JP2000304903A

JP2000304903A - 反射防止膜付き光学素子

Info

Publication number: JP2000304903A
Application number: JP11116527A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Yamada; 和広山田; Yukio Kubota; 幸雄久保田
Original assignee: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
Current assignee: Pentax Corp
Priority date: 1999-04-23
Filing date: 1999-04-23
Publication date: 2000-11-02

Abstract

(57)【要約】【課題】樹脂製基材上に優れた密着力で反射防止膜が形
成された光学素子を提供する。【解決手段】樹脂製基材２と、樹脂基材２の表面に形成
された反射防止膜４とを有する反射防止膜付き光学素子
１において、樹脂製基材２と反射防止膜４との間に気相
成膜法により形成された密着力強化層３を介在させるこ
とを特徴とする。密着力強化層３は、水素および炭素の
うち少なくとも一方を５％未満含有することが好まし
い。また、密着力強化層３は、プラズマＣＶＤ法により
形成されることが好ましく、成膜原料として有機金属化
合物を用いて形成されることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、樹脂製基材と反射
防止膜とを備える反射防止膜付き光学素子に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】プラスチックは、ガラスに比べて軽量で
加工性や耐衝撃性に優れ、また染色し易い等の種々の利
点を備え、ガラスに代わる光学素子の材料として注目さ
れている。例えば、プラスチックレンズをメガネ用レン
ズやカメラ用レンズなどの光学素子として使用する場
合、ガラスレンズと同様、反射光を抑制する必要があ
る。そのため、通常、光学素子として用いられているプ
ラスチックレンズの表面に、入射光の表面反射を抑制す
るために金属酸化物や誘電体からなる薄膜が積層されて
なる反射防止膜を設けることが行われてきた。

【０００３】ところが、このような反射防止膜はプラス
チックレンズ等の基材となる樹脂製基材との密着性に乏
しく、剥離し易いという問題があった。とくに、反射防
止膜を構成する薄膜の数が多くなる程、各薄膜の膜内応
力が相互に作用し剥離し易くなるという問題があった。
したがって、ＭｇＦ₂薄膜等からなる単層膜で構成され
た反射防止膜を設ける方法も提案されているが、それで
も樹脂製基材との十分な密着力を得ることはできず、密
着性および耐久性に優れ、かつ広域な波長領域において
高い反射防止効果を備えた反射防止膜つき光学素子を得
ることはできなかった。

【０００４】そこで、上記の問題を解消するために、ま
ず樹脂製基材表面にゾルゲル法や浸漬法等でアクリル系
シリカを含有するハードコート層を形成し、その上に真
空蒸着法等により反射防止膜を設ける方法が種々提案さ
れている。しかし、基材が複雑形状である場合、浸漬法
等の方法では形成されたハードコート層の均一性、密着
性が不十分となる傾向があり、デザインや基材の種類、
使用環境等の条件が変化しても光学的性能が低下せず、
常に高性能である反射防止膜つき光学素子を得ることは
困難であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、樹脂
製基材上に優れた密着力で反射防止膜が形成された光学
素子を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１６）の本発明により達成される。

【０００７】（１）樹脂製基材と、該樹脂基材表面に
形成された反射防止膜とを有する反射防止膜付き光学素
子において、前記樹脂製基材と前記反射防止膜との間に
気相成膜法により形成された密着力強化層を介在させる
ことを特徴とする反射防止膜付き光学素子。

【０００８】（２）前記密着力強化層は水素および炭
素のうち少なくとも一方を含有する上記（１）に記載の
反射防止膜付き光学素子。

【０００９】（３）前記密着力強化層における前記水
素および前記炭素のうち少なくとも一方の含有量は５％
未満である上記（２）に記載の反射防止膜付き光学素
子。

【００１０】（４）前記気相成膜法はプラズマＣＶＤ
法である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の反
射防止膜付き光学素子。

【００１１】（５）前記密着力強化層は金属有機化合
物を成膜原料として用いて形成される上記（１）ないし
（４）のいずれかに記載の反射防止膜付き光学素子。

【００１２】（６）前記金属有機化合物は金属アルコ
キシドである上記（５）に記載の反射防止膜付き光学素
子。

【００１３】（７）前記密着力強化層は金属酸化物を
主成分とする上記（１）ないし（６）のいずれかに記載
の反射防止膜付き光学素子。

【００１４】（８）前記密着力強化層はＳｉＯ₂を主
成分とする上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の
反射防止膜付き光学素子。

【００１５】（９）前記密着力強化層の膜厚は１〜１
０００nmである上記（１）ないし（８）のいずれかに記
載の反射防止膜付き光学素子。

【００１６】（１０）前記密着力強化層は屈折率が
１．４５〜１．５０である上記（１）ないし（９）のい
ずれかに記載の反射防止膜付き光学素子。

【００１７】（１１）前記密着力強化層は可視光領域
における吸収が１％以下である上記（１）ないし（１
０）のいずれかに記載の反射防止膜付き光学素子。

【００１８】（１２）前記樹脂製基材はアクリル系樹
脂からなる基材である上記（１）ないし（１１）のいず
れかに記載の反射防止膜付き光学素子。

【００１９】（１３）前記反射防止膜はＰＶＤ法によ
り形成される上記（１）ないし（１２）のいずれかに記
載の反射防止膜付き光学素子。

【００２０】（１４）前記反射防止膜は真空蒸着法に
より形成される上記（１）ないし（１３）のいずれかに
記載の反射防止膜付き光学素子。

【００２１】（１５）前記反射防止膜の前記密着力強
化層に最も近い層がＳｉＯ₂からなる層である上記
（１）ないし（１４）のいずれかに記載の反射防止膜付
き光学素子。

【００２２】（１６）前記反射防止膜は前記密着力強
化層に最も近い層を第１層目として膜厚２４〜４４nmの
ＳｉＯ₂からなる層と、第２層目として膜厚５〜１５nm
のＴｉＯ₂からなる層と、第３層目として膜厚２９〜４
９nmのＳｉＯ₂からなる層と、第４層目として膜厚１０
３〜１２３nmのＴｉＯ₂からなる層と、第５層目として
膜厚７５〜９５nmのＳｉＯ₂からなる層とから構成され
る上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載の反射防
止膜付き光学素子。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の反射防止膜付き光
学素子を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に
説明する。なお、説明中「膜厚」とは、物理的膜厚を意
味するものとする。図１は、本発明の反射防止膜付き光
学素子の実施形態を示す断面図である。この図に示すよ
うに、本発明の反射防止膜付き光学素子１は、樹脂製基
材２と、該樹脂基材２の表面に形成された反射防止膜４
とを有するものであって、樹脂製基材２と反射防止膜４
との間に気相成膜法により形成された密着力強化層３を
介在させることを特徴とする。これにより、樹脂製基材
２と反射防止膜４との密着力が飛躍的に向上する。

【００２４】密着力強化層３は気相成膜法により形成さ
れる。これにより、浸漬法（ディッピング）による場合
とは異なり、基材が複雑形状であっても均一で密着性に
優れた密着力強化層を形成することができる。さらに、
気相成膜法によれば、浸漬法に比べ被膜の硬化に長時間
を要することがなく、また、次の反射防止膜４の形成工
程に連続的に移行することが可能であり、製造効率の向
上を図ることができる。

【００２５】気相成膜法としては、物理的気相成長法
（ＰＶＤ法）および化学的気相成長法（ＣＶＤ法）が挙
げられる。ＰＶＤ法としては、例えば電子ビーム加熱
法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着法等の各種真空蒸着
法、プラズマ蒸着法、２極スパッタ法、直流スパッタ
法、直流マグネトロンスパッタ法、高周波スパッタ法、
マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、バ
イアススパッタ法等の各種スパッタ法、電界蒸着法、高
周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティ
ング法等の各種イオンプレーティング法等が挙げられ
る。

【００２６】ＣＶＤ法としては、常圧ＣＶＤ法、ＬＰ−
ＣＶＤ法（減圧条件下で行うＣＶＤ法）、プラズマＣＶ
Ｄ法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法（光を反応促進に用いる
ＣＶＤ法）等が挙げられるが、なかでもプラズマＣＶＤ
法が好ましい。プラズマＣＶＤ法によれば密着力強化層
の形成を迅速に行うことができ、大面積においても均一
な薄膜を堆積することができる。

【００２７】図２に、密着力強化層３の形成に用いられ
る成膜装置の一例として、プラズマＣＶＤ装置の概略構
成を示す。図に示されるプラズマＣＶＤ装置１００は、
密閉された反応室１１を有し、反応室１１には上部電極
１２および下部電極１３が互いに略平行に配置されてい
る。上部電極１２は接地し、下部電極１３は整合回路２
３を介して高周波電源２４に接続されている。

【００２８】密着力強化層３が形成される樹脂製基材２
は、下部電極１３の上に載置される。また、下部電極１
３の下には絶縁層１４を介して接地台１５が配置されて
いる。該接地台１５の周囲には、接地第３電極１６が上
部電極１２に向かって突出し、上端部が内側に張り出し
て下部電極１３の周囲を覆うように設けられている。

【００２９】上部電極１２を吊り下げる吊り下げ棒１７
にはガス通路が設けられており、上部電極１２の下面に
形成された孔から原料ガスが反応室１１内に供給され
る。また、接地台１５を支えるステム１９にはガス排出
口２０が設けられており、ポンプ２１によるガスの排気
によって、反応室１１内の圧力を調整することができる
よう構成されている。

【００３０】このようなプラズマＣＶＤ装置１００を用
いれば、下部電極１３を電気的に浮遊状態として上下電
極間にプラズマが生成されるため、下部電極側が負とな
るセルフバイアスが生じ、下部電極（カソード）近傍に
イオンシースが生成される。このイオンシースによりプ
ラズマ中で生成されたＳｉＯ₂等のイオンが加速され、
下部電極上に載置された樹脂製基材２の表面に例えばＳ
ｉＯ₂等を主成分とする密着力強化層を高速で堆積させ
ることができる。

【００３１】この堆積速度は、セルフバイアス電圧を増
大させることにより上昇させることができ、例えば５０
０nm/min程度の堆積速度を得ることができる。なお、セ
ルフバイアス電圧は下部電極１３への投入電力量により
制御可能である。また、接地第３電極１６が樹脂製基材
２よりも高い位置で周囲を囲むように設けられているた
め、下部電極１３の上部に生成されるイオンシースの外
側への膨出が抑制され該イオンシースを閉じ込めること
ができるため、余分な箇所への堆積を回避することがで
きる。したがって、中央部と周辺部との堆積速度の差が
解消され、膜厚および密着力がより均一で優れた薄膜を
形成することができる。

【００３２】本発明の密着力強化層３は、水素および炭
素のうち少なくとも一方を含有することが好ましく、そ
の含有量は５％未満であることが好ましい。水素および
炭素の含有量が５％を超えると膜質が低下し、光学機能
や膜の耐久性が損なわれるおそれがある。したがって、
含有量を５％未満とすることにより、光学機能が損なわ
れることなく樹脂製基材２と反射防止膜４との密着性を
格段に向上させることができる。なお、密着力強化層３
に含有される水素および炭素は、例えばＨ₂Ｏ、−Ｏ
Ｈ、Ｃ等の状態で存在していると考えられる。

【００３３】水素や炭素を含有する密着力強化層３は、
例えばプラズマＣＶＤ法等の気相成膜法において、有機
金属化合物を成膜原料として使用することにより形成さ
れることが好ましい。成膜原料として使用される有機金
属化合物としては、例えば金属がＳｉである場合、テト
ラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ₃）₄）、ジメチルシラン
（Ｓｉ（ＣＨ₃）₂Ｈ₂）、テトラエチルシラン（Ｓｉ
（Ｃ₂Ｈ₅）₄）等の有機金属化合物、テトラメトキシシ
ラン（Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₄）、テトラエトキシシラン（Ｓ
ｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）等の金属アルコキシド等が挙げられ
る。上記有機金属化合物のうち、発火や爆発などの危険
性が少なく、さらに腐食性、有害ガス発生等の危険回避
の点から金属アルコキシドが好適に使用される。

【００３４】本発明の密着力強化層３は、金属酸化物を
主成分とするものであることが好ましい。このような薄
膜は、化学的に安定でかつそれ自体透過率に優れてお
り、光学素子の光学的性能を損なうおそれがない。密着
力強化層３の主成分となる金属酸化物としては特に限定
されないが、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｚｒ
Ｏ₂、ＨｆＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｃｒ
₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃等が挙げられるが、なかでもＳｉＯ₂が
好ましい。ＳｉＯ₂は、化学的に安定で、さらにそれ自
体光吸収を生じることが殆どなく、光学素子の透過性を
損なうことがない。したがって、光学素子の光学性能を
損なうことなく樹脂製基材２と反射防止膜４との密着性
の向上に寄与する。

【００３５】密着力強化層３は、屈折率が１．４５〜
１．５０であるものが好ましい。屈折率が１．４５未満
あるいは１．５０を超える場合、樹脂製基材２や反射防
止膜４を構成する薄膜の屈折率との差が大きくなりす
ぎ、これらと密着力強化層との界面において干渉縞がみ
られる場合がある。このため、密着力強化層と樹脂製基
材等との間に、厚さ方向に屈折率が変化するグラジエン
ト層を設け両者間の屈折率の急激な変化を緩和すること
も考えられるが、工程数が増え、作業も煩雑であり製造
コストが増大するおそれがある。したがって、密着力強
化層３の屈折率を上記の範囲とすることにより、工程数
を増加させることなく干渉縞のない光学素子を容易に得
ることができる。

【００３６】また、密着力強化層３は可視光領域（４０
０〜７５０nm）における吸収が小さいものが好ましく、
かかる吸収は１％以下であることがより好ましい。可視
光領域における吸収が１％を超えると可視光の透過率が
低下し、光学素子としての性能を十分に発揮し得ないも
のとなるおそれがある。

【００３７】このような密着力強化層３の膜厚について
は特に限定されないが、１〜１０００nmとすることが好
ましく、３０〜７０nmがより好ましい。膜厚が１nm未満
の場合、反射防止膜４と樹脂基材２との密着力向上に寄
与し得ない場合があり、一方、１０００nmを超えると、
密着力強化層３自体が吸収を生じたり、透明性が損なわ
れる等の問題が発生するおそれがある。

【００３８】密着力強化層３に積層される反射防止膜４
は、高い反射防止性能を得るために、図１に示すように
複数の層から構成された多層膜とすることができる。図
示の実施形態の反射防止膜付き光学素子１では、密着力
強化層３に最も近い層を第１層目６として膜厚２４〜４
４nmのＳｉＯ₂からなる層と、第２層目７として膜厚５
〜１５nmのＴｉＯ₂からなる層と、第３層目８として膜
厚２９〜４９nmのＳｉＯ₂からなる層と、第４層目９と
して膜厚１０３〜１２３nmのＴｉＯ₂からなる層と、第
５層目１０として膜厚７５〜９５nmのＳｉＯ₂からなる
層とから構成されている。

【００３９】反射防止膜４をこのような層構成とするこ
とにより、とくに優れた反射防止効果を発揮し得る。さ
らに、第１層目６としてＳｉＯ₂からなる層を設けるこ
とにより、例えばＳｉＯ₂を主成分とする密着力強化層
３に対する親和性、密着性が向上し、反射防止膜付き光
学素子１全体としての耐久性、耐候性を向上させること
ができる。

【００４０】反射防止膜４を構成する薄膜の形成は、い
かなる方法によるものであってもよいが、例えばＰＶＤ
法によることが好ましく、なかでも真空蒸着法によるこ
とがより好ましい。真空蒸着法によれば、多層薄膜を精
度よく形成することができる。さらに、電子ビーム蒸着
法やイオンアシスト蒸着法によれば、各層間の密着力の
向上を図ることができる。また、各層の膜厚や屈折率を
優れた再現性をもって制御可能であるため、良好な反射
防止性能を発揮し得る反射防止膜付き光学素子を得るこ
とができる。

【００４１】本発明の反射防止膜付き光学素子１におい
て、樹脂製基材２としては、透明度が高く、硬質であっ
て光学用途に好適に使用され得るものであれば特に限定
されるものではなく、例えば、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂など
が挙げられるが、なかでもアクリル系樹脂が好ましい。
アクリル系樹脂はとくに透明性、耐光性に優れ、また屈
折率の温度変化が小さくメガネ用レンズ、カメラ用レン
ズ等の光学部材の素材として広く好適に用いられてい
る。さらに、熱変形温度が高く、薄膜形成の際の高温条
件等にも良好に耐えることができる。

【００４２】以上、本発明の反射防止膜付き光学素子を
図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれら
に限定されるものではなく、例えば、必要に応じて反射
防止膜の上にさらにフッ素系化合物等からなる撥水性の
薄膜を形成したものであってもよい。

【００４３】

【実施例】次に、本発明の具体的実施例について説明す
る。１．反射防止膜付き光学素子の作製（実施例）まず、図２に示すプラズマＣＶＤ装置１００
を用いて、アクリル系樹脂製基材２（ＰＭＭＡ製ファイ
ンダーレンズ）表面に、ＳｉＯ₂を主成分とする密着力
強化層（膜厚５０nm）を形成した。成膜原料としてＴＥ
ＯＳ（テトラエトキシシラン）を用い、雰囲気ガス（Ｔ
ＥＯＳ／Ｏ₂＝１／２０（体積比））を反応室１１に導
入しながら、下部電極１３に高周波電力（５００Ｗ）を
投入し、圧力３９．９Paの条件下で密着力強化層を形成
した。次に、密着力強化層３の上に通常の真空蒸着法に
より、表１に示す層構成の反射防止膜４を設け、図１に
示すような反射防止膜付き光学素子１を作製した。

【００４４】

【表１】表１

【００４５】２．反射防止膜付き光学素子の評価実施例で作製された反射防止膜付き光学素子において、
反射防止膜の密着性、密着強度、耐候性および反射特性
について評価した。

【００４６】密着性ＪＩＳＤ−０２０２に準じ、反射防止膜付き光学素子
の膜面に１mm間隔のクロスカットで１００個のマス目を
設け粘着テープによる剥離試験を行い、樹脂製基材上に
残存する反射防止膜の膜片の数を測定した。評価方法
は、残存膜片が１００個である場合を「○」、９９〜９
０個である場合を「△」、９０個未満以下である場合を
「×」とした。評価結果を表２に示す。

【００４７】

【表２】表２

【００４８】密着強度反射防止膜の膜面に接触面積がφ３mmの治具をエポキシ
系接着剤で貼り付けた後、かかる治具を引っ張り、反射
防止膜が剥がれたときの荷重を測定した。なお、表中の
値は、測定値を単位面積あたりの荷重に換算した値であ
る。結果を表２に示す。

【００４９】耐候性反射防止膜付き光学素子を６０℃、相対湿度９０％ＲＨ
の耐久条件下に４８時間放置した後、反射防止膜の浮
き、剥がれ等の異常の有無を目視により観察した。評価
方法は、上記耐久条件に投入後、反射防止膜の浮き、剥
がれ等の異常が認められなかった場合を○、何らかの異
常が認められた場合を×とした。さらに、耐久条件投入
後の反射防止膜付き光学素子について上記と同様にし
て密着性の評価を行った。これらの評価結果を表２に示
す。

【００５０】３．密着力強化層の元素分析実施例で形成された密着力強化層に含まれる元素をＦＴ
−ＩＲ（Fourier transform infrared spectroscopy）
およびＳＩＭＳ(secondary ion mass spectroscopy)に
より分析した。分析結果を表３に示す。

【００５１】

【表３】表３

【００５２】この結果から、密着力強化層には微量のＨ
およびＣが含まれており、それらの含有量は合計で５％
未満であることがわかった。

【００５３】４．反射特性評価実施例で得られた反射防止膜付き光学素子の反射光の分
光特性について評価を行った。実施例の反射防止膜付き
光学素子の２５℃における分光反射率曲線を図３に示
す。なお、分光反射率の測定は入射角５°で行った。さ
らに、実施例と同条件で、密着力強化層のみが形成され
たアクリル樹脂製基材について、同様にして分光反射率
測定を行なったところ、可視光領域において密着力強化
層による吸収が１％以下であることがわかった。これら
の結果から、反射防止膜付き光学素子は可視光領域にお
いて反射率が０．５％以下であり、良好な反射防止性能
を備えることがわかった。また、密着力強化層は可視光
をほとんど吸収せず、反射防止性能をまったく阻害しな
いことがわかった。

【００５４】以上のことから、実施例の反射防止膜付き
光学素子の反射防止膜は、密着性に優れたものであるこ
とがわかった。さらに、高温、高湿の環境下でも優れた
密着性を維持し、耐候性にも優れていることがわかっ
た。また、密着力強化層の介在による反射防止性能の低
下も全くみられず、優れた光学特性を備えるものであっ
た。

【００５５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の反射防止膜
付き光学素子は、反射防止膜の密着性、耐候性に優れ、
さらに良好な反射防止性能を発揮する。また、樹脂製基
材の屈折率と密着力強化層の屈折率との差異を小さくす
ることができるため、かかる屈折率の差に起因する干渉
縞の発生を防止することができる。したがって、本発明
の反射防止膜付き光学素子は、ファインダー用レンズ等
のカメラ用レンズ、眼鏡用レンズをはじめ各種光学素子
として好適に用いることができ、極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の反射防止膜付き光学素子の実施形態を
示す断面図である。

【図２】密着力強化層の形成に用いられるプラズマＣＶ
Ｄ装置の一例を示す概略構成図である。

【図３】図１に示す反射防止膜付き光学素子の分光反射
率曲線を示す図である。

【符号の説明】

１反射防止膜付き光学素子２プラスチック基材３密着力強化層４反射防止膜６第１層（ＳｉＯ₂膜）７第２層（ＴｉＯ₂膜）８第３層（ＳｉＯ₂膜）９第４層（ＳｉＯ₂膜）１０第５層（ＴｉＯ₂膜）１００プラズマＣＶＤ装置１１反応室１２上部電極１３下部電極１４絶縁層１５接地台１６接地第３電極１７吊り下げ棒１９ステム２０ガス排出口２１ポンプ２３整合回路２４高周波電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２３Ｃ 16/40 Ｃ２３Ｃ 16/40 Ｆターム(参考） 2K009 AA08 BB11 BB14 CC02 CC03 DD03 DD04 4F100 AA17B AA20B AA20C AA20E AA21D AA21E AH06 AK01A AK25A AT00A BA05 BA07 BA08 BA08E BA10A BA10C BA10E EH66B EH66C EH66D EH66E EJ58 EJ64 GB90 JL11 JL11B JN01B JN06 JN06C JN18B YY00B YY00C YY00D YY00E 4K029 AA11 BA46 BA48 BB02 BC08 BD00 CA01 EA01 FA07 4K030 AA06 AA09 AA11 AA14 BA24 BA27 BA42 BA44 CA07 FA01 FA03 HA03 JA01 LA01 LA24

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂製基材と、該樹脂基材表面に形成さ
れた反射防止膜とを有する反射防止膜付き光学素子にお
いて、前記樹脂製基材と前記反射防止膜との間に気相成膜法に
より形成された密着力強化層を介在させることを特徴と
する反射防止膜付き光学素子。
【請求項２】前記密着力強化層は水素および炭素のう
ち少なくとも一方を含有する請求項１に記載の反射防止
膜付き光学素子。
【請求項３】前記密着力強化層における前記水素およ
び前記炭素のうち少なくとも一方の含有量は５％未満で
ある請求項２に記載の反射防止膜付き光学素子。
【請求項４】前記気相成膜法はプラズマＣＶＤ法であ
る請求項１ないし３のいずれかに記載の反射防止膜付き
光学素子。
【請求項５】前記密着力強化層は金属有機化合物を成
膜原料として用いて形成される請求項１ないし４のいず
れかに記載の反射防止膜付き光学素子。
【請求項６】前記金属有機化合物は金属アルコキシド
である請求項５に記載の反射防止膜付き光学素子。
【請求項７】前記密着力強化層は金属酸化物を主成分
とする請求項１ないし６のいずれかに記載の反射防止膜
付き光学素子。
【請求項８】前記密着力強化層はＳｉＯ₂を主成分と
する請求項１ないし７のいずれかに記載の反射防止膜付
き光学素子。
【請求項９】前記密着力強化層の膜厚は１〜１０００
nmである請求項１ないし８のいずれかに記載の反射防止
膜付き光学素子。
【請求項１０】前記密着力強化層は屈折率が１．４５
〜１．５０である請求項１ないし９のいずれかに記載の
反射防止膜付き光学素子。
【請求項１１】前記密着力強化層は可視光領域におけ
る吸収が１％以下である請求項１ないし１０のいずれか
に記載の反射防止膜付き光学素子。
【請求項１２】前記樹脂製基材はアクリル系樹脂から
なる基材である請求項１ないし１１のいずれかに記載の
反射防止膜付き光学素子。
【請求項１３】前記反射防止膜はＰＶＤ法により形成
される請求項１ないし１２のいずれかに記載の反射防止
膜付き光学素子。
【請求項１４】前記反射防止膜は真空蒸着法により形
成される請求項１ないし１３のいずれかに記載の反射防
止膜付き光学素子。
【請求項１５】前記反射防止膜の前記密着力強化層に
最も近い層がＳｉＯ ₂からなる層である請求項１ないし
１４のいずれかに記載の反射防止膜付き光学素子。
【請求項１６】前記反射防止膜は前記密着力強化層に
最も近い層を第１層目として膜厚２４〜４４nmのＳｉＯ
₂からなる層と、第２層目として膜厚５〜１５nmのＴｉＯ₂からなる層
と、第３層目として膜厚２９〜４９nmのＳｉＯ₂からなる層
と、第４層目として膜厚１０３〜１２３nmのＴｉＯ₂からな
る層と、第５層目として膜厚７５〜９５nmのＳｉＯ₂からなる層
とから構成される請求項１ないし１５のいずれかに記載
の反射防止膜付き光学素子。