JP2000319288A - 光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体及びその製造方法、並びに該化合物を配位子とするロジウム金属錯体 - Google Patents
光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体及びその製造方法、並びに該化合物を配位子とするロジウム金属錯体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不斉水素化反応の遷移金属触媒の配位子とし
て有用な光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィ
ノ）ベンゼン誘導体及びその製造方法、並びに不斉水素
化反応の不斉触媒として有用な該化合物を配位子とする
ロジウム金属錯体を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（１）； 【化１】 （式中、Ｒ1 は直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のアル
キル基を示し、アスタリスクは不斉リン原子を示す。）
で表わされる光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホス
フィノ）ベンゼン誘導体。
て有用な光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィ
ノ）ベンゼン誘導体及びその製造方法、並びに不斉水素
化反応の不斉触媒として有用な該化合物を配位子とする
ロジウム金属錯体を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（１）； 【化１】 （式中、Ｒ1 は直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のアル
キル基を示し、アスタリスクは不斉リン原子を示す。）
で表わされる光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホス
フィノ）ベンゼン誘導体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不斉水素化反応の
不斉触媒の配位子として有用な光学活性な１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体及びその製造
方法、並びに不斉水素化反応の不斉触媒として有用な該
光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベン
ゼン誘導体を配位子とするロジウム金属錯体に関するも
のである。
不斉触媒の配位子として有用な光学活性な１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体及びその製造
方法、並びに不斉水素化反応の不斉触媒として有用な該
光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベン
ゼン誘導体を配位子とするロジウム金属錯体に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】新しいキラルなホスフィン配位子の開発
研究は、金属触媒を用いる不斉合成反応の研究を大きく
発展させ、ここ３０年の間に急速に発展した。それらの
配位子は、不斉中心が炭素骨格上にあり、リン原子を持
ち、リン原子上には２個のアリール基を持つものが大部
分である。その一方で、ジアルキル、トリアルキル基を
持つＰ−キラルホスフィン配位子は合成が困難なためあ
まり研究されてこなかった。
研究は、金属触媒を用いる不斉合成反応の研究を大きく
発展させ、ここ３０年の間に急速に発展した。それらの
配位子は、不斉中心が炭素骨格上にあり、リン原子を持
ち、リン原子上には２個のアリール基を持つものが大部
分である。その一方で、ジアルキル、トリアルキル基を
持つＰ−キラルホスフィン配位子は合成が困難なためあ
まり研究されてこなかった。
【０００３】最近、本研究者らは、いろいろなα，β−
不飽和αアミノ酸とそれらのエステルを効率的に不斉水
素化することができる下記一般式（３）；
不飽和αアミノ酸とそれらのエステルを効率的に不斉水
素化することができる下記一般式（３）；
【０００４】
【化３】
【０００５】（式中、Ｒは、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、ter-ブチル基、1,1-ジエチルプロピル基又
は１−アダマソチルを示す。）で表されるｐ−キラルな
トリアルキル基を持つ１，２−ビス（アルキルメチルホ
スフィノ）エタンを提案した（J.Am.Chem.Soc.1998,12
0,1635 〜1636頁）。
ヘキシル基、ter-ブチル基、1,1-ジエチルプロピル基又
は１−アダマソチルを示す。）で表されるｐ−キラルな
トリアルキル基を持つ１，２−ビス（アルキルメチルホ
スフィノ）エタンを提案した（J.Am.Chem.Soc.1998,12
0,1635 〜1636頁）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、更に、
不斉水素化反応の不斉触媒の配位子について有用な光学
活性なホスフィン配位子の開示が望まれている。
不斉水素化反応の不斉触媒の配位子について有用な光学
活性なホスフィン配位子の開示が望まれている。
【０００７】従って、本発明の目的は、不斉水素化反応
の遷移金属触媒の配位子として有用な光学活性な１，２
−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体及びそ
の製造方法、並びに不斉水素化反応の不斉触媒として有
用な該化合物を配位子とするロジウム金属錯体を提供す
ることにある。
の遷移金属触媒の配位子として有用な光学活性な１，２
−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体及びそ
の製造方法、並びに不斉水素化反応の不斉触媒として有
用な該化合物を配位子とするロジウム金属錯体を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる実情において、本
発明者らは鋭意検討を行った結果、本発明を完成するに
至った。すなわち、本発明は、下記一般式（１）；
発明者らは鋭意検討を行った結果、本発明を完成するに
至った。すなわち、本発明は、下記一般式（１）；
【０００９】
【化４】
【００１０】（式中、Ｒ1 は直鎖状又は分岐状の炭素数
２〜６のアルキル基を示し、アスタリスクは不斉リン原
子を示す。）で表わされる光学活性な１，２−ビス（ジ
アルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体を提供するもので
ある。
２〜６のアルキル基を示し、アスタリスクは不斉リン原
子を示す。）で表わされる光学活性な１，２−ビス（ジ
アルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体を提供するもので
ある。
【００１１】また、本発明は、下記一般式（２）；
【００１２】
【化５】
【００１３】（式中、Ｒ1 は前記と同義。）で表される
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンを
光学活性なジベンゾイル酒石酸により光学分割した後、
還元剤により還元する前記の光学活性な１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体の製造方法を
提供するものである。
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンを
光学活性なジベンゾイル酒石酸により光学分割した後、
還元剤により還元する前記の光学活性な１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体の製造方法を
提供するものである。
【００１４】また、本発明は、前記一般式（１）で表さ
れる光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）
ベンゼン誘導体を配位子とするロジウム金属錯体を提供
するものである。
れる光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）
ベンゼン誘導体を配位子とするロジウム金属錯体を提供
するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の一般式（１）で表される
光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベン
ゼン誘導体の式中、Ｒ1 は、直鎖状又は分岐状の炭素数
２〜６のアルキル基であり、具体的には、エチル基、イ
ソプロピル基、ｎ−プロピル基、イソブチル基、ｎ−ブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソ
ヘプチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘ
キシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙
げられる。
光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベン
ゼン誘導体の式中、Ｒ1 は、直鎖状又は分岐状の炭素数
２〜６のアルキル基であり、具体的には、エチル基、イ
ソプロピル基、ｎ−プロピル基、イソブチル基、ｎ−ブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソ
ヘプチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘ
キシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙
げられる。
【００１６】この一般式（１）で表される１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体の具体的な化
合物を例示すると、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（エチル
メチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビ
ス（エチルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−
１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノ）ベンゼ
ン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソプロピルメチルホ
スフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ｎ−
プロピルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−
１，２−ビス（ｎ−プロピルメチルホスフィノ）ベンゼ
ン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（イソブチルメチルホス
フィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソブ
チルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２
−ビス（ｎ−ブチルメチルホスフィノ）ベンゼン、
（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ｎ−ブチルメチルホスフィ
ノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ｓｅｃ−ブ
チルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２
−ビス（ｓｅｃ−ブチルメチルホスフィノ）ベンゼン、
（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホ
スフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ｔｅ
ｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）
−１，２−ビス（イソヘプチルメチルホスフィノ）ベン
ゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソヘプチルメチル
ホスフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ｎ
−ヘプチルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−
１，２−ビス（ｎ−ヘプチルメチルホスフィノ）ベンゼ
ン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（イソヘキシルメチルホ
スフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソ
ヘキシルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−
１，２−ビス（ｎ−ヘキシルメチルホスフィノ）ベンゼ
ン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ｎ−ヘキシルメチルホ
スフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（シク
ロペンチルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−
１，２−ビス（シクロペンチルメチルホスフィノ）ベン
ゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（シクロヘキシルメチ
ルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス
（シクロヘキシルメチルホスフィノ）ベンゼン等が挙げ
られる。
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体の具体的な化
合物を例示すると、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（エチル
メチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビ
ス（エチルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−
１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノ）ベンゼ
ン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソプロピルメチルホ
スフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ｎ−
プロピルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−
１，２−ビス（ｎ−プロピルメチルホスフィノ）ベンゼ
ン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（イソブチルメチルホス
フィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソブ
チルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２
−ビス（ｎ−ブチルメチルホスフィノ）ベンゼン、
（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ｎ−ブチルメチルホスフィ
ノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ｓｅｃ−ブ
チルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２
−ビス（ｓｅｃ−ブチルメチルホスフィノ）ベンゼン、
（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホ
スフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ｔｅ
ｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）
−１，２−ビス（イソヘプチルメチルホスフィノ）ベン
ゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソヘプチルメチル
ホスフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ｎ
−ヘプチルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−
１，２−ビス（ｎ−ヘプチルメチルホスフィノ）ベンゼ
ン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（イソヘキシルメチルホ
スフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソ
ヘキシルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−
１，２−ビス（ｎ−ヘキシルメチルホスフィノ）ベンゼ
ン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ｎ−ヘキシルメチルホ
スフィノ）ベンゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（シク
ロペンチルメチルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−
１，２−ビス（シクロペンチルメチルホスフィノ）ベン
ゼン、（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（シクロヘキシルメチ
ルホスフィノ）ベンゼン、（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス
（シクロヘキシルメチルホスフィノ）ベンゼン等が挙げ
られる。
【００１７】次いで、本発明の製造方法について説明す
る。本発明の一般式（１）で表される光学活性な１，２
−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体の製造
方法は、例えば、一般式（２）で表される１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンを光学活性なジ
ベンゾイル酒石酸を用いて光学分割して、光学活性な
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンを
得る第１工程、次いで、得られた光学活性な１，２−ビ
ス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンを還元剤によ
り還元処理して目的とする一般式（１）で表される光学
活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン
誘導体を得る第２工程からなるものである。
る。本発明の一般式（１）で表される光学活性な１，２
−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体の製造
方法は、例えば、一般式（２）で表される１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンを光学活性なジ
ベンゾイル酒石酸を用いて光学分割して、光学活性な
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンを
得る第１工程、次いで、得られた光学活性な１，２−ビ
ス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンを還元剤によ
り還元処理して目的とする一般式（１）で表される光学
活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン
誘導体を得る第２工程からなるものである。
【００１８】（第１工程）第１工程において、原料とな
る一般式（２）で表される１，２−ビス（ジアルキルホ
スフィノイル）ベンゼンの式中、Ｒ1 は、一般式（１）
で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベン
ゼン誘導体の式中のＲ1 に相当する基である。かかる一
般式（２）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフ
ィノイル）ベンゼンは、公知の方法で製造され、例え
ば、下記反応式（Ｉ）；
る一般式（２）で表される１，２−ビス（ジアルキルホ
スフィノイル）ベンゼンの式中、Ｒ1 は、一般式（１）
で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベン
ゼン誘導体の式中のＲ1 に相当する基である。かかる一
般式（２）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフ
ィノイル）ベンゼンは、公知の方法で製造され、例え
ば、下記反応式（Ｉ）；
【００１９】
【化６】
【００２０】（式中、Ｒ1 は前記と同義。）に従って、
容易に得ることができる。
容易に得ることができる。
【００２１】すなわち、１，２−ビス（ホスフィノ）ベ
ンゼン（化合物（４））は、溶媒中、ｎ−ブチルリチウ
ム、ヨウ化メチルの存在下、−７８℃〜室温の温度でメ
チル化され、１，２−ビス（メチルホスフィノ）ベンゼ
ン（化合物（５））となる。次いで、反応容器に化合物
（５）とエチルエーテル及びｎ−ブチルリチウムを仕込
み、更に臭化アルキルを徐々に滴下し、−１０〜０℃の
温度範囲で数時間反応させて１，２−ビス（アルキルメ
チルホスフィノ）ベンゼン（一般式（６））を得る。次
いで、一般式（６）の化合物をメタノールに溶解し、０
℃の温度で過酸化水素と数時間反応させて１，２−ビス
（アルキルメチルホスフィノイル）ベンゼンのラセミ
体、すなわち、一般式（７）のｒａｃ体と一般式（８）
のｍｅｓｏ体の混合物を得る。なお、一般式（７）及び
一般式（８）を便宜上、一般式（２）として表すことに
する。
ンゼン（化合物（４））は、溶媒中、ｎ−ブチルリチウ
ム、ヨウ化メチルの存在下、−７８℃〜室温の温度でメ
チル化され、１，２−ビス（メチルホスフィノ）ベンゼ
ン（化合物（５））となる。次いで、反応容器に化合物
（５）とエチルエーテル及びｎ−ブチルリチウムを仕込
み、更に臭化アルキルを徐々に滴下し、−１０〜０℃の
温度範囲で数時間反応させて１，２−ビス（アルキルメ
チルホスフィノ）ベンゼン（一般式（６））を得る。次
いで、一般式（６）の化合物をメタノールに溶解し、０
℃の温度で過酸化水素と数時間反応させて１，２−ビス
（アルキルメチルホスフィノイル）ベンゼンのラセミ
体、すなわち、一般式（７）のｒａｃ体と一般式（８）
のｍｅｓｏ体の混合物を得る。なお、一般式（７）及び
一般式（８）を便宜上、一般式（２）として表すことに
する。
【００２２】一般式（２）で表される１，２−ビス（ジ
アルキルホスフィノイル）ベンゼンの光学分割剤として
用いる光学活性なジベンゾイル酒石酸は、（−）体，
（＋）体のいずれでも使用することができ、その使用量
は、一般式（２）で表される１，２−ビス（ジアルキル
ホスフィノイル）ベンゼンに対して、通常０．５〜１．
２倍モル、好ましくは１．０倍モル程度である。
アルキルホスフィノイル）ベンゼンの光学分割剤として
用いる光学活性なジベンゾイル酒石酸は、（−）体，
（＋）体のいずれでも使用することができ、その使用量
は、一般式（２）で表される１，２−ビス（ジアルキル
ホスフィノイル）ベンゼンに対して、通常０．５〜１．
２倍モル、好ましくは１．０倍モル程度である。
【００２３】分割溶媒としては、一般式（２）で表され
る１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼン
とジベンゾイル酒石酸を溶解することができ、これらの
化合物に対して不活性で、かつジアステレオマー塩を析
出することができるものであれば特に限定はなく、例え
ばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール等のアル
コール類、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケト
ン系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、メチルブチ
ルエーテル、ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテ
ル類、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族
系溶媒、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、これらの
混合物等が挙げられる。これらの有機溶媒は水を含有し
ていてもよい。
る１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼン
とジベンゾイル酒石酸を溶解することができ、これらの
化合物に対して不活性で、かつジアステレオマー塩を析
出することができるものであれば特に限定はなく、例え
ばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール等のアル
コール類、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケト
ン系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、メチルブチ
ルエーテル、ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテ
ル類、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族
系溶媒、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、これらの
混合物等が挙げられる。これらの有機溶媒は水を含有し
ていてもよい。
【００２４】第１工程の操作は、上記した溶媒に一般式
（２）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ
イル）ベンゼンと所望の光学活性なジベンゾイル酒石酸
とを溶解することによって、難溶性のジアステレオマー
塩を析出させる。この際、（−）−ジベンゾイル酒石酸
を光学分割剤として用いた場合、（−）−（Ｓ，Ｓ）−
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンと
難溶性のジアステレオマー塩を形成して析出する。一
方、（＋）−ジベンゾイル酒石酸を光学分割剤として用
いた場合、（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ジアル
キルホスフィノイル）ベンゼンと難溶性のジアステレオ
マー塩を形成して析出する。
（２）で表される１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ
イル）ベンゼンと所望の光学活性なジベンゾイル酒石酸
とを溶解することによって、難溶性のジアステレオマー
塩を析出させる。この際、（−）−ジベンゾイル酒石酸
を光学分割剤として用いた場合、（−）−（Ｓ，Ｓ）−
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンと
難溶性のジアステレオマー塩を形成して析出する。一
方、（＋）−ジベンゾイル酒石酸を光学分割剤として用
いた場合、（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ジアル
キルホスフィノイル）ベンゼンと難溶性のジアステレオ
マー塩を形成して析出する。
【００２５】難溶性のジアステレオマー塩を析出させる
温度は、使用する溶媒の凝固点から沸点の範囲であり、
通常０〜１００℃の範囲である。難溶性のジアステレオ
マー塩の結晶は、濾過、遠心分離等の通常の固液分離法
により容易に反応系から分離することができる。こうし
て得られたジアステレオマー塩は、水性溶媒中又は疎水
性−水性溶媒中で酸又はアルカリで処理し、ジアステレ
オマー塩を分解することにより（−）−（Ｓ，Ｓ）−
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼン又
は（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ジアルキルホス
フィノイル）ベンゼンを得ることができる。また、本発
明では、所望により再結晶法により精製することができ
る。
温度は、使用する溶媒の凝固点から沸点の範囲であり、
通常０〜１００℃の範囲である。難溶性のジアステレオ
マー塩の結晶は、濾過、遠心分離等の通常の固液分離法
により容易に反応系から分離することができる。こうし
て得られたジアステレオマー塩は、水性溶媒中又は疎水
性−水性溶媒中で酸又はアルカリで処理し、ジアステレ
オマー塩を分解することにより（−）−（Ｓ，Ｓ）−
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼン又
は（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ジアルキルホス
フィノイル）ベンゼンを得ることができる。また、本発
明では、所望により再結晶法により精製することができ
る。
【００２６】（第２工程）第２工程は、上記で得られた
（−）−（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ジアルキルホスフ
ィノイル）ベンゼン又は（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−
ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンと還元剤と
を反応させて、目的とする一般式（１）で表される光学
活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン
誘導体を得る工程である。かかる反応は、（＋）−
（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイ
ル）ベンゼンを還元処理すると（Ｓ，Ｓ）体が得られ、
一方、（−）−（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ジアルキル
ホスフィノイル）ベンゼンを還元処理すると（Ｒ，Ｒ）
体が得られる。
（−）−（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ジアルキルホスフ
ィノイル）ベンゼン又は（＋）−（Ｒ，Ｒ）−１，２−
ビス（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンと還元剤と
を反応させて、目的とする一般式（１）で表される光学
活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン
誘導体を得る工程である。かかる反応は、（＋）−
（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（ジアルキルホスフィノイ
ル）ベンゼンを還元処理すると（Ｓ，Ｓ）体が得られ、
一方、（−）−（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（ジアルキル
ホスフィノイル）ベンゼンを還元処理すると（Ｒ，Ｒ）
体が得られる。
【００２７】還元剤としては、特に限定されないが、一
般にシラン化合物が用いられる。シラン化合物として
は、例えば、トリクロロシラン、ジクロロシラン、メチ
ルジクロロシラン、ジメチルクロロシラン、フェニルジ
クロロシラン、フェニルメチルクロロシラン、ジフェニ
ルクロロシラン、フェニルシラン等が挙げられ、この
中、フェニルシランが好ましく用いられる。
般にシラン化合物が用いられる。シラン化合物として
は、例えば、トリクロロシラン、ジクロロシラン、メチ
ルジクロロシラン、ジメチルクロロシラン、フェニルジ
クロロシラン、フェニルメチルクロロシラン、ジフェニ
ルクロロシラン、フェニルシラン等が挙げられ、この
中、フェニルシランが好ましく用いられる。
【００２８】光学活性な１，２−ビスホスフィノイルベ
ンゼンに対する還元剤の添加量は、通常５〜１０倍モル
である。反応温度は、通常１０５〜１１０℃であり、反
応時間は、通常３〜２４時間、好ましくは４〜１０時間
である。かくして、まったくラセミ化することなく不斉
を維持したまま、光学純度の高い一般式（１）で表され
る光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベ
ンゼン誘導体が得られる。
ンゼンに対する還元剤の添加量は、通常５〜１０倍モル
である。反応温度は、通常１０５〜１１０℃であり、反
応時間は、通常３〜２４時間、好ましくは４〜１０時間
である。かくして、まったくラセミ化することなく不斉
を維持したまま、光学純度の高い一般式（１）で表され
る光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベ
ンゼン誘導体が得られる。
【００２９】本発明の一般式（１）で表される１，２−
ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体は、配位
子として、遷移金属と共に錯体を形成することができ
る。錯体を形成することができる遷移金属としては、例
えば、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウ
ム、ニッケル等が挙げられ、好ましくはロジウム金属で
ある。一般式（１）で表される光学活性な１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体を配位子とし
てロジウム金属と共に錯体を形成させる方法としては、
例えば、実験化学講座 第４版（日本化学会編、丸善株
式会社発行 第１８巻 ３２７〜３５３頁）に記載され
ている方法に従えばよく、例えば、本発明の光学活性な
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体
と、ビス（シクロオクタン−１，５−ジエン）ロジウム
テトラフルオロホウ酸塩と反応させることにより、ロジ
ウム錯体を製造することができる。
ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体は、配位
子として、遷移金属と共に錯体を形成することができ
る。錯体を形成することができる遷移金属としては、例
えば、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウ
ム、ニッケル等が挙げられ、好ましくはロジウム金属で
ある。一般式（１）で表される光学活性な１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体を配位子とし
てロジウム金属と共に錯体を形成させる方法としては、
例えば、実験化学講座 第４版（日本化学会編、丸善株
式会社発行 第１８巻 ３２７〜３５３頁）に記載され
ている方法に従えばよく、例えば、本発明の光学活性な
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体
と、ビス（シクロオクタン−１，５−ジエン）ロジウム
テトラフルオロホウ酸塩と反応させることにより、ロジ
ウム錯体を製造することができる。
【００３０】得られるロジウム錯体を具体的に例示する
と、Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））Ｃｌ、Ｒｈ（（Ｓ，
Ｓ）−（１））Ｂｒ、Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））Ｉ、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＦ4 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＣｌＯ4 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＰＦ6 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＰｈ4 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｂｄ）］ＢＦ4 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｄｂ）］ＣｌＯ4 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｄｂ）］ＰＦ6 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｄｂ）］ＢＰｈ4 、
Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））Ｃｌ、Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−
（１））Ｂｒ、Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））Ｉ、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＦ4 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＣｌＯ4、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＰＦ6 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＰｈ4 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｂｄ）］ＢＦ 4 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｄｂ）］ＣｌＯ4 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｄｂ）］ＰＦ6 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｄｂ）］ＢＰｈ4 等が挙げ
られ、本発明では［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏ
ｄ）］ＢＦ4 が好ましい。なお、上記のロジウム錯体中
の（１）は、一般式（１）で表される１，２−ビス（ジ
アルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体、ｃｏｄは、１，
５−シクロオクタジエン、ｎｂｄは、ノルボルナジエ
ン、Ｐｈはフェニルを示す。
と、Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））Ｃｌ、Ｒｈ（（Ｓ，
Ｓ）−（１））Ｂｒ、Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））Ｉ、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＦ4 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＣｌＯ4 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＰＦ6 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＰｈ4 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｂｄ）］ＢＦ4 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｄｂ）］ＣｌＯ4 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｄｂ）］ＰＦ6 、
［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｄｂ）］ＢＰｈ4 、
Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））Ｃｌ、Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−
（１））Ｂｒ、Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））Ｉ、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＦ4 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＣｌＯ4、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＰＦ6 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＰｈ4 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｂｄ）］ＢＦ 4 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｄｂ）］ＣｌＯ4 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｄｂ）］ＰＦ6 、［Ｒｈ
（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｄｂ）］ＢＰｈ4 等が挙げ
られ、本発明では［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏ
ｄ）］ＢＦ4 が好ましい。なお、上記のロジウム錯体中
の（１）は、一般式（１）で表される１，２−ビス（ジ
アルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体、ｃｏｄは、１，
５−シクロオクタジエン、ｎｂｄは、ノルボルナジエ
ン、Ｐｈはフェニルを示す。
【００３１】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に
説明するが、これは単に例示であって、本発明を制限す
るものではない。 参考例 （第１工程の原料となる（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（イ
ソプロピルメチルホスフィノイル）ベンゼンの合成）反
応容器に１，２−ビス（メチルホスフィノ）ベンゼン１
０．５ｇ（６１．７ｍモル）とｎ−ブチルリチウム８
２．２３ｍｌ（１２０．５ｍモル）及びエチルエーテル
３０ｍｌを仕込み、次いで２−ブロモプロパン１１．７
ｍｌ（１２５ｍモル）を除々に滴下し、−１０℃で２時
間反応させた。反応終了後、常法によって処理し、生成
物である１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィ
ノ）ベンゼンを蒸留（沸点１１０℃／０．４mmHg）によ
って単離した（１２．４ｇ；収率７９％）。
説明するが、これは単に例示であって、本発明を制限す
るものではない。 参考例 （第１工程の原料となる（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（イ
ソプロピルメチルホスフィノイル）ベンゼンの合成）反
応容器に１，２−ビス（メチルホスフィノ）ベンゼン１
０．５ｇ（６１．７ｍモル）とｎ−ブチルリチウム８
２．２３ｍｌ（１２０．５ｍモル）及びエチルエーテル
３０ｍｌを仕込み、次いで２−ブロモプロパン１１．７
ｍｌ（１２５ｍモル）を除々に滴下し、−１０℃で２時
間反応させた。反応終了後、常法によって処理し、生成
物である１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィ
ノ）ベンゼンを蒸留（沸点１１０℃／０．４mmHg）によ
って単離した（１２．４ｇ；収率７９％）。
【００３２】次いで得られた１，２−ビス（イソプロピ
ルメチルホスフィノ）ベンゼン８．５ｇ（４６．６ｍモ
ル）、３０％過酸化水素水溶液２４ｍｌ（２００ｍモ
ル）及びメタノール３０ｍｌを加えて、０℃で１時間反
応させて、１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィ
ノイル）ベンゼンの両ラセミ体とメソ体の混合物１３．
３ｇを得、酢酸エチル溶媒中で再結晶して１，２−ビス
（イソプロピルメチルホスフィノイル）ベンゼンのラセ
ミ体１．５ｇ（収率１１％）を得た。
ルメチルホスフィノ）ベンゼン８．５ｇ（４６．６ｍモ
ル）、３０％過酸化水素水溶液２４ｍｌ（２００ｍモ
ル）及びメタノール３０ｍｌを加えて、０℃で１時間反
応させて、１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィ
ノイル）ベンゼンの両ラセミ体とメソ体の混合物１３．
３ｇを得、酢酸エチル溶媒中で再結晶して１，２−ビス
（イソプロピルメチルホスフィノイル）ベンゼンのラセ
ミ体１．５ｇ（収率１１％）を得た。
【００３３】実施例１ （第１工程）参考例で得られた１，２−ビス（イソプロ
ピルメチルホスフィノイル）ベンゼンのラセミ体１．５
ｇ（５．２４ｍモル）と（＋）−ジベンゾイル酒石酸
１．９７ｇ（５．２４ｍモル）及び酢酸エチル３５ｍｌ
とを仕込み、難溶性のジアステレオマー塩を析出させ析
出物を採取した。次いで、採取した析出物を酢酸エチル
中で結晶物を仕込み、１ＭのＮａＯＨを加えて、（Ｒ，
Ｒ）−１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノイ
ル）ベンゼン５４３ｍｇ（光学純度９９％、収率３５
％）を得た。以下に同定データを示す。
ピルメチルホスフィノイル）ベンゼンのラセミ体１．５
ｇ（５．２４ｍモル）と（＋）−ジベンゾイル酒石酸
１．９７ｇ（５．２４ｍモル）及び酢酸エチル３５ｍｌ
とを仕込み、難溶性のジアステレオマー塩を析出させ析
出物を採取した。次いで、採取した析出物を酢酸エチル
中で結晶物を仕込み、１ＭのＮａＯＨを加えて、（Ｒ，
Ｒ）−１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノイ
ル）ベンゼン５４３ｍｇ（光学純度９９％、収率３５
％）を得た。以下に同定データを示す。
【００３４】融点；２０９〜２１０℃ ［α］27 D ＋１０．２( ｃ 1.00,CHCl3)1 H NMR （400 MHZ ，CDCl3,δ）； 0.96(dd ，J HP=16.6 ，7.3 Hz,6H),1.33(dd,J HP=16.
6,7.1 Hz,6H) 1.87(d,JHP=12.9 Hz,6H),2.64-2.80(m,2H),7.59-7.65
(m,2H),8.04(br s,2H)13 C NMR (100 MHZ,CDCl3, δ) ；15.1(d,Jcp=5.0Hz),1
6.3(d,Jcp=68.6Hz),28.9(d,Jcp=72.0Hz),130.7,130.8,1
33.631 P NMR(160MHz,CDCl3, δ);48.0 IR(KBr);2970,2880,1300,1190,1170,1120,890 FAB MS;287(M+ +H,100)
6,7.1 Hz,6H) 1.87(d,JHP=12.9 Hz,6H),2.64-2.80(m,2H),7.59-7.65
(m,2H),8.04(br s,2H)13 C NMR (100 MHZ,CDCl3, δ) ；15.1(d,Jcp=5.0Hz),1
6.3(d,Jcp=68.6Hz),28.9(d,Jcp=72.0Hz),130.7,130.8,1
33.631 P NMR(160MHz,CDCl3, δ);48.0 IR(KBr);2970,2880,1300,1190,1170,1120,890 FAB MS;287(M+ +H,100)
【００３５】
【００３６】Ｘ線解析 orthorhomic space group 212121,a=11.509(5),Å,b=1
6.319(3) ,Å,c=8.505(2),Å,v=1597.4(7), Å3,z=4, d
calc =1.190gｃｍ-3,F(000)=616,μ（Mo,Kα）＝2.66cm
-1, λ(Mo,,Kα）＝0.71070 Å,2555reflection measur
ed,2440observed(I>3.00σ(I)),163variable,R=0.034,R
w=0.050,GOF1.11measured,2440observed(I>3.00σI)),I
26variable,R=0.0880,Rw=0.107,GOF2.23.Flack paramet
er=0.089(10)
6.319(3) ,Å,c=8.505(2),Å,v=1597.4(7), Å3,z=4, d
calc =1.190gｃｍ-3,F(000)=616,μ（Mo,Kα）＝2.66cm
-1, λ(Mo,,Kα）＝0.71070 Å,2555reflection measur
ed,2440observed(I>3.00σ(I)),163variable,R=0.034,R
w=0.050,GOF1.11measured,2440observed(I>3.00σI)),I
26variable,R=0.0880,Rw=0.107,GOF2.23.Flack paramet
er=0.089(10)
【００３７】（第２工程；（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス
（イソプロピルメチルホスフィノ）ベンゼンの合成）第
１工程で得られた（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（イソプロ
ピルメチルホスフィノイル）ベンゼン９４．５ｍｇ
（０．３３ｍモル）と還元剤のフェニルシラン０．５ｍ
ｌ（５．２６ｍモル）を反応容器に仕込み、６時間、１
１０℃で反応させて（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソプ
ロピルメチルホスフィノ）ベンゼン９１．５ｍｇ（光学
純度９７％）を得た。
（イソプロピルメチルホスフィノ）ベンゼンの合成）第
１工程で得られた（Ｒ，Ｒ）−１，２−ビス（イソプロ
ピルメチルホスフィノイル）ベンゼン９４．５ｍｇ
（０．３３ｍモル）と還元剤のフェニルシラン０．５ｍ
ｌ（５．２６ｍモル）を反応容器に仕込み、６時間、１
１０℃で反応させて（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソプ
ロピルメチルホスフィノ）ベンゼン９１．５ｍｇ（光学
純度９７％）を得た。
【００３８】実施例２ （ロジウム錯体の合成）実施例１で得られた（Ｓ，Ｓ）
−１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノ）ベン
ゼン２００ｍｇ（０．７５ｍモル）と［Ｒｈ（ＣＯＤ）
2 ］ＢＦ4 ３０４ｍｇ（０．７５ｍモル）とを１時間、
−２０℃で反応させた後、テトラヒドラフラン（−２０
〜−１０℃）で再結晶処理して（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビ
ス（イソプロピルメチルホスフィノ）ベンゼンロジウム
錯体を得、Ｘ線により解析を行って、（Ｓ，Ｓ）−１，
２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノ）ベンゼンロ
ジウム錯体であることを確認した。以下に同定データを
示す。
−１，２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノ）ベン
ゼン２００ｍｇ（０．７５ｍモル）と［Ｒｈ（ＣＯＤ）
2 ］ＢＦ4 ３０４ｍｇ（０．７５ｍモル）とを１時間、
−２０℃で反応させた後、テトラヒドラフラン（−２０
〜−１０℃）で再結晶処理して（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビ
ス（イソプロピルメチルホスフィノ）ベンゼンロジウム
錯体を得、Ｘ線により解析を行って、（Ｓ，Ｓ）−１，
２−ビス（イソプロピルメチルホスフィノ）ベンゼンロ
ジウム錯体であることを確認した。以下に同定データを
示す。
【００３９】Ｃ22Ｈ36ＢＦ4 Ｐ2 Ｒｈ；分子量５５２．
１８ orthorhomic space groupC2221,a=13.35(1),Å,b=16.84
(1),Å,c=10.975(3), Å,v=2467(2), Å,z=4,dcalc=1.4
86g ｃｍ-3,F(000)=1136, μ（Mo,Kα）＝8.57cm-1, λ
(Mo,,Kα）＝0.71070 Å,1159reflection measured,115
7observed(I>1.00σ(I)),I26variable,R=0.0880,Rw=0.1
07,GOF2.23.
１８ orthorhomic space groupC2221,a=13.35(1),Å,b=16.84
(1),Å,c=10.975(3), Å,v=2467(2), Å,z=4,dcalc=1.4
86g ｃｍ-3,F(000)=1136, μ（Mo,Kα）＝8.57cm-1, λ
(Mo,,Kα）＝0.71070 Å,1159reflection measured,115
7observed(I>1.00σ(I)),I26variable,R=0.0880,Rw=0.1
07,GOF2.23.
【００４０】＜不斉水素化反応の触媒としての評価＞実
施例２で得られた（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソプロ
ピルメチルホスフィノ）ベンゼンロジウム錯体を下記反
応式(II)のデヒドロアミノ酸メチルエステルの不斉水素
化触媒としてその触媒能を評価した。
施例２で得られた（Ｓ，Ｓ）−１，２−ビス（イソプロ
ピルメチルホスフィノ）ベンゼンロジウム錯体を下記反
応式(II)のデヒドロアミノ酸メチルエステルの不斉水素
化触媒としてその触媒能を評価した。
【００４１】
【化７】
【００４２】式中、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は表１の通りで
あり、番号６と番号７のＲ2 とＲ3はこれが結合する炭
素と共に炭素数６又は炭素数５の飽和単環を形成するこ
とを意味する。なお、反応は、一般式（９）で表される
α−アミノ酸メチルエステルに対して触媒を０．２モル
％加えて、水素ガスで反応系内を加圧し、０℃で２０〜
１８０分反応させた後、得られた一般式（１０）で表さ
れる化合物の光学純度を求めた。その結果を表１に示し
た。なお、光学純度は、ＨＰＬＣ（Daicel Chiralcel O
J,OD-H）又はＧＣ(Chromapack's Chriral-L-Val Colum
n）で定量分析して求めた。また、それぞれの化合物の
絶対配置はＨＰＬＣ、ＧＣの溶出順序を文献値（J.Am.C
hem.Chem.Soc.,1998,120,1635 ）と比較して求めた。
あり、番号６と番号７のＲ2 とＲ3はこれが結合する炭
素と共に炭素数６又は炭素数５の飽和単環を形成するこ
とを意味する。なお、反応は、一般式（９）で表される
α−アミノ酸メチルエステルに対して触媒を０．２モル
％加えて、水素ガスで反応系内を加圧し、０℃で２０〜
１８０分反応させた後、得られた一般式（１０）で表さ
れる化合物の光学純度を求めた。その結果を表１に示し
た。なお、光学純度は、ＨＰＬＣ（Daicel Chiralcel O
J,OD-H）又はＧＣ(Chromapack's Chriral-L-Val Colum
n）で定量分析して求めた。また、それぞれの化合物の
絶対配置はＨＰＬＣ、ＧＣの溶出順序を文献値（J.Am.C
hem.Chem.Soc.,1998,120,1635 ）と比較して求めた。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【発明の効果】本発明は、不斉水素化反応の遷移金属触
媒配位子として有用な新規な光学活性な１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体を提供するも
のであり、当該化合物を配位子としたロジウム金属錯体
は、不斉水素化反応の不斉触媒として極めて有用であ
る。
媒配位子として有用な新規な光学活性な１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体を提供するも
のであり、当該化合物を配位子としたロジウム金属錯体
は、不斉水素化反応の不斉触媒として極めて有用であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｍ 7:00 Ｆターム(参考） 4G069 AA08 BA27A BA27B BC71A BC71B BE36A 4H006 AC81 BA24 BA48 4H050 AA01 AA03 AB40 AB84 AC83 WA14 WA21 WB16 WB21
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（１）； 【化１】 （式中、Ｒ1 は直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のアル
キル基を示し、アスタリスクは不斉リン原子を示す。）
で表わされることを特徴とする光学活性な１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体。 - 【請求項２】 下記一般式（２）； 【化２】 （式中、Ｒ1 は前記と同義。）で表される１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノイル）ベンゼンを光学活性なジ
ベンゾイル酒石酸により光学分割した後、還元剤により
還元することを特徴とする請求項１記載の光学活性な
１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体
の製造方法。 - 【請求項３】 前記還元剤が、フェニルシランである請
求項２記載の光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホス
フィノ）ベンゼン誘導体の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の光学活性な１，２−ビス
（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体を配位子とす
ることを特徴とするロジウム金属錯体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12826699A JP4201916B2 (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体及びその製造方法、並びに該化合物を配位子とするロジウム金属錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12826699A JP4201916B2 (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体及びその製造方法、並びに該化合物を配位子とするロジウム金属錯体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000319288A true JP2000319288A (ja) | 2000-11-21 |
| JP4201916B2 JP4201916B2 (ja) | 2008-12-24 |
Family
ID=14980598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12826699A Expired - Lifetime JP4201916B2 (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体及びその製造方法、並びに該化合物を配位子とするロジウム金属錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4201916B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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