JP2000299344A - フリップチップ構造とその製造方法 - Google Patents
フリップチップ構造とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リソグラフィー・エッチングならびに電気メ
ッキ工程を行うことなく、現行のパッケージ工程に適合
し、かつ良好な導電特性を備えるフリップチップ構造と
その製造方法を提供する。 【構成】 少なくとも１つのボンディングパッドを有す
るチップを提供するステップと、前記ボンディングパッ
ド上に導電材料を配置するステップと、前記導電材料上
に金属ボールを配置するステップとから構成されるフリ
ップチップ構造の製造方法であり、特に好ましくは金属
ボール表面を事前に電気メッキ処理するものである。
ッキ工程を行うことなく、現行のパッケージ工程に適合
し、かつ良好な導電特性を備えるフリップチップ構造と
その製造方法を提供する。 【構成】 少なくとも１つのボンディングパッドを有す
るチップを提供するステップと、前記ボンディングパッ
ド上に導電材料を配置するステップと、前記導電材料上
に金属ボールを配置するステップとから構成されるフリ
ップチップ構造の製造方法であり、特に好ましくは金属
ボール表面を事前に電気メッキ処理するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路のパッケージ
構造に関し、特にフリップチップ(flip chip)構造とそ
の製造方法に関するものである。
構造に関し、特にフリップチップ(flip chip)構造とそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術にかかるフリップチップ構造の
バンプ(bump)製造プロセスにおいては、図１(ａ)に示す
ように、アルミニウム製ボンディングパッド(bonding p
ad)１０上にバリヤー膜１２、チタン金属膜１４、銅金
属膜１６を順番に形成してから、銅金属膜１６上にパタ
ーニングされたフォトレジスト膜１８を形成する。
バンプ(bump)製造プロセスにおいては、図１(ａ)に示す
ように、アルミニウム製ボンディングパッド(bonding p
ad)１０上にバリヤー膜１２、チタン金属膜１４、銅金
属膜１６を順番に形成してから、銅金属膜１６上にパタ
ーニングされたフォトレジスト膜１８を形成する。
【０００３】次に、図１(ｂ)に示すように、フォトレジ
スト膜１８により露出された銅金属膜１６上に電気メッ
キによって銅金属膜２０を形成してから、再び電気メッ
キで銅金属膜２０およびフォトレジスト膜１８表面の一
部分にスズ鉛(ＳｎＰｂ)膜２２を形成する。
スト膜１８により露出された銅金属膜１６上に電気メッ
キによって銅金属膜２０を形成してから、再び電気メッ
キで銅金属膜２０およびフォトレジスト膜１８表面の一
部分にスズ鉛(ＳｎＰｂ)膜２２を形成する。
【０００４】そして、図１(ｃ)に示すように、フォトレ
ジスト膜１８を除去した後、リフロー(reflow)を実施し
てスズ鉛膜２２によりバンプ２４を形成する。その後、
エッチングによりチタン金属膜１４および銅金属膜１６
を部分的に除去し、チタン金属膜１４ａならびに銅金属
膜１６ａを形成するものである。
ジスト膜１８を除去した後、リフロー(reflow)を実施し
てスズ鉛膜２２によりバンプ２４を形成する。その後、
エッチングによりチタン金属膜１４および銅金属膜１６
を部分的に除去し、チタン金属膜１４ａならびに銅金属
膜１６ａを形成するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような製造プロセ
スは、リソグラフィー・エッチング工程を複数回繰り返
す必要があるため工程が複雑であるとともに、電気メッ
キを行う必要があるため電気メッキによりチップ上の配
線に悪影響を及ぼす恐れがあった。
スは、リソグラフィー・エッチング工程を複数回繰り返
す必要があるため工程が複雑であるとともに、電気メッ
キを行う必要があるため電気メッキによりチップ上の配
線に悪影響を及ぼす恐れがあった。
【０００６】また、図２に示すように、従来技術にかか
る別のフリップチップ構造として、スクリーン印刷、デ
ィスペンシング（dispensing）、ピントランスファー
（pintransfer）等によりエポキシ樹脂のような導電性
樹脂をボンディングパッド２６上に直接配設してバンプ
２８として使用するものがある。しかしながら、導電性
樹脂を使用する場合、半田による接合ができなくなる。
したがって、このようなフリップチップ構造を採用する
場合、その後の組み立て工程および関連するキャリア(c
arrier)あるいはプリント回路基板に対して接点設計を
変更し、常用されてきた半田を導電性樹脂に置き換えな
ければならない。これは、製造コストの上昇という問題
を招く。
る別のフリップチップ構造として、スクリーン印刷、デ
ィスペンシング（dispensing）、ピントランスファー
（pintransfer）等によりエポキシ樹脂のような導電性
樹脂をボンディングパッド２６上に直接配設してバンプ
２８として使用するものがある。しかしながら、導電性
樹脂を使用する場合、半田による接合ができなくなる。
したがって、このようなフリップチップ構造を採用する
場合、その後の組み立て工程および関連するキャリア(c
arrier)あるいはプリント回路基板に対して接点設計を
変更し、常用されてきた半田を導電性樹脂に置き換えな
ければならない。これは、製造コストの上昇という問題
を招く。
【０００７】さらに、導電性樹脂の導電性は金属より劣
っているので、導電性樹脂を利用したフリップチップ構
造の導電性は、金属バンプを利用したフリップチップ構
造より劣ったものとなる。したがって、高伝達速度なら
びに低エネルギー損失という将来の観点からみれば、デ
バイス間における信号伝達の抵抗値が高いものとなり、
信号遅延または信号減衰を引き起こす恐れがある。
っているので、導電性樹脂を利用したフリップチップ構
造の導電性は、金属バンプを利用したフリップチップ構
造より劣ったものとなる。したがって、高伝達速度なら
びに低エネルギー損失という将来の観点からみれば、デ
バイス間における信号伝達の抵抗値が高いものとなり、
信号遅延または信号減衰を引き起こす恐れがある。
【０００８】そこで、本発明の第１の目的は、複雑なリ
ソグラフィー・エッチングならびに電気メッキ工程を実
施する必要がなく、しかも従来のキャリア構造およびパ
ッケージ工程に適合するフリップチップ構造とその製造
方法を提供することにある。そして、本発明の第２の目
的は、良好な導電特性を備えるとともに将来の高伝達性
ニーズに対応することができるフリップチップ構造とそ
の製造方法を提供することにある。
ソグラフィー・エッチングならびに電気メッキ工程を実
施する必要がなく、しかも従来のキャリア構造およびパ
ッケージ工程に適合するフリップチップ構造とその製造
方法を提供することにある。そして、本発明の第２の目
的は、良好な導電特性を備えるとともに将来の高伝達性
ニーズに対応することができるフリップチップ構造とそ
の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決して所望
の目的を達成するために、本発明にかかるフリップチッ
プ構造とその製造方法は、少なくとも１つのボンディン
グパッドを有するチップを提供するステップと、ボンデ
ィングパッド上に導電材料を配置するステップと、導電
材料上に金属ボールを配置するステップとを具備するも
のであり、特に好ましくはチップ上に複数個のボンディ
ングパッドを配置するとともに、導電材料を介して各ボ
ンディングパッド上に事前に電気メッキ処理を表面に施
した銅金属ボールを接合するものである。
の目的を達成するために、本発明にかかるフリップチッ
プ構造とその製造方法は、少なくとも１つのボンディン
グパッドを有するチップを提供するステップと、ボンデ
ィングパッド上に導電材料を配置するステップと、導電
材料上に金属ボールを配置するステップとを具備するも
のであり、特に好ましくはチップ上に複数個のボンディ
ングパッドを配置するとともに、導電材料を介して各ボ
ンディングパッド上に事前に電気メッキ処理を表面に施
した銅金属ボールを接合するものである。
【００１０】
【作用】上記構成により、本発明にかかるフリップチッ
プ構造とその製造方法は、導電材料および金属ボール
(特に好ましくは銅金属ボール)によりバンプを形成する
ことで大量生産に適するとともに、従来のキャリア構造
およびパッケージ工程に適合することができるので、設
計を変更する必要がない。また、複雑なリソグラフィー
・エッチングならびに電気メッキ工程を行う必要がない
ので、製品の信頼性を向上させることができる。さら
に、銅金属ボールは、導電性が良好なので優れた信号伝
達性を達成することができるとともに、適切な表面電気
メッキ処理を施すことで回路基板またはキャリアとの電
気接続効果を向上させて歩留りを改善することができ
る。
プ構造とその製造方法は、導電材料および金属ボール
(特に好ましくは銅金属ボール)によりバンプを形成する
ことで大量生産に適するとともに、従来のキャリア構造
およびパッケージ工程に適合することができるので、設
計を変更する必要がない。また、複雑なリソグラフィー
・エッチングならびに電気メッキ工程を行う必要がない
ので、製品の信頼性を向上させることができる。さら
に、銅金属ボールは、導電性が良好なので優れた信号伝
達性を達成することができるとともに、適切な表面電気
メッキ処理を施すことで回路基板またはキャリアとの電
気接続効果を向上させて歩留りを改善することができ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明にかかる好適な実施例を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１２】図３(ａ)に示すように、チップ３０上にボ
ンディングパッド３２を設けるとともに、バリヤー膜３
４を形成してからボンディングパッド３２を露出させ
る。尚、チップ３０は一般の半導体チップであり、図示
していないが、多くの電気素子や配線が作り込まれてい
る。ボンディングパッド３２の材料としては、例えばア
ルミニウムを使用でき、チップ３０上の図示されていな
い配線ならびに電気素子に接続されている。導電材料３
６としては、例えば導電樹脂、異方性導電ペースト(Ａ
ＣＰ：Anisotropic Conductive Paste)、異方性導電フ
ィルム(ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film)あるい
は銀ペーストを使用することができる。導電材料３６を
形成する方法としては、スクリーン印刷、ディスペンシ
ング、ピントランスファー、パンチ(punch)粘着(ＡＣＦ
に対応)のいずれかを採用することが好ましい。
ンディングパッド３２を設けるとともに、バリヤー膜３
４を形成してからボンディングパッド３２を露出させ
る。尚、チップ３０は一般の半導体チップであり、図示
していないが、多くの電気素子や配線が作り込まれてい
る。ボンディングパッド３２の材料としては、例えばア
ルミニウムを使用でき、チップ３０上の図示されていな
い配線ならびに電気素子に接続されている。導電材料３
６としては、例えば導電樹脂、異方性導電ペースト(Ａ
ＣＰ：Anisotropic Conductive Paste)、異方性導電フ
ィルム(ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film)あるい
は銀ペーストを使用することができる。導電材料３６を
形成する方法としては、スクリーン印刷、ディスペンシ
ング、ピントランスファー、パンチ(punch)粘着(ＡＣＦ
に対応)のいずれかを採用することが好ましい。
【００１３】図３(ｂ)に示すように、導電材料３６上に
銅金属ボール３８を配置する。この導電材料３６および
銅金属ボール３８によってバンプを形成する。銅金属ボ
ール３８には、事前に電気めっき処理を施してメッキ膜
３９を形成しておき、後工程での半田付け性(solderabi
lity)、耐酸化性、耐腐蝕性を向上させる。メッキ膜３
９の材料としては、金(Ａｕ)、銀(Ａｇ)、スズ(Ｓｎ)、
パラジウム(Ｐｄ)、ニッケル(Ｎｉ)およびこれらの組み
合せから選択することができる。
銅金属ボール３８を配置する。この導電材料３６および
銅金属ボール３８によってバンプを形成する。銅金属ボ
ール３８には、事前に電気めっき処理を施してメッキ膜
３９を形成しておき、後工程での半田付け性(solderabi
lity)、耐酸化性、耐腐蝕性を向上させる。メッキ膜３
９の材料としては、金(Ａｕ)、銀(Ａｇ)、スズ(Ｓｎ)、
パラジウム(Ｐｄ)、ニッケル(Ｎｉ)およびこれらの組み
合せから選択することができる。
【００１４】上述の製造プロセスから理解されるよう
に、本発明ではバンプの作製にあたってリソグラフィー
・エッチング工程を必要としないので、工程を簡略化す
ることができる。しかも、銅金属ボール３８のメッキ膜
３９部分は、チップ３０とは個別に形成できるため、チ
ップ３０の電気特性に影響を及ぼすことがない。また、
導電材料３６および銅金属ボール３８の配置は、一括か
つ大量に行うことができるので生産性を向上させること
ができる。
に、本発明ではバンプの作製にあたってリソグラフィー
・エッチング工程を必要としないので、工程を簡略化す
ることができる。しかも、銅金属ボール３８のメッキ膜
３９部分は、チップ３０とは個別に形成できるため、チ
ップ３０の電気特性に影響を及ぼすことがない。また、
導電材料３６および銅金属ボール３８の配置は、一括か
つ大量に行うことができるので生産性を向上させること
ができる。
【００１５】図３(ｃ)に示すように、キャリア４０の配
線接点４１上に半田４２を配置してから、チップ３０を
ひっくり返して(フリップさせて)キャリア４０上に銅金
属ボール３８および半田４２を介して接合する。そし
て、アンダーフィル(underfill)を実施してチップ３０
とキャリア４０との間に充填樹脂４４を注入して組み立
て信頼性を向上させる。尚、キャリア４０としては、例
えば、ボールグリッドアレイ基板(ＢＧＡ substrate)、
ランドグリッドアレイ基板(ＬＧＡ substrate)あるいは
プリント回路基板(ＰＣＢ)を使用することができる。ま
た、キャリア４０の材料としては、例えば、ＢＴ樹脂、
ＦＲ４樹脂、セラミックス材料あるいはポリイミドを使
用することができる。
線接点４１上に半田４２を配置してから、チップ３０を
ひっくり返して(フリップさせて)キャリア４０上に銅金
属ボール３８および半田４２を介して接合する。そし
て、アンダーフィル(underfill)を実施してチップ３０
とキャリア４０との間に充填樹脂４４を注入して組み立
て信頼性を向上させる。尚、キャリア４０としては、例
えば、ボールグリッドアレイ基板(ＢＧＡ substrate)、
ランドグリッドアレイ基板(ＬＧＡ substrate)あるいは
プリント回路基板(ＰＣＢ)を使用することができる。ま
た、キャリア４０の材料としては、例えば、ＢＴ樹脂、
ＦＲ４樹脂、セラミックス材料あるいはポリイミドを使
用することができる。
【００１６】図４に本発明にかかるフリップチップ構造
の一実施例を示す。充填樹脂４４を注入した後、封止樹
脂４６でチップ３０を被覆してパッケージ構造を形成す
る。さらに、封止樹脂４６上にヒートスラッグ(heat sl
ug)４８を被着させてパッケージ全体の放熱性を向上さ
せる。この封止樹脂４６の材料として、例えば、エポキ
シ樹脂を含むものを使用することができる。
の一実施例を示す。充填樹脂４４を注入した後、封止樹
脂４６でチップ３０を被覆してパッケージ構造を形成す
る。さらに、封止樹脂４６上にヒートスラッグ(heat sl
ug)４８を被着させてパッケージ全体の放熱性を向上さ
せる。この封止樹脂４６の材料として、例えば、エポキ
シ樹脂を含むものを使用することができる。
【００１７】図５に本発明にかかるフリップチップ構造
の別の実施例を示す。充填樹脂４４を注入した後、封止
樹脂４６でチップ３０をその背面(図５のチップの上側
平坦表面)を除いて被覆し、パッケージ構造を形成す
る。次に、露出された背面上にヒートスラッグ４８を直
接被着させる。これにより、チップ３０から発生する熱
が直接放熱されるので、放熱効果を向上できる点で好ま
しい。
の別の実施例を示す。充填樹脂４４を注入した後、封止
樹脂４６でチップ３０をその背面(図５のチップの上側
平坦表面)を除いて被覆し、パッケージ構造を形成す
る。次に、露出された背面上にヒートスラッグ４８を直
接被着させる。これにより、チップ３０から発生する熱
が直接放熱されるので、放熱効果を向上できる点で好ま
しい。
【００１８】図３から図５において、本発明のフリップ
チップ構造とその製造方法は、バンプを銅金属ボール３
８により形成するので、キャリア４０上の半田４２と直
接ボンディングでき、しかもメッキ膜３９により半田４
２とのボンディング性を改善することができる。また、
本実施例では、銅金属ボール３８をチップ３０のボンデ
ィングパッド３２上に配置してからキャリア４０または
回路基板（図示せず）と接合しているが、銅金属ボール
３８を先ずキャリア４０または回路基板上に接合し、そ
の後ボンディングパッド３２上に導電材料３６を有する
チップ３０と銅金属ボール３８とを接合しても良い。そ
れによって達成される効果ならびに構造は、本実施例と
同等なものとなる。
チップ構造とその製造方法は、バンプを銅金属ボール３
８により形成するので、キャリア４０上の半田４２と直
接ボンディングでき、しかもメッキ膜３９により半田４
２とのボンディング性を改善することができる。また、
本実施例では、銅金属ボール３８をチップ３０のボンデ
ィングパッド３２上に配置してからキャリア４０または
回路基板（図示せず）と接合しているが、銅金属ボール
３８を先ずキャリア４０または回路基板上に接合し、そ
の後ボンディングパッド３２上に導電材料３６を有する
チップ３０と銅金属ボール３８とを接合しても良い。そ
れによって達成される効果ならびに構造は、本実施例と
同等なものとなる。
【００１９】したがって、本発明にかかるフリップチッ
プ構造は、従来技術のパッケージ工程への適合性に優れ
ており、製造プロセスおよびキャリア構造を変更する必
要がない。また、銅金属ボール３８を電気メッキ処理す
ることにより半田付け性、耐酸化性、耐腐食性を向上さ
せることができる。
プ構造は、従来技術のパッケージ工程への適合性に優れ
ており、製造プロセスおよびキャリア構造を変更する必
要がない。また、銅金属ボール３８を電気メッキ処理す
ることにより半田付け性、耐酸化性、耐腐食性を向上さ
せることができる。
【００２０】以上のごとく、本発明を好適な実施例によ
り開示したが、当業者であれば容易に理解できるよう
に、本発明の技術思想の範囲内において適当な変更なら
びに修正が当然なされうるものである。したがって、そ
の特許権保護の範囲は、特許請求の範囲およびそれと均
等な領域を基準として定めなければならない。
り開示したが、当業者であれば容易に理解できるよう
に、本発明の技術思想の範囲内において適当な変更なら
びに修正が当然なされうるものである。したがって、そ
の特許権保護の範囲は、特許請求の範囲およびそれと均
等な領域を基準として定めなければならない。
【００２１】
【発明の効果】上記した構成により、本発明にかかるフ
リップチップ構造とその製造方法は、少なくとも下記の
利点を有する。
リップチップ構造とその製造方法は、少なくとも下記の
利点を有する。
【００２２】１．本発明では、バンプを導電材料および
金属ボール(特に好ましくは銅金属ボール)の使用により
複雑なリソグラフィー・エッチングおよび電気メッキ工
程を必要とすることなく直接形成するので、工程を大幅
に簡略化することができる。しかも、導電材料ならびに
銅金属ボールを一括して大量に配設することができるの
で、生産性を向上させることができる。
金属ボール(特に好ましくは銅金属ボール)の使用により
複雑なリソグラフィー・エッチングおよび電気メッキ工
程を必要とすることなく直接形成するので、工程を大幅
に簡略化することができる。しかも、導電材料ならびに
銅金属ボールを一括して大量に配設することができるの
で、生産性を向上させることができる。
【００２３】２．本発明は、金属ボール(特に好ましく
は銅金属ボール)をバンプとしているので、半田と直接
結合することができる。その結果、製造プロセスおよび
キャリア構造を変更する必要がなく、現在のパッケージ
工程に適合することができる。
は銅金属ボール)をバンプとしているので、半田と直接
結合することができる。その結果、製造プロセスおよび
キャリア構造を変更する必要がなく、現在のパッケージ
工程に適合することができる。
【００２４】３．将来的な半導体製品の高速化、省エネ
化のニーズに対応するために、銅を配線材料として採用
する傾向が強まっている。本発明にかかるフリップチッ
プ構造とその製造方法において、銅金属ボールを接合媒
体として使用する場合、良好な導電特性が得られる。ま
た、電気抵抗を低減して信号の遅延および減衰を防止で
きるので、将来的なニーズに適合したものとなる。
化のニーズに対応するために、銅を配線材料として採用
する傾向が強まっている。本発明にかかるフリップチッ
プ構造とその製造方法において、銅金属ボールを接合媒
体として使用する場合、良好な導電特性が得られる。ま
た、電気抵抗を低減して信号の遅延および減衰を防止で
きるので、将来的なニーズに適合したものとなる。
【図１】(ａ)〜(ｃ)は、従来技術のフリップチップ構造
とその製造方法を示す概略断面図である。
とその製造方法を示す概略断面図である。
【図２】従来技術にかかる別のフリップチップ構造を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図３】(ａ)〜(ｃ)は、本発明にかかるフリップチップ
構造とその製造方法を示す概略断面図である。
構造とその製造方法を示す概略断面図である。
【図４】本発明にかかるパッケージ上にヒートスラッグ
を設けたフリップチップ構造を示す概略断面図である。
を設けたフリップチップ構造を示す概略断面図である。
【図５】本発明にかかるチップ上にヒートスラッグを設
けたフリップチップ構造を示す概略断面図である。
けたフリップチップ構造を示す概略断面図である。
３０ チップ ３２ ボンディングパッド ３６ 導電樹脂 ３８ 銅金属ボール ３９ メッキ膜 ４０ キャリア ４１ 配線接点 ４２ 半田 ４４ 充填樹脂 ４６ パッケージ樹脂 ４８ ヒートスラッグ
Claims (22)
- 【請求項１】 少なくとも１つのボンディングパッドを
有するチップを提供するステップと、前記ボンディング
パッド上に導電材料を配置するステップと、前記導電材
料上に金属ボールを配置するステップとを具備すること
を特徴とするフリップチップ構造の製造方法。 - 【請求項２】 前記導電材料を配置する方法は、スクリ
ーン印刷であることを特徴とする請求項１に記載のフリ
ップチップ構造の製造方法。 - 【請求項３】 前記導電材料を配置する方法は、ディス
ペンシング(dispensing)であることを特徴とする請求項
１に記載のフリップチップ構造の製造方法。 - 【請求項４】 前記導電材料を配置する方法は、ピント
ランスファー(pin transfer)であることを特徴とする請
求項１に記載のフリップチップ構造の製造方法。 - 【請求項５】 前記フリップチップ構造の製造方法は、
さらに前記チップ上にキャリアを被着するステップを含
むことを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ構
造の製造方法。 - 【請求項６】 チップと、前記チップの表面上に配置さ
れた複数個のボンディングパッドと、前記した複数個の
ボンディングパッド上にそれぞれ配置される導電材料
と、前記導電材料を介して前記した複数個のボンディン
グパッドにそれぞれ接合される複数個の金属ボールとを
具備することを特徴とするフリップチップ構造。 - 【請求項７】 チップと、前記チップの表面上に配置さ
れた複数個のボンディングパッドと、前記した複数個の
ボンディングパッド上にそれぞれ配置される導電材料
と、前記導電材料を介して前記した複数個のボンディン
グパッドにそれぞれ接合される複数個の金属ボールと、
複数個の接点を介して前記した複数個の金属ボールに接
合されるキャリアとを具備することを特徴とするフリッ
プチップ構造。 - 【請求項８】 第１表面および第２表面を有するチップ
と、前記チップの第１表面上に配置される複数個のボン
ディングパッドと、前記した複数個のボンディングパッ
ド上にそれぞれ配置される導電材料と、前記導電材料を
介して前記した複数個のボンディングパッドにそれぞれ
接合される複数個の金属ボールと、複数個の接点を介し
て前記した複数個の金属ボールに接合されるキャリア
と、前記チップを被覆するパッケージ材料とを具備する
ことを特徴とするフリップチップ構造。 - 【請求項９】 前記フリップチップ構造は、前記パッケ
ージ材料上にヒートスラッグ(heat slug)を被着させた
ものであることを特徴とする請求項８に記載のフリップ
チップ構造。 - 【請求項１０】 第１表面および第２表面を有するチッ
プと、前記チップの第１表面上に配置される複数個のボ
ンディングパッドと、前記した複数個のボンディングパ
ッド上にそれぞれ配置される導電材料と、前記導電材料
を介して前記した複数個のボンディングパッドにそれぞ
れ接合される複数個の金属ボールと、複数個の接点を介
して前記した複数個の金属ボールに接合されるキャリア
と、前記チップを前記第２表面を除いて被覆するパッケ
ージ材料とを具備することを特徴とするフリップチップ
構造。 - 【請求項１１】 前記フリップチップ構造は、前記第２
表面上に直接ヒートスラッグ(heat slug)を被着させた
ものであることを特徴とする請求項１０に記載のフリッ
プチップ構造。 - 【請求項１２】 前記ボンディングパッドの材料は、ア
ルミニウムを含むものであることを特徴とする請求項
１，６，７，８，１０のいずれか１項に記載のフリップ
チップ構造とその製造方法。 - 【請求項１３】 前記金属ボールの材料は、銅を含むも
のであることを特徴とする請求項１，６，７，８，１０
のいずれか１項に記載のフリップチップ構造とその製造
方法。 - 【請求項１４】 前記金属ボールは、事前にメッキ処理
されてその表面にメッキ層を形成したものであることを
特徴とする請求項１，６，７，８，１０のいずれか１項
に記載のフリップチップ構造とその製造方法。 - 【請求項１５】 前記メッキ層の材料は、金、銀、ス
ズ、パラジウム、ニッケルおよびこれらの組み合せから
成るグループより選択されるものであることを特徴とす
る請求項１４に記載のフリップチップ構造とその製造方
法。 - 【請求項１６】 前記導電材料は、導電樹脂を含むもの
であることを特徴とする請求項１，６，７，８，１０の
いずれか１項に記載のフリップチップ構造とその製造方
法。 - 【請求項１７】 前記導電材料は、銀ペーストを含むも
のであることを特徴とする請求項１，６，７，８，１０
のいずれか１項に記載のフリップチップ構造とその製造
方法。 - 【請求項１８】 前記導電材料は、異方性導電ペースト
を含むものであることを特徴とする請求項６，７，８，
１０のいずれか１項に記載のフリップチップ構造。 - 【請求項１９】 前記導電材料は、異方性導電フィルム
を含むものであることを特徴とする請求項６，７，８，
１０のいずれか１項に記載のフリップチップ構造。 - 【請求項２０】 前記キャリアは、プリント回路基板を
含むものであることを特徴とする請求項１，７，８，１
０のいずれか１項に記載のフリップチップ構造とその製
造方法。 - 【請求項２１】 前記キャリアは、ボールグリッドアレ
イ基板を含むものであることを特徴とする請求項１，
７，８，１０のいずれか１項に記載のフリップチップ構
造とその製造方法。 - 【請求項２２】 前記キャリアは、ランドグリッドアレ
イ基板を含むものであることを特徴とする請求項１，
７，８，１０のいずれか１項に記載のフリップチップ構
造とその製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW088105830A TW439237B (en) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | Flip chip structure and its manufacturing method |
| TW88105830 | 1999-04-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299344A true JP2000299344A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=21640269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11189428A Pending JP2000299344A (ja) | 1999-04-13 | 1999-07-02 | フリップチップ構造とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000299344A (ja) |
| TW (1) | TW439237B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455727B1 (ko) * | 2002-01-07 | 2004-11-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플립 칩 패키지 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113113374A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-07-13 | 重庆群崴电子材料有限公司 | 一种封装用圆球及其封装结构 |
-
1999
- 1999-04-13 TW TW088105830A patent/TW439237B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-07-02 JP JP11189428A patent/JP2000299344A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455727B1 (ko) * | 2002-01-07 | 2004-11-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플립 칩 패키지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW439237B (en) | 2001-06-07 |
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