付
着させる。このときの処理温度は、炭素系堆積物が堆積
し得る温度であるマイナス１０℃以下であり、本実施の
形態ではマイナス５０℃で行った。
Ｗのエッチング処理前に、有機膜としてレジストやＢＡ
ＲＣ（反射防止膜）、あるいはＴＥＯＳ等の有機系層間
絶縁膜を塗布したダミーウェーハをエッチングチャンバ
１０内でエッチング処理することにより、エッチングチ
ャンバ１０の内壁面や上部電極１３に炭素系堆積物を付
着させる。このときの処理温度は、炭素系堆積物が堆積
し得る温度であるマイナス１０℃以下であり、本実施の
形態ではマイナス５０℃で行った。
【００２１】次に、エッチングチャンバ１０から上記ダ
ミーウェーハを除去し、図２に示すシリル化工程が終了
した基板Ｗを下部電極１４上に載置し、酸素活性種を主
体とした酸素プラズマエッチングを行う（図３）。この
ときの処理条件は以下のとおりである。 露光：ＡｒＦステッパ（ＮＡ＝０．５５） レジスト：Microlithography Chemical Corp. 製、ＭＸ
−Ｐ７ エッチング（第１段階） 高周波電力：５０Ｗ ガス流量：ＣＨＦ3 ／５０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ／２５ｓｃｃ
ｍ 基板温度：０℃ ガス圧力：６６６ｍＰａ 処理時間：２ｓｅｃ エッチング（第２段階） 高周波電力：６０Ｗ ガス流量：Ｏ2 ／５０ｓｃｃｍ 基板温度：０℃ ガス圧力：２６６ｍＰａ 処理時間：９０ｓｅｃ
ミーウェーハを除去し、図２に示すシリル化工程が終了
した基板Ｗを下部電極１４上に載置し、酸素活性種を主
体とした酸素プラズマエッチングを行う（図３）。この
ときの処理条件は以下のとおりである。 露光：ＡｒＦステッパ（ＮＡ＝０．５５） レジスト：Microlithography Chemical Corp. 製、ＭＸ
−Ｐ７ エッチング（第１段階） 高周波電力：５０Ｗ ガス流量：ＣＨＦ3 ／５０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ／２５ｓｃｃ
ｍ 基板温度：０℃ ガス圧力：６６６ｍＰａ 処理時間：２ｓｅｃ エッチング（第２段階） 高周波電力：６０Ｗ ガス流量：Ｏ2 ／５０ｓｃｃｍ 基板温度：０℃ ガス圧力：２６６ｍＰａ 処理時間：９０ｓｅｃ
【００２２】エッチングは２段階に分けて行っている。
最初のエッチングは、フッ素系（ＣＨＦ3 ）のガスを添
加し、基板Ｗの表面の露光部３の僅かにシリル化された
部分を取り去ることを目的としている（ブレークスルー
・エッチングと呼ばれる）。現実には、露光部３のシリ
ル化量がゼロではないため、フッ素系ガスを用いた最初
のブレークスルー・エッチングを行わないと、露光部３
にＳｉ残渣が析出するためである。その後、ガスを酸素
のみに変えることにより、シリル化されていない部分の
レジスト２のみをエッチングすることができる。
最初のエッチングは、フッ素系（ＣＨＦ3 ）のガスを添
加し、基板Ｗの表面の露光部３の僅かにシリル化された
部分を取り去ることを目的としている（ブレークスルー
・エッチングと呼ばれる）。現実には、露光部３のシリ
ル化量がゼロではないため、フッ素系ガスを用いた最初
のブレークスルー・エッチングを行わないと、露光部３
にＳｉ残渣が析出するためである。その後、ガスを酸素
のみに変えることにより、シリル化されていない部分の
レジスト２のみをエッチングすることができる。
【００２３】以上のようにして基板Ｗ上のエッチング処
理を行ったときのレジストパターンの断面ＳＥＭ写真を
図４から図６に示す。図４は線幅０．３０μｍの孤立ラ
インを、図５はラインアンドスペースが０．３０μｍの
パターンを、そして図６はラインアンドスペースが０．
２０μｍのパターンをそれぞれ示している。いずれもシ
リル化層直下のアンダーカットが抑制され、微小パター
ンが良好に形成されているのが確認できる。なお、図中
「１５．０ｋＶ」は電子ビームの加速電圧を、「３５．
０Ｋ」は倍率（すなわち３５０００倍）を示す。
理を行ったときのレジストパターンの断面ＳＥＭ写真を
図４から図６に示す。図４は線幅０．３０μｍの孤立ラ
インを、図５はラインアンドスペースが０．３０μｍの
パターンを、そして図６はラインアンドスペースが０．
２０μｍのパターンをそれぞれ示している。いずれもシ
リル化層直下のアンダーカットが抑制され、微小パター
ンが良好に形成されているのが確認できる。なお、図中
「１５．０ｋＶ」は電子ビームの加速電圧を、「３５．
０Ｋ」は倍率（すなわち３５０００倍）を示す。
【００２４】なお、本例を含めて、基板温度２０℃まで
の範囲で図示するようなパターン側壁の膜減りが減少し
た良好なレジストパターンを得ることができたのが確認
されている。
の範囲で図示するようなパターン側壁の膜減りが減少し
た良好なレジストパターンを得ることができたのが確認
されている。
【００２５】このように、低温下でダミーウェーハのエ
ッチング処理を行った後に、炭素系堆積物がガス化し得
るマイナス１０℃を越える温度以上に基板温度を上昇さ
せることによって、ガス化した炭素系堆積物がレジスト
パターンの側壁に付着し、酸素活性種から側壁を保護す
る作用を行い、図４から図６に示したような良好な微細
レジストパターンを形成することができる。
ッチング処理を行った後に、炭素系堆積物がガス化し得
るマイナス１０℃を越える温度以上に基板温度を上昇さ
せることによって、ガス化した炭素系堆積物がレジスト
パターンの側壁に付着し、酸素活性種から側壁を保護す
る作用を行い、図４から図６に示したような良好な微細
レジストパターンを形成することができる。
【００２６】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００２７】例えば以上の実施の形態では、選択的シリ
ル化によるＴＳＩ技術でレジストパターンを形成するド
ライエッチング方法について説明したが、勿論、これに
限らず、多層レジスト法におけるドライエッチング法に
も、本発明は適用可能である。多層レジスト法は、下地
基板の表面段差を吸収するのに十分な厚い下層レジスト
と、下層レジストをエッチングする際の実質的なマスク
パターンを構成するための無機材料からなる薄い中間層
と、高解像度を達成するのに十分な薄い上層レジストと
を組み合わせて使用する方法であり、いわゆる３層レジ
スト法が該当する。
ル化によるＴＳＩ技術でレジストパターンを形成するド
ライエッチング方法について説明したが、勿論、これに
限らず、多層レジスト法におけるドライエッチング法に
も、本発明は適用可能である。多層レジスト法は、下地
基板の表面段差を吸収するのに十分な厚い下層レジスト
と、下層レジストをエッチングする際の実質的なマスク
パターンを構成するための無機材料からなる薄い中間層
と、高解像度を達成するのに十分な薄い上層レジストと
を組み合わせて使用する方法であり、いわゆる３層レジ
スト法が該当する。
【００２８】また、保護膜や層間膜として用いられるポ
リイミドのパターニングにも、本発明は適用可能であ
る。
リイミドのパターニングにも、本発明は適用可能であ
る。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のドライエッ
チング方法によれば、酸素活性種を主体とするエッチン
グにおいてエッチング異方性を得ることができ、パター
ン側壁の膜減りを減少させた微細なパターンを形成する
ことができる。
チング方法によれば、酸素活性種を主体とするエッチン
グにおいてエッチング異方性を得ることができ、パター
ン側壁の膜減りを減少させた微細なパターンを形成する
ことができる。
【図１】本発明の実施の形態において適用したシリル化
レジストプロセスにおける露光工程を説明する基板の断
面模式図である。
レジストプロセスにおける露光工程を説明する基板の断
面模式図である。
【図２】同シリル化レジストプロセスにおける未露光部
分のシリル化工程を説明する基板の断面模式図である。
分のシリル化工程を説明する基板の断面模式図である。
【図３】同シリル化レジストプロセスにおける酸素プラ
ズマエッチングによる現像工程を説明する基板の断面模
式図である。
ズマエッチングによる現像工程を説明する基板の断面模
式図である。
【図４】図３に示したシリル化レジストプロセスにおけ
る現像工程を本発明のドライエッチング方法で行った線
幅０．３０μｍの孤立ラインレジストパターンの断面Ｓ
ＥＭ写真である。
る現像工程を本発明のドライエッチング方法で行った線
幅０．３０μｍの孤立ラインレジストパターンの断面Ｓ
ＥＭ写真である。
【図５】図３に示したシリル化レジストプロセスにおけ
る現像工程を本発明のドライエッチング方法で行ったラ
インアンドスペース０．３０μｍのレジストパターンの
断面ＳＥＭ写真である。
る現像工程を本発明のドライエッチング方法で行ったラ
インアンドスペース０．３０μｍのレジストパターンの
断面ＳＥＭ写真である。
【図６】図３に示したシリル化レジストプロセスにおけ
る現像工程を本発明のドライエッチング方法で行ったラ
インアンドスペース０．２０μｍのレジストパターンの
断面ＳＥＭ写真である。
る現像工程を本発明のドライエッチング方法で行ったラ
インアンドスペース０．２０μｍのレジストパターンの
断面ＳＥＭ写真である。
【図７】図３に示したシリル化レジストプロセスにおけ
る現像工程を従来のドライエッチング方法で行った線幅
０．３０μｍの孤立ラインレジストパターンの断面ＳＥ
Ｍ写真である。
る現像工程を従来のドライエッチング方法で行った線幅
０．３０μｍの孤立ラインレジストパターンの断面ＳＥ
Ｍ写真である。
【図８】図３に示したシリル化レジストプロセスにおけ
る現像工程を従来のドライエッチング方法で行ったライ
ンアンドスペース０．３０μｍのレジストパターンの断
面ＳＥＭ写真である。
る現像工程を従来のドライエッチング方法で行ったライ
ンアンドスペース０．３０μｍのレジストパターンの断
面ＳＥＭ写真である。
【図９】図３に示したシリル化レジストプロセスにおけ
る現像工程を従来のドライエッチング方法で行ったライ
ンアンドスペース０．２０μｍのレジストパターンの断
面ＳＥＭ写真である。
る現像工程を従来のドライエッチング方法で行ったライ
ンアンドスペース０．２０μｍのレジストパターンの断
面ＳＥＭ写真である。
【図１０】エッチングチャンバの構造の一例を示す断面
模式図である。
模式図である。
１…下地基板、２…レジスト、３…露光部、４…シリル
化層、５…ＳｉＯ2 膜、１０…エッチングチャンバ。
化層、５…ＳｉＯ2 膜、１０…エッチングチャンバ。
Claims (2)
- 【請求項１】 エッチングチャンバの内部に炭素系堆積
物を付着させた状態で、 下地基板上に形成された有機材料層を、所定の形状にパ
ターニングされた無機材料層をマスクとして、酸素活性
種でエッチングすることを特徴とするドライエッチング
方法。 - 【請求項２】 あらかじめ、マイナス１０℃以下の温度
下で有機膜のエッチング処理を行って前記炭素系堆積物
を生成しておき、 マイナス１０℃を越える基板温度で、前記有機材料層の
エッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載のド
ライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11129681A JP2000323452A (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11129681A JP2000323452A (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323452A true JP2000323452A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=15015552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11129681A Pending JP2000323452A (ja) | 1999-05-11 | 1999-05-11 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323452A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849556B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-02-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Etching method, gate etching method, and method of manufacturing semiconductor devices |
-
1999
- 1999-05-11 JP JP11129681A patent/JP2000323452A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849556B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-02-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Etching method, gate etching method, and method of manufacturing semiconductor devices |
| US7291559B2 (en) | 2002-09-27 | 2007-11-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Etching method, gate etching method, and method of manufacturing semiconductor devices |
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