JP2000299553A

JP2000299553A - 電子回路基板製造方法

Info

Publication number: JP2000299553A
Application number: JP11105286A
Authority: JP
Inventors: Shingen Kinoshita; 真言木下
Original assignee: Ricoh Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Ricoh Microelectronics Co Ltd
Priority date: 1999-04-13
Filing date: 1999-04-13
Publication date: 2000-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上の電子回路部品に与えるヒートショッ
ク回数を低減しながら、ＣＯＢとＳＭＤとを同一基板上
に混在実装することができる電子回路基板製造方法を提
供する。【解決手段】まず、ＣＯＢ工法の固定剤塗布工程（ｐ
１）とチップマウント工程（ｐ２）とを実施する。次い
で、ＳＭＴの半田印刷工程（ｐ３）とＳＭＤマウント工
程（ｐ４）とを実施した後、ＣＯＢ工法とＳＭＴとの共
通の工程であるリフロー&剤硬化工程（ｐ５）を実施す
る。このリフロー&剤硬化工程は、ＣＯＢ工法の固定剤
加熱硬化工程とＳＭＴのリフロー工程とを加熱により同
時に実施するものである。このように、加熱を必要とす
る固定剤加熱硬化工程とリフロー工程とを同時に実施す
ることにより、基板１上のＱＦＰ３やＩＣチップ４ａ等
の電子回路部品に対する加熱回数を低減することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板等の
電子回路基板を製造する電子回路基板製造方法に係り、
詳しくは、固定剤供給工程、部品マウント工程、固定剤
硬化工程、電線接合工程、封止工程、及び封止剤硬化工
程を実施する電子回路部品実装技術と、印刷工程、部品
マウント工程及び印刷剤溶融工程を実施する電子回路部
品実装技術とを同一基板に施す電子回路基板製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の電子回路基板製造方法と
しては、電子回路部品実装技術としてのＣＯＢ（Ｃｈｉ
ｐＯｎＢｏａｒｄ）工法とＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ
ＭｏｕｎｔｅｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）とを同一基
板に施すものが知られている。

【０００３】図１６はＣＯＢ工法とＳＭＴとにより複数
の電子回路部品が実装された電子回路基板を示す断面図
である。図１６において、基板１上には、ＩＣチップ３
ａとリード３ｂとを有するＳＯＰ３、ＩＣチップ４ａと
複数のワイヤ４ｂと封止枠４ｃと封止剤４ｄとを有する
ＣＯＢ４、及び、ベアチップ６、が実装されている。

【０００４】ＣＯＢ４は、ＣＯＢ工法により基板１上に
実装されたものである。具体的には、まず、固定剤供給
工程で基板１上に固定剤５が塗布される。そして、部品
マウント工程でＣＯＢ用のＩＣチップ４ａが固定剤５上
にマウントされた後、固定剤硬化工程で固定剤５が硬化
して基板１上にＩＣチップ４ａを固定する。次いで、電
線接合工程としてのボンディング工程において、このＩ
Ｃチップ４ａがＡｌやＡｕ等からなる電線としてのワイ
ヤ４ｂで基板１上の配線パターンとボンディングされ
る。そして、封止工程で、封止枠４ｃ内に封止剤４ｄが
注入されてＩＣチップ４ａとワイヤ４ｂとが封止された
後、封止材硬化工程でこの封止材４ｄが硬化して最終的
にＣＯＢ４が基板１上に実装される。即ち、ＣＯＢ工法
においては、固定剤供給工程、部品マウント工程、固定
剤硬化工程、電線接合工程、封止工程、及び封止剤硬化
工程が実施される。なお、封止枠４ｃは硬化前の封止剤
４ｄのダレを防止するためものである。また、固定剤５
としては一般に熱硬化性物質が用いられ、固定剤５の加
熱硬化によりチップ４ａの固定時間の短縮化が図られ
る。

【０００５】ＳＯＰ３及びベアチップ６は、ＳＭＴによ
り基板１上に実装されたものである。具体的には、これ
らは、まず、印刷工程で導電性物質としてのクリーム半
田２が基板１表面に印刷され、部品マウント工程でＳＯ
Ｐ３又はベアチップ６がこのクリーム半田２上にマウン
トされる。そして、これらは印刷剤溶融工程としてのリ
フロー工程で基板１とともに加熱を伴うリフロー処理が
施されて、溶融・固着したクリーム半田２を介して基板
１上に実装される。即ち、ＳＭＴにおいては、印刷工
程、部品マウント工程及び印刷剤溶融工程が実施され
る。このようなＳＭＴにより基板に表面実装される電子
回路部品、即ち、ＳＭＤ(ＳｕｒｆａｃｅＭｏｕｎｔｅ
ｄＤｅｖｉｃｅ)としては、ＱＦＰ(ＱｕａｄＦｌａ
ｔＰａｃｋａｇｅ)、ＳＯＰ（ＳｍａｌｌＯｕｔｌ
ｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ
ＬｅａｄｅｄＣｈｉｐＣａｒｒｉｅｒ）、ＱＦＪ
（ＱｕａｄＦｌａｔＪ−ｌｅａｄｐａｃｋａｇ
ｅ）等のモールドＩＣや、チップコンデンサ、チップ抵
抗等のベアチップや、トランジスタ等のモールド部品な
どがある。

【０００６】以上のように、ＣＯＢ工法とＳＭＴとによ
り同一基板上にＣＯＢとＳＭＤとを混在させる実装方法
（以下、Ｃ／Ｓ混在実装法という）においては、ＳＭＴ
のリフロー工程における半田用フラックスの飛散を考慮
して、通常、ＣＯＢ工法をＳＭＴより先に実施する。

【０００７】図１７は従来のＣ／Ｓ混在実装法における
各処理工程を示す工程図である。図示のように、従来の
Ｃ／Ｓ混在実装法では、まず、ＣＯＢ工法が実施され
る。具体的には、固定剤供給工程としての固定剤塗布工
程（ｐ１）で基板１上にチップ固定用の固定剤が塗布さ
れた後、部品マウント工程としてのＣＯＢ用チップマウ
ント工程（ｐ２：なお、以下、単にチップマウント工程
という、）で該固定剤上にＩＣチップがマウントされ
る。そして、固定剤硬化工程としての加熱硬化工程（ｐ
３）で固定剤が硬化してＩＣチップが基板上に固定され
る。このように固定されたＩＣチップは、電線接合工程
としてのボンディング工程（ｐ４）でワイヤボンディン
グされた後、封止工程（ｐ５）においてワイヤとともに
封止剤で封止される。この封止剤は、封止剤硬化工程と
しての加熱硬化工程（ｐ６）で加熱されて硬化すること
により、基板上のＩＣチップ及びワイヤを確実に保護す
る。

【０００８】このようにしてＣＯＢ工法が完了すると、
次に、ＳＭＴが実施される。具体的には、印刷工程とし
ての半田印刷工程で基板上にクリーム半田が印刷され、
部品マウント工程としてのＳＭＤマウント工程で該クリ
ーム半田上にＳＭＤがマウントされる。このようにマウ
ントされたＳＭＤは、印刷剤溶融工程としての加熱（リ
フロー）工程で溶融・固着したクリーム半田２を介して
基板１上に実装される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＣ／
Ｓ混在実装法においては、図１７に示したように、基板
上のチップに対して加熱によるヒートショックを繰り返
し与えることになり、該チップを破壊し易いという問題
があった。

【００１０】本発明は、以上の問題に鑑みなされたもの
であり、その目的とするところは、基板上の電子回路部
品に与えるヒートショック回数を低減しながら、ＣＯＢ
とＳＭＤとを同一基板上に混在実装することができる電
子回路基板製造方法を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、基板上に固定剤を供給する固定
剤供給工程と、該固定剤上に電子回路部品をマウントす
る部品マウント工程と、該固定剤を加熱により硬化させ
る固定剤硬化工程としての加熱硬化工程と、該電子回路
部品を該基板に電線接合させる電線接合工程と、該電子
回路部品を封止剤で封止する封止工程と、該封止剤を硬
化させる封止剤硬化工程とを実施する電子回路部品実装
技術、及び、基板上に導電性物質を印刷する印刷工程
と、該導電性物質上に電子回路部品をマウントする部品
マウント工程と、該導電性物質を加熱により溶融させる
溶融工程とを実施する電子回路部品実装技術、を同一基
板に施す電子回路基板製造方法において、該加熱硬化工
程と該溶融工程とを加熱により同時に実施することを特
徴とするものである。

【００１２】この電子回路基板製造方法においては、固
定剤供給工程と、部品マウント工程と、固定剤硬化工程
である加熱硬化工程と、電線接合工程と、封止工程と、
封止剤硬化工程とを実施して基板上にＣＯＢを実装する
ことができる。また、印刷工程と、部品マウント工程
と、溶融工程とを実施してこの基板上にＳＭＤを実装す
ることができる。更に、これらの工程において、基板上
の電子回路部品への加熱を要する上記加熱硬化工程と上
記溶融工程とを同時に実施して、該電子回路部品の加熱
回数を低減することができる。従って、基板上の電子回
路部品の加熱回数を低減しながら、該基板上にＣＯＢと
ＳＭＤとを混在実装することができる。

【００１３】請求項２の発明は、基板上に固定剤を供給
する固定剤供給工程と、該固定剤上に電子回路部品をマ
ウントする部品マウント工程と、該固定剤を硬化させる
固定剤硬化工程と、該電子回路部品を該基板に電線接合
させる電線接合工程と、該電子回路部品を封止剤で封止
する封止工程と、該封止剤を加熱により硬化させる封止
剤硬化工程としての加熱硬化工程とを実施する電子回路
部品実装技術、及び、基板上に導電性物質を印刷する印
刷工程と、該導電性物質上に電子回路部品をマウントす
る部品マウント工程と、該導電性物質を加熱により溶融
させる溶融工程とを実施する電子回路部品実装技術、を
同一基板に施す電子回路基板製造方法において、該加熱
硬化工程と該溶融工程とを同時に実施することを特徴と
するものである。

【００１４】この電子回路基板製造方法においては、固
定剤供給工程と、部品マウント工程と、固定剤硬化工程
と、電線接合工程と、封止工程と、封止剤硬化工程であ
る加熱硬化工程とを実施して基板上にＣＯＢを実装する
ことができる。また、印刷工程と、部品マウント工程
と、溶融工程とを実施してこの基板上にＳＭＤを実装す
ることができる。更に、これらの工程において、基板上
の電子回路部品への加熱を要する封止剤硬化工程として
の加熱硬化工程と上記溶融工程とを同時に実施して、該
電子回路部品の加熱回数を低減することができる。従っ
て、基板上の電子回路部品の加熱回数を低減しながら、
該基板上にＣＯＢとＳＭＤとを混在実装することができ
る。

【００１５】請求項３の発明は、基板上に固定剤を供給
する固定剤供給工程と、該固定剤上に電子回路部品をマ
ウントする部品マウント工程と、該固定剤を硬化させる
固定剤硬化工程と、該電子回路部品を該基板に電線接合
させる電線接合工程と、該電子回路部品を封止剤で封止
する封止工程と、該封止剤を硬化させる封止剤硬化工程
とを実施する電子回路部品実装技術、及び、基板上に導
電性物質を印刷する印刷工程と、該導電性物質上に電子
回路部品をマウントする部品マウント工程と、該導電性
物質を加熱により溶融させる溶融工程とを実施する電子
回路部品実装技術、を同一基板に施す電子回路基板製造
方法において、該固定剤として、主剤と硬化助剤との混
合により硬化する剤、空気との接触で化学的もしくは物
理的に変化して硬化する剤、あるいは、光硬化性樹脂、
を用いることを特徴とするものである。

【００１６】この電子回路基板製造方法においては、固
定剤供給工程と、部品マウント工程と、固定剤硬化工程
と、電線接合工程と、封止工程と、封止剤硬化工程とを
実施し、且つ、印刷工程と、部品マウント工程と、溶融
工程とを実施することにより、同一基板上にＣＯＢとＳ
ＭＤとを混在実装することができる。また、固定剤とし
て、主剤と硬化助剤との混合により硬化する剤、空気と
の接触で化学的もしくは物理的に変化して硬化する剤、
あるいは、光硬化性樹脂、を用いることで、固定剤硬化
工程で基板上の電子回路部品を加熱することなく該固定
剤を硬化させることができる。従って、ＣＯＢとＳＭＤ
とを同一基板上に混在実装し、且つ、固定剤硬化工程で
基板上の電子回路部品を加熱しないで固定剤を硬化させ
ることができる。

【００１７】請求項４の発明は、基板上に固定剤を供給
する固定剤供給工程と、該固定剤上に電子回路部品をマ
ウントする部品マウント工程と、該固定剤を硬化させる
固定剤硬化工程と、該電子回路部品を該基板に電線接合
させる電線接合工程と、該電子回路部品を封止剤で封止
する封止工程と、該封止剤を硬化させる封止剤硬化工程
とを実施する電子回路部品実装技術、及び、基板上に導
電性物質を印刷する印刷工程と、該導電性物質上に電子
回路部品をマウントする部品マウント工程と、該導電性
物質を加熱により溶融させる溶融工程とを実施する電子
回路部品実装技術、を同一基板に施す電子回路基板製造
方法において、該封止剤として、主剤と硬化助剤との混
合により硬化する剤、空気との接触で化学的もしくは物
理的に変化して硬化する剤、あるいは、光硬化性樹脂、
を用いることを特徴とするものである。

【００１８】この電子回路基板製造方法においては、請
求項３の電子回路基板製造方法と同様の工程を実施し
て、同一基板上にＣＯＢとＳＭＤとを混在実装すること
ができる。また、封止剤として、主剤と硬化助剤との混
合により硬化する剤、空気との接触で化学的もしくは物
理的に変化して硬化する剤、あるいは、光硬化性樹脂、
を用いることで、封止剤硬化工程で基板上の電子回路部
品を加熱することなく該封止剤を硬化させることができ
る。従って、ＣＯＢとＳＭＤとを同一基板上に混在実装
し、且つ、封止剤硬化工程で基板上の電子回路部品を加
熱しないで封止剤を硬化させることができる。

【００１９】請求項５の発明は、基板上に固定剤を供給
する固定剤供給工程と、該固定剤上に電子回路部品をマ
ウントする部品マウント工程と、該固定剤を硬化させる
固定剤硬化工程と、該電子回路部品を該基板に電線接合
させる電線接合工程と、該電子回路部品を封止剤で封止
する封止工程と、該封止剤を硬化させる封止剤硬化工程
とを実施する電子回路部品実装技術、及び、基板上に導
電性物質を印刷する印刷工程と、該導電性物質上に電子
回路部品をマウントする部品マウント工程と、該導電性
物質を加熱により溶融させる溶融工程とを実施する電子
回路部品実装技術、を同一基板に施す電子回路基板製造
方法において、該固定剤として熱可塑性物質を用い、こ
れを加熱により軟化させる加熱軟化工程を実施してか
ら、軟化させた該熱可塑性物質上に該電子回路部品をマ
ウントするマウント工程を実施することを特徴とするも
のである。

【００２０】この電子回路基板製造方法においては、固
定剤供給工程と、加熱軟化工程と、部品マウント工程
と、固定剤硬化工程と、電線接合工程と、封止工程と、
封止剤硬化工程とを実施して、基板上にＣＯＢを実装す
ることができる。また、印刷工程と、部品マウント工程
と、溶融工程とを実施してこの基板上にＳＭＤを実装す
ることができる。更に、これらの工程において、加熱に
より軟化させた熱可塑性の固定剤上にＣＯＢ用の電子回
路部品をマウントすることで、該電子回路部品を加熱し
ないで基板上に固定することができる。従って、基板上
の電子回路部品の加熱回数を低減しながら、該基板上に
ＣＯＢとＳＭＤとを混在実装することができる。

【００２１】請求項６の発明は、請求項５の電子回路基
板製造方法において、上記加熱軟化工程と溶融工程とを
加熱により同時に実施することを特徴とするものであ
る。

【００２２】この電子回路製造方法においては、加熱軟
化工程と加熱溶融工程とを同時に実施することで、基板
上の電子回路部品の加熱回数をより低減することができ
る。

【００２３】請求項７の発明は、上記封止材硬化工程で
上記封止材を加熱により硬化させる請求項５の電子回路
基板製造方法において、上記加熱軟化工程と該封止材硬
化工程とを加熱により同時に実施することを特徴とする
ものである。

【００２４】この電子回路製造方法においては、加熱軟
化工程と封止材硬化工程とを加熱により同時に実施する
ことで、基板上の電子回路部品の加熱回数をより低減す
ることができる。

【００２５】請求項８の発明は、請求項１、２、３、
４、５、６又は７の電子回路基板製造方法において、上
記溶融工程に先立って上記電線接合工程を実施すること
を特徴とするものである。

【００２６】この電子回路基板製造方法においては、導
電性物質にフラックスを含有させて用いても、溶融工程
における該導電性物質の加熱・溶融によって該フラック
スを基板上で飛散させる前に、該基板と電子回路部品と
を電線接合する。

【００２７】請求項９の発明は、請求項１、２、３、
４、５、６、７又は８の電子回路基板製造方法におい
て、上記溶融工程に先立って上記封止工程を実施するこ
とを特徴とするものである。

【００２８】この電子回路基板製造方法においては、溶
融工程における加熱・溶融によって導電性物質を基板上
で飛散させる前に、該基板と電線接合した電子回路部品
を封止剤で封止する。

【００２９】請求項１０の発明は、上記電線接合工程に
先立って上記印刷工程を実施する請求項１、２、３、
４、５、６、７、８又は９の電子回路基板製造方法にお
いて、上記基板の導電性物質印刷面を下方に向けた状態
で該電線接合工程を実施することを特徴とするものであ
る。

【００３０】この電子回路基板製造方法においては、基
板上での導電性物質のダレについて、基板面方向におけ
るダレ量を低減するとともに、基板面と直交する方向に
おけるダレ量を増加させる。例えば、電線接合工程で
は、一般に超音波等により基板に振動を加えるので、基
板上に印刷した導電性物質を該振動でダレさせて基板面
に拡散させてしまう。そして、この拡散により、基板上
における導電性物質の厚みを不足させて電子回路部品の
導通不良を生じたり、電子回路部品を本来絶縁状態であ
るべき導線と短絡させて絶縁不良にしたりするという問
題が生じ易い。そこで、この電子回路基板製造方法にお
いては、基板の導電性物質印刷面を下方に向けた状態で
電線接合工程を実施して、導電性物質に対して重力を該
基板とは反対方向に作用させる。このように重力を作用
させることにより、電線接合工程で導電性物質を基板と
反対方向にダレさせて、基板面方向におけるダレ量を低
減するとともに、基板面と直交する方向におけるダレ量
を増加させることができる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明をＣ／Ｓ混在実装法
による電子回路基板製造方法（以下、基板製造方法とい
う）に適用した一実施形態について説明する。

【００３２】まず、本基板製造方法におけるＣＯＢ工法
の各処理工程について説明する。本基板製造方法に用い
る基板１には、断面図である図１に示すような配線パタ
ーン１０が公知の技術によって予め形成されている。

【００３３】図２はこのＣＯＢ工法の処理工程を説明す
る断面図であり、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、
固定剤供給工程としての固定剤塗布工程、部品マウント
工程としてのＣＯＢ用チップマウント工程（以下、単に
チップマウント工程という）、電線接合工程としてのボ
ンディング工程、封止工程、をそれぞれ示すものであ
る。

【００３４】基板１上のＣＯＢ用チップマウント領域に
は、固定剤塗布工程で固定剤５が塗布される（ａ）。こ
の固定剤５上にはチップマウント工程で電子回路部品と
してのＩＣチップ４ａがマウントされ（ｂ）、固定剤５
は固定剤硬化工程（図示せず）で所定の処理が施されて
硬化してＩＣチップ４ａを基板１上に固定する。基板上
の配線パターン１０と基板１上に固定されたＩＣチップ
４ａとは、ボンディング工程においてＡｌやＡｕ等から
なる電線としてのワイヤ４ｂでボンディングされて電気
的に導通状態となる（ｃ）。このようにボンディングさ
れたＩＣチップ４ａとワイヤ４ｂとは、基板１上にマウ
ントされた封止枠４ｃに内包された後、封止枠４ｃへの
封止剤の注入により封止される（ｄ）。封止剤４ｄは封
止剤硬化工程（図示せず）で所定の処理が施されて硬化
することにより、基板１上のＩＣチップ４ａ及びワイヤ
４ｂを確実に保護するようになる。

【００３５】本基板製造方法においては、以上のような
処理工程を経るＣＯＢ工法を用いることにより、基板１
上にはＣＯＢ４を実装する。

【００３６】次に、本基板製造方法におけるＳＭＴの各
処理工程について説明する。図３はこのＳＭＴの処理工
程を説明する断面図であり、（ａ）から（ｃ）は印刷工
程を、（ｄ）は部品マウント工程としてのＳＭＤマウン
ト工程を、それぞれ示すものである。

【００３７】図３において、配線パターン１０が形成さ
れた基板１は、印刷パターン用の孔７ａが複数形成され
た印刷用マスク７と重ね合わされた後（ａ）、この印刷
マスク７上でスキージ８により導電性ペーストとしての
クリーム半田２が刷り付け印刷される（（ｂ）及び
（ｃ））。このように印刷されたクリーム半田２上に
は、電子回路部品であり且つＳＭＤであるＳＯＰ３がマ
ウントされる（ｄ）。このＳＯＰ３は、電子回路部品と
してのＩＣチップ３ａとリード３ｂとを有する。基板１
上の印刷パターン１０及びこのリード３ｂには、リフロ
ー工程（図示せず）でのクリーム半田２の溶融・固化に
より、それぞれ該クリーム半田２が固着する。そして、
この固着により、印刷パターン１０とリード３ｂとが完
全に導通状態となるとともに、ＳＯＰ３が基板１上に固
定される。なお、ＳＭＴの印刷工程に先立ち、ＣＯＢ形
成用のＩＣチップ４ａが基板１上にマウントされている
場合には、図４に示すような凸部７ｂを有するエンボス
マスク７が該印刷工程に用いられる。

【００３８】本基板製造方法においては、以上のような
処理工程を経るＳＭＴを用いることにより、基板１上に
ＳＭＤを実装する。

【００３９】以上、本実施形態の基板製造方法によれ
ば、ＣＯＢ工法とＳＭＴとを用いているので、基板１上
にＣＯＢ４とＳＭＤであるＳＯＰ３とを混在実装するこ
とができる。

【００４０】［実施例１］次に、本発明を適用した実施
例１の基板製造方法について説明する。本基板製造方法
においては、従来のＳ／Ｍ混在実装法と同様に、固定剤
及び封止剤として熱硬化性物質を用いる。

【００４１】図５は本基板製造方法における各処理工程
を示す工程図である。図示のように、本基板製造方法に
おいては、まず、ＣＯＢ工法の固定剤塗布工程（ｐ１）
とチップマウント工程（ｐ２）とを実施する。次いで、
ＳＭＴの半田印刷工程（ｐ３）とＳＭＤマウント工程
（ｐ４）とを実施した後、ＣＯＢ工法とＳＭＴとの共通
の工程であるリフロー&剤硬化工程（ｐ５）を実施す
る。このリフロー&剤硬化工程は、ＣＯＢ工法の固定剤
加熱硬化工程とＳＭＴのリフロー工程とを加熱により同
時に実施ものである。上述のように、本基板製造方法で
は固定剤として熱硬化性物質を用いているが、このよう
に、加熱を必要とする固定剤加熱硬化工程とリフロー工
程とを同時に実施することにより、基板１上のＳＯＰ３
やＩＣチップ４ａ等の電子回路部品に対する加熱回数を
低減することができる。

【００４２】なお、リフロー&剤硬化工程を実施した後
には、ＣＯＢ工法のボンディング工程（ｐ６）、封止工
程（ｐ７）及び加熱硬化工程（封止剤加熱硬化工程、ｐ
８）を実施して、ＳＯＰ３とＣＯＢ４とを基板１上に混
在実装する。

【００４３】また、本基板製造方法の半田印刷工程にお
いては、既に基板１上にＣＯＢ用のＩＣチップ４ａをマ
ウントして突起を形成しているので、従来のＣ／Ｓ混載
実装法と同様にエンボスマスクを用いる。

【００４４】以上、本実施例１の基板製造方法によれ
ば、基板１上のＳＯＰ３やＩＣチップ４ａに対する加熱
回数を低減するので、これら電子回路部品に与えるヒー
トショック回数を低減することができる。また、従来で
は個別に実施されていたＣＯＢ工法の固定剤加熱硬化工
程とＳＭＴのリフロー工程とを同時に実施するので、処
理工程数を低減して作業性を向上させることができる。

【００４５】［実施例２］次に、本発明を適用した実施
例２の基板製造方法について説明する。本基板製造方法
においては、従来のＳ／Ｍ混在実装法とは異なり、固定
剤として、例えば、主剤と硬化助剤との混合により硬化
するものや、空気との接触により十分な部品固定性能を
発揮し得る程度に硬化するもの、など非加熱硬化性のも
のを用いる。主剤と硬化助剤との混合により硬化するも
のとしては、エポキシ系接着剤等などがある。なお、固
定剤として、エラストマ型紫外線硬化性樹脂など、光硬
化性物質を用いる場合には、基板を透明な材質で構成す
ることが望ましい。このように構成することで、基板の
裏側から固定剤に光照射して、該固定剤を硬化させるこ
とができる。

【００４６】図６は本基板製造方法における各処理工程
を示す工程図である。図示のように、本基板製造方法に
おいては、まず、ＣＯＢ工法の固定剤塗布工程である非
加熱硬化性固定剤塗布工程（ｐ１）と、チップマウント
工程（ｐ２）とを実施する。そして、基板１上に塗布し
た非加熱硬化性固定剤を、ＣＯＢ工法の固定剤硬化工程
である自然硬化工程（ｐ３）において自然硬化させる。
本基板製造方法においては、固定剤として非加熱硬化性
硬化剤を用いているので、固定剤硬化工程で固定剤を加
熱することなく自然硬化させることができる。

【００４７】自然硬化工程の次には、ＳＭＴの半田印刷
工程（ｐ４）とＳＭＤマウント工程（ｐ５）とを実施し
た後、ＣＯＢ工法のボンディング工程（ｐ６）と封止工
程（ｐ７）とを実施する。そして最後に、ＣＯＢ工法と
ＳＭＴとの共通の工程であるリフロー&剤硬化工程（ｐ
８）を実施して、ＳＯＰ３とＣＯＢ４とを基板１上に混
在実装する。このリフロー&剤硬化工程は、ＣＯＢ工法
の封止剤加熱硬化工程とＳＭＴのリフロー工程とを加熱
により同時に実施ものである。本基板製造方法では、従
来のＣ／Ｓ混在実装法と同様に封止剤として熱硬化性物
質を用いているが、加熱を必要とする封止剤加熱硬化工
程とリフロー工程とをリフロー&剤硬化工程で同時に実
施することにより、基板１上のＳＯＰ３やＩＣチップ４
ａ等の電子回路部品に対する加熱回数を低減することが
できる。また、フラックスや半田粒子を基板１上で飛散
させ易いリフロー工程に先立ち、ボンディング工程及び
封止工程を実施する。

【００４８】なお、本基板製造方法においても、上記実
施例１の基板製造方法と同様の理由により、半田印刷工
程でエンボスマスクを用いる。

【００４９】以上、本実施例２の基板製造方法によれ
ば、基板１上のＳＯＰ３やＩＣチップ４ａに対する加熱
回数を低減するので、これら電子回路部品に与えるヒー
トショック回数を低減することができる。また、従来で
は個別に実施されていたＣＯＢ工法の封止剤加熱硬化工
程とＳＭＴのリフロー工程とを同時に実施するので、処
理工程数を低減して作業性を向上させることができる。
また、固定剤硬化工程で固定剤を加熱することなく自然
硬化させることができるので、ＩＣチップ４ａに与える
ヒートショック回数を更に低減することができる。ま
た、フラックスや半田粒子を飛散させ易いリフロー工程
に先立ち、ボンディング工程及び封止工程を実施するの
で、飛散フラックスの付着による印刷パターン１０とＩ
Ｃチップ４ａとのボンディング性の低下や、飛散半田粒
子の付着によるボンディングワイヤ４ｂの品質劣化や絶
縁不良を回避することができる。

【００５０】なお、本基板製造方法のように、非加熱硬
化性固定剤を用い、且つ、固定剤塗布工程の後に加熱を
要する工程を実施する場合には、加熱により変性し難い
耐熱性の非加熱硬化性固定剤を用いることが望ましい。

【００５１】［実施例３］次に、本発明を適用した実施
例３の基板製造方法について説明する。本基板製造方法
においては、上記実施例１の基板製造方法と同様に、固
定剤及び封止剤として熱硬化性物質を用いる。

【００５２】図７は本基板製造方法における各処理工程
を示す工程図である。図示のように、本基板製造方法に
おいては、まず、ＳＭＴの半田印刷工程（ｐ１）を実施
した後、ＣＯＢ工法の固定剤塗布工程（ｐ２）とチップ
マウント工程（ｐ３）とを実施する。即ち、基板１上に
ＩＣチップ４ａ等の電子回路部品をマウントして突起を
形成する前に、半田印刷工程を実施する。このため、半
田印刷工程で通常の印刷用マスクとスキージとの組み合
わせを用いることができる。

【００５３】チップマウント工程の次には、ＳＭＴのＳ
ＭＤマウント工程（ｐ４）を実施した後、リフロー工程
と固定剤硬化工程との共通工程であるリフロー&剤硬化
工程（ｐ５）と実施する。このリフロー&剤硬化工程の
実施により、基板１上のＳＯＰ３やＩＣチップ４ａ等の
電子回路部品に対する加熱回数を低減することができ
る。

【００５４】リフロー&剤硬化工程の次には、ＣＯＢ工
法のボンディング工程（ｐ６）、封止工程（ｐ７）及び
加熱硬化工程（封止剤硬化工程、ｐ８）を実施して、Ｓ
ＯＰ３とＣＯＢ４とを基板１上に混在実装する。

【００５５】以上、本実施例３の基板製造方法によれ
ば、基板１上のＳＯＰ３やＩＣチップ４ａに対する加熱
回数を低減するので、これら電子回路部品に与えるヒー
トショック回数を低減することができる。また、従来で
は個別に実施されていたＣＯＢ工法の固定剤加熱硬化工
程とＳＭＴのリフロー工程とを同時に実施するので、処
理工程数を低減して作業性を向上させることができる。

【００５６】なお、チップマウント工程（ｐ３）とＳＭ
Ｄマウント工程（ｐ４）の順序を逆転させて実施しても
よい。

【００５７】［実施例４］次に、本発明を適用した実施
例４の基板製造方法について説明する。本基板製造方法
においては、従来のＳ／Ｍ混在実装法とは異なり、封止
剤として、上記実施例２の基板製造方法で用いた固定剤
と同様に非加熱硬化性のものを用いる。

【００５８】図８は本基板製造方法における各処理工程
を示す工程図である。図示のように、本基板製造方法に
おいては、まず、ＳＭＴの半田印刷工程（ｐ１）を実施
した後、ＣＯＢ工法の固定剤塗布工程（ｐ２）とチップ
マウント工程（ｐ３）とを実施する。

【００５９】次いで、ＳＭＴのＳＭＤマウント工程（ｐ
４）を実施した後、リフロー工程と固定剤硬化工程との
共通工程であるリフロー&剤硬化工程（ｐ５）と実施す
る。このリフロー&剤硬化工程の実施により、基板１上
のＳＯＰ３やＩＣチップ４ａ等の電子回路部品に対する
加熱回数を低減することができる。

【００６０】リフロー&剤硬化工程の次には、ＣＯＢ工
法のボンディング工程（ｐ６）と封止工程（ｐ７）とを
実施した後、封止剤硬化工程である自然硬化工程（ｐ
８）を実施して、ＳＯＰ３とＣＯＢ４とを基板１上に混
在実装する。本基板製造方法においては、封止剤として
非加熱硬化性の剤を用いているので、封止剤硬化工程で
該封止剤を加熱することなく自然硬化させることができ
る。

【００６１】以上、本実施例４の基板製造方法によれ
ば、基板１上のＳＯＰ３やＩＣチップ４ａに対する加熱
回数を低減するので、これら電子回路部品に与えるヒー
トショック回数を低減することができる。また、従来で
は個別に実施されていたＣＯＢ工法の固定剤加熱硬化工
程とＳＭＴのリフロー工程とを同時に実施するので、処
理工程数を低減して作業性を向上させることができる。
また、封止剤硬化工程で封止剤を加熱することなく自然
硬化させることができるので、ＳＯＰ３やＩＣチップ４
ａに与えるヒートショック回数を更に低減することがで
きる。

【００６２】なお、ＳＭＤマウント工程（ｐ３）とチッ
プマウント工程（ｐ４）の順序を逆転させて実施しても
よい。また、固定剤に非加熱硬化性物質を用いる場合と
同様に、封止剤に非加熱硬化性物質を用い、且つ、封止
材塗布工程の後に加熱を要する工程を実施する場合に
は、加熱により変性し難い耐熱性の非加熱硬化性物質を
用いることが望ましい。また、封止材にエラストマ型紫
外線硬化性樹脂など、光硬化性物質を用いる場合には、
基板を透明な材質で構成することが望ましい。

【００６３】［実施例５］次に、本発明を適用した実施
例５の基板製造方法について説明する。本基板製造方法
においては、実施例２の基板製造方法と同様の非加熱硬
化性固定剤を用いる。

【００６４】図９は本基板製造方法における各処理工程
を示す工程図である。図示のように、本基板製造方法に
おいては、まず、ＳＭＴの半田印刷工程（ｐ１）を実施
した後、ＣＯＢ工法の非加熱硬化性固定剤塗布工程（ｐ
２）、チップマウント工程（ｐ３）及び自然硬化工程
（固定剤硬化工程、ｐ４）を実施する。このように、非
加熱硬化性固定剤を用いることで、固定剤硬化工程で固
定剤を加熱することなく自然硬化させることができる。

【００６５】自然硬化工程の次には、ＳＭＴのＳＭＤマ
ウント工程（ｐ５）を実施した後、ＣＯＢ工法のボンデ
ィング工程（ｐ６）と封止工程（ｐ７）とを実施し、最
後に、リフロー&剤硬化工程（ｐ８）を実施する。この
リフロー&剤硬化工程の実施により、基板１上のＳＯＰ
３やＩＣチップ４ａ等の電子回路部品に対する加熱回数
を低減することができる。また、フラックスや半田粒子
を基板１上で飛散させ易いリフロー工程に先立ってボン
ディング工程及び封止工程を実施して、飛散フラックス
の付着による印刷パターン１０とＩＣチップ４ａとのボ
ンディング性の低下や、飛散半田粒子の付着によるボン
ディングワイヤ４ｂの品質劣化や絶縁不良を回避するこ
とができる。

【００６６】以上、本実施例５の基板製造方法によれ
ば、固定剤硬化工程で固定剤を加熱することなく自然硬
化させることができるので、ＩＣチップ４ａに与えるヒ
ートショック回数を低減することができる。また、基板
１上のＳＯＰ３やＩＣチップ４ａに対する加熱回数を低
減するので、これら電子回路部品に与えるヒートショッ
ク回数をより低減することができる。また、フラックス
や半田粒子を飛散させ易いリフロー工程に先立ち、ボン
ディング工程及び封止工程を実施するので、飛散フラッ
クスの付着による印刷パターン１０とＩＣチップ４ａと
のボンディング性の低下や、飛散半田粒子の付着による
ボンディングワイヤ４ｂの品質劣化や絶縁不良を回避す
ることができる。また、従来では個別に実施されていた
ＣＯＢ工法の封止剤加熱硬化工程とＳＭＴのリフロー工
程とを同時に実施するので、処理工程数を低減して作業
性を向上させることができる。

【００６７】なお、ＳＭＤマウント工程、チップマウン
ト工程、自然乾燥工程という順序で処理工程を実施して
もよい。

【００６８】［実施例６］次に、本発明を適用した実施
例６の基板製造方法について説明する。本基板製造方法
においては、実施例１及び３の基板製造方法と同様に、
加熱硬化性の固定剤及び封止剤を用いる。

【００６９】図１０は本基板製造方法における各処理工
程を示す工程図である。図示のように、本基板製造方法
においては、ＳＭＴの半田印刷工程（ｐ１）及びＳＭＤ
マウント工程（ｐ２）を実施した後、ＣＯＢ工法の固定
剤塗布工程（ｐ３）、チップマウント工程（ｐ４）、加
熱硬化工程（ｐ５）、ボンディング工程（ｐ６）、封止
工程（ｐ７）及びリフロー&剤硬化工程（ｐ８）を実施
する。

【００７０】以上の処理工程において、リフロー&剤硬
化工程（リフローと封止剤硬化の共通工程）の実施によ
り、基板１上のＳＯＰ３やＩＣチップ４ａ等の電子回路
部品に対する加熱回数を低減することができる。また、
リフロー工程に先立ってボンディング工程及び封止工程
を実施して、飛散フラックスの付着による印刷パターン
１０とＩＣチップ４ａとのボンディング性の低下や、飛
散半田粒子の付着によるボンディングワイヤ４ｂの品質
劣化や絶縁不良を回避することができる。

【００７１】以上、本実施例６の基板製造方法によれ
ば、基板１上のＳＯＰ３やＩＣチップ４ａに対する加熱
回数を低減するので、これら電子回路部品に与えるヒー
トショック回数をより低減することができる。また、リ
フロー工程に先立ち、ボンディング工程及び封止工程を
実施するので、飛散フラックスの付着による印刷パター
ン１０とＩＣチップ４ａとのボンディング性の低下や、
飛散半田粒子の付着によるボンディングワイヤ４ｂの品
質劣化や絶縁不良を回避することができる。また、従来
では個別に実施されていたＣＯＢ工法の封止剤加熱硬化
工程とＳＭＴのリフロー工程とを同時に実施するので、
処理工程数を低減して作業性を向上させることができ
る。

【００７２】なお、Ｐ５の加熱硬化工程でクリーム半田
を溶融させて、即ち、Ｐ５をリフロー&剤硬化工程と
し、Ｐ８で封止材のみを加熱硬化させてもよい。但し、
この場合にはボンディング工程に先立ち、リフローによ
り半田フラックスを飛散させることになる。

【００７３】［実施例７］次に、本発明を適用した実施
例７の基板製造方法について説明する。本基板製造方法
においては、実施例２及び５の基板製造方法と同様の非
加熱硬化性固定剤を用いる。

【００７４】図１１は本基板製造方法における各処理工
程を示す工程図である。図示のように、本基板製造方法
においては、半田印刷工程（ｐ１）、ＳＭＤマウント工
程（ｐ２）、非加熱硬化性固定剤塗布工程（ｐ３）、チ
ップマウント工程（ｐ４）、自然乾燥工程（ｐ５）、ボ
ンディング工程（ｐ６）、封止工程（ｐ７）、リフロー
&剤硬化工程（ｐ８）という順で各処理工程を実施す
る。

【００７５】以上の処理工程において、非加熱硬化性固
定剤を用いることで、固定剤硬化工程で固定剤を加熱す
ることなく自然硬化させることができる。また、リフロ
ー&剤硬化工程（リフローと封止剤硬化の共通工程）の
実施により、基板１上のＳＯＰ３やＩＣチップ４ａ等の
電子回路部品に対する加熱回数を低減することができ
る。また、リフロー工程に先立ってボンディング工程及
び封止工程を実施して、飛散フラックスの付着による印
刷パターン１０とＩＣチップ４ａとのボンディング性の
低下や、飛散半田粒子の付着によるボンディングワイヤ
４ｂの品質劣化や絶縁不良を回避することができる。

【００７６】以上、本実施例７の基板製造方法によれ
ば、固定剤を加熱することなく自然硬化させることがで
きるので、ＩＣチップ４ａに与えるヒートショック回数
を低減することができる。また、基板１上のＳＯＰ３や
ＩＣチップ４ａに対する加熱回数を低減するので、これ
ら電子回路部品に与えるヒートショック回数をより低減
することができる。また、リフロー工程に先立ち、ボン
ディング工程及び封止工程を実施するので、飛散フラッ
クスの付着による印刷パターン１０とＩＣチップ４ａと
のボンディング性の低下や、飛散半田粒子の付着による
ボンディングワイヤ４ｂの品質劣化や絶縁不良を回避す
ることができる。また、従来では個別に実施されていた
ＣＯＢ工法の封止剤加熱硬化工程とＳＭＴのリフロー工
程とを同時に実施するので、処理工程数を低減して作業
性を向上させることができる。

【００７７】［実施例８］次に、本発明を適用した実施
例８の基板製造方法について説明する。本基板製造方法
においては、固定剤として熱可塑性物質を用い、該熱可
塑性物質を加熱により軟化させてから該熱可塑性物質上
にＩＣチップ４ａをマウントした後、該熱可塑性物質を
自然冷却などにより冷却して硬化させる。また、上記実
施例４と同様に、封止剤として非加熱硬化性のものを用
いる。

【００７８】図１２は本基板製造方法における各処理工
程を示す工程図である。図示のように、本基板製造方法
においては、まず、ＳＭＴの半田印刷工程（ｐ１）を実
施してから、ＣＯＢ工法の固定剤塗布工程（ｐ２）を実
施する。次いで、ＳＭＴのＳＭＤマウント工程（ｐ３）
を実施した後に、ＣＯＢ工法のチップマウント工程（ｐ
４）とを実施する。

【００７９】そして、固定剤を加熱により軟化させる加
熱軟化工程と、リフロー工程との共通工程であるリフロ
ー&剤軟化工程（ｐ５）と実施する。このリフロー&剤軟
化工程の実施により、基板１上のＳＯＰ３やＩＣチップ
４ａ等の電子回路部品に対する加熱回数を低減すること
ができる。

【００８０】次に、自然冷却等により固定剤を硬化させ
る固定剤冷却硬化工程（ｐ６）を実施する。更に、ＣＯ
Ｂ工法のボンディング工程（ｐ７）と封止工程（ｐ８）
とを実施した後、封止剤硬化工程である自然硬化工程
（ｐ９）を実施して、ＳＯＰ３とＣＯＢ４とを基板１上
に混在実装する。本基板製造方法においては、封止剤と
して非加熱硬化性の剤を用いているので、封止剤硬化工
程で該封止剤を加熱することなく自然硬化させることが
できる。

【００８１】以上、本実施例８の基板製造方法によれ
ば、加熱により軟化させた熱可塑性の固定剤上にＩＣチ
ップ４ａをマウントすることで、ＩＣチップ４ａを加熱
しないで基板上に固定することができるので、ＩＣチッ
プ４ａのヒートショック回数を低減することができる。
また、リフロー&剤軟化工程の実施により、基板１上の
ＳＯＰ３やＩＣチップ４ａ等の電子回路部品に対する加
熱回数を低減するので、これら電子回路部品に与えるヒ
ートショック回数を低減することができる。また、封止
剤硬化工程で封止剤を加熱することなく自然硬化させる
ことができるので、ＳＯＰ３やＩＣチップ４ａに与える
ヒートショック回数を更に低減することができる。

【００８２】なお、ｐ１〜ｐ４までの工程において、半
田印刷工程の後にＳＭＤマウント工程を実施し、且つ、
固定剤塗布工程の後にＳＭＤマウント工程を実施する条
件を具備していれば、各工程をどのような順序で実施し
てもよい。

【００８３】以上の各実施例の基板製造方法と、従来の
Ｃ／Ｓ混在実装法（従来法）とにおけるヒートショック
回数の比較結果を表１に示す。

【表１】

【００８４】いずれの実施例の基板製造方法において
も、従来法よりヒートショック回数を低減することがで
きるが、表１より、特に実施例２、４、５、７及び８の
基板製造方法がヒートショック回数の低減化に優れてい
ることがわかる。

【００８５】各実施例の基板製造方法と、従来のＣ／Ｓ
混在実装法（従来法）とにおける使用マスク（印刷用マ
スク）及び飛散半田等による影響の比較結果を表２に示
す。

【表２】

【００８６】表２より、使用マスクと、ボンディング工
程における飛散フラックス及び飛散半田粒子の影響とを
考慮すると、特に、実施例５、６及び７の基板製造方法
が優れていることがわかる。これらの比較結果より、実
施例５又は７の基板製造方法を用いるとより効果的であ
ることがわかる。

【００８７】［具体例］次に、上記各実施例の基板製造
方法のより詳細な例である具体例の基板製造方法につい
て説明する。上述した各実施例の基板製造方法において
は、いずれもボンディング工程を実施する前に半田印刷
工程を実施している。このボンディング工程において
は、一般に超音波発生装置を用いており、基板１に微細
な振動を付与することになる。このように振動を付与す
ると、図１３（ａ）に示す状態の印刷済みクリーム半田
２を、振動の付与によってダレさせて図１３（ｂ）に示
すように基板面に拡散させてしまう。そして、クリーム
半田２を拡散させてしまうと、図１４（ａ）に示すよう
に、クリーム半田２によりＳＯＰ３のリード３ｂと、こ
れに対して絶縁状態であるべき配線パターン１０ａとを
短絡させて、両者の絶縁不良を生ずるおそれがある。ま
た、クリーム半田２を拡散させてしまうと、当然ながら
その厚みを低減してしまうので、図１４（ｂ）に示すよ
うに、ＳＯＰ３のリード３ｂとクリーム半田２との接触
不良によりＳＯＰ３の導通不良を生ずるおそれがある。

【００８８】そこで、本具体例の基板製造方法において
は、図１５（ａ）に示すように、基板１の半田印刷面を
下方に向けた状態でボンディング工程（図示せず）を実
施して、基板１上のクリーム半田２に対して重力を基板
１とは反対方向に作用させる。このように重力を作用さ
せることにより、図１５（ｂ）に示すように、ボンディ
ング工程でクリーム半田２を基板１と反対方向（図面下
方向）にダレさせて、基板面方向におけるクリーム半田
２のダレ量を低減するとともに、基板面と直交する方向
におけるクリーム半田２のダレ量を増加させる。

【００８９】以上、本具体例の基板製造方法によれば、
基板面方向におけるクリーム半田２のダレ量を低減する
ので、隣接する印刷パターン間の間隙を広めて、該印刷
パターン間に生ずる絶縁不良を低減することができる。
また、基板面と直交する方向におけるクリーム半田２の
ダレ量を増加させるので、印刷パターンの高さを増加さ
せて、リード高さにバラツキのあるチップに対しても導
通不良を生じさせ難くすることができる。

【００９０】

【発明の効果】請求項１又は２の発明によれば、基板上
の電子回路部品の加熱回数を低減しながら該基板上にＣ
ＯＢとＳＭＤとを混在実装することができるので、該電
子回路部品に与えるヒートショック回数を低減しなが
ら、該ＣＯＢと該ＳＭＤとを同一基板上に混在実装する
ことができるという優れた効果がある。

【００９１】請求項３又は４の発明によれば、ＣＯＢと
ＳＭＤとを同一基板上に混在実装し、且つ、基板上の電
子回路部品を加熱しないで固定剤又は封止剤を硬化させ
ることができるので、該基板上の電子回路部品に与える
ヒートショック回数を低減しながら、該ＣＯＢと該ＳＭ
Ｄとを同一基板上に混在実装することができるという優
れた効果がある。

【００９２】請求項５、６又は７の発明によれば、基板
上の電子回路部品の加熱回数を低減しながら、該基板上
にＣＯＢとＳＭＤとを混在実装することができるので、
該電子回路部品に与えるヒートショック回数を低減しな
がら、該ＣＯＢと該ＳＭＤとを同一基板上に混在実装す
ることができるという優れた効果がある。

【００９３】特に、請求項６又は７の発明によれば、基
板上の電子回路部品の加熱回数をより低減することがで
きるので、該電子回路部品に与えるヒートショック回数
をより低減することができるという優れた効果がある。

【００９４】請求項８の発明によれば、導電性物質に含
有させたフラックスを基板上で飛散させる前に該基板と
電子回路部品とを電線接合するので、該フラックスの飛
散・付着による該基板と該電子回路基板との接合性の低
下を回避することができるという優れた効果がある。

【００９５】請求項９の発明によれば、導電性物質を加
熱・溶融によって基板上で飛散させる前に、該基板と電
線接合した電子回路部品を封止剤で封止するので、溶融
工程で該導電性物質を飛散・付着させることにより生ず
る該電子回路部品の電線接合部の品質劣化や絶縁不良を
回避することができるという優れた効果がある。

【００９６】請求項１０の発明によれば、基板面方向に
おける導電性物質のダレ量を低減するので、隣接する印
刷パターン間の間隙を広めて、該印刷パターン間に生ず
る絶縁不良を低減することができる。また、基板面と直
交する方向における導電性物質のダレ量を増加させるの
で、印刷パターンの高さを増加させて、リード高さにバ
ラツキのある電子回路部品に対しても導通不良を生じさ
せ難くすることができるという優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態の基板製造方法に用いる基板１を示す
断面図。

【図２】（ａ）は同基板製造方法のＣＯＢ工法における
固定剤塗布工程を説明する断面図。（ｂ）は同ＣＯＢ工
法におけるチップマウント工程を説明する断面図。
（ｃ）は同ＣＯＢ工法におけるボンディング工程を説明
する断面図。（ｄ）は同ＣＯＢ工法における封止工程を
説明する断面図。

【図３】（ａ）から（ｃ）はそれぞれ同基板製造方法の
ＳＭＴにおける印刷工程を説明する断面図。（ｄ）は同
ＳＭＴにおけるＳＭＤマウント工程を説明する断面図。

【図４】エンボスマスク７を基板１及びＩＣチップ４ａ
とともに示す断面図。

【図５】実施例１の基板製造方法における各処理工程を
示す工程図。

【図６】実施例２の基板製造方法における各処理工程を
示す工程図。

【図７】実施例３の基板製造方法における各処理工程を
示す工程図。

【図８】実施例４の基板製造方法における各処理工程を
示す工程図。

【図９】実施例５の基板製造方法における各処理工程を
示す工程図。

【図１０】実施例６の基板製造方法における各処理工程
を示す工程図。

【図１１】実施例７の基板製造方法における各処理工程
を示す工程図。

【図１２】実施例３の基板製造方法における各処理工程
を示す工程図。

【図１３】（ａ）は各実施例の基板製造方法の印刷工程
直後における印刷済みクリーム半田２の状態を示す断面
図。（ｂ）は同基板製造方法のボンディング工程後にお
ける印刷済みクリーム半田２の状態を示す断面図。

【図１４】（ａ）はＳＯＰ３のリード３ｂと配線パター
ン１０ａとの短絡状態を説明する断面図。（ｂ）は同リ
ード３ｂとクリーム半田２との接触不良を説明する断面
図。

【図１５】（ａ）は具体例の基板製造方法のボンディン
グ工程における振動付与前のクリーム半田２の状態を示
す断面図。（ｂ）は同ボンディング工程後のクリーム半
田２の状態を示す断面図。

【図１６】従来のＣ／Ｓ混在実装法により複数の電子回
路部品が実装された電子回路基板を示す断面図。

【図１７】同Ｃ／Ｓ混在実装法における各処理工程を示
す工程図。

【符号の説明】

１基板２クリーム半田３ＱＦＰ３ａＩＣチップ３ｂリード４ＣＯＢ４ａＩＣチップ４ｂワイヤ（ボンディングワイヤ）４ｃ封止枠４ｄ封止剤５固定剤６ベアチップ７印刷用マスク７ａ孔７ｂ凸部８スキージ１０配線パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に固定剤を供給する固定剤供給工程
と、該固定剤上に電子回路部品をマウントする部品マウ
ント工程と、該固定剤を加熱により硬化させる固定剤硬
化工程としての加熱硬化工程と、該電子回路部品を該基
板に電線接合させる電線接合工程と、該電子回路部品を
封止剤で封止する封止工程と、該封止剤を硬化させる封
止剤硬化工程とを実施する電子回路部品実装技術、及
び、基板上に導電性物質を印刷する印刷工程と、該導電
性物質上に電子回路部品をマウントする部品マウント工
程と、該導電性物質を加熱により溶融させる溶融工程と
を実施する電子回路部品実装技術、を同一基板に施す電
子回路基板製造方法において、該加熱硬化工程と該溶融
工程とを加熱により同時に実施することを特徴とする電
子回路基板製造方法。
【請求項２】基板上に固定剤を供給する固定剤供給工程
と、該固定剤上に電子回路部品をマウントする部品マウ
ント工程と、該固定剤を硬化させる固定剤硬化工程と、
該電子回路部品を該基板に電線接合させる電線接合工程
と、該電子回路部品を封止剤で封止する封止工程と、該
封止剤を加熱により硬化させる封止剤硬化工程としての
加熱硬化工程とを実施する電子回路部品実装技術、及
び、基板上に導電性物質を印刷する印刷工程と、該導電
性物質上に電子回路部品をマウントする部品マウント工
程と、該導電性物質を加熱により溶融させる溶融工程と
を実施する電子回路部品実装技術、を同一基板に施す電
子回路基板製造方法において、該加熱硬化工程と該溶融
工程とを同時に実施することを特徴とする電子回路基板
製造方法。
【請求項３】基板上に固定剤を供給する固定剤供給工程
と、該固定剤上に電子回路部品をマウントする部品マウ
ント工程と、該固定剤を硬化させる固定剤硬化工程と、
該電子回路部品を該基板に電線接合させる電線接合工程
と、該電子回路部品を封止剤で封止する封止工程と、該
封止剤を硬化させる封止剤硬化工程とを実施する電子回
路部品実装技術、及び、基板上に導電性物質を印刷する
印刷工程と、該導電性物質上に電子回路部品をマウント
する部品マウント工程と、該導電性物質を加熱により溶
融させる溶融工程とを実施する電子回路部品実装技術、
を同一基板に施す電子回路基板製造方法において、該固
定剤として、主剤と硬化助剤との混合により硬化する
剤、空気との接触で化学的もしくは物理的に変化して硬
化する剤、あるいは、光硬化性樹脂、を用いることを特
徴とする電子回路基板製造方法。
【請求項４】基板上に固定剤を供給する固定剤供給工程
と、該固定剤上に電子回路部品をマウントする部品マウ
ント工程と、該固定剤を硬化させる固定剤硬化工程と、
該電子回路部品を該基板に電線接合させる電線接合工程
と、該電子回路部品を封止剤で封止する封止工程と、該
封止剤を硬化させる封止剤硬化工程とを実施する電子回
路部品実装技術、及び、基板上に導電性物質を印刷する
印刷工程と、該導電性物質上に電子回路部品をマウント
する部品マウント工程と、該導電性物質を加熱により溶
融させる溶融工程とを実施する電子回路部品実装技術、
を同一基板に施す電子回路基板製造方法において、該封
止剤として、主剤と硬化助剤との混合により硬化する
剤、空気との接触で化学的もしくは物理的に変化して硬
化する剤、あるいは、光硬化性樹脂、を用いることを特
徴とする電子回路基板製造方法。
【請求項５】基板上に固定剤を供給する固定剤供給工程
と、該固定剤上に電子回路部品をマウントする部品マウ
ント工程と、該固定剤を硬化させる固定剤硬化工程と、
該電子回路部品を該基板に電線接合させる電線接合工程
と、該電子回路部品を封止剤で封止する封止工程と、該
封止剤を硬化させる封止剤硬化工程とを実施する電子回
路部品実装技術、及び、基板上に導電性物質を印刷する
印刷工程と、該導電性物質上に電子回路部品をマウント
する部品マウント工程と、該導電性物質を加熱により溶
融させる溶融工程とを実施する電子回路部品実装技術、
を同一基板に施す電子回路基板製造方法において、該固
定剤として熱可塑性物質を用い、これを加熱により軟化
させる加熱軟化工程を実施してから、軟化させた該熱可
塑性物質上に該電子回路部品をマウントするマウント工
程を実施することを特徴とする電子回路基板製造方法。
【請求項６】請求項５の電子回路基板製造方法におい
て、上記加熱軟化工程と溶融工程とを加熱により同時に
実施することを特徴とする電子回路基板製造方法。
【請求項７】上記封止材硬化工程で上記封止材を加熱に
より硬化させる請求項５の電子回路基板製造方法におい
て、上記加熱軟化工程と該封止材硬化工程とを加熱によ
り同時に実施することを特徴とする電子回路部品製造方
法。
【請求項８】請求項１、２、３、４、５、６又は７の電
子回路基板製造方法において、上記溶融工程に先立って
上記電線接合工程を実施することを特徴とする電子回路
基板製造方法。
【請求項９】請求項１、２、３、４、５、６、７又は８
の電子回路基板製造方法において、上記溶融工程に先立
って上記封止工程を実施することを特徴とする電子回路
基板製造方法。
【請求項１０】上記電線接合工程に先立って上記印刷工
程を実施する請求項１、２、３、４、５、６、７、８又
は９の電子回路基板製造方法において、上記基板の導電
性物質印刷面を下方に向けた状態で該電線接合工程を実
施することを特徴とする電子回路基板製造方法。