JP2000305249A

JP2000305249A - ペリクルおよびレチクル異物検査装置

Info

Publication number: JP2000305249A
Application number: JP10925399A
Authority: JP
Inventors: Hajime Nakamura; 中村　　元
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-04-16
Filing date: 1999-04-16
Publication date: 2000-11-02

Abstract

(57)【要約】【課題】ペリクルおよびレチクル、マスク異物付着検
査装置内部のスペース効率を上げ、検査行為を簡単化
し、ごみ等の原因による不良製品、不良素子の製造を未
然に防ぐ。【解決手段】スキャン方式の半導体製造装置のペリク
ルおよびレチクル異物検査装置において、露光に使用す
る、露光光源、ペリクルおよびレチクル、マスク異物付
着検査と共用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は半導体製造装置のペ
リクル異物付着検査装置、レチクル検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体素子を見ると微細化が進
み、半導体製造過程では本加工に伴い、本半導体を製造
する半導体露光装置、半導体製造装置についても、ます
ます微細化加工可能な環境が必要とされている。

【０００３】しかしながら、前記微細化可能な環境は、
その維持費用等非常に高価な環境設備となっている。ま
た、前記半導体露光装置について使用するウエハ、原盤
であるレチクルも近年大型化の傾向にあり、本ウエハ、
レチクルを使用する装置自体も大型化の傾向があり、維
持費のかかるクリーンルーム内のスペースの大部分を占
めるようになっている。

【０００４】このように、大型化していく半導体製造装
置を、スペースコストの高価な環境で使用する場合、そ
の設置面積、スペース効率が問題となる。

【０００５】従来、半導体製造装置に組み込まれている
ペリクルおよびレチクル、マスク異物付着検査装置で
は、その検査を行なうステージが装置と別の温調空間に
設置されているか、または装置内の一部の空間を使用し
て露光を行なう部分とは別の検査用ステージを設置して
いた。

【０００６】また、ペリクルおよびレチクル、マスク異
物付着検査で使用する光源についても、前記ペリクルお
よびレチクル、マスク異物付着検査装置の独自の光源を
持ち、かつ前記ペリクルおよびレチクル、マスク異物付
着検査装置のステージ付近に設置しなければならなかっ
た。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前記従来例で述べたよ
うに、微細化加工可能な環境をみると、その建設費用、
維持費用は、近年だんだん高価になり、いかにして限ら
れたスペースに多くの装置を設置するか、いかにしてス
ペース効率を上げてトータルコストを下げるかが課題と
なってきている。

【０００８】前記に述べたような状況の中で使用する半
導体製造装置については、従来と変わらないような構成
となっており、ペリクルおよびレチクル、マスク異物付
着検査装置のステージと露光で使用するレチクルステー
ジをそれぞれ持ち、各動作を行なって動作している。

【０００９】前記ステージについて、その両者のステー
ジを見ると露光に使用されるレチクルステージは、スキ
ャン機能のため等速で動作する事が可能でありまたペリ
クルおよびレチクル、マスク異物付着検査装置のスキャ
ンステージは固定された光源の下をレチクルを持ったス
キャンステージが移動し、同時にペリクルおよびレチク
ル、マスク上の付着ごみを検査するものであり、両者と
も同じ機能を持っているにもかかわらず、それぞれ装置
内の別の部分に位置し、装置全体の大きさを大きくする
要因となっている。

【００１０】また、光源についても、実際の露光光とペ
リクルおよびレチクル、マスク異物付着検査等の照明光
の複数の光源を持ち、光源の持つスペースが増大し装置
全体を大きくする要因となっている。このため、高価な
クリーンルーム内の装置設置台数を減少させスペース効
率を悪くするという問題が発生していた。

【００１１】また、検査する光源と実際に使用する光源
の波長が異なっているため、レチクルの透過部分の影響
により計測誤差が発生していた。または計測誤差を最小
とするための数々の補正を行なう事が必要となり操作、
検査行為が複雑となってしまうという問題が発生してい
た。

【００１２】加えて、ペリクルおよびレチクル、マスク
を検査するステージとペリクルを実際に使用するステー
ジが異なるため、ペリクルおよびレチクル、マスク異物
付着検査終了後、露光用レチクルステージ上に搬送して
いる途中にごみ等が付着した場合、確認する手段もな
く、ごみが付着したまま露光動作を行ない不良製品、不
良素子を大量に制作してしまうというトラブルも発生し
ていた。

【００１３】上記問題点に鑑み、本発明の第１の目的
は、装置内部のスペース効率を上げ装置の小形化を行な
い、クリーンルーム内のスペース効率を上げ、トータル
コストを下げる事である。

【００１４】第２の目的は、検査する光源と実際に使用
する光源の波長が同一のためレチクルの透過部分の影響
がなくなり、計測誤差、計測誤差を最小とするための数
々の補正を行なう事なくペリクルおよびレチクル、マス
ク異物付着検査を行なう事が可能となり操作、検査行為
を簡単化することである。

【００１５】第３の目的は、検査するステージと実際に
使用するステージを同一にし、レチクルの移動時に発生
するごみ付着の問題をなくし、また実際に使用する直前
のレチクル状態を検査するため、ごみ等の原因による不
良製品、不良素子の製造を未然に防ぐ事である。

【００１６】第４の目的は、露光中も常時、ペリクル、
レチクルを検査、観察し、不良製品、不良素子の製造に
結びつくような異物の増加を把握し、ごみ等の原因によ
る不良製品、不良素子の製造を未然に防ぐ事である。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究した
結果、露光に使用する露光光源、またはペリクルおよび
レチクルの駆動ステージをペリクルおよびレチクル、マ
スク異物付着検査の露光光源、またはペリクルおよびレ
チクルの駆動ステージと共用することにより上記課題が
解決されることを見出し本発明に至った。

【００１８】すなわち、本発明は第１に、スキャン方式
の半導体製造装置のペリクルおよびレチクル異物検査装
置において、ペリクルおよびレチクル検査の光源として
露光光源を使用することを特徴とする。

【００１９】第２に、スキャン方式の半導体製造装置の
ペリクルおよびレチクル検査装置において、ペリクルお
よびレチクル検査の駆動ステージとしてレチクルステー
ジまたはマスクステージを使用することを特徴とする。

【００２０】第３に、スキャン方式の半導体製造装置の
ペリクルおよびレチクル検査装置において、半導体製造
装置の露光動作と同時にペリクルおよびレチクル異物検
査を行なうことを特徴とする。ここで、半導体製造装置
の露光動作と同時にペリクルおよびレチクル異物検査を
行なった結果をもとに、エラーを表示することができ
る。また、半導体製造装置の露光動作と同時にペリクル
およびレチクル異物検査を行なった結果を前回測定した
結果と比較してレチクル洗浄時期を表示することができ
る。

【００２１】このように、本発明の半導体製造装置で
は、同一場所で露光、ペリクルおよびレチクル、マスク
異物付着検査行なうためのレチクルステージとペリクル
およびレチクル、マスク異物付着検査を行なう制御系、
ペリクルおよびレチクル、マスク異物付着検査を行なう
検出系、ペリクルおよびレチクル、マスク異物付着検査
を行なっている時に検査光がウエハに届かないようにす
るための遮光機構を持つ。

【００２２】本構成において、露光を行なうためのレチ
クルはレチクルステージに搬送される。前記レチクルス
テージ上にてレチクルは露光前にペリクルおよびレチク
ル、マスク上の付着物検査を行なう。

【００２３】レチクルステージ上にレチクルが搬送され
ると、レチクルステージとレンズの間にある遮光用シャ
ッターが閉じられる。これと同時に、ペリクルおよびレ
チクル、マスク異物付着検査用の検出部、制御部に起動
信号が入力され、前記検出部、制御部が動作を開始す
る。検出部、制御部の動作開始に同期し光源に同期信号
が出力され、光源がスタンバイ状態となる。

【００２４】ペリクルおよびレチクル、マスク異物付着
検査制御部が検査開始の信号を出力し、前記信号に同期
し、光源が点灯を開始ペリクルおよびレチクル、マスク
異物付着検査を行なう。ペリクルおよびレチクル、マス
ク異物付着検査検出部、制御部が、ペリクルおよびレチ
クル、マスク異物付着検査を終了すると、装置はエキシ
マレーザーに発振停止信号を出力し、それと同時に、レ
ンズとスキャンステージ間にある遮光用シャッターを開
けて前記検査を行なったレチクルにて露光動作が可能な
状態する。

【００２５】また、露光シーケンスが開始され、レチク
ルステージ制御部から再度ペリクルおよびレチクル、マ
スク異物付着検査用の検出部に起動信号が入力され、前
記検出部が動作を開始する。

【００２６】制御部の動作に同期し、ペリクルおよびレ
チクル、マスク異物付着検査制御部が検査開始の信号を
出力し、前記信号に同期し、ペリクルおよびレチクル、
マスク異物付着検査を行なう。

【００２７】露光シーケンスが終了するとペリクルおよ
びレチクル、マスク異物付着検査検出部、制御部がペリ
クルおよびレチクル、マスク異物付着検査を終了し、ペ
リクルおよびレチクル、マスク異物付着検査制御部が装
置上の表示部にエラー情報、または前回測定した測定結
果との比較し、比較値からペリクルおよびレチクル、マ
スクの洗浄時期を表示する。

【００２８】

【作用】このように、装置スキャンステージ上でペリク
ルおよびレチクル、マスク異物付着検査を行なう事によ
ってペリクルおよびレチクル、マスク異物付着検査ステ
ージ専用の場所が不要となり、装置内部のスペース効率
を上げ、装置の小形化を行い、クリーンルーム内のスペ
ース効率を上げ、トータルコストを下げる事が可能とな
り、ペリクルおよびレチクル、マスク異物付着検査ステ
ージ、露光用スキャンステージ間のレチクルの移動なく
検査を行う事ができ、レチクルの移動時に発生するごみ
付着の問題をなくし、また実際に使用する直前のレチク
ル状態を検査するため、ごみ等の原因による不良製品、
不良素子の製造を未然に防ぐ事が可能となる。

【００２９】加えて、検査する光源と実際に使用する光
源の波長が同一のためレチクルの透過部分の影響がなく
なり、計測誤差、計測誤差を最小とするための数々の補
正を行う事なくペリクルおよびレチクル、マスク異物付
着検査を行う事が可能になり、露光中も常時ペリクル、
レチクルを検査、観察し、不良製品、不良素子の製造に
結びつくような異物の増加を把握し、ごみ等の原因によ
る不良製品、不良素子の製造を未然に防ぐ事が可能とな
る。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
例を説明する。

【００３１】

【実施例】［実施例１］図１は、実施例１の半導体製造
装置のレチクルスキャンステージ回りを示した図であ
る。図２はレチクルスキャンステージと遮光用シャッタ
ーの関係を示した図である。図３（ａ）、（ｂ）はペリ
クル上の異物の付着を測定を示した図である。図４は本
実施例の動作シーケンスを示したフローチャート図であ
る。

【００３２】図１に示すように、本半導体製造装置は半
導体パターンの焼き付けを行なうためのレチクル３と前
記レチクル３を固定する装置上のレチクルスキャンステ
ージ４、前記レチクルスキャンステージ４にレチクル３
を搬送するためのレチクル搬送部１を持ち、レチクル搬
送部１から搬送されたレチクル３をレチクルスキャンス
テージ４は真空吸着しスキャンステージ４上に固定して
いる。レチクルスキャンステージ４は図１上、左右方向
に移動スキャンを行ない、レチクル３上の描写パターン
をウエハ（不図示）上に露光する。

【００３３】スキャンステージ３上にはペリクル異物付
着検査のためのペリクル異物付着検査検出部２ａ、２ｂ
がレチクル３を向いて設置されている。前記ペリクル異
物付着検査検出部２ａ、２ｂにはスキャン露光のための
スキャンスリットに相当するスリット絞りが取り付けて
ある。

【００３４】レチクルスキャンステージ４の下部にはペ
リクル異物付着検査時に検査使用光が、ウエハに悪影響
を及ぼさないように遮光シャッター５が取り付けられて
いる。遮光用シャッター５の下部には露光を行なうため
の投影レンズ６が位置している。

【００３５】また、前記ペリクル異物付着検査検出部２
ａ、２ｂに挟まれるような位置にエキシマレーザーの露
光光を均一にするための照明系レンズ７が位置してい
る。本装置の照明光源であるエキシマレーザー光は、エ
キシマレーザーへッド１１にて発射され前記照明系レン
ズ７に導かれる。

【００３６】８はペリクル異物付着検査検出部２ａ、２
ｂから出力された信号を増幅、フィルターリングするた
めのプリアンプ部で、本プリアンプ部８において信号増
幅、およびＳ／Ｎ比をよくするための処理を行なってい
る。

【００３７】プリアンプ部８から出力された信号は、ペ
リクル異物付着検査制御部１０に入力される。また、前
記ペリクル異物付着検査制御部１０には遮光用シャッタ
ー５の位置確認信号、エキシマレーザーへッド１１から
のスタンバイ信号が入力される。ペリクル異物付着検査
制御部１０はマザーボード１９上に位置し、前記マザー
ボード１９上においてスキャンステージ４の制御部９、
装置状態表示を行なうためのインターフェイス部１２と
データーバスを通じて信号のやり取りが行なわれるよう
になっている。

【００３８】装置状態表示を行なうためのインターフェ
イス部１２にはマンマシーンインターフェイスとしてコ
ンソール表示機１３が接続されている。

【００３９】図２に示すように、遮光用シャッター５は
レチクルスキャンステージ４の駆動コイル４ａ、４ｂに
挟まれるような形で存在する。遮光用シャッター５は駆
動用モーター１７で駆動され、本遮光用シャッター５の
位置確認フォトセンサー１８で確認される。前記駆動用
モーター１７とフォトセンサー１８はそれぞれペリクル
異物付着検査制御部１０に接続される。

【００４０】以下、図４を使用して本実施例の動作につ
いて説明する。レチクル搬送部１によりレチクルスキャ
ンステージ４に搬送されたレチクル３はレチクルスキャ
ンステージ４上に真空吸着され固定される（ステップ１
０１）。レチクル３がスキャンステージ４上に固定され
ると、ペリクル異物付着検査制御部１０は装置のマンマ
シーンインターフェイス部１２の情報により、本レチク
ルはペリクル異物付着検査を行なうレチクルかまたは検
査せずそのまま露光処理を行なうレチクルかを判断する
（ステップ１０２）。

【００４１】ペリクル異物付着検査を行なわない場合、
遮光シャッター５の状態を確認し閉状態であれば遮光用
シャッター５を開き、スキャンステージ４の初期化をへ
て、露光動作を行なう（ステップ１１０、１１１、１１
２、１１３）。

【００４２】ペリクル異物付着検査を行なうレチクルで
あれば、ペリクル異物付着検査制御部１０は遮光シャッ
ター位置確認フォトセンサー１８の出力信号を入力し、
遮光シャッター５の状態を確認する（ステップ１０
３）。

【００４３】遮光シャッター位置確認フォトセンサー１
８にて、遮光用シャッター５が開状態と検知した場合、
ペリクル異物付着検査制御部１０は遮光シャッター位置
確認フォトセンサー１８の出力を確認しながら、遮光用
シャッター５の駆動モーター１７を駆動し、遮光シャッ
ター５を閉状態にする（ステップ１０４）。

【００４４】遮光用シャッター５が閉状態と検知した場
合、前記遮光シャッターの駆動動作（ステップ１０４）
をスキップする。遮光シャッター位置確認フォトセンサ
ー１８で遮光シャッター５が閉状態である事を確認する
と、ペリクル異物付着検査制御部１０はマザーボード１
９を通してスキャンステージ制御部９に初期位置への移
動コマンドを、エキシマレーザーへッド１１にはレーザ
ー光を発光させるためのスタンバイ信号を事前に出力す
る。

【００４５】スキャンステージ制御部９は初期位置への
移動コマンドを受けると、レチクルスキャンステージ４
を付着物計測のため初期位置へ移動させる（ステップ１
０５）。

【００４６】レチクルスキャンステージ４が初期位置へ
の移動が完了し、かつエキシマレーザーへッド１１がス
タンバイ状態になると、ペリクル異物付着検査制御部１
０は付着物の検査を開始、エキシマレーザーへッド１１
に信号を出力しエキシマレーザーを発光させる。これと
同時に、スキャンステージ制御部にスキャン動作開始コ
マンドを出力し付着物検査を行なう（ステップ１０
６）。

【００４７】付着物検査について図３（ａ）、（ｂ）を
用いて説明する。図３（ａ）に示されるように、エキシ
マレーザーへッド１１から出力されたレーザー光２０は
照明系７を通過しレチクル３へ導かれる。本レーザー光
２０の下を検査するレチクル３がスキャンステージ４と
ともにスキャンする。

【００４８】図３（ｂ）に示されるように、レチクル３
上のペリクル１４に付着物１５がある場合、レーザー光
２０は付着物１５において拡散される。エキシマレーザ
ーの場合この拡散光として蛍光が発せられる。

【００４９】ペリクル異物付着検査検出部２ａ、２ｂに
おいてスキャン露光のためのスキャンスリットに相当す
るスリット絞りが取り付けてあるため、露光エリア外の
蛍光を検知する事なく、露光エリア内のごみから発せら
れ、プリアンプ部８で増幅された信号と、スキャンステ
ージ制御部１９からの出力されるスキャンステージ４の
位置でペリクル異物付着検査制御部１０は、付着物１５
の位置を検知するのと同時にマンマシーンインターフェ
イス部１２を通し表示部１３に検知したごみの位置をグ
ラフィカルに表示する。

【００５０】前記検査したデーターにより、ごみの個
数、大きさ等の条件により、検査不合格となった場合、
マンマシーンインターフェイス部１２の情報によりその
まま確認の露光を行なうか、回収するかが決定される
（ステップ１０７、１０８、１０９）。

【００５１】検査合格となった場合、または確認の露光
を行なう場合は、遮光用シャッター５を開け（ステップ
１１１）、前記シーケンスの１１２に相当するステージ
初期化（ステップ１１２）を行ない、露光動作に入る。
この時、マンマシーンインターフェイス部１２を通し
て、露光状態に入った事を表示する。

【００５２】［実施例２］実施例２は実施例１と構成は
同じであるが、検査のシーケンスが異なる。以下、図
１、図３、図４を使用して本実施例の動作について説明
する。レチクル搬送部１によりレチクルスキャンステー
ジ４に搬送されたレチクル３は、レチクルスキャンステ
ージ４上に真空吸着され固定される。レチクル３がスキ
ャンステージ４上に固定されると、遮光シャッター５の
状態を確認し閉状態であれば、遮光用シャッター５を開
き、スキャンステージ４の初期化をへて、露光動作を行
なう。これと同時にペリクル異物付着検査部１０は、装
置のマンマシーンインターフェイス部１２の情報によ
り、本レチクルは露光中にペリクル異物付着検査を行な
うレチクルか、または検査せずそのまま露光処理を行な
うレチクルかを判断する。そのまま露光動作を行なう。

【００５３】ペリクル異物付着検査を行なうレチクルで
あれば、ペリクル異物付着検査制御部１０はマザーボー
ド１９を通して、スキャンステージ制御部９から駆動開
始のトリガー信号、スキャンステージの位置情報を、ま
たエキシマレーザーへッド１１からは、レーザー光を発
光開始信号を受け取る。

【００５４】スキャンステージ制御部９は、エキシマレ
ーザーヘッド１１と同期を取りながら露光動作に入る
と、ペリクル異物付着検査制御部１０は付着物の検査を
開始する。

【００５５】付着物検査について図３（ａ）、（ｂ）を
用いて説明する。図３（ａ）に示されるように、エキシ
マレーザーヘッド１１から出力されたレーザー光２０は
照明系７を通過しレチクル３へ導かれる。本レーザー光
２０の下を検査するレチクル３が、スキャンステージ４
とともにスキャンする。

【００５６】図３（ｂ）に示されるように、レチクル３
上のペリクル１４に付着物１５がある場合、レーザー光
２０は付着物１５において拡散される。エキシマレーザ
ーの場合、この拡散光として蛍光が発せられる。

【００５７】本蛍光をスリットでペリクル異物付着検査
検出部２ａ、２ｂにおいて露光エリア内の本拡散光を検
出しプリアンプ部８で増幅された信号と、スキャンステ
ージ制御部１９からの出力されるスキャンステージ４の
位置で、ペリクル異物付着検査制御部１０は付着物１５
の位置を検知するのと同時に、マンマシーンインターフ
ェイス部１２を通し表示部１３に検知したごみの位置を
グラフィカルに表示する。

【００５８】前記検査したデーターにより、ごみの個
数、大きさ等の条件により、露光された製品が不良製品
となりうる場合、マンマシーンインターフェイス部１２
にエラー表示を行なう。

【００５９】また、前記検査したデーターによりごみの
個数、大きさ等の条件により露光された製品が不良製品
とならない場合においても、前回の測定データーと比較
を行ない、レチクル洗浄時期を予想し、マンマシーンイ
ンターフェイス部１２に表示を行なう。

【００６０】［実施例３］以下、本実施例を説明する。
図５は本発明の実施例３である半導体製造装置のレチク
ルスキャンステージ回りを示した図である。図５に示す
ように、実施例１との違いは、検査用の投光光源は、露
光光源から採っているが、途中でイメージガイド２１に
よって、レチクルステージの上のレチクルを斜投光して
いる点である。

【００６１】実施例１と同じく、本半導体製造装置は、
半導体パターンの焼き付けを行なうためのレチクル３
と、前記レチクル３を固定する装置上のレチクルスキャ
ンステージ４、前記レチクルスキャンステージ４にレチ
クル３を搬送するためのレチクル搬送部１を持ち、レチ
クル搬送部１から搬送されたレチクル３を、レチクルス
キャンステージ４は真空吸着し、スキャンステージ４上
に固定している。

【００６２】レチクルスキャンステージ４は図１上、左
右方向に移動スキャンを行ないレチクル３上の描写パタ
ーンをウエハ（不図示）上に露光する。

【００６３】スキャンステージ３上には、ペリクル異物
付着検査のためのペリクル異物付着検査検出部２が、レ
チクル３を向いて設置されている。前記ペリクル異物付
着検査検出部２に対向する位置に、投光部であるイメー
ジガイド２１が設置されている。本イメージガイド２１
の入射光側には、照明系内の切換えミラー２２が置か
れ、露光光源からの光を露光照明系に導くか、またはイ
メージガイド上に導くかを切り替えている。

【００６４】レチクルスキャンステージ４の下部には、
ペリクル異物付着検査時に検査使用光がウエハに悪影響
を汲ぼさないように遮光シャッター５が取り付けられて
いる。遮光用シャッター５の下部には、露光を行なうた
めの照明系レンズ６が位置している。

【００６５】また、エキシマレーザーの露光光を均一に
するための照明系レンズ７の横にレチクル３を向いて、
前記ペリクル異物付着検査検出部２が位置している。本
装置の照明光源であるエキシマレーザー光はエキシマレ
ーザーヘッド１１にて発射され、前記照明系レンズ７に
導かれる。

【００６６】８はペリクル異物付着検査検出部２から出
力された信号を増幅、フィルターリングするためのプリ
アンプ部で、本プリアンプ部８において信号増幅、およ
びＳ／Ｎ比をよくするための処理を行なっている。

【００６７】プリアンプ部８から出力された信号は、ペ
リクル異物付着検査制御部１０に入力される。また、前
記ぺリクル異物付着検査制御部１０には、遮光用シャッ
ター５の位置確認信号、エキシマレーザーへッド１１か
らのスタンバイ信号が入力される。ペリクル異物付着検
査制御部１０はマザーボード１９上に位置し、前記マザ
ーボード１９上においてスキャンステージ４の制御部
９、装置状態表示を行なうためのインターフェイス部１
２とデーターバスを通じて信号のやり取りが行なわれる
ようになっている。

【００６８】装置状態表示を行なうためのインターフェ
イス部１２には、マンマシーンインターフェイスとして
コンソール表示機１３が接続されている。

【００６９】実施例１と同じように、遮光用シャッター
５はレチクルスキャンステージ４の駆動コイル４ａ、４
ｂに挟まれるような形で存在する。遮光用シャッター５
は駆動用モーター１７で駆動され、本遮光用シャッター
５の位置確認フォトセンサー１８で確認される。

【００７０】前記駆動用モーター１７とフォトセンサー
１８は、それぞれペリクル異物付着検査制御部１０に接
続される。

【００７１】以下、図６を使用して本実施例の動作につ
いて説明する。レチクル搬送部１によりレチクルスキャ
ンステージ４に搬送されたレチクル３は、レチクルスキ
ャンステージ４上に真空吸着され固定される。レチクル
３がスキャンステージ４上に固定されると、ペリクル異
物付着検査制御部１０は装置のマンマシーンインターフ
ェイス部１２の情報により、本レチクルはペリクル異物
付着検査を行なうレチクルか、または検査せずそのまま
露光処理を行なうレチクルかを判断する。

【００７２】ペリクル異物付着検査を行なわない場合、
遮光シャッター５の状態を確認し、閉状態であれば遮光
用シャッター５を開き、スキャンステージ４の初期化を
へて露光動作を行なう。

【００７３】ペリクル異物付着検査を行なうレチクルで
あれば、ペリクル異物付着検査制御部１０は、遮光シャ
ッター位置確認フォトセンサー１８の出力信号を入力
し、遮光シャッター５の状態を確認する。

【００７４】遮光シャッター位置確認フォトセンサー１
８にて、遮光用シャッター５が開状態と検知した場合、
ペリクル異物付着検査制御部１０は遮光シャッター位置
確認フォトセンサー１８の出力を確認しながら、遮光用
シャッター５の駆動モーター１７を駆動し、遮光シャッ
ター５を閉状態にする。

【００７５】遮光用シャッター５が閉状態と検知した場
合、前記遮光シャッターの駆動動作をスキップする。

【００７６】遮光シャッター位置確認フォトセンサー１
８で、遮光シャッター５が閉状態である事を確認する
と、それと同時に、光路を切り換えるためのミラー２２
を駆動し、露光に使用する光りをイメージガイド２１の
入射側に導く。またペリクル異物付着検査制御部１０は
マザーボード１９を通して、スキャンステージ制御部９
に初期位置への移動コマンドを、エキシマレーザーへッ
ド１１にはレーザー光を発光させるためのスタンバイ信
号を事前に出力する。

【００７７】スキャンステージ制御部９は、初期位置へ
の移動コマンドを受けると、レチクルスキャンステージ
４を付着物計測のため初期位置へ移動させる。レチクル
スキャンステージ４が初期位置への移動が完了し、かつ
エキシマレーザーヘッド１１がスタンバイ状態になる
と、ペリクル異物付着検査制御部１０は付着物の検査を
開始、エキシマレーザーへッド１１に信号を出力し、エ
キシマレーザーを発光させる。これと同時に、スキャン
ステージ制御部にスキャン動作開始コマンドを出力し、
付着物検査を行なう。

【００７８】付着物検査について図６（ａ）、（ｂ）を
用いて説明する。図６（ａ）に示されるように、エキシ
マレーザーヘッド１１から出力されたレーザー光２０
は、イメージガイド２１を通過しレチクル３へ導かれ
る。この時イメージガイド２１の出射口はスキャンステ
ージの露光スリットと等価の位置、等価の面積を照明す
るために長方形の形をしている。イメージガイド２１か
ら出射されたレーザー光２０の下を検査するレチクル３
がスキャンステージ４とともにスキャンする。

【００７９】図６（ｂ）に示されるように、レチクル３
上のペリクル１４に付着物１５がある場合、レーザー光
２０は付着物１５において拡散される。エキシマレーザ
ーの場合、この拡散光として蛍光が発せられる。

【００８０】ペリクル異物付着検査検出部２において、
スキャン露光のためのスキャンスリットに相当するスリ
ット絞りが取り付けてあるため、露光エリア外の蛍光を
検知する事なく、露光エリア内のごみから発せられた拡
散光を検出し、プリアンプ部８で増幅された信号と、ス
キャンステージ制御部１９からの出力されるスキャンス
テージ４の位置で、ペリクル異物付着検査制御部１０
は、付着物１５の位置を検知するのと同時に、マンマシ
ーンインターフェイス部１２を通し、表示部１３に検知
したごみの位置をグラフィカルに表示する。

【００８１】前記検査したデーターにより、ごみの個
数、大きさ等の条件により、検査不合格となった場合、
マンマシーンインターフェイス部１２の情報によりその
まま確認の露光を行なうか、回収するかが決定される。

【００８２】検査合格となった場合、または確認の露光
を行なう場合は、遮光用シャッター５を開け、前記シー
ケンスの１１２に相当するステージ初期化を行ない露光
動作に入る。この時、マンマシーンインターフェイス部
１２を通して露光状態に入った事を表示する。

【００８３】

【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明したペリク
ルおよびレチクル検査装置を有する露光装置を利用した
デバイスの生産方法の実施例を説明する。図７は微小デ
バイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、
ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシーン等）の製造
のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイス
のパターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）で
は設計したパターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後
工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７）される。

【００８４】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したペリクルおよびレチ
クル検査装置を有する露光装置によってマスクの回路パ
ターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）
では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチ
ング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで
不要となったレジストを取り除く。これらのステップを
繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パ
ターンが形成される。

【００８５】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光に使用する装置スキャンステージ上でペリクル異物
付着検査を行なう事によって、ペリクル異物付着検査ス
テージ専用の場所が不要となり、装置内部のスぺース効
率を上げ、装置の小形化を行ないクリーンルーム内のス
ペース効率を上げ、トータルコストを下げる事が可能と
なり、ペリクル異物付着検査ステージ、露光用スキャン
ステージ間のレチクルの移動なく、検査を行なう事がで
き、レチクルの移動時に発生するごみ付着の問題をなく
し、また実際に使用する直前のレチクル状態を検査する
ため、ごみ等の原因による不良製品、不良素子の製造を
未然に防ぐ事が可能となる。

【００８７】加えて、検査する光源と実際に使用する光
源の波長が同一のため、レチクルの透過部分の影響がな
くなり、計測誤差、計測誤差を最小とするための数々の
補正を行なう事なくペリクル異物付着検査を行なう事が
可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１である半導体製造装置のレチ
クルスキャンステージ回りを示した図である。

【図２】レチクルスキャンステージと遮光用シャッター
の関係を示した図である。

【図３】ペリクル上の異物の付着を測定を示した図であ
る。

【図４】本実施例の動作シーケンスを示したフローチャ
ート図である。

【図５】本発明の第３実施例である半導体製造装置のレ
チクルスキャンステージ回りを示した図である。

【図６】ペリクル上の付着を測定を示した図である。

【図７】微小デバイスの製造のフローを示す。

【図８】ウエハプロセスの詳細なフローを示す。

【符号の説明】

１：レチクル搬送部、２、２ａ、２ｂ：ペリクル異物付
着検査のためのペリクル異物付着検査検出部、３：レチ
クル、４：レチクルスキャンステージ、４ａ、４ｂ：レ
チクルスキャンステージ４の駆動コイル、５：遮光シャ
ッター、６：投影レンズ、７：照明系レンズ、８：プリ
アンプ部、９：スキャンステージ４の制御部、１０：ペ
リクル異物付着検査制御部、１１：エキシマレーザーへ
ッド、１２：インターフェイス部、１３：マンマシーン
インターフェイスとしてコンソール表示部、１４：ペリ
クル、１５：付着物、１６：ペリクル枠、１７：遮光用
シャッター５の駆動用モーター、１８：遮光用シャッタ
ー５の位置確認フォトセンサー、１９：マザーボード、
２０：レーザー光、２１：イメージガイド、２２：光路
切り換え用ミラー、１０１〜１１３：ソフトのステッ
プ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スキャン方式の半導体製造装置のペリク
ルおよびレチクル異物検査装置において、ペリクルおよ
びレチクル検査の光源として露光光源を使用することを
特徴とするペリクルおよびレチクル異物検査装置。
【請求項２】スキャン方式の半導体製造装置のペリク
ルおよびレチクル検査装置において、ペリクルおよびレ
チクル検査の駆動ステージとしてレチクルステージまた
はマスクステージを使用することを特徴とするペリクル
およびレチクル異物検査装置。
【請求項３】スキャン方式の半導体製造装置のペリク
ルおよびレチクル検査装置において、半導体製造装置の
露光動作と同時にペリクルおよびレチクル異物検査を行
なうことを特徴とするペリクルおよびレチクル異物検査
装置。
【請求項４】スキャン方式の半導体製造装置のペリク
ルおよびレチクル検査装置において、半導体製造装置の
露光動作と同時にペリクルおよびレチクル異物検査を行
なった結果をもとに、エラーを表示することを特徴とす
る請求項３記載のペリクルおよびレチクル異物検査装
置。
【請求項５】スキャン方式の半導体製造装置のペリク
ルおよびレチクル検査装置において、半導体製造装置の
露光動作と同時にペリクルおよびレチクル異物検査を行
なった結果を前回測定した結果と比較してレチクル洗浄
時期を表示することを特徴とする請求項３記載のペリク
ルおよびレチクル異物検査装置。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載のペ
リクルおよびレチクル検査装置を有する露光装置を用い
てデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方
法。