JP2000313667A - Si3N4結合SiC質耐火物の製造方法 - Google Patents
Si3N4結合SiC質耐火物の製造方法Info
- Publication number
- JP2000313667A JP2000313667A JP11156884A JP15688499A JP2000313667A JP 2000313667 A JP2000313667 A JP 2000313667A JP 11156884 A JP11156884 A JP 11156884A JP 15688499 A JP15688499 A JP 15688499A JP 2000313667 A JP2000313667 A JP 2000313667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- residual
- production
- si3n4
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】SiC−Si複合材料の製造において排出され
る残留Si塊を再利用し、安価なSi3N4結合SiC
質耐火物の製造方法を提供する。 【解決手段】SiC−Si複合材料の製造中のSi含浸
工程において、排出される余剰の残留Si塊を1000
μm以下に粉砕し、上記粉体を成形して得たグリーン体
をN2ガス雰囲気中にて焼成し、窒化反応させてSi3
N4結合SiC耐火物を製造する。上記残留Si塊の組
成は、Siが20〜50重量%、β−SiCが50〜8
0重量%とする。
る残留Si塊を再利用し、安価なSi3N4結合SiC
質耐火物の製造方法を提供する。 【解決手段】SiC−Si複合材料の製造中のSi含浸
工程において、排出される余剰の残留Si塊を1000
μm以下に粉砕し、上記粉体を成形して得たグリーン体
をN2ガス雰囲気中にて焼成し、窒化反応させてSi3
N4結合SiC耐火物を製造する。上記残留Si塊の組
成は、Siが20〜50重量%、β−SiCが50〜8
0重量%とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック製品焼
成炉に使用されるSi3N4結合SiC質耐火物の製造
方法に関する。更に詳細には、安価な焼成炉用棚板、支
柱、匣鉢などの窯道具耐火物などの製造方法に関する。
成炉に使用されるSi3N4結合SiC質耐火物の製造
方法に関する。更に詳細には、安価な焼成炉用棚板、支
柱、匣鉢などの窯道具耐火物などの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】SiC−Si複合材料は、耐熱衝撃性、
耐酸化性及び高温強度特性に優れているため、加熱炉に
用いられる高温構造材や蛍光塗料などの粉体熱処理用容
器として、アルミナやムライトといった汎用性セラミッ
ク材料に替わり、広く使用され始め、近年、生産量は徐
々に増加しつつある。SiC−Si複合材料の製造にお
いて、SiCグリーン体あるいは再結晶化させた焼成体
の開気孔部に、不活性雰囲気中、1400℃以上の高温
にて溶湯Siを含浸させる工程が不可欠となっている。
本工程では、Si未含浸部分の発生を防ぐために、被含
浸体の気孔率から算出する理論含浸量以上のSi粉末を
使用している。したがって、含浸処理後においては相当
量のSi塊が残留することとなり、その発生量は、例え
ば1年間にSiC−Si複合材料をおよそ100トン程
度製造した場合、残留Si塊は約10トン程度に及ぶ。
耐酸化性及び高温強度特性に優れているため、加熱炉に
用いられる高温構造材や蛍光塗料などの粉体熱処理用容
器として、アルミナやムライトといった汎用性セラミッ
ク材料に替わり、広く使用され始め、近年、生産量は徐
々に増加しつつある。SiC−Si複合材料の製造にお
いて、SiCグリーン体あるいは再結晶化させた焼成体
の開気孔部に、不活性雰囲気中、1400℃以上の高温
にて溶湯Siを含浸させる工程が不可欠となっている。
本工程では、Si未含浸部分の発生を防ぐために、被含
浸体の気孔率から算出する理論含浸量以上のSi粉末を
使用している。したがって、含浸処理後においては相当
量のSi塊が残留することとなり、その発生量は、例え
ば1年間にSiC−Si複合材料をおよそ100トン程
度製造した場合、残留Si塊は約10トン程度に及ぶ。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】これら発生した余剰の
残留Si塊は、従来、公共投棄場にて処分しており、そ
の際には、処分費用がかかり、製品コストがかさむ問題
が生じていた。また、将来的には、環境問題の点からも
公共投棄場自体に限界があり、廃棄できなくなる可能性
もある。そこで、工場から出た残留Si塊を再利用する
ことができれば製品コストの面において、また資源の有
効活用の面においても望ましい。再利用方法としては、
Si粉末の本来の用途である、Si含浸工程に再利用す
ることが望ましいが、含浸処理後、珪素粉末の一部がβ
−SiCやα−Si3N4として生成している、不純物
が多いなどの問題のため使用し難い。したがって、本発
明の目的は、SiC−Si複合材料の製造において排出
される余剰の残留Si塊を再利用し、安価なSi3N4
結合SiC質耐火物の製造方法を提供することにある。
残留Si塊は、従来、公共投棄場にて処分しており、そ
の際には、処分費用がかかり、製品コストがかさむ問題
が生じていた。また、将来的には、環境問題の点からも
公共投棄場自体に限界があり、廃棄できなくなる可能性
もある。そこで、工場から出た残留Si塊を再利用する
ことができれば製品コストの面において、また資源の有
効活用の面においても望ましい。再利用方法としては、
Si粉末の本来の用途である、Si含浸工程に再利用す
ることが望ましいが、含浸処理後、珪素粉末の一部がβ
−SiCやα−Si3N4として生成している、不純物
が多いなどの問題のため使用し難い。したがって、本発
明の目的は、SiC−Si複合材料の製造において排出
される余剰の残留Si塊を再利用し、安価なSi3N4
結合SiC質耐火物の製造方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
鋭意研究した結果、SiC−Si複合材料のSi含浸工
程において発生する余剰の残留Si塊の一部がβ−Si
Cやα−Si3N4に変化しているため、Siの窒化反
応によって製造するSi3N4結合SiC質耐火物製造
用の粉末として適しており、再利用可能であることが明
らかになった。そこで、本発明は、Si3N4結合Si
C耐火物の製造方法に関して、SiC−Si複合材料の
製造中のSi含浸工程において、排出される余剰の残留
Si塊を1000μm以下に粉砕し、上記粉体を成形し
て得たグリーン体をN2雰囲気中にて焼成し、窒化反応
して成ることを構成上の特徴とする。また、上記残留S
i塊の組成は、Siが20〜50重量%、β−SiCが
50〜80重量%であることを構成上の特徴とする。
鋭意研究した結果、SiC−Si複合材料のSi含浸工
程において発生する余剰の残留Si塊の一部がβ−Si
Cやα−Si3N4に変化しているため、Siの窒化反
応によって製造するSi3N4結合SiC質耐火物製造
用の粉末として適しており、再利用可能であることが明
らかになった。そこで、本発明は、Si3N4結合Si
C耐火物の製造方法に関して、SiC−Si複合材料の
製造中のSi含浸工程において、排出される余剰の残留
Si塊を1000μm以下に粉砕し、上記粉体を成形し
て得たグリーン体をN2雰囲気中にて焼成し、窒化反応
して成ることを構成上の特徴とする。また、上記残留S
i塊の組成は、Siが20〜50重量%、β−SiCが
50〜80重量%であることを構成上の特徴とする。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明にて使用する残留Si塊の
粉砕方法については、特に限定されるものではないが、
ジョークラッシャーやハンマークラッシャーなどの乾式
による粗粉砕を経た後、ボールミルなどの湿式にて微粉
砕することが好ましい。また、粉砕後の粒子径について
は、1000μm以下にすることが成形性の面で必要不
可欠であり、更には10〜500μmにすることが好ま
しい。残留Si塊の組成については、SiC−Si複合
材料のSi含浸工程において、その製法上の特徴から、
あらかじめSi粉末に若干量の炭素粉末を添加している
点や黒鉛ヒータ炉を使用するために炉内が還元雰囲気と
なっている影響により、Siの一部がSiC化してお
り、その比率はSi含浸条件によって多少変動する。こ
れら組成については、Siが20〜50重量%、β−S
iCが50〜80重量%の組成となっていることが好ま
しく、耐火物を製造する前に確認しておく必要がある。
Siが20重量%以上であればSi3N4結合が安定
し、所望の使用に耐えうる強度のものが得られる。ま
た、β−SiCが50重量%以上含まれていることによ
り、耐熱性や耐酸化性の高いものが得られる。この範囲
外の場合は、Si粉末あるいはSiC粉末を所望量添加
して、上記範囲に入るようにすることが必要となる。得
られたSiとβ−SiCの混合粉末を乾式プレスや押出
し成形、鋳込み成形といった方法にて所望の形状に成形
する。乾式プレスについては、並形レンガや板といった
単純な形状の成形に適用し、バインダーなどの成形助剤
を適量添加して成形される。鋳込み成形については、ル
ツボといった容器形状などの複雑形状の成形に向いてい
るが、水による分散の場合はSiの酸化によるH2の発
生が問題となるため、pH調整等の注意が必要である。
焼成に関しては、Siの窒化反応によるSi3N4生成
を行うため、上記グリーン体をN2ガス雰囲気中130
0℃〜1500℃の範囲にて熱処理する。充分な窒化反
応を行うためには、5時間〜10時間程度の保持が必要
となる。更に、Siの窒化を促進させるためには、黒鉛
ヒータ炉の使用、N2+H2雰囲気下での焼成が好まし
く、保持時間を短縮することが可能となる。
粉砕方法については、特に限定されるものではないが、
ジョークラッシャーやハンマークラッシャーなどの乾式
による粗粉砕を経た後、ボールミルなどの湿式にて微粉
砕することが好ましい。また、粉砕後の粒子径について
は、1000μm以下にすることが成形性の面で必要不
可欠であり、更には10〜500μmにすることが好ま
しい。残留Si塊の組成については、SiC−Si複合
材料のSi含浸工程において、その製法上の特徴から、
あらかじめSi粉末に若干量の炭素粉末を添加している
点や黒鉛ヒータ炉を使用するために炉内が還元雰囲気と
なっている影響により、Siの一部がSiC化してお
り、その比率はSi含浸条件によって多少変動する。こ
れら組成については、Siが20〜50重量%、β−S
iCが50〜80重量%の組成となっていることが好ま
しく、耐火物を製造する前に確認しておく必要がある。
Siが20重量%以上であればSi3N4結合が安定
し、所望の使用に耐えうる強度のものが得られる。ま
た、β−SiCが50重量%以上含まれていることによ
り、耐熱性や耐酸化性の高いものが得られる。この範囲
外の場合は、Si粉末あるいはSiC粉末を所望量添加
して、上記範囲に入るようにすることが必要となる。得
られたSiとβ−SiCの混合粉末を乾式プレスや押出
し成形、鋳込み成形といった方法にて所望の形状に成形
する。乾式プレスについては、並形レンガや板といった
単純な形状の成形に適用し、バインダーなどの成形助剤
を適量添加して成形される。鋳込み成形については、ル
ツボといった容器形状などの複雑形状の成形に向いてい
るが、水による分散の場合はSiの酸化によるH2の発
生が問題となるため、pH調整等の注意が必要である。
焼成に関しては、Siの窒化反応によるSi3N4生成
を行うため、上記グリーン体をN2ガス雰囲気中130
0℃〜1500℃の範囲にて熱処理する。充分な窒化反
応を行うためには、5時間〜10時間程度の保持が必要
となる。更に、Siの窒化を促進させるためには、黒鉛
ヒータ炉の使用、N2+H2雰囲気下での焼成が好まし
く、保持時間を短縮することが可能となる。
【0006】
【実施例】次に本発明を実施例により詳細に説明する。 (実施例1)SiC−Si複合材料のSi含浸工程にお
いて残留したSi塊10Kgをジョークラッシャー装置
にて粗粉砕した後、エタノールを分散媒としたボールミ
ルにて24時間回転させて微粉砕を実施し、平均粒径6
0μmの粉体を得た。これら粉体のX線回折による組成
分析を実施した結果は、Siが35重量%、β−SiC
が60重量%、α−Si3N4が5重量%であった。こ
の混合粉砕原料に水30〜40重量%と分散剤0.2重
量%、バインダーとしてワックスエマルジョンを0.5
重量%を加え、NaOHにてpH7〜9に調整し、ボー
ルミルにて24時間混合しスラリー化した。得られたス
ラリーを真空撹拌装置にて脱泡処理した後、棒状φ10
×130mm、板状100×100×t8mm、それぞ
れの形状の石膏型に流し込んで、鋳込み成形した。この
成形体を110℃にて乾燥した後、黒鉛ヒータ炉にてN
2雰囲気中、焼成温度1400℃、保持時間6時間にて
処理することにより、Siを完全に窒化反応させて、S
i3N4結合SiC質耐火物を製造した。得られた耐火
物の特性は、開気孔率30%、密度2.10g/c
m3、曲げ強度100MPaであった。また、X線回折
により組成分析を行った結果、β−SiCが50重量
%、α−Si3N4が50重量%であった。これら耐火
物について、セラミック部品焼成用の台板として大気中
1300℃焼成炉にて使用した結果、特に問題無く使用
することが可能であった。 (実施例2〜3,比較例1〜2)残留Si塊の粉砕後の
組成及び耐火物組成が変化した他は、実施例1と同一の
方法によりSi3N4結合SiC質耐火物を製造し、各
特性を測定した。表1に実施例1〜3及び比較例1〜2
についての組成及び各特性、トンネル炉にて使用した際
の使用状況について示している。残留Si塊(粉末)組
成について、Siが20重量%以下の場合(比較例
2)、強度不足により搬送取り扱い中に亀裂及び割れが
続出し、β−SiCが50重量%以下の場合(比較例
1)では、熱衝撃による割れが数枚程度見られた。した
がって、耐火物として使用が可能となる残留Si塊の組
成は、Siが20重量%以上、β−SiCが50重量%
以上であることが判明した。また、実施例1〜3の範囲
にて残留Si塊の組成が変動しても、充分使用に耐えう
る耐火物を製造できることが判る。
いて残留したSi塊10Kgをジョークラッシャー装置
にて粗粉砕した後、エタノールを分散媒としたボールミ
ルにて24時間回転させて微粉砕を実施し、平均粒径6
0μmの粉体を得た。これら粉体のX線回折による組成
分析を実施した結果は、Siが35重量%、β−SiC
が60重量%、α−Si3N4が5重量%であった。こ
の混合粉砕原料に水30〜40重量%と分散剤0.2重
量%、バインダーとしてワックスエマルジョンを0.5
重量%を加え、NaOHにてpH7〜9に調整し、ボー
ルミルにて24時間混合しスラリー化した。得られたス
ラリーを真空撹拌装置にて脱泡処理した後、棒状φ10
×130mm、板状100×100×t8mm、それぞ
れの形状の石膏型に流し込んで、鋳込み成形した。この
成形体を110℃にて乾燥した後、黒鉛ヒータ炉にてN
2雰囲気中、焼成温度1400℃、保持時間6時間にて
処理することにより、Siを完全に窒化反応させて、S
i3N4結合SiC質耐火物を製造した。得られた耐火
物の特性は、開気孔率30%、密度2.10g/c
m3、曲げ強度100MPaであった。また、X線回折
により組成分析を行った結果、β−SiCが50重量
%、α−Si3N4が50重量%であった。これら耐火
物について、セラミック部品焼成用の台板として大気中
1300℃焼成炉にて使用した結果、特に問題無く使用
することが可能であった。 (実施例2〜3,比較例1〜2)残留Si塊の粉砕後の
組成及び耐火物組成が変化した他は、実施例1と同一の
方法によりSi3N4結合SiC質耐火物を製造し、各
特性を測定した。表1に実施例1〜3及び比較例1〜2
についての組成及び各特性、トンネル炉にて使用した際
の使用状況について示している。残留Si塊(粉末)組
成について、Siが20重量%以下の場合(比較例
2)、強度不足により搬送取り扱い中に亀裂及び割れが
続出し、β−SiCが50重量%以下の場合(比較例
1)では、熱衝撃による割れが数枚程度見られた。した
がって、耐火物として使用が可能となる残留Si塊の組
成は、Siが20重量%以上、β−SiCが50重量%
以上であることが判明した。また、実施例1〜3の範囲
にて残留Si塊の組成が変動しても、充分使用に耐えう
る耐火物を製造できることが判る。
【0007】
【表1】
【0008】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、SiC−
Si複合材料製造におけるSi含浸工程において、発生
する余剰の残留Si塊を再生利用するものである。本発
明によれば、残留Si塊といった産業廃棄物を大幅に削
減出来るとともに、より安価なSi3N4結合SiC質
耐火物の製造が可能となる。
Si複合材料製造におけるSi含浸工程において、発生
する余剰の残留Si塊を再生利用するものである。本発
明によれば、残留Si塊といった産業廃棄物を大幅に削
減出来るとともに、より安価なSi3N4結合SiC質
耐火物の製造が可能となる。
Claims (2)
- 【請求項1】 SiC−Si複合材料製造のSi含浸工
程において、排出される余剰の残留Si塊を1000μ
m以下に粉砕し、上記粉体を成形して得たグリーン体を
N2ガス雰囲気中にて焼成し、窒化反応して成るSi3
N4結合SiC耐火物の製造方法。 - 【請求項2】 残留Si塊の組成は、Siが20〜50
重量%、β−SiCが50〜80重量%であることを特
徴とする請求項1記載のSi3N4結合SiC耐火物の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11156884A JP2000313667A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | Si3N4結合SiC質耐火物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11156884A JP2000313667A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | Si3N4結合SiC質耐火物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000313667A true JP2000313667A (ja) | 2000-11-14 |
Family
ID=15637508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11156884A Withdrawn JP2000313667A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | Si3N4結合SiC質耐火物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000313667A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003073167A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | Si3N4−SiC複合焼結体の製造方法 |
-
1999
- 1999-04-27 JP JP11156884A patent/JP2000313667A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003073167A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | Si3N4−SiC複合焼結体の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2310339B1 (en) | Volume-change resistant silicon oxynitride bonded silicon carbide - based product | |
TW397807B (en) | Aluminium nitride sintered body | |
US4693988A (en) | Single phase silicon carbide refractory | |
US4690790A (en) | Silicon nitride/silicon carbide composition and articles thereof | |
Xie et al. | Formation of silicon nitride bonded silicon carbide by aqueous gelcasting | |
AU701442B2 (en) | Reaction-bonded silicon carbide refractory product | |
JP3345659B2 (ja) | 窒化珪素物品の製造方法 | |
JP4348429B2 (ja) | 窒化ケイ素多孔体及びその製造方法 | |
JP2000313667A (ja) | Si3N4結合SiC質耐火物の製造方法 | |
JPS6210954B2 (ja) | ||
JP4796717B2 (ja) | Si3N4−SiC複合焼結体の製造方法 | |
WO2020202878A1 (ja) | ホウ化ジルコニウム/炭化ホウ素コンポジット及びその製造方法 | |
JPS632913B2 (ja) | ||
JP2525432B2 (ja) | 常圧焼結窒化硼素系成形体 | |
JPH05148023A (ja) | スピネル、炭化ケイ素、及び炭化ホウ素を含むセラミツク組成物 | |
US6197247B1 (en) | Molybdenum disilicide composites | |
JPS638069B2 (ja) | ||
JPS6212663A (ja) | B4c質複合体およびその製造方法 | |
JP2009057259A (ja) | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
WO1990013525A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING β-SIALON SINTER | |
JPH10259054A (ja) | タングステン系酸化物焼結体とその製造方法及び 焼結用粉末組成物 | |
RU2816616C1 (ru) | Способ получения горячепрессованной карбидокремниевой керамики | |
JPH01131069A (ja) | 複合常圧焼結成形体 | |
KR940010097B1 (ko) | 질화 규소가 결합된 탄화 규소 내화물질 | |
JPH0283265A (ja) | 窒化珪素の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060704 |