JP2000323281A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子

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JP2000323281A
JP2000323281A JP11135920A JP13592099A JP2000323281A JP 2000323281 A JP2000323281 A JP 2000323281A JP 11135920 A JP11135920 A JP 11135920A JP 13592099 A JP13592099 A JP 13592099A JP 2000323281 A JP2000323281 A JP 2000323281A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高い発光輝度で長時間安定して連続発光が可能
な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】基板上に、正孔を注入する陽極と電子を注
入する陰極を有し、その間に少なくとも1層の有機化合
物層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、該有機化合物層がトリベンズ[b,d,f]アゼピ
ン構造を有する特定の化合物の少なくとも一つを含有し
ている有機エレクトロルミネッセンス素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、種々の表示装置や
表示装置の光源又はバックライト、若しくは光通信機器
に使用される発光素子等に用いられる有機エレクトロル
ミネッセンス素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子とは、固
体蛍光性物質の電界発光を利用した発光デバイスであ
り、現在無機系材料を発光体として用いた無機エレクト
ロルミネッセンス素子が実用化され、液晶ディスプレイ
のバックライトやフラットディスプレイ等への応用展開
が一部で図られている。しかし、無機エレクトロルミネ
ッセンス素子は発光させるために必要な電圧が100V
以上と高く、しかも青色発光が難しいため、RGBの三
原色によるフルカラー化が困難である。
【0003】一方、有機材料を用いたエレクトロルミネ
ッセンス素子に関する研究も古くから注目され、様々な
検討が行われてきたが、発光効率が非常に悪いことから
本格的な実用化研究へは進展しなかった。しかし、19
87年にコダック社のC.W.Tangらにより、有機
材料を正孔輸送層と発光層の2層に分けた機能分離型の
積層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子が
提案され、10V以下の低電圧にもかかわらず1000
cd/m2 以上の高い発光輝度が得られることが明らか
となった〔C.W.Tang and S.A.Van
slyke,Appl.Phys.Lett,51,9
13(1987)等参照〕。これ以降、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子が俄然注目され始め、現在も同様な
機能分離型の積層構造を有する有機エレクトロルミネッ
センス素子についての研究が盛んに行われている。
【0004】ここで、従来の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子について図1を用いて説明する。図1は従来の
有機エレクトロルミネッセンス素子の構成図である。図
1において、1は基板、2は陽極、3は正孔輸送層、4
は発光層、5は陰極である。図1に示したように従来の
有機エレクトロルミネッセンス素子は、ガラス等の透明
又は半透明な基板1と、基板1上にスパッタリング法や
抵抗加熱蒸着法等により形成されたITO等の透明な導
電性膜からなる陽極2と、陽極2上に抵抗加熱蒸着法等
により形成されたN,N’−ジフェニル−N,N’−ビ
ス(3−メチルフェニル)−1,1’−ジフェニル−
4,4’−ジアミン(以下、TPDと略称する。)等か
らなる正孔輸送層3と、正孔輸送層3上に抵抗加熱蒸着
法等により形成されたトリス(8−キノリノール)アル
ミニウム(以下、Alq と略称する)等からなる発光層
4と、発光層4上に抵抗加熱蒸着法等により形成された
100nm〜300nmの膜厚の金属膜からなる陰極5
とを備えている。
【0005】上記構成を有する有機エレクトロルミネッ
センス素子の陽極2をプラス極として、また陰極5をマ
イナス極として直流電圧又は直流電流を印加すると、陽
極2から正孔輸送層3を介して発光層4に正孔が注入さ
れ、陰極5から発光層4に電子が注入される。発光層4
では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成され
る励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現
象が起こる。上記構成で発光層にAlqを用いた場合、緑
色の発光が得られる。また有機化合物の分子構造を変更
することによって理論的には任意の発光色を得ることも
可能である。従って有機エレクトロルミネッセンス素子
はフルカラー化に対応でき、低電圧駆動の利点とともに
将来の表示素子として有望である。また、上記構成では
有機化合物層は正孔を輸送する正孔輸送層と発光層の積
層構造を取っているが、発光層単独の構成や正孔輸送
層、発光層、電子輸送層の3層構造、もしくは発光層と
正孔輸送層、発光層と電子輸送層の混合層を含む構成等
を構成材料により選択できる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の有機エレクトロルミネッセンス素子では、定電圧もし
くは定電流を印加して連続して発光させると、発光輝度
が経時的に減衰し、連続発光時間が短いという課題を有
していた。本発明は上記従来の課題を解決するものであ
り、高い発光輝度で長時間安定して連続発光が可能な有
機エレクトロルミネッセンス素子の提供を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明者らは鋭意検討した結果、ある種の有機化合物
を用いることにより上記の目的が達成されることを見出
した。本発明はその知見に基づきなされたものである。
すなわち、本発明は(1)基板上に、正孔を注入する陽
極と電子を注入する陰極を有し、その間に少なくとも1
層の有機化合物層を備えた有機エレクトロルミネッセン
ス素子において、該有機化合物層が一般式(I)、(I
I)、(III)、(IV)および(V)で表される化合物の
少なくとも一つを含有していることを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子、
【0008】
【化6】
【0009】(式中、(A1)、(B1)、(C1)、
(A2)、(B2)および(C2)は置換もしくは無置換の、
エチレン、ビニレン又はo−アリーレン基を表わす。A
1 、Ar2、Ar3 、Ar4 およびAr5 は置換もし
くは無置換の、芳香族炭化水素環または芳香族複素環か
ら誘導される基を表す。a、b、およびcは1ないし4
の整数を表わし、dは0ないし2の整数を表わす。)
【0010】
【化7】
【0011】(式中、(Y)は窒素原子または1,3,
5−ベンゼントリイル基を表す。(A 3)、(B3)、(C
3)、(A4)、(B4)、(C4)、(A5)、(B5)および
(C5)は、置換もしくは無置換の、エチレン、ビニレン
又はo−アリーレン基を表わす。Ar6 、Ar7 および
Ar8 は、(Y)が窒素原子の時は置換もしくは無置換
の、芳香族炭化水素環または芳香族複素環から誘導され
る基を表し、(Y)が1,3,5−ベンゼントリイル基
の時は置換もしくは無置換のベンゼン環を表す。e、f
およびgは1ないし3の整数を表す。e、fおよびgが
1で、(B3)、(B 4)および(B5)が無置換のエチレン
基または置換もしくは無置換のビニレン基で、Ar6
Ar7 およびAr8 がベンゼンから誘導される基の場
合、7員環中の窒素原子と(Y)が互いにパラの位置に
結合していることはない。)
【0012】
【化8】
【0013】(式中、(A6)、(B6)および(C6)は置
換もしくは無置換の、エチレン、ビニレン又はo−アリ
ーレン基を表わし、Ar9 は置換もしくは無置換の芳香
族複素環、少なくとも1つのベンゼン以外の芳香族炭化
水素環もしくは少なくとも1つの芳香族複素環を含む置
換もしくは無置換の芳香族環集合、又は置換もしくは無
置換のポリアリールメタンから誘導される基を表わす。
hは1ないし4の整数を表わす。)
【0014】
【化9】
【0015】(式中、(A7)、(B7)、(C7)、
(A8)、(B8)および(C8)は置換もしくは無置換の、
エチレン、ビニレン、又はo−アリーレン基を表わし
す、Ar10およびAr11は置換もしくは無置換の、芳香
族炭化水素環または芳香族複素環から誘導される基を表
す。iおよびkは1ないし4の整数を、jは1以上の整
数を表わす。)
【0016】
【化10】
【0017】(式中、(Z)は芳香族環、芳香族環集
合、トリアリールアミン、又はポリアリールエテンから
誘導される1ないし4価の基であり、(A9)、(B9)お
よび(C 9)は置換もしくは無置換の、エチレン、ビニレ
ン又はo−アリーレン基を表わす。Ar12は置換もしく
は無置換の、芳香族炭化水素環または芳香族複素環から
誘導される基を表す。mは1ないし4の整数、lは1以
上の整数を表わし、nは1ないし4の整数を表わす。) (2)前記有機化合物層が正孔を輸送する正孔輸送層を
有し、正孔輸送層が一般式(I)、(II)、(III)、
(IV)および(V)で表される化合物の少なくとも一つ
を含有していることを特徴とする(1)記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子、(3)前記有機化合物層が
正孔を輸送する正孔輸送層、発光領域を有する発光層と
の積層物もしくは混合層により形成され、正孔輸送層が
一般式(I)、(II)、(III)、(IV)および(V)で
表される化合物の少なくとも一つを含有していることを
特徴とする(1)記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子、(4)前記有機化合物層が正孔を輸送する正孔輸
送層、発光領域を有する発光層、電子を輸送する電子輸
送層との積層物もしくは混合層または正孔輸送層と発光
層、発光層と電子輸送層いずれかもしくは両方の混合層
を含む積層構成により形成され、正孔輸送層が一般式
(I)、(II)、(III)、(IV)および(V)で表され
る化合物の少なくとも一つを含有していることを特徴と
する(1)記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
(5)前記有機化合物層が高分子化合物中に分散された
高分子分散層で形成されたことを特徴とする(1)記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子、(6)前記正孔
輸送層が高分子化合物中に分散された高分子分散層で形
成されたことを特徴とする(2)記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子、を提供するものである。この構成
により、有機エレクトロルミネッセンス素子を長時間安
定に発光させるという作用を有する。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一般式(I)、
(II)、(III)、(IV)および(V)で表される化合物
について詳しく説明する。
【0019】一般式(I)における(A1)、(B1)、
(C1)、(A2)、(B2)および(C2)は置換もしくは無
置換の、エチレン、ビニレン又はo−アリーレン基を表
わすが、これらの基について無置換の基について具体例
を示せば例えば下記の基である。
【0020】
【化11】
【0021】(A1)、(B1)、(C1)、(A2)、(B2)
および(C2)について、好ましくは置換もしくは無置換
の、ビニレン又はo−フェニレン基である。
【0022】(A1)、(B1)、(C1)、(A2)、(B2)
および(C2)が置換基を有する場合、置換可能な基はハ
ロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルケニル
基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ
基、ニトロ基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、アシルアミノ基、アル
キルアミノ基、アニリノ基、ウレイド基、スルファモイ
ルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコ
キシカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、カルバモ
イル基、スルファモイル基、スルホニル基、アルコキシ
カルボニル基、ヘテロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキ
シ基、カルバモイルオキシ基、シリルオキシ基、アリー
ルオキシカルボニルアミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ
基、スルフィニル基、ホスホニル基、アリールオキシカ
ルボニル基、アシル基、シリル基又はアゾリル基である
が、好ましくはハロゲン原子、置換もしくは無置換の、
アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、ジ
アルキルアミノ、N−アルキル−N−アリールアミノ、
又はジアリールアミノ基である。
【0023】好ましい置換可能な基について詳しく述べ
れば、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素から選ばれる
ハロゲン原子、無置換の基について言えば炭素数1〜2
0のアルキル基、炭素数6〜36のアリール基、炭素数
1〜20のアルコキシ基、炭素数6〜36のアリールオ
キシ基、炭素数2〜20のジアルキルアミノ基、炭素数
7〜42のN−アルキル−N−アリールアミノ基又は炭
素数12〜48のジアリールアミノ基である。
【0024】ハロゲン原子以外の基をより具体的に示せ
ば、メチル、エチル、イソプロピル、n−ブチル、t−
ブチル、n−ドデシル、もしくはシクロヘキシル、など
のアルキル基、フェニル、ナフチル、アントラセニル、
フェナントレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペンタセ
ニルもしくはペンタフェニルなどのアリール基、メトキ
シ、エトキシ、イソプロポキシ、n−ヘキシルオキシ、
シクロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、もしくはドデ
シルオキシなどのアルコキシ基、フェノキシ、ナフトキ
シ、アントラセノキシ、もしくはペンタセノキシなどの
アリールオキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、
ジブチルアミノ、ジオクチルアミノもしくはN−エチル
−N−ブチルアミノなどのジアルキルアミノ基、N−メ
チル−N−フェニルアミノ、N−エチル−N−フェニル
アミノ、N−イソプロピル−N−(3−メチルフェニ
ル)アミノ、N−メチル−N−(1−ナフチル)アミ
ノ、もしくはN−ブチル−N−(1−ナフタセニル)ア
ミノなどのN−アルキル−N−アリールアミノ基、又
は、ジフェニルアミノ、N−フェニル−N−(1−ナフ
チル)アミノ、N−(1−ナフチル)−N−(1−ナフ
チル)アミノ、N−フェニル−N−(1−アントラセニ
ル)アミノ、もしくはN−(1−アントラセニル)−N
−(1−フェナントレニル)アミノなどのジアリールア
ミノ基である。
【0025】これらの基は更に置換基を有してもよく、
その場合の置換基としては前記の(A1)、(B1)、(C
1)、(A2)、(B2)および(C2)に置換可能な基が好ま
しい。
【0026】(A1)、(B1)、(C1)、(A2)、(B2)
および(C2)が有しても良い特に好ましい置換基は、ア
ルキル基、又はジアリールアミノ基である。
【0027】(A1)、(B1)、(C1)、(A2)、(B2)
および(C2)が複数の置換基を有し、それらが隣り同志
に存在する場合、互いに結合して、飽和もしくは不飽和
(芳香族環など)の環を形成してもよい。
【0028】Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 およびA
5 は、置換もしくは無置換の、芳香族炭化水素環また
は芳香族複素環から誘導される基を表すが、好ましくは
炭素数6〜36の置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
環、又は炭素数2〜30の置換もしくは無置換の芳香族
複素環から誘導される基を表す。無置換の基について具
体的に述べれば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセ
ン、ピレン、ナフタセンもしくはペンタセンなどの芳香
族炭化水素環から誘導される基、又はフラン、チオフェ
ン、ピロール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾー
ル、ピラゾール、オキサジアゾール、トイアゾール、ピ
リジン、ピラジン、ピリミジン、ピラジン、ベンゾフラ
ン、インドール、キノリン、カルバゾールもしくはアク
リジンなどの芳香族複素環から誘導される基である。
【0029】Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 およびA
5 は、好ましくはベンゼン、ナフタレンもしくはアン
トラセンの芳香族炭化水素環から誘導される基、または
フラン、チオフェン、オキサジアゾールもしくはカルバ
ゾールの芳香族複素環から誘導される基であり、特に好
ましくは、ベンゼンもしくはチオフェンから誘導される
基である。
【0030】Ar1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 およびA
5 が有しても良い置換基は、前記の(A1)、(B1)、
(C1)、(A2)、(B2)および(C2)に置換可能な基と
同義の基である。
【0031】a、b、およびcは1ないし4の整数を表
わすが、好ましくは2である。
【0032】dは0ないし2の整数を表すが、好ましく
は0又は1である。
【0033】一般式(II)における(Y)は窒素原子、
又は1,3,5−ベンゼントリイル基を表すが、後者は
2,4,6位に置換基を有していても良く、好ましい置
換可能な基はハロゲン原子、アルキル基、またはアリー
ル基などである。(Y)は、好ましくは窒素原子、又は
無置換の1,3,5−ベンゼントリイル基である。
【0034】(A3)、(B3)、(C3)、(A4)、
(B4)、(C4)、(A5)、(B5)および(C5)は、置換
もしくは無置換の、エチレン、ビニレン又はo−アリー
レン基を表わすが、これらは前記一般式(I)における
(A1)、(B1)、(C1)、(A2)、(B2)および(C2)
について定義した基と同義の基である。
【0035】Ar6 、Ar7 およびAr8 は、(Y)が
窒素原子の時置換もしくは無置換の、芳香族炭化水素環
または芳香族複素環から誘導される基を表すが、これら
は前記一般式(I)におけるAr1 、Ar2 、Ar3
Ar4 およびAr5 について定義した基と同義の基であ
る。(Y)が1,3,5−ベンゼントリイル基の時置換
もしくは無置換のベンゼン環を表すが、ベンゼン環が有
することが可能な置換基は前記の(A1)、(B1)、(C
1)、(A2)、(B2)および(C2)に置換可能な基と同義
の基である。
【0036】e、fおよびgは1ないし3の整数を表す
が、好ましくは2である。e、fおよびgが1で、(B
3)、(B4)および(B5)が無置換のエチレン基または置
換もしくは無置換のビニレン基、Ar6 、Ar7 および
Ar8 がベンゼンから誘導される基の場合、窒素原子と
(Y)が互いにパラの位置に結合していることはな
い。)
【0037】一般式(III)における(A6)、(B6)およ
び(C6)は置換もしくは無置換の、エチレン、ビニレン
又はo−アリーレン基を表すが、これらは前記一般式
(I)における(A1)、(B1)、(C1)、(A2)、(B
2)および(C2)について定義した基と同義の基である。
【0038】Ar9 は置換もしくは無置換の芳香族複素
環、少なくとも1つのベンゼン以外の芳香族炭化水素環
もしくは少なくとも1つの芳香族複素環を含む置換もし
くは無置換の芳香族環集合、又は置換もしくは無置換の
ポリアリールメタンから誘導される基を表わす。置換も
しくは無置換の芳香族複素環を詳しく説明すれば、置換
又は無置換の、ヘテロ原子として窒素、酸素もしくは/
およびイオウ原子を有する炭素数2〜20の芳香族複素
環であり具体的には、チオフェン、フラン、ピロール、
シロール、オキサゾール、オキサジアゾール、イソオキ
サゾール、トリアゾール、チアゾール、ピリジン、ピリ
ミジン、ピラジン、トリアジン、カルバゾールなどであ
る。少なくとも1つのベンゼン以外の芳香族炭化水素環
もしくは少なくとも1つの芳香族複素環を含む置換もし
くは無置換の芳香族環集合を詳しく説明すれば、上記の
芳香族複素環とナフタレン、アントラセン又はフェナン
トレンなどの置換又は無置換の炭素数10〜22のベン
ゼン以外の芳香族炭化水素環が環集合の定義に従い結合
して集合をなすものである。環集合(ring assenblies)
の定義は「二つ以上の環系が一重結合か二重結合で直結
していて、環を直結している結合の数が環系の数より一
つだけ少ないもの」(平山健三、平山和雄「有機化学・
生化学命名法」改訂第2版、上巻、39頁、1988
年、(株)南光堂)である。置換もしくは無置換のポリ
アリールメタンを詳しく説明すれば、炭素数6〜22の
芳香族炭化水素環が2〜4つ置換したメタンを表す。置
換している芳香族炭化水素環は互いに結合していても良
い。具体的例を示せば、置換もしくは無置換の1,1−
ジフェニルシクロヘキサン、1,1,1−トリフェニル
エタン、テトラフェニルメタン、フルオレンまたは9,
9’−スピロビフルオレンなどである。
【0039】好ましいAr9 は少なくとも1つの芳香族
複素環を含む芳香族環集合であり、特に好ましくはベン
ゼン環とチオフェン環を含む芳香族環集合である。
【0040】Ar9 が有することができる置換基は前記
の(A1)、(B1)、(C1)、(A2)、(B2)および(C
2)に置換可能な基と同義の基である。
【0041】hは1ないし4の整数を表わすが、好まし
くは2又は3である。特に好ましくは2である。
【0042】一般式(IV)における(A7)、(B7)、
(C7)、(A8)、(B8)および(C8)は置換もしくは無
置換の、エチレン、ビニレン、又はo−アリーレン基を
表わすが、これらは前記一般式(I)における(A1)、
(B1)、(C1)、(A2)、(B 2)および(C2)について
定義した基と同義の基である。
【0043】Ar10およびAr11は置換もしくは無置換
の、芳香族炭化水素環または芳香族複素環から誘導され
る基を表すが、これらは前記一般式(I)におけるAr
1 、Ar2 、Ar3 、Ar4 およびAr5 について定義
した基と同義の基である。
【0044】iおよびkは1ないし4の整数を表し、好
ましくは各々1または2である。jは1以上の整数を表
すが、好ましくは1又は2である。i、j、kはいずれ
も特に好ましくは1である。
【0045】一般式(V) における(Z)は、芳香族
環、芳香族環集合、トリアリールアミン又はポリアリー
ルエテンから誘導される1ないし4価の基であるが、詳
しくは、ベンゼン、ナフタレン、又はアントラセン、ト
リフェニレン、フルオレン、スピロフルオレン、チオフ
ェン、ピロール、フラン、オキサジアゾール、オキサゾ
ール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、トリアゾー
ル又はカルバゾールなどの芳香族環から誘導される基、
これら芳香族環が、「二つ以上の環系が一重結合か二重
結合で直結していて、環を直結している結合の数が環系
の数より一つだけ少ないもの」(平山健三、平山和雄
「有機化学・生化学命名法」改訂第2版、上巻、39
頁、1988年、(株)南光堂)」という環集合(ring
assenblies)の定義にもとづき結合した芳香族環集合か
ら誘導される基、トリフェニルアミン、トリス(4−ビ
フェニルイル)アミン又はトリス(9−アントラセニ
ル)アミンなどのトリアリールアミンから誘導される
基、スチルベン、テトラフェニルエチレン、1,2−ジ
アントラセンニルエテン又は9,9′−(1,2−エチ
レンジイル)ジアントラセンなどのポリアリールエテン
から誘導される基を表わす。
【0046】(Z)は置換基を有してもよく、置換基可
能な基は前記の(A1)、(B1)、(C1)、(A2)、(B
2)および(C2)に置換可能な基と同義の基である。
【0047】好ましくは(Z)はベンゼン、ビフェニ
ル、トリフェニルアミン、又はスチルベンから誘導され
る2又は3価の基であり、特に好ましくは1,4−フェ
ニレン、1,3,5−ベンゼントリイル、4,4′−ビ
フェニルジイル、トリフェニルアミン−4,4′,4″
−トリイル、又は4,4′−スチルベンジイルである。
【0048】(A9)、(B9)および(C9)は置換もしく
は無置換の、エチレン、ビニレン、又はo−アリーレン
基を表わすが、これらは前記一般式(I)における(A
1)、(B1)、(C1)、(A2)、(B2)および(C2)につ
いて定義した基と同義の基である。
【0049】Ar12は置換もしくは無置換の、芳香族炭
化水素環または芳香族複素環から誘導される基を表す
が、これらは前記一般式(I)におけるAr1 、Ar
2 、Ar 3 、Ar4 およびAr5 について定義した基と
同義の基である。
【0050】mは1ないし4の整数を、lはは1以上の
整数を、nは1ないし4の整数を表わすが、好ましくは
mおよびlは1又は2であり、nは2又は3である。
【0051】次に本発明の一般式(I)、(II) 、(II
I)、(IV)および(V)で表わされる化合物の具体例を
以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
【0052】
【化12】
【0053】
【化13】
【0054】
【化14】
【0055】
【化15】
【0056】
【化16】
【0057】
【化17】
【0058】
【化18】
【0059】
【化19】
【0060】
【化20】
【0061】
【化21】
【0062】
【化22】
【0063】以下に代表的合成例を示す。 (合成例1)(例示化合物(1−1)の合成) 9H−トリベンズ〔b,d,f〕アゼピン(J. Org. Ch
em., 56, 3906(1991)に記載の方法に基づき合成)
3.0g(12.3mmol)と4,4’−ジブロモビ
フェニル38.5g(123mmol)、炭酸カリウム
2.5g(18.5mmol)および銅粉78mgを混
合し、窒素気流下外温〜200℃で約50時間加熱撹拌
した。室温近くに冷却した後クロロホルムと少量の水を
加え、不溶物を除くためセライトろ過を行った。ろ液に
更に水を加え、抽出操作を行った。得られた反応濃縮物
を昇華装置に移し、減圧下(〜10mmHg)外温15
0〜180℃に加熱すると未反応の4,4’−ジブロモ
ビフェニルが昇華した。この方法で出来る限り4,4’
−ジブロモビフェニルを除いた後、残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィ(溶出液;n−ヘキサン→n−ヘ
キサン:酢酸エチル=10:1)で分離精製するとやや
不純物を含む9−(4’−ブロモビフェニル−4−イ
ル)トリベンズ[b,d,f]アゼピンを結晶として
5.0g得ることができた。この結晶を少量のジクロロ
メタンを含むエタノールで再結晶することにより純粋な
9−(4’−ブロモビフェニル−4−イル)トリベンズ
[b,d,f]アゼピンを3.8g(収率65.5%)
得ることができた。融点165〜168℃。
【0064】得られた9−(4’−ブロモビフェニル−
4−イル)トリベンズ[b,d,f]アゼピン1.5g
(3.16mmol)、アセトアニリド2.14g(1
5.8mmol)、銅粉20mg(0.32mmol)
および炭酸カリウム0.66g(4.74mmol)の
混合物を約180℃に加熱し、溶融状態で撹拌した。約
10時間後50℃近辺まで冷却し、クロロホルムと水を
加え、セライト濾過後抽出操作を行い、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥後減圧濃縮した。残渣を昇華装置に移し、
減圧下(約10mmHg)約120℃に加熱して過剰に
用いたアセトアニリドを昇華させることによって出来る
だけ除去した。次に残渣をメトキシエタノール50ml
に溶解し、その中に水10mlと水酸化カリウム1.0
g(17.8mmol)を加え、約10時間加熱環流し
た。水を加え中和後クロロホルムで抽出操作を行い、乾
燥濃縮後残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精
製することによりN−[4’−(9−トリベンズ[b,
d,f]アゼピニル)ビフェニル−4−イル]アニリン
を1.1g(収率72%)得ることが出来た。
【0065】得られたN−[4’−(9−トリベンズ
[b,d,f]アゼピニル)ビフェニル−4−イル]ア
ニリン1.0g(2.06mmol)、9−(4’−ブ
ロモビフェニル−4−イル)トリベンズ[b,d,f]
アゼピン0.97g(2.06mmol)、銅粉20m
g(0.32mmol)、炭酸カリウム0.43g
(3.08mmol)および1mlのo−ジクロロベン
ゼンの混合物を外温200℃で50時間加熱撹拌した。
その後反応液を減圧下(約10mmHg)においてo−
ジクロロベンゼンのほとんどを除去後、反応液を100
℃近辺に冷却しトルエンを加え不溶物を濾過した。濾液
にシリカゲル約10gを加えロータリーエバポレーター
でトルエンを十分に除き、それをシリカゲル100gを
充填したカラムクロマトグラフィの上に注ぎ、n−ヘキ
サン、次にn−ヘキサン/トルエンの混合溶媒(5:1
→2:1)で溶出することにより、ほぼ純粋な例示化合
物(1−1)を1.2g(収率66%)得、テトラヒド
ロフランとエタノールの混合溶媒から2回再結晶するこ
とのより純品0.57gを得た。融点は300℃以上
(DSC測定で302.5℃)。
【0066】(合成例2)(例示化合物(2−1)の合
成) 9H−トリベンズ[b,d,f]アゼピン6.0g(2
4.6mmol)と1,4−ジブロモベンゼン58.2
g(246mmol)、炭酸カリウム5.0g(37.
0mmol)および銅粉156mgを混合し、窒素気流
下約180℃で約80時間加熱撹拌した。室温近くに冷
却した後クロロホルムと少量の水を加え、不溶物を除く
ためセライトろ過を行った。ろ液に更に水を加え、抽出
操作を行った。得られた反応濃縮物を昇華装置に移し、
常圧下外温約150℃に加熱すると未反応の1,4−ジ
ブロモベンゼンが昇華した。この方法で出来る限り1,
4−ジブロモベンゼンを除いた後、残渣にクロロホルム
を加え再結晶操作を行うことにより9−(4−ブロモフ
ェニル)トリベンズ[b,d,f]アゼピンを7.0g
(収率71.4%)を得ることができた。融点250〜
253℃。
【0067】9−(4−ブロモフェニル)トリベンズ
[b,d,f]アゼピン1.5g(3.77mmo
l)、ビス(ピナコラト)ジボロン1.05g(4.1
4mmol)、[1,1’−ビス(ジフェニルホスヒ
ノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)のジクロロ
メタン(1:1)錯体92mg(0.113mmol)
および酢酸カリウム1.11g(11.3mmol)を
N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)20mlに溶
かし窒素気流下80℃で2時間撹拌した。室温に冷却
後、反応液中にトリス(4−ヨードフェニル)アミン
0.7g(1.13mmol)と[1,1’−ビス(ジ
フェニルホスヒノ)フェロセン]ジクロロパラジウム
(II)のジクロロメタン(1:1)錯体92mg(0.
113mmol)および2M炭酸ナトリウム水溶液9.
4mlを添加し、80℃で約10時間撹拌した。反応液
を室温に冷却後トルエンで抽出操作を行ない、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、濾過・減圧濃縮した。得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製するこ
とにより例示化合物(2−1)を0.9g(収率67
%)得ることができた。テトラヒドロフラン/エタノー
ルの混合溶媒より再結晶することにより白色結晶の純粋
な例示化合物(2−1)を得た。融点300℃以上。
【0068】(合成例3)(例示化合物(3−1)の合
成) (合成例2)で得た9−(4−ブロモフェニル)トリベ
ンズ[b,d,f]アゼピン4.1g(10.3mmol)
をテトラヒドロフラン(THF)40mlに溶かし、窒素気流
下−78℃に冷却し、1.6Mのn−ブチルリチウムヘ
キサン溶液を6.4ml(10.4mmol) 注射器で加え
た。しばらく攪拌後、ホウ酸トリメチル1.1g(1
0.4mmol)のTHF 溶液を滴下し、徐々に室温にもど
し、さらに約2時間反応させた。次に希硫酸を0℃で加
え、加水分解した。酢酸エチルを抽出し、後処理・濃縮
するとボロン酸の固体が得られた。この粗ボロン酸にト
ルエン100mlと2Mの炭酸ナトリウム水溶液23ml
(46mmol) を加え、テトラキストリフェニルホスフィ
ンパラジウム0.1g(0.087mmol) を添加した。
更に2,5−ジブロモチオフェン1.2g(4.8mmo
l) を加え窒素気流下加熱還流した。約10時間後反応
液を室温に戻し、水を加えると結晶が折出したので濾過
し、メタノールで洗浄した。粗結晶をシリカゲルクロマ
トグラフィで精製し、更に再結晶(テトラヒドロフラン
/エタノールより)にて精製することにより例示化合物
(3−1)を1.8g(52%)得ることができた。融
点300℃以上。
【0069】(合成例4)(例示化合物(4−1)の合
成) 合成例2にて得た9−(4−ブロモフェニル)トリベン
ズ[b,d,f]アゼピン8.0g(20mmol)をテト
ラヒドロフラン(THF)に溶かし、アルゴン気流下−78
℃に冷却した。その中にn−ブチルリチウムの2.5M
濃度のn−ヘキサン溶液を9.6ml(24mmol)滴下し
後30分間攪拌した。次にその中にN,N−ジメチルホ
ルムアミド3.1ml(40mmol)を滴下し、約1時間攪
拌し、徐々に室温まで昇温した。反応液に希硫酸を加
え、次にクロロホルムで抽出し、反応濃縮物をシリカゲ
ルクロマトグラフィで精製することにより、5−(4−
ホルミルフェニル)トリベンズ[b,d,f]アゼピン
を5.2g(収率75%)得ることができた。チタニウ
ム(III)クロリドのジメトキシエタン(1:1.5)錯
体15.8g(54.0mmol)とZn-Cu カップル、1
1.7g(178mmol)を窒素気流下でフラスコに取
り、この中に無水ジメトキシエタン400mlを加え2時
間加熱還流した。次いでその中に5−(4−ホルミルフ
ェニル)トリベンズ[b,d,f]アゼピン4.0g
(11.5mmol)の無水ジメトキシエタン50ml溶液を
加え、約8時間加熱還流した。反応物を室温にした後、
酢酸エチルを加え、セライト濾過した。濾液を濃縮し、
得られた結晶性化合物をシリカゲルショートカラムと再
結晶法(テトラヒドロフラン/メタノール)で精製する
ことにより例示化合物(4−1)を2.7g(収率71
%)得ることができた。融点300℃以上。
【0070】(合成例5)(例示化合物(5−1)の合
成) 合成例4にて得た5−(4−ホルミルフェニル)トリベ
ンズ[b,d,f]アゼピン11.0g(31.7mmo
l)をジメチルスルホキシド50mlに溶かし、その中に
4−ジエチルホスホノメチルトリフェニルアミン12.
5g(31.7mmol)加え、更にその中にt−ブトキシ
カリウム3.6g(32.1mmol)を加え、窒素気流下
室温で約5時間攪拌し、その後一晩放置した。クロロホ
ルムで反応液の抽出操作を行ない、後処理・濃縮後、カ
ラムクロマトグラフィと再結晶法(テトラヒドロフラン
/メタノール)で精製することにより例示化合物(5−
1)を9.7g(収率52%)得ることができた。融点
250〜252℃。
【0071】本発明の構成は、基板上に少なくとも正孔
を注入する陽極と、少なくとも1層の有機化合物層、電
子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセン
ス素子の構成であり、有機化合物層に含有される一般式
(I)、(II)、(III)、(IV)および(V)で示され
る本発明の化合物は良好な正孔輸送性を有しているた
め、正孔輸送材料として用いられることが好ましいが、
強い蛍光を有するものについては発光材料として用いる
こともできる。有機化合物層は発光領域が必要であり、
有機化合物層が単層のみで有機エレクトロルミネッセン
ス素子が構成される場合、本発明による有機化合物は同
一層中に単独、もしくは他の化合物との混合層中に含有
される構成となる。その場合、キヤリアの輸送だけでな
く発光領域としても機能する。また有機化合物層は発光
領域を有する発光層に正孔の輸送性が足りない場合、正
孔輸送層を陽極との間に設けたり、電子の輸送性が足り
ない場合、陰極との間に電子輸送層を設ける機能分離の
積層構造を選択することもできる。積層構造は正孔輸送
層と発光層、発光層と電子輸送層の二層構造、正孔輸送
層、発光層、電子輸送層の三層構造、もしくは前記いず
れかの層の混合層を含む積層構造が用途により選択でき
る。また各層も異種の材料の混合層とした構成も選択で
き、特に発光層は蛍光強度の強い材料を共蒸着法等によ
り少量混合するドーパントを用いたホスト、ゲストシス
テムが高効率化の点から有効である。さらに同一層中に
正孔輸送性材料、発光材、電子輸送材料を含有する構成
も選択できる。本発明による一般式(I)、(II)、
(III)、(IV)および(V)で表される化合物は良好な
正孔輸送性を示し、蒸着膜も均一かつ優れた密着性を示
すため、ITO等の陽極上に抵抗加熱蒸着法等により正
孔輸送層として形成される正孔輸送材料として用いられ
ることが特に好ましい。さらに本発明による有機化合物
は他の正孔輸送性を示す材料と積層膜を形成したり、共
蒸着法等により混合膜を形成したりすることが可能であ
る。さらに正孔輸送層中に発光材料や電子の輸送性を有
する材料を混合した構造も選択できる。またもしくはこ
れらをポリスチレンやポリカーボネート等の樹脂中に分
散させ、スピンコートやディップ法等により分散膜とし
て形成することも可能である。分散膜は有機化合物層全
部に形成してもよいが、ITO等の陽極上に正孔輸送材
料をポリスチレンやポリカーボネート等の樹脂中に分散
させ、スピンコートやディップ法等により分散膜として
形成した後、真空蒸着法等により発光層、電子輸送層等
を積層することも可能である。
【0072】一般的に、正孔、電子を効率よく注入し再
結合させる点から有機エレクトロルミネッセンス素子
は、各層に機能を分担させる積層構造を取る。以下に各
層に用いられる材料を示す。各層に用いられる材料と本
発明による有機化合物は有機化合物層中で組み合わせて
用いることができる。
【0073】正孔輸送材料としてはN,N’−ジフェニ
ル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’
−ジフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)等の芳香
族ジアミン化合物が一般的に用いられるが、他に用いら
れる物として特開平4−129191号公報、特開平4
−255692号公報、特開平4−132189号公報
に記載されているような、ポルヒィン、テトラフェニル
ポルヒィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チ
タニウムフタロシアニンオキサイド等のポルフィリン化
合物、1,1−ビス{4−(ジ−p−トリルアミノ)フ
ェニル}シクロヘキサン、4,4’,4’’−トリメチ
ルトリフェニルアミン、N,N,N’N’−テトラキス
(p−トリル)−p−フェニレンジアミン、1−(N,
N−ジ−p−トリルアミノ)ナフタレン、4,4’−ビ
ス(ジメチルアミノ)−2,2’−ジメチルトリフェニ
ルメタン、N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,
4’−ジアミノビフェニル、N,N’−ジフェニル−
N,N’−ジ−m−トリル−4,4’−ジアミノビフェ
ニル、N−フェニルカルバゾール等の芳香族三級アミ
ン、4−ジ−p−トリルアミノスチルベン、4−(ジ−
p−トリルアミノ)−4’−[4−ジ−p−トリルアミ
ノ)スチリル]スチルベン等のスチルベン化合物、トリ
アゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾー
ル誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘
導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、
アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オ
キサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フル
オレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、
ポリシラン系アニリン系共重合体、高分子オリゴマー、
スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合
物、ポリ3−メチルチオフェン等が挙げられる。またポ
リカーボネート等の高分子中に分散させた、高分子分散
系としても用いられる。
【0074】発光材料としては従来技術で示したAlq
のような可視領域に蛍光を有し、成膜性がよい蛍光体か
らなる物が好ましい。また有機エレクトロルミネッセン
ス素子の発光材料として用いられる物の多くは電子輸送
性を有し、電子輸送層もしくは発光層との混合層として
用いることができる。すなわち特開平4−255692
号公報に記載されているような、ベンゾチアゾール系、
ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光
増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリル
ベンゼン系化合物等を挙げることができる。その代表例
としては、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−
2−ベンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアジアゾー
ル、4,4’−ビス(5、7−ペンチル−2−ベンゾオ
キサゾリル)スチルベン、4,4’ビス[5,7−ジ−
(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル]スチルベン、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペン
チル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、2,5−
ビス([5−α、α−ジメチルベンジル]−2−ベンゾ
オキサゾリル)チオフェン、2,5−ビス[5,7−ジ
−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル]−3,4−ジフェニルチオフェン、2,5−ビス
(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、
4,4’−ビス(2−ベンゾオキサゾリル)ビフェニ
ル、5−メチル−2−[2−[4−(5−メチル−2−
ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾオキサ
ゾール、2−[2−(4−クロロフェニル)ビニル]ナ
フト[1,2−d]オキサゾールなどのベンゾオキサゾ
ール系、2,2’−(p−フェニレンジビニレン)−ビ
スベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、2−
[2−[4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル]ビ
ニル]ベンゾイミダゾール、2−[2−(4−カルボキ
シフェニル)ビニル]ベンゾイミダゾールなどのベンゾ
イミダゾール系などの蛍光増白剤が挙げられる。
【0075】前記金属キレート化オキシノイドの例とし
ては、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ビス
(8−キノリノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ
[f]−8−キノリノール)亜鉛、ビス(2−メチル−
8−キノリノラート)アルミニウムオキシド、トリス
(8−キノリノール)インジウム、トリス(5−メチル
−8−キノリノール)アルミニウム、8−キノリノール
リチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガ
リウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシ
ウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−
キノリノニル)メタン]などの8−ヒドロキシキノリン
系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等が挙げられ
る。スチリルベンゼン系化合物としては、1、4−ビス
−(2−メチルスチリル)ベンゼン、1、4−(3−メ
チルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス(4−メチルス
チリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1、4−ビス
(2−エチルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス(3−
エチルスチリル)ベンゼン、1、4−ビス(2−メチル
スチリル)−2−メチルベンゼン等が挙げられる。ま
た、ジスチリルピラジン誘導体も用いられ、その代表例
としては、2、5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジ
ン、2、5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、
2、5−ビス[2−(1−ナフチル)ビニル]ピラジ
ン、2、5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、
2、5−ビス[2−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジ
ン、2、5−ビス[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラ
ジン等が挙げられる。さらに、ナフタルイミド誘導体、
ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン
誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘
導体、あるいはクマリン系誘導体、芳香族ジメチリディ
ン誘導体、さらに特開平4−132189号公報に記載
されているような、アントラセン、サリチル酸塩、ピレ
ン、コロネン等も挙げられる。
【0076】また本発明の有機化合物は上記蛍光を示す
有機材料とドーピング法によりゲスト−ホストシステム
による発光層を形成することも可能である。
【0077】陰極材料としては仕事関数の低い金属もし
くは合金が用いられ、Al、In、Mg、Ti、Mg/
Ag合金、Al−Li合金等が用いられる。さらに陰極
の上に蒸着やスパッタリング等もしくは塗布法により大
気中の酸素や水分の影響を遮断するための封止膜を設け
る場合もある。その材料として、SiO、SiO2 、A
23 等の無機酸化物、熱硬化性、光硬化性の樹脂や
封止効果のあるシラン系の高分子材料等が挙げられる。
【0078】次に本発明の有機エレクトロルミネッセン
ス素子について、実施例を用いて、具体的に説明する。
【0079】(実施例1)本発明の一般式(I)、(I
I)、(III)、(IV)および(V)で表される有機化合
物を正孔輸送層として用いた有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を作成した。十分洗浄されたITO(旭硝子社
製、シート抵抗15Ω)の上に、(表1)中に示す本発明
の一般式(I)、(II)、(III)、(IV)および(V)
で表される例示化合物を各々タンタル製のボードより
0.1〜0.2nm/secの蒸着速度で50nm蒸着
し、その上にAlq(トリス(8−キノリノール)アル
ミニウム)をタンタル製のボードより0.1〜0.2n
m/secの蒸着速度で75nm真空蒸着し、更にその
上にLiの濃度15at%のAl−Li合金をタングス
テン製のボードより0.5nm/secの蒸着速度によ
り真空蒸着することにより200nmの膜厚のAl−L
i層を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を完
成した。完成した発光面積8mm2 の素子は乾燥窒素
中、定電流駆動することにより連続駆動試験を行った。
駆動条件は初期輝度が500cd/m2となるように電流値を調
整し、DC定電流駆動で、初期輝度の半分の値になる時間
を半減期として駆動寿命を測定した。輝度の測定はトプ
コン社製のBM−8ルミネセントメーターにより測定し
た。評価結果を(表1)に示す。
【0080】
【表1】
【0081】(比較例1)実施例1と同様にして、十分
洗浄されたITO(旭硝子社製、シート抵抗15Ω)の
上に従来例であるTPD 、α−NPDを各々タンタル製の
ボードより0.1〜0.2nm/secの蒸着速度で5
0nm蒸着し、その上にAlq(トリス(8−キノリノ
ール)アルミニウム)をタンタル製のボードより0.1
〜0.2nm/secの蒸着速度で75nm真空蒸着
し、更にその上にLiの濃度15at%のAl−Li合
金をタングステン製のボードより0.5nm/secの
蒸着速度により真空蒸着することにより200nmの膜
厚のAl−Li層を形成し、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を完成した。また同様に発光面積8mm2 の素
子を乾燥窒素中、定電流駆動することにより連続駆動試
験を行った。駆動条件は初期輝度が500cd/m2となるよう
に電流値を調整し、DC定電流駆動で、初期輝度の半分の
値になる時間を半減期として駆動寿命を測定した。輝度
の測定はトプコン社製のBM−8ルミネセントメーター
により測定した。評価結果を(表2)に示す。本発明の
構成による素子の駆動寿命(表1)は、比較例1のそれ
ら(表2)を大幅に上回った。
【0082】
【表2】
【0083】
【発明の効果】以上のように、本発明による有機化合物
を用いることにより安定で、長時間発光する有機エレク
トロルミネッセンス素子を提供することができるように
なった。取り分け、本発明による一般式(I)、(I
I)、(III)、(IV)および(V)で表される有機化合
物を特に正孔輸送層として用いた場合、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子は従来の素子構成と比較して、飛躍
的に駆動寿命が延び、安定性に優れた有機エレクトロル
ミネッセンス素子を提供することができるようになっ
た。これにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の
ディスプレイ等への実用可能性が飛躍的に高まった。
【図面の簡単な説明】
【図1】有機エレクトロルミネッセンス素子の構成図
【符号の説明】
1 基板 2 陽極 3 正孔輸送層 4 発光層 5 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 慎太郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB02 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に、正孔を注入する陽極と電子を注
    入する陰極を有し、その間に少なくとも1層の有機化合
    物層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子におい
    て、該有機化合物層が一般式(I)、(II)、(III)、
    (IV)および(V)で表される化合物の少なくとも一つ
    を含有していることを特徴とする有機エレクトロルミネ
    ッセンス素子。 【化1】 (式中、(A1)、(B1)、(C1)、(A2)、(B2)およ
    び(C2)は置換もしくは無置換の、エチレン、ビニレン
    又はo−アリーレン基を表わす。Ar1 、Ar2、Ar3
    、Ar4 およびAr5 は置換もしくは無置換の、芳香
    族炭化水素環または芳香族複素環から誘導される基を表
    す。a、b、およびcは1ないし4の整数を表わし、d
    は0ないし2の整数を表わす。) 【化2】 (式中、(Y)は窒素原子または1,3,5−ベンゼン
    トリイル基を表す。(A 3)、(B3)、(C3)、(A4)、
    (B4)、(C4)、(A5)、(B5)および(C5)は置換も
    しくは無置換の、エチレン、ビニレン、又はo−アリー
    レン基を表わす。Ar6 、Ar7 およびAr8 は、
    (Y)が窒素原子の時は置換もしくは無置換の、芳香族
    炭化水素環または芳香族複素環から誘導される基を表
    し、(Y)が1,3,5−ベンゼントリイル基の時は置
    換もしくは無置換のベンゼン環を表す。e、fおよびg
    は1ないし3の整数を表す。e、fおよびgが1で、
    (B3)、(B 4)および(B5)が無置換のエチレン基また
    は置換もしくは無置換のビニレン基で、Ar6 、Ar7
    およびAr8 がベンゼンから誘導される基の場合、7員
    環中の窒素原子と(Y)が互いにパラの位置に結合して
    いることはない。) 【化3】 (式中、(A6)、(B6)および(C6)は置換もしくは無
    置換の、エチレン、ビニレン又はo−アリーレン基を表
    わし、Ar9 は置換もしくは無置換の芳香族複素環、少
    なくとも1つのベンゼン以外の芳香族炭化水素環もしく
    は少なくとも1つの芳香族複素環を含む置換もしくは無
    置換の芳香族環集合、又は置換もしくは無置換のポリア
    リールメタンから誘導される基を表わす。hは1ないし
    4の整数を表わす。) 【化4】 (式中、(A7)、(B7)、(C7)、(A8)、(B8)およ
    び(C8)は置換もしくは無置換の、エチレン、ビニレ
    ン、又はo−アリーレン基を表わし、Ar10およびAr
    11は置換もしくは無置換の、芳香族炭化水素環または芳
    香族複素環から誘導される基を表す。iおよびkは1な
    いし4の整数を、jは1以上の整数を表わす。) 【化5】 (式中、(Z)は芳香族環、芳香族環集合、トリアリー
    ルアミン、又はポリアリールエテンから誘導される1な
    いし4価の基であり、(A9)、(B9)および(C 9)は置
    換もしくは無置換の、エチレン、ビニレン又はo−アリ
    ーレン基を表わす。Ar12は置換もしくは無置換の、芳
    香族炭化水素環または芳香族複素環から誘導される基を
    表す。mは1ないし4の整数、lは1以上の整数を表わ
    し、nは1ないし4の整数を表わす。)
  2. 【請求項2】前記有機化合物層が正孔を輸送する正孔輸
    送層を有し、正孔輸送層が一般式(I)、(II)、(II
    I)、(IV)および(V)で表される化合物の少なくとも
    一つを含有していることを特徴とする請求項1記載の有
    機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 【請求項3】前記有機化合物層が正孔を輸送する正孔輸
    送層、発光領域を有する発光層との積層物もしくは混合
    層により形成され、正孔輸送層が一般式(I)、(I
    I)、(III)、(IV)および(V)で表される化合物の
    少なくとも一つを含有していることを特徴とする請求項
    1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 【請求項4】前記有機化合物層が正孔を輸送する正孔輸
    送層、発光領域を有する発光層、電子を輸送する電子輸
    送層との積層物もしくは混合層または正孔輸送層と発光
    層、発光層と電子輸送層いずれかもしくは両方の混合層
    を含む積層構成により形成され、正孔輸送層が一般式
    (I)、(II)、(III)、(IV)および(V)で表され
    る化合物の少なくとも一つを含有していることを特徴と
    する請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素
    子。
  5. 【請求項5】前記有機化合物層が高分子化合物中に分散
    された高分子分散層で形成されたことを特徴とする請求
    項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 【請求項6】前記正孔輸送層が高分子化合物中に分散さ
    れた高分子分散層で形成されたことを特徴とする請求項
    2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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