JP2000312113A

JP2000312113A - 発振器

Info

Publication number: JP2000312113A
Application number: JP11119455A
Authority: JP
Inventors: Yoshishige Yoshikawa; 嘉茂吉川; Yoshio Horiike; 良雄堀池
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-04-27
Filing date: 1999-04-27
Publication date: 2000-11-07

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】半導体基板に内蔵するフードバックコンデン
サの浮遊容量発生を防止し、発振回路のノイズ特性を改
善する。【解決手段】半導体基板上に構成されたトランジスタ
２と、インダクタ８と、相対する電極からなるコンデン
サ９を備え、前記コンデンサを構成する電極の内、直流
的に接地する電極を半導体基板に最も近い導体層に構成
し、直流的に接地しない電極を半導体基板に対して反対
側に構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、通信機器などの局
部発振信号の発生に用いられる発振器に関し、特に半導
体集積回路に発振用トランジスタおよびフィードバック
用コンデンサを内蔵した発振器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図７は、従来の発振器の回路図である。
図７はコレクタ接地型コルピッツ発振器の例を示してい
る。図７を用いて従来の発振器について説明する。

【０００３】図７において、１は半導体基板上に構成さ
れた回路、２はトランジスタ、３は第１の電極、４は第
２の電極、５は第３の電極、６は第４の電極、８はイン
ダクタ、９はコンデンサ、１０は直流接地端子、１１は
交流接地端子、１２は共振器端子、１３は電源、１４は
抵抗、１５は半導体基板、１０１は寄生容量成分、１０
２は寄生抵抗成分である。

【０００４】尚、各電極および半導体基板については、
その位置関係を明確にするために斜視図の表示としてい
る。

【０００５】第１の電極３および第３の電極５は半導体
基板１５上に構成されており、第２の電極４および第４
の電極６は、第１の電極３および第３の電極５の上に構
成されている。ここで、半導体基板と第１および第２の
電極、第１の電極と第３の電極、第２の電極と第４の電
極はそれぞれ絶縁層により電気的に絶縁されている。こ
こで、第１の電極３と第２の電極４、第３の電極５と第
４の電極６はそれぞれ互いに相対した位置にあり２つの
コンデンサを構成しており、発振器のフィードバックコ
ンデンサとして働く。

【０００６】前記２つのコンデンサとトランジスタ２が
半導体基板上に構成され、更に半導体基板上に設けられ
た直流接地端子１０は直流的に接地され、交流接地端子
１１はコンデンサ９が接続されることにより交流的に接
地されている。また、共振端子１２にはインダクタ８お
よびコンデンサ９からなる共振回路が接続されている。
また、抵抗１４は、トランジスタの各端子のパイアスを
設定するために挿入されている。

【０００７】図７に示す従来の発振器では、前記２つの
コンデンサ、トランジスタのベースとエミッタの容量、
コンデンサ９の容量、およびインダクタ８で決まる共振
周波数で発振する。そして、図７には示していないが、
トランジスタのエミッタまたはベースから出力信号が取
り出される。

【０００８】そしてインダクタ８に並列に接続されたコ
ンデンサ９として可変容量ダイオードを用いることによ
り発振周波数を可変する電圧制御発振器（ＶＣＯ）とし
て応用されることが多い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例に示す発振器では出力信号のノイズ特性が劣化す
るという課題があった。

【００１０】半導体基板１５上に電極を構成した場合に
は、コンデンサの下側電極と半導体基板１５との間に寄
生容量成分が発生する。また、前記寄生容量成分に付随
して寄生抵抗成分が存在する。この寄生抵抗成分は半導
体基板１５の抵抗も含まれる。図７に示すように、第３
の電極と半導体基板の間に寄生容量成分１０１と寄生抵
抗成分１０２が生じている。第１の電極３にも寄生成分
が存在するが、接地端子１０を通じて直流的に接地され
てため損失項としては働かない。

【００１１】一般に発振器のノイズ特性は共振周波数を
決定しているインダクタンス成分と容量成分からなる共
振回路のＱ値によりに決まるが、上記寄生容量成分１０
１は共振周波数を決定する容量の一成分として働く。そ
して、抵抗成分１０２の存在のために共振回路のＱ値が
低下してしまう。

【００１２】このようにフィードバック用のコンデンサ
を半導体基板上に内蔵した場合には、良好なノイズ特性
を得ることは困難であった。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、直流的に接地
するコンデンサの電極を最も半導体基板に最も近い導体
層に構成し、直流的に接地しない電極は前記直流的に接
地する電極の前記半導体基板に対して反対側に構成する
ことにより、寄生容量成分および寄生抵抗成分の発生を
防止し、良好なノイズ特性が得られる発振器を実現する
ものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】半導体基板上に構成されたトラン
ジスタと、前記半導体基板上に形成された相対する電極
から成るコンデンサと、インダクタを備え、前記コンデ
ンサを構成する電極の内最も前記半導体基板に近い電極
を直流的に接地する構成としたものである。そして、電
極に寄生容量成分および寄生抵抗成分が生じないため、
良好なノイズ特性を得ることができる。

【００１５】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上に形成され
た第２の電極と、前記第１または第２の電極に相対し前
記第１または第２の電極の上に形成された第３の電極
と、インダクタを備え、前記第１の電極を直流的に接地
し、前記第２の電極を前記トランジスタのエミッタに接
続し、前記第３の電極を前記トランジスタのベースに接
続したものである。そして、コレクタ接地型コルピッツ
発振器で良好なノイズ特性が得られる。

【００１６】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上に形成され
た第２の電極と、前記第１または第２の電極に相対し前
記第１または第２の電極の上に形成された第３の電極
と、インダクタを備え、前記第１の電極を直流的に接地
し、前記第２の電極を前記トランジスタのエミッタに接
続し、前記第３の電極を前記トランジスタのコレクタに
接続したものである。そして、ベース接地型コルピッツ
発振器で良好なノイズ特性が得られる。

【００１７】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第１および第２
の電極と、前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上
に形成された第３の電極と、前記第２の電極に相対し前
記第２の電極の上に形成された第４の電極と、インダク
タを備え、前記第１および第２の電極を直流的に接地
し、前記第３の電極を前記トランジスタのベースに接続
し、前記第４の電極を前記トランジスタのコレクタに接
続したものである。そして、エミッタ接地型コルピッツ
発振器で良好なノイズ特性が得られる。

【００１８】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第１および第２
の電極と、前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上
に形成された第３の電極と、前記第２の電極に相対し前
記第２の電極の上に形成された第４の電極と、前記第３
および第４の電極に相対し前記第３および第４の電極の
上に形成された第５の電極と、インダクタを備え、前記
第１および第２の電極を直流的に接地し、前記第３の電
極を前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第５の
電極を前記トランジスタのベースに接続し、前記第４の
電極を前記インダクタに接続したものである。そして、
コレクタ接地型コルピッツ発振器で共振器用コンデンサ
を内蔵して良好なノイズ特性が得られる。

【００１９】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第１および第２
の電極と、前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上
に形成された第３の電極と、前記第２の電極に相対し前
記第２の電極の上に形成された第４の電極と、前記第３
および第４の電極に相対し前記第３および第４の電極の
上に形成された第５の電極と、インダクタを備え、前記
第１および第２の電極を直流的に接地し、前記第３の電
極を前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第５の
電極を前記トランジスタのコレクタに接続し、前記第４
の電極を前記インダクタに接続したものである。そし
て、ベース接地型コルピッツ発振器で共振器用コンデン
サを内蔵して良好なノイズ特性が得られる。

【００２０】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第１および第２
の電極と、前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上
に形成された第３の電極と、前記第２の電極に相対し前
記第２の電極の上に形成された第４の電極と、前記第３
および第４の電極に相対し前記第３および第４の電極の
上に形成された第５の電極と、インダクタを備え、前記
第１および第２の電極を直流的に接地し、前記第３の電
極を前記トランジスタのベースに接続し、前記第４の電
極を前記トランジスタのコレクタに接続し、前記インダ
クタの両端をそれぞれ前記第４および第５の電極また
は、それぞれ前記第３および第５の電極に接続したもの
である。そして、エミッタ接地型コルピッツ発振器で共
振器用コンデンサを内蔵して良好なノイズ特性が得られ
る。

【００２１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。

【００２２】（実施例１）図１（ａ）は、本発明による
発振器の実施例１の構成を示す回路図である。図１
（ａ）はコレクタ接地型コルピッツ発振器の例を示して
いる。また、図１（ｂ）は実施例１の発振器の原理回路
図である。図１（ａ）、（ｂ）を用いて本実施例の発振
器について説明する。図１（ａ）、（ｂ）において、１
は半導体基板上に構成された回路、２はトランジスタ、
３は第１の電極、４は第２の電極、５は第３の電極、８
はインダクタ、９はコンデンサ、１０は直流接地端子、
１１は交流接地端子、１２は共振器端子、１３は電源、
１４は抵抗、１５は半導体基板である。尚、各電極およ
び半導体基板については、その位置関係を明確にするた
めに斜視図の表示としている。

【００２３】図１（ａ）に示すように、半導体基板１５
上には、トランジスタ２、第１、第２および第３の電極
３、４、５、直流接地端子１０、交流接地端子１１、共
振器端子１２が構成されている。ここで、第１の電極３
は半導体基板１５上に構成されている。また、第２の電
極４が第１の電極３の上に構成されている。さらに、第
２の電極４の上に第３の電極５が構成されている。ここ
で、第１、第２のおよび第３の電極３、４、５は互いに
相対した位置に配置されており、それぞれ電気的に絶縁
されている。

【００２４】そして、第１の電極３は直流接地端子１０
を通じて直流的に接地される。また、第２の電極４はト
ランジスタ２のエミッタに接続されている。また、第３
の電極５はトランジスタのベースに接続されている。さ
らに前記トランジスタ２のベースには共振器端子１２を
通じてコンデンサ９とインダクタ８から成る共振回路が
接続されている。また、トランジスタ２のコレクタは交
流接地端子１１を通じてコンデンサ９により交流的に接
地されている。また、抵抗１４はトランジスタ２のバイ
アス設定のために挿入されている。

【００２５】本実施例１の発振器では、直流的に接地さ
れない電極と半導体基板１５との間に寄生容量成分が発
生しない。すなわち、第２および第３の電極４、５と半
導体基板１５との間には、第１の電極があり、第１の電
極は直流的に接地されているために、第２および第３の
電極４、５と半導体基板１５との間に寄生容量成分が発
生しない。

【００２６】図１（ｂ）の原理回路に示すように、直流
的に接地される電極は※印を付けた電極である。他の電
極は※印の電極の上に配置されている。

【００２７】従って寄生容量や寄生抵抗により共振回路
のＱ値を劣化させることがなく、良好なノイズ特性を得
ることができる。

【００２８】（実施例２）図２は、本発明による発振器
の実施例２の構成を示す原理回路図である。本実施例
は、ベース接地型コルピッツ発振器の例であり、具体的
な回路は、実施例１と同様に構成することができるた
め、ここでは図２に示す原理図を用いて説明する。

【００２９】図２において、図１と同じ構成要素に同一
の番号を付けて示した。図２で※印の電極が直流的に接
地される構成であり、他の電極は直流的に接地される電
極の上に配置されている。また、トランジスタ２のベー
スが接地されているが、これは直流的または交流的な接
地のどちらでも良い。

【００３０】上記のような構成により直流的に接地され
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のＱ値を劣化させ
ることがなく、良好なノイズ特性を得ることができる。

【００３１】（実施例３）図３は、本発明による発振器
の実施例３の構成を示す原理回路図である。本実施例
は、エミッタ接地型コルピッツ発振器の例であり、具体
的な回路は、実施例１と同様に構成することができるた
め、ここでは図３に示す原理図を用いて説明する。

【００３２】図３において、図１と同じ構成要素に同一
の番号を付けて示した。図３で、※印の電極が直流的に
接地される構成であり、他の電極は直流的に接地される
電極の上に配置されている。また、トランジスタ２のエ
ミッタが接地されているが、これは直流的または交流的
な接地のどちらでも良い。

【００３３】上記のような構成により直流的に接地され
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のＱ値を劣化させ
ることがなく、良好なノイズ特性を得ることができる。

【００３４】（実施例４）図４（ａ）は、本発明による
発振器の実施例４の構成を示す回路図である。図４
（ａ）はコレクタ接地型コルピッツ発振器の例を示して
いる。また、図４（ｂ）は実施例４の発振器の原理回路
図である。特に、共振器のコンデンサとフィードバック
コンデンサを分けて表示した。図４（ａ）、（ｂ）を用
いて本実施例の発振器について説明する。図４（ａ）、
（ｂ）において、６は第４の電極、７は第５の電極であ
る、また、図１と同じ構成要素について同一の番号を付
けて示した。

【００３５】図４（ａ）に示すように、半導体基板１５
上に、トランジスタ２、第１、第２、第３、第４および
第５の電極３、４、５、６、７、直流接地端子１０、交
流接地端子１１、共振器端子１２が構成されている。こ
こで、第１および第２の電極３、４は前記半導体基板１
５の上に構成されている。また、第１および第２の電極
３、４の上にそれぞれ第３および第４の電極５、６が構
成されている。さらに、第３および第４の電極５、６の
上に第５の電極７が構成されている。ここで第１の電極
３と第３の電極５が互いに相対した位置に配置され、第
２の電極４と第４の電極６が互いに相対した位置に配置
され、第３および第４の電極と第５の電極が互いに相対
した位置に配置されている。

【００３６】そして、第１および第２の電極３、４は直
流接地端子１０を通じて直流的に接地される。また、第
３の電極５はトランジスタ２のエミッタに接続されてい
る。また、第４の電極６は共振器端子１２を通じてイン
ダクタ８に接続されている。また、第５の電極７はトラ
ンジスタ２のベースに接続されている。

【００３７】また、トランジスタ２のコレクタは交流接
地端子１１を通じてコンデンサ９により交流的に接地さ
れている。抵抗１４はトランジスタ２のバイアス設定の
ために挿入されている。

【００３８】本実施例４の発振器の特徴は、実施例１で
示したフィードバックコンデンサの半導体基板上への内
蔵化に加えて共振回路のコンデンサも内蔵した点であ
る。インダクタとコンデンサから成る共振回路のコンデ
ンサを半導体基板上の電極で構成し、直流的に接地され
る電極（第２の電極４）の上にもう１方の電極（第４の
電極６）を配置している。また、第５の電極７と第４の
電極６で直流成分カットを行っているため、共振器端子
１２に接続されるインダクタに直流成分カット用のコン
デンサは不要となっている。

【００３９】以上のような構成により、直流的に接地さ
れない電極と半導体基板との間に寄生容量成分が発生し
ない。すなわち、第３、第４および第７の電極５、６、
７と半導体基板との間には、第１および第２の電極があ
り、第１および第２の電極は直流的に接地されているた
めに、第３、第４および第７の電極５、６、７と半導体
基板との間に寄生容量成分が発生しない。

【００４０】図４（ｂ）の原理回路に示すように、直流
的に接地される電極は※印を付けた電極である。他の電
極は※印の電極の上に配置されている。従って共振用の
コンデンサを半導体基板に内蔵しても、寄生容量や寄生
抵抗により共振回路のＱ値を劣化させることがなく、良
好なノイズ特性を得ることができる。

【００４１】尚、第１および第２の電極をそれぞれ、別
々の電極で構成したが、１つの電極にまとめても良い。
また、第２の電極４と第４の電極６で構成される共振用
コンデンサを半導体基板に内蔵したが、外付けとし、第
４の電極６と第５の電極７で構成される直流成分カット
用コンデンサを内蔵とする構成をとることもできる。

【００４２】（実施例５）図５は、本発明による発振器
の実施例５の構成を示す原理回路図である。共振器のコ
ンデンサとフィードバックコンデンサを分けて表示し
た。本実施例は、ベース接地型コルピッツ発振器の例で
あるが、具体的な回路は、実施例４と同様に構成するこ
とができるため、ここでは図５に示す原理図を用いて説
明する。

【００４３】図５において、図１と同じ構成要素につい
て同一の番号を付けて示した。

【００４４】本実施例５の発振器も実施例４と同様、フ
ィードバックコンデンサの半導体基板上への内蔵化に加
えて共振回路のコンデンサも内蔵した点を特徴としてい
る。

【００４５】図５に示すように、直流的に接地される電
極は※印を付けた電極である。他の電極は※印の電極の
上に配置されている。

【００４６】また、トランジスタ２のベースが接地され
ているが、これは直流的または交流的な接地のどちらで
も良い。

【００４７】上記のような構成により直流的に接地され
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のＱ値を劣化させ
ることがなく、発振器として良好なノイズ特性を得るこ
とができる。

【００４８】（実施例６）図６（ａ）および図６（ｂ）
は、本発明による発振器の実施例６の構成を示す原理回
路図である。共振器のコンデンサとフィードバックコン
デンサを分けて表示した。本実施例は、エミッタ接地型
コルピッツ発振器の例であるが、具体的な回路は、実施
例４と同様に構成することができるため、ここでは図６
に示す原理図を用いて説明する。

【００４９】図６（ａ）および図６（ｂ）において、図
１と同じ構成要素について同一の番号を付けて示した。

【００５０】本実施例６の発振器も実施例４などと同
様、フィードバックコンデンサの半導体基板上への内蔵
化に加えて共振回路のコンデンサも内蔵した点を特徴と
している。

【００５１】図６（ａ）はインダクタ８を第４の電極６
と第５の電極７に接続した構成であり、図６（ｂ）はイ
ンダクタ８を第３の電極５と第５の電極７に接続した構
成である。いずれの場合も、直流的に接地される電極は
※印を付けた電極である。他の電極は※印の電極の上に
配置されている。また、トランジスタ２のエミッタが接
地されているが、これは直流的または交流的な接地のど
ちらでも良い。

【００５２】上記のような構成により直流的に接地され
る電極以外の電極と半導体基板との間に寄生容量および
寄生抵抗が発止しないため、共振回路のＱ値を劣化させ
ることがなく、発振器として良好なノイズ特性を得るこ
とができる。

【００５３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
発振器によれば、次の効果が得られる。

【００５４】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された相対する電極から成
るコンデンサと、インダクタを備え、前記コンデンサを
構成する電極の内最も前記半導体基板に近い電極を直流
的に接地する構成としたため、直流的に接地されない電
極に寄生容量成分および寄生抵抗成分が生じず、良好な
ノイズ特性を得ることができる。

【００５５】また、半導体基板上に構成されたトランジ
スタと、前記半導体基板上に形成された第１および第２
の電極と、前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上
に形成された第３の電極と、前記第２の電極に相対し前
記第２の電極の上に形成された第４の電極と、前記第３
および第４の電極に相対し前記第３および第４の電極の
上に形成された第５の電極と、インダクタを備え、前記
第１および第２の電極を直流的に接地し、前記第３の電
極を前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第５の
電極を前記トランジスタのベースに接続し、前記第４の
電極を前記インダクタに接続したため、共振器用コンデ
ンサを内蔵しても良好なノイズ特性を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の実施例１における発振器の回路
図（ｂ）同実施例１におけるコレクタ接地型コルピッツ発
振器の原理回路図

【図２】本実施例２におけるベース接地型コルピッツ発
振器の原理回路図

【図３】本実施例３におけるエミッタ接地型コルピッツ
発振器の原理回路図

【図４】（ａ）本発明の実施例４における発振器の回路
図（ｂ）同実施例４におけるコレクタ接地型コルピッツ発
振器の原理回路図

【図５】本実施例５におけるベース接地型コルピッツ発
振器の原理回路図

【図６】（ａ）本実施例６におけるエミッタ接地型コル
ピッツ発振器の原理回路図（ｂ）同エミッタ接地型コルピッツ発振器の別の原理回
路図

【図７】従来の発振器の回路図

【符号の説明】

１半導体基板上に構成された回路２トランジスタ３第１の電極４第２の電極５第３の電極６第４の電極７第５の電極８インダクタ９コンデンサ１０直流接地端子１１交流接地端子１２共振器端子１５半導体基板

フロントページの続きＦターム(参考） 5F038 AZ04 BH03 BH19 CD13 DF01 EZ20 5J081 AA03 CC20 CC30 DD03 EE02 EE03 JJ12 LL04 MM01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成され相対する電極から成る
コンデンサと、インダクタを備え、前記コンデンサを構
成する電極の内最も前記半導体基板に近い電極を直流的
に接地する構成とした発振器。
【請求項２】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第１の電極と、前記
第１の電極に相対し前記第１の電極の上に形成された第
２の電極と、前記第１または第２の電極に相対し前記第
１または第２の電極の上に形成された第３の電極と、イ
ンダクタを備え、前記第１の電極を直流的に接地し、前
記第２の電極を前記トランジスタのエミッタに接続し、
前記第３の電極を前記トランジスタのベースに接続した
コレクタ接地型コルピッツ発振器。
【請求項３】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第１の電極と、前記
第１の電極に相対し前記第１の電極の上に形成された第
２の電極と、前記第１または第２の電極に相対し前記第
１または第２の電極の上に形成された第３の電極と、イ
ンダクタを備え、前記第１の電極を直流的に接地し、前
記第２の電極を前記トランジスタのエミッタに接続し、
前記第３の電極を前記トランジスタのコレクタに接続し
たベース接地型コルピッツ発振器。
【請求項４】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第１および第２の電
極と、前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上に形
成された第３の電極と、前記第２の電極に相対し前記第
２の電極の上に形成された第４の電極と、インダクタを
備え、前記第１および第２の電極を直流的に接地し、前
記第３の電極を前記トランジスタのベースに接続し、前
記第４の電極を前記トランジスタのコレクタに接続した
エミッタ接地型コルピッツ発振器。
【請求項５】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第１および第２の電
極と、前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上に形
成された第３の電極と、前記第２の電極に相対し前記第
２の電極の上に形成された第４の電極と、前記第３およ
び第４の電極に相対し前記第３および第４の電極の上に
形成された第５の電極と、インダクタを備え、前記第１
および第２の電極を直流的に接地し、前記第３の電極を
前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第５の電極
を前記トランジスタのベースに接続し、前記第４の電極
を前記インダクタに接続したコレクタ接地型コルピッツ
発振器。
【請求項６】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第１および第２の電
極と、前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上に形
成された第３の電極と、前記第２の電極に相対し前記第
２の電極の上に形成された第４の電極と、前記第３およ
び第４の電極に相対し前記第３および第４の電極の上に
形成された第５の電極と、インダクタを備え、前記第１
および第２の電極を直流的に接地し、前記第３の電極を
前記トランジスタのエミッタに接続し、前記第５の電極
を前記トランジスタのコレクタに接続し、前記第４の電
極を前記インダクタに接続したベース接地型コルピッツ
発振器。
【請求項７】半導体基板上に構成されたトランジスタ
と、前記半導体基板上に形成された第１および第２の電
極と、前記第１の電極に相対し前記第１の電極の上に形
成された第３の電極と、前記第２の電極に相対し前記第
２の電極の上に形成された第４の電極と、前記第３およ
び第４の電極に相対し前記第３および第４の電極の上に
形成された第５の電極と、インダクタを備え、前記第１
および第２の電極を直流的に接地し、前記第３の電極を
前記トランジスタのベースに接続し、前記第４の電極を
前記トランジスタのコレクタに接続し、前記インダクタ
の両端をそれぞれ前記第４および第５の電極または、そ
れぞれ前記第３および第５の電極に接続したエミッタ接
地型コルピッツ発振器。