JP2000319254A - 含窒素複素環化合物の製造方法 - Google Patents
含窒素複素環化合物の製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 医薬、農薬原料及び電子材料原料等として有
用なインドール誘導体や４Ｈ−キノリン誘導体等の含窒
素複素環化合物を、入手容易な原料から簡便に合成する
ことができる製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、アルキル基、
アリール基、又はヘテロアリール基を表し、Ｒ3は水素
又はアリール基を表し、Ｒ4はアルコキシ基、ニトロ基
又はハロゲンを表し、Ｘはハロゲンを表し、ｍは０〜２
の整数を表し、ｎは０又は１を表す。）で示されるヒド
ラゾン誘導体を、ホスフィンとパラジウム化合物を含む
触媒、及び塩基の存在下、反応させる。
用なインドール誘導体や４Ｈ−キノリン誘導体等の含窒
素複素環化合物を、入手容易な原料から簡便に合成する
ことができる製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、アルキル基、
アリール基、又はヘテロアリール基を表し、Ｒ3は水素
又はアリール基を表し、Ｒ4はアルコキシ基、ニトロ基
又はハロゲンを表し、Ｘはハロゲンを表し、ｍは０〜２
の整数を表し、ｎは０又は１を表す。）で示されるヒド
ラゾン誘導体を、ホスフィンとパラジウム化合物を含む
触媒、及び塩基の存在下、反応させる。
Description
【０００１】
【発明に属する技術分野】本発明は、含窒素複素環化合
物の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、ハ
ロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体を、ホス
フィンとパラジウム化合物からなる触媒を用いて、分子
内環化させることからなるインドール誘導体及び４Ｈ−
キノリン誘導体等の含窒素複素環化合物の製造方法であ
る。これらの含窒素複素環化合物は医農薬原料及び電子
材料原料等として有用な化合物である。
物の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、ハ
ロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体を、ホス
フィンとパラジウム化合物からなる触媒を用いて、分子
内環化させることからなるインドール誘導体及び４Ｈ−
キノリン誘導体等の含窒素複素環化合物の製造方法であ
る。これらの含窒素複素環化合物は医農薬原料及び電子
材料原料等として有用な化合物である。
【０００２】
【従来の技術】従来、含窒素複素環化合物の合成法とし
ては多くの方法が研究されてきており、特にインドール
誘導体に関しては、フィッシャー法、ライサート法、ビ
シュラー法等、著名な方法が古くから知られている。
ては多くの方法が研究されてきており、特にインドール
誘導体に関しては、フィッシャー法、ライサート法、ビ
シュラー法等、著名な方法が古くから知られている。
【０００３】また最近では、パラジウム−銅−酸素によ
るニトロスチレンを原料とする方法（特開平３−２４０
５５号公報参照）、Ｓ．Ｌ．Ｂｕｃｈｗａｌｄらによる
パラジウム／ホスフィン触媒で合成したインドリン化合
物のパラジウムカーボンを用いる脱水素によるインドー
ル誘導体合成（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９８年，
１２０巻，３０６８−３０７３頁）が報告されている。
るニトロスチレンを原料とする方法（特開平３−２４０
５５号公報参照）、Ｓ．Ｌ．Ｂｕｃｈｗａｌｄらによる
パラジウム／ホスフィン触媒で合成したインドリン化合
物のパラジウムカーボンを用いる脱水素によるインドー
ル誘導体合成（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９８年，
１２０巻，３０６８−３０７３頁）が報告されている。
【０００４】ｏ−ヨードアニリンとケトンからパラジウ
ム触媒環化によるインドール合成（C．Ｃｈｅｎら、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙ，１９９７年、６２巻、２６７６−２６７７頁）及
びｏ−ヨードアニリンとアルキンからパラジウム触媒環
化によるインドール合成（Ｒ．C．Ｌａｒｏｃｋら、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙ，１９９８年、６３巻、７６５２−７６６２頁）が
報告されている。
ム触媒環化によるインドール合成（C．Ｃｈｅｎら、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙ，１９９７年、６２巻、２６７６−２６７７頁）及
びｏ−ヨードアニリンとアルキンからパラジウム触媒環
化によるインドール合成（Ｒ．C．Ｌａｒｏｃｋら、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙ，１９９８年、６３巻、７６５２−７６６２頁）が
報告されている。
【０００５】また１−アミノインドールの合成法とし
て、ｏ−ニトロソフェニルエチルアミンの電気化学的な
変換法が報告されている（Ｂ．Ａ．Ｆ−Ｕｒｉｂｅら、
Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９９年，２巻、４１９
−４３０頁）。
て、ｏ−ニトロソフェニルエチルアミンの電気化学的な
変換法が報告されている（Ｂ．Ａ．Ｆ−Ｕｒｉｂｅら、
Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９９年，２巻、４１９
−４３０頁）。
【０００６】Ａ．Ｄ．Ｂａｔｃｈｏらによるｏ−ニトロ
トルエン誘導体を用いる還元的環化によるインドール合
成（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，１９８５
年，６３巻，２１４−２２４頁）が報告されている。
トルエン誘導体を用いる還元的環化によるインドール合
成（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，１９８５
年，６３巻，２１４−２２４頁）が報告されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法は原料の入手が難しく、また、置換インドール類
を合成する場合、インドール環上の置換基の位置は、主
に５位、６位又は７位等の特定の位置のみに限られ、例
えば、４位のみに置換基を有するインドール誘導体を合
成することは容易ではなかった。
の方法は原料の入手が難しく、また、置換インドール類
を合成する場合、インドール環上の置換基の位置は、主
に５位、６位又は７位等の特定の位置のみに限られ、例
えば、４位のみに置換基を有するインドール誘導体を合
成することは容易ではなかった。
【０００８】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、医薬、農薬原料及び電子材料原料
等として有用なインドール誘導体や４Ｈ−キノリン誘導
体等の含窒素複素環化合物を、入手容易な原料から簡便
に合成することができる製造方法を提供することであ
る。
であり、その目的は、医薬、農薬原料及び電子材料原料
等として有用なインドール誘導体や４Ｈ−キノリン誘導
体等の含窒素複素環化合物を、入手容易な原料から簡便
に合成することができる製造方法を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討を行った結果、入手容易な２−
クロロトルエン骨格を有する化合物から合成することが
できるハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体
を原料に用い、ホスフィンとパラジウム化合物を含む触
媒及び塩基を用いて分子内環化することで、含窒素複素
環化合物が合成できることを見出し、本発明を完成させ
るに至った。
を解決するため鋭意検討を行った結果、入手容易な２−
クロロトルエン骨格を有する化合物から合成することが
できるハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体
を原料に用い、ホスフィンとパラジウム化合物を含む触
媒及び塩基を用いて分子内環化することで、含窒素複素
環化合物が合成できることを見出し、本発明を完成させ
るに至った。
【００１０】即ち、本発明は下記一般式（１）
【００１１】
【化３】
【００１２】（式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、
アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表
し、Ｒ3は水素、アリール基を表し、Ｒ4はアルコキシ
基、ニトロ基又はハロゲンを表し、Ｘはハロゲンを表
し、ｍは０〜２の整数を表し、ｎは０又は１を表す。）
で示されるヒドラゾン誘導体を、ホスフィンとパラジウ
ム化合物を含む触媒、及び塩基の存在下、反応させるこ
とを特徴とする下記一般式（２）
アルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表
し、Ｒ3は水素、アリール基を表し、Ｒ4はアルコキシ
基、ニトロ基又はハロゲンを表し、Ｘはハロゲンを表
し、ｍは０〜２の整数を表し、ｎは０又は１を表す。）
で示されるヒドラゾン誘導体を、ホスフィンとパラジウ
ム化合物を含む触媒、及び塩基の存在下、反応させるこ
とを特徴とする下記一般式（２）
【００１３】
【化４】
【００１４】（式中、Ｒ1〜Ｒ4、ｍ、及びｎは一般式
（１）の定義に同じ。）で示される含窒素複素環化合物
の製造方法である。
（１）の定義に同じ。）で示される含窒素複素環化合物
の製造方法である。
【００１５】以下、本発明を更に詳細に説明する。
【００１６】本発明においては、ホスフィンとパラジウ
ム化合物を含む触媒、及び塩基の存在下、上記一般式
（１）で示されるハロゲン化アリール基を有するヒドラ
ゾン誘導体を分子内環化させる。
ム化合物を含む触媒、及び塩基の存在下、上記一般式
（１）で示されるハロゲン化アリール基を有するヒドラ
ゾン誘導体を分子内環化させる。
【００１７】本発明において、上記一般式（１）で示さ
れるヒドラゾン誘導体において、置換基Ｒ1及びＲ2のア
ルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基等の低級アルキル基が挙げられ、アリ
ール基としては、例えば、フェニル基、４−トリル基、
４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェ
ニル基等が挙げられ、ヘテロアリール基としては、例え
ば、４−ピリジル基、３−ピリジル基、２−ピリジル
基、２−フリル基、２−チエニル基等を挙げることがで
きる。置換基Ｒ3のアリール基としては、例えば、フェ
ニル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニ
ル基、４−メトキシフェニル基、４−ビフェニル基等が
挙げられる。置換基Ｒ4のアルコキシ基としては、例え
ば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、４，５−メ
チレンジオキシ基、５，６−メチレンジオキシ基等が挙
げられ、ハロゲンとしてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
が例示される。Ｘのハロゲンとしては塩素、臭素、ヨウ
素が例示される。
れるヒドラゾン誘導体において、置換基Ｒ1及びＲ2のア
ルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基等の低級アルキル基が挙げられ、アリ
ール基としては、例えば、フェニル基、４−トリル基、
４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェ
ニル基等が挙げられ、ヘテロアリール基としては、例え
ば、４−ピリジル基、３−ピリジル基、２−ピリジル
基、２−フリル基、２−チエニル基等を挙げることがで
きる。置換基Ｒ3のアリール基としては、例えば、フェ
ニル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニ
ル基、４−メトキシフェニル基、４−ビフェニル基等が
挙げられる。置換基Ｒ4のアルコキシ基としては、例え
ば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、４，５−メ
チレンジオキシ基、５，６−メチレンジオキシ基等が挙
げられ、ハロゲンとしてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
が例示される。Ｘのハロゲンとしては塩素、臭素、ヨウ
素が例示される。
【００１８】上記一般式（１）で示されるヒドラゾン誘
導体の合成法について以下に説明する。
導体の合成法について以下に説明する。
【００１９】上記一般式（１）で示されるハロゲン化ア
リール基を有するヒドラゾン誘導体の内、ｎが０である
ものについては、例えば、下式に示す方法により合成す
ることができる。
リール基を有するヒドラゾン誘導体の内、ｎが０である
ものについては、例えば、下式に示す方法により合成す
ることができる。
【００２０】
【化５】
【００２１】即ち、ベンゼン環の２位にハロゲンである
Ｘ及びベンゼン環上に置換基Ｒ4を有するベンジルハラ
イド（Ａ）をエーテル中、マグネシウムと接触させるこ
とにより対応するベンジルグリニャール試薬を調製した
後、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルボン酸アミド（Ｒ3ＣＯＮＭ
ｅ2）と反応させる。生成物の置換基を有するベンジル
ケトン又はベンジルアルデヒド（Ｒ3＝Ｈ）（Ｂ）とヒ
ドラジン化合物（Ｒ1Ｒ2ＮＮＨ2）をトルエン中、反応
せしめることで、本発明の製造法の原料であるｎが０で
あるヒドラゾン誘導体（１）を合成することができる。
２−クロロベンジルクロライド、２，６−ジクロロベン
ジルクロライド、２，４−ジクロロベンジルクロライ
ド、及び２，５−ジクロロベンジルクロライド等の各種
のハロゲン置換されたベンジルハライド（Ａ）は市販さ
れており、容易に入手することが可能である。また、２
−クロロトルエン、メトキシ−２−ブロモトルエン類、
ジクロロトルエン類、ニトロ−２−クロロトルエンも入
手容易であり、側鎖メチル基は常法により塩素化あるい
は臭素化せしめてハロゲン置換されたベンジルハライド
（Ａ）とすることもできる。このように本発明の原料と
なるヒドラゾン誘導体は入手容易な化合物から合成する
ことができるものである。該合成法によるヒドラゾン誘
導体の収率は、ハロゲン置換されたベンジルハライド
（Ａ）から通算して５０〜６０％である。
Ｘ及びベンゼン環上に置換基Ｒ4を有するベンジルハラ
イド（Ａ）をエーテル中、マグネシウムと接触させるこ
とにより対応するベンジルグリニャール試薬を調製した
後、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルボン酸アミド（Ｒ3ＣＯＮＭ
ｅ2）と反応させる。生成物の置換基を有するベンジル
ケトン又はベンジルアルデヒド（Ｒ3＝Ｈ）（Ｂ）とヒ
ドラジン化合物（Ｒ1Ｒ2ＮＮＨ2）をトルエン中、反応
せしめることで、本発明の製造法の原料であるｎが０で
あるヒドラゾン誘導体（１）を合成することができる。
２−クロロベンジルクロライド、２，６−ジクロロベン
ジルクロライド、２，４−ジクロロベンジルクロライ
ド、及び２，５−ジクロロベンジルクロライド等の各種
のハロゲン置換されたベンジルハライド（Ａ）は市販さ
れており、容易に入手することが可能である。また、２
−クロロトルエン、メトキシ−２−ブロモトルエン類、
ジクロロトルエン類、ニトロ−２−クロロトルエンも入
手容易であり、側鎖メチル基は常法により塩素化あるい
は臭素化せしめてハロゲン置換されたベンジルハライド
（Ａ）とすることもできる。このように本発明の原料と
なるヒドラゾン誘導体は入手容易な化合物から合成する
ことができるものである。該合成法によるヒドラゾン誘
導体の収率は、ハロゲン置換されたベンジルハライド
（Ａ）から通算して５０〜６０％である。
【００２２】また、上記一般式（１）で示されるハロゲ
ン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体の内、ｎが１
であるものについては、例えば、下式に示す方法により
合成することができる。
ン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体の内、ｎが１
であるものについては、例えば、下式に示す方法により
合成することができる。
【００２３】
【化６】
【００２４】即ち、アセトアルデヒドあるいはアリール
メチルケトンのＮ−シクロヘキシルイミン（Ａ）とリチ
ウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）から調製したリチ
ウムエナミドと、ベンゼン環の２位にハロゲンであるＸ
及びベンゼン環上に置換基Ｒ4を有するベンジルハライ
ド（Ｂ）とＴＨＦ中反応せしめることにより、対応する
置換基を有するカルボニル化合物（Ｃ）を得ることがで
きる。該Ｎ−シクロヘキシルイミン（Ａ）及びその対応
するリチウムエナミドの発生については、文献記載の方
法（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，Ｃｏｌｌｅ
ｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ，１９８８年，９０１
−９０４頁）に従って実施することもできる。化合物
（Ｃ）とヒドラジン化合物（Ｒ1Ｒ2ＮＮＨ2）をトルエ
ン中反応せしめることで、本発明の製造法の原料である
ｎが１であるヒドラゾン誘導体（１）を合成することが
できる。該合成法によるヒドラゾン誘導体の収率は、ハ
ロゲン置換されたベンジルハライド（Ａ）から通算して
５０〜７０％である。
メチルケトンのＮ−シクロヘキシルイミン（Ａ）とリチ
ウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）から調製したリチ
ウムエナミドと、ベンゼン環の２位にハロゲンであるＸ
及びベンゼン環上に置換基Ｒ4を有するベンジルハライ
ド（Ｂ）とＴＨＦ中反応せしめることにより、対応する
置換基を有するカルボニル化合物（Ｃ）を得ることがで
きる。該Ｎ−シクロヘキシルイミン（Ａ）及びその対応
するリチウムエナミドの発生については、文献記載の方
法（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，Ｃｏｌｌｅ
ｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ，１９８８年，９０１
−９０４頁）に従って実施することもできる。化合物
（Ｃ）とヒドラジン化合物（Ｒ1Ｒ2ＮＮＨ2）をトルエ
ン中反応せしめることで、本発明の製造法の原料である
ｎが１であるヒドラゾン誘導体（１）を合成することが
できる。該合成法によるヒドラゾン誘導体の収率は、ハ
ロゲン置換されたベンジルハライド（Ａ）から通算して
５０〜７０％である。
【００２５】本反応においては触媒として、パラジウム
化合物とホスフィンを組み合わせて反応系に加える。添
加方法は、反応系にそれぞれ単独に加えても、予め錯体
の形に調製して添加してもよい。
化合物とホスフィンを組み合わせて反応系に加える。添
加方法は、反応系にそれぞれ単独に加えても、予め錯体
の形に調製して添加してもよい。
【００２６】本発明で用いるパラジウム化合物としては
特に限定するものではないが、例えば、塩化パラジウム
（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム
（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセトナート（ＩＩ）、
ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、
ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（ＩＩ）、ジクロロテトラアンミンパラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラ
ジウム（ＩＩ）、パラジウムトリフルオロアセテート
（ＩＩ）等の２価パラジウム化合物、トリス（ジベンジ
リデンアセトン）二パラジウム（０）、トリス（ジベン
ジリデンアセトン）二パラジウムクロロホルム錯体
（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウム（０）等の０価パラジウム化合物を挙げることがで
きる。これらのうち、特に好ましくは、酢酸パラジウム
およびトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム
（０）である。パラジウム化合物の使用量は、特に限定
するものではないが、上記一般式（１）で示される化合
物に対し、パラジウム換算で０．００１〜１０モル％で
あり、より好ましくは、パラジウム換算で０．００５〜
７モル％、更に好ましくは、パラジウム換算で０．００
５〜５モル％である。
特に限定するものではないが、例えば、塩化パラジウム
（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム
（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセトナート（ＩＩ）、
ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、
ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（ＩＩ）、ジクロロテトラアンミンパラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラ
ジウム（ＩＩ）、パラジウムトリフルオロアセテート
（ＩＩ）等の２価パラジウム化合物、トリス（ジベンジ
リデンアセトン）二パラジウム（０）、トリス（ジベン
ジリデンアセトン）二パラジウムクロロホルム錯体
（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウム（０）等の０価パラジウム化合物を挙げることがで
きる。これらのうち、特に好ましくは、酢酸パラジウム
およびトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム
（０）である。パラジウム化合物の使用量は、特に限定
するものではないが、上記一般式（１）で示される化合
物に対し、パラジウム換算で０．００１〜１０モル％で
あり、より好ましくは、パラジウム換算で０．００５〜
７モル％、更に好ましくは、パラジウム換算で０．００
５〜５モル％である。
【００２７】本発明において使用されるホスフィンの具
体例としてはトリ（ターシャリーブチル）ホスフィン、
１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）−２−（ジター
シャーリーブチルホスフィノ）フェロセン、１−（メト
キシメチル）−２−（ジターシャーリーブチルホスフィ
ノ）フェロセン、１，１’−ビス（ジターシャーリーブ
チルホスフィノ）フェロセン、２，２’−ビス（ジター
シャーリーブチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチ
ル、２−メトキシ−２’−（ジターシャーリーブチルホ
スフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−（ジターシャ
リーブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジターシャ
リーブチルホスフィノ）−２’−ジメチルアミノビフェ
ニル、２−（ジターシャリーブチルホスフィノ）−２’
−ジメチルアミノ−１，１’−ビナフチル、（ジターシ
ャリーブチルホスフィノ）フェロセン、９，９−ジメチ
ル−４，５−ビス（ジターシャリーブチルホスフィノ）
キサンテン等のターシャーリーブチル−リン結合を有す
るホスフィン、及びトリ（ｏ−トリル）ホスフィン、
２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−
ビナフチル、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）−
２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、１−（メト
キシメチル）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン等の芳香族ホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−
ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン等を挙げるこ
とができる。特に反応の活性及び選択性を著しく向上さ
せることが可能なターシャーリーブチル−リン結合を有
するホスフィンを用いることが好ましい。ホスフィンの
使用量は特に限定するものではないが、パラジウム化合
物に対して０．５〜１０倍モルが適当であり、より好ま
しくはパラジウム化合物に対して０．８〜５倍モルの範
囲である。
体例としてはトリ（ターシャリーブチル）ホスフィン、
１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）−２−（ジター
シャーリーブチルホスフィノ）フェロセン、１−（メト
キシメチル）−２−（ジターシャーリーブチルホスフィ
ノ）フェロセン、１，１’−ビス（ジターシャーリーブ
チルホスフィノ）フェロセン、２，２’−ビス（ジター
シャーリーブチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチ
ル、２−メトキシ−２’−（ジターシャーリーブチルホ
スフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−（ジターシャ
リーブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジターシャ
リーブチルホスフィノ）−２’−ジメチルアミノビフェ
ニル、２−（ジターシャリーブチルホスフィノ）−２’
−ジメチルアミノ−１，１’−ビナフチル、（ジターシ
ャリーブチルホスフィノ）フェロセン、９，９−ジメチ
ル−４，５−ビス（ジターシャリーブチルホスフィノ）
キサンテン等のターシャーリーブチル−リン結合を有す
るホスフィン、及びトリ（ｏ−トリル）ホスフィン、
２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−
ビナフチル、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）−
２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、１−（メト
キシメチル）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン等の芳香族ホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−
ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン等を挙げるこ
とができる。特に反応の活性及び選択性を著しく向上さ
せることが可能なターシャーリーブチル−リン結合を有
するホスフィンを用いることが好ましい。ホスフィンの
使用量は特に限定するものではないが、パラジウム化合
物に対して０．５〜１０倍モルが適当であり、より好ま
しくはパラジウム化合物に対して０．８〜５倍モルの範
囲である。
【００２８】本発明において使用される塩基としては、
有機塩基および無機塩基からなる群より選択すればよ
く、特に限定する必要はないが、より好ましくは、水素
化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム、ナト
リウムアミド、カリウムアミド、リチウムアミド、炭酸
カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム、炭酸ルビジ
ウム、炭酸セシウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナト
リウム、ナトリウム金属、カリウム金属、リチウム金
属、メトキシナトリウム、メトキシカリウム、エトキシ
ナトリウム、エトキシカリウム、エトキシリチウム、タ
ーシャリーブトキシリチウム、ターシャリーブトキシナ
トリウム、ターシャリーブトキシカリウム等を具体例と
して挙げることができる。特に好ましくはターシャリー
ブトキシナトリウム及び炭酸塩である。これらの塩基の
使用量は、一般式（１）で示される化合物に対してモル
比で０．７〜３．２の範囲であり、より好ましくは０．
９〜２．４の範囲である。
有機塩基および無機塩基からなる群より選択すればよ
く、特に限定する必要はないが、より好ましくは、水素
化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム、ナト
リウムアミド、カリウムアミド、リチウムアミド、炭酸
カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム、炭酸ルビジ
ウム、炭酸セシウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナト
リウム、ナトリウム金属、カリウム金属、リチウム金
属、メトキシナトリウム、メトキシカリウム、エトキシ
ナトリウム、エトキシカリウム、エトキシリチウム、タ
ーシャリーブトキシリチウム、ターシャリーブトキシナ
トリウム、ターシャリーブトキシカリウム等を具体例と
して挙げることができる。特に好ましくはターシャリー
ブトキシナトリウム及び炭酸塩である。これらの塩基の
使用量は、一般式（１）で示される化合物に対してモル
比で０．７〜３．２の範囲であり、より好ましくは０．
９〜２．４の範囲である。
【００２９】本反応は、通常は不活性溶媒下に実施され
る。使用できる溶媒としては、本反応を著しく阻害しな
い溶媒であればよく、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルホスホトリアミド等を例示することができ
る。より好ましくは、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素溶媒である。
る。使用できる溶媒としては、本反応を著しく阻害しな
い溶媒であればよく、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルホスホトリアミド等を例示することができ
る。より好ましくは、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素溶媒である。
【００３０】本反応は、常圧下、窒素、アルゴン等の不
活性ガス雰囲気下に実施されるが、加圧条件下に実施す
ることもできる。反応温度は２０℃〜３００℃の範囲で
実施されるが、より好ましくは５０℃〜２００℃の範囲
である。反応時間は、反応条件、上記一般式（１）で示
される化合物、及びパラジウム化合物等により異なる
が、数分〜７２時間の範囲から選択すればよい。反応終
了後、常法に従い処理することにより、目的とする化合
物を得ることができる。
活性ガス雰囲気下に実施されるが、加圧条件下に実施す
ることもできる。反応温度は２０℃〜３００℃の範囲で
実施されるが、より好ましくは５０℃〜２００℃の範囲
である。反応時間は、反応条件、上記一般式（１）で示
される化合物、及びパラジウム化合物等により異なる
が、数分〜７２時間の範囲から選択すればよい。反応終
了後、常法に従い処理することにより、目的とする化合
物を得ることができる。
【００３１】本発明で製造することのできる上記一般式
（２）で示される含窒素複素環化合物は、具体例として
以下のものを挙げることができる。即ち、１−（ジメチ
ルアミノ）インドール、１−（メチルアミノ）インドー
ル、１−（エチルアミノ）インドール、１−（フェニル
アミノ）インドール、１−（ジフェニルアミノ）インド
ール、１−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ）インド
ール、１−｛（Ｎ−（４−ピリジル）−Ｎ−メチルアミ
ノ｝インドール、１−｛（Ｎ−（３−ピリジル）−Ｎ−
メチルアミノ｝インドール、１−｛（Ｎ−（２−ピリジ
ル）−Ｎ−メチルアミノ｝インドール、１−｛（Ｎ−
（２−フリル）−Ｎ−メチルアミノ｝インドール、１−
｛（Ｎ−（２−チエニル）−Ｎ−メチルアミノ｝インド
ール、１−｛（Ｎ−（４−トリフルオロメチルフェニ
ル）−Ｎ−メチルアミノ｝インドール、１−｛（Ｎ−
（４−トリル）−Ｎ−メチルアミノ｝インドール、１−
｛（Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−メチルアミ
ノ｝インドール、１−（ジメチルアミノ）−２−フェニ
ルインドール、１−（ジメチルアミノ）−４−クロロイ
ンドール、１−（ジフェニルアミノ）−４−クロロイン
ドール、１−（ジメチルアミノ）−４−クロロ−２−フ
ェニルインドール、１−（ジメチルアミノ）−５−クロ
ロインドール、１−（ジメチルアミノ）−６−クロロイ
ンドール、１−（ジメチルアミノ）−６−フルオロイン
ドール、１−（ジメチルアミノ）−７−クロロインドー
ル、１−（ジメチルアミノ）−４−フルオロインドー
ル、１−（ジメチルアミノ）−４−ブロモインドール、
１−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ）−５−クロロ
インドール、１−（ジメチルアミノ）−４−メトキシイ
ンドール、１−（ジメチルアミノ）−４−ブトキシイン
ドール、１−（ジメチルアミノ）−４−ニトロインドー
ル、１−（ジメチルアミノ）−４，５−メチレンジオキ
シインドール、１−（ジメチルアミノ）−５，６−メチ
レンジオキシインドール等のインドール誘導体、１−
（ジメチルアミノ）−４Ｈ−キノリン、１−（メチルア
ミノ）−４Ｈ−キノリン、１−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メ
チルアミノ）−４Ｈ−キノリン、１−｛（Ｎ−（４−ピ
リジル）−Ｎ−メチルアミノ｝−４Ｈ−キノリン、１−
｛（Ｎ−（３−ピリジル）−Ｎ−メチルアミノ｝−４Ｈ
−キノリン、１−（ジメチルアミノ）−５−クロロ−４
Ｈ−キノリン、１−（ジメチルアミノ）−５−ニトロ―
４Ｈ−キノリン、１−（ジメチルアミノ）−５−クロロ
―２−フェニル−４Ｈ−キノリン、１−（ジメチルアミ
ノ）−７−クロロ−４Ｈ−キノリン、１−（ジメチルア
ミノ）−６−クロロ−４Ｈ−キノリン、１−（ジメチル
アミノ）−６，７−メチレンジオキシ−４Ｈ−キノリ
ン、１−（ジメチルアミノ）−５−フルオロ−４Ｈ−キ
ノリン、１−（ジメチルアミノ）−７−フルオロ−４Ｈ
−キノリン等の４Ｈ−キノリン誘導体を挙げることがで
きる。
（２）で示される含窒素複素環化合物は、具体例として
以下のものを挙げることができる。即ち、１−（ジメチ
ルアミノ）インドール、１−（メチルアミノ）インドー
ル、１−（エチルアミノ）インドール、１−（フェニル
アミノ）インドール、１−（ジフェニルアミノ）インド
ール、１−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ）インド
ール、１−｛（Ｎ−（４−ピリジル）−Ｎ−メチルアミ
ノ｝インドール、１−｛（Ｎ−（３−ピリジル）−Ｎ−
メチルアミノ｝インドール、１−｛（Ｎ−（２−ピリジ
ル）−Ｎ−メチルアミノ｝インドール、１−｛（Ｎ−
（２−フリル）−Ｎ−メチルアミノ｝インドール、１−
｛（Ｎ−（２−チエニル）−Ｎ−メチルアミノ｝インド
ール、１−｛（Ｎ−（４−トリフルオロメチルフェニ
ル）−Ｎ−メチルアミノ｝インドール、１−｛（Ｎ−
（４−トリル）−Ｎ−メチルアミノ｝インドール、１−
｛（Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−メチルアミ
ノ｝インドール、１−（ジメチルアミノ）−２−フェニ
ルインドール、１−（ジメチルアミノ）−４−クロロイ
ンドール、１−（ジフェニルアミノ）−４−クロロイン
ドール、１−（ジメチルアミノ）−４−クロロ−２−フ
ェニルインドール、１−（ジメチルアミノ）−５−クロ
ロインドール、１−（ジメチルアミノ）−６−クロロイ
ンドール、１−（ジメチルアミノ）−６−フルオロイン
ドール、１−（ジメチルアミノ）−７−クロロインドー
ル、１−（ジメチルアミノ）−４−フルオロインドー
ル、１−（ジメチルアミノ）−４−ブロモインドール、
１−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ）−５−クロロ
インドール、１−（ジメチルアミノ）−４−メトキシイ
ンドール、１−（ジメチルアミノ）−４−ブトキシイン
ドール、１−（ジメチルアミノ）−４−ニトロインドー
ル、１−（ジメチルアミノ）−４，５−メチレンジオキ
シインドール、１−（ジメチルアミノ）−５，６−メチ
レンジオキシインドール等のインドール誘導体、１−
（ジメチルアミノ）−４Ｈ−キノリン、１−（メチルア
ミノ）−４Ｈ−キノリン、１−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メ
チルアミノ）−４Ｈ−キノリン、１−｛（Ｎ−（４−ピ
リジル）−Ｎ−メチルアミノ｝−４Ｈ−キノリン、１−
｛（Ｎ−（３−ピリジル）−Ｎ−メチルアミノ｝−４Ｈ
−キノリン、１−（ジメチルアミノ）−５−クロロ−４
Ｈ−キノリン、１−（ジメチルアミノ）−５−ニトロ―
４Ｈ−キノリン、１−（ジメチルアミノ）−５−クロロ
―２−フェニル−４Ｈ−キノリン、１−（ジメチルアミ
ノ）−７−クロロ−４Ｈ−キノリン、１−（ジメチルア
ミノ）−６−クロロ−４Ｈ−キノリン、１−（ジメチル
アミノ）−６，７−メチレンジオキシ−４Ｈ−キノリ
ン、１−（ジメチルアミノ）−５−フルオロ−４Ｈ−キ
ノリン、１−（ジメチルアミノ）−７−フルオロ−４Ｈ
−キノリン等の４Ｈ−キノリン誘導体を挙げることがで
きる。
【００３２】
【発明の効果】本発明により、医薬、農薬原料及び電子
材料原料等として有用な含窒素複素環化合物が、入手容
易なハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体を
原料に用い、パラジウム化合物とホスフィンからなる触
媒及び塩基の存在下、分子内環化させることより合成す
ることが可能となった。また、本発明の製造法で得るこ
とができるインドール及び４Ｈ−キノリン等の含窒素複
素環化合物は、環内窒素に直接窒素が結合した１−アミ
ノ構造を有している。このような構造の化合物は、例え
ば、特開平７−５３３７６号公報には医薬としての用途
が開示されている有用な化合物であるが、従来の方法で
は、極限られた実施例しかなく、また合成に手間を要し
ていたが、本発明の方法を用いることにより容易に合成
することが可能となった。さらに従来法では、インドー
ル環の４位のみに置換基を導入することは容易ではなか
ったが、本発明の製造方法では入手容易な原料から、４
位のみに置換基を有するインドール誘導体を合成するこ
とが可能になった。
材料原料等として有用な含窒素複素環化合物が、入手容
易なハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体を
原料に用い、パラジウム化合物とホスフィンからなる触
媒及び塩基の存在下、分子内環化させることより合成す
ることが可能となった。また、本発明の製造法で得るこ
とができるインドール及び４Ｈ−キノリン等の含窒素複
素環化合物は、環内窒素に直接窒素が結合した１−アミ
ノ構造を有している。このような構造の化合物は、例え
ば、特開平７−５３３７６号公報には医薬としての用途
が開示されている有用な化合物であるが、従来の方法で
は、極限られた実施例しかなく、また合成に手間を要し
ていたが、本発明の方法を用いることにより容易に合成
することが可能となった。さらに従来法では、インドー
ル環の４位のみに置換基を導入することは容易ではなか
ったが、本発明の製造方法では入手容易な原料から、４
位のみに置換基を有するインドール誘導体を合成するこ
とが可能になった。
【００３３】一方、本発明の生成物は、水素化還元する
ことにより窒素−窒素結合が容易に開裂するので窒素上
に置換基を有さない含窒素複素環化合物を提供すること
もできる。また、本発明の生成物はベンゼン環部にハロ
ゲンを有することも可能なことから、パラジウム−ホス
フィンからなる触媒を用いて該ハロゲンをアミノ基、ア
リール基、及び置換ビニル基等へ変換することも可能で
あり、多様な置換基を有する含窒素複素環化合物の中間
体として極めて有用である。
ことにより窒素−窒素結合が容易に開裂するので窒素上
に置換基を有さない含窒素複素環化合物を提供すること
もできる。また、本発明の生成物はベンゼン環部にハロ
ゲンを有することも可能なことから、パラジウム−ホス
フィンからなる触媒を用いて該ハロゲンをアミノ基、ア
リール基、及び置換ビニル基等へ変換することも可能で
あり、多様な置換基を有する含窒素複素環化合物の中間
体として極めて有用である。
【００３４】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
【００３５】参考例１ （２，６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ
−ジメチルヒドラゾンの合成）温度計、滴下ロート、３
方コック、及びメカニカルスターラーを備えた２００ｍ
ｌの三口フラスコを窒素置換し、マグネシウム１．８５
ｇ（７６ｍｍｏｌ）及びジエチルエーテル３０ｍｌを加
えた。滴下ロートに２，６−ジクロロベンジルクロライ
ド（東京化成品）１３．５ｇ（６９ｍｍｏｌ）及びジエ
チルエーテル４０ｍｌからなる溶液を加え、反応系内の
温度が３０℃前後になるように滴下した。３０分間室温
で熟成後、氷冷し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６ｇ
（８２ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で１時間熟成後、氷
冷し、３Ｎ塩酸５０ｍｌを投入した。分相し、ジエチル
エーテルで抽出し、合わせた有機相を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。濾過、濃縮後、得られた残渣にメチルタ
ーシャーリーブチルエーテル５ｍｌを添加し、加熱溶解
させた。室温まで冷却後、析出した結晶を濾過し、２，
６−ジクロロフェニルアセトアルデヒドの結晶８．１ｇ
（４３ｍｍｏｌ）を得た。収率６２％。
−ジメチルヒドラゾンの合成）温度計、滴下ロート、３
方コック、及びメカニカルスターラーを備えた２００ｍ
ｌの三口フラスコを窒素置換し、マグネシウム１．８５
ｇ（７６ｍｍｏｌ）及びジエチルエーテル３０ｍｌを加
えた。滴下ロートに２，６−ジクロロベンジルクロライ
ド（東京化成品）１３．５ｇ（６９ｍｍｏｌ）及びジエ
チルエーテル４０ｍｌからなる溶液を加え、反応系内の
温度が３０℃前後になるように滴下した。３０分間室温
で熟成後、氷冷し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６ｇ
（８２ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で１時間熟成後、氷
冷し、３Ｎ塩酸５０ｍｌを投入した。分相し、ジエチル
エーテルで抽出し、合わせた有機相を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。濾過、濃縮後、得られた残渣にメチルタ
ーシャーリーブチルエーテル５ｍｌを添加し、加熱溶解
させた。室温まで冷却後、析出した結晶を濾過し、２，
６−ジクロロフェニルアセトアルデヒドの結晶８．１ｇ
（４３ｍｍｏｌ）を得た。収率６２％。
【００３６】３０ｍｌの一口フラスコに１．０ｇのモレ
キュラーシーブ４Ａを加え、窒素置換した。上記で得ら
れた２，６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド１．０
１ｇ（５．３ｍｍｏｌ）を加え、トルエン４ｍｌに溶解
させた。氷冷し、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン３５１ｍ
ｇ（５．８ｍｍｏｌ）を投入した。室温で３時間攪拌
後、濾過し濾液を減圧下、濃縮した。残渣を２ｍｍＨｇ
の減圧下蒸留し、２，６−ジクロロフェニルアセトアル
デヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾン１．１４ｇ（４．
９ｍｍｏｌ）を得た。収率９３％。
キュラーシーブ４Ａを加え、窒素置換した。上記で得ら
れた２，６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド１．０
１ｇ（５．３ｍｍｏｌ）を加え、トルエン４ｍｌに溶解
させた。氷冷し、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン３５１ｍ
ｇ（５．８ｍｍｏｌ）を投入した。室温で３時間攪拌
後、濾過し濾液を減圧下、濃縮した。残渣を２ｍｍＨｇ
の減圧下蒸留し、２，６−ジクロロフェニルアセトアル
デヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾン１．１４ｇ（４．
９ｍｍｏｌ）を得た。収率９３％。
【００３７】参考例２ ２，６−ジクロロベンジルクロライドの代わりに２，４
−ジクロロベンジルクロライド（和光純薬品）を用いた
以外は、参考例１と同様な操作を繰り返した。２，４−
ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチル
ヒドラゾンが収率５３％（２，４−ジクロロベンジルク
ロライド基準）で得られた。
−ジクロロベンジルクロライド（和光純薬品）を用いた
以外は、参考例１と同様な操作を繰り返した。２，４−
ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチル
ヒドラゾンが収率５３％（２，４−ジクロロベンジルク
ロライド基準）で得られた。
【００３８】参考例３ ２，６−ジクロロベンジルクロライドの代わりに２−ク
ロロベンジルクロライド（和光純薬品）を用いた以外
は、参考例１と同様な操作を繰り返した。２−クロロフ
ェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾン
が収率５８％（２−クロロベンジルクロライド基準）で
得られた。
ロロベンジルクロライド（和光純薬品）を用いた以外
は、参考例１と同様な操作を繰り返した。２−クロロフ
ェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾン
が収率５８％（２−クロロベンジルクロライド基準）で
得られた。
【００３９】参考例４ （３−（２，６−ジクロロフェニル）プロピオンアルデ
ヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンの合成）Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖ
ｏｌｕｍｅＶＩ，１９８８年，９０１−９０４頁）の方
法に従って、アセトアルデヒドＮ−シクロヘキシルイミ
ン（Ｎ−エチリデンシクロヘキシルアミン）６．９ｇ
（５２．６ｍｍｏｌ）の調製及びリチウムジイソプロピ
ルアミドとの反応を実施した。
ヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンの合成）Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖ
ｏｌｕｍｅＶＩ，１９８８年，９０１−９０４頁）の方
法に従って、アセトアルデヒドＮ−シクロヘキシルイミ
ン（Ｎ−エチリデンシクロヘキシルアミン）６．９ｇ
（５２．６ｍｍｏｌ）の調製及びリチウムジイソプロピ
ルアミドとの反応を実施した。
【００４０】一方、温度計、３方コック、及びマグネチ
ックスターラーを備えた１００ｍｌの三口フラスコを窒
素置換し、２，６−ジクロロベンジルクロライド（東京
化成品）１０．２ｇ（５２．２ｍｍｏｌ）及びテトラヒ
ドロフラン２５ｍｌを加えた。この溶液に上記で合成し
たリチウム塩化合物を、反応系内の温度が１５〜２０℃
に保たれるように滴下した。２時間室温で熟成後、氷冷
し３Ｎ塩酸を投入し、反応を終了させた。ジエチルエー
テルで抽出し、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。濾過、濃縮後、得られた残渣に１０ｇのモレキュラ
ーシーブ４Ａを加え、窒素置換した。トルエン１０ｍｌ
に溶解後、氷冷し、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン３．４
５ｇ（５７．４ｍｍｏｌ）を投入した。室温で３時間攪
拌後、濾過し濾液を減圧下、濃縮した。残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（溶媒；ヘキサン：酢酸エ
チル＝２０：１）で精製し、３−（２，６−ジクロロフ
ェニル）プロピオンアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒド
ラゾン７．４２ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）を得た。収率５
８％（２，６−ジクロロベンジルクロライド基準）。
ックスターラーを備えた１００ｍｌの三口フラスコを窒
素置換し、２，６−ジクロロベンジルクロライド（東京
化成品）１０．２ｇ（５２．２ｍｍｏｌ）及びテトラヒ
ドロフラン２５ｍｌを加えた。この溶液に上記で合成し
たリチウム塩化合物を、反応系内の温度が１５〜２０℃
に保たれるように滴下した。２時間室温で熟成後、氷冷
し３Ｎ塩酸を投入し、反応を終了させた。ジエチルエー
テルで抽出し、有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。濾過、濃縮後、得られた残渣に１０ｇのモレキュラ
ーシーブ４Ａを加え、窒素置換した。トルエン１０ｍｌ
に溶解後、氷冷し、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン３．４
５ｇ（５７．４ｍｍｏｌ）を投入した。室温で３時間攪
拌後、濾過し濾液を減圧下、濃縮した。残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（溶媒；ヘキサン：酢酸エ
チル＝２０：１）で精製し、３−（２，６−ジクロロフ
ェニル）プロピオンアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒド
ラゾン７．４２ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）を得た。収率５
８％（２，６−ジクロロベンジルクロライド基準）。
【００４１】実施例１ 温度計、３方コック、マグネチックスターラーを備えた
３０ｍｌの三口フラスコを窒素置換し、トリス（ジベン
ジリデンアセトン）二パラジウム（０）（ストレム製、
３１．５ｍｇ，パラジウムとして０．０６９ｍｍｏｌ，
基質２−クロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジ
メチルヒドラゾンに対して３．０ｍｏｌ％）、ターシャ
リーブトキシナトリウム２６４ｍｇ（２．７４ｍｍｏ
ｌ）、ｏ−キシレン５ｍｌ、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルア
ミノメチル）−２−（ジターシャーリーブチルホスフィ
ノ）フェロセン４０．１ｍｇ（０．１０４ｍｍｏｌ）、
２−クロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルヒドラゾン４５０ｍｇ（２．２９ｍｍｏｌ）を、この
順番に加えた。１１０℃まで昇温した後、その温度で４
時間撹拌した。室温まで冷却後、水１０ｍｌを添加し、
ジエチルエーテルで抽出した。無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、濃縮した。残渣をアルミナカラムクロマトグラフ
ィーで精製し（溶媒；ヘキサン：ジエチルエーテル＝５
０：１）、目的物の１−（ジメチルアミノ）インドール
を２７５ｍｇ（１．７２ｍｍｏｌ）得た。収率７５％、
ＧＣ純度９９％。
３０ｍｌの三口フラスコを窒素置換し、トリス（ジベン
ジリデンアセトン）二パラジウム（０）（ストレム製、
３１．５ｍｇ，パラジウムとして０．０６９ｍｍｏｌ，
基質２−クロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジ
メチルヒドラゾンに対して３．０ｍｏｌ％）、ターシャ
リーブトキシナトリウム２６４ｍｇ（２．７４ｍｍｏ
ｌ）、ｏ−キシレン５ｍｌ、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルア
ミノメチル）−２−（ジターシャーリーブチルホスフィ
ノ）フェロセン４０．１ｍｇ（０．１０４ｍｍｏｌ）、
２−クロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルヒドラゾン４５０ｍｇ（２．２９ｍｍｏｌ）を、この
順番に加えた。１１０℃まで昇温した後、その温度で４
時間撹拌した。室温まで冷却後、水１０ｍｌを添加し、
ジエチルエーテルで抽出した。無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、濃縮した。残渣をアルミナカラムクロマトグラフ
ィーで精製し（溶媒；ヘキサン：ジエチルエーテル＝５
０：１）、目的物の１−（ジメチルアミノ）インドール
を２７５ｍｇ（１．７２ｍｍｏｌ）得た。収率７５％、
ＧＣ純度９９％。
【００４２】実施例２ １−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）−２−（ジター
シャーリーブチルホスフィノ）フェロセンの代わりに、
トリ（ターシャリーブチル）ホスフィン４２．２ｍｇ
（０．２１ｍｍｏｌ）を用い、１２０℃で２０時間反応
させた以外は実施例１と同様な操作を繰り返した。１−
（ジメチルアミノ）インドールの収率は４１％であっ
た。
シャーリーブチルホスフィノ）フェロセンの代わりに、
トリ（ターシャリーブチル）ホスフィン４２．２ｍｇ
（０．２１ｍｍｏｌ）を用い、１２０℃で２０時間反応
させた以外は実施例１と同様な操作を繰り返した。１−
（ジメチルアミノ）インドールの収率は４１％であっ
た。
【００４３】実施例３ ２−クロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルヒドラゾンの代わりに、２，６−ジクロロフェニルア
セトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンを用い、
１２０℃で８時間反応させた以外は実施例１と同様な操
作を繰り返した。４−クロロ−１−（ジメチルアミノ）
インドールを収率３５％で得た。
ルヒドラゾンの代わりに、２，６−ジクロロフェニルア
セトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンを用い、
１２０℃で８時間反応させた以外は実施例１と同様な操
作を繰り返した。４−クロロ−１−（ジメチルアミノ）
インドールを収率３５％で得た。
【００４４】実施例４ ターシャリーブトキシナトリウムの代わりに炭酸セシウ
ムを用いた以外は、実施例３と同様な操作を繰り返し
た。４−クロロ−１−（ジメチルアミノ）インドールを
収率３３％で得た。
ムを用いた以外は、実施例３と同様な操作を繰り返し
た。４−クロロ−１−（ジメチルアミノ）インドールを
収率３３％で得た。
【００４５】実施例５ ２−クロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルヒドラゾンの代わりに、２，４−ジクロロフェニルア
セトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンを用い、
１２０℃で８時間反応させた以外は実施例１と同様な操
作を繰り返した。６−クロロ−１−（ジメチルアミノ）
インドールを収率２１％で得た。
ルヒドラゾンの代わりに、２，４−ジクロロフェニルア
セトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンを用い、
１２０℃で８時間反応させた以外は実施例１と同様な操
作を繰り返した。６−クロロ−１−（ジメチルアミノ）
インドールを収率２１％で得た。
【００４６】実施例６ ２−クロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルヒドラゾンの代わりに、２，６−ジクロロフェニルア
セトアルデヒド Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルヒドラゾン
を用い、１２０℃で８時間反応させた以外は実施例１と
同様な操作を繰り返した。４−クロロ−１−（Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−メチルアミノ）インドールを収率３９％で得
た。
ルヒドラゾンの代わりに、２，６−ジクロロフェニルア
セトアルデヒド Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルヒドラゾン
を用い、１２０℃で８時間反応させた以外は実施例１と
同様な操作を繰り返した。４−クロロ−１−（Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−メチルアミノ）インドールを収率３９％で得
た。
【００４７】実施例７ ２−クロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルヒドラゾンの代わりに、３−（２，６−ジクロロフェ
ニル）プロピオンアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラ
ゾンを用い、ターシャリーブトキシナトリウムの代わり
に炭酸セシウムを用い、１２０℃で８時間反応させた以
外は実施例１と同様な操作を繰り返した。５−クロロ−
１−（ジメチルアミノ）−４Ｈ−キノリンを収率３５％
で得た。
ルヒドラゾンの代わりに、３−（２，６−ジクロロフェ
ニル）プロピオンアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラ
ゾンを用い、ターシャリーブトキシナトリウムの代わり
に炭酸セシウムを用い、１２０℃で８時間反応させた以
外は実施例１と同様な操作を繰り返した。５−クロロ−
１−（ジメチルアミノ）−４Ｈ−キノリンを収率３５％
で得た。
【００４８】実施例８ ２，６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−
ジメチルヒドラゾンの代わりに２−クロロ−４−フルオ
ロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラ
ゾンを用いた以外は実施例１と同様な操作を繰り返し
た。６−フルオロ−１−（ジメチルアミノ）インドール
の収率は７４％であった。
ジメチルヒドラゾンの代わりに２−クロロ−４−フルオ
ロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラ
ゾンを用いた以外は実施例１と同様な操作を繰り返し
た。６−フルオロ−１−（ジメチルアミノ）インドール
の収率は７４％であった。
【００４９】実施例９ ２，６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−
ジメチルヒドラゾンの代わりに２−クロロ−４，５−メ
チレンジオキシフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジ
メチルヒドラゾンを用いた以外は実施例１と同様な操作
を繰り返した。５，６−メチレンジオキシ−１−（ジメ
チルアミノ）インドールの収率は３０％であった。
ジメチルヒドラゾンの代わりに２−クロロ−４，５−メ
チレンジオキシフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジ
メチルヒドラゾンを用いた以外は実施例１と同様な操作
を繰り返した。５，６−メチレンジオキシ−１−（ジメ
チルアミノ）インドールの収率は３０％であった。
【００５０】実施例１〜実施例９の基質及び生成物を表
１に示した。
１に示した。
【００５１】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (9)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、アルキル基、
アリール基、又はヘテロアリール基を表し、Ｒ3は水素
又はアリール基を表し、Ｒ4はアルコキシ基、ニトロ基
又はハロゲンを表し、Ｘはハロゲンを表し、ｍは０〜２
の整数を表し、ｎは０又は１を表す。）で示されるヒド
ラゾン誘導体を、ホスフィンとパラジウム化合物を含む
触媒、及び塩基の存在下、反応させることを特徴とする
下記一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ1〜Ｒ4、ｍ、及びｎは一般式（１）の定義に
同じ。）で示される含窒素複素環化合物の製造方法。 - 【請求項２】 ホスフィンがターシャリーブチル−リン
結合を有するホスフィンである請求項１に記載の製造方
法。 - 【請求項３】 一般式（１）及び一般式（２）におい
て、Ｒ1及びＲ2が各々独立してアルキル基であることを
特徴とする請求項１又は請求項２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 一般式（１）及び一般式（２）におい
て、Ｒ1及びＲ2が各々独立してフェニル基又は置換フェ
ニル基を表すことを特徴とする請求項１又は請求項２に
記載の製造方法。 - 【請求項５】 一般式（１）及び一般式（２）におい
て、Ｒ4がハロゲンであることを特徴とする請求項１乃
至請求項４のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項６】 一般式（１）及び一般式（２）におい
て、ｍが０又は１であることを特徴とする請求項１乃至
請求項５のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項７】 一般式（１）及び一般式（２）におい
て、ｍが１であることを特徴とする請求項６に記載の製
造方法。 - 【請求項８】 一般式（１）及び一般式（２）におい
て、ｎ＝０であり、かつＲ4が４位であることを特徴と
する請求項７に記載の含窒素複素環化合物。 - 【請求項９】 一般式（１）及び一般式（２）におい
て、ｎ＝１であり、かつＲ4が５位であることを特徴と
する請求項７に記載の含窒素複素環化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071045A JP4683166B2 (ja) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | 含窒素複素環化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-63693 | 1999-03-10 | ||
| JP6369399 | 1999-03-10 | ||
| JP2000071045A JP4683166B2 (ja) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | 含窒素複素環化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000319254A true JP2000319254A (ja) | 2000-11-21 |
| JP4683166B2 JP4683166B2 (ja) | 2011-05-11 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000071045A Expired - Fee Related JP4683166B2 (ja) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | 含窒素複素環化合物の製造方法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015038614A (ja) * | 2014-09-01 | 2015-02-26 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 電子輸送剤、及び電子輸送剤の製造方法 |
| WO2017196985A1 (en) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | Promega Corporation | Palladium catalysts with improved performance in biological environments |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63280079A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-17 | ヘキスト・マリオン・ルセル・インコーポレイテツド | Ｎ−（ピリジニル）−１ｈ−インドール−１−アミンおよびその製法 |
| JPH0559052A (ja) * | 1990-08-09 | 1993-03-09 | Wakunaga Pharmaceut Co Ltd | 新規三環性化合物又はその塩及びこれを含有する抗菌剤 |
| JPH1081667A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-03-31 | Tosoh Corp | 複素環式芳香族アミン類の製造方法 |
| JPH10310561A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Tosoh Corp | ３級アリールアミン類の製造方法 |
-
2000
- 2000-03-09 JP JP2000071045A patent/JP4683166B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2019516547A (ja) * | 2016-05-10 | 2019-06-20 | プロメガ コーポレイションＰｒｏｍｅｇａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 生物学的環境において改善された性能を有するパラジウム触媒 |
| EP3454981A4 (en) * | 2016-05-10 | 2019-12-25 | Promega Corporation | PALLADIUM CATALYSTS WITH IMPROVED PERFORMANCE IN BIOLOGICAL ENVIRONMENTS |
| US10882035B2 (en) | 2016-05-10 | 2021-01-05 | Promega Corporation | Palladium catalysts with improved performance in biological environments |
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| Publication number | Publication date |
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| JP4683166B2 (ja) | 2011-05-11 |
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